專(zhuān)利名稱(chēng)：：發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及發(fā)光裝置，更具體地講，涉及包括至少一個(gè)發(fā)光二極管和磷光體的發(fā)光裝置，該磷光體包含銅并轉(zhuǎn)換從發(fā)光二極管產(chǎn)生的光的波長(zhǎng)。
背景技術(shù)：
：已用于電子裝置的發(fā)光二極管(LED)近來(lái)用于汽車(chē)和照明產(chǎn)品。由于發(fā)光裝置具有優(yōu)異的電特性和機(jī)械特性，所以對(duì)發(fā)光裝置的需求有望增加。為此，對(duì)作為熒光燈和白熾燈的替代品的白色LED的關(guān)注在增長(zhǎng)。在LED技術(shù)中，提出了各種用于實(shí)現(xiàn)白光的方案。通常，實(shí)現(xiàn)白色LED的技術(shù)是將磷光體置于發(fā)光二極管周?chē)?lái)自發(fā)光二極管的一次發(fā)射的一部分與被碌光體轉(zhuǎn)換波長(zhǎng)而得到的二次發(fā)射混合。例如，WO98/05078和WO98/12757公開(kāi)了白色發(fā)光二極管，該白色發(fā)光二極管包括藍(lán)色發(fā)光二極管，能夠發(fā)射處于450nm-490nm的峰值波長(zhǎng)；YAG類(lèi)材料，吸收來(lái)自藍(lán)色發(fā)光二極管的光并發(fā)射微黃色的光(占大部分)，該微黃色的光可具有與所吸收的光的波長(zhǎng)不同的波長(zhǎng)。然而，在這種通常的白色LED中，色溫范圍窄(在大約6,000K-8,000K之間)，且CRI(顯色指數(shù))低(為大約60至75)，使得僅提供冷的青白光(coldbluishwhitelight)。因此，難以制造具有期望的色坐標(biāo)或色溫的白色LED,具體地講，限制了與可見(jiàn)日光接近的光的實(shí)現(xiàn)。此外，使用濕敏(humidity-sensitive)石岸光體的白色LED在水、蒸氣或極性溶劑中具有不穩(wěn)定的發(fā)光性質(zhì)，這種不穩(wěn)定性會(huì)導(dǎo)致白色LED的發(fā)光性質(zhì)發(fā)生變化。通常，用于普通照明的發(fā)光裝置包括多個(gè)成組的(packed)白色LED,以單獨(dú)的工藝制造；印刷電路板，白色LED安裝在印刷電路板上；保護(hù)電路和/或AC/DC逆變器(inverter),連接到白色LED,其中，LED通過(guò)形成在印刷電路板上的電路圖案彼此連接。然而，對(duì)于制造根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的具有上述結(jié)構(gòu)的用于普通照明的發(fā)光裝置來(lái)說(shuō)，存在這樣的問(wèn)題，即，應(yīng)對(duì)大量元件逐個(gè)地進(jìn)行金屬布線工藝，使得工藝步驟的數(shù)目增加，且工藝步驟變得復(fù)雜。隨著工藝步驟數(shù)目的增加，不良率(fractiondefective)也增加，從而妨礙了規(guī)才莫生產(chǎn)。此外，會(huì)存在這樣的情況，即，金屬布線由于某一震動(dòng)而變?yōu)殚_(kāi)路，使得發(fā)光元件的操作停止。此外，存在這樣的缺點(diǎn)，即，由發(fā)光元件的各封裝的串聯(lián)排布占據(jù)的空間擴(kuò)大，使得用于普通照明的發(fā)光裝置的尺寸很大程度地變大。發(fā)明公開(kāi)技術(shù)問(wèn)題本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種轉(zhuǎn)換波長(zhǎng)的發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置具有大約2,000K至8，000K或大約2，000K至IO，OOOK的高色溫范圍以及大于卯的CRI。本發(fā)明的另一目的在于提供一種轉(zhuǎn)換波長(zhǎng)的發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置可以易于提供期望的色坐標(biāo)或色溫。本發(fā)明的又一目的在于提供一種發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置具有提高的發(fā)光特性，還具有相對(duì)于水、濕氣以及其它極性溶劑的提高的穩(wěn)定性。本發(fā)明的又一目的在于提供一種發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置不但能夠應(yīng)用于諸如家用電器、立體聲、電信產(chǎn)品的電子裝置上，而且能夠用于各種類(lèi)型的顯示器、汽車(chē)、診療器械、測(cè)量器械和照明產(chǎn)品上。本發(fā)明的又一目的在于提供一種發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置通過(guò)將多個(gè)發(fā)光單元以晶片級(jí)串聯(lián)連接釆用家用AC電源發(fā)射白光。技術(shù)方案提供了一種發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置包括至少一個(gè)發(fā)光二極管，能夠產(chǎn)生處于預(yù)定波長(zhǎng)區(qū)的光；磷光體，包括化合物，所述化合物包含銅-堿土金屬類(lèi)無(wú)機(jī)混晶，并被稀土激活，所述磷光體位于發(fā)光二4l管周?chē)晕諄V人發(fā)光二極管發(fā)射的光的一部分，并發(fā)射波長(zhǎng)與所吸收的光的波長(zhǎng)不同的光。被稀土激活的化合物包含具有式1的富有銅-堿土的混合硅酸鹽(式l)a(M'0)b(M"0)c(M'"X)d(M'"20)e(M""203)f(M"'"oOp)g(Si02)h(M"""xOy)其中，M'是Cu;M"是由Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd和Mn組成的組中的至少一種或多種二價(jià)元素；M"'是由Li、Na、K、Rb、Cs、Au和Ag組成的組中的至少一種或多種一價(jià)元素；M""是由B、Al、Ga和In組成的組中的至少一種或多種元素；M""'是由Ge、V、Nb、Ta、W、Mo、Ti、Zr和Hf組成的組中的至少一種或多種元素；M"""是由Bi、Sn、Sb、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的組中的至少一種或多種元素；X是由F、Cl、Br和I組成的組中的至少一種或多種元素；0<a^2;0<b^8;0SeS2;1So^2;1Sp^5;l^x<2;1SyS5。被稀土激活的化合物包含具有式2的富有銅-堿土的混晶鍺酸鹽和/或鍺酸鹽-硅酸鹽(式2)a(M'0)b(M"20)c(M"X)d(Ge02)e(M"'0)f(M""203)g(Mm"。Op)h(M"""xOy)其中，M'是Cu;M"是由Li、Na、K、Rb、Cs、Au和Ag組成的組中的至少一種或多種一價(jià)元素；M'"是由Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd和Mn組成的組中的至少一種或多種二^介元素；M""是由Sc、Y、B、Al、Ga、In和La組成的組中的至少一種或多種三價(jià)元素；M"'"是由Si、Ti、Zr、Mn、V、Nd、Nb、Ta、W、Mo和Hf組成的組中的至少一種或多種元素；M"""是由Bi、Sn、Pr、Sm、Eu、Gd、Dy和Tb組成的組中的至少一種或多種元素；X是由F、Cl、Br和I組成的組中的至少一種或多種元素；0<a^2;0<d^lO;0^e^l4;1So^2;1Sp^5;1Sx^2;1SyS5。富有銅-堿土的混晶中的鍶的濃度優(yōu)選地小于0.4摩爾每摩爾磷光體。所述化合物轉(zhuǎn)換一種或多種處于300nm-400nm范圍內(nèi)的紫外輻射和/或處于380nm-500nm范圍內(nèi)的藍(lán)色輻射，以產(chǎn)生處于光譜的可見(jiàn)區(qū)的高顯色指數(shù)Ra大于90的光。所述化合物在LED中用作單一磷光體和/或多種單一磷光體的混合物，以用于實(shí)現(xiàn)顯色指數(shù)Ra大于90的白光。所述磷光體設(shè)置在側(cè)表面、頂表面或底表面中的一個(gè)表面上，或者與膏或密封材料混合。本發(fā)明的特征在于將發(fā)光二極管和磷光體組合在封裝中。為此，所述封裝具有安裝在形成有反射器的基底上的至少一個(gè)發(fā)光二極管,且磷光體布置在發(fā)光二極管周?chē)?。用密封材料?lái)密封基底上的發(fā)光二極管和磷光體。磷光體均勻地分布在密封材料內(nèi)。所述封裝包括用于散發(fā)由發(fā)光二極管產(chǎn)生的熱的散熱器，且磷光體布置在發(fā)光二極管周?chē)?，所述封裝可適用于高功率。發(fā)光二極管具有垂直結(jié)構(gòu)、水平結(jié)構(gòu)和倒裝芯片結(jié)構(gòu)，且發(fā)光二極管包括在單個(gè)基底上彼此串聯(lián)連接或并聯(lián)連接的多個(gè)發(fā)光單元。此時(shí)，發(fā)光單元為垂直型、水平型和倒裝型，且還包括整流橋單元，其中整流橋單元用于向彼此串聯(lián)連接的發(fā)光單元施加整流功率。具有串聯(lián)連接的多個(gè)發(fā)光單元的發(fā)光單元塊可在基底上反向并聯(lián)連接。有益的效果提供了根據(jù)本發(fā)明的包含銅的磷光體，該磷光體具有提高的發(fā)光特性還具有相對(duì)于水、濕氣和其它極性溶劑的提高的穩(wěn)定性。此外，發(fā)光裝置內(nèi)的磷光體與另一磷光體混合，以具有大約2,000K至8,000K或大約2,000K至10，000K的高相關(guān)色溫范圍以及達(dá)到大于卯的CRI。此外，在本發(fā)明中，可以提供期望的色溫或特定的色坐標(biāo)。通過(guò)利用如上所述的磷光體，該發(fā)光裝置不但能夠應(yīng)用于移動(dòng)電話、筆記本電腦和諸如立體聲和電信產(chǎn)品的電子裝置上，而且能夠應(yīng)用于常見(jiàn)的顯示器的鍵盤(pán)和背光應(yīng)用。此外，該發(fā)光裝置可應(yīng)用于汽車(chē)、診療器械、測(cè)量器械和照明產(chǎn)品。附圖簡(jiǎn)要說(shuō)明圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的芯片型封裝的發(fā)光裝置的一部分的說(shuō)明性實(shí)施例的側(cè)剖;f見(jiàn)圖；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的頂部型封裝的發(fā)光裝置的一部分的第二說(shuō)明性實(shí)施例的側(cè)剖4見(jiàn)圖；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的燈型封裝的發(fā)光裝置的一部分的第三說(shuō)明性實(shí)施例的側(cè)剖^L圖；圖4和圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的用于高功率的發(fā)光裝置的一部分的第四說(shuō)明性實(shí)施例的示意性剖視圖；圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明第一變形的水平發(fā)光二極管的剖視圖；圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明第二變形的垂直發(fā)光二極管的剖視圖；圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明第三變形的倒裝型發(fā)光二極管的剖視圖；圖9和圖IO是示出了根據(jù)本發(fā)明第四變形的AC可操作的水平發(fā)光二極管的剖視圖；圖11至圖13是示出了根據(jù)本發(fā)明第五變形的AC可操作的垂直發(fā)光二極管的剖視圖；圖14和圖15是示出了根據(jù)本發(fā)明第六變形的AC可操作的倒裝型發(fā)光二極管的剖視圖；圖16至圖19是示出了在AC可操作的發(fā)光二極管內(nèi)存在的發(fā)光單元的電連接關(guān)系的概念圖。實(shí)施本發(fā)明的最佳方式在下文中，將參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施例。然而，本發(fā)明并不局限于所述實(shí)施例，而是可以以不同的形式來(lái)實(shí)施。提供這些實(shí)施例個(gè)附圖中，相同的標(biāo)號(hào)表示相同的組件。圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的芯片型封裝的發(fā)光裝置的一部分的說(shuō)明性實(shí)施例的側(cè)剖^L圖。芯片型封裝的發(fā)光裝置可包括至少一個(gè)發(fā)光二極管和磷光物質(zhì)。電極圖案5可形成在基底1的兩側(cè)上。發(fā)射一次光的發(fā)光二極管6可安裝在電極圖案5中的一個(gè)電極圖案上。發(fā)光二極管6可通過(guò)導(dǎo)電膏9安裝在該電極圖案5上。發(fā)光二極管6的電極可經(jīng)由導(dǎo)電布線2連接到另一側(cè)的電極圖案5。發(fā)光二極管可發(fā)射波長(zhǎng)范圍寬的光，例如，從紫外光到可見(jiàn)光。在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，可使用UV發(fā)光二極管和/或藍(lán)色發(fā)光二極管。將詳細(xì)地描述發(fā)光二極管。磷光體3(即，磷光物質(zhì))可置于發(fā)光二極管6的頂表面和側(cè)表面上。磷光體3將來(lái)自于發(fā)光二極管6的一次光的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換為另一波長(zhǎng)或其它波長(zhǎng)。在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述光在轉(zhuǎn)換之后處于可見(jiàn)光范圍。在將磷光體3與硬化樹(shù)脂(例如環(huán)氧樹(shù)脂或硅樹(shù)脂)混合之后，可將磷光體3涂覆到發(fā)光二極管6。在將磷光體3與導(dǎo)電膏9混合之后，也可將包含磷光體3的硬化樹(shù)脂涂覆到發(fā)光二極管6的底部。可用硬化樹(shù)脂來(lái)密封安裝在基底1上的發(fā)光二極管6。磷光體3可以以預(yù)定的厚度置于發(fā)光二極管6的頂表面和側(cè)表面上。在制造過(guò)程中，磷光體3也可分布在硬化的才莫部分中。在第6,482,664號(hào)美國(guó)專(zhuān)利中描述了該制造方法，該專(zhuān)利通過(guò)引用被完全包含于此。同時(shí)，磷光體3可包含摻雜銅的化合物。下面將詳細(xì)地描述該化合物和包含該化合物的磷光體。磷光體3優(yōu)選地包含稀土成分，并選擇性地與單一化合物或多種單一化合物混合。該單一化合物可具有例如從大約440nm至大約500nm、從大約500nm至大約590nm或從大約580nm至700nm的發(fā)射峰。磷光體3可包括可具有如上所例舉的發(fā)射峰的一種或多種單一磷光體。對(duì)于芯片型發(fā)光裝置40來(lái)說(shuō)，通過(guò)電極圖案5將外部功率提供到發(fā)光二極管6。因此，當(dāng)發(fā)光二極管6從電源接收功率時(shí)，發(fā)光二極管可以發(fā)射一次光。然后，一次光可激發(fā)磷光體3，磷光體3可將一次光轉(zhuǎn)換為波長(zhǎng)更長(zhǎng)的光(二次光)。來(lái)自發(fā)光二極管6的一次光和來(lái)自磷光體3的二次光漫射并混合在一起，使得可從芯片型發(fā)光裝置發(fā)射處于可見(jiàn)光譜的預(yù)定顏色的光。在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，具有不同的發(fā)射峰的多于一個(gè)的發(fā)光二極管可安裝在一起。此外，如果對(duì)磷光體的混合比進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整，那么可提供特定的色坐標(biāo)。如上所述，如果對(duì)發(fā)光二極管6和包含在磷光體3中的化合物進(jìn)行適當(dāng)控制，那么可提供期望的色溫或特定的色坐標(biāo)，尤其可提供寬范圍的色溫(例如，從大約2,000K至大約8,000K或從大約2，000K至大約10，000K)和/或大于大約90的顯色指數(shù)。因此，根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置可用于諸如家用電器、立體聲、電信裝置的電子裝置，并可用于國(guó)內(nèi)/國(guó)外常見(jiàn)的顯示器。因?yàn)楦鶕?jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置提供了與可見(jiàn)光的色溫和CRI類(lèi)似的色溫和CRI,所以根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置也可用于汽車(chē)和照明產(chǎn)品。圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的頂部型封裝的發(fā)光裝置的一部分的第二說(shuō)明性實(shí)施例的側(cè)剖4見(jiàn)圖。根據(jù)本發(fā)明的頂部型封裝的發(fā)光裝置50可具有與圖1的芯片型封裝的發(fā)光裝置40(參見(jiàn)圖1中的標(biāo)號(hào)40)的結(jié)構(gòu)類(lèi)似的結(jié)構(gòu)。頂部型封裝的發(fā)光裝置可具有反射器31,其中，反射器31可將來(lái)自發(fā)光二極管6的光反射至期望的方向。該實(shí)施例利用了具有被稀土激活的包含銅-堿土金屬類(lèi)混晶化合物的化合物的磷光體3。下面將詳細(xì)說(shuō)明磷光體3。在頂部型封裝的發(fā)光裝置50中，可安裝多于一個(gè)的發(fā)光二極管。該發(fā)光二極管中的每個(gè)可具有彼此不同的峰值波長(zhǎng)。磷光體3可包含具有不同發(fā)射峰的多種單一化合物?？烧{(diào)整該多種化合物中的每種的比例。該磷光體可被應(yīng)用于發(fā)光二極管和/或均勻地分布在反射器31的硬化樹(shù)脂模部分10中。在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，圖1或圖2的發(fā)光裝置可包括金屬基底1,金屬基底1可具有良好的導(dǎo)熱性。該發(fā)光裝置可易于散發(fā)來(lái)自發(fā)光二極管的熱。因此，可制造用于高功率的發(fā)光裝置。如果在金屬基底下面設(shè)置輻射器(未示出)，那么可更有效地散發(fā)來(lái)自發(fā)光二極管的熱。圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的燈型封裝的發(fā)光裝置的一部分的第三說(shuō)明性實(shí)施例的側(cè)剖3見(jiàn)圖。燈型發(fā)光裝置60可具有一對(duì)引線51、52,二極管支架53可形成在一條引線的末端。二極管支架53可具有杯形狀，至少一個(gè)發(fā)光二極管6可安裝在二極管支架53內(nèi)。當(dāng)在二極管支架53中設(shè)置大量發(fā)光二極管時(shí)，每個(gè)發(fā)光二極管可具有彼此不同的峰值波長(zhǎng)。發(fā)光二極管6的電極可通過(guò)例如導(dǎo)電布線2連接到引線52?？稍诙O管支架53中設(shè)置體積規(guī)則的磷光體3，其中，磷光體3可以混合在環(huán)氧樹(shù)脂54中。如在下面更充分地進(jìn)行說(shuō)明的是，磷光體3可包含被稀土元素激活的銅-堿土金屬類(lèi)成分。將在下面詳細(xì)地說(shuō)明磷光體3。此外，二極管支架53可包括發(fā)光二極管6，可用硬化材料(諸如環(huán)氧樹(shù)脂或硅樹(shù)脂)來(lái)密封磷光體3。在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，燈型封裝的發(fā)光裝置60可具有多于一對(duì)的電極對(duì)引線。圖4和圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的用于高功率的發(fā)光裝置的一部分的第四說(shuō)明性實(shí)施例的示意性剖^L圖。散熱器71可設(shè)置在用于高功率的發(fā)光裝置70的殼體73內(nèi)，且散熱器71可局部地暴露到外部。一對(duì)引線框架74可從殼體73突出。至少一個(gè)發(fā)光二極管可安裝在散熱器71上，發(fā)光二極管6的電極和另一引線框架74可通過(guò)導(dǎo)電布線連接。磷光體3可置于發(fā)光二極管6的頂表面和側(cè)表面上。圖5示出了才艮據(jù)本發(fā)明的用于高功率的發(fā)光裝置80的一部分的另一說(shuō)明性實(shí)施例的側(cè)剖視圖。用于高功率的發(fā)光裝置80可具有殼體63，殼體63可包含發(fā)光二極管6、7、布置在發(fā)光二極管6、7的頂表面和側(cè)表面上的磷光體3、一個(gè)或多個(gè)散熱器61、62以及一個(gè)或多個(gè)引線框架64。引線框架64可從電源接收功率，并可乂人殼體63突出。在圖4和圖5中的用于高功率的發(fā)光裝置70、80中，可將磷光體3添加到可設(shè)置在散熱器61、62與發(fā)光二極管6、7之間的膏中。透鏡可以與殼體63、73結(jié)合。在根據(jù)本發(fā)明的用于高功率的發(fā)光裝置70、80中，可選擇性地使用一個(gè)或多個(gè)發(fā)光二極管6、7，并可基于發(fā)光二極管調(diào)節(jié)磷光體。如在下面更充分地進(jìn)行說(shuō)明的，磷光體可包含稀土和摻雜有銅的成分。根據(jù)本發(fā)明的用于高功率的發(fā)光裝置可具有輻射器(未示出)和/或散熱器61、62。當(dāng)通過(guò)接收高功率來(lái)操作發(fā)光二極管時(shí)，該發(fā)光裝置可易于散發(fā)來(lái)自于發(fā)光二極管6、7的熱?？稍趶?qiáng)制循環(huán)系統(tǒng)中使用空氣或風(fēng)扇來(lái)冷卻輻射器。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光裝置并不局限于上述結(jié)構(gòu)，可基于發(fā)光二極管、磷光體、光的波長(zhǎng)以及應(yīng)用的特性來(lái)改變所述結(jié)構(gòu)。此外，可向所述結(jié)構(gòu)中添加新的部件。將在下面詳細(xì)地說(shuō)明如上述構(gòu)造的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光元件。圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光二極管的一部分的第一變形示例的側(cè)剖視圖。參照?qǐng)D6，發(fā)光二極管包括基底110;順序地層疊在基底IIO上的緩沖層120、N型半導(dǎo)體層130、有源層140和P型半導(dǎo)體層150;N型4定合焊盤(pán)180,形成在N型半導(dǎo)體層130的暴露區(qū)域上，其中，通過(guò)去除P型半導(dǎo)體層150和有源層140的一部分來(lái)暴露所述N型半導(dǎo)體層130的暴露區(qū)域；歐姆接觸層160,形成在P型半導(dǎo)體層150上；P型鍵合焊盤(pán)170,形成在歐姆接觸層上。優(yōu)選地，基底110根據(jù)形成在基底頂部上的半導(dǎo)體層的特性由A1203、SiC、ZnO、Si、GaAs、GaP、LiAl203、BN、A1N和GaN中的任意一種制成。該實(shí)施例使用藍(lán)寶石基底IIO來(lái)用于晶體生長(zhǎng)。緩沖層120是用于減少在晶體生長(zhǎng)時(shí)基底110與后續(xù)的層之間的晶格失配的層，且緩沖層120包含半導(dǎo)體材料GaN。緩沖層120基于基底110的材料可具有絕緣層、半絕緣層和導(dǎo)電層。N型半導(dǎo)體層130是產(chǎn)生電子的層，且N型半導(dǎo)體層130由N型化合物半導(dǎo)體層和N型包層構(gòu)成。此時(shí)，摻雜有N型雜質(zhì)的GaN用于N型化合物半導(dǎo)體層。P型半導(dǎo)體層150是產(chǎn)生空穴的層，且P型半導(dǎo)體層150由P型包層和P型化合物半導(dǎo)體層構(gòu)成。此時(shí)，摻雜有P型雜質(zhì)的AlGaN用于P型化合物半導(dǎo)體層。有源層140是形成預(yù)定帶隙和量子阱使得電子與空穴復(fù)合的區(qū)域。有源層140包含InGaN。此外，由電子與空穴的復(fù)合所產(chǎn)生的發(fā)射光的波長(zhǎng)根據(jù)構(gòu)成有源層140的材料的類(lèi)型而變化。因此，優(yōu)選地，基于目標(biāo)波長(zhǎng)對(duì)有源層140中所包含的半導(dǎo)體材料進(jìn)行控制。N型鍵合焊盤(pán)180和P型鍵合焊盤(pán)170是用于將發(fā)光二極管6電連接到外部導(dǎo)線(參見(jiàn)圖1中的標(biāo)號(hào)2)的金屬焊盤(pán)，N型鍵合焊盤(pán)180和P型鍵合焊盤(pán)170可形成為具有層疊的Ti/Au的結(jié)構(gòu)。此外，如前所述的歐姆接觸層160起到將通過(guò)P型鍵合焊盤(pán)170輸入的電壓均勻地傳輸?shù)絇型半導(dǎo)體層150的作用。透明電極ITO用作歐姆接觸層160。下面將簡(jiǎn)要描述如前所述的水平發(fā)光二極管的制造方法。通過(guò)晶體生長(zhǎng)的方式，在藍(lán)寶石基底110上順序地形成緩沖層120、N型半導(dǎo)體層130、有源層140和P型半導(dǎo)體層150。還可在P型半導(dǎo)體層150上形成歐姆接觸層160。通過(guò)用于沉積如前所述的材料的各種沉積和外延方法來(lái)形成各層，其中，所述方法包括MOCVD(金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積)、MBE(分子束外延)、HVPE(氫化物氣相外延)等。接下來(lái)，實(shí)施利用掩模的照相蝕刻工藝，使得N型半導(dǎo)體層130的一部分形成開(kāi)口。換言之，利用該掩模作為蝕刻掩模，通過(guò)蝕刻工藝局部地去除P型半導(dǎo)體層150、有源層140和N型半導(dǎo)體層130,以暴露N型半導(dǎo)體層130的一部分。在去除掩模之后，N型鍵合焊盤(pán)180形成在N型半導(dǎo)體層130的暴露部分上，P型鍵合焊盤(pán)170形成在P型半導(dǎo)體層150的歐姆接觸層160上。因此，可制造在其水平表面上具有N型鍵合焊盤(pán)180和P型鍵合焊盤(pán)170的水平發(fā)光二極管。下面將描述垂直發(fā)光二極管。下面將省略與如前所述的水平發(fā)光二極管—的描述重復(fù)的描述。圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的垂直發(fā)光裝置的一部分的第二變形示例的側(cè)剖視圖。參照?qǐng)D7，在垂直發(fā)光二極管中，P型焊盤(pán)170、歐姆接觸層160、P型半導(dǎo)體層150、有源層140和N型半導(dǎo)體層130、N型焊盤(pán)180在結(jié)構(gòu)上順序地層疊。換句話說(shuō)，與前述的水平發(fā)光二極管相比，P型焊盤(pán)170和N型焊盤(pán)180分別形成在發(fā)光二極管的下部和上部上。通過(guò)垂直發(fā)光二極管的制造工藝，在基底110上形成緩沖層120、N型半導(dǎo)體層130、有源層140、P型半導(dǎo)體層150、歐姆接觸層160和P型焊盤(pán)170。然后，將主基底(hostsubstrate)(未示出)結(jié)合到P型焊盤(pán)170,然后，去除N型半導(dǎo)體層130下方的基底和緩沖層120,從而暴露N型半導(dǎo)體層130。在N型半導(dǎo)體層130的暴露的部分上形成N型焊盤(pán)180，可以制造垂直發(fā)光二極管。下面，將給出倒裝芯片型發(fā)光二極管的描述。在下面的描述中，省略了已經(jīng)在上面說(shuō)明過(guò)的部件。圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明第三變形的倒裝芯片型發(fā)光二極管的剖視圖。如圖8中所示，倒裝芯片型發(fā)光二極管包括子安裝(sub-mount)基底200，在子安裝基底200上具有第一外部焊盤(pán)210和第二外部焊盤(pán)220;水平發(fā)光二極管，其中，歐姆接觸層160和N型半導(dǎo)體層130經(jīng)過(guò)第一金屬凸點(diǎn)190和第二金屬凸點(diǎn)195分別連接到第一外部焊盤(pán)210和第二外部焊盤(pán)220。倒裝芯片型發(fā)光二極管的光發(fā)射的方向與垂直發(fā)光二極管的光發(fā)射的方向相反。子安裝基底200可以由高反射材料制成，從而可以將輻射到基底的光全部反射。下面描述的是具有多個(gè)水平、垂直或倒裝芯片型發(fā)光單元的發(fā)光元件，其中，多個(gè)水平、垂直或倒裝芯片型發(fā)光單元按晶片級(jí)彼此串聯(lián)或并聯(lián)連接，從而即使使用AC電源也可以操作發(fā)光元件。首先是水平發(fā)光元件，所述水平發(fā)光元件沒(méi)有被分開(kāi)成單個(gè)單元，而是按晶片級(jí)連接成單位單元，從而可以使用AC電源來(lái)操作所述水平發(fā)光元件。在下面的描述中，省略了上面說(shuō)明過(guò)的部件。圖9和圖IO是才艮據(jù)本發(fā)明的水平AC驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管的一部分的第四變形示例的側(cè)剖視圖。參照?qǐng)D9和圖10,本發(fā)明的水平AC驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管具有彼此串聯(lián)連接的多個(gè)水平發(fā)光單元100-1至100-n。即，發(fā)光二極管包括多個(gè)水平發(fā)光單元100,其中，相鄰的水平發(fā)光單元100-1至lOO-n的N型半導(dǎo)體層130和P型半導(dǎo)體層150電連接，N型焊盤(pán)180形成在位于發(fā)光元件的一端的發(fā)光單元100-n的N型半導(dǎo)體層130上，P型焊盤(pán)170形成在位于所述發(fā)光元件的另一端的發(fā)光單元100-1的P型半導(dǎo)體層150上。相鄰的水平發(fā)光單元100-1至100-n的N型半導(dǎo)體層130和P型半導(dǎo)體層150使用預(yù)定的金屬布線101彼此電連接。此外，在本發(fā)明中，有效的是，多個(gè)水平發(fā)光單元100-1至100-n可以串聯(lián)連接，以通過(guò)提供的AC電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)。在本變形示例中，根據(jù)用于驅(qū)動(dòng)單個(gè)發(fā)光單元100的電壓/電流和用于照明的施加到發(fā)光二極管的AC驅(qū)動(dòng)電壓，串聯(lián)或并聯(lián)連接的發(fā)光單元100的數(shù)量可以極大地變化。優(yōu)選地，10個(gè)至1000個(gè)單元串聯(lián)連接，更優(yōu)選地，有效的是，30個(gè)至70個(gè)單元串聯(lián)連接。例如，在使用220V的AC電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)時(shí)，通過(guò)串聯(lián)連接66個(gè)或67個(gè)單位發(fā)光單元100來(lái)制造發(fā)光二極管，其中，使用3.3V的電壓以特定的電流來(lái)操作單位發(fā)光單元100中的每個(gè)。此夕卜，在使用110V的AC電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)時(shí)，通過(guò)串聯(lián)連接33個(gè)或34個(gè)單位發(fā)光單元IOO來(lái)制造發(fā)光二極管，其中，使用3.3V的電壓以特定的電流來(lái)操作單位發(fā)光發(fā)光單元100中的每個(gè)。如圖9和圖10中所示，在具有串聯(lián)連接的第一發(fā)光單元100-1至第n發(fā)光單元100-n的發(fā)光二極管中，P型焊盤(pán)170形成在第一發(fā)光單元100-1的P型半導(dǎo)體層150上，第一發(fā)光單元100-1的N型半導(dǎo)體層130和第二發(fā)光單元100-2的P型半導(dǎo)體層150通過(guò)第一布線101-1連接。此外，第二發(fā)光單元100-2的N型半導(dǎo)體層130和第三發(fā)光單元(未示出)的P型半導(dǎo)體層通過(guò)第二布線101-2連接。第(n-2)發(fā)光單元(未示出)的N型半導(dǎo)體層(未示出)和第(n-l)發(fā)光單元100-n-l的P型半導(dǎo)體層150通過(guò)第(n-2)布線101-n-2連接，第(n-l)發(fā)光單元100-n-l的N型半導(dǎo)體層130和第n發(fā)光單元100-n的P型半導(dǎo)體層150通過(guò)第(n-l)布線101-n-l連接。此外，N型焊盤(pán)180形成在第n發(fā)光單元lOO-n的N型半導(dǎo)體層150上。此時(shí)，作為金屬電極的焊盤(pán)形成在各個(gè)半導(dǎo)體層上，使得這些焊盤(pán)通過(guò)布線連接。本變形示例中的基底110可以為可以在其上制造多個(gè)發(fā)光二極管的基底。因此，如圖9和圖IO所示的由"A，，指定的區(qū)域稱(chēng)為切分區(qū)(cuttingzone),用于分開(kāi)地切分多個(gè)二極管。此外，在前述的發(fā)光二極管中，用于對(duì)外部AC電壓進(jìn)行整流的第一至第四二極管(未示出)可以形成在同一基底上。第一至第四二極管以整流橋的形式布置。在第一至第四二極管中的整流節(jié)點(diǎn)可以連接到彼此串聯(lián)連接的各個(gè)發(fā)光單元100的N型焊盤(pán)或P型焊盤(pán)。第一至第四二極管可以被用于發(fā)光單元。下面，將筒要地描述制造具有前述的串聯(lián)連接的多個(gè)發(fā)光單元的發(fā)光二極管的方法。通過(guò)在基底110上的晶體生長(zhǎng)，順序形成緩沖層120、N型半導(dǎo)體層130、有源層140和P型半導(dǎo)體層150。還可以在P型半導(dǎo)體層150上形成歐姆才妄觸層160。通過(guò)預(yù)定的圖案化工藝，N型半導(dǎo)體層130的一部分被開(kāi)口并使每個(gè)發(fā)光單元100絕緣。在圖案化工藝中，在整個(gè)結(jié)構(gòu)上涂覆光致抗蝕劑，形成具有預(yù)定開(kāi)口區(qū)域的光致抗蝕劑掩模(未示出)。所述預(yù)定的區(qū)域指發(fā)光單元100之間的區(qū)域和與N型半導(dǎo)體層130的待開(kāi)口的部分對(duì)應(yīng)的區(qū)域。利用光致抗蝕劑掩模來(lái)執(zhí)行蝕刻工藝。蝕刻P型半導(dǎo)體層150、有源層140和N型半導(dǎo)體層130的一部分，使得N型半導(dǎo)體層130的一部分可被開(kāi)口。通過(guò)連續(xù)地執(zhí)行蝕刻工藝，使每個(gè)發(fā)光單元100絕緣。另外，通過(guò)執(zhí)行多次圖案化工藝，N型半導(dǎo)體層130的一部分可以被開(kāi)口，使每個(gè)發(fā)光單元100絕緣。即，如圖9中所示，通過(guò)部分地蝕刻P型半導(dǎo)體層150、有源層140、N型半導(dǎo)體層130來(lái)暴露N型半導(dǎo)體層130的一部分，通過(guò)附加工藝蝕刻P型半導(dǎo)體層150、有源層140、N型半導(dǎo)體層130和緩沖層120，使發(fā)光單元100中的每個(gè)電絕緣。此外，如圖10中所示，當(dāng)緩沖層120由絕緣層制成時(shí)，可以通過(guò)僅下至N型半導(dǎo)體層130執(zhí)行蝕刻使發(fā)光單元100中的每個(gè)電絕緣。在圖案化工藝中使用的蝕刻工藝可以為濕蝕刻工藝或干蝕刻工藝。在該實(shí)施例中，有效的是，利用等離子體來(lái)執(zhí)行干蝕刻工藝。通過(guò)使用與前述的制造工藝相同的工藝，可以一起形成用于整流橋的二極管。將明顯的是，可以通過(guò)典型的半導(dǎo)體制造工藝來(lái)形成用于整流橋的二極管。然后，通過(guò)諸如橋工藝或階梯覆蓋的預(yù)定的工藝來(lái)形成用于電連接相鄰的發(fā)光單元100-1至100-n的N型半導(dǎo)體層130和P型半導(dǎo)體層150的導(dǎo)電布線101-1至101-n。導(dǎo)電布線101-1至101-n由摻雜有金屬或雜質(zhì)的硅樹(shù)脂化合物和導(dǎo)電材料形成。前述的橋工藝也被稱(chēng)作空氣橋工藝?？諝鈽蚬に?，即，將光致抗蝕劑溶液涂覆在將彼此連接的發(fā)光單元之間，使用光學(xué)工藝，使作為置于半導(dǎo)體層上的金屬電極的焊盤(pán)的區(qū)域的一部分被開(kāi)口的光致抗蝕劑圖案顯影，首先通過(guò)諸如使用諸如金屬的材料的真空氣相沉積的方法在其上形成薄膜，通過(guò)諸如鍍或金屬氣相沉積的方法在其上以預(yù)定的厚度再次涂覆包括金(Au)的導(dǎo)電材料。然后，當(dāng)通過(guò)諸如溶劑的溶液來(lái)去除光致抗蝕劑圖案時(shí)，去除在導(dǎo)電材料下方的所有部件，僅在空間中形成橋形式的導(dǎo)電材料。此外，階梯覆蓋工藝為在發(fā)光單元之間的彼此電連接。階梯覆蓋工藝，即，將光致抗蝕劑溶液涂覆在將彼此連接的發(fā)光單元之間，使用光學(xué)工藝，使作為置于半導(dǎo)體層上的金屬電極的焊盤(pán)的區(qū)域的一部分被開(kāi)口的光致抗蝕劑圖案被顯影，通過(guò)諸如鍍或金屬氣相沉積的方法，在其上以預(yù)定的厚度再次涂覆包括金(Au)的導(dǎo)電材料。本發(fā)明的前述的制造發(fā)光二極管的方法僅為一個(gè)具體的實(shí)施例，并不局限于此?？梢愿鶕?jù)二極管的特性和工藝的方便來(lái)修改或添加各種工藝和制造方法。下面，說(shuō)明AC可操作的垂直發(fā)光裝置。在下面的說(shuō)明中，省略了上面-說(shuō)明過(guò)的部件。參照?qǐng)D11至圖13,以剖視圖示出了根據(jù)本發(fā)明第五變形的AC可操作的垂直發(fā)光二極管。如圖11至圖13中所示，AC可操作的垂直發(fā)光二極管包括安裝基底310,在安裝基底310上將多個(gè)導(dǎo)電接觸層320圖案化；多個(gè)發(fā)光單元300,其中，P型結(jié)合焊盤(pán)170形成在各個(gè)導(dǎo)電接觸層上；導(dǎo)電布線301，用于將導(dǎo)電接觸層與垂直發(fā)光單元連接。通過(guò)AC可操作的垂直發(fā)光二極管的制造工藝，參照?qǐng)D11,垂直發(fā)光單元300的P型焊盤(pán)170結(jié)合到安裝基底310的導(dǎo)電接觸層320。形成在安裝基底310上的導(dǎo)電接觸層320可以以用于串聯(lián)連接發(fā)光單元300的各種陣列來(lái)布置。將顯然的是，導(dǎo)電接觸層320形成得與期望的發(fā)光單元300的數(shù)量一樣多，導(dǎo)電接觸層320沿一個(gè)方向的寬度形成得寬于發(fā)光單元300中的每個(gè)的寬度。此外，每個(gè)導(dǎo)電4妄觸層320凈皮電學(xué)地和物性地分開(kāi)。此時(shí)，在該變形示例中，由于導(dǎo)電接觸層320形成在安裝基底310上，所以在安裝基底310上的導(dǎo)電接觸層320可以被用作P型焊盤(pán)170，而不用在發(fā)光單元300上形成P型焊盤(pán)170。此外，在該變形示例中，雖然P型焊盤(pán)170結(jié)合到安裝基底310,但是N型焊盤(pán)180可以結(jié)合到安裝基底310。此時(shí)，可以不形成N型焊盤(pán)180。這里，導(dǎo)電膏被用來(lái)將發(fā)光單元300的P型焊盤(pán)170結(jié)合到在安裝基底310上的導(dǎo)電接觸層320。將明顯的是，可以使用其它的各種結(jié)合方法來(lái)將它們結(jié)合。此時(shí)，如圖11中所示，發(fā)光單元300對(duì)準(zhǔn)導(dǎo)電接觸層320的一側(cè)，從而暴露導(dǎo)電接觸層320的另一側(cè)的一部分。然后，與發(fā)光單元300的P型結(jié)合焊盤(pán)結(jié)合的導(dǎo)電接觸層320利用導(dǎo)電布線301電連接到相鄰的發(fā)光單元300的N型焊盤(pán)180。因此，發(fā)光單元300的N型焊盤(pán)180通過(guò)導(dǎo)電接觸層320和導(dǎo)電布線301連接到一個(gè)發(fā)光單元300的P型焊盤(pán)170，使得多個(gè)發(fā)光單元300串聯(lián)連接。參照?qǐng)D12，示出了根據(jù)本發(fā)明的變形的制造AC可^:作的垂直發(fā)光二^L管的方法，但不限于此。多個(gè)垂直發(fā)光單元300結(jié)合到安裝基底310，其中，多個(gè)垂直發(fā)光單元300中的每個(gè)具有形成在N型半導(dǎo)體層130和P型半導(dǎo)體層150之間的有源層140和分別形成在N型半導(dǎo)體層130和P型半導(dǎo)體層150上的結(jié)合焊盤(pán)180和170。由A1203、SiC、ZnO、Si、GaAs、GaP、LiAl203、BN、A1N和GaN中的至少一種制成的基底、由樹(shù)脂、塑料等制成的絕緣基底或具有優(yōu)良導(dǎo)熱性的基底可以被用作安裝基底310。如果使用導(dǎo)電基底，則使用其上形成有絕緣層的基底。然后，發(fā)光單元300使用預(yù)定的膏(未示出)結(jié)合到安裝基底310。此時(shí)，發(fā)光單元300的P型焊盤(pán)170結(jié)合到安裝基底310。將明顯的是，二者都可以使用各種結(jié)合方法來(lái)結(jié)合。在該變形示例中，雖然P型焊盤(pán)170結(jié)合到安裝基底310,但是N型焊盤(pán)180可以結(jié)合到安裝基底310。然后，通過(guò)預(yù)定的蝕刻工藝部分地蝕刻N(yùn)型焊盤(pán)180、N型半導(dǎo)體層130、有源層140和P型半導(dǎo)體層150，從而可以暴露P型焊盤(pán)170的一部分。這實(shí)現(xiàn)了一種構(gòu)造，即，在發(fā)光單元300的下部暴露P型焊盤(pán)170的一部分，如圖12中所示。通過(guò)預(yù)定的布線形成工藝來(lái)連接相鄰的發(fā)光單元300的電極。即，通過(guò)導(dǎo)電布線301連接一個(gè)發(fā)光單元300的P型焊盤(pán)170的暴露部分和與其相鄰的另一發(fā)光單元300的N型焊盤(pán)180。此時(shí)，通過(guò)諸如橋工藝或階梯覆蓋的預(yù)定工藝來(lái)形成用于電連接相鄰的發(fā)光單元300的N型焊盤(pán)180和P型焊盤(pán)170的導(dǎo)電布線301。附加外部端電極(未示出)形成在位于本變形示例的發(fā)光二極管的一端處的發(fā)光單元300的P型焊盤(pán)170和位于該變形示例的發(fā)光二才及管的另一端處的發(fā)光單元300的N型焊盤(pán)180中的每個(gè)上，從而可以從外部輸入預(yù)定的功率。參照?qǐng)D13，示出了根據(jù)本發(fā)明的用于制造AC可操作的垂直發(fā)光二極管的方法。如在前面的變形示例中的描述，垂直發(fā)光單元300結(jié)合到安裝基底310,然后，通過(guò)預(yù)定的蝕刻工藝來(lái)暴露P型焊盤(pán)170的一部分。然后，用于防止與后續(xù)的布線發(fā)生短路的預(yù)定的絕緣膜302形成在安裝基底310上并在P型焊盤(pán)170的暴露部分和與其相鄰的發(fā)光單元300之間。然后，使用預(yù)定的金屬布線工藝通過(guò)導(dǎo)電布線301連接相鄰的發(fā)光單元300的電極。可以通過(guò)印刷工藝或通過(guò)預(yù)定的氣相沉積、圖案化和蝕刻工藝來(lái)形成這樣的絕緣膜302和導(dǎo)電布線301。發(fā)光二極管的制造不限于前述的工藝。在不執(zhí)行對(duì)于發(fā)光單元的蝕刻工藝的情況下，可以在基底上形成寬度寬于發(fā)光單元的寬度的電才及圖案，然后，發(fā)光單元可以結(jié)合到電極圖案。在該變形示例中，雖然P型焊盤(pán)結(jié)合到基底，但是N型焊盤(pán)可以結(jié)合到基底。前述的變形示例不限于它們本身，而是可以在它們之間進(jìn)行變換。換句話說(shuō)，還可以添加多個(gè)半導(dǎo)體層以形成半導(dǎo)體層。為了將相鄰的發(fā)光單元彼此連接，通過(guò)形成附加絕緣膜來(lái)使相鄰的發(fā)光單元電絕緣，然后，暴露每個(gè)電極，從而使用預(yù)定的布線來(lái)連接相鄰的發(fā)光單元。下面，說(shuō)明AC可操作的倒裝芯片型發(fā)光二極管，在下面的描述中，省略了上面已經(jīng)描述過(guò)的部件。圖14和圖15是示出了根據(jù)本發(fā)明的第六變形的AC可操作的倒裝芯片型發(fā)光二極管的剖視圖。如圖14和圖15中所示，AC可操作的倒裝芯片發(fā)光二極管具有在晶片110上排列的多個(gè)發(fā)光單元。第一金屬凸點(diǎn)190形成在水平發(fā)光單元中的每個(gè)的歐姆接觸層160上，同時(shí)第二金屬凸點(diǎn)195形成在N型半導(dǎo)體層上。晶片110安裝在下方的子安裝基底400的上方，其中，水平發(fā)光單元排列在晶片110上。子安裝基底400覆蓋有介電膜410，多條導(dǎo)電線430形成在介電膜410上，第一結(jié)合布線440和第二結(jié)合布線450設(shè)置在對(duì)應(yīng)的相對(duì)端。子安裝基底400可以由各種導(dǎo)電并導(dǎo)熱的材料制成，例如由諸如SiC、Si、Ge、SiGe、A1N等的金屬制成。對(duì)于介電膜410,可以由允許電流以l口或更小的級(jí)別流動(dòng)的介電材料制成。可選擇地，可以使用不允許電流流動(dòng)的絕緣材料。介電膜410可以以多層結(jié)構(gòu)形成。在該實(shí)施例中，介電膜410由從由Si02、MgO、SiN和它們的組合組成的組中選擇的一種制成。下面，是用于具有上述倒裝芯片結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的子安裝基底的制造方法。首先，將子安裝基底400圖案化，以在子安裝基底400上形成壓花形狀，如圖14中所示。在壓花表面上形成介電膜410。當(dāng)用于子安裝基底400的材料不導(dǎo)電時(shí)，可以不形成介電膜410。在該實(shí)施例中，子安裝基底由導(dǎo)電性?xún)?yōu)良的金屬材料制成，以改善其導(dǎo)熱性。因此，設(shè)置介電膜410以起到良絕緣體的作用。然后，將導(dǎo)電布線430圖案化以連接與介電膜410相鄰的發(fā)光單元的第一金屬凸點(diǎn)190和第二金屬凸點(diǎn)195。在該連接中，可以在預(yù)定的掩模圖案的幫助下使用絲網(wǎng)印刷方法或氣相沉積工藝來(lái)形成導(dǎo)電布線430。然后，發(fā)光單元結(jié)合到子安裝基底400上以構(gòu)成發(fā)光二極管?？蛇x擇地，如圖15中所示，可以在其表面沒(méi)有被壓花而是平坦的子安裝基底400上形成導(dǎo)電布線430，之后將發(fā)光單元結(jié)合到子安裝基底400上，以構(gòu)成發(fā)光二極管。如上所述，AC可操作的發(fā)光二極管可以串聯(lián)或并聯(lián)連接到其它的AC可操作的發(fā)光二極管，并且AC可操作的發(fā)光二極管中可以具有整流電路。下面，將參照附圖來(lái)說(shuō)明存在于AC可操作的發(fā)光二極管內(nèi)部的發(fā)光單元的電連4妄關(guān)系。圖16至圖19是示出了AC可操作的發(fā)光二極管內(nèi)部的發(fā)光單元的電連接的概念圖。在發(fā)光二極管6中，如圖16中所示，多個(gè)發(fā)光單元100、300串聯(lián)連才妻，在其相對(duì)的端處分別提供有第一外部連接焊盤(pán)510和第二外部連接焊盤(pán)520。如上所述，具有水平、垂直或倒裝芯片結(jié)構(gòu)的發(fā)光單元可以在晶片上串聯(lián)連接。當(dāng)將大約60Hz的AC電壓施加到發(fā)光二極管時(shí)，正電壓(+)允許串聯(lián)的發(fā)光單元100、300發(fā)光，而負(fù)電壓(-)不允許發(fā)光。然而，電壓以預(yù)定Hz的頻率從正至負(fù)或y^人負(fù)至正連續(xù)地改變，使得肉眼感覺(jué)到的是連續(xù)發(fā)光。參照?qǐng)D17，至少兩個(gè)發(fā)光單元塊1000a和1000b在第一外部連接焊盤(pán)510和第二外部連接焊盤(pán)520之間彼此反向并聯(lián)地連接，其中，至少兩個(gè)發(fā)光單元塊1000a和1000b中的每個(gè)具有多個(gè)串聯(lián)連接的發(fā)光單元100和300。發(fā)光單元塊的數(shù)量多于兩個(gè)。從而，優(yōu)選的是，第一單元塊1000a和第二單元塊1000b內(nèi)的發(fā)光單元100和300的各自的數(shù)量相同，以將發(fā)光二極管6的亮度變化最小化。下面將說(shuō)明如上構(gòu)造的根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光元件的操作。如果將正(+)電壓施加到第一外部連接焊盤(pán)510并將負(fù)(-)電壓施加到第二外部連接焊盤(pán)520,則第二發(fā)光單元塊1000b發(fā)光。同時(shí)，如果將負(fù)(-)電壓施加到第一外部連接焊盤(pán)510并將正(+)電壓施加到第二外部連接焊盤(pán)520,則第一發(fā)光單元塊1000a發(fā)光。換句話說(shuō)，由于即使將外部AC電源施加到發(fā)光二極管，第一發(fā)光單元塊1000a和第二發(fā)光單元塊1000b也交替地發(fā)光，所以即使使用AC電源也能夠使用發(fā)光二極管。另外，能夠制造包括用于特定整流操作的附加橋單元的發(fā)光二極管。參照?qǐng)D18和圖19,該實(shí)施例的發(fā)光二極管包括串聯(lián)連接的多個(gè)發(fā)光單元100和300、用于將預(yù)定電流施加到發(fā)光單元100和300的整流橋單元530以及連接到整流橋單元530的第一外部連接焊盤(pán)510和第二外部連接焊盤(pán)520。在該實(shí)施例中，多個(gè)發(fā)光單元100和300不是直"l妻電連接到外部電源，而是通過(guò)連接到第一外部連接焊盤(pán)510和第二外部連接焊盤(pán)520的整流橋單元530來(lái)電連接到外部電源。整流橋單元530包括通過(guò)橋連接的第一至笫四二極管D1、D2、D3和D4。因此，在整流橋單元530中，當(dāng)施加正電壓時(shí)，電流通過(guò)沿正向方向布置的橋二極管D1和D3被施加到串聯(lián)連接的發(fā)光單元100和300，而當(dāng)施加負(fù)電壓時(shí)，電流通過(guò)沿反向方向布置的橋二極管D2和D4被施加到串聯(lián)連接的發(fā)光單元100和300。因此，發(fā)光單元連續(xù)地發(fā)光，而不管電源是否為AC電源。整流橋單元530可以設(shè)置在串聯(lián)的多個(gè)發(fā)光單元100、300外部，如圖18中所示?？蛇x擇地，可以在整流橋單元530的內(nèi)部構(gòu)造串聯(lián)的多個(gè)發(fā)光單元100、300,如圖19中所示。此外，可以添加各種功能電路二極管。例如，用于防止波動(dòng)的RC濾波器可以被額外地使用在發(fā)光二極管中。下面將詳細(xì)說(shuō)明在發(fā)光二才及管的頂表面和側(cè)表面上的發(fā)光材沖十。為了實(shí)現(xiàn)這些和其它目的，如在這里具體實(shí)施并廣泛描述的用于紫外光或可見(jiàn)光激發(fā)的發(fā)光材料包括硅酸鹽或鍺酸鹽的基本系列中的銅-堿土混晶。通常，銅激活或共激活硫化物-磷光體是公知的，它們被商業(yè)化地用于陰極射線管。在CRT應(yīng)用中，發(fā)射綠色的ZnS:Cu，Al(其中，銅^^用作活化劑，Al被用作共活化劑)是非常重要的。在鋅-硫化物磷光體中，根據(jù)活化劑和共活化劑的濃度的相對(duì)比率，發(fā)光材料可以被分為五個(gè)種類(lèi)(vanGool,W.，PhilipsRes.Rept.Suppl.，3,1,1961)。這里，發(fā)光中心由深施主或深受主形成，或通過(guò)它們的在最鄰近位部位的關(guān)聯(lián)(association)形成(PhosphorHandbook,editedundertheAuspiceofPhosphorResearchSociety,CRCPressNewYork,1998，S.238)。在"KeithH.Butler,ThePennsylvaniaStateUniversityPress,1980，S.281"中描述了由銅激活的正磷酸鹽(Wanmaker，W丄.，andSpier，H丄.，JECS109(1962)，109)和均由銅激活的焦磷酸鹽、硅酸鋁、硅酸鹽和三聚石舞酸鹽。然而，這樣的磷光體僅可以被用于短波U.V.激發(fā)。由于它們的不穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)和它們的溫度行為，因此它們不能被用在熒光燈中。還未描述過(guò)作為主晶格成分的銅離子在被諸如Eu2+、Ce^及其它離子的稀土離子激活的氧富有(oxygendominated)化合物中的影響。應(yīng)該期望的是，作為主晶格成分的銅的摻入影響關(guān)于改善的發(fā)光強(qiáng)度以及期望的發(fā)射峰的移位、色點(diǎn)及發(fā)射光譜的形狀和晶格穩(wěn)定性的優(yōu)選的發(fā)光-光學(xué)性質(zhì)。對(duì)于長(zhǎng)于360nm的激發(fā)波長(zhǎng)，作為在主晶格中的成分的銅離子的影響應(yīng)該示出改善的發(fā)光性質(zhì)。在該波長(zhǎng)的區(qū)域中，由于兩種離子的電子排布的能級(jí)導(dǎo)致它們沒(méi)有示出自身輻射傳輸，從而不能失去任^T種類(lèi)的纟敫發(fā)輻射。摻雜銅的發(fā)光材料與在主晶格中不具有這些成分的發(fā)光材料相比示出了改善的發(fā)射強(qiáng)度。此外，作為摻雜銅的發(fā)光材料的期望的效果，示出了將發(fā)射波長(zhǎng)移位至更高或更低的能量。對(duì)于包含銅的化合物，最廣義地說(shuō)，這些離子不起到活化物的作用。然而，這些離子的使用導(dǎo)致對(duì)晶場(chǎng)分裂以及共價(jià)的影響。由于在還原氣氛中這些離子氧化的可能性，所以包含銅的物質(zhì)的制備是復(fù)雜的。對(duì)于需要還原氣氛的摻雜銅的化合物的制備，需要專(zhuān)門(mén)的制備工藝。根據(jù)被取代的離子，銅在晶場(chǎng)中的影響表現(xiàn)為通常移位發(fā)射特性。在Cu取代Eu激活的鋁酸鹽和/或硅酸鹽中的Sr或Ba的情況下，由于Cu的離子半徑小于Ba和Sr的離子半徑，所以發(fā)射峰應(yīng)該被移位至更長(zhǎng)的波長(zhǎng)。那樣導(dǎo)致在活化物離子的周?chē)母鼜?qiáng)的晶場(chǎng)。由于銅的離子勢(shì)(即離子電荷與離子半徑的商)高于更大的堿土離子的離子勢(shì)，所以銅離子能比堿土離子更強(qiáng)地吸引鄰近的氧離子。因此由銅取代更大的堿土離子Ca、Sr和Ba也導(dǎo)致在活化物離子的周?chē)母鼜?qiáng)的晶場(chǎng)。因此，可以影響發(fā)射帶的形狀，發(fā)射峰向更長(zhǎng)的波長(zhǎng)的移位被連接在帶發(fā)射的發(fā)射曲線的加寬中。另外，通過(guò)銅離子的取代，應(yīng)該能夠增加發(fā)射的強(qiáng)度。通常，在LED照明的領(lǐng)域中，期望的是發(fā)射峰移位至更長(zhǎng)以及更短的波長(zhǎng)。這里，需要實(shí)現(xiàn)精調(diào)諧以得到期望的色點(diǎn)的特定波長(zhǎng)以及光學(xué)裝置的更好的亮度。通過(guò)使用陽(yáng)離子銅，這樣的精調(diào)諧應(yīng)該是可能的。已知的是，一些發(fā)光材料和磷光體在水、空氣濕氣、水蒸汽或極性溶劑中不穩(wěn)定。例如，尖晶石結(jié)構(gòu)的鋁酸鹽或正交以及鎂黃長(zhǎng)石結(jié)構(gòu)的硅酸鹽或多或少地示出了由高堿度導(dǎo)致的對(duì)于水、空氣濕氣、水蒸汽或極性溶劑的高敏感度。然而，如果具有高堿度的陽(yáng)離子被取代，則由于更高的共價(jià)性和更低的堿度，在主晶格中的銅的摻入應(yīng)當(dāng)改善發(fā)光材料的這種對(duì)于水、空氣濕氣和極性溶劑的行為。發(fā)光材料由用式1表示的硅酸鹽、由式2表示的鍺酸鹽和/或鍺酸鹽-硅酸鹽中的一種或多于一種的化合物組成(式l)a(M'O)b(M"O)c(M"'X)d(M"'2O)e(M""2O3)f(M"'"0Op)g(SiO2)h(M"""xOy)(式2)a(M'0)b(M"20)c(M"X)d(Ge02)e(M"'0)f(M""203)g(M""'oOp)h(M"""xOy)同時(shí)，含銅的混晶被用作轉(zhuǎn)換器，該轉(zhuǎn)換器用于來(lái)自發(fā)光裝置內(nèi)的從一個(gè)或多個(gè)單個(gè)一次元件的范圍為300nm-400nm的一次長(zhǎng)波紫外輻射和/或范圍為380nm-500nm的藍(lán)色輻射，以產(chǎn)生在光i普的可見(jiàn)區(qū)域中上至高顯色指數(shù)Ra〉卯的光。并且，含銅混晶的特征在于，磷光體作為單一磷光體用在LED中，和/或與不同的已知磷光體的磷光體混合物用在LED中，用于實(shí)現(xiàn)顯色高于90的白光。示例1:富有銅-堿土的混晶硅酸鹽根據(jù)式1如下(式1)a(]VrO)b(]yrO)c(MmX)d(Mm20)《]Vrm2O3)f(M"m0Op)g(SiO2)h(MmmxOy)其中，M'為Cu;M"為由Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd和Mn組成的組中的至少一種或多種二價(jià)元素；M"'為由Li、Na、K、Rb、Cs、Au和Ag組成的組中的至少一種或多種一價(jià)元素；M""為由B、Al、Ga和In組成的組中的至少一種或多種元素；M""'為由Ge、V、Nb、Ta、W、Mo、Ti、Zr和Hf組成的組中的至少一種或多種元素；M"""為由Bi、Sn、Sb、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的組中的至少一種或多種元素；X為由F、Cl、Br和I組成的組中的至少一種或多種元素；0<a^2;0<b^8;0<h^5;1So^2;1SpS5;1Sx^2;1SyS5。這樣的富有銅-堿土的混晶硅酸鹽示出了高發(fā)光強(qiáng)度，如表3中所示。制備的示例具有如式Cuo.o5SrL7Cao,25Si04:Eu的磷光體的制備原材料CuO、BaC03、ZnO、MgO、Si02、Eu203和/或它們的任意組合。已經(jīng)將非常純凈的氧化物以及碳酸鹽形式的原材料以化學(xué)計(jì)量比與少量的熔劑(NH4C1)混合在一起。在第一步驟中，將混合物在氧化鋁坩堝中、在1200°C下并在不活潑氣體氣氛(N2、H2、Ar或惰性氣體)中煅燒2小時(shí)-4小時(shí)。在預(yù)煅燒之后，再次研磨材料。在第二步驟中，將混合物在氧化物坩堝中、在1200。C下、并在弱還原性氣氛下煅燒額外的2小時(shí)。在那之后，研磨、清洗、干燥并篩分材料。發(fā)光材料具有在592nm處的發(fā)射峰。表1:在450nm激發(fā)波長(zhǎng)下Eu、敫活Cu-Sr-Ca混合硅酸鹽與對(duì)比Eu2+激活Sr-Ca硅酸鹽的比較表1<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>具有如式CuG.2Ba2Zn().2Mgo.6Si207:Eu的發(fā)光材料的制備具有如式Cuo.2Ba2Zno.2Mg。.6Si207:Eu的磷光體的制備原材料CuO、BaC03、ZnO、MgO、Si02、￡11203和/或它們的任意組合。已經(jīng)將非常純凈的氧化物以及碳酸鹽形式的原材料以化學(xué)計(jì)量比與少量的熔劑(NH4C1)混合在一起。在第一步驟中，將混合物在氧化鋁坩堝中、在1100°C下并在不活潑氣體氣氛中煅燒1小時(shí)-2小時(shí)。在預(yù)煅燒之后，再次研磨材料。在第二步驟中，在氧化鋁中煅燒混合物，干燥并篩分。發(fā)光材料具有在467nm處的發(fā)射峰。表2:在400nm激發(fā)波長(zhǎng)下Eu"激活含銅的混合硅酸鹽與不含銅的Eu2+激活硅酸鹽的比較表2<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>表3中示出關(guān)于由稀土激活的含銅的硅酸鹽混晶所獲得的結(jié)果。表3:在400nm激發(fā)波長(zhǎng)下可由長(zhǎng)波紫外和/或由可見(jiàn)光激發(fā)的一些銅-堿土硅酸鹽混晶的光學(xué)性質(zhì)和它們的發(fā)光密度(％)表3<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>示例2具有堿土鍺酸鹽和/或鍺酸鹽-硅酸鹽的含銅混晶具有下面的式子a(M'0)b(M"20)c(M"X)d(Ge02)e(MmO)f(M""203)g(M'""0Op)h(M"""xOy)其中，M'為銅；M"為由Li、Na、K、Rb、Cs、Au和Ag組成的組中的至少一種或多種一價(jià)元素；M"'為由Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd和Mn組成的組中的至少一種或多種二j介元素；M""為由Sc、Y、B、Al、Ga、In和La組成的組中的至少一種或多種三價(jià)元素；M'""為由Si、Ti、Zr、Mn、V、Nd、Nb、Ta和W、Mo和Hf組成的組中的至少一種或多種元素；M"""為由Bi、Sn、Pr、Sm、Eu、Gd、Dy和Tb組成的組中的至少一種或多種元素；X為由F、Cl、Br和I組成的組中的至少一種或多種元素；0<a^2;0Sc^10;0<dS10;014;05f514;1So^2;1SpS5;1Sx^2;這樣的具有堿土鍺酸鹽和/或鍺酸鹽-硅酸鹽的含銅混晶示出了比不含銅的化合物更好的發(fā)光強(qiáng)度(表4》具有下面的式子Cu,SrQ.54GeQ.6Si。.403:Mn的磷光體的制備原材料CuO、SrC03、Ge02、Si02、MnC03和/或它們的任意組合。已經(jīng)將氧化物以及碳酸鹽的形式的原材料以化學(xué)計(jì)量比與少量熔劑(NH4C1)—起混合。在第一步驟中，將混合物在氧化鋁坩堝、在1100°C下并在含氧氣氛中煅燒2小時(shí)。在預(yù)煅燒之后，再次研磨材料。在第二步驟中，將混合物在氧化鋁坩堝中、在U80。C下并在含氧氣氛中再次煅燒4小時(shí)。在那之后，研磨、清洗、干燥并篩分材料。磷光體具有在658nm處的發(fā)射峰。表4:在400mn激發(fā)波長(zhǎng)下Mn激活Cu-Sr混合鍺酸鹽-硅酸鹽與不含銅的Mn激活鍺酸鹽-硅酸鹽的比較表4<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>波長(zhǎng)(nm)I658___表5中示出關(guān)于由鍺酸鹽或鍺酸鹽-硅酸鹽組成的組中的含銅堿土混晶所獲得的結(jié)果。表5:在400nrn激發(fā)波長(zhǎng)下可以由長(zhǎng)波紫外和/或由可見(jiàn)光激發(fā)的一些含銅鍺酸鹽/鍺酸鹽-硅酸鹽混晶的光學(xué)性質(zhì)和它們的發(fā)光密度(％)表5<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>關(guān)于考慮到通過(guò)引入Cu在化合物的一些性質(zhì)上的變化，可以實(shí)現(xiàn)下面的物理化學(xué)變化表6:晶格參數(shù)的變化-x光衍射的結(jié)果表6<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>如表6中所示，由含銅磷光體的晶格參數(shù)的細(xì)微變化導(dǎo)致的是，可以觀察到發(fā)射譜的細(xì)微變化。通常，發(fā)生向更短的波長(zhǎng)移位0.5nm-1.0mn。表7:含有不同濃度的銅的磷光體的Zeta電勢(shì)和遷移率的變化與不含銅的磷光體的比較表7<table>tableseeoriginaldocumentpage159</column></row><table>這些變化的結(jié)果為相對(duì)于水的敏感度的變化。含銅化合物的水穩(wěn)定性遠(yuǎn)高于不含銅的化合物的水穩(wěn)定性(表8)表8:在85°C下并在100%濕度下含銅化合物和不含銅的化合物的與時(shí)<table>tableseeoriginaldocumentpage159</column></row><table>如表7和表8中所示，這是由在溶解過(guò)程中堿土離子的遷移率降低導(dǎo)致的。那樣意味著溶解的陽(yáng)離子的數(shù)量和比率變得更小，導(dǎo)致更低的水解和更高的水穩(wěn)定性。3權(quán)利要求1、一種發(fā)光裝置，包括至少一個(gè)發(fā)光二極管，能夠產(chǎn)生處于預(yù)定波長(zhǎng)區(qū)的光；磷光體，包括化合物，所述化合物包含銅和作為主晶格成分的堿土金屬，所述化合物被稀土激活，所述磷光體位于發(fā)光二極管周?chē)晕諒陌l(fā)光二極管發(fā)射的光的一部分，并發(fā)射波長(zhǎng)與所吸收的光的波長(zhǎng)不同的光。2、如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述化合物包含具有式1的富有銅-堿土的混晶硅酸鹽，式la(M'O)b(M"O)c(M"'X)d(M'"2O)e(M""2O3)f(M""'0Op)g(SiO2)h(M"""xOy)其中，M'是Cu;M"是由Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd和Mn組成的組中的至少一種或多種二價(jià)元素；，M"'是由Li、Na、K、Rb、Cs、Au和Ag組成的組中的至少一種或多種一價(jià)元素；M""是由B、Al、Ga和In組成的組中的至少一種或多種元素；M'""是由Ge、V、Nb、Ta、W、Mo、Ti、Zr和Hf組成的組中的至少一種或多種元素；M"""是由Bi、Sn、Sb、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu組成的組中的至少一種或多種元素；X是由F、Cl、Br和I組成的組中的至少一種或多種元素；0<b^8;0SgS10;0<h^5;3、如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述化合物包含具有式2的富有銅-堿土的混晶鍺酸鹽和/或鍺酸鹽-硅酸鹽，式2a(M'0)b(M"20)c(M"X)d(Ge02)e(M'"0)f(M""203)g(M'""oOp)h(M畫(huà)xOy)其中，M'是Cu;M"是由Li、Na、K、Rb、Cs、Au和Ag組成的組中的至少一種或多種一價(jià)元素；M'"是由Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd和Mn組成的組中的至少一種或多種二價(jià)元素；M""是由Sc、Y、B、Al、Ga、In和La組成的組中的至少一種或多種三價(jià)元素；M'""是由Si、Ti、Zr、Mn、V、Nd、Nb、Ta、W、Mo和Hf組成的組中的至少一種或多種元素；M畫(huà)是由Bi、Sn、Pr、Sm、Eu、Gd、Dy和Tb組成的組中的至少一種或多種元素；X是由F、Cl、Br和I組成的組中的至少一種或多種元素；4、如權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其中，鍶的濃度優(yōu)選地小于0.4摩爾每摩爾磷光體。5、如權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的發(fā)光裝置，其中，所述化合物轉(zhuǎn)換一種或多種處于300nm-400nm范圍內(nèi)的紫外輻射和/或處于380nm-500nm范圍內(nèi)的藍(lán)色輻射，以產(chǎn)生處于光譜的可見(jiàn)區(qū)的高顯色指數(shù)Ra大于90的光。6、如權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的發(fā)光裝置，其中，所述化合物在LED中用作單一磷光體和/或多種單一磷光體的混合物，以用于實(shí)現(xiàn)顯色指數(shù)Ra大于卯的白光。7、如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，所述磷光體置于發(fā)光二極管的頂表面、側(cè)表面、底表面中的至少一個(gè)表面上，或者與膏或密封材津牛混合。8、如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，發(fā)光二極管和磷光體4皮包含在封裝中。9、如權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其中，所述封裝具有安裝在形成有反射器的基底上的至少一個(gè)發(fā)光二極管，且磷光體布置在發(fā)光二極管周?chē)?0、如權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置，其中，用模部分來(lái)密封發(fā)光二極管和磷光體。11、如權(quán)利要求IO所述的發(fā)光裝置，其中，磷光體分布在模部分中。12、如權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其中，所述封裝包括用于散發(fā)由發(fā)光二極管產(chǎn)生的熱的散熱器，且磷光體布置在發(fā)光二極管周?chē)龇庋b適用于高功率。13、如權(quán)利要求l、7、8、9、10、11、12中的任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述的發(fā)光裝置，其中，發(fā)光二極管具有從由垂直結(jié)構(gòu)、水平結(jié)構(gòu)、倒裝芯片結(jié)構(gòu)及它們的組合組成的組中選擇的一種結(jié)構(gòu)。14、如權(quán)利要求13所述的發(fā)光裝置，其中，發(fā)光二極管包括在單個(gè)基底上彼此串聯(lián)或并聯(lián)連接的多個(gè)發(fā)光單元。15、如權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置，其中，所述發(fā)光單元具有從由垂直結(jié)構(gòu)、水平結(jié)構(gòu)、倒裝芯片結(jié)構(gòu)及它們的組合組成的組中選擇的一種結(jié)構(gòu)。16、如權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置，其中，包括整流橋，整流橋用于向串聯(lián)連接的發(fā)光單元施加整流功率。17、如權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置，其中，具有串聯(lián)連接的發(fā)光單元的多個(gè)塊在基底上反向并聯(lián)連接。全文摘要本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置包括至少一個(gè)發(fā)光二極管，發(fā)射處于預(yù)定波長(zhǎng)區(qū)的光；銅-堿土金屬類(lèi)無(wú)機(jī)混晶，由稀土激活，銅-堿土金屬類(lèi)無(wú)機(jī)混晶包括銅-堿土硅酸鹽磷光體，銅-堿土硅酸鹽磷光體設(shè)置在發(fā)光二極管周?chē)?，吸收從發(fā)光二極管發(fā)射的光的一部分，且發(fā)射波長(zhǎng)與所吸收的光的波長(zhǎng)不同的光。文檔編號(hào)H01L33/32GK101331621SQ200680047280公開(kāi)日2008年12月24日申請(qǐng)日期2006年12月15日優(yōu)先權(quán)日2005年12月15日發(fā)明者岡朵拉·羅夫,李貞勛,瓦特·涂斯申請(qǐng)人:首爾半導(dǎo)體株式會(huì)社