專利名稱：封裝級結(jié)構(gòu)中的集成電容器、制作其的工藝和包含其的系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一般來說，本發(fā)明實(shí)施例涉及芯片封裝中的電容器。
背景技術(shù)：
例如電容器、電感器和電阻器等無源器件在集成電路(IC)芯片封
裝中具有不斷增加的重要性。例如，電容器用于去耦合、響應(yīng)處理器
負(fù)荷、調(diào)諧和調(diào)制的射頻(RF)應(yīng)用及其它的功能。微型無源RF器件受 到越來越大的壓力，以便為了用戶便利而獲得越來越小的封裝。結(jié)果 是，電容器和其它無源RF器件難以設(shè)置在這些小封裝中。


為了說明獲得實(shí)施例的方式，將參照附圖示出的示范實(shí)施例來提 供以上概述的實(shí)施例的更具體描述。要理解，這些附圖僅說明典型實(shí) 施例，它們不一定按規(guī)定比例繪制，因而不要看作是對其范圍的限制， 將通過使用附圖以附加細(xì)節(jié)來描述和說明這些實(shí)施例，附圖包括
圖1A是根據(jù)一個實(shí)施例的處理期間的管芯(die)的核心支撐結(jié)構(gòu) 的截面立^L圖lB是根據(jù)一個實(shí)施例的形成圖案(patteming)之后的圖1A所示 核心支撐結(jié)構(gòu)的截面立視圖1C是根據(jù)一個實(shí)施例的才莫制(stenciling)和應(yīng)用介電膜之后的圖 1B所示核心支撐結(jié)構(gòu)的截面立^L圖1D是根據(jù)一個實(shí)施例的形成頂部和底部電極及電鍍通孔之后 的圖1C所示核心支撐結(jié)構(gòu)的截面立視圖1E是根據(jù)一個實(shí)施例的形成焊接掩模(solder mask)層之后的圖
1D所示核心支撐結(jié)構(gòu)的截面立^見圖2A是根據(jù)一個實(shí)施例的與核心嵌入電容器(embedded-in-core capacitor)裝配期間的芯片封裝的截面立視圖2B是根據(jù)一個實(shí)施例的進(jìn)行處理之后的圖2A中所示芯片封裝 的截面立一見圖2是根據(jù)一個實(shí)施例的具有核心嵌入電容器的芯片封裝的截面 立視圖3是根據(jù)一個實(shí)施例、具有核心嵌入電容器的芯片封裝的截面 立視圖4A是根據(jù)一個實(shí)施例的進(jìn)行處理期間的絲焊安裝(wire-bond mounting) H"底的截面立#見圖4B是根據(jù)一個實(shí)施例的制備焊接掩沖^M之后的圖4A中所示絲 焊安裝村底的截面立^L圖4C是根據(jù)一個實(shí)施例的形成焊接掩才練的圖案之后的圖4B所 示絲焊安裝襯底的截面立視圖4D是根據(jù)一個實(shí)施例的焊接掩模結(jié)構(gòu)的高度減小之后的圖4C 中所示絲焊安裝襯底的截面立^L圖4E是根據(jù)一個實(shí)施例的暴露高度減小的焊接掩模和管芯焊盤 (die land)的圖4D所示核心支撐結(jié)構(gòu)的截面立^f見圖4F是根據(jù)一個實(shí)施例的進(jìn)一步進(jìn)行處理以便形成頂部電極以 及將管芯安置于管芯焊盤之后的圖4E所示核心支撐結(jié)構(gòu)的截面立視 圖5是根據(jù)一個實(shí)施例的取自圖4F的襯底中的焊接掩模嵌入電容 器的頂S見圖6是描述方法流程實(shí)施例的流程圖7是示出根據(jù)一個實(shí)施例的計算系統(tǒng)的斷面立視圖；以及
圖8是根據(jù)一個實(shí)施例的計算系統(tǒng)的示意圖。
具體實(shí)施例方式
本公開中的實(shí)施例涉及設(shè)置在焊接掩it結(jié)構(gòu)和核心結(jié)構(gòu)中的嵌入 式無源器件。 一個實(shí)施例包括電容器，包含焊接掩才莫結(jié)構(gòu)中的頂部電 極。焊接掩模結(jié)構(gòu)經(jīng)過修改，以便允許現(xiàn)有焊皿才莫結(jié)構(gòu)中的零剖面
電容器(zero-profile capacitor)。類似地，核心結(jié)構(gòu)經(jīng)過修改，以便允許 與電鍍通孔相鄰的零剖面電容器。
以下描述包括例如上、下、第一、第二等術(shù)語，它們僅用于進(jìn)行 描迷而不是要理解為限制。本文所述的設(shè)備或制品的實(shí)施例可通過多 個位置和取向來制造、使用或裝運(yùn)。術(shù)語"管芯"和"芯片" 一般指 的是作為通過各種過程操作變換為預(yù)期集成電路裝置的基本工件的物 理對象。管芯通常從晶片分割，以及晶圓可由半導(dǎo)體、非半導(dǎo)體或者 半導(dǎo)體和非半導(dǎo)體材料的組合來制作。底板通常是充當(dāng)管芯的安裝襯
底的樹脂浸漬玻璃纖維結(jié)構(gòu)。
現(xiàn)在參照附圖，其中，對相似結(jié)構(gòu)提供相似尾標(biāo)參考標(biāo)號。為了 最清楚地示出各種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，本文包含的附圖是集成電路結(jié)構(gòu)的 圖解表示。因此，例如顯微照片中的制造結(jié)構(gòu)的實(shí)際外觀可能看起來 不同，但仍然結(jié)合了所示實(shí)施例的本質(zhì)結(jié)構(gòu)。此外，附圖示出理解所 示實(shí)施例所需的結(jié)構(gòu)。沒有包括本領(lǐng)域已知的其它結(jié)構(gòu)，以便保持附 圖的清晰。
圖1A是根據(jù)一個實(shí)施例的進(jìn)行處理期間的管芯的核心支撐結(jié)構(gòu) 100的截面立#見圖。才艮據(jù)一個實(shí)施例，核心支撐結(jié)構(gòu)(以下稱作"核心 結(jié)構(gòu)")100是有機(jī)-無機(jī)化合物。根據(jù)一個實(shí)施例，核心結(jié)構(gòu)100是硬 有機(jī)材料(stiff organic),例如FR4樹脂浸漬玻璃纖維。根據(jù)一個實(shí)施例， 核心結(jié)構(gòu)100是有機(jī)材料和無才幾材料的組合，例如雙馬來酰亞胺三"秦 樹月旨(bismalde trazine， BT)才才料。
圖1B是根據(jù)一個實(shí)施例的形成圖案之后的圖1A所示核心支撐結(jié) 構(gòu)100的截面立^L圖。形成圖案的核心結(jié)構(gòu)101包括周邊形成圖案結(jié) 構(gòu)層110和內(nèi)部形成圖案結(jié)構(gòu)層112。在周邊形成圖案結(jié)構(gòu)層110附近制備用于接收介電膜的笫一凹槽114。形成圖案核心結(jié)構(gòu)101還包 括第二凹槽116，它為隨后將要制作的電鍍通孔(PTH)作準(zhǔn)備。
圖1C是根據(jù)一個實(shí)施例、才莫制和應(yīng)用介電膜118之后的圖1B所 示核心支撐結(jié)構(gòu)101的截面立^見圖。才莫制層120設(shè)置在核心結(jié)構(gòu)102 之上，并且使介電膜118流通il^莫版開口 ，以便填充第一凹槽114的 每一個存在。
在一個實(shí)施例中，形成介電膜118之后的核心結(jié)構(gòu)102呈現(xiàn)基本 共面的介電第一表面122和核心第一表面124。類似地，在一個實(shí)施 例中，形成介電膜118之后的核心結(jié)構(gòu)102呈現(xiàn)基本共面的介電第二 表面126和核心第二表面128。才艮據(jù)要求權(quán)益的實(shí)施例，核心結(jié)構(gòu)102 又稱作結(jié)構(gòu)層102。
在第一凹槽114中模制或者以其它方式形成介電膜118之后，介 電膜118經(jīng)過固化(cured)或者至少經(jīng)過預(yù)聚合(B-staged)，以便取得充 分穩(wěn)定性供進(jìn)一步處理核心結(jié)構(gòu)102。在一個實(shí)施例中，介電膜118 是高K材料，它的電容率&大約為20(呈現(xiàn)大約17.7 picoFarads/mm2(pF/mm2))。在一個實(shí)施例中，介電膜118的Er大約為 50 (44 pF/mm2)。在一個實(shí)施例中，介電膜118的Er的范圍從大約15 至大約60。
圖1D是根據(jù)一個實(shí)施例的形成頂部電極130和底部電極132及 電鍍通孔(PTH)134之后的圖1C所示核心支撐結(jié)構(gòu)102的截面立視圖。 可通過若干階段來執(zhí)行形成電才及和結(jié)構(gòu)層的過程。例如，通過在介電 第一表面122和核心第一表面124上方非電鍍層籽晶層，來形成頂部 電極130以及PTH 134中處于核心笫一表面124之上或者附近的部分。 此后，執(zhí)行電鍍過程，以便取得頂部電極130的設(shè)計厚度，將產(chǎn)生處 于核心第一表面124處或附近的PTH 134中的給定厚度。此后，在介 電第二表面126和核心第二表面128上電鍍核心結(jié)構(gòu)103。因此，填 充第二凹槽116的PTH 134具有其中的電鍍接縫。
圖1E是根據(jù)一個實(shí)施例的形成焊接掩模層136之后的圖1D所示
核心支撐結(jié)構(gòu)103的截面立視圖。在一個實(shí)施例中，焊接^^莫層136 用作焊接掩模以及用作沉積在頂部電極130和底部電極132其中至少 一個上方的封裝層。核心支撐104被焊接掩才莫層136覆蓋，準(zhǔn)備對它 形成圖案并將它應(yīng)用于例如處理器等微電子器件或者RF應(yīng)用的應(yīng)用 專用集成電路(ASIC)等。
圖2A是根據(jù)一個實(shí)施例的裝配核心嵌入電容器期間的芯片封裝 200的截面立視圖。芯片封裝200包括核心結(jié)構(gòu)238，與圖1E所示的 核心結(jié)構(gòu)104相似。根據(jù)一個實(shí)施例，已經(jīng)對焊接掩模層236形成圖 案，以便形成電容器掩才莫開口 240。根據(jù)一個實(shí)施例，還對焊接掩模 層236形成圖案，以便形成PTH掩才莫開口 242。具有活性表面246和 后側(cè)表面248的倒裝晶片244通過方向箭頭表示為與核心結(jié)構(gòu)238集 合在一起。根據(jù)一個實(shí)施例，倒裝晶片244包括焊料突起250,它配 置成匹配電容器摘^莫開口 240的圖案形成。根據(jù)一個實(shí)施例，焊料突 起250的其它出現(xiàn)情況匹配PTH掩模開口 242的圖案形成。
在一個實(shí)施例中，沒有使用焊接掩才莫層236的圖案形成，而是對 焊接掩沖莫層236進(jìn)行預(yù)聚合。此后，將具有焊料突起250的倒裝晶片 244壓入焊接掩模層236，以及通過將焊接掩4莫層236移入原本由電容 器掩模開口 240和PTH掩模開口 242準(zhǔn)備的位置，來進(jìn)行電接觸。
圖2B是根據(jù)一個實(shí)施例的進(jìn)行處理之后的圖2A所示芯片封裝 200的截面立視圖。芯片封裝201說明將倒裝晶片244與核心結(jié)構(gòu)238 集合在一起。此后，在倒裝晶片244與核心結(jié)構(gòu)238之間插入底部填 充材料252，以便保護(hù)電氣連接和其它結(jié)構(gòu)。
圖3是根據(jù)一個實(shí)施例的具有核心嵌入電容器的芯片封裝300的 截面立視圖。與圖2A所示的芯片封裝201相似，使倒裝晶片344和 核心結(jié)構(gòu)338匹配。在這個實(shí)施例中，多個焊料突起350是圖2B所示 的大約兩倍。因此，焊料突起350的兩次出現(xiàn)碰觸嵌入核心結(jié)構(gòu)338 的頂部電極330。在倒裝晶片344與核心結(jié)構(gòu)338之間插入底部填充 材料352，以便保護(hù)電氣連接和其它結(jié)構(gòu)。
圖4A是根據(jù)一個實(shí)施例的進(jìn)行處理期間的絲焊安裝村底 (WBMS)400的截面立^L圖。根據(jù)一個實(shí)施例，WBMS 400包括WBMS 核心454、頂部涂層456和底部涂層458。在一個實(shí)施例中，將WBMS 400選擇用于手持裝置、如無線裝置的制造。根據(jù)一個實(shí)施例，WBMS 400包括第一鍵合指(bond finger)460墊。類似地，在將WBMS 400選 擇成其中具有電容器時，WBMS 400包括底部電極432。在一個實(shí)施 例中，WBMS 400包括第二鍵合指462墊。
圖4B是根據(jù)一個實(shí)施例的制備焊接掩才無464之后的圖4A所示 WBMS 400的截面立視圖。WBMS 401包括第一掩才莫466，對它形成 圖案以便相應(yīng)于底部電極432的出現(xiàn)。示出去除焊接掩才媒464中通 過第一掩才莫466暴露的所有部分的焊接摘^莫膜464的第一圖案形成。
圖4C是根據(jù)一個實(shí)施例的焊接掩才M 465的第二圖案形成之后 的圖4B所示W(wǎng)BMS 401的截面立視圖。WBMS 402包括已經(jīng)覆蓋底 部電極432的介電膜468。根據(jù)一個實(shí)施例，將介電膜468選擇成具 有高電容率。在一個實(shí)施例中，圖4C所示的圖案形成方案用于在去 除第一掩才莫466之前在介電膜468上設(shè)置電鍍籽晶層。
圖4D是根據(jù)一個實(shí)施例的進(jìn)一步進(jìn)行處理之后的圖4C所示 WBMS 402的截面立^L圖。已經(jīng)通過對圖4C所示焊接^r才莫膜464進(jìn) 行第二次圖案形成來處理WBMS 403，以便獲得第二形成圖案焊接掩 模膜465。根據(jù)一個實(shí)施例，使用了第二掩模470，不僅暴露第一鍵合 指墊(pad)460和第二鍵合指墊462，而且還暴露WBMS 403的中心附 近的管芯焊盤472。
圖4E是根據(jù)一個實(shí)施例的進(jìn)一步進(jìn)行處理之后的圖4D所示核心 支撐結(jié)構(gòu)403的截面立視圖。核心結(jié)構(gòu)404中已經(jīng)清除了第二掩模470。 在一個實(shí)施例中，形成介電膜468之后核心結(jié)構(gòu)404呈現(xiàn)不一定共面 的介電第一表面474和結(jié)構(gòu)層第一表面476。在一個實(shí)施例中，形成 介電膜468之后核心結(jié)構(gòu)404呈現(xiàn)基本上共面的介電第二表面478和 結(jié)構(gòu)層第二表面480。
圖4F是根據(jù)一個實(shí)施例的進(jìn)一步進(jìn)行處理之后的圖4E所示核心 支撐結(jié)構(gòu)404的截面圖。支撐緒構(gòu)405包括已經(jīng)電鍍到介電膜468上 方的頂部電極482。類似地，第一鍵合指墊460已經(jīng)鍍有第一鍵合指 上部484,并且第二鍵合指墊462已經(jīng)鍍有第二鍵合指上部486。在一 個實(shí)施例中，通過提供第三摘r才莫488來進(jìn)行電鍍。在一個實(shí)施例中， 從單電鍍膜對頂部電極482、第一4定合指上部484和第二^:合指上部 486形成圖案，形成圖案實(shí)質(zhì)上是第三掩模488的倒轉(zhuǎn)。
圖4G是根據(jù)一個實(shí)施例的進(jìn)一步進(jìn)行處理之后的圖4E所示核心 支撐結(jié)構(gòu)404的截面立視圖。核心支撐結(jié)構(gòu)405經(jīng)過處理，使管芯490 安置在管芯焊盤472上。在這個過程階段制備核心支撐結(jié)構(gòu)405,以 便^接收管芯490到核心支撐結(jié)構(gòu)405的絲焊耦合。
在一個實(shí)施例中，底部電才及432 ^^核心支撐結(jié)構(gòu)405中的地環(huán) (ground ring)432的組成部分，而第一鍵合墊460是電源環(huán)(power ring)460的一部分。在一個實(shí)施例中，底部電極432是核心支撐結(jié)構(gòu) 405中的電源環(huán)432的一部分，而第一鍵合墊460是地環(huán)460的一部 分。根據(jù)一個實(shí)施例，電源環(huán)和;也環(huán)共同提供電導(dǎo)管，用于到管芯490 的充足電源。
雖然頂部電極482和底部電極432示為電容器的一部分，但是， 根據(jù)各種實(shí)施例，可類似地制作例如嵌入電感器或嵌入電阻器等其它 結(jié)構(gòu)。
圖5是根據(jù)一個實(shí)施例的襯底500中的焊接掩模嵌入電容器的頂 視圖。剖面線4G-4G提供取自與圖4G的核心支撐結(jié)構(gòu)405相似的結(jié) 構(gòu)的截面立視圖。管芯590設(shè)置在襯底500的管芯焊盤位置。以虛線 將電源環(huán)532示為圍繞管芯590。還以虛線將地環(huán)560示為圍繞電源 環(huán)532和管芯590。通過焊接掩模565來暴露上部電極582，焊接掩模 565可以是第二形成圖案焊接掩一 ，例如圖4G所示的第二形成圖案 的焊接掩模膜465。第一鍵合指上部584也示為通過焊接掩模565被 暴露。上部電極582和第一鍵合指上部584看起來是整體結(jié)構(gòu)，例如 對于圖4G的上部電極482和第一鍵合指上部484所述。
通過第一鍵合導(dǎo)線594在第一管芯鍵合指592與第一鍵合指上部 584之間實(shí)現(xiàn)管芯590與村底500之間的電通信。還可以第二管芯鍵 合指596與第二鍵合指上部586之間通過第二鍵合導(dǎo)線598來實(shí)現(xiàn)管 芯598與襯底500之間的電通信。因此，根據(jù)一個實(shí)施例，制造嵌入 式無源器件、如平行;f反電容器，而無需增加核心支撐結(jié)構(gòu)500的豎向 形狀因素。
圖6是描述方法流程實(shí)施例的流程圖600。
在610，該過程包括形成與作為焊接掩 f莫和核心其中之一的結(jié)構(gòu) 層相鄰與接觸的介電膜。
在620,該過程包括在介電膜上形成頂部電極。在一個實(shí)施例中， 該過程在610開始，并在620結(jié)束。
在630，該過程包括將頂部電極耦合到管芯。在一個實(shí)施例中， 該過程在630結(jié)束。
圖7是示出根椐一個實(shí)施例的計算系統(tǒng)700的斷面立視圖。核心 嵌入式無源器件或焊接掩模嵌入式無源器件的上述實(shí)施例的 一個或多 個可用于計算系統(tǒng)，如圖7的計算系統(tǒng)700。下文中，任何核心嵌入 式無源器件或焊接掩才莫嵌入式無源器件實(shí)施例單獨(dú)或者與任何其它實(shí) 施例結(jié)合稱作實(shí)施例配置。
計算系統(tǒng)700包括例裝入IC芯片封裝710中的至少 一個處理器(未 示出)、數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)712、例如鍵盤714等至少一個輸入裝置以及諸 如監(jiān)測器716等至少一個輸出裝置。計算系統(tǒng)700包括處理數(shù)據(jù)信號 的處理器，并且可包括例如可向Intel公司購買的微處理器。除了鍵盤 714之外，計算系統(tǒng)700可包括另外的用戶輸入裝置，例如鼠標(biāo)718。 計算系統(tǒng)700可包括在如圖1和圖2-5所示處理給定核心嵌入式無源 器件或焊接掩模嵌入式無源器件實(shí)施例之后的結(jié)構(gòu)。
為了本公開的目的，包含才艮據(jù)要求權(quán)益的主題的組件的計算系統(tǒng) 700可包括使用微電子器件系統(tǒng)的任何系統(tǒng)，例如可包括與例如動態(tài)
隨機(jī)存取存儲器(DRAM)、聚合物存儲器、閃速存儲器和相變存儲器 等數(shù)據(jù)存儲耦合的核心嵌入式無源器件或焊接掩才莫嵌入式無源器件實(shí) 施例中的至少一個。在這個實(shí)施例中，實(shí)施例通過與處理器耦合來與 這些功能性的任何組合耦合。但是，在一個實(shí)施例中，本公開中提出 的實(shí)施例配置與任何這些功能性耦合。對于一個示例實(shí)施例，數(shù)據(jù)存 儲包括管芯上的嵌入式DRAM高速緩存。另外，在一個實(shí)施例中，與 處理器(未示出)耦合的實(shí)施例配置是具有與DRAM高速緩存的數(shù)據(jù)存 儲耦合的實(shí)施例配置的系統(tǒng)的一部分。另外，在一個實(shí)施例中，實(shí)施 例配置與數(shù)據(jù)存儲712耦合。
在一個實(shí)施例中，計算系統(tǒng)700還可包括包含數(shù)字信號處理器 (DSP)、微控制器、專用集成電路(ASIC)或者微處理器的管芯。在這個 實(shí)施例中，實(shí)施例配置通過與處理器耦合來與這些功能性的任何組合 耦合。對于一個示例實(shí)施例，DSP是可包括獨(dú)立處理器以及底板720 上作為芯片組的分離部分的DSP的芯片組的一部分。在這個實(shí)施例中， 實(shí)施例配置與DSP耦合，以及可存在與IC芯片封裝710中的處理器 耦合的分離實(shí)施例配置。另外，在一個實(shí)施例中，實(shí)施例配置耦合到 在與IC芯片封裝710相同的底+反720上安裝的DSP?，F(xiàn)在可以理解， 結(jié)合通過本公開的核心嵌入式無源器件或焊接4lr沖莫嵌入式無源器件的 各種實(shí)施例及其等效方案所提出的實(shí)施例配置，實(shí)施例配置可如針對 計算系統(tǒng)700所提出那樣進(jìn)行組合。
現(xiàn)在可以理解，本公開中^!是出的實(shí)施例可適用于與傳統(tǒng)計算機(jī)不 同的裝置和設(shè)備。例如，管芯可采用實(shí)施例配置來封裝，并設(shè)置在例 如無線通信器等便攜裝置或者例如個人數(shù)據(jù)助理等手持裝置中。另一 個示例是可采用實(shí)施例配置來封裝并設(shè)置在例如汽車、機(jī)車、船只、 飛機(jī)或太空船等交通工具中的管芯。
圖8是根據(jù)一個實(shí)施例的電子系統(tǒng)800的示意圖。所示的電子系 統(tǒng)800可包舍圖7所示的計算系統(tǒng)700,但更一般地示出了該電子系 統(tǒng)。電子系統(tǒng)800結(jié)合了至少一個電子部件810，例如圖2-5所示的IC
管芯。在一個實(shí)施例中，電子系統(tǒng)800是計算機(jī)系統(tǒng)，它包括電耦合 電子系統(tǒng)800的各個組件的系統(tǒng)總線820。根據(jù)各種實(shí)施例，系統(tǒng)總 線820是單總線或者總線的任何組合。電子系統(tǒng)800包括電壓源830, 它向集成電路810提供電力。在一些實(shí)施例中，電壓源830通過系統(tǒng) 總線820向集成電路810提供電流。
根據(jù)一個實(shí)施例，集成電路810電耦合到系統(tǒng)總線820,并且包 括任何電路或者電路的組合。在一個實(shí)施例中，集成電路810包括可 以是任何類型的處理器812。本文所使用的處理器812表示任何類型 的電路，例如但不限于微處理器、微控制器、圖形處理器、數(shù)字信號 處理器或者另一種處理器。可包含在集成電路810中的其它類型的電 路是定制電路或ASIC,例如用于諸如蜂窩電話、尋呼機(jī)、便攜計算機(jī)、 雙向無線電和類似電子系統(tǒng)等無線裝置的通信電路814。在一個實(shí)施 例中，處理器810包括管芯上存儲器816,如SRAM。在一個實(shí)施例 中，處理器810包括管芯上存儲器816，如eDRAM。
在一個實(shí)施例中，電子系統(tǒng)800還包括外部存儲器840,它又可 包括適合于特定應(yīng)用的一個或多個存儲器元件，例如采取RAM形式 的主存儲器842、 一個或多個石更驅(qū)動826和/或處理諸如磁盤、光盤 (CD)、數(shù)字視頻光盤(DVD)、閃速存儲器密鑰以及本領(lǐng)域已知的其它 可移動介質(zhì)之類的可移動介質(zhì)848的一個或多個驅(qū)動。
在一個實(shí)施例中，電子系統(tǒng)800還包括顯示裝置850、音頻輸出 860。在一個實(shí)施例中，電子系統(tǒng)800包括控制器870,例如鍵盤、鼠 標(biāo)、軌跡球、游戲控制器、話筒、語音識別裝置或者將信息輸入電子 系統(tǒng)800的任何其它裝置。
如本文所示，集成電路810可在許多不同的實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)，例如 電子封裝、電子系統(tǒng)、計算機(jī)系統(tǒng)、制作集成電路的一種或多種方法， 制作包括本文中各個實(shí)施例及其行業(yè)認(rèn)可等效中提出的RF無源器件 包含層以及集成電路的電子部件的一種或多種方法。元件、材料、幾 何形狀、尺寸和操作序列均可改變以適應(yīng)特定封裝要求。
"摘要"是根據(jù)要求允許讀者快速確定技術(shù)公開的性質(zhì)和要點(diǎn)的
摘要的37 C.F.R.§ 1.72(b)來提供的。應(yīng)當(dāng)理解，它的提供并不是用于 解釋或限制權(quán)利要求書的范圍或含義。
在以上詳細(xì)說明中，各種功能集中到單一實(shí)施例中，用于簡化本
要求超過各權(quán)利要求書中明確描述的功能的目的。相反，如以下權(quán)利 要求所反映的那樣，創(chuàng)造性主題在于少于單個公開實(shí)施例的全部特征。 因此，以下權(quán)利要求結(jié)合到詳細(xì)說明中，其中各權(quán)利要求本身代表獨(dú) 立優(yōu)選實(shí)施例。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員易于理解，已經(jīng)描述和說明以便解釋本發(fā)明的 性質(zhì)的部分和方法階段的細(xì)節(jié)、材料及設(shè)置方面的其它各種變更均可 進(jìn)行，而不會背離所附權(quán)利要求書中表達(dá)的本發(fā)明的原理和范圍。
權(quán)利要求
1.一種制品，包括底部電極；介電膜，包括第一表面和第二表面，其中，所述介電膜設(shè)置在所述底部電極上方和在所述底部上面；結(jié)構(gòu)層，設(shè)置成鄰近于所述介電膜并與其接觸，其中，在所述第一表面和所述第二表面中的至少一個上所述結(jié)構(gòu)層與所述介電膜基本上共面，以及其中，所述結(jié)構(gòu)層是焊接掩模和核心層中的至少一個；以及頂部電極，設(shè)置在所述介電膜上方和在所述介電膜上面。
2. 如權(quán)利要求l所述的制品，其中，所述底部電極與封裝中的電 源環(huán)和地環(huán)中的一個相耦合。
3. 如權(quán)利要求l所述的制品，其中，所述底部電極是封裝中的地 環(huán)的一部分，以及其中，所迷頂部電才及是所述封裝中的電源環(huán)的一部 分。
4. 如權(quán)利要求l所述的制品，其中，所述介電膜和所述結(jié)構(gòu)層具 有基本上相同的組成。
5. 如權(quán)利要求l所述的制品，其中，所述結(jié)構(gòu)層是核心層，所述 核心層還包括與所述介電膜相鄰并通過所述核心層與所述介電膜間隔 開的電鍍通孔。
6. 如權(quán)利要求l所述的制品，其中，所述結(jié)構(gòu)層是核心層，所述 核心層還包括與所述介電膜相鄰并通過所述核心層間隔開的電鍍通 孔，所述制品還包括設(shè)置在所迷頂部電極和所迷底部電極中的至少一 個上方的封裝層。
7. 如權(quán)利要求l所述的制品，其中，所述結(jié)構(gòu)層是核心層，所述 制品還包括與所述頂部電極接觸的第一焊料突起；以及 與所述第 一焊料突起接觸的管芯。
8. 如權(quán)利要求1所述的制品，其中，所述結(jié)構(gòu)層是核心層，所述 核心層還包括與所述介電膜相鄰且通過所述核心層與所迷介電膜間隔 開的電鍍通孔，所述制品還包括第一焊料突起，耦合到所迷頂部電極； 第一管芯，耦合到所述第一焊料突起； 第二焊料突起，耦合到所述電鍍通孔；以及所述第二焊料突起耦合到所述第 一管芯。
9. 一種工藝，包括在核心層中形成第一通孔，其中，所述核心層包括第一側(cè)和第二側(cè)；在所述第 一通孔中形成介電層；在所述介電層上和所述核心層第二側(cè)之下形成底部電極； 在所述介電層上和所述核心層上方形成頂部電極； 在所述核心層中形成第二通孔； 從所述第二通孔形成電鍍通孔；以及 將所述核心層與管芯耦合。
10. 如權(quán)利要求9所述的工藝，其中，耦合包括將所述管芯上的 電容器焊料突起耦合到所述頂部電極，并將所述管芯上的電源焊料突 起或信號焊料突起耦合到所述電鍍通孔。
11. 如權(quán)利要求9所述的工藝，其中，形成介電層包括通過設(shè)置 在所述核心層上方的才莫版來形成所述介電層。
12. 如權(quán)利要求9所述的工藝，其中，形成所述頂部電極和所述 底部電極其中之一 包括完成所述電鍍通孔。
13. 如權(quán)利要求9所述的工藝，在耦合之前，所述工藝還包括 用焊接掩才莫層來覆蓋所述第一側(cè)；對所述焊接掩模層形成圖案，以便暴露所述頂部電極的至少一部 分以及所述電鍍通孔的至少一部分。
14. 一種工藝，包括 在村底上形成焊接掩模；對所述焊接掩才莫第一形成圖案，以便暴露底部電極；在所述底部電極上形成介電膜，其中，所述介電膜和所述焊接掩 模共享共面表面；對所述焊接掩模第二形成圖案，以便暴露至少第 一鍵合指墊和管 芯焊盤；以及在所述介電膜上方電鍍頂部電極。
15. 如權(quán)利要求14所述的工藝，還包括在第二形成圖案期間暴露 的管芯焊盤處定位管芯。
16. 如權(quán)利要求14所述的工藝，還包括 在第二形成圖案期間暴露的管芯焊盤處定位管芯；以及通過將所述管芯耦合到所逸頂部電極，而對所述管芯進(jìn)行第一絲焊。
17. 如權(quán)利要求14所述的工藝，還包括在第二形成圖案期間暴露的管芯焊盤處定位管芯； 通過將所述管芯耦合到電源環(huán)和地環(huán)之一而對所述管芯進(jìn)行第一 絲焊；以及通過將所述管芯耦合到鍵合指上部而對所述管芯進(jìn)行第二次絲焊。
18. —種系統(tǒng)，包括 底部電極；介電膜，包括第一表面和第二表面，其中，所述介電膜設(shè)置在所 述底部電極上方和所述底部電纟及上面；結(jié)構(gòu)層，設(shè)置成鄰近所述介電膜并與其接觸，其中，所述結(jié)構(gòu)層 在所述第一表面和所述第二表面的至少一個上與所述介電膜基本上共 面，以及其中，所述結(jié)構(gòu)層是焊4妄掩模和核心層中的至少一個；頂部電極，設(shè)置在所述介電膜上方和所述介電膜上面；管芯，耦合到所述頂部電極；以及 動態(tài)隨機(jī)存取餘據(jù)存儲器，與所述管芯耦合。
19. 如權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其中，所述管芯設(shè)置在焊接掩模 層中。
20. 如權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其中，所述結(jié)構(gòu)層是核心層，并 且還包括設(shè)置成鄰近于所述介l膜并通過所述核心層與所述介電膜間 隔開的電鍍通孔。
21. 如權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其中，所述系統(tǒng)設(shè)置在如下之一 中計算機(jī)、無線通信器、手持裝置、汽車、機(jī)車、飛行器、船只和 太空船。
22. 如權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其中，所述管芯從數(shù)據(jù)存儲裝置、 數(shù)字信號處理器、微控制器、專用集成電路和微處理器中選取。
全文摘要
本發(fā)明提供的制品包括嵌入焊接掩模中的頂部電極。制品包括核心結(jié)構(gòu)上的頂部電極。形成頂部電極的工藝包括減小焊接掩模厚度，并在減小厚度的焊接掩模上形成頂部電極。形成頂部電極的工藝包括在處于核心結(jié)構(gòu)的形成圖案部分中的高K電介質(zhì)上形成頂部電極。
文檔編號H01L23/64GK101351873SQ200680050142
公開日2009年1月21日 申請日期2006年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月30日
發(fā)明者D·海, J·J·唐, J·何, X·Y·曾 申請人:英特爾公司