專(zhuān)利名稱(chēng)：發(fā)光二極管芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管(LED)，更具體地，涉及一種具有高發(fā)光效率的LED芯片。
背景技術(shù)：
近來(lái)，使用III族-V族和II族-VI族化合物半導(dǎo)體材料之一的LED已經(jīng)被用于發(fā)射可見(jiàn)光的發(fā)光器件，且已經(jīng)被用作諸如電光標(biāo)志、照明設(shè)備、和LCD背光等的各種產(chǎn)品的光源。為制造半導(dǎo)體LED，通過(guò)在基板上依次沉積n型半導(dǎo)體層、有源層、和p型半導(dǎo)體層而形成發(fā)光結(jié)構(gòu)。
普通LED芯片的平面形狀是諸如0.3mm×0.3mm和1mm×1mm的正方形或類(lèi)似于正方形。而且，考慮到發(fā)光效率，從LED芯片基板側(cè)部發(fā)出的光量是相當(dāng)多的。當(dāng)大量光線(xiàn)從LED芯片的頂部表面或基板的底部表面發(fā)出時(shí)(即，LED芯片不是從一個(gè)表面發(fā)光的類(lèi)型)，從基板側(cè)部發(fā)出的光量占從整個(gè)LED芯片發(fā)出的總光量的相當(dāng)大的部分。在使用正方形LED芯片的情況中，由于側(cè)部面積與發(fā)光面積的比率隨著LED芯片面積的增大而減小，因此發(fā)光效率也減小。
圖1A是示出正方形LED芯片10的透視圖，而圖1B是示出安裝在底板(submount)20上的芯片10的視圖。參照?qǐng)D1A，LED芯片10包括n型半導(dǎo)體層13、有源層15、和p型半導(dǎo)體層17。p側(cè)電極18和n側(cè)電極19分別形成在p型半導(dǎo)體層17的頂部表面和基板11的底部表面上?；?1是諸如GaN的導(dǎo)電基板，且LED芯片10形成為豎直結(jié)構(gòu)的形狀。圖1A和圖1B顛倒地示出具有所述結(jié)構(gòu)的LED芯片10。即，基板11的底部表面是光線(xiàn)輸出表面且朝上，而p側(cè)電極18朝下且結(jié)合于底板20。如圖1B所示，當(dāng)LED芯片安裝在底板20上時(shí)，光線(xiàn)從頂部表面(即，基板11的底部表面)和LED芯片10的側(cè)部發(fā)出。在這種情況下，從側(cè)部發(fā)出的光量占從LED芯片10的頂部表面和側(cè)部發(fā)出的總光量的相當(dāng)大的部分。
在傳統(tǒng)正方形LED芯片10中，LED芯片10的長(zhǎng)度L(即，基板11的長(zhǎng)度)與LED芯片10的寬度W相等或相近。因此，LED芯片的面積L×W變?yōu)長(zhǎng)2，且側(cè)部面積4tL與發(fā)光面積L2的比率變?yōu)?t/L。在此情況中，t表示LED芯片10的厚度。因此，當(dāng)LED芯片10的面積增大或者L增大時(shí)，側(cè)部面積與發(fā)光區(qū)域面積的比率減小。因此，當(dāng)芯片10的面積或發(fā)光面積增大時(shí)，發(fā)光效率減小。當(dāng)芯片面積增大以便獲得更大光通量或應(yīng)用于高功率LED時(shí)，發(fā)光效率劣化的問(wèn)題會(huì)更糟。
另一方面，在A(yíng)lGaInN系列LED中，當(dāng)發(fā)射光線(xiàn)的波長(zhǎng)大于450nm時(shí)，電流密度變高，外量子效率(EQE)變低。圖2是示出EQE變化的曲線(xiàn)圖，該變化取決于InGaN系列LED芯片中電流密度，該LED芯片的面積為0.9mm×0.9mm。在該情況中，發(fā)射光線(xiàn)的波長(zhǎng)為450nm。參照?qǐng)D2，電流密度越低，EQE越高。因此，以低電流密度被驅(qū)動(dòng)的大面積LED，在量子效率方面具有優(yōu)勢(shì)。然而，如上所述，由于發(fā)光效率隨著LED芯片面積的增大而減小，因此由面積增大引起的EQE的提高可能會(huì)因?yàn)榘l(fā)光的減少(即，芯片側(cè)部面積比率的減少)而減少。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一方面是提供一種LED芯片，其優(yōu)勢(shì)在于實(shí)現(xiàn)了具有高效率以及更高的發(fā)光效率的大面積LED。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種發(fā)光二極管(LED)芯片，包括基板以及發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括依次沉積在該基板上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層、和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層，其中，當(dāng)基板長(zhǎng)度為L(zhǎng)，且基板寬度為W時(shí)，L/W＞10。L/W可大于20。
基板的底部表面和LED芯片的側(cè)部可為主光線(xiàn)輸出表面。L可大于5mm，且W可小于500μm。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層可為n型半導(dǎo)體，而第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層可為p型半導(dǎo)體?；蹇捎蛇x自GaN、SiC、GaAs、GaP、ZnO、和藍(lán)寶石組成的組中的材料形成。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層、和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層可由第III族氮化物半導(dǎo)體形成。
LED芯片可為豎直式。在這種情況下，LED芯片可進(jìn)一步包括第一電極，形成在基板的底部表面上；以及第二電極，形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上，以與第一電極相對(duì)。第一電極可包括焊盤(pán)部和至少一個(gè)縱向延伸至LED芯片的線(xiàn)路部。第一電極可包括兩個(gè)線(xiàn)路部，縱向延伸至LED芯片；以及焊盤(pán)部，設(shè)置在兩個(gè)線(xiàn)路部之間并連接該兩個(gè)線(xiàn)路部。在這種情況下，基板的底部表面可為光線(xiàn)輸出表面。
LED芯片可為水平式。在這種情況下，LED芯片可進(jìn)一步包括第一電極，形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的一部分上；以及第二電極，形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上，其中，第一電極和第二電極可設(shè)置在LED芯片的同側(cè)上。LED芯片可為倒裝芯片。在這種情況下，基板的底部表面可為光線(xiàn)輸出表面。
在本說(shuō)明書(shū)中，第III族氮化物半導(dǎo)體表示二元、三元、以及四元化合物半導(dǎo)體中的一種，示為AlxGayIn(1-x-y)N(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。LED芯片的長(zhǎng)度等于基板的長(zhǎng)度，且表示LED芯片的基板的最長(zhǎng)側(cè)邊的長(zhǎng)度。LED芯片的寬度等于基板的寬度，且表示LED芯片的基板的最短側(cè)邊的長(zhǎng)度。


通過(guò)以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述和其它方面、特征、以及其它優(yōu)點(diǎn)將更加易于理解，附圖中圖1A和圖1B是示出傳統(tǒng)LED芯片的透視圖；圖2是示出EQE的變化的曲線(xiàn)圖，該變化取決于傳統(tǒng)LED芯片中的電流強(qiáng)度；圖3是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LED芯片的透視圖；圖4A是示出圖3的LED芯片的俯視圖；圖4B是示出圖3的LED芯片的仰視圖；圖5是示出安裝在封裝件的反射杯上的圖3的LED芯片的橫截面視圖；
圖6是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LED芯片的透視圖；圖7是示出標(biāo)準(zhǔn)化EQE的曲線(xiàn)圖，其中EQE取決于根據(jù)示例性實(shí)施例和對(duì)比實(shí)例的LED芯片樣品的面積；圖8是示出EQE的曲線(xiàn)圖，其中EQE取決于根據(jù)示例性實(shí)施例的LED芯片和作為實(shí)例的LED芯片的面積；以及圖9是示出EQE的曲線(xiàn)圖，其中EQE取決于LED芯片的側(cè)邊長(zhǎng)度的總和。
具體實(shí)施例方式
下面將參照附圖對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
圖3是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LED芯片100的透視圖。參照?qǐng)D3，LED芯片100包括n型半導(dǎo)體層103、有源層105、和p型半導(dǎo)體層107，三者依次沉積在GaN基板101上。n型半導(dǎo)體層103、有源層105、和p型半導(dǎo)體層107是安裝在GaN基板101上的III族氮化物半導(dǎo)體，且構(gòu)成發(fā)光結(jié)構(gòu)150。n側(cè)電極110形成在GaN基板101的底部表面A上，而p側(cè)電極108形成在p型半導(dǎo)體層107的頂部表面B上。LED芯片100形成為豎直LED結(jié)構(gòu)形狀，該結(jié)構(gòu)包括彼此相對(duì)的n側(cè)電極110和p側(cè)電極108，以及介于它們之間的發(fā)光結(jié)構(gòu)150。
參照?qǐng)D3，基板101的長(zhǎng)度L大于基板101的寬度W。特別地，長(zhǎng)度L大于十倍的寬度W。即，L＞10W或L/W＞10。由于長(zhǎng)度L遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于寬度W，因此LED芯片100細(xì)且長(zhǎng)。細(xì)且長(zhǎng)的LED芯片100增加了從LED芯片100側(cè)部發(fā)射的發(fā)光量，且提高了發(fā)光效率。
當(dāng)LED芯片100安裝在底板上并工作時(shí)，基板101的底部表面A和LED芯片100的側(cè)部作為主光線(xiàn)輸出表面。即，參照?qǐng)D3中的箭頭，大部分光通過(guò)基板101的底部表面A和LED芯片100的側(cè)部而發(fā)射。由于底部表面A成為光線(xiàn)輸出表面，所以當(dāng)LED芯片100安裝在底板上時(shí)，底部表面A朝上設(shè)置。因此，為了防止從基板101發(fā)出的光線(xiàn)被n側(cè)電極110吸收或者遮擋，n側(cè)電極110的面積必須足夠小。另一方面，由于p型半導(dǎo)體層107的頂部表面B朝向底板的安裝表面，所以實(shí)際上，頂部表面B不發(fā)光。由于p側(cè)電極108連接于底板的安裝表面，所以p側(cè)電極108可具有足夠大的面積。為了通過(guò)使用p側(cè)電極108獲得光反射效果，p側(cè)電極108可具有高反射率。
圖4A和圖4B分別是示出圖3的LED芯片100的俯視圖和仰視圖。參照?qǐng)D4A，p側(cè)電極108設(shè)置于p型半導(dǎo)體層107的頂部表面的大部分。然而，參照?qǐng)D4B，n側(cè)電極110設(shè)置于GaN基板101的底部表面的小部分，以使得底部表面能夠充分露出。具體地，n側(cè)電極110包括縱向延伸至LED芯片100的長(zhǎng)度L的兩個(gè)線(xiàn)路部111和連接兩個(gè)線(xiàn)路部111的焊盤(pán)部112。因此，可減小由于n側(cè)電極110而引起的對(duì)光線(xiàn)發(fā)射的阻擋。此外，延長(zhǎng)的線(xiàn)路部111設(shè)置在左右兩側(cè)，所以電壓可施加于整個(gè)GaN基板101，且電流可被分配以控制電流集中度。
圖5是示出安裝在底板60上的LED芯片100的橫截面視圖。參照?qǐng)D5，作為光線(xiàn)輸出表面的GaN基板101的底部表面朝上設(shè)置，且p側(cè)電極108結(jié)合于底板60的安裝表面。例如，可通過(guò)使用焊糊和共晶焊接中的一種來(lái)結(jié)合芯片。反射杯50安裝在底板60周?chē)?，以將從?cè)面發(fā)出的光線(xiàn)向上反射。
根據(jù)參照?qǐng)D3至圖5所描述的LED芯片100，由芯片面積增加而引起的發(fā)光效率的下降可被控制。即，在芯片的面積相同的情況中，細(xì)且長(zhǎng)的芯片在發(fā)光效率方面優(yōu)于正方形芯片。即，長(zhǎng)度大于寬度的芯片優(yōu)于長(zhǎng)度和寬度相等的芯片。特別地，當(dāng)L/W＞10時(shí)，可獲得高發(fā)光效率。這是由于從LED芯片的側(cè)部發(fā)出大量光而引起的。以下，將對(duì)此進(jìn)行詳細(xì)描述。
在有源層中產(chǎn)生光子的情況中，光子具有的尺寸越大，該光子越能更好地發(fā)射出去。因此，作為用于確定LED芯片的發(fā)光效率的因素，可以考慮光線(xiàn)輸出表面的總面積相對(duì)于有源層的面積的比率。
...等式1其中，t表示LED芯片的厚度，L表示LED芯片的長(zhǎng)度，而W表示LED芯片的寬度(參照?qǐng)D1和圖3之一)。由于發(fā)光面積等于基板底部表面的面積，所以發(fā)光面積為L(zhǎng)W。同樣，由于光線(xiàn)從安裝在底板上的LED芯片的頂部表面和側(cè)部發(fā)出，而排除了連接于底板的底部表面，所以光線(xiàn)輸出表面的總面積為2tL+2tW+LW。
當(dāng)與傳統(tǒng)正方形類(lèi)型的LED芯片(參照?qǐng)D1)中的情況一樣L等于或接近于W時(shí)，發(fā)光效率的系數(shù)如下所示k=2t(L+W)+LWLW=4tL+L2L2=4tL+1]]>...等式2因此，在傳統(tǒng)正方形類(lèi)型的LED芯片中，芯片具有的面積越大，k越小。特別地，當(dāng)厚度t幾乎沒(méi)有改變時(shí)，隨著L增至無(wú)窮大∞，k減小并趨近于1。實(shí)際上，對(duì)于以低電流密度被驅(qū)動(dòng)的大面積LED芯片，L值遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于t值。
然而，當(dāng)L大于W時(shí)，且更具體地，當(dāng)L大于十倍的W時(shí)，k如下所示k=2t(L+W)+LWLW=2tL+2tW+1]]>...等式3因此，盡管在大面積LED芯片的情況中L具有較大的值，由于等式第二項(xiàng)2t/W的存在，k不會(huì)趨近于1。具體地，在相同的發(fā)光面積中，L/W越大，W越小。因此，盡管芯片的面積相同，L與W的比L/W越大，發(fā)光效率越高。根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LED芯片的發(fā)光效率的提高，可通過(guò)下面將描述的圖7至圖9的曲線(xiàn)圖而證實(shí)。為滿(mǎn)足L/W＞10的條件，L可大于5mm，而W可小于500μm。
盡管在上述內(nèi)容中，GaN基板被用作基板101，但本發(fā)明并不限于GaN基板，而是可采用能夠?qū)崿F(xiàn)豎直式LED的其它導(dǎo)電基板。例如，基板101可由選自SiC、GaAs、GaP、及ZnO組成的組中的一種而形成。
圖6是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LED芯片200的透視圖。不同于圖3中所示的LED芯片100，LED芯片200為水平式LED芯片。即，n側(cè)電極210和p側(cè)電極208設(shè)置在LED芯片200的同側(cè)。參照?qǐng)D6，LED芯片200包括依次沉積在藍(lán)寶石基板201上的n型半導(dǎo)體層203、有源層205、和p型半導(dǎo)體層207。n型半導(dǎo)體層203、有源層205、和p型半導(dǎo)體層207形成LED芯片200的發(fā)光結(jié)構(gòu)250。n側(cè)電極210形成在通過(guò)臺(tái)面蝕刻法曝光的n型半導(dǎo)體203的一部分上，且p側(cè)電極208形成在p型半導(dǎo)體207上。
與LED芯片100類(lèi)似，在LED芯片200中，基板201的底部表面與基板201的側(cè)部一同發(fā)光。因此，如圖6所示，LED芯片200安裝在底板(未示出)上，該LED芯片的頂部和底部是經(jīng)過(guò)改變的。即，n側(cè)電極210和p側(cè)電極通過(guò)適當(dāng)凸塊以倒裝芯片方式結(jié)合于底板。因此，LED芯片200為倒裝芯片。
如圖6所示，LED芯片200的長(zhǎng)度L大于LED芯片200的寬度W，且長(zhǎng)度L與寬度W的比率L/W大于10。因此，LED芯片200是細(xì)長(zhǎng)形狀。由于在水平式LED芯片200中比率L/W的值大于10，所以從LED芯片200側(cè)部發(fā)射的發(fā)光量增加。因此，發(fā)光效率高于傳統(tǒng)正方形LED芯片。
為檢查當(dāng)LED芯片的面積LW增加時(shí)，比率L/W對(duì)于EQE的影響，測(cè)量了與傳統(tǒng)正方形LED芯片樣品對(duì)應(yīng)的EQE以及與根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LED芯片樣品對(duì)應(yīng)的EQE。測(cè)量結(jié)果如圖7所示。
圖7是示出標(biāo)準(zhǔn)化的EQE的曲線(xiàn)圖，該EQE基于根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LED芯片樣品及傳統(tǒng)正方形LED芯片樣品的面積。圖7中所示的EQE在35A/cm2的電流密度下測(cè)得。圖7中所示的樣品如下準(zhǔn)備。
在圖7中，傳統(tǒng)LED芯片的樣品具有三個(gè)不同尺寸。傳統(tǒng)LED芯片的樣品分別為0.3×0.3mm(0.92mm2)、1×1mm(1mm2)、和1.5×1.5mm(2.25mm2)的正方形芯片(參照?qǐng)D1)。芯片的面積(即，發(fā)光區(qū)域的面積)在與相應(yīng)尺寸相對(duì)應(yīng)的括號(hào)內(nèi)示出。
另一方面，本發(fā)明示例性實(shí)施例的LED芯片為0.4×5mm(2.0mm2)。LED芯片的長(zhǎng)度L為5mm，而LED芯片的寬度為0.4mm，且L/W等于12.5。p側(cè)電極的面積為0.36×4.96mm，而n側(cè)電極的面積上具有分別為0.15×3.96mm的兩條線(xiàn)(參照?qǐng)D4)。LED芯片的樣品采用厚度為0.2mm的GaN基板。LED芯片的樣品為由AlGaInN系列的III族氮化物半導(dǎo)體形成的豎直式LED芯片。
如圖7所示，正方形LED芯片樣品的標(biāo)準(zhǔn)化EQE隨著芯片面積的增加而減少。然而，細(xì)長(zhǎng)芯片的標(biāo)準(zhǔn)化EQE顯示為高于正方形LED芯片樣品的EQE。如上所述，這是由從側(cè)部發(fā)射的發(fā)光量增加而引起的。
如上所述，由于芯片面積增加，因此根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LED芯片在發(fā)光效率方面更具優(yōu)勢(shì)。當(dāng)芯片長(zhǎng)度大于十倍的芯片寬度時(shí)，不管芯片面積如何增加，發(fā)光效率和EQE的劣化都得以有效控制。因此，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LED芯片在以低電流密度驅(qū)動(dòng)大面積的(a large area of low current density)應(yīng)用中是有益的。
圖8是示出另一模擬試驗(yàn)結(jié)果的曲線(xiàn)圖。在圖8中，示出根據(jù)示例性實(shí)施例和對(duì)比實(shí)例的LED芯片的面積而變化的EQE。在該模擬試驗(yàn)中，通過(guò)假設(shè)吸收系數(shù)α為11.0cm-1而計(jì)算出EQE。具體地，對(duì)比實(shí)例的樣品是傳統(tǒng)的正方形LED芯片(即，L＝W，且吸收系數(shù)為11.0cm-1)。另一方面，根據(jù)示例性實(shí)施例的LED芯片的樣品是面積為0.1×10mm且吸收效率為11.0cm-1的LED芯片。
如圖8所示，EQE隨著正方形類(lèi)型LED芯片面積的增加而減小。然而，L/W＞10(例如，L＝10mm而W＝0.1mm)時(shí)的EQE高于L/W＝1(例如，L＝1mm而W＝1mm)時(shí)的EQE。即，盡管芯片面積相同，L/W＞10的芯片可獲得顯著改進(jìn)的EQE。圖8中的箭頭直觀(guān)地示出EQE的改進(jìn)效果。
圖9是示出根據(jù)LED芯片側(cè)部總長(zhǎng)度而變化的EQE的曲線(xiàn)圖。表1示出由圖9中的每個(gè)點(diǎn)表示的LED芯片樣品的規(guī)格以及每個(gè)樣品的EQE值。
表1

如圖9和表1所示，當(dāng)芯片面積相同時(shí)(例如，W×L＝1mm2)，EQE隨著芯片四個(gè)側(cè)邊總長(zhǎng)度(2L+2W)的增大而變大。即，當(dāng)W×L的值相同時(shí)，EQE隨著L的增大(即，L/W增大)而變大。如上所述，這是因?yàn)閺男酒瑐?cè)部發(fā)出的光量可隨著L/W的增大而增大。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例，可實(shí)現(xiàn)滿(mǎn)足L/W＞10的優(yōu)質(zhì)高效LED芯片，其相對(duì)于傳統(tǒng)正方形類(lèi)型的LED芯片而言，具有明顯提高的發(fā)光效率，且在高效率大面積的應(yīng)用中具有優(yōu)勢(shì)。
盡管已經(jīng)結(jié)合示例性實(shí)施例示出并描述了本發(fā)明，但是對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，很顯然，在不脫離由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明精神和范圍的條件下，可以進(jìn)行修改和變換。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管(LED)芯片，包括基板；以及發(fā)光結(jié)構(gòu)，其包括依次沉積在所述基板上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層、以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層，其中，當(dāng)所述基板的長(zhǎng)度為L(zhǎng)，且所述基板的寬度為W時(shí)，L/W＞10。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其中，L/W＞20。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其中，所述基板的底部表面和所述LED芯片的側(cè)部為主光線(xiàn)輸出表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其中，L大于5mm，且W小于500μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其中，所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層為n型半導(dǎo)體，而所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層為p型半導(dǎo)體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其中，所述基板由選自GaN、SiC、GaAs、GaP、ZnO、和藍(lán)寶石組成的組中的材料形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其中，所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、所述有源層、以及所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層由第III族氮化物半導(dǎo)體形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，進(jìn)一步包括第一電極，形成在所述基板的所述底部表面上；以及第二電極，形成在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體上，以與所述第一電極相對(duì)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的LED芯片，其中，所述第一電極包括焊盤(pán)部以及縱向延伸至所述LED芯片的至少一個(gè)線(xiàn)路部。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的LED芯片，其中，所述第一電極包括兩個(gè)線(xiàn)路部，縱向延伸至所述LED芯片；以及焊盤(pán)部，設(shè)置在所述兩個(gè)線(xiàn)路部之間，且連接所述兩個(gè)線(xiàn)路部。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，進(jìn)一步包括第一電極，形成在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的一部分上；以及第二電極，形成在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上，其中，所述第一電極和所述第二電極設(shè)置在所述LED芯片的同側(cè)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的LED芯片，所述LED芯片為倒裝芯片。
全文摘要
一種發(fā)光二極管(LED)芯片，包括基板；以及發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括依次沉積在基板上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層、以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層，其中，當(dāng)基板的長(zhǎng)度為L(zhǎng)，且基板的寬度為W時(shí)，L/W＞10。
文檔編號(hào)H01L33/00GK101060156SQ200710096910
公開(kāi)日2007年10月24日 申請(qǐng)日期2007年4月16日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月21日
發(fā)明者小池正妤, 金范埈 申請(qǐng)人:三星電機(jī)株式會(huì)社