專利名稱：：蝕刻方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及蝕刻方法，特別涉及在蝕刻過程中可改善柵極斷線的蝕刻方法。
背景技術(shù)：
：目前在液晶顯示裝置制造業(yè)中，大多采用Mo/AL作為柵極(Gate)層材料。通常柵極斷線都是由于在柵極層成膜、光刻膠涂布等工程造成的。但對于取向劑(PI)層濕刻采用王水體系作為蝕刻藥液的工藝，由于王水具有很強的腐蝕性，使得柵極層完成后的工序中若造成柵極層上方氮化硅膜破損也會由于王水沿破損處滲入導致柵極斷線不良發(fā)生。在接觸孔干刻工程中4吏用感應耦合等離子體(InductivelyCoupledPlasma:ICP)類型的干刻設備時，由于ICP設備反應腔(chamber)上部有一個誘導電極，電極表面有陶乾天板作為絕緣保護層。在蝕刻過程中由于陶瓷天板附近存在電場，容易在其表面產(chǎn)生沉積物。該沉積物增多后容易在蝕刻過程中掉落下來破壞液晶陣列基板氮化硅膜上方的光刻膠，導致光刻膠下方的氮化硅膜被蝕刻掉。這樣在后續(xù)的ITO-WE工程時王水就會腐蝕柵極線導致斷線不良產(chǎn)生。目前為了改善接觸孔干刻工程引起的柵極斷線，主要通過增加陶瓷天板的維護頻度以減少天板沉積物達到改善的效果。然而從實際應用效果來看，必須將天板維護頻度縮短到1次/150批次(lot)以內(nèi)才能有效控制住該模式的柵極斷線發(fā)生率，這大大增加了設備維護成本，也降低了設備的稼動率。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的在于提供一種可以蝕刻方法，通過該方法降低天板沉積速度，減少柵極斷線發(fā)生率。為達到上述目的，本發(fā)明提供一種蝕刻方法，其采用含SF6/N2的蝕刻氣體體系，其中，在該SF6的蝕刻氣體體系中還添加氧氣。本發(fā)明由于采用了上述的技術(shù)方案，使之與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下的優(yōu)點3和積極效果本發(fā)明在SF6/He或者SF6/N2體系中添加適量02，可以在保證產(chǎn)能情況下大幅度降低源動力，從而實現(xiàn)大幅度降低天板沉積速度，減少柵極斷線發(fā)生率。具體實施例方式以下將對本發(fā)明的蝕刻方法作進一步的詳細描述。在接觸孔干刻工程中使用感應耦合等離子體(ICP)類型的干刻設備時，由于ICP設備反應腔(chamber)上部有一個誘導電極，電極表面有陶資天板作為絕緣保護層。由于沉積物產(chǎn)生速度大小主要取決于天板附近電場大小。要改善此電場大小來柵極線導致斷線不良產(chǎn)生，除了改造設備結(jié)構(gòu)也可以通過降低源動力(sourcepower)來實現(xiàn)。但對于普通SF6/He或者SF6/N2的蝕刻氣體，將源動力降低到一定程度時，會導致蝕刻速率大幅下降，使得嚴重影響產(chǎn)能。本發(fā)明通過對SF6/He或者SF6/N2體系中添加適量的氧氣((h),其中SF6/(h的摩爾之比范圍位于4/11/3左右，可以使得蝕刻速率大幅度提高。一般離子(Plasma)反應時SF6(六氟化硫)解離成SFx離子和F離子或者F*,起主要蝕刻作用的是F+和F氣而解離過程是一個可逆過程。添加了02后，(h會和SFx離子生成SO2以及SOF4等產(chǎn)物，從而加大F離子和F^農(nóng)度，增大反應速度。SF6/He體系以及SF6/He/(h體系蝕刻速率數(shù)據(jù)如表1所示，SF6/He體系中添加了02后比同等源動力(sourcepower)下的沒添加O2的SF6/He體系的蝕刻速度將近提高了一倍，而且達到了是它2.5倍的源動力且沒有添加O2的SF6/He體系的蝕刻速度。表lGas體系SF6/He/02SF6/HeSF6/HeSourcePower(W)300075003000G-SiNx蝕刻頻率(A/min)426343052116PA-SiNx蝕刻頻率(A/min)81795995—如表2為SF6/He體系以及SF6/He/O2體系的處理張數(shù)和柵極斷線平均發(fā)生4率，可以看到，在最短的時間內(nèi)，SFs/He/02體系處理張凄t最多，且柵4及斷線平均發(fā)生率最少。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>通過本發(fā)明的蝕刻方法，也就是在SfVHe或者SFs/N2體系中添加適量02,可以在保證產(chǎn)能情況下大幅度降低源動力，從而實現(xiàn)大幅度降低天板沉積速度,減少柵極斷線發(fā)生率。以上介紹的僅僅是基于本發(fā)明的較佳實施例，并不能以此來限定本發(fā)明的范圍。任何對本發(fā)明的測量裝置作本
技術(shù)領(lǐng)域：
內(nèi)熟知的步驟的替換、組合、分立，以及對本發(fā)明實施步驟作本
技術(shù)領(lǐng)域：
內(nèi)熟知的等同改變或替換均不超出本發(fā)明的揭露以及保護范圍。權(quán)利要求1.一種蝕刻方法，其采用含SF6的蝕刻氣體體系，其特征在于在該SF6的蝕刻氣體體系中還添加氧氣。2.如權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于，所述SF6的蝕刻氣體體系中還含有氦氣。3.如權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于，所述SF6的蝕刻氣體體系中還含有氮氣。4.如權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于，所述SF6/(h的摩爾之比位于4/1~1/3。全文摘要本發(fā)明涉及一種蝕刻方法，其采用含SF<sub>6</sub>的蝕刻氣體體系，其中，在該SF<sub>6</sub>的蝕刻氣體體系中還添加氧氣。本發(fā)明的蝕刻方法可以在保證產(chǎn)能情況下大幅度降低源動力，從而實現(xiàn)大幅度降低天板沉積速度，減少柵極斷線發(fā)生率。文檔編號H01L21/311GK101425459SQ200710047579公開日2009年5月6日申請日期2007年10月30日優(yōu)先權(quán)日2007年10月30日發(fā)明者徐偉齊申請人:上海廣電Nec液晶顯示器有限公司