專利名稱：薄膜器件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及具有導體層以及與該導體層連接的端子電極的薄膜器件。
背景技術：
近年來，隨著移動電話機等高頻電子設備的小型化、薄型化的要求，要求安裝在高頻電子設備上的電子部件的小型化、厚度薄。在電子部件上采用了使用薄膜形成技術在襯底上形成絕緣層或者導體層等而構成的結構。在本申請中，將這樣使用薄膜形成技術所形成的電子部件稱為薄膜器件。
在薄膜器件中，設置將導體層連接到外部電路上用的端子電極。此處，將薄膜器件中的端子電極以外的部分稱為器件主體。連接在端子電極上的導體層例如以如下方式形成包含布線部分，該布線部分的端面在器件主體的側面露出。此時，端子電極例如配置在器件主體的側面上，以便與布線部分的端面連接。
以下，對在器件主體的側面配置有端子電極的薄膜器件的制造方法的一例進行說明。在該制造方法中，首先，在一枚晶片(襯底)上形成與多個薄膜器件對應的導體層等，由此，制作薄膜器件用基礎結構體。該基礎結構體包含分別成為器件主體的多個器件主體預定部。此外，在基礎結構體上，在相鄰的器件主體預定部之間設定除去預定部。然后，在除去預定部的位置切斷基礎結構體，由此，使多個器件主體預定部分離，制作多個器件主體。這樣，切斷基礎結構體，由此，形成器件主體的側面，并且，在該側面上，與端子電極連接的布線部分的端面露出。然后，在器件主體的側面形成端子電極。
但是，為了薄膜器件的小型化、厚度薄，使導體層等層較薄很有效。但是，在如上所述的制造方法中，若使導體層較薄，則與端子電極連接的布線部分的端面面積減小。其結果是，產(chǎn)生如下問題導體層和端子電極接觸的區(qū)域的面積減小，難以確保導體層與端子電極的連接可靠性。
為了避免如上所述的問題，考慮使布線部分的寬度增大，由此，將增大布線部分的端面的面積。但是，此種情況下，存在如下問題在薄膜器件中，布線部分的密度降低，薄膜器件的小型化較困難，或者布線部分的阻抗偏離所希望的值，薄膜器件的特性惡化。此外，將會導致如下問題產(chǎn)生在薄膜器件中，配置布線部分的區(qū)域的面積增大，難以實現(xiàn)節(jié)省薄膜器件的空間和小型化。
在特開平10-163002號公報中記載了如下技術在襯底上配置內(nèi)部導體膜、在內(nèi)部導體膜的端面上連接有外部端子的芯片型電子部件中，使內(nèi)部導體膜的端面相對于襯底的切斷面傾斜。
此外，在特開平11-3833號公報中記載了如下技術在襯底上配置電極、在電極的端面上連接有外部端子的電子部件中，使襯底上的電極的端面相對于襯底的切斷面傾斜。
此外，在特開平2-121313號公報中記載了如下技術在襯底上交替地層疊三層以上的內(nèi)部電極層和兩層以上的電介質(zhì)層，在襯底的側面，配置了與內(nèi)部電極層連接的外部電極。在特開平2-121313號公報中記載了如下技術使在電路上構成一個電容器的一個電極的兩層內(nèi)部電極層在襯底的側面附近重合，使外部電極與該兩層的內(nèi)部電極層的重合部分連接。
此外，在特開平5-129149號公報中記載了如下技術在襯底上交替地層疊四層內(nèi)部電極和四層薄膜電介質(zhì)，在襯底的側面，配置了與內(nèi)部電極連接的外部電極。在特開平5-129149號公報中記載了如下技術使在電路上構成一個電容器的一個電極的兩層內(nèi)部電極層在襯底的側面附近重合，將外部電極與該兩層的內(nèi)部電極層的重合部分連接。
在以下的說明中，可以將特開平10-163002號公報中的外部端子電極、特開平11-3833號公報中的外部端子、特開平2-121313號公報中以及特開平5-129149號公報中外部電極的任意一個叫做端子電極。
如上所述，在器件主體的側面配置有端子電極的薄膜器件中，若使導體層變薄，則連接到端子電極上的布線部分的端面面積減小，其結果是，存在如下問題導體層和端子電極接觸的區(qū)域的面積減小，難以確保導體層與端子電極的連接可靠性。
若按照特開平10-163002號公報或者特開平11-3833號公報中記載的技術，能夠使導體層和端子電極接觸的區(qū)域的面積增加，但是，其面積增加量很少。因此，在特開平10-163002號公報或者特開平11-3833號公報記載的技術中，難以充分確保導體層與端子電極的連接可靠性。
根據(jù)特開平2-121313號公報或特開平5-129149號公報中記載的技術，與端子電極只與一層導體層的端面接觸的情況相比，能夠增加導體層和端子電極接觸的區(qū)域的面積。但是，特開平2-121313號公報或特開平5-129149號公報中記載的技術只能應用于在電路上構成一個電容器的一個電極的導體層存在多個的情況。當電路上構成一個電容器的一個電極的導體層存在多個的情況下，薄膜器件的小型化、厚度薄較困難。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種具有導體層和與該導體層連接的端子電極的薄膜器件，其能夠提高導體層和端子電極的連接可靠性，并能夠謀求薄膜器件的小型化、厚度薄的薄膜器件。
本發(fā)明的第1薄膜器件具有層疊體和端子電極。層疊體包括配置在層疊方向不同的位置的多個導體層、和配置在層疊方向相鄰的兩個導體層之間的絕緣層，并且還具有側面。端子電極以與層疊體的側面連接的方式配置。層疊體具有分別使用一層以上的導體層來構成的第一以及第二無源元件。多個導體層包括為了構成第一無源元件而使用的第一導體層和為了構成第二無源元件而使用的、配置在層疊方向與第一導體層不同位置的第二導體層。在層疊體的側面，第一導體層的端面和第二導體層的端面電連接并且物理連接，端子電極與第一導體層的端面以及第二導體層的端面接觸，從而與第一以及第二導體層連接。
在本發(fā)明的第1薄膜器件中，在層疊體的側面，端子電極與電連接并且物理連接的第一導體層的端面以及第二導體層的端面接觸，并連接在第一以及第二導體層的端面。
在本發(fā)明的第1薄膜器件中，第一無源元件和第二無源元件可以是彼此不同的電容器，也可以是彼此不同的電感器。并且，這些構成并列電路的兩個電容器可以在電路上看成一個電容器，所以，這樣的兩個電容器不包括在作為本發(fā)明的第一無源元件以及第二無源元件的“彼此不同的電容器”中。
此外，在本發(fā)明的第1薄膜器件中，沿層疊方向排列的導體層的最大數(shù)目可以是2。
本發(fā)明的第2薄膜器件具有層疊體和端子電極。層疊體包括配置在層疊方向不同的位置的多個導體層、和配置在層疊方向相鄰的兩個導體層之間的絕緣層，并且還具有側面。端子電極以與層疊體的側面連接的方式配置。此外，層疊體具有使用一層以上的導體層來構成的無源元件。多個導體層包括為了構成元源元件而使用的第一導體層、和配置在層疊方向與第一導體層不同的位置的、不能用于構成所述無源元件而使用的第二導體層。在層疊體的側面，第一導體層的端面和第二導體層的端面電連接并且物理連接，端子電極與第一導體層的端面以及第二導體層的端面接觸，從而與第一以及第二導體層連接。
本發(fā)明的第2薄膜器件中，在層疊體的側面，端子電極與電連接并且物理連接的第一導體層的端面以及第二導體層的端面接觸，從而與第一以及第二導體層連接。
在本發(fā)明的第2薄膜器件中，沿層疊方向上排列的導體層的最大數(shù)目可以是2。
在本發(fā)明的第1以及第2薄膜器件中，在層疊體的側面，端子電極與電連接并且物理連接的第一導體層的端面以及第二導體層的端面連接，從而與第一以及第二導體層連接。由此，按照本發(fā)明，能夠增大導體層與端子電極接觸的區(qū)域的面積，其結果是，能夠提高導體層和端子電極的連接可靠性。此外，本發(fā)明中，為了形成與端子電極連接的面而使用的第一導體層和第二導體層不是為了構成同一個無源元件而使用的導體層。因此，按照本發(fā)明，為了形成與端子電極連接的面，為了構成一個無源元件而使用的導體層的數(shù)目不需要是所需以上的數(shù)目，其結果是，能夠謀求薄膜器件的小型化、厚度薄。
在本發(fā)明的第一以及第二薄膜器件中，沿層疊方向排列的導體層的最大數(shù)目為2時，特別地能夠謀求薄膜器件的小型化、厚度薄。
本發(fā)明的其他目的、特征以及利益能夠通過以下的說明可知。
圖1是本發(fā)明第一實施方式的薄膜器件的剖面圖。
圖2是本發(fā)明第一實施方式的薄膜器件的其他剖面圖。
圖3是本發(fā)明第一實施方式的薄膜器件的平面圖。
圖4是表示本發(fā)明第一實施方式的薄膜器件所包含的下部導體層的平面圖。
圖5是表示本發(fā)明第一實施方式的薄膜器件所包含的絕緣膜的平面圖。
圖6是表示本發(fā)明第一實施方式的薄膜器件所包含的電介質(zhì)膜的平面圖。
圖7是表示本發(fā)明第一實施方式的薄膜器件所包含的上部導體層的平面圖。
圖8是表示本發(fā)明第一實施方式的薄膜器件所包含的保護膜的平面圖。
圖9是表示本發(fā)明第一實施方式的薄膜器件的電路結構的電路圖。
圖10是表示本發(fā)明第一實施方式的薄膜器件制造方法的剖面圖。
圖11是表示與圖10所示步驟連續(xù)的步驟的剖面圖。
圖12是本發(fā)明第二實施方式的薄膜器件的剖面圖。
圖13是本發(fā)明第二實施方式的薄膜器件的其他剖面圖。
圖14是本發(fā)明第二實施方式的薄膜器件的平面圖。
圖15是表示本發(fā)明第二實施方式的薄膜器件所包含的下部導體層的平面圖。
圖16是表示本發(fā)明第二實施方式的薄膜器件所包含的絕緣膜的平面圖。
圖17是表示本發(fā)明的第二實施方式的薄膜器件所包含的電介質(zhì)膜的平面圖。
圖18是表示本發(fā)明第二實施方式的薄膜器件所包含的上部導體層的平面圖。
圖19是表示本發(fā)明第二實施方式的薄膜器件所包含的保護膜的平面圖。
圖20是表示本發(fā)明第二實施方式的薄膜器件電路結構的電路圖。
具體實施例方式
第一實施方式以下參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行詳細地說明。首先，參照圖9對本發(fā)明第一實施方式的薄膜器件的電路結構進行說明。圖9是表示本實施方式的薄膜器件的電路結構的電路圖。本實施方式的薄膜器件1具有低通濾波器的功能。
如圖9所示，本實施方式的薄膜器件1具有進行信號輸入輸出的兩個輸入輸出端子101、102、三個電容器111、112、113、一個電感器114。電容器111的一端與輸入輸出端子101連接，電容器111的另一端接地。電容器112的一端與輸入輸出端子102連接，電容器112的另一端接地。電容器113的一端與輸入輸出端子101連接，電容器113的另一端與輸入輸出端子102連接。電感器114的一端與輸入輸出端子101連接，電感器114的另一端與輸入輸出端子102連接。
然后，參照圖1到圖8對本實施方式的薄膜器件1的結構進行說明。圖1以及圖2分別是薄膜器件1的剖面圖。圖3是薄膜器件1的平面圖。圖1示出了在圖3中以I-I線所示的剖面。圖2示出了在圖3中以II-II線所示的剖面。圖4是薄膜器件1所包含的下部導體層的平面圖。圖5是薄膜器件1所包含的絕緣層的平面圖。圖6是薄膜器件1所包含的電介質(zhì)膜的平面圖。圖7是薄膜器件1所包含的上部導體層的平面圖。圖8是薄膜器件1所包含的保護膜的平面圖。
如圖1到圖3所示，薄膜器件1具有器件主體1B和4個端子電極11～14。器件主體1B對應于本發(fā)明的層疊體。器件主體1B大致為長方體形狀，具有上表面1a、底面1b、連接這些上表面1a和底面1b的四個側面1c～1f。端子電極11～14以分別與側面1c～1f的一部分接觸的方式進行配置。端子電極11構成圖9中的輸入輸出端子101。端子電極12構成圖9中的輸入輸出端子102。端子電極13、14接地。
器件主體1B具有襯底2、在該襯底2上依次層疊的平坦化膜3、下部導體層41～43、絕緣層5、電介質(zhì)膜6、上部導體層71～74以及保護膜8。
襯底2構成為長方體形狀。此外，襯底2具有彼此朝向相反側的上表面2a以及下表面2b、連接上表面2a和下表面2b的4個側面2c～2f。襯底2例如由絕緣材料(電介質(zhì)材料)構成。構成襯底2的絕緣材料可以是無機材料，也可以是有機材料。作為構成襯底2的絕緣材料，例如可以使用Al2O3。此外，襯底2可以由半導體材料構成。
平坦化膜3由絕緣材料構成。構成平坦化膜3的絕緣材料可以是無機材料，也可以是有機材料。作為構成平坦化膜3的無機材料，例如可以使用Al2O3。作為構成平坦化膜3的有機材料，例如可以使用樹脂。此種情況下，樹脂可以是熱可塑性樹脂和熱固化性樹脂的任意一種。平坦化膜3上表面的表面粗糙度比襯底2上表面的表面粗糙度小。因此，平坦化膜3具有減小下部導體層41～43基底的表面粗糙度的功能。在平坦化膜3上吸收襯底2上表面的凹凸，可謀求平坦化膜3上表面變平坦。因此，優(yōu)選平坦化膜3的厚度在0.1～10μm的范圍內(nèi)。在襯底2由絕緣材料構成，并且其上表面的表面粗糙度充分小的情況下，可以不設置平坦化膜3，而在襯底2上直接配置下部導體層41～43。
下部導體層41～43、上部導體層71～74、端子電極11～14由導電材料構成。優(yōu)選下部導體層41～43的厚度在5～10μm的范圍內(nèi)。優(yōu)選上部導體層71～74的厚度在5～10μm的范圍內(nèi)?？紤]到在角部或者臺階差上不產(chǎn)生端子電極11～14的斷線，優(yōu)選端子電極11～14的厚度在0.5～10μm的范圍內(nèi)。
絕緣層5和保護膜8都由絕緣材料構成。構成絕緣層5和保護膜8的各絕緣材料可以是無機材料，也可以是有機材料。作為構成絕緣層5和保護膜8的無機材料，例如，可以使用Al2O3。作為構成絕緣層5和保護膜8的有機材料，例如，可以使用樹脂。此種情況下，樹脂可以是熱可塑性樹脂和熱固化性樹脂的任意一種。作為樹脂，可以使用聚酰亞胺系樹脂、丙稀系樹脂、環(huán)氧系樹脂、四氟化乙烯樹脂、變性聚苯醚、液晶聚合物、變性聚酰亞胺。此外，樹脂可以是感光性樹脂。為了使上部導體層與下部導體層的絕緣可靠性良好，并且，為了抑制浮置電容等的無用成分的產(chǎn)生以使高頻特性良好，絕緣層5的厚度優(yōu)選在0.1～10μm的范圍內(nèi)。為了由保護膜8保護產(chǎn)品內(nèi)部，保護膜8的厚度優(yōu)選在1～50μm的范圍內(nèi)。
電介質(zhì)膜6由電介質(zhì)材料構成。構成電介質(zhì)膜6的電介質(zhì)材料優(yōu)選是無機材料。作為構成電介質(zhì)膜6的電介質(zhì)材料，例如，可以使用Al2O3、Si4N3或者SiO2。電介質(zhì)膜6的厚度優(yōu)選在0.02～1μm的范圍內(nèi)，進一步優(yōu)選在0.05～0.5μm的范圍內(nèi)。
然后，參照圖4，對下部導體層41～43的形狀進行說明。圖4是表示下部導體層41～43的平面圖。下部導體層41具有引出電極部41a、與該引出電極部41a連接的電容器結構部41b以及一端部與電容器構成部41b連接的電感器結構部41c。從上方觀察下部導體層41時，下部導體層41具有配置在與襯底2的上表面2a和側面2c之間的棱線(稜線)重疊的位置上的端面41E。端面41E也是引出電極部41a的端面。
下部導體層42具有引出電極部42a、與該引出電極部42a連接的布線部42b。從上方觀察下部導體層42時，下部導體層42具有配置在與襯底2的上表面2a和側面2d之間的棱線重疊的位置上的端面42E。端面42E也是引出電極部42a的端面。
下部導體層43具有引出電極部43a1、43a2、和連接引出電極部43a1、43a2的電容器結構部43b。從上方觀察下部導體層43時，下部導體層43具有配置在與襯底2的上表面2a和側面2e之間的棱線重疊的位置上的端面43E1。端面43E1也是引出電極部43a1的端面。此外，從上方觀察下部導體層43時，下部導體層43具有配置在與襯底2的上表面2a和側面2f之間的棱線重疊的位置上的端面43E2。端面43E2也是引出電極部43a2的端面。
然后，參照圖5對絕緣層5的形狀進行說明。圖5是表示絕緣層5的平面圖。絕緣層5覆蓋平坦化膜3以及下部導體層41～43的大部分。在絕緣層5上形成開口部51～55。開口部51、52配置在下部導體層41的電容器結構部41b上方的位置上。開口部53配置在下部導體層43的電容器結構部43b上方的位置上。開口部54配置在下部導體層41的電感器結構部41c的另一端部附近的、上方的位置上。開口部55配置在下部導體層42的布線部42b的、上方的位置上。
此外，絕緣層5具有分別從絕緣層5的外緣向內(nèi)側凹陷的形狀的4個凹部5c～5f。凹部5c～5f分別配置在與襯底2的側面2c～2f對應的位置上。此外，凹部5c～5f分別使引出電極部41a、42a、43a1、43a2的上表面露出。
然后，參照圖6對電介質(zhì)膜6的形狀進行說明。圖6示出電介質(zhì)膜6的平面圖。電介質(zhì)膜6覆蓋絕緣層5的整個上表面。此外，電介質(zhì)膜6也配置在開口部51、52、53內(nèi)。在電介質(zhì)膜6上，形成開口部64、65。開口部64配置在絕緣層5的開口部54上方的位置上。開口部65配置在絕緣層5的開口部55上方的位置上。
此外，電介質(zhì)膜6具有分別從電介質(zhì)膜6的外緣向內(nèi)側凹陷的形狀的4個凹部6c～6f。凹部6c～6f分別配置在絕緣層5的凹部5c～5f上方的位置上。此外，凹部6c～6f分別使引出電極部41a、42a、43a1、43a2的上表面露出。
然后，參照圖7，對上部導體層71～74的形狀進行說明。圖7是表示上部導體層71～74的平面圖。上部導體層71具有引出電極部71a、與引出電極部71a連接的寬幅部71b。從上方觀察上部導體層71時，上部導體層71具有配置在與襯底2的上表面2a和側面2c之間的棱線重疊的位置上的端面71E。端面71E也是引出電極部71a的端面。
上部導體層72具有引出電極部72a、與引出電極部72a連接的寬幅部72b。從上方觀察上部導體層72時，上部導體層72具有配置在與襯底2的上表面2a和側面2d之間的棱線重疊的位置上的端面72E。端面72E也是引出電極部72a的端面。
上部導體層73具有引出電極部73a1、73a2、和連接引出電極部73a1、73a2的電容器結構部73b。從上方觀察上部導體層73時，上部導體層73具有配置在與襯底2的上表面2a和側面2e之間的棱線重疊的位置上的端面73E1。端面73E1也是引出電極部73a1的端面。此外，從上方觀察上部導體層73時，上部導體層73具有配置在與襯底2的上表面2a和側面2f之間的棱線重疊的位置上的端面73E2。端面73E2也是引出電極部73a2的端面。電容器結構部73b的一部分配置在開口部51內(nèi)，通過電介質(zhì)膜6，與下部導體層41的電容器結構部41b的一部分對置。這些電容器結構部73b、41b的各一部分與電介質(zhì)膜6構成圖9中的電容器111。
上部導體層74具有電容器結構部74a、74b和連接電容器結構部74a、74b的布線部74c。電容器結構部74a的一部分配置在開口部52內(nèi)，通過電介質(zhì)膜6與下部導體層41的電容器結構部41b的另一部分對置。這些電容器結構部74a、41b的各一部分和電介質(zhì)膜6構成圖9的電容器113。電容器結構部74b的一部分配置在開口部53內(nèi)，通過電介質(zhì)膜6與下部導體層43的電容器結構部43b的一部分對置。這些電容器結構部74b、43b的各一部分和電介質(zhì)膜6構成圖9的電容器112。此外，電容器結構部74b的另一部分配置在開口部65、55內(nèi)，與下部導體層42的布線部42b連接。此外，電容器結構部74c的一部分配置在開口部64、54內(nèi)，與下部導體層41的電感器結構部41c的另一端部附近的部分連接。電感器結構部41c構成圖9的電感器114。
此外，引出電極部71a、72a、73a1、73a2分別與引出電極部41a、42a、43a1、43a2連接。
然后，參照圖8對保護膜8的形狀進行說明。圖8是表示保護膜8的平面圖。保護膜8覆蓋上部導體層71～74的大部分。保護膜8具有分別從保護膜8的外緣向內(nèi)側凹陷的形狀的4個凹部8c～8f。凹部8c～8f分別配置在電介質(zhì)膜6的凹部6c～6f上方的位置上。此外，凹部8c～8f分別使引出電極部71a、72a、73a1、73a2的上表面露出。
然后，參照圖1到圖3對端子電極11～14和導體層的連接進行詳細說明。如圖2所示，在器件主體1B的側面1c，下部導體層41的端面41E和上部導體層71的端面71E電連接并且物理連接。由此，端面41E、71E形成連續(xù)的一個端子連接面91c。此外，如圖2所示，在器件主體1B的側面1d，下部導體層42的端面42E和上部導體層72的端面72E電連接并且物理連接。由此，端面42E、72E形成連續(xù)的一個端子連接面91d。此外，如圖1所示，在器件主體1B的側面1e，下部導體層43的端面43E1和上部導體層73的端面73E1電連接并且物理連接。由此，端面43E1、73E1形成連續(xù)的一個端子連接面91e。此外，如圖1所示，在器件主體1B的側面1f，下部導體層43的端面43E2和上部導體層73的端面73E2電連接并且物理連接。由此，端面43E2、73E2形成連續(xù)的一個端子連接面91f。
如圖2所示，端子電極11以與器件主體1B的側面1c的一部分以及與側面1c連續(xù)的底面1b的一部分接觸的方式進行配置。端子電極11的寬度比側面1c的寬度小。此外，端子電極11與端面41E、71E即端子連接面91c接觸，從而與導體層41、71連接。此外，端子電極11的一部分收存在保護膜8的凹部8c內(nèi)，從而與上部導體層71的上表面的一部分接觸。
如圖2所示，端子電極12以與器件主體1B的側面1d的一部分以及與側面1d連續(xù)的底面1b的一部分接觸的方式進行配置。端子電極12的寬度比側面1d的寬度小。此外，端子電極12與端面42E、72E即端子連接面91d接觸，從而與導體層42、72連接。此外，端子電極12的一部分收存在保護膜8的凹部8d內(nèi)，從而與上部導體層72上表面的一部分接觸。
如圖1所示，端子電極13以與器件主體1B的側面1e的一部分以及與側面1e連續(xù)的底面1b的一部分接觸的方式進行配置。端子電極13的寬度比側面1e的寬度小。此外，端子電極13與端面43E1、73E1即端子連接面91e接觸，從而與導體層43、73連接。此外，端子電極13的一部分收存在保護膜8的凹部8e內(nèi)，從而與上部導體層73的上表面的一部分接觸。
如圖1所示，端子電極14以與器件主體1B的側面1f的一部分以及與側面1f連續(xù)的底面1b的一部分接觸的方式進行配置。端子電極14的寬度比側面1f的寬度小。此外，端子電極14與端面43E2、73E2即端子連接面91f接觸，從而與導體層43、73連接。此外，端子電極14的一部分收存在保護膜8的凹部8f內(nèi)，從而與上部導體層73上表面的一部分接觸。
端子電極11～14都不會超過凹部8c～8f而形成在保護膜8上。在圖1～圖3所示的例子中，配置在凹部8c～8f內(nèi)的端子電極11～14的各一部分和凹部8c～8f的邊緣之間沒有間隙。此外，在該例中，端子電極11～14的上表面和保護膜8的上表面形成連續(xù)的平坦的平面。此時，薄膜器件1的上表面為平坦的面。并且，端子電極11～14的各一部分可以配置在凹部8c～8f內(nèi)，端子電極11～14的各一部分和凹部8c～8f的邊緣之間也可以存在間隙。此外，端子電極11～14的上表面和保護膜8的上表面可以形成臺階差。
此外，端子電極11～14可以不配置在器件主體1B的底面1b上。此外，端子電極11～14的下端面可以配置在下部導體層的下表面和器件主體1B的底面1b之間的任意高度的位置上。
然后，參照圖10以及圖11對本實施方式的薄膜器件1的制造方法進行說明。圖10以及圖11是用于說明薄膜器件1的制造方法的剖面圖。圖10以及圖11都示出對應于圖2的剖面。并且，在以下的說明中，舉出各層的材料和厚度的一例，但是，本實施方式的薄膜器件1的制造方法并不限于此。
在本實施方式的薄膜器件1的制造方法中，首先，準備圖10所示的晶片2W。晶片2W包括排列為多列的襯底預定部2P、和設置在相鄰的襯底預定部2P之間的除去預定部2R。襯底預定部2P是以后成為襯底2的部分。除去預定部2R是以后通過切斷晶片2W而被除去的部分。
然后，在晶片2W上形成平坦化膜3。其次，通過研磨使平坦化膜3的上表面平坦化。作為此種情況下的研磨方法，例如，使用化學機械研磨(以下記為CMP)。研磨后的平坦化膜3的厚度例如為2μm。并且，在沒有使平坦化膜3的上表面平坦化、平坦化膜3上表面的粗糙度充分小的情況下，不通過研磨使絕緣層3的上表面平坦化亦可。
然后，在平坦化膜3上形成下部導體層41～43。此時，以在除去預定部2R上方的區(qū)域露出的方式形成引出電極部41a、42a、43a1、43a2，以便在以后切斷晶片2W時，形成與端子電極11～14連接的端面。并且，通過除去預定部2R上方的區(qū)域而相鄰的2個下部導體層可以在除去預定部2R上方的區(qū)域內(nèi)連接。
下部導體層41～43例如以如下的方式形成。首先，例如，通過濺射法在平坦化膜3上形成電極膜。該電極膜用作以后通過電鍍法形成電鍍膜時的電極，并且，構成下部導體層41～43的一部分。電極膜例如制作成30nm厚的Ti膜和100nm厚的Cu膜的層疊膜。然后，在電極膜上形成例如8μm厚的光致抗蝕劑層。繼而，通過光刻對光致抗蝕劑進行構圖，形成框架。該框架具有與應該形成的下部導體層41～43的形狀對應的槽部。然后，使用電極膜作為電極，通過電鍍法在框架的槽部內(nèi)形成電鍍膜。作為電鍍膜的材料，例如，可使用Cu。電鍍膜的厚度例如為9～10μm。然后，通過研磨使電鍍膜的上表面平坦化。作為此時的研磨方法，例如使用CMP。研磨后的電鍍膜的厚度例如為8μm。然后，剝離框架。繼而，用干法刻蝕或者濕法刻蝕，除去電極膜的存在于電鍍膜下的部分以外的部分。由此，由殘留的電極膜以及電鍍膜形成下部導體層41～43。
并且，可以代替如上所述的方法，在電極膜上表面整體上形成未被構圖的電鍍膜，然后，部分地對該電鍍膜以及電極膜進行刻蝕，由此，形成下部導體層41～43?；蛘撸梢栽谄教够?上使用濺射、蒸鍍等物理氣相生長法，形成未構圖的導體膜，并部分地對該導體膜進行刻蝕，由此，形成下部導體層41～43。
然后，例如，通過濺射法以覆蓋平坦化膜3以及下部導體層41～43的方式形成絕緣層5。絕緣層5具有開口部51～55以及凹部5c～5f。使用感光性樹脂作為絕緣層5的材料的情況下，通過光刻對絕緣層5進行構圖。使用感光性樹脂以外的材料作為絕緣層5的材料的情況下，例如利用選擇性的刻蝕對絕緣層5進行構圖。
然后，在絕緣層5上形成電介質(zhì)膜6。該電介質(zhì)膜6的厚度例如為0.1μm。然后，在電介質(zhì)膜6上形成光致抗蝕劑層。然后，通過光刻對光致抗蝕劑層進行構圖，在電介質(zhì)膜6上形成用于形成開口部64、65以及凹部6c～6f的掩模。該掩模覆蓋電介質(zhì)膜6中的、最后應該殘留的部分。然后，通過灰化或者刻蝕，除去電介質(zhì)膜6的未被掩模覆蓋的部分。由此，在電介質(zhì)膜6上形成開口部64、65以及凹部6c～6f。然后，除去抗蝕劑層。
然后，在電介質(zhì)膜6上形成上部導體層71～74。此時，以在除去預定部2R上方的區(qū)域露出的方式形成引出電極部71a、72a、73a1、73a2，以便在以后切斷晶片2W時，形成與端子電極11～14連接的端面。并且，通過除去預定部2R上方的區(qū)域而相鄰的2個上部導體層，可以在除去預定部2R上方的區(qū)域內(nèi)連接。上部導體層71～74的形成方法與下部導體層41～43的形成方法相同。
然后，以覆蓋上部導體層71～74的方式形成保護膜8。并且，此時不在保護膜8上形成凹部8c～8f。
然后，對保護膜8進行加工，以除去保護8的配置在除去預定部2R上方的區(qū)域的部分和對應于應該形成的凹部8c～8f的部分。由此，在保護膜8上形成凹部8c～8f。作為保護膜8的加工方法，例如，可以使用激光加工、或者使用了等離子體的刻蝕、或者通過劃片機的加工。在使用感光性樹脂作為保護膜8的材料時，可以通過光刻對保護膜8進行加工。此處，將由以前的步驟制作的晶片2W乃至保護膜8構成的層疊體稱作薄膜器件用基礎結構體。該基礎結構體包括分別成為器件主體1B的多個器件主體預定部1P和配置在相鄰的器件主體預定部1P之間的除去預定部1R。器件主體預定部1P由基礎結構體中的襯底預定部2P和其上方的部分構成。除去預定部1R由基礎結構體中的除去預定部2R和其上方的部分構成。
然后，如圖11所示，例如用劃片機在除去預定部1R的位置上切斷基礎結構體。由此，基礎結構體中的除去預定部1R被除去，使多個器件主體預定部1P分離。分離后的器件主體預定部1P成為器件主體1B。此外，通過切斷基礎結構體形成端子連接面91c～91f。并且，在圖11中，符號10表示劃片機的刀片。
然后，如圖2所示，在器件主體1B的預定位置上形成端子電極11～14。端子電極11～14例如以如下方式形成。首先，在器件主體1B的預定位置上形成基底電極膜。例如，通過絲網(wǎng)印刷或者轉印，將導電性樹脂或者導電膏涂敷在器件主體1B的預定位置上，使其干燥以及固化，由此，形成該基底電極膜?；蛘?，可以對器件主體1B在預定位置上形成具有開口部的掩模后，例如，通過濺射法，在掩模上或者開口部內(nèi)形成導電膜，然后，除去掩模，由此，形成由導電膜構成的基底電極膜。作為此時的導電膜，例如，可以使用Cr膜和Cu膜的層疊膜、Ti膜和Cu膜的層疊膜、或者Ni膜和Cu膜的層疊膜。然后，通過滾鍍法在基底電極膜上形成電鍍膜。作為電鍍膜，可以使用由Ni或者Ti構成的第一膜和由Sn或者Au構成的第二膜而構成的層疊膜；或者由Cu構成的第一膜、由Ni或者Ti構成的第二膜、由Sn或者Au構成的第三膜而構成的層疊膜。
并且，端子電極11～14的形成方法不限于如上所述的方法。例如，可以使用絲網(wǎng)印刷或者轉印，在器件主體1B的預定位置上涂敷導電性樹脂或者導電膏，使其干燥或者固化，由此，形成端子電極11～14。
然后，對本實施方式的薄膜器件1的效果進行說明。本實施方式的薄膜器件1具有器件主體1B和端子電極11～14。器件主體1B具有配置在在層疊方向不同的位置的下部導體層41～43和上部導體層71～74、配置在層疊方向相鄰的兩個導體層之間的絕緣層5，并且，具有側面1c～1f。端子電極11～14以與側面1c～1f連接的方式配置。此外，器件主體1B具有分別使用一層以上的導體層構成的無源元件的電容器111、112、113以及電感器114。
為了構成電容器112而使用的下部導體層43具有配置在側面1e的端面43E1和配置在側面1f的端面43E2。為了構成電容器111而使用的、配置在與下部導體層43層疊方向不同的位置上的上部導體層73具有配置在側面1e的端面73E1和配置在側面1f的端面73E2。在側面1e，端面43E1、73E1電連接并且物理連接。由此，端面43E1、73E1形成連續(xù)的一個端子連接面91e。端子電極13與端面43E1、73E1即端子連接面91e接觸，與導體層43、73連接。此外，在側面1f，端面43E2、73E2電連接并且物理連接。由此，端面43E2、73E2形成連續(xù)的一個端子連接面91f。端子電極14與端面43E2、73E2即端子連接面91f接觸，從而與導體層43、73連接。電容器112對應于本發(fā)明的第一無源元件，電容器111對應于本發(fā)明的第二無源元件，下部導體層43對應于本發(fā)明的第一導體層，上部導體層73對應于本發(fā)明的第二導體層。
此外，為了構成電容器111、113以及電感器114而使用的下部導體層41具有配置在側面1c的端面41E。配置在層疊方向與下部導體層41不同的位置上的、不能用于構成無源元件的上部導體層71具有配置在側面1c的端面71E。在側面1c，端面41E、71E電連接并且物理連接。由此，端面41E、71E形成連續(xù)的一個端子連接面91c。端子電極11與端面41E、71E即端子連接面91c接觸，從而與導體層41、71連接。下部導體層41與本發(fā)明的第一導體層對應，上部導體層71與本發(fā)明的第二導體層對應。
此外，不能用于構成無源元件的下部導體層42具有配置在側面1d的端面42E。配置在層疊方向與下部導體層42不同的位置上的、不能用于構成無源元件的上部導體層72，具有配置在側面1d的端面72E。在側面1d，端面42E、72E電連接并且物理連接。由此，端面端面42E、72E形成連續(xù)的一個端子連接面91d。端子電極12與端面42E、72E即端子連接面91d接觸，從而與導體層42、72連接。
按照本實施方式，能夠增大導體層和端子電極11～14接觸的區(qū)域的面積，其結果是，能夠提高導體層和端子電極11～14的連接可靠性。此外，在本實施方式中，用于形成端子連接面91c～91f的兩個導體層不是用于構成同一個無源元件的導體層。因此，按照本實施方式，為了形成端子連接面91c～91f，不需要用于構成一個無源元件的導體層的數(shù)目大于等于所需數(shù)目，其結果是，可謀求薄膜器件1的小型化、厚度薄。
在本實施方式中，沿層疊方向上排列的導體層的最大數(shù)目是2。2這個數(shù)目是形成端子連接面91c～91f所需的最小限度的數(shù)目。由此，按照本實施方式，特別地可謀求薄膜器件1的小型化、厚度薄。
此外，在本實施方式中，保護膜8具有分別從保護膜8的外緣向內(nèi)側凹陷的形狀的4個凹部8c～8f。該凹部8c～8f使與上部導體層的上表面的端子電極11～14接觸的部分露出，并且，收存端子電極11～14的一部分。因此，凹部8c～8f具有規(guī)定端子電極11～14的形狀或位置的功能。因此，按照本實施方式，能夠抑制端子電極11～14的形狀或者位置的分散。由此，按照本實施方式，能夠防止端子電極11～14和器件主體1B內(nèi)的導體層之間的電磁耦合或者電容耦合的大小分散，防止薄膜器件1的電特性分散。此外，按照本實施方式，能夠防止相鄰的端子電極間的距離分散導致薄膜器件1的電特性分散、或者相鄰的端子電極間產(chǎn)生短路。
但是，在器件主體1B的側面1c～1f，不配置為下部導體層的端面和上部導體層的端面連續(xù)的情況下，下部導體層的端面和上部導體層的端面之間存在絕緣層5的端面。與此種情況相比，在本實施方式中，因為下部導體層的端面和上部導體層的端面連續(xù)，所以，側面1c～1f出現(xiàn)的層或者膜的界面數(shù)目變少。由此，按照本實施方式，能夠降低切斷薄膜器件用基礎結構體時的層或者膜的剝離、或者缺陷等不良的產(chǎn)生。
第二實施方式然后，對本發(fā)明第二實施方式的薄膜器件進行說明。首先，參照圖20對本實施方式的薄膜器件的電路結構進行說明。圖20是表示本實施方式的薄膜器件的電路結構的電路圖。本實施方式的薄膜器件201具有高通濾波器的功能。
如圖20所示，本實施方式的薄膜器件201具有進行信號輸入輸出的兩個輸入輸出端子301、302、兩個電容器311、312、兩個電感器321、322。電容器311的一端與輸入輸出端子301連接。電容器312的一端與電容器311的另一端連接，電容器312的另一端與輸入輸出端子302連接。電感器321的一端與電容器311的另一端連接，電感器321的另一端接地。電感器322的一端與輸入輸出端子302連接，電感器322的另一端接地。
然后，參照圖12到圖19對本實施方式的薄膜器件201的結構進行說明。圖12以及圖13分別是薄膜器件201的剖面圖。圖14是薄膜器件201的平面圖。圖12示出了在圖14中以I2-I2線所示的剖面。圖13示出了在圖14中以I3-I3線所示的剖面。圖15是薄膜器件201所包含的下部導體層的平面圖。圖16是薄膜器件201所包含的絕緣層的平面圖。圖17是薄膜器件201所包含的電介質(zhì)膜的平面圖。圖18是薄膜器件201所包含的上部導體層的平面圖。圖19是薄膜器件201所包含的保護膜的平面圖。
如圖12到圖14所示，薄膜器件201具有器件主體201B和4個端子電極211～214。器件主體201B對應于本發(fā)明的層疊體。器件主體201B大致為長方體，具有上表面201a、底面201b、連接這些上表面201a和底面201b的四個側面201c～201f。端子電極211～214以分別與側面201c～201f的一部分接觸的方式進行配置。端子電極211構成圖20中的輸入輸出端子301。端子電極212構成圖20中的輸入輸出端子302。端子電極213、214接地。
器件主體201B具有襯底202、在該襯底202上依次層疊的平坦化膜203、下部導體層241～245、絕緣層205、電介質(zhì)膜206、上部導體層271～274以及保護膜208。
襯底202構成為長方體形狀。此外，襯底202具有彼此朝向相反側的上表面202a以及下表面202b、連接上表面202a和下表面202b的4個側面202c～202f。襯底202的材料與第一實施方式的襯底2相同。
平坦化膜203的材料、厚度以及上表面的表面粗糙度與第一實施方式的平坦化膜3相同。襯底202由絕緣材料構成，并且，在其上表面的表面粗糙度充分小的情況下，可以不設置平坦化膜203，而直接在襯底202上配置下部導體層241～245。
下部導體層241～245、上部導體層271～274、端子電極211～214各自的材料和厚度與第一實施方式的下部導體層41～43、上部導體層71～74、端子電極11～14相同。此外，絕緣層205和保護膜208各自的材料和厚度與第一實施方式的絕緣層5和保護膜8相同。此外，電介質(zhì)膜206的材料和厚度與第一實施方式的電介質(zhì)膜6相同。
然后，參照圖15，對下部導體層241～245的形狀進行說明。圖15是表示下部導體層241～245的平面圖。下部導體層241具有引出電極部241a、與該引出電極部241a連接的寬幅部241b。從上方觀察下部導體層241時，下部導體層241具有配置在與襯底202的上表面202a和側面202c之間的棱線重疊的位置上的端面241E。端面241E也是引出電極部241a的端面。
下部導體層242具有引出電極部242a、與該引出電極部242a連接的寬幅部242b。從上方觀察下部導體層242時，下部導體層242具有配置在與襯底202的上表面202a和側面202d之間的棱線重疊的位置上的端面242E。端面242E也是引出電極部242a的端面。
下部導體層243具有引出電極部243a、與該引出電極部243a連接的寬幅部243b。從上方觀察下部導體層243時，下部導體層243具有配置在與襯底202的上表面202a和側面202e之間的棱線重疊的位置上的端面243E。端面243E也是引出電極部243a的端面。
下部導體層244具有引出電極部244a、一端與引出電極部244a連接的電感器結構部244b。從上方觀察下部導體層244時，下部導體層244具有配置在與襯底202的上表面202a和側面202f之間的棱線重疊的位置上的端面244E。端面244E也是引出電極部244a的端面。
下部導體層245具有電容器結構部245a、一端與電容器結構部245a連接的電感器結構部245b。
然后，參照圖16對絕緣層205的形狀進行說明。圖16是表示絕緣層205的平面圖。絕緣層205覆蓋平坦化膜203以及下部導體層241～245的大部分。在絕緣層205上形成開口部251～254。開口部251配置在下部導體層245的電容器結構部245a的長軸方向的一端部附近部分的、上方的位置上。開口部252配置在下部導體層245的電容器結構部245a中長軸方向的另一端部附近的部分的、上方的位置上。開口部253配置在下部導體層245的電感器結構部245b中另一端部的附近部分的、上方的位置上。開口部254配置在下部導體層244的電感器結構部244b的另一端部附近的部分的、上方的位置上。
此外，絕緣層205具有分別從絕緣層205的外緣向內(nèi)側凹陷的形狀的4個凹部205c～205f。凹部205c～205f分別配置在與襯底202的側面202c～202f對應的位置上。此外，凹部205c～205f分別使引出電極部241a、242a、243a1、243a2的上表面露出。
然后，參照圖17對電介質(zhì)膜206的形狀進行說明。圖17示出電介質(zhì)膜206的平面圖。電介質(zhì)膜206覆蓋絕緣層205的整個上表面。此外，電介質(zhì)膜206也配置在開口部251、252內(nèi)。在電介質(zhì)膜206上，形成了開口部263、264。開口部263配置在絕緣層205的開口部253上方的位置上。開口部264配置在絕緣層205的開口部254上方的位置上。
此外，電介質(zhì)膜206具有分別從電介質(zhì)膜206的外緣向內(nèi)側凹陷的形狀的4個凹部206c～206f。凹部206c～206f分別配置在絕緣層205的凹部205c～205f上方的位置上。此外，凹部206c～206f分別使引出電極部241a、242a、243a、244a的上表面露出。
然后，參照圖18，對上部導體層271～274的形狀進行說明。圖18是表示上部導體層271～274的平面圖。上部導體層271具有引出電極部271a、以及與引出電極部271a連接的電容器結構部271b。從上方觀察上部導體層271時，上部導體層271具有配置在與襯底202的上表面202a和側面202c之間的棱線重疊的位置上的端面271E。端面271E是引出電極部271a的端面。電容器結構部271b的一部分配置在開口部251內(nèi)，通過電介質(zhì)膜206與下部導體層245的電容器結構部245b的一部分對置。這些電容器結構部271b、245b的各一部分與電介質(zhì)膜206構成圖20中的電容器311。
上部導體層272具有引出電極部272a、與引出電極部272a連接的電容器結構部272b、一端部與電容器結構部272b連接的電感器結構部272c。從上方觀察上部導體層272時，上部導體層272具有配置在與襯底202的上表面202a和側面202d之間的棱線重疊的位置上的端面272E。端面272E也是引出電極部272a的端面。電容器結構部272b的一部分配置在開口部252內(nèi)，通過電介質(zhì)膜206與下部導體層245的電容器結構部245b的另一部分對置。這些電容器結構部272b、245b的各一部分與電介質(zhì)膜206構成圖20中的電容器312。電感器結構部272c的另一端部附近的一部分配置在開口部264、254內(nèi)，與下部導體層244的電感器構成部244b的另一端部附近的部分連接。電感器結構部244b和電感器結構部272c構成圖20中的電感器322。
上部導體層273具有引出電極部273a、與引出電極部273a連接的寬幅部273b。從上方觀察上部導體層273時，上部導體層273具有配置在與襯底202的上表面202a和側面202e之間的棱線重疊的位置上的端面273E。端面273E也是引出電極部273a的端面。
上部導體層274具有引出電極部274a、一端部與引出電極部274a連接的電感器結構部274b。從上方觀察上部導體層274時，上部導體層274具有配置在與襯底202的上表面202a和側面202f之間的棱線重疊的位置上的端面274E。端面274E也是引出電極部274a的端面。電感器結構部274b的另一端部附近的一部分配置在開口部263、253內(nèi)，與下部導體層245的電感器結構部245b的另一端部附近的部分連接。電感器結構部245b和電感器結構部274b構成圖20中的電感器321。
此外，引出電極部271a、272a、273a、274a分別與引出電極部241a、242a、243a、244a連接。
然后，參照圖19對保護膜208的形狀進行說明。圖19是表示保護膜208的平面圖。保護膜208覆蓋上部導體層271～274的大部分。保護膜208分別具有從保護膜208的外緣向內(nèi)側凹陷的形狀的4個凹部208c～208f。凹部208c～208f分別配置在電介質(zhì)膜206的凹部206c～206f上方的位置上。此外，凹部208c～208f分別使引出電極部271a、272a、273a、274a的上表面露出。
然后，參照圖12到圖14對端子電極211～214和導體層的連接進行詳細說明。如圖13所示，在器件主體201B的側面201c，下部導體層241的端面241E和上部導體層271的端面271E電連接并且物理連接。由此，端面241E、271E形成連續(xù)的一個端子連接面291c。此外，如圖13所示，在器件主體201B的側面201d，下部導體層242的端面242E和上部導體層272的端面272E電連接并且物理連接。由此，端面242E、272E形成連續(xù)的一個端子連接面291d。此外，如圖12所示，在器件主體201B的側面201e，下部導體層243的端面243E和上部導體層273的端面273E電連接并且物理連接。由此，端面243E、273E形成連續(xù)的一個端子連接面291e。此外，如圖12所示，在器件主體201B的側面201f，下部導體層244的端面244E和上部導體層274的端面274E電連接并且物理連接。由此，端面244E、274E形成連續(xù)的一個端子連接面291f。
如圖13所示，端子電極211以與器件主體201B的側面201c的一部分以及與側面201c連續(xù)的底面201b的一部分接觸的方式進行配置。端子電極211的寬度比側面201c的寬度小。此外，端子電極211與端面241E、271E即端子連接面91c接觸，從而與導體層241、271連接。此外，端子電極211的一部分收存在保護膜208的凹部208c內(nèi)，從而與上部導體層271上表面的一部分接觸。
如圖13所示，端子電極212以與器件主體201B的側面201d的一部分以及與側面201d連續(xù)的底面201b的一部分接觸的方式進行配置。端子電極212的寬度比側面201d的寬度小。此外，端子電極212與端面242E、272E即端子連接面291d接觸，從而與導體層242、272連接。此外，端子電極212的一部分收存在保護膜208的凹部208d內(nèi)，從而與上部導體層272的上表面的一部分接觸。
如圖12所示，端子電極213以與器件主體201B的側面201e的一部分以及與側面201e連續(xù)的底面201b的一部分接觸的方式進行配置。端子電極213的寬度比側面201e的寬度小。此外，端子電極213與端面243E、273E即端子連接面291e接觸，從而與導體層243、273連接。此外，端子電極213的一部分收存在保護膜208的凹部208e內(nèi)，與上部導體層273上表面的一部分接觸。
如圖12所示，端子電極214以與器件主體201B的側面201f的一部分以及與側面201f連續(xù)的底面201b的一部分接觸的方式進行配置。端子電極214的寬度比側面201f的寬度小。此外，端子電極214與端面244E、274E即端子連接面291f接觸，從而與導體層244、274連接。此外，端子電極214的一部分收存在保護膜208的凹部208f內(nèi)，與上部導體層274上表面的一部分接觸。
端子電極211～214都不會超過凹部208c～208f而形成在保護膜208上。在圖12到圖14所示的例子中，配置在凹部208c～208f內(nèi)的端子電極211～214的各自一部分和凹部208c～208f的邊緣之間沒有間隙。此外，在該例中，端子電極211～214的上表面和保護膜208的上表面形成連續(xù)的平坦的平面。此時，薄膜器件201的上表面為平坦的面。并且，端子電極211～214的各自一部分可以配置在凹部208c～208f，端子電極211～214的各自一部分和凹部208c～208f的邊緣之間也可以有間隙。此外，端子電極211～214的上表面和保護膜208的上表面也可以形成臺階差。
此外，端子電極211～214可以不配置在器件主體201B的底面201b上。此外，端子電極211～214的下端面可以配置在下部導體層的下表面和器件主體201B的底面201b之間的任意高度的位置上。
本實施方式的薄膜器件201的制造方法與第一實施方式的薄膜器件1的制造方法相同。
然后，對本實施方式的薄膜器件201的效果進行說明。本實施方式的薄膜器件201具有器件主體201B和端子電極211～214。器件主體201B具有配置在層疊方向不同的位置上的下部導體層241～245和上部導體層271～274、配置在層疊方向相鄰的兩個導體層之間的絕緣層205，并且具有側面201c～201f。端子電極211～214以與側面201c～201f連接的方式配置。此外，器件主體201B具有分別使用一層以上的導體層構成的無源元件的電容器311、312以及電感器321、322。
為了構成電感器322而使用的下部導體層244具有配置在側面201f的端面244E。為了構成電感器321而使用的、配置在層疊方向與下部導體層244不同的位置上的上部導體層274，具有配置在側面201f的端面274E。在側面201f，端面244E、274E電連接并且物理連接。由此，端面244E、274E形成連續(xù)的一個端子連接面291f。端子電極214與端面244E、274E即端子連接面291f接觸，從而與導體層244、274連接。電感器322與本發(fā)明的第一無源器件對應，電感器321與本發(fā)明的第二無源元件對應，下部導體層244與本發(fā)明的第一導體層對應，上部導體層274與本發(fā)明的第二導體層對應。
此外，為了構成電感器311而使用的上部導體層271具有配置在側面201c的端面271E。配置在層疊方向與上部導體層271不同的位置上的、不能用于構成無源元件的下部導體層241具有配置在側面201c的端面241E。在側面201c，端面241E、271E電連接并且物理連接。由此，端面241E、271E形成連續(xù)的一個端子連接面291c。端子電極211與端面241E、271E即端子連接面291c接觸，從而與導體層241、271連接。上部導體層271與本發(fā)明的第一導體層對應，下部導體層241與本發(fā)明的第二導體層對應。
此外，為了構成電容器312以及電感器322而使用的上部導體層272具有配置在側面201d的端面272E。配置在層疊方向與上部導體層272不同的位置上的、不能用于構成無源元件的下部導體層242具有配置在側面201d的端面242E。在側面201d，端面242E、272E電連接并且物理連接。由此，端面242E、272E形成連續(xù)的一個端子連接面291d。端子電極212與端面242E、272E即端子連接面291d接觸，從而與導體層242、272連接。上部導體層272與本發(fā)明的第一導體層對應，下部導體層242與本發(fā)明的第二導體層對應。
此外，為了構成無源元件而使用的下部導體層243具有配置在側面201e的端面243E。配置在層疊方向與下部導體層243不同的位置上的、不能用于構成無源元件的上部導體層273，具有配置在側面201e的端面273E。在側面201e，端面243E、273E電連接并且物理連接。由此，端面243E、273E形成連續(xù)的一個端子連接面291e。端子電極213與端面243E、273E即端子連接面291e接觸，從而與導體層243、273連接。
按照本實施方式，能夠使導體層和端子電極211～214接觸的區(qū)域的面積較大，其結果是，能夠提高導體層和端子電極211～214的連接可靠性。此外，在本實施方式中，用于形成端子連接面291c～291f的兩個導體層不是用于構成同一個無源元件的導體層。因此，按照本實施方式，為了形成端子連接面291c～291f，不需要使得用于構成一個無源元件的導體層的數(shù)目為所述數(shù)目以上，其結果是，可實現(xiàn)薄膜器件201的小型化、厚度薄。
在本實施方式中，沿層疊方向上排列的導體層的最大數(shù)目是2。2這個數(shù)目是形成端子連接面291c～291f所需的最小限度的數(shù)目。由此，按照本實施方式，特別地可實現(xiàn)薄膜器件1的小型化、厚度薄。本實施方式的其他效果與第一實施方式相同。
并且，本發(fā)明不限于所述各實施方式，可以采用各種變形。例如，在本發(fā)明中，第一無源元件和第二無源元件的組合可以是電容器和電感器的組合。
此外，本發(fā)明的薄膜器件除了導體層以外還可以包括磁性體層。此外，在本發(fā)明的薄膜器件中，端子電極的數(shù)目不限于4個，可以是任意的。
此外，本發(fā)明不限于具有第一實施方式所示的低通濾波器功能的薄膜器件或者具有第二實施方式所示的高通濾波器功能的薄膜器件，可應用于具有導體層、以及與該導體層連接的端子電極的全部薄膜器件。作為應用本發(fā)明的薄膜器件的功能，例如，有包括電容器、電感器等無源元件、或者晶體管等有源元件、或者多個元件的電路。作為電路，具體地說，例如有LC電路部件、或者低通濾波器、高通濾波器、帶通濾波器等各種濾波器、天線共用器、轉換開關。
此外，本發(fā)明的薄膜器件例如可應用于移動電話機等移動體通信設備或者無線LAN(局域網(wǎng))用的通信裝置。
能夠基于以上的說明，明確實施本發(fā)明的各種方式或者變形例。因此，在以下的技術方案的范圍內(nèi)，在如上所述的優(yōu)選實施方式以外的方式中也可應用本發(fā)明。
權利要求
1.一種薄膜器件，具有層疊體，包括配置在層疊方向不同的位置的多個導體層、和配置在層疊方向相鄰的兩個導體層之間的絕緣層，并且還具有側面；端子電極，配置成與所述層疊體的側面連接，其特征在于所述層疊體分別具有使用一層以上的所述導體層而構成的第一以及第二無源元件，所述多個導體層包括為了構成所述第一無源元件而使用的第一導體層；和為了構成所述第二無源元件而使用的、配置在層疊方向與所述第一導體層不同的位置上的第二導體層，在所述層疊體的側面，所述第一導體層的端面和所述第二導體層的端面電連接并且物理連接，所述端子電極與所述第一導體層的端面以及所述第二導體層的端面接觸，從而與所述第一以及第二導體層連接。
2.如權利要求1記載的薄膜器件，其特征在于所述第一無源元件和第二無源元件是彼此不同的電容器。
3.如權利要求1記載的薄膜器件，其特征在于所述第一無源元件和第二無源元件是彼此不同的電感器。
4.如權利要求1記載的薄膜器件，其特征在于沿層疊方向排列的所述導體層的最大數(shù)目是2。
5.一種薄膜器件，具有層疊體，包括配置在層疊方向不同的位置的多個導體層、和配置在層疊方向相鄰的兩個導體層之間的絕緣層，并且還具有側面；端子電極，配置成與所述層疊體的側面連接，其特征在于所述層疊體具有使用一層以上的所述導體層而構成的無源元件，所述多個導體層包括為了構成所述無源元件而使用的第一導體層；和配置在層疊方向與所述第一導體層不同的位置上的、不能用于構成所述無源元件的第二導體層，在所述層疊體的側面，所述第一導體層的端面和所述第二導體層的端面電連接并且物理連接，所述端子電極與所述第一導體層的端面以及所述第二導體層的端面接觸，從而與所述第一以及第二導體層連接。
6.如權利要求5記載的薄膜器件，其特征在于沿層疊方向排列的所述導體層的最大數(shù)目是2。
全文摘要
本發(fā)明的薄膜器件具有器件主體和四個端子電極。器件主體具有四個側面，各端子電極以與各側面的一部分接觸的方式配置。器件主體包括用于構成第一無源元件的下部導體層和用于構成第二無源元件的上部導體層。在器件主體的側面，下部導體層的端面和上部導體層的端面電連接并且物理連接。端子電極與下部導體層的端面以及上部導體層的端面接觸，從而連接在下部導體層以及上部導體層。
文檔編號H01L27/01GK101047175SQ20071009219
公開日2007年10月3日 申請日期2007年3月30日 優(yōu)先權日2006年3月31日
發(fā)明者桑島一, 宮崎雅弘, 古屋晃 申請人:Tdk株式會社