專利名稱：：氮化物半導體發(fā)光器件及其制造方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及一種氮化物半導體發(fā)光器件及其制造方法，具體地，涉及一種包括鍍敷層的氮化物半導體發(fā)光器件及其制造方法，其中該鍍敷層在剝離襯底之后充分支撐疊層。相關申請的交叉引用根據35U.S.C.§119(e)，本申請要求于2005年9月21日提交的美國臨時申請No.60/718,738的權益，并要求2005年9月13日提交的日本專利申請No.2005-265300、2005年10月27日提交的日本專利申請No.2005-312819以及2005年9月21日提交的美國臨時申請No.60/718,738的優(yōu)先權，在此引入其內容作為參考。
背景技術：
：近年來，作為用于短波長發(fā)光器件的半導體材料，GaN化合物半導體材料已受到很多關注。通過金屬有機化學氣相沉積方法(MOCVD方法)或分子束外延方法(MBE方法)，GaN化合物半導體形成在氧化物襯底例如藍寶石單晶襯底或者III-V族化合物襯底上。藍寶石單晶襯底具有與GaN的晶格常數相差大于等于10%的晶格常數。然而，由于可以通過在藍寶石單晶襯底上形成包含A1N或AlGaN的緩沖層而形成具有優(yōu)良特性的氮化物半導體，因此廣泛使用藍寶石單晶襯底。例如，如圖5所示，當使用藍寶石單晶襯底l時，n型GaN半導體層3、GaN發(fā)光層4以及p型GaN半導體層5依此順序形成在藍寶石單晶襯底1上。由于藍寶石單晶村底l是絕緣體，通常，在包括藍寶石單晶襯底1的器件20中，形成在n型GaN半導體層3上的負電極12和形成在p型GaN半導體層5上的正電極13位于器件20的一側上，如圖4和5所示。用于從包括在一側上的正和負電極的器件20提取光的方法的實例包括面朝上方法和倒裝芯片方法，其中在面朝上方法中，使用透明電極例如ITO作為正電極，從p半導體側提取光，而在倒裝芯片方法中，使用高反射性膜例如Ag作為正電極，從藍寶石襯底側提取光。如上所述，藍寶石單晶襯底被廣泛使用。然而，由于藍寶石是絕緣體，藍寶石單晶襯底具有一些問題。首先，為了形成負電極12，通過蝕刻發(fā)光層4而暴露出n型半導體3，如圖5所示，因此，發(fā)光層4的面積減少了負電極12的面積，并且輸出功率降低。第二，由于正電極13和負電極12位于同一側上，電流水平流動，電流密度局部地增加，器件20被加熱。第三，由于藍寶石襯底l的熱導率低，所產生的熱不擴散，從而器件20的溫度升高。為了解決這些問題，^:用這樣的方法，其中將導電基板附接到包括依次層疊在藍寶石單晶襯底上的n型半導體層、發(fā)光層和p型半導體層的器件上，去除藍寶石單晶村底，然后在所產生的疊層的兩個表面上設置正電極和負電極(例如，日本專利(授權的)公開No.3511970)。另外，通過鍍敷而不是通過附接，形成導電基敗(例如，日本未審查的專利申請第一次公開2001-274507)。此外，當通過鍍敷形成導電Ul時，形成中間層，以改善p型半導體與鍍敷層之間即p型半導體與導電M之間的粘著性(adhesion)(例如，曰本未審查的專利申請第一次公開2004-47704)。
發(fā)明內容用于附接導電基板的方法的實例包括其中將具有低熔點的金屬化合物例如AiiSn用作粘合劑的方法以及其中在真空下通過氬等離子體激活將要接合的表面的激活結方法。這些方法要求將要附接的表面極其平坦光滑。因此，如果在將要附接的表面上存在異物例如顆粒，該區(qū)域就不能被緊密地附接。由于該原因，^J^獲得均勻的附接表面。在通過鍍敷在p型半導體層上獲得導電a的情況下，該方法受到來自異物的幾個不利影響。然而，為了形成通過40t制成的用作導電M的膜，必須使其厚度為10nm或更大，從而在附著到p型導電層時產生問題。通常，為了在導電皿與p型半導體層之間形成緊密接觸，在p導電層上形成用于歐姆接觸的歐姆接觸層，并通過鍍敷在歐姆接觸層上形成導電狄。在曰本未審查的專利申請第一次^^開2004-47704中，通過在歐姆接觸層與導電M(鍍敷層)之間形成中間層作為^t&膜，改善了粘著性。在曰本未審查的專利申請第一次公開2004-47704中，在實例中公開了一種包括由Au或AnGe構成的用作用于Ni鍍敷的鍍lt^膜的中間層的器件。然而，這些用于鍍敷的鍍lt^膜不能實現足夠的粘著性。作為進行集中于解決這些問題的努力研究的結果，本發(fā)明人發(fā)現，通過包括依次層疊的至少n型氮化物半導體層、氮化物半導體發(fā)光層、p型氮化物半導體層、歐姆接觸層和,層的氮化物半導體發(fā)光器件，其中在歐姆接觸層與IUbi:之間形成^lt粘著層(plateadhesionlayer)，且4^lt粘著層由包括50質量％或更大的與包含在鍍敷層中的合金的主要成分相同的成分的合金構成，獲得在歐姆接觸層與鍍敷層之間具有高粘著性且不引起剝離的氮化物半導體發(fā)光器件。也就是，本發(fā)明提供以下氮化物半導體發(fā)光器件及其制造方法。(1)一種氮化物半導體發(fā)光器件，包括層疊在40t層上的至少歐姆接觸層、p型氮化物半導體層、氮化物半導體發(fā)光層和n型氮化物半導體層，其中在所述歐姆接觸層與所述鍍敷層之間形成鍍敷粘著層，并且所述鍍敷粘著層由包括50質量％或更大的與包含在所述鍍敷層中的合金的主要成分相同的成分的合金構成。(2)根據(1)的氮化物半導體發(fā)光器件，其中所述鍍敷層的厚度在10jim至200nm的范圍內。(3)才艮據(3)的氮化物半導體發(fā)光器件，其中所述鍍敷層由MP合金構成。(4)根據(4)的氮化物半導體發(fā)光器件，其中所述4M:層由Cu或Cu合金構成。(5)根據(3)的氮化物半導體發(fā)光器件，其中所述鍍敷粘著層由MP合金構成。(6)才艮據(4)的氮化物半導體發(fā)光器件，其中所述鍍敷粘著層由Cu或Cu合金構成。(7)根據(1)或(2)的氮化物半導體發(fā)光器件，其中所述鍍敷粘著層的厚度在O.lmn至2jim的范圍內。(8)根據(1)或(2)的氮化物半導體發(fā)光器件，其中所述歐姆接觸層由選自Pt、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Ag及其合金的至少一者構成。(9)才艮據(1)或(2)的氮化物半導體發(fā)光器件，其中所述歐姆接觸層的厚度在O.lnm至30nm的范圍內。(10)根據(1)或(2)的氮化物半導體發(fā)光器件，其中在所述歐姆接觸層上形成由Ag或Ag合金構成的反射層。(11)一種制造氮化物半導體發(fā)光器件的方法，包括以下步驟使至少緩沖層、n型氮化物半導體層、氮化物半導體發(fā)光層、p型氮化物半導體層、歐姆接觸層、鍍敷粘著層和鍍敷層依此順序層疊在由氧化物單晶或半導體單晶構成的襯底上；然后去除所述襯底和所述緩沖層；以及然后形成電極。(12)根據(11)的制造氮化物半導體發(fā)光器件的方法，其中通過濺射方法形成所述鍍敷粘著層。(13)根據(11)或(12)的制造氮化物半導體發(fā)光器件的方法，其中通過無電鍍敷方法形成所述Hlt層。(14)根據(11)或(12)的制造氮化物半導體發(fā)光器件的方法，其中通過電解鍍敷方法形成所述鍍敷層。(15)根據(11)或(12)的制造氮化物半導體發(fā)光器件的方法，其中在形成所述鍍敷層之后，在范圍在ioon至300X:的溫度下加熱所獲得的7產品。圖1示出本發(fā)明的氮化物半導體發(fā)光器件的截面結構。圖2示出包括用于形成本發(fā)明的氮化物半導體發(fā)光器件的襯底和鍍敷層的疊層的截面。圖3示出通過加工圖2中所示的包括襯底和鍍敷層的疊層而獲得的包括鍍敷層的疊層的截面。圖4是示出常規(guī)氮化物半導體發(fā)光器件的一個實例的平面視圖。圖5是沿圖4的線A-A，截取的截面視圖。具體實施方式將參考本發(fā)明的實施例。然而，本發(fā)明不限于以下實施例，例如，可以是以下實施例的組合。圖1示出本發(fā)明的氮化物半導體發(fā)光器件的截面結構。本發(fā)明的氮化物半導體發(fā)光器件10包括鍍敷層9。在鍍敷層9的表面上依次層疊鍍敷粘著層8、反射層7、歐姆接觸層6、p型氮化物半導體層5、氮化物半導體發(fā)光層4以及n型氮化物半導體層3，其中反射層7為具有30nm厚度的Ag膜，歐姆接觸層6為具有1.5nm厚度的Pt膜、p型氮化物半導體層5用作接觸層且為具有150nm厚度的Mg摻雜的p型GaN層，n型氮化物半導體層3用作接觸層且為具有5nm厚度的Si摻雜的n型GaN層。在n型氮化物半導體層3上，通過透明電極11形成負電極12。在鍍敷層9的另一表面上，形成正電極13。氮化物半導體發(fā)光層4包括依此順序設置的以下層具有30nm厚度的n型In(uGao.9N覆層(cladlayer);通過層疊Si摻雜的GaN勢壘層和具有2.5nm厚度的Ino.2Ga().8N阱層五次并進一步在Ino.2Gao.8N阱層上層疊Si摻雜的GaN勢壘層而獲得的多量子阱結構；以及Mg摻雜的p型Al0.07Ga0.93N覆層。通過賊射方法形成由Pt構成的歐姆接觸層6和由Ag構成的反射層7。通過常規(guī)光刻和剝離^^支術形成用于Pt和Ag的圖形。圖2示出包括用于形成本發(fā)明的氮化物半導體發(fā)光器件10的襯底和鍍敷層的疊層的截面。包括村底和鍍敷層的疊層包括由藍寶石構成的襯底1，n型氮化物半導體層3、氮化物半導體發(fā)光層4、p型氮化物半導體層5、歐姆接觸層6、反射層7、鍍敷粘著層8和鍍敷層9通過緩沖層2形成在襯底1上。在制成具有這種結構的包括襯底和鍍敷層的疊層之后，通過拋光去除襯底1和緩沖層2，以制成圖3中所示的包括IOL層的疊層102。然后，通過在包括l^lt層的疊層102的兩個表面上形成電極，制成具有圖1中所示的結構的氮化物半導體發(fā)光器件10。用于制成包括村底和鍍敷層的疊層101的襯底1的材料的實例包括氧化物單晶例如藍寶石單晶(A1203;A面、C面、M面和R面)、尖晶石單晶(MgAl204)、ZnO單晶、LiA102單晶、LiGa02單晶和MgO單晶；以及常規(guī)襯底材料例如Si單晶、SiC單晶和GaAs單晶。這些材料可用于襯底1而沒有任何限制。當將導電襯底例如由SiC構成的襯底用作襯底1時，在制造在其兩個表面上包括正電極和負電極的發(fā)光器件時，不必去除襯底。然而，由于絕緣的緩沖層不能被使用，并且在緩沖層上生長的氮化物半導體層的晶體劣化，因此不能制造具有優(yōu)良特性的發(fā)光器件。因此，在本發(fā)明中，即使在將導電的SiC或Si用于襯底1時，也有必要去除襯底。形成緩沖層102，以減輕由于襯底1與n型氮化物半導體層3之間的晶格常數的失配引起的應力效應。例如，當在由藍寶石單晶構成的襯底1上形成由GaN構成的晶體層時，藍寶石單晶的晶格常數與GaN的晶格常數相差10%或更大。為了改善GaN的結晶性，將其晶格常數在藍寶石單晶與GaN的晶格常數之間的材料例如AIN和AlGaN用于緩沖層2。在本發(fā)明中，當然可以將A1N和AlGaN用作緩沖層2而沒有任何限制。在緩沖層102上，形成半導體發(fā)光結構。圖2中所示的包括襯底和鍍敷層的疊層101包括氮化物半導體，具體地，包括n型氮化物半導體層3、氮化物半導體發(fā)光層4和p型氮化物半導體層5?？梢詫⑷魏纬Ｒ?guī)的發(fā)光結構例如雙異質結構(DH)、量子阱結構或者多量子阱結構用于本發(fā)明中。作為氮化物半導體，已知由通用分子式AlxIiiyGa^-yN(0￡x<l，0Sy<1，且x+y〈1)表示的許多半導體。在本發(fā)明中，可以使用由該通用分子式表示的氮化物半導體而沒有任何限制。不限制用于這些氮化物半導體的制造方法。本發(fā)明可以使用已知的作為用于生長III族氮化物半導體的方法的所有方法，例如金屬有機化學氣相沉積方法(MOCVD)、氬化物氣相外延(HVPE)或分子束外延方法(MBE)。其中，從膜厚度可控性和批量生產率的觀點來看，MOCVD是優(yōu)選的。當使用MOCVD制造氮化物半導體時，優(yōu)選將氫氣(H2)或氮氣(N2)用作載氣；將三曱基鎵(TMG)或三乙基鎵(TEG)用作III族源材料的Ga源；將三甲基鋁(TMA)或三乙基鋁(TEA)用作Al源；將三曱基銦(TMI)或三乙基錮(TEI)用作In源；且將氨(NH3)或肼(N2H4)用作V族源材料的N源。作為n型摻雜劑，例如，優(yōu)選將曱硅烷(SiH4)或乙硅烷(Si2H6)用作Si源，且優(yōu)選將鍺烷(GeH4)用作Ge源。作為p型摻雜劑，例如，優(yōu)選將雙環(huán)戊二烯基鎂(Cp2Mg)或雙乙基環(huán)戊二烯基鎂((EtCp)2Mg)用作Mg源。將歐姆接觸層6用于p型氮化物半導體層5與反射層7之間的歐姆接觸，并且要求歐^f接觸層6具有小的與p型氮化物半導體層5的接觸電阻。就與p型氮化物半導體層5的接觸電阻而言，優(yōu)選將鉑族元素例如Pt、Ru、Os、Rh、Ir或Pd或Ag、或者其合金作為用于歐姆接觸層6的材料。其中，更優(yōu)選Pt、Ir、Rh和Ru，最優(yōu)選Pt。當將Ag用于歐姆接觸層6時，獲得優(yōu)良的反射性。然而，存在Ag的接觸電阻高于Pt的接觸電阻的問題。因此，Pt是用于歐姆接觸層6的最優(yōu)選材料。然而，Ag可用于其中不需要低接觸電阻的器件中。為了穩(wěn)定地獲得低接觸電阻，歐姆接觸層6的厚度優(yōu)選為O.lnm或更大，更優(yōu)選lnm或更大。特別地，當歐姆接觸層6的厚度為lnm或更大時，可以獲得均勻的接觸電阻。在歐姆接觸層6上形成由Ag、Al或其合金構成的反射層7。在可見至紫外波長內，Ag和Al具有比Pt、Ir、Rh、Ru、Os和Pd更高的反射率。也就是，由于來自氮化物半導體發(fā)光層4的光被有效地反射，使用由Ag、Al或其合金構成的反射層可以制造高功率的器件。另外，當反射層7由Ag、Al或其合金構成且使得歐姆接觸層6足夠薄以允許光穿過時，除了獲得優(yōu)良的歐姆接觸外，還可獲得足夠的反射光。因此，可以制成高功率的器件。歐姆接觸層6的厚度優(yōu)選為30nm或更小，更優(yōu)選10nm或更小。當歐姆接觸層6具有在該優(yōu)選范圍內的厚度時，足夠的反射光穿過歐姆接觸層6。不限制用于歐姆接觸層6和反射層7的制造方法，其制造方法的實例包括常規(guī)的濺射和沉積方法。通過Hlt粘著層8在歐姆接觸層6上形成鍍敷層9。鍍敷粘著層8由這樣的合金構成，該合金包括50質量％或更大的與包含在鍍敷層9中的合金的主^r屬成分相同的成分。例如，當通過無電NiPm構成鍍敷層9時，由于鍍敷層9的主要成分為Ni，m粘著層8由包括50質量。/。的Ni作為主要成分的金屬構成。另外，鍍敷粘著層8優(yōu)選包括作為NiP的第二種成分的P。也就是，鍍敷粘著層8更優(yōu)選由與包含在鍍敷層9中的合金相同的合金構成。包含在合金中的成分的比例不非常重要。為了制成具有優(yōu)良特性的器件，通過使用包括在m層9中的合金相同的合金在形成鍍敷層9之前形成鍍敷粘著層8是有效的，以便緊密接觸。為了獲得優(yōu)良的粘著性，鍍敷粘著層8的厚度優(yōu)選為O.lnm或更大，更優(yōu)選為lnm或更大。當將4tlt粘著層8的厚度調整為O.lnm或更大時，可以獲得均勻的粘著性。雖然對m粘著層8的厚度沒有上限，但火生產率的觀點，其優(yōu)選為2nm或更小。不特別限制用于鍍敷粘著層8的制造方法，其實例包括常規(guī)的濺射方法和沉積方法。由于在濺射方法中具有高能量的濺射顆粒轟擊基底表面以形成膜，可以形成具有高粘著性的膜。因此，優(yōu)選將'減射方法用于形成鍍敷粘著層8。在如上所述形成具有高粘著性的鍍敷粘著層8之后，形成具有大厚度的鍍敷層9。由于鍍敷層9是用于支撐發(fā)光器件10的主要部分的支撐基底，因此有必要具有足以支撐發(fā)光器件10的主要部分的厚度和強度。也就是，鍍敷層9是用于支撐發(fā)光結構的鍍lt&底?？蓪o電鍍敷和電解鍍敷用于制造鍍敷層9。當使用無電鍍敷時，優(yōu)選使用MP合金。當使用電解鍍敷方法時，優(yōu)選使用Cu或Cu合金。為了維持用于支撐基底的足夠強度，鍍敷層9的厚度優(yōu)選為10nm或更大。如果鍍敷層9過厚，則鍍敷層9容易剝離且生產率降低；因此，優(yōu)選厚度為200nm或更小。在鍍敷之前，優(yōu)選使用廣泛使用的中性洗滌劑脫脂并清洗鍍敷粘著層8的表面。另外，還優(yōu)選使用酸例如硝酸化學蝕刻鍍敷粘著層8的表面，以去除在鍍敷粘著層8上的自然氧化物膜。當鍍敷層9是NiP鍍層時，優(yōu)選使用包括鎳源例如硫酸鎳和氯化鎳以及磷源例如次磷酸鹽的鍍敷浴(platingbath)，通過無電鍍敷形成鍍敷層9。用于無電IOL中的鍍敷浴的適合的商業(yè)化產品的實例包括由Uemura&Co.，Ltd銷售的NIMUDEN⑧HDX。在無電ltJt期間的鍍敷浴的pH優(yōu)選在4至10的范圍內，其溫度優(yōu)選在30至95*€的范圍內。當鍍敷層9是Cu或Cu合，層時，優(yōu)選使用包括Cu源例如硫酸銅的鍍敷浴，通過電解鍍敷形成鍍敷層9。在電解鍍敷期間的鍍敷浴優(yōu)選為強酸性的，也就是，其pH優(yōu)選為2或更小。其溫度優(yōu)選在10至50匸的范圍內，更優(yōu)選為室溫(25*C)。電流密度優(yōu)選在0.5至10A/dm2的范圍內，更優(yōu)選在2至4A/dn^的范圍內。另外，為了4錄面光滑，優(yōu)選將勻平劑(levelingagent)添加到鍍敷浴。所使用的勻平劑的商業(yè)化產品的實例包括由Uemura&Co.,Ltd銷售的ETN-l-A和ETN-l-B。為了提高鍍敷層9與鍍敷粘著層8的粘著性，優(yōu)選熱處理鍍敷層9。熱處理溫度優(yōu)選在100至300X:的范圍內，以提高粘著性。如果熱處理溫度高于3oox:，則粘著性進一步提高，但歐姆特性會劣化。在形成40t層9之后，藍寶石襯底1與緩沖層2—起被去除，以產生圖3中所示的包括鍍敷層的疊層102。襯底1的去除方法的實例包括任何常規(guī)方法，例如拋光、蝕刻或激光剝離。在通過拋光、蝕刻等去除了襯底l、緩沖層2之后，n型氮化物半導體3暴露，如圖3中所示。此后，在n型氮化物半導體層3上形成負電極12。作為負電極12，已知具有各種組成和結構的負電極。在本發(fā)明中，可以沒有任何限制地使用常規(guī)的負電極。例如，為了對n型氮化物半導體層3的整個表面施加電壓，形成透明電極ll，例如ITO，然后形成包括Cr、Ti和Au層的負電極12，如圖l所示。作為形成在鍍敷層9上的正電極13，已知包括Au、Al、Ni、Cu等的各種正電極。在本發(fā)明中，可以沒有任何限制地使用常規(guī)的正電極。這樣，制成氮化物半導體發(fā)光器件，其包括具有高粘著性的正電極和負電極，可輸出高功率，并且不產生熱。實例下面，將參考實例和比較實例來說明根據本發(fā)明的氮化物半導體發(fā)光器件的優(yōu)選實施例。實例1在藍寶石襯底上，依次層疊由厚度為10nm的A1N構成的緩沖層、厚度為5nm的Si摻雜的n型GaN接觸層、厚度為30nm的n型In(UGa0.9N覆層。然后，在覆層上層疊具有多阱結構的發(fā)光層，其中層疊五次厚度為30nm的Si摻雜的n型GaN勢壘層和厚度為2.5nm的In^Ga^N阱層，然后層疊勢壘層。此后，在發(fā)光層上連續(xù)層疊厚度為50nm的Mg摻雜的p型Al。.。7Ga).93N覆層和厚度為150nm的Mg摻雜的p型GaN接觸層。然后，通過賊射在所產生的氮化物半導體的p型接觸層上形成厚度為1.5nm的Pt層。此后，通過賊射在Pt層上形成厚度為30nm的Ag層。通過常規(guī)光刻和剝離技術形成Pt和Ag圖形。然后，通過濺射形成厚度為30nm的NiP合金膜(Ni:80at%，P:20at%)，以產生4tt粘著層。在25t:下將MP合金膜的表面浸入硝酸溶液(5N)30秒，以去除在NiP合金膜的表面上形成的氧化物膜。然后，使用鍍敷浴(由Uemura&Co.,Ltd銷售的NIUMUDENHDX-7G)，在NiP合金膜上形成由厚度為50nm的NiP合金構成的無電鍍敷膜，以產生鍍敷層(金屬鍍lt&底)。在這樣的條件下進行無電鍍敷，其中pH為4.6，溫度為90匸，且處理時間為3小時。在用水清洗并干燥所產生的包括襯底和鍍敷層的疊層之后，使用清潔爐在250r下對其加熱1小時。此后，通過拋光去除藍寶石襯底和緩沖層，以暴露n型半導體層。在n型半導體層上，通過沉積形成厚度為400nm的ITO膜(Sn02:10質量％)。然后，通過沉積在ITO的表面的中心上形成包括厚度為40nm的Cr膜、厚度為100nm的Ti膜和厚度為l，OOOnm的Au膜的負電極。通過常規(guī)光刻和剝離技術形成負電極的圖形。在p型半導體層的表面上，通過沉積形成包括厚度為l，OOOnm的Au膜的正電極。然后，通過切片將所產生的疊層分割成圖l所示的氮化物半導體發(fā)光器件。為了評價粘著性，在形成和加熱包括襯底和鍍敷層的疊層之后，進行剝離測試。作為剝離測試，^使用在JISH8602-1992中規(guī)定的方法與熱沖擊方法結合的加速測試法。也就是，使用切割刀在歐姆接觸層和鍍敷層中形成線狀劃痕，以便產生具有l(wèi)mm間隔的柵格。將劃痕的深度調整為達到藍寶石襯底的表面的距離。接著，在200C下在爐中加熱30分鐘之后，在水中使疊層快速冷卻到20X:，然后使其干燥。此后，將膠帶(由NichibanCo.，Ltd.銷售的透明膠帶，寬度12mm)緊密粘附到其中形成線狀劃痕的鍍敷層的表面，然后從鍍敷層的表面剝離膠帶。然后，對沒有從由線狀劃痕形成的尺寸為lmmxlmm的100個分區(qū)剝離的殘留分區(qū)的數量進行計數。也就是，當IOO個分區(qū)保留時，其被評價為"沒有剝離"。結果示于表1中。14實例2和3以及比較實例1至3除了改變,粘著層和鍍敷層的組成和厚度外，以與實例1的相同的方式制備和評價氮化物半導體發(fā)光器件。評價結果示于表l中。實例4除了通過'減射方法形成厚度為30nm的Cu膜作為鍍敷粘著層來替代NiP合金膜以及以電解鍍敷方法形成厚度為50nm的Cn膜作為鍍敷層來替代NiP合金膜之外，以與實例1的相同的方式制備和評價氮化物半導體發(fā)光器件。評價結果示于表l中。此外，在這樣的條件下電解鍍敷Cu以產生鍍敷層，其中使用包括80g/L的CuS04、200g/L的硫酸和勻平劑(由Uemura&Co.，Ltd銷售，1.0mL/L的ETN-l-A和1.0mL/L的ETN-1-B)的鍍敷浴，電流密度為2.5A/cm2，鍍敷時間為3小時，并且將包含磷酸銅的材料用作陽極。比較實例4至6除了形成具有表1中所示的組成和厚度的4tt粘著層來替代由Oi構成的鍍敷粘著層之外，以與實例4的相同的方式制備和評價比較的氮化物半導體發(fā)光器件。評價結果示于表l中。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>由表i很明顯，實例i至3的氮化物半導體發(fā)光器件具有優(yōu)良的4ilt粘著層與鍍敷層之間的粘著性，其中在實例1至3的氮化物半導體發(fā)光器件中，鍍敷層通過無電鍍敷由NiP構成，并且m粘著層也由與m層相同的材料的MP構成。比較而言，由表l也很明顯，比較實例l中不具有鍍敷粘著層的氮化物半導體發(fā)光器件、比較實例2中包括由不包含MP的Au構成的鍍敷粘著層的氮化物半導體發(fā)光器件、以及比較實例3中包括由不包含NiP的AuGe構成的鍍敷粘著層的氮化物半導體發(fā)光器件在粘著性方面很差。另外，由表1很明顯，實例4的氮化物半導體發(fā)光器件具有優(yōu)良的鍍敷粘著層與鍍敷層之間的粘著性，其中在實例4的氮化物半導體發(fā)光器件中，鍍敷層通過電解鍍敷由Cu構成，并且鍍敷粘著層也由Cu構成。比較而言，由表1也4艮明顯，比較實例4中不具有鍍敷粘著層的氮化物半導體發(fā)光器件、比較實例5中包括由不包含Cu的Au構成的鍍敷粘著層的氮化物半導體發(fā)光器件、以及比較實例6中包括由不包含Cu的AuGe構成的鍍敷粘著層的氮化物半導體發(fā)光器件在粘著性方面很差。工業(yè)適用性本發(fā)明的氮化物半導體發(fā)光器件是這樣的氮化物半導體發(fā)光器件，其具有較高的粘著性且不剝離，并且其是通過在歐姆接觸層與鍍敷層之間形成鍍敷粘著層且由包含50質量％或更大的與包含在鍍敷層中的合金的主要成分相同的成分的合金形成鍍敷粘著層而產生的。結果，本發(fā)明提供一種具有高質量和穩(wěn)定性的在其上表面和下表面上包括正電極和負電極的發(fā)光器件。另外，本發(fā)明的氮化物半導體發(fā)光器件的組件之一的鍍敷層具有足以支撐器件的主要組件的厚度和強度。因此，在制造過程期間鍍敷層可以穩(wěn)定地支撐器件。權利要求1.一種氮化物半導體發(fā)光器件，包括層疊在鍍敷層上的至少歐姆接觸層、p型氮化物半導體層、氮化物半導體發(fā)光層和n型氮化物半導體層，其中在所述歐姆接觸層與所述鍍敷層之間形成鍍敷粘著層，并且所述鍍敷粘著層由包括50質量％或更大的與包含在所述鍍敷層中的合金的主要成分相同的成分的合金構成。2.根據權利要求l的氮化物半導體發(fā)光器件，其中所述鍍敷層的厚度在10nm至200nm的范圍內。3.根據權利要求1或2的氮化物半導體發(fā)光器件，其中所述鍍敷層由MP合金構成。4.根據權利要求1或2的氮化物半導體發(fā)光器件，其中所述鍍敷層由Cu或Cu合金構成。5.根據權利要求3的氮化物半導體發(fā)光器件，其中所述鍍敷粘著層由NiP合金構成。6.根據權利要求4的氮化物半導體發(fā)光器件，其中所述鍍敷粘著層由Cu或Cu合金構成。7.根據權利要求1或2的氮化物半導體發(fā)光器件，其中所述鍍敷粘著層的厚度在O.lnm至2nm的范圍內。8.根據權利要求1或2的氮化物半導體發(fā)光器件，其中所述歐姆接觸層由選自Pt、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Ag及其合金的至少一者構成。9.根據權利要求1或2的氮化物半導體發(fā)光器件，其中所述歐姆接觸層的厚度在O.lnm至30nm的范圍內。10.根據權利要求1或2的氮化物半導體發(fā)光器件，其中在所述歐姆接觸層上形成由Ag、Al或其合金構成的反射層。11.一種制造氮化物半導體發(fā)光器件的方法，包括以下步驟使至少緩沖層、n型氮化物半導體層、氮化物半導體發(fā)光層、p型氮化物半導體層、歐姆接觸層、鍍敷粘著層和鍍敷層依此順序層疊在由氧化物單晶或半導體單晶構成的襯底上；此后，去除所述襯底和所述緩沖層；以及然后形成電極。12.根據權利要求li的制造氮化物半導體發(fā)光器件的方法，其中通過濺射方法形成所述鍍敷粘著層。13.根據權利要求11或12的制造氮化物半導體發(fā)光器件的方法，其中通過電解m方法形成所述鍍敷層。14.根據權利要求11或12的制造氮化物半導體發(fā)光器件的方法，其中通過電解鍍敷方法形成所述鍍敷層。15.根據權利要求11或12的制造氮化物半導體發(fā)光器件的方法，其中在形成所述鍍敷層之后，在范圍在100。C至300的溫度下加熱所獲得的產品。全文摘要本發(fā)明提供一種氮化物半導體發(fā)光器件，其包括具有高粘著性的正電極和負電極，可以輸出高功率，且不產生熱；具體地，本發(fā)明提供一種氮化物半導體發(fā)光器件，其包括層疊在鍍敷層上的至少歐姆接觸層、p型氮化物半導體層、氮化物半導體發(fā)光層和n型氮化物半導體層，其中在所述歐姆接觸層與所述鍍敷層之間形成鍍敷粘著層，并且所述鍍敷粘著層由包括50質量％或更大的與包含在所述鍍敷層中的合金的主要成分相同的成分的合金構成。文檔編號H01L33/00GK101263609SQ20068003306公開日2008年9月10日申請日期2006年9月7日優(yōu)先權日2005年9月13日發(fā)明者大澤弘,程田高史申請人:昭和電工株式會社