專利名稱：一種用于聚合物熱敏電阻制造的電解銅箔生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于電解銅箔的制造方法這一技術(shù)領(lǐng)域，特別適用于雙層、多層聚合物熱敏電阻(PPTC)的制造方法這一技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
PPTC主要由充填導(dǎo)體的聚乙稀(Polyethylene)芯材、電極所制成，其充填導(dǎo)體主要成分為碳黑。根據(jù)芯材的層數(shù)，PPTC可分為單層、雙層、多層結(jié)構(gòu)型式。雙層、多層PPTC的電極層數(shù)＝芯材層數(shù)+1，雙層、多層PPTC的電極引出原理與單層一致，其多電極最終被組合成雙電極引出(見JP249515)，這種電極的組合可以成倍放大元件單位面積的限流能力，進而滿足IC高集成度的要求。
PPTC的電極一般由表面粗化處理鎳箔、鍍鎳銅箔制造，表面粗化處理鎳箔可以滿足單層PPTC外層電極制造質(zhì)量要求，但用于雙層、多層PPTC的內(nèi)層電極時，鎳箔與芯材的粘結(jié)強度不能滿足大功率重復(fù)熱沖擊要求，容易產(chǎn)生芯材與電極分離，不能滿足雙層、多層PPTC的質(zhì)量要求。CN1447351A介紹了一種間歇式生產(chǎn)PPTC專用電極材料的生產(chǎn)方式，但該鍍鎳銅箔非處理面的Ry值通常小于1.5μm，相當于粗化處理面粗糙度的15～20％，當其與芯材壓合后，剝離強度只有0.2～0.3kg/cm，低于粘結(jié)強度大于1.0kg/cm的標準要求，致使該種方法生產(chǎn)出的銅箔不能滿足雙層、多層PPTC內(nèi)層電極制造的要求，并且其市場意意義也不大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種適用雙層、多層PPTC的電解銅箔生產(chǎn)方法。
本發(fā)明解決技術(shù)問題的技術(shù)方案為一種用于聚合物熱敏電阻制造的電解銅箔生產(chǎn)方法包括酸洗工序、單面粗化固化工序、單面固化工序、雙面粗化工序、雙面粗化層再固化工序、雙面固化層鍍鎳工序、雙面鍍鎳層偶聯(lián)工序，并且這些工序是在一條生產(chǎn)線上連續(xù)完成。
所述的單面粗化固化工序的工作條件包含于雙面粗化固化工序之中。
所述的單面固化工序的工作條件為電流密度20～40A/dm2；溫度30～60℃；Cu2+50～90g/L；H2SO470～110g/L；所述的雙面粗化工序的工作條件為電流密度12～30A/dm2；溫度21～35℃；Cu2+10～22g/L；H2SO450～90g/L；十二烷基硫酸鈉0.5～15mg/L；所述的雙面粗化層再固化工序的工作條件為電流密度20～40A/dm2；溫度30～60℃；Cu2+50～90g/L；H2SO470～110g/L；所述的雙面固化層鍍鎳工序的工作條件為電流密度10～30A/dm2；溫度30～60℃；Ni2+20～90g/L；所述的雙面鍍鎳層偶聯(lián)工序的工作條件為A-1870.1～1.0％；
溫度15～50℃。
優(yōu)選的單面固化工序的工作條件為電流密度25～30A/dm2；溫度40～50℃；Cu2+60～70g/L；H2SO480～90g/L；優(yōu)選的雙面粗化工序的工作條件為電流密度18～24A/dm2；電解液溫度24～28℃；Cu2+12～16g/L；H2SO460～70g/L；十二烷基硫酸鈉2～5mg/L；優(yōu)選的雙面粗化層再固化工序的工作條件為電流密度25～30A/dm2；溫度40～50℃；Cu2+60～70g/L；H2SO480～90g/L；優(yōu)選的雙面固化層鍍鎳工序的工作條件為電流密度15～20A/dm2；溫度40～50℃；Ni2+40～60g/L；優(yōu)選的雙面鍍鎳層偶聯(lián)工序的工作條件為A-1870.3～0.5％；溫度20～35℃。
為提高雙面粗化鍍鎳銅箔光面粗糙度，最好對光面實施2～3次的固化處理，再實施光面的粗化處理。
雙面粗化鍍鎳銅箔的光面固化層厚度范圍為1～5μm，最佳范圍為2～4μm。
雙面粗化鍍鎳銅箔的光面粗化層厚度范圍為2～6μm，最佳范圍為3～4μm。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有工藝簡單、質(zhì)量均勻、生產(chǎn)成本低、可以大規(guī)模生產(chǎn)的特點。


圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；1為生箔，2為粗化層，3為固化層，4為鍍鎳層，5為偶聯(lián)劑層。
具體實施例方式下面結(jié)合實施例對本發(fā)明做詳細的說明。
本發(fā)明的粗糙度、剝離強度、抗高溫熱變色能力按ICP-MF-650標準檢測。
實施例11、酸洗工序?qū)面Ry7.8μm的30μm生箔，用100g/L的硫酸酸清洗后，2、單面粗化固化工序的工作條件與雙面粗化固化工序的條件相同。
3、單面固化工序?qū)⒐袒^的銅箔在電流密度20A/dm2、溫度30℃、Cu2+50g/L、H2SO470g/L的條件下進行電鍍。
4、雙面粗化工序?qū)⒐饷婀袒玫你~箔在電流密度12A/dm2、溫度21℃、Cu2+10g/L、H2SO450g/L、十二烷基硫酸鈉0.5mg/L的條件下進行電鍍。
5、雙面粗化層再固化工序?qū)㈦p面粗化好的銅箔在電流密度20A/dm2、溫度30℃、Cu2+50g/L、H2SO470g/L的條件下進行電鍍。
6、雙面固化層鍍鎳工序?qū)㈦p面固化好的銅箔在電流密度10A/dm2、溫度30℃、Ni2+20g/L的條件下進行電鍍。
7、所述的雙面鍍鎳層偶聯(lián)工序的工作條件為將雙面固化好的銅箔在A-1870.1％、溫度15℃的條件下進行偶聯(lián)。
實施例21、酸洗工序?qū)面Ry7.8μm的30μm生箔，用100g/L的硫酸酸清洗后，2、單面粗化固化工序的工作條件與雙面粗化固化工序的條件相同。
3、單面固化工序?qū)⒐袒^的銅箔在電流密度25A/dm2、溫度40℃、Cu2+60g/L、H2SO480g/L的條件下進行電鍍。
4、雙面粗化工序?qū)⒐饷婀袒玫你~箔在電流密度18A/dm2、溫度24℃、Cu2+12g/L、H2SO460g/L、十二烷基硫酸鈉2mg/L的條件下進行電鍍。
5、雙面粗化層再固化工序?qū)㈦p面粗化好的銅箔在電流密度25A/dm2、溫度40℃、Cu2+60g/L、H2SO480g/L的條件下進行電鍍。
6、雙面固化層鍍鎳工序?qū)㈦p面固化好的銅箔在電流密度15A/dm2、溫度40℃、Ni2+40g/L的條件下進行電鍍。
7、所述的雙面鍍鎳層偶聯(lián)工序的工作條件為將雙面固化好的銅箔在A-1870.3％、溫度20℃的條件下進行偶聯(lián)。
實施例31、酸洗工序?qū)面Ry7.8μm的30μm生箔，用100g/L的硫酸酸清洗后，
2、單面粗化固化工序的工作條件與雙面粗化固化工序的條件相同。
3、單面固化工序?qū)⒐袒^的銅箔在電流密度30A/dm2、溫度50℃、Cu2+70g/L、H2SO490g/L的條件下進行電鍍。
4、雙面粗化工序?qū)⒐饷婀袒玫你~箔在電流密度24A/dm2、溫度28℃、Cu2+16g/L、H2SO470g/L、十二烷基硫酸鈉5mg/L的條件下進行電鍍。
5、雙面粗化層再固化工序?qū)㈦p面粗化好的銅箔在電流密度30A/dm2、溫度50℃、Cu2+70g/L、H2SO490g/L的條件下進行電鍍。
6、雙面固化層鍍鎳工序?qū)㈦p面固化好的銅箔在電流密度20A/dm2、溫度50℃、Ni2+60g/L的條件下進行電鍍。
7、所述的雙面鍍鎳層偶聯(lián)工序的工作條件為將雙面固化好的銅箔在A-1870.5％、溫度35℃的條件下進行偶聯(lián)。
實施例41、酸洗工序?qū)面Ry7.8μm的30μm生箔，用100g/L的硫酸酸清洗后，2、單面粗化固化工序的工作條件與雙面粗化固化工序的條件相同。
3、單面固化工序?qū)⒐袒^的銅箔在電流密度40A/dm2、溫度60℃、Cu2+90g/L、H2SO4110g/L的條件下進行電鍍。
4、雙面粗化工序?qū)⒐饷婀袒玫你~箔在電流密度30A/dm2、溫度35℃、Cu2+22g/L、H2SO490g/L、十二烷基硫酸鈉15mg/L的條件下進行電鍍。
5、雙面粗化層再固化工序?qū)㈦p面粗化好的銅箔在電流密度40A/dm2、溫度60℃、Cu2+90g/L、H2SO4110g/L的條件下進行電鍍。
6、雙面固化層鍍鎳工序?qū)㈦p面固化好的銅箔在電流密度30A/dm2、溫度60℃、Ni2+90g/L的條件下進行電鍍。
7、所述的雙面鍍鎳層偶聯(lián)工序的工作條件為將雙面固化好的銅箔在A-1871.0％、溫度50℃的條件下進行偶聯(lián)。
實施例5，除光面進行三次固化外，其余與實施例3相同。

實施例1-5所制備的銅箔，在加熱到250℃條件下，30min均不變色。
本發(fā)明銅箔不局限于PPTC的電極應(yīng)用范圍，本發(fā)明銅箔可以用于抗熱變能力要求高、特殊基材(如四氟基材)的高端覆銅板生產(chǎn)。
權(quán)利要求
1.一種用于聚合物熱敏電阻制造的電解銅箔生產(chǎn)方法，包括酸洗工序、單面粗化固化工序、單面固化工序、雙面粗化工序、雙面粗化層再固化工序、雙面固化層鍍鎳工序、雙面鍍鎳層偶聯(lián)工序，其特征在于所述的單面固化工序的工作條件為電流密度20～40A/dm2；溫度30～60℃；Cu2+50～90g/L；H2SO470～110g/L；所述的雙面粗化工序的工作條件為電流密度12～30A/dm2；溫度21～35℃；Cu2+10～22g/L；H2SO450～90g/L；十二烷基硫酸鈉0.5～15mg/L；所述的雙面粗化層再固化工序的工作條件為電流密度20～40A/dm2；溫度30～60℃；Cu2+50～90g/L；H2SO470～110g/L；所述的雙面固化層鍍鎳工序的工作條件為電流密度10～30A/dm2；溫度30～60℃；Ni2+20～90g/L；所述的雙面鍍鎳層偶聯(lián)工序的工作條件為A-1870.1～1.0％；溫度15～50℃。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于聚合物熱敏電阻制造的電解銅箔生產(chǎn)方法，其特征在于所述的單面固化工序的工作條件為電流密度25～30A/dm2；溫度40～50℃；Cu2+60～70g/L；H2SO480～90g/L；所述的雙面粗化工序的工作條件為電流密度18～24A/dm2；電解液溫度24～28℃；Cu2+12～16g/L；H2SO460～70g/L；十二烷基硫酸鈉2～5mg/L；所述的雙面粗化層再固化工序的工作條件為電流密度 25～30A/dm2；溫度40～50℃；Cu2+60～70g/L；H2SO480～90g/L；所述的雙面固化層鍍鎳工序的工作條件為電流密度15～20A/dm2；溫度40～50℃；Ni2+40～60g/L；所述的雙面鍍鎳層偶聯(lián)工序的工作條件為A-1870.3～0.5％；溫度20～35℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種用于聚合物熱敏電阻制造的電解銅箔生產(chǎn)方法，其特征在于光面實施2～3次的固化工序。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種用于聚合物熱敏電阻制造的電解銅箔生產(chǎn)方法，其特征在于雙面粗化鍍鎳銅箔的光面固化層厚度范圍為1～5μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于聚合物熱敏電阻制造的電解銅箔生產(chǎn)方法，其特征在于雙面粗化鍍鎳銅箔的光面固化層厚度范圍為2～4μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種用于聚合物熱敏電阻制造的電解銅箔生產(chǎn)方法，其特征在于雙面粗化鍍鎳銅箔的光面粗化層厚度范圍為2～6μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種用于聚合物熱敏電阻制造的電解銅箔生產(chǎn)方法，其特征在于雙面粗化鍍鎳銅箔的光面粗化層厚度范圍為3～4μm。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于聚合物熱敏電阻制造的電解銅箔生產(chǎn)方法包括酸洗工序、單面粗化固化工序、單面固化工序、雙面粗化工序、雙面粗化層再固化工序、雙面固化層鍍鎳工序、雙面鍍鎳層偶聯(lián)工序，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有工藝簡單、質(zhì)量均勻、生產(chǎn)成本低、可以大規(guī)模連續(xù)生產(chǎn)的特點。
文檔編號H01C7/02GK101093743SQ20071002267
公開日2007年12月26日 申請日期2007年5月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月25日
發(fā)明者甘躍 申請人:甘躍