專利名稱：處理基材的設(shè)備和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基材處理設(shè)備。更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及基材處理設(shè)備 和使用這種基材處理設(shè)備的基材處理方法，在該設(shè)備中，向基材的上表 面供應(yīng)化學(xué)品或氣體以清潔和干燥基材。
背景技術(shù)：
在制造半導(dǎo)體器件過(guò)程中，通過(guò)反復(fù)沉積、蝕刻絕緣層和金屬材料， 涂布光致抗蝕劑并使其顯影，然后去除粉塵，來(lái)形成精細(xì)圖案結(jié)構(gòu)。借 助于使用去離子水(DI水)或化學(xué)品的濕法清潔過(guò)程去除在這些過(guò)程中產(chǎn) 生的顆粒。
一般來(lái)說(shuō)，清潔和干燥設(shè)備包括用于固定晶片的晶片卡盤。當(dāng)通過(guò) 發(fā)動(dòng)機(jī)旋轉(zhuǎn)由晶片卡盤固定的晶片時(shí)，DI水或化學(xué)品被供應(yīng)至晶片表面。 由于晶片的旋轉(zhuǎn)力，供應(yīng)的DI水或化學(xué)品擴(kuò)散到晶片的整個(gè)表面以進(jìn)行 清潔和干燥過(guò)程。
在這種單晶片清潔和干燥設(shè)備中，使用DI水沖洗晶片，然后使用氮 氣干燥沖洗過(guò)的晶片。
然而，隨著近來(lái)晶片直徑更大、晶片圖案更精細(xì)的趨勢(shì)，DI水不能 完全被去除(未干燥)。因?yàn)楸┞对诳諝庵惺咕鍧嵑透稍铮酝獠凯h(huán) 境對(duì)晶片影響極大，從而使晶片的干燥較差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種基材處理設(shè)備。在示例性實(shí)施例中， 這種基材處理設(shè)備可以包括帶有卡盤的基材支撐單元，基材裝載在所 述卡盤上；底部室，所述底部室具有打開的頂部并用于圍住所述卡盤的 周邊；頂部室，所述頂部室用于打開或關(guān)閉所述底部室的頂部，使得在 所述基材與外部隔離時(shí)對(duì)所述基材進(jìn)行干燥處理；以及間接噴嘴，所述 間接噴嘴安裝在所述頂部室中并用于向上噴射干燥流體，使得干燥流體 間接地噴射到所述基材上。
在所述頂部室的內(nèi)部形成上部空間。所述上部空間可以包括環(huán)形的 邊緣部分和從所述邊緣部分延伸的中心部分，所述間接噴嘴安裝在所述 邊緣部分以向所述中心部分噴射。優(yōu)選的是，所述中心部分高于所述邊 緣部分。此外，在所述頂部室的內(nèi)部、所述上部空間的下面可以形成下 部空間，以及在所述下部空間與所述邊緣部分之間可以設(shè)置凸壁，其中 在所述中心部分與所述下部空間之間可以形成中心孔，從而所述中心部 分中的干燥流體流向所述下部空間。
所述凸壁的上表面可以包括導(dǎo)向表面，所述導(dǎo)向表面朝著所述中心 部分向上傾斜，所述凸壁的下表面具有導(dǎo)向表面，所述導(dǎo)向表面朝著所 述基材的邊緣向下傾斜。
在另一個(gè)示例性實(shí)施例中，這種基材處理設(shè)備可以包括帶有卡盤 的基材支撐單元，基材裝載在所述卡盤上；腔室，所述基材支撐單元的 卡盤設(shè)置在所述腔室中并且所述腔室用于限定密封空間，使得在所述基 材與外部隔離時(shí)對(duì)所述基材進(jìn)行干燥處理；以及間接噴嘴，所述間接噴 嘴用于朝著所述腔室的中心向上噴射干燥流體，使得干燥流體沒(méi)有直接 地噴射到所述基材表面上。
在另一個(gè)示例性實(shí)施例中，這種基材處理設(shè)備可以包括帶有卡盤 的基材支撐單元，基材裝載在所述卡盤上；底部室，所述底部室具有打 開的頂部并用于圍住所述卡盤的周邊；以及頂部室，所述頂部室用于密 封所述底部室的頂部，使得在與外部空氣隔離的空間中對(duì)所述基材進(jìn)行 干燥處理。
本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種基材處理方法。在示例性實(shí)施例中， 這種基材處理方法可以包括將基材裝載到設(shè)置在底部室內(nèi)部的卡盤上;
向裝載的基材供應(yīng)化學(xué)品以對(duì)所述基材進(jìn)行化學(xué)處理；以及當(dāng)頂部室密 封所述底部室的打開頂部時(shí)，利用從安裝在所述頂部室的間接噴嘴間接 噴射的干燥流體使化學(xué)處理的基材干燥。


圖1顯示了本發(fā)明的基材處理設(shè)備。
圖2顯示了圖1的基材處理設(shè)備的部分打開的底部室。 圖3顯示了圖1的基材處理設(shè)備的完全打開的底部室。 圖4顯示了頂部室。
圖5顯示了從圖4的頂部室的第一噴嘴噴射的干燥流體的流動(dòng)。 圖6是本發(fā)明基材處理方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
下面參考顯示本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的附圖，將更完整地描述本發(fā)明。 然而，可以以許多不同的形式體現(xiàn)本發(fā)明，并且不應(yīng)當(dāng)認(rèn)為本發(fā)明限制 于在此描述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例將使本發(fā)明內(nèi)容清楚、完 整，并向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分表達(dá)本發(fā)明的范圍。相同的附圖標(biāo)記始終 表示相同的元件。
圖1顯示了本發(fā)明的基材處理設(shè)備100。圖2和圖3分別顯示了基 材處理設(shè)備100的部分打開的底部室和完全打開的底部室。當(dāng)基材W旋 轉(zhuǎn)時(shí)，基材處理設(shè)備100用于化學(xué)處理、沖洗和干燥基材W。
參見(jiàn)圖1-圖3，基材處理設(shè)備100包括基材支撐單元110、底部室 120、頂部室130、化學(xué)品噴嘴單元160以及減壓?jiǎn)卧?70。
基材支撐單元110用于在過(guò)程中支撐基材W?；闹螁卧?10包 括卡盤112、心軸114、旋轉(zhuǎn)部件116、升降部件117和背面噴嘴部件118。
卡盤112設(shè)置在底部室120的內(nèi)部空間中。卡盤112具有其上裝載
基材W的上表面112a、用于在與上表面112a分開時(shí)支撐基材W的支撐 銷113a以及用于固定基材W的卡盤銷lBb。當(dāng)基材W與卡盤112的上 表面112a分開時(shí)，支撐銷113a支撐基材W。在此過(guò)程中，卡盤銷113b 用于卡住基材W的部分邊緣。
心軸114與卡盤112的中心底部連接。心軸114設(shè)置成空心軸的形 式，用于向卡盤112傳遞旋轉(zhuǎn)部件116的旋轉(zhuǎn)功率。盡管沒(méi)有顯示細(xì)節(jié)， 但是旋轉(zhuǎn)部件116可以包括用于產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)功率的驅(qū)動(dòng)部件(例如，發(fā)動(dòng) 機(jī))、用于向心軸114傳遞旋轉(zhuǎn)功率的皮帶以及功率傳輸部件(例如，鏈條)。
升降部件117用于使卡盤112上升或下降，使得在底部室120內(nèi)部， 卡盤112的相對(duì)高度隨著流體種類(或處理過(guò)程)變化。利用升降部件117， 卡盤112根據(jù)流體種類(或處理過(guò)程)移動(dòng)到與第一吸管122a、第二吸管 122b和第三吸管122c相應(yīng)的高度位置。稍后將詳細(xì)描述吸管122a、 122b 和122c。如上所述，固定底部室120，然后根據(jù)清潔、沖洗和干燥處理(或 所用流體的種類)使卡盤112上升或下降。然而，可以固定卡盤112，而 使底部室120上升或下降。
背面噴嘴部件118用于選擇性地噴射流體，以對(duì)基材W底部進(jìn)行清 潔和干燥處理。背面噴嘴部件118包括供應(yīng)管道118a和噴嘴118b。供應(yīng) 管道118a(流體的流動(dòng)通道)穿過(guò)心軸114的中空部分，噴嘴118b安裝在 卡盤112的上表面的中心。噴嘴118b與供應(yīng)管道118a連接并與卡盤112 的中心部分接觸，從而噴射用于對(duì)基材W的背面進(jìn)行清潔和干燥處理的 流體，以清潔和干燥基材W的背面。供應(yīng)管道118a可以是預(yù)定的管道 或者是以心軸114內(nèi)部管道形式限定的中空空間。由于基材W的旋轉(zhuǎn)， 從噴嘴118b噴射的流體很容易從基材W的背面中心擴(kuò)散到邊緣。
底部室120具有打開的頂部，用于圍住卡盤112的周邊。底部室120 包括多級(jí)的第一環(huán)形管122a、第二環(huán)形管122b和第三環(huán)形管122c。提 供這些環(huán)形管122a、 122b和122c以使噴射在旋轉(zhuǎn)的基材W上的流體流 入其中并被其吸收。底部室120包括與強(qiáng)制排氣用的真空管線174連接 的排放口 124。排放管線(圖中未示)與底部室120連接以回收化學(xué)品。
參見(jiàn)圖1、圖4和圖5，頂部室130包括上部杯體132、間接噴嘴140
和切換驅(qū)動(dòng)部件138。上部杯體132用于打開或關(guān)閉底部室120的頂部。 間接噴嘴140安裝在上部杯體132中，用于向基材間接噴射干燥流體。 切換驅(qū)動(dòng)部件138驅(qū)動(dòng)上部杯體132，以打開或關(guān)閉底部室120的頂部。
上部杯體132的尺寸足以覆蓋底部室120的頂部。上部杯體132包 括上部空間134、中心孔135、導(dǎo)向表面136、凸壁137和下部空間139。 上部空間134為傘狀的空間，具有邊緣部分134a和中心部分134b。邊緣 部分134a呈環(huán)形，中心部分134b從邊緣部分134a延伸。該間接噴嘴安 裝在邊緣部分134a上。中心部分134b設(shè)置在比邊緣部分134a高的位置。 上部空間134具有傾斜的通道134c，以將從間接噴嘴140噴射的干燥流 體導(dǎo)向其中心部分134b。
間接噴嘴140在上部空間134的邊緣部分134a處排列成環(huán)形。間接 噴嘴140具有多個(gè)固定間隔的噴射孔142。噴射孔142用于向上噴射干燥 流體。經(jīng)間接噴嘴140的噴射孔142噴射之后，干燥流體沿著上部空間 134流向上部空間的中心部分134b (上部杯體132的中心)。
在上部空間134的中心部分134b聚集的干燥流體經(jīng)中心孔135排放 到下部空間139。凸壁137設(shè)置在下部空間139與邊緣部分134a之間， 由間接噴嘴140噴射的干燥流體流向該凸壁。凸壁137用于保護(hù)基材W， 防止從間接噴嘴140落下的異物。中心孔135形成在中心部分134b與下 部空間139之間。凸壁137的上表面具有朝著中心部分134b向上傾斜的 導(dǎo)向表面137a，上部杯體132的下表面具有朝著卡盤112上放置的基材 邊緣向下傾斜的導(dǎo)向表面136。
應(yīng)當(dāng)注意，干燥流體可以包括有機(jī)溶劑(IPA)和氮?dú)?N2)，并且可以 在30-90攝氏度的溫度下加熱。
如上所述，間接噴嘴140用于間接地向基材噴射干燥流體。因此， 可以完全地保持層流流動(dòng)，并且比使用常規(guī)擺動(dòng)噴嘴更均勻地保持干燥 流體的濃度分布。特別的是，間接噴嘴140設(shè)置在上部空間134的邊緣 部分134a (向內(nèi)凹進(jìn)的空間)，以防止從間接噴嘴140的噴射孔142落下 的異物落在基材上。
上部杯體132的導(dǎo)向表面136從中心到邊緣向下傾斜。導(dǎo)向表面136
引導(dǎo)經(jīng)中心孔135排放的干燥流體，以從基材中心向其邊緣逐漸擴(kuò)散。 因此，導(dǎo)向表面136用于防止干燥流體的密度在基材邊緣處降低。上部
杯體132的導(dǎo)向表面136用于限定處理空間139，其中該處理空間的高度 從基材中心向邊緣變窄。
因?yàn)樘幚砜臻g139從中心向其邊緣減小，所以從基材中心流向邊緣 的干燥流體的密度在處理空間139邊緣比在其中心更大。此外，因?yàn)楦?燥流體逐漸擴(kuò)散并從基材中心流向其邊緣，所以在基材的整個(gè)表面上均 勻地提供干燥流體。
特別的是，因?yàn)槠鸬搅黧w流動(dòng)通道作用的處理空間139在基材邊緣 比在基材中心窄，所以干燥流體在基材邊緣比在基材中心流動(dòng)更快。因 此，可以提高殘留在基材表面上的顆粒的去除效率，并且可以提高使水 干燥的效率。
頂部室130配備有密封部件133，該密封部件設(shè)置在上部杯體132 的側(cè)面并與底部室120接觸。密封部件133用于密封在其中處理基材的 空間。
減壓部件170用于使通過(guò)底部室120和頂部室130相互連接形成的 密封的處理空間139減壓。減壓部件170包括真空泵172和真空管線174， 其中該真空管線的一端與真空泵172連接，另一端與底部室120的排放 口 124連接。
如上所述，基材處理設(shè)備IOO具有如下結(jié)構(gòu)特征基材W的處理空 間139通過(guò)頂部室130與外部隔離，并且可以使隔離的處理空間(密封空 間)"a"減壓以獲得低于大氣壓的壓力。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)特征，可以減輕外 部環(huán)境產(chǎn)生的影響，并且在基材干燥過(guò)程中可以使基材快速干燥。
盡管圖中沒(méi)有顯示，但是底部室120和基材支撐單元110的卡盤112 可以相對(duì)或獨(dú)立地升降。當(dāng)?shù)撞渴?20和卡盤112上升或下降時(shí)，基材 W可以裝載在卡盤112上，或者從卡盤112上卸載經(jīng)處理的基材W。
參見(jiàn)圖l和圖3，化學(xué)品噴嘴單元160用于向基材W的上表面噴射 清潔流體和沖洗流體?；瘜W(xué)品噴嘴單元160包括噴嘴162，其中該噴嘴可 以利用噴嘴移動(dòng)部件164在直線上向上或向下移動(dòng)，或者從基材W的中
心頂部可旋轉(zhuǎn)地移動(dòng)到底部室120的外部。噴嘴移動(dòng)部件164包括水平 支架166和垂直支架168，其中噴嘴162與水平支架連接，垂直支架168 與水平支架166連接并且可以利用發(fā)動(dòng)機(jī)(圖中未示)旋轉(zhuǎn)。
噴射孔的數(shù)量、所供應(yīng)流體的種類以及噴射孔的空間可以隨著清潔 和干燥基材的方法而變化。例如，清潔基材的流體可以是去離子水(DI 水)與氫氟酸(HF)的混合溶液、DI水或者是氨水溶液與過(guò)氧化氫水溶液的 混合溶液，干燥基材的流體可以是異丙醇蒸汽(IPA蒸汽)與氮?dú)獾幕旌蠚?體或者是氮?dú)狻?br> 如圖5所示，上部杯體132與基材的邊緣間隔0.5-2cm，以防止從基 材散射的水珠和干燥流體回彈撞擊底部室的壁。
下面詳細(xì)描述使用前述基材處理設(shè)備的基材清潔和干燥過(guò)程。
圖6是本發(fā)明基材處理方法的流程圖。
參見(jiàn)圖1-圖6，基材W通過(guò)底部室120的打開頂部裝載在卡盤112 上(SllO)。通過(guò)卡盤銷113b卡住基材W，同時(shí)通過(guò)支撐銷113a支撐。借 助于旋轉(zhuǎn)部件116的運(yùn)行，基材W隨著卡盤112旋轉(zhuǎn)。利用經(jīng)化學(xué)品噴 嘴單元160的噴嘴162噴射的流體(參見(jiàn)圖3)清潔和沖洗旋轉(zhuǎn)的基材W (S120)。
清潔和沖洗基材W之后，對(duì)基材W進(jìn)行干燥處理(S130)。在高速下 并且在低于大氣壓的壓力下進(jìn)行干燥處理，以防止在基材W表面上產(chǎn)生 水印。
下面，詳細(xì)描述干燥處理。通過(guò)上部杯體132密封底部室120的頂 部(S132)。利用減壓?jiǎn)卧?70使被頂部室130和底部室120密封的下部空 間139減壓，以獲得低于大氣壓的壓力(S134)。當(dāng)下部空間139被減壓而 獲得低于大氣壓的壓力時(shí)，利用經(jīng)間接噴嘴140間接噴射的干燥流體使 基材W干燥(S136)。在使下部空間139減壓之前(從頂部室130移動(dòng)并密 封底部室120時(shí)起)，可以通過(guò)間接噴嘴140供應(yīng)干燥流體。間接噴嘴140 設(shè)置在上部空間134的邊緣部分134a，并且噴射孔142朝上以防止從噴 射孔142落下的異物造成基材污染。
經(jīng)間接噴嘴140的噴射孔142噴射之后，干燥流體沿著上部空間134
聚集到上部空間134的中心部分134b (上部杯體132的頂部)。聚集的干 燥流體經(jīng)中心孔135排放到下部空間139。排放的干燥流體流動(dòng)以快速、 均勻地使基材W的表面干燥，同時(shí)從基材W的中心向邊緣逐漸擴(kuò)散。
在本發(fā)明中，可以同時(shí)清潔和干燥基材W的上表面和下表面。當(dāng)基 材W旋轉(zhuǎn)時(shí)，通過(guò)經(jīng)背面噴嘴部件150的噴嘴152向基材W的下表面 供應(yīng)流體，來(lái)清潔和干燥基材W的下表面，其中這種流體與向基材W 的頂部供應(yīng)的流體相同。
當(dāng)基材W的干燥結(jié)束時(shí)，頂部室130的上部杯體132上升到圖2所 示的位置，然后移動(dòng)到圖3所示的位置，從而打開底部室120的頂部 (S140)。當(dāng)處于固定位置時(shí)，從卡盤112上卸載基材W(S150)。
本發(fā)明可以應(yīng)用于所有使用液相(或氣相)流體處理基材的設(shè)備。盡 管本發(fā)明實(shí)施例中描述了旋轉(zhuǎn)清潔設(shè)備，但是本發(fā)明可以應(yīng)用于旋轉(zhuǎn)蝕 刻設(shè)備。
總之，本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)(l)使基材快速干燥；(2)間接向基材噴 射干燥流體，從而完全地保持層流流動(dòng)并且均勻地保持干燥流體的濃度 分布；。)在干燥處理過(guò)程中保護(hù)基材不受外部污染物的污染；(4)在干燥 處理過(guò)程中減輕外部環(huán)境產(chǎn)生的影響；(5)防止基材與空氣接觸；以及(6) 減小被供應(yīng)用于使基材干燥的流體的濃度和溫度的變化。
盡管已經(jīng)結(jié)合附圖中所示的本發(fā)明實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是本發(fā) 明不限于此。顯然，在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的情況下，本領(lǐng)域技 術(shù)人員可以做出各種替換、修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種基材處理設(shè)備，包括帶有卡盤的基材支撐單元，基材裝載在所述卡盤上；底部室，所述底部室具有打開的頂部并用于圍住所述卡盤的周邊；頂部室，所述頂部室用于打開或關(guān)閉所述底部室的頂部，使得在所述基材與外部隔離時(shí)對(duì)所述基材進(jìn)行干燥處理；以及間接噴嘴，所述間接噴嘴安裝在所述頂部室中并用于向上噴射干燥流體，使得干燥流體間接地噴射到所述基材上。
2. 如權(quán)利要求1所述的基材處理設(shè)備，其中在所述頂部室的內(nèi)部形 成上部空間，所述上部空間具有環(huán)形的邊緣部分和從所述邊緣部分延伸 的中心部分，所述間接噴嘴安裝在所述邊緣部分以向所述中心部分噴射。
3. 如權(quán)利要求2所述的基材處理設(shè)備，其中所述中心部分高于所述 邊緣部分。
4. 如權(quán)利要求2所述的基材處理設(shè)備，其中在所述頂部室的內(nèi)部、 所述上部空間的下面形成下部空間，以及其中在所述下部空間與所述邊 緣部分之間設(shè)置凸壁，其中在所述中心部分與所述下部空間之間形成中 心孔，從而所述中心部分中的干燥流體流向所述下部空間。
5. 如權(quán)利要求4所述的基材處理設(shè)備，其中所述凸壁的上表面具有 導(dǎo)向表面，所述導(dǎo)向表面朝著所述中心部分向上傾斜。
6. 如權(quán)利要求4所述的基材處理設(shè)備，其中所述頂部室的下表面具 有導(dǎo)向表面，所述導(dǎo)向表面朝著所述基材的邊緣向下傾斜。
7. 如權(quán)利要求2所述的基材處理設(shè)備，其中所述上部空間呈傘狀。
8. 如權(quán)利要求2所述的基材處理設(shè)備，其中所述頂部室與所述基材 邊緣間隔0.5-2cm，以防止從所述基材散射的干燥流體和水珠回彈撞擊所 述底部室的壁。
9. 如權(quán)利要求2所述的基材處理設(shè)備，其中所述底部室包括多級(jí)排 列的多個(gè)環(huán)形吸管，用于吸入在所述基材上散射的空氣和化學(xué)品。
10. 如權(quán)利要求9所述的基材處理設(shè)備，其中所述卡盤根據(jù)所述吸 管的高度上升或下降。
11. 如權(quán)利要求2所述的基材處理設(shè)備，其中所述卡盤包括用于支 撐向上間隔的基材的支撐單元。
12. 如權(quán)利要求11所述的基材處理設(shè)備，還包括 背面噴嘴部件，所述背面噴嘴部件安裝在所述卡盤上，用于向所述基材背面噴射清潔流體和干燥流體。
13. 如權(quán)利要求1所述的基材處理設(shè)備，其中干燥流體包括有機(jī)溶 劑或氮?dú)狻?br> 14. 一種基材處理方法，包括 將基材裝載到設(shè)置在底部室內(nèi)部的卡盤上； 向裝載的基材供應(yīng)化學(xué)品以對(duì)所述基材進(jìn)行化學(xué)處理；以及 當(dāng)頂部室密封所述底部室的打開頂部時(shí)，利用從安裝在所述頂部室的間接噴嘴間接噴射的干燥流體使化學(xué)處理的基材干燥。
15. 如權(quán)利要求14所述的基材處理方法，其中在所述頂部室密封所 述底部室之前，所述頂部室內(nèi)部保持在干燥流體氛圍中。
16. 如權(quán)利要求14所述的基材處理方法，其中使所述基材干燥包括 從所述頂部室的邊緣向中心噴射干燥流體；經(jīng)在所述頂部室中心形成的中心孔排放在所述頂部室中心聚集的干 燥流體；以及當(dāng)排放的干燥流體從所述基材中心向其邊緣逐漸擴(kuò)散時(shí)使所述基材 干燥。
17. —種基材處理設(shè)備，包括帶有卡盤的基材支撐單元，基材裝載在所述卡盤上；底部室，所述底部室具有打開的頂部并用于圍住所述卡盤的周邊；以及頂部室，所述頂部室用于密封所述底部室的頂部，使得在與外部空 氣隔離的空間中對(duì)所述基材進(jìn)行干燥處理。
18. 如權(quán)利要求17所述的基材處理設(shè)備，還包括間接噴嘴，所述間接噴嘴安裝在所述頂部室中并用于向所述頂部室 的中心噴射干燥流體，使得干燥流體間接地噴射到所述基材上。
19. 如權(quán)利要求18所述的基材處理設(shè)備，其中所述頂部室還具有中 心孔和導(dǎo)向表面，其中經(jīng)所述中心孔排放通過(guò)所述間接噴嘴噴射的中心 聚集的干燥流體，所述導(dǎo)向表面用于引導(dǎo)干燥流體，使得干燥流體逐漸 擴(kuò)散以從所述基材中心流向其邊緣。
20. 如權(quán)利要求18所述的基材處理設(shè)備，其中所述頂部室還具有凸壁，所述凸壁用于保護(hù)所述基材，防止異物從所述間接噴嘴落下。
全文摘要
本發(fā)明公開一種用于向基材表面供應(yīng)多種化學(xué)品或氣體以清潔和干燥基材的設(shè)備。這種設(shè)備包括帶有卡盤的基材支撐單元，基材裝載在該卡盤上；底部室，該底部室具有打開的頂部并用于圍住該卡盤的周邊；頂部室，該頂部室用于打開或關(guān)閉該底部室的頂部，使得在該基材與外部隔離時(shí)對(duì)該基材進(jìn)行干燥處理；以及間接噴嘴，該間接噴嘴安裝在該頂部室中并用于向該頂部室的中心噴射干燥流體，使得該干燥流體間接地噴射到該基材上。使用這種設(shè)備，可以提高基材干燥效率，抑制外部污染，并防止生成氧化物層。
文檔編號(hào)H01L21/02GK101106071SQ20071010845
公開日2008年1月16日 申請(qǐng)日期2007年6月14日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月12日
發(fā)明者具教旭, 成保藍(lán)璨, 趙重根 申請(qǐng)人:細(xì)美事有限公司