專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，尤其涉及一種具有在一個(gè)半 導(dǎo)體芯片上、以及與該半導(dǎo)體芯片的電極焊盤(pán)連接的鍵合線上配置了其它半 導(dǎo)體芯片的結(jié)構(gòu)的芯片層疊型半導(dǎo)體器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
伴隨電子儀器的高性能化、高速化，使用在該電子儀器上的半導(dǎo)體器件 需滿足小型化、薄型化、多功能化、高性能化、高密度化及低成本化。為了 滿足這種要求，實(shí)際應(yīng)用著層疊配置多個(gè)半導(dǎo)體芯片的三維結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。這種半導(dǎo)體器件被稱(chēng)作"堆疊封裝(stackedpackage)"。將半導(dǎo)體芯片裝載在襯底或者引線框架(lead frame)等半導(dǎo)體芯片裝載 構(gòu)件上，再進(jìn)行氣密密封，從而構(gòu)成半導(dǎo)體器件。另一方面，作為將半導(dǎo)體芯片和半導(dǎo)體芯片裝載構(gòu)件電連接的方法，廣 泛采用引線鍵合(wire bonding)法，而且在堆疊封裝中也多用引線鍵合法。在作為半導(dǎo)體芯片的裝載、支撐構(gòu)件而使用襯底的堆疊封裝中，利用絕 緣性或者導(dǎo)電性粘接劑將下層側(cè)的第一半導(dǎo)體芯片粘合在襯底上，接著在該 第一半導(dǎo)體芯片上配置上層側(cè)的第二半導(dǎo)體芯片，并利用絕緣粘接劑將第二 半導(dǎo)體芯片粘接固定到第一半導(dǎo)體芯片。然后，利用第一鍵合線將第一半導(dǎo) 體芯片電連接到襯底，并利用第二鍵合線將第二半導(dǎo)體芯片電連接到襯底。 然后，利用密封樹(shù)脂密封第一及第二半導(dǎo)體芯片和第一及第二引線。將第二半導(dǎo)體芯片粘合在第一半導(dǎo)體芯片上的絕緣粘接劑或者管芯鍵 合(die bond)材料一般使用由環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂等構(gòu)成的粘接劑，并且以液狀或 者薄膜狀的狀態(tài)應(yīng)用。因?yàn)樵诩庸ぜ吧a(chǎn)方面有利，所以多用薄膜狀絕緣粘接劑，例如事先將 該薄膜狀絕緣粘接劑貼付在半導(dǎo)體晶片的非形成電路面，由于與該半導(dǎo)體晶 片一起進(jìn)行切割處理，其結(jié)果等量的粘接劑貼付在切割的每個(gè)半導(dǎo)體芯片的背面。在采用引線鍵合連接法的堆疊封裝中，其中該引線鍵合連接法用作從半 導(dǎo)體芯片引出外部連接引線的方法，如果使下層側(cè)的第一半導(dǎo)體芯片比上層 側(cè)的第二半導(dǎo)體芯片還大，并使該第一半導(dǎo)體芯片的電極焊盤(pán)位于比第二半 導(dǎo)體芯片還外側(cè)的位置，則能夠利用鍵合線將該第一半導(dǎo)體芯片的電極焊盤(pán) 和襯底上的電極焊盤(pán)引線鍵合。但是，根據(jù)層疊而成的半導(dǎo)體芯片的組合，存在著層疊配置相同大小的 半導(dǎo)體芯片的情況。在這種層疊方式中，通過(guò)引線鍵合法，將粘合在襯底上的第一半導(dǎo)體芯 片的電極焊盤(pán)和襯底上的電極焊盤(pán)連接之后，利用絕緣粘接劑在該第一半導(dǎo) 體芯片上粘接固定第二半導(dǎo)體芯片，然后通過(guò)引線鍵合法，連接該第二半導(dǎo) 體芯片的電極焊盤(pán)和襯底上的電極焊盤(pán)。根據(jù)這種粘接、連接結(jié)構(gòu)，與下層側(cè)的第一半導(dǎo)體芯片的電極焊盤(pán)連接 的鍵合線有可能與上層側(cè)的第二半導(dǎo)體芯片的底面等接觸。因此，為了使與 第一半導(dǎo)體芯片的電極焊盤(pán)連接的鍵合線不跟第二半導(dǎo)體芯片的底面等接 觸，提出了如下的建議，將與第一半導(dǎo)體芯片的電極焊盤(pán)連接的鍵合線，置 入將第二半導(dǎo)體芯片粘合在第一半導(dǎo)體芯片上的絕緣粘接劑內(nèi)(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1、 2、 3)。在專(zhuān)利文獻(xiàn)1所示的技術(shù)中，用絕緣粘接劑在第一半導(dǎo)體芯片上粘合上 層半導(dǎo)體芯片時(shí)，將該絕緣粘接劑的厚度設(shè)定成比環(huán)頂(looptop)還厚的厚 度，其中該環(huán)頂為與第一半導(dǎo)體芯片的電極焊盤(pán)連接的鍵合線的最上部。此 時(shí)，將液狀絕緣粘接劑供給到第一半導(dǎo)體芯片與上層的第二半導(dǎo)體芯片重疊 區(qū)域的整個(gè)面之后，裝載第二半導(dǎo)體芯片，并加熱固化絕緣粘接劑。在這種方法中，用絕緣粘接劑保持第一及第二半導(dǎo)體芯片之間的距離， 使得鍵合線的環(huán)頂形狀不變形。因此，該絕緣粘接劑的厚度需取充分大的值、 即需充分厚。然而，根據(jù)這種方法，難以控制供給到第一半導(dǎo)體芯片的液狀絕緣粘接 劑的厚度，而且難以控制第二半導(dǎo)體芯片和第一半導(dǎo)體芯片的平行度。若第 二半導(dǎo)體芯片傾斜地配置在第一半導(dǎo)體芯片上，則利用鍵合線連接該第二半 導(dǎo)體芯片的電極焊盤(pán)和襯底上的電極焊盤(pán)時(shí)，在該第二半導(dǎo)體芯片的電極焊盤(pán)和鍵合線之間會(huì)發(fā)生連接不良等情況。而且，在專(zhuān)利文獻(xiàn)2所示的技術(shù)中，在與第一半導(dǎo)體芯片連接的鍵合線 和上層的第二半導(dǎo)體芯片之間，夾雜著聚酰亞胺類(lèi)絕緣樹(shù)脂層。S卩，事先在 第二半導(dǎo)體芯片的背面，貼付兩層結(jié)構(gòu)的薄膜狀管芯鍵合材料，該兩層結(jié)構(gòu) 的管芯鍵合材料由起到分離作用的如聚酰亞胺類(lèi)絕緣性樹(shù)脂膜一樣的、在10(TC 20(TC范圍內(nèi)塑性變形小的樹(shù)脂層，以及起到粘接作用的環(huán)氧樹(shù)脂 等、通過(guò)加熱流動(dòng)性提高的樹(shù)脂層構(gòu)成。防止發(fā)生如下情況，將該第二半導(dǎo) 體芯片裝載在第一半導(dǎo)體芯片上時(shí)，由于將與第一半導(dǎo)體芯片的電極焊盤(pán)連 接的鍵合線置入到所述流動(dòng)性高的樹(shù)脂層，并且抵接塑性變形小的樹(shù)脂層， 從而第二半導(dǎo)體芯片的背面與鍵合線接觸。此外，為了將該鍵合線環(huán)埋入到 流動(dòng)性高的樹(shù)脂層，邊加熱邊層疊裝載第二半導(dǎo)體芯片。在此情況下存在的問(wèn)題為，將第二半導(dǎo)體芯片層疊裝載在第一半導(dǎo)體芯 片上時(shí)，與第一半導(dǎo)體芯片連接的鍵合線環(huán)被上述兩層結(jié)構(gòu)的管芯鍵合材料 按壓。在充分提高了因加熱而流動(dòng)性高的樹(shù)脂層的流動(dòng)性的情況下，即使鍵 合線環(huán)被其樹(shù)脂層按壓，鍵合線環(huán)的變形也很小。但是，在鍵合線環(huán)越過(guò)其 樹(shù)脂層而到達(dá)作為分離層的塑性變形小的樹(shù)脂層的情況下，由于塑性變形小 的樹(shù)脂層堅(jiān)固，所以鍵合線環(huán)易于變形。而且，在流動(dòng)性高的樹(shù)脂層的流動(dòng)性不充分的情況下，當(dāng)鍵合線環(huán)被該 樹(shù)脂層按壓而壓入到該樹(shù)脂層時(shí)，該鍵合線容易變形。若鍵合線發(fā)生變形， 則相鄰的鍵合線之間發(fā)生短路。尤其是，第一半導(dǎo)體芯片的電極焊盤(pán)的間距 細(xì)微、或者在該下層的半導(dǎo)體芯片的中央部配置有電極焊盤(pán)一樣的情況下， 鍵合線之間容易發(fā)生短路。而且，若應(yīng)力施加到鍵合線，且鍵合線發(fā)生變形， 則應(yīng)力集中到鍵合線和下層的半導(dǎo)體芯片之間的連接部，從而該連接部容易 發(fā)生鍵合線的斷線。另一方面，即使在專(zhuān)利文獻(xiàn)3所示的技術(shù)中，用管芯鍵合材料來(lái)粘接第 二半導(dǎo)體芯片和第一半導(dǎo)體芯片時(shí)，與第一半導(dǎo)體芯片的電極焊盤(pán)連接的鍵 合線也是以置入到管芯鍵合材料的一部分的方式構(gòu)成。為了在將第二半導(dǎo)體芯片層疊裝載在第一半導(dǎo)體芯片上時(shí)，鍵合線能夠 充分地埋入到管芯鍵合材料，包括使管芯鍵合材料的粘度降低的工序。而且， 用于層疊裝載第二半導(dǎo)體芯片的管芯鍵合材料為，由加熱時(shí)粘度不同的多個(gè)粘接層構(gòu)成的薄膜狀粘接劑，并且以與第一半導(dǎo)體芯片接觸側(cè)的粘接層為低 粘度的方式配置管芯鍵合材料。事先在第二半導(dǎo)體芯片的背面?zhèn)荣N附管芯鍵 合材料。在此情況下存在的問(wèn)題為，與上述專(zhuān)利文獻(xiàn)2所公開(kāi)的技術(shù)一樣，將第 二半導(dǎo)體芯片層疊裝載在第一半導(dǎo)體芯片上時(shí)，與第一半導(dǎo)體芯片連接的鍵 合線發(fā)生變形，從而相鄰的鍵合線之間容易發(fā)生短路，而且該鍵合線和第一 半導(dǎo)體芯片之間的連接部上鍵合線容易發(fā)生斷線。專(zhuān)利文獻(xiàn)l: JP特開(kāi)平8 — 88316號(hào)公報(bào) 專(zhuān)利文獻(xiàn)2: JP特開(kāi)2002—222913號(hào)公報(bào) 專(zhuān)利文獻(xiàn)3: JP特開(kāi)2004 — 72009號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容發(fā)明所要解決的問(wèn)題本發(fā)明的目的在于，提供一種芯片層疊型半導(dǎo)體器件及其制造方法，在 層疊配置了多個(gè)半導(dǎo)體芯片的結(jié)構(gòu)中，能夠抑制發(fā)生如下的情況，即，與下 層側(cè)的半導(dǎo)體芯片的電極焊盤(pán)連接的鍵合線發(fā)生變形，因該鍵合線的變形而 導(dǎo)致該鍵合線斷線，相鄰鍵合線之間發(fā)生短路等，而且，能夠?qū)盈B的半導(dǎo) 體芯片之間距離保持為恒定。用于解決問(wèn)題的方法本發(fā)明的半導(dǎo)體器件包括芯片裝載構(gòu)件；第一半導(dǎo)體芯片，其配置在 所述芯片裝載構(gòu)件上；鍵合線，其與所述第一半導(dǎo)體芯片的電極焊盤(pán)連接； 第一絕緣粘接劑，其選擇性地覆蓋所述電極焊盤(pán)和所述鍵合線之間的連接 部；第二半導(dǎo)體芯片，其中中間隔著所述第一絕緣粘接劑而配置在所述第一 半導(dǎo)體芯片上。而且，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法包括在芯片裝載構(gòu)件上配置第 -半導(dǎo)體芯片的工序；將鍵合線連接到所述第一半導(dǎo)體芯片的電極焊盤(pán)的工 序；利用第一絕緣粘接劑選擇性地覆蓋所述電極焊盤(pán)和所述鍵合線之間的連 接部的工序；在所述第一半導(dǎo)體芯片上，中間隔著所述第一絕緣粘接劑配置 第二半導(dǎo)體芯片的工序。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，由于利用第一絕緣粘接劑選擇性地覆蓋下層側(cè)的第一半導(dǎo) 體芯片的電極焊盤(pán)、以及與該電極焊盤(pán)連接的鍵合線的一部分，因此將上層 側(cè)的第二半導(dǎo)體芯片層疊裝載在該第一半導(dǎo)體芯片上時(shí)，防止與第一半導(dǎo)體 芯片的電極焊盤(pán)連接的鍵合線發(fā)生變形，且相鄰的引線和引線之間不發(fā)生短 路，更進(jìn)一步地，在鍵合線和電極焊盤(pán)之間的連接部上，該鍵合線不發(fā)生斷 線。而且，在第一半導(dǎo)體芯片上，以覆蓋第一電極焊盤(pán)及第一引線的一部分 的方式選擇性地配置第一絕緣粘接劑，所以易于控制其覆蓋的高度。由此， 當(dāng)將第二半導(dǎo)體芯片層疊裝載在第一半導(dǎo)體芯片上時(shí)，能夠通過(guò)該第一絕緣 粘接劑將第一半導(dǎo)體芯片和第二半導(dǎo)體芯片之間的距離控制為恒定，而且能 夠使第二半導(dǎo)體芯片不發(fā)生傾斜地層疊配置在第一半導(dǎo)體芯片上。由此，當(dāng)對(duì)第二半導(dǎo)體芯片的電極焊盤(pán)進(jìn)行引線鍵合時(shí)，不會(huì)發(fā)生連接 不良及/或位置偏差。從而，至少能夠獲得第一半導(dǎo)體芯片和第二半導(dǎo)體芯片的組合具有高靈 活性的芯片層疊型半導(dǎo)體器件。


圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施例的芯片層疊型半導(dǎo)體器件的剖視圖。圖2是表示本發(fā)明的第二實(shí)施例的芯片層疊型半導(dǎo)體器件的剖視圖。 圖3是表示本發(fā)明的第三實(shí)施例的芯片層疊型半導(dǎo)體器件的剖視圖。 圖4是表示本發(fā)明的第四實(shí)施例的芯片層疊型半導(dǎo)體器件的剖視圖。 圖5是表示本發(fā)明的第四實(shí)施例的芯片層疊型半導(dǎo)體器件的變形例的剖 視圖。圖6是表示本發(fā)明的第五實(shí)施例的芯片層疊型半導(dǎo)體器件的剖視圖。 圖7是表示本發(fā)明的第六實(shí)施例的芯片層疊型半導(dǎo)體器件的剖視圖。 圖8是表示本發(fā)明的第七實(shí)施例的芯片層疊型半導(dǎo)體器件的剖視圖。 圖9A及圖9B是表示本發(fā)明的第八實(shí)施例的芯片層疊型半導(dǎo)體器件的剖視圖。圖IOA、圖IOB及圖IOC是表示兩個(gè)半導(dǎo)體芯片的層疊方式的示意圖。 圖IIA、圖IIB、圖IIC及圖IID是用于說(shuō)明絕緣粘接劑的粘附方式的俯視圖(其一)。圖12A、圖12B及圖12C是用于說(shuō)明絕緣粘接劑的粘附方式的俯視圖(其二)。圖13A、圖13B、圖13C、圖13D及圖13E是表示本發(fā)明的第九實(shí)施例 的芯片層疊型半導(dǎo)體器件的制造方法的工序剖視圖(其一)。圖14F、圖14G、圖14H及圖14I是表示本發(fā)明的第九實(shí)施例的芯片層 疊型半導(dǎo)體器件的制造方法的工序剖視圖(其二)。圖15A、圖15B、圖15C及圖15D是表示向半導(dǎo)體芯片背面粘附絕緣粘接劑的粘附方法的一個(gè)例子的工序剖視圖。圖16A、圖16B、圖16C、圖16D及圖16E是表示本發(fā)明的第十實(shí)施例 的芯片層疊型半導(dǎo)體器件的制造方法的工序剖視圖(其一)。圖17F、圖17G、圖17H、圖171及圖17J是表示本發(fā)明的第十實(shí)施例 的芯片層疊型半導(dǎo)體器件的制造方法的工序剖視圖(其二)。圖18A、圖18B、圖18C、圖18D及圖18E是表示本發(fā)明的第i^一實(shí)施 例的芯片層疊型半導(dǎo)體器件的制造方法的工序剖視圖(其一)。圖19F、圖19G、圖19H及圖19I是表示本發(fā)明的第十一實(shí)施例的芯片 層疊型半導(dǎo)體器件的制造方法的工序剖視圖(其二)。圖20是表示本發(fā)明的第十二實(shí)施例的芯片層疊型半導(dǎo)體器件的制造方 法的工序剖視圖(其一)。圖21是表示本發(fā)明的第十二實(shí)施例的芯片層疊型半導(dǎo)體器件的制造方 法的工序剖視圖(其二)。附圖標(biāo)記說(shuō)明 11襯底21、 22半導(dǎo)體元件(半導(dǎo)體芯片) 21E、 22E電極焊盤(pán) 31、 32、 33絕緣粘接劑 36、 37鍵合線41密封用樹(shù)脂46外部連接用端子51粘接劑61噴嘴70引線框架71管芯臺(tái)面具體實(shí)施方式
下面，用實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的芯片層疊型半導(dǎo)體器件及其制造方法。(第-- 實(shí)施例)用圖1來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的芯片層疊型半導(dǎo)體器件的第一實(shí)施例。 本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件110具有作為芯片裝載構(gòu)件的襯底11;下層側(cè) 的第一半導(dǎo)體芯片21，其裝載在該襯底11的一側(cè)的主面(上表面)上；以 及上層側(cè)的第二半導(dǎo)體芯片22，其中間隔著絕緣粘接劑而層疊在該第一半導(dǎo) 體芯片21上。而且，還具有鍵合線36，其連接第一半導(dǎo)體芯片21的電極焊盤(pán)21E 和所述襯底11的電極焊盤(pán)12;以及鍵合線37，其連接第二半導(dǎo)體芯片22 的電極焊盤(pán)22E和襯底11的電極焊盤(pán)13。而且，用密封用樹(shù)脂41密封所述半導(dǎo)體芯片21、 22以及鍵合線36、 37另一方面，在所述襯底11的另一側(cè)的主面(下表面)，配置了作為外 部連接用端子46的多個(gè)焊球。在此，所述襯底11將玻璃一環(huán)氧、玻璃一BT (bismaleimide triazine: 雙馬來(lái)酰亞胺三嗪)或者聚酰亞胺等有機(jī)材料絕緣性樹(shù)脂、或者陶瓷、玻璃 等無(wú)機(jī)材料作為基體材料，按照需要在其單面或雙面、或者以多層配線層結(jié) 構(gòu)，配置由銅(Cu)等構(gòu)成的配線層，在所述一側(cè)的主面配置電極焊盤(pán)12、 13，而且在另外一側(cè)的主面配置外部連接端子46的配置用焊盤(pán)(未圖示)。 該襯底11也被稱(chēng)作配線襯底、插入構(gòu)件(interposer)等。而且，所述第一半導(dǎo)體芯片21及第二半導(dǎo)體芯片22分別應(yīng)用了所謂的晶片加工工藝，并且在硅(Si)或者砷化鎵(GaAs)等半導(dǎo)體襯底的一側(cè)的 主面上形成電路，該電路包括晶體管等有源元件、電容器等無(wú)源元件以及連 接這些元件的配線層，而且配置在各自表面的電極焊盤(pán)21E、22E由以鋁(A1) 或銅(Cu)作為主體的金屬形成。而且，該第一半導(dǎo)體芯片21由粘接劑51粘合在所述襯底11上，其中 該粘接劑51包括由環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成的絕緣性樹(shù)脂，或者由含有銀(Ag)等 金屬粒子的環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成的導(dǎo)電性樹(shù)脂。而且，所述鍵合線36、 37由金(Au)線、鋁(Al)線或者銅(Cu)線 構(gòu)成，并且通過(guò)公知的引線鍵合法來(lái)連接。而且，應(yīng)用了環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂作為所述密封用樹(shù)脂41。此外，所述外部連接端子46不僅限于焊球等突起狀電極，還可以應(yīng)用 平板狀電極。作為本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件110所具有的特征性結(jié)構(gòu)，利用第一絕緣粘 接劑31選擇性地覆蓋所述第一半導(dǎo)體芯片21的電極焊盤(pán)21E的外露部以及 鍵合線36的與該電極焊盤(pán)21E連接的一部分、g卩，至少位于該第一半導(dǎo)體 芯片21上的部分。而且，所述第二半導(dǎo)體芯片22由第二絕緣粘接劑32粘合在該第一半導(dǎo) 體芯片21上，該第二絕緣粘接劑32覆蓋配置在第一半導(dǎo)體芯片21上及第 一絕緣粘接劑31上。此外，第一絕緣粘接劑31及第二絕緣粘接劑32是環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺 樹(shù)脂或者丙烯酸樹(shù)脂等的、具有熱固化性或熱塑性的樹(shù)脂粘接劑。而且，該第一絕緣粘接劑31及第二絕緣粘接劑32也可以分別具有不同 的物理性能。根據(jù)這種方式，利用第一絕緣粘接劑31選擇性地覆蓋所述電極焊盤(pán)21E 及第一鍵合線36的一部分，并將第二半導(dǎo)體芯片22中間隔著第二絕緣粘接 劑32而裝載到第一半導(dǎo)體芯片21上時(shí)，該第二半導(dǎo)體芯片22和所述第一 鍵合線36之間不產(chǎn)生接觸。而且，能夠防止因第一鍵合線36變形而導(dǎo)致第一鍵合線36相互之間發(fā) 生短路，進(jìn)一步能夠防止在與電極焊盤(pán)21E的接觸部上該第一鍵合線36發(fā)生斷線。而且，在第一半導(dǎo)體芯片21上，以覆蓋電極焊盤(pán)21E上部及第一鍵合 線36的一部分的方式配置所述第一絕緣粘接劑31，因此在進(jìn)行這種覆蓋處 理時(shí)，易于控制該第一絕緣粘接劑31的高度(厚度)。即，當(dāng)在該第一半 導(dǎo)體芯片21上層疊并裝載第二半導(dǎo)體芯片22時(shí)，由于存在進(jìn)行過(guò)高度控制 的第一絕緣粘接劑31，從而能夠?qū)⒃摰谝话雽?dǎo)體芯片21和第二半導(dǎo)體芯片 22之間的距離固定，并層疊配置該第一半導(dǎo)體芯片21和第二半導(dǎo)體芯片22。從而，在第一半導(dǎo)體芯片21上，中間隔著第二絕緣粘接劑32裝載并粘 合第二半導(dǎo)體芯片22時(shí)，能夠使該第二半導(dǎo)體芯片22不發(fā)生傾斜，而使第 一半導(dǎo)體芯片21的表面和第二半導(dǎo)體芯片22的表面平行，其中該第二絕緣 粘接劑32是以覆蓋第一絕緣粘接劑31上部的方式配置的。由此，該第二半導(dǎo)體芯片22的電極焊盤(pán)22E上連接第二鍵合線37時(shí)， 能夠防止發(fā)生連接不良及/或位置偏差。從而，能夠?qū)⑺龅谝话雽?dǎo)體芯片21的電極焊盤(pán)21E配置在與第二半 導(dǎo)體芯片22重疊的區(qū)域。g卩，第二半導(dǎo)體芯片22的大小不由第一半導(dǎo)體芯 片21的電極焊盤(pán)21E的位置限制，該第一半導(dǎo)體芯片21和第二半導(dǎo)體芯片 22的組合具有高靈活性。(第二實(shí)施例)用圖2說(shuō)明本發(fā)明的芯片層疊型半導(dǎo)體器件的第二實(shí)施例。 本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件120具有與所述第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件IIO相 同結(jié)構(gòu)，但是，特別地在第一絕緣粘接劑31部和第二絕緣粘接劑32部的結(jié) 構(gòu)上具有特點(diǎn)，其中，該第一絕緣粘接劑31部和第二絕緣粘接劑32部粘接 下層側(cè)的第一半導(dǎo)體芯片21和裝載在該第一半導(dǎo)體芯片21上的上層側(cè)的第 二半導(dǎo)體元件22。艮P，作為本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件120所具有的特征性結(jié)構(gòu)，利用第一絕 緣粘接劑31選擇性地覆蓋，所述第一半導(dǎo)體芯片21的電極焊盤(pán)21E的外露 部以及鍵合線36的與該電極焊盤(pán)21E連接的一部分、即至少位于該第一半 導(dǎo)體芯片21上的部分，同時(shí)，沒(méi)有被該第一絕緣粘接劑31覆蓋的第一半導(dǎo) 體芯片21表面區(qū)域被第二絕緣粘接劑32覆蓋。以使該第一絕緣粘接劑31及第二絕緣粘接劑32在相同高度上或者第二 絕緣粘接劑32稍高(厚) 一些的方式，設(shè)定該第二絕緣粘接劑32的覆蓋量。而且，所述第二半導(dǎo)體芯片22被該第一絕緣粘接劑31及第二絕緣粘接 劑32粘合在該第一半導(dǎo)體芯片21上。此外，第一絕緣粘接劑31及第二絕緣粘接劑32是環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺 樹(shù)脂或者丙烯酸樹(shù)脂等的、具有熱固化性或熱塑性的樹(shù)脂粘接劑。而且，該第一絕緣粘接劑31及第二絕緣粘接劑32也可以分別具有不同 物理性能。根據(jù)這種方式，與所述第一實(shí)施例一樣，利用第一絕緣粘接劑31選擇 性地覆蓋電極焊盤(pán)21E及第一鍵合線36的一部分，將第二半導(dǎo)體芯片22中 間隔著第二絕緣粘接劑32裝載到第一半導(dǎo)體芯片21上時(shí)，不會(huì)產(chǎn)生該第二 半導(dǎo)體芯片22和所述第一鍵合線36的接觸。而且，能夠防止因第一鍵合線36變形而導(dǎo)致第一鍵合線36相互之間發(fā) 生短路，進(jìn)一步能夠防止在與電極焊盤(pán)21E的接觸部上該第一鍵合線36發(fā) 生斷線。而且，與所述第一實(shí)施例同樣地，在第一半導(dǎo)體芯片21上，以選擇性 地覆蓋電極焊盤(pán)21E上部及第一鍵合線36的一部分的方式配置所述第一絕 緣粘接劑31，因此在進(jìn)行這種覆蓋處理時(shí)，易于控制該第一絕緣粘接劑31 的高度(厚度)。即，當(dāng)在該第一半導(dǎo)體芯片21上層疊并裝載第二半導(dǎo)體 芯片22時(shí)，由于存在進(jìn)行過(guò)高度控制的第一絕緣粘接劑31，從而能夠使該 第一半導(dǎo)體芯片21和第二半導(dǎo)體芯片22之間的距離固定，并層疊配置該第 一半導(dǎo)體芯片21和第二半導(dǎo)體芯片22。從而，中間隔著第二絕緣粘接劑32裝載并粘合第二半導(dǎo)體芯片22時(shí)， 能夠使該第二半導(dǎo)體芯片22不發(fā)生傾斜，而使第一半導(dǎo)體芯片21的表面和 第二半導(dǎo)體芯片22的表面平行，其中該第二絕緣粘接劑32是以覆蓋第一半 導(dǎo)體芯片21表面的方式配置的。更進(jìn)一步，由第一絕緣粘接劑31及第二絕緣粘接劑32粘合第一半導(dǎo)體 芯片21和第二半導(dǎo)體芯片22，其中該第二絕緣粘接劑32以具有與該第一絕 緣粘接劑31相同高度(厚度)的方式配置。從而，與所述第一實(shí)施例所示的結(jié)構(gòu)相比，能夠降低第二半導(dǎo)體芯片22的裝載高度，從而能夠使整個(gè)半導(dǎo)體器件120的厚度變薄地構(gòu)成。即使在這種結(jié)構(gòu)中，與第一實(shí)施例一樣，也能夠?qū)⑺龅谝话雽?dǎo)體芯片21的電極焊盤(pán)21E配置在與第二半導(dǎo)體芯片22重疊的區(qū)域。即，該第二半 導(dǎo)體芯片22的大小不由第一半導(dǎo)體芯片21的電極焊盤(pán)21E的位置限制，該 第一半導(dǎo)體芯片21和第二半導(dǎo)體芯片22的組合具有高靈活性。(第三實(shí)施例)用圖3說(shuō)明本發(fā)明的芯片層疊型半導(dǎo)體器件的第三實(shí)施例。本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件130具有與所述第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件120相 同的結(jié)構(gòu)，但是特別地，在第一絕緣粘接劑31部的結(jié)構(gòu)上具有特點(diǎn)，其中， 該第一絕緣粘接劑31部用于進(jìn)行下層側(cè)的第一半導(dǎo)體芯片21和裝載在該第 --半導(dǎo)體芯片21上的上層側(cè)的第二半導(dǎo)體元件22的粘接。艮口，作為本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件130所具有的特征性結(jié)構(gòu)，利用第一絕 緣粘接劑31選擇性地覆蓋所述第一半導(dǎo)體芯片21的電極焊盤(pán)21E的外露部、 與該電極焊盤(pán)21E連接的鍵合線36、還有與該鍵合線36的另一端連接的襯 底11上的電極焊盤(pán)12，同時(shí)，利用第二絕緣粘接劑32覆蓋沒(méi)有被該第一絕 緣粘接劑31覆蓋的第一半導(dǎo)體芯片21表面。以使該第一絕緣粘接劑31及第二絕緣粘接劑32的高度為相同的高度的 方式，設(shè)定該第二絕緣粘接劑32的覆蓋量。而且，所述第二半導(dǎo)體芯片22被該第一絕緣粘接劑31及第二絕緣粘接 劑32粘接并粘合在該第一半導(dǎo)體芯片21上。此外，第一絕緣粘接劑31及第二絕緣粘接劑32是環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺 樹(shù)脂或者丙烯酸樹(shù)脂等的、具有熱固化性或熱塑性的樹(shù)脂粘接劑。而且，該第一絕緣粘接劑31及第二絕緣粘接劑32也可以分別具有不同 的物理性能。根據(jù)這種方式，與所述第一實(shí)施例及第二實(shí)施例一樣，利用第一絕緣粘 接劑31選擇性地覆蓋第一半導(dǎo)體芯片21的電極焊盤(pán)21E及整個(gè)第一鍵合線 36的延伸部分，將第二半導(dǎo)體芯片22中間隔著第二絕緣粘接劑32裝載到半 導(dǎo)體芯片21上時(shí)，該第二半導(dǎo)體芯片22和所述第一鍵合線36之間不會(huì)產(chǎn)生接觸。進(jìn)一步，由于利用第一絕緣粘接劑31覆蓋該鍵合線36的整個(gè)延伸部分， 因此該鍵合線36 —體地粘合在第一半導(dǎo)體芯片21及襯底1，從而能夠更有 效地防止其變形及/或斷線。而且，根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，在引出及延伸鍵合線36的方向上的第一半導(dǎo)體 芯片21的側(cè)面被第一絕緣粘接劑31覆蓋，其結(jié)果，該第一半導(dǎo)體芯片21 粘合在襯底11的程度由該第一絕緣粘接劑31加強(qiáng)。從而，在該半導(dǎo)體器件130的制造工序中、或者在該半導(dǎo)體器件130實(shí) 際工作時(shí)等，即使在第一半導(dǎo)體芯片21和襯底11之間的應(yīng)力集中的情況下， 也能夠防止該第一半導(dǎo)體芯片21和襯底11之間的剝離，所以半導(dǎo)體器件130 具有高可靠性。而且，與所述第二實(shí)施例一樣地，在第一半導(dǎo)體芯片21上，以覆蓋電 極焊盤(pán)21E上部及第一鍵合線36的方式配置所述第一絕緣粘接劑31，由此， 在進(jìn)行這種覆蓋處理時(shí)，易于控制該第一絕緣粘接劑31的高度(厚度)。艮口，當(dāng)在該第一半導(dǎo)體芯片21上層疊并裝載第二半導(dǎo)體芯片22時(shí)，由 于存在進(jìn)行過(guò)高度控制的第一絕緣粘接劑31，從而能夠使該第一半導(dǎo)體芯片 21和第二半導(dǎo)體芯片22之間的距離固定，并層疊配置該第一半導(dǎo)體芯片21 和第二半導(dǎo)體芯片22。從而，中間隔著配置在第一半導(dǎo)體芯片21上的第二絕緣粘接劑32，裝 載并粘合第二半導(dǎo)體芯片22時(shí)，能夠使該第二半導(dǎo)體芯片22不發(fā)生傾斜， 而使第一半導(dǎo)體芯片21的表面和第二半導(dǎo)體芯片22的表面平行。更進(jìn)一歩，由第一絕緣粘接劑31及第二絕緣粘接劑32，粘合第一半導(dǎo) 體芯片21和第二半導(dǎo)體芯片22，其中該第二絕緣粘接劑32是以與該第一絕 緣粘接劑31具有相同的高度(厚度)的方式配置的。從而，與所述第一實(shí)施例所示的結(jié)構(gòu)相比，能夠降低第二半導(dǎo)體芯片22 的裝載高度，能夠使整個(gè)半導(dǎo)體器件130的厚度變薄地構(gòu)成。在這種結(jié)構(gòu)中，與所述第一實(shí)施例及第二實(shí)施例一樣地，能夠?qū)⑺龅?一半導(dǎo)體芯片21的電極焊盤(pán)21E配置在與第二半導(dǎo)體芯片22重疊的區(qū)域。艮口 ，該第二半導(dǎo)體芯片22的大小不由第一半導(dǎo)體芯片21的電極焊盤(pán)21E 的位置限制，該第一半導(dǎo)體芯片21和第二半導(dǎo)體芯片22具有高的組合上的 靈活性。(第四實(shí)施例)用圖4說(shuō)明本發(fā)明的芯片層疊型半導(dǎo)體器件的第四實(shí)施例。本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件140具有與所述第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件120相 同的結(jié)構(gòu)，但是特別地，在第二絕緣粘接劑32部的結(jié)構(gòu)上具有特點(diǎn)，其中 該第二絕緣粘接劑32部粘接下層側(cè)的第一半導(dǎo)體芯片21和裝載在該第一半 導(dǎo)體芯片21上的上層側(cè)的第二半導(dǎo)體元件22。艮口，作為圖4所示的半導(dǎo)體器件140的特征性結(jié)構(gòu)，第二絕緣粘接劑32 中含有由絕緣材料的粒子構(gòu)成的填料(filler) 330。該填料330由絕緣材料的粒子形成，其中該絕緣材料由氧化鋁 (alumina)、氧化硅(silica)、氧化鎂、氮化硅、氮化硼或氮化鋁等無(wú)機(jī)材 料、或者丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂、聚酰亞胺類(lèi)樹(shù)脂或橡膠類(lèi)樹(shù)脂等的有機(jī)材料等構(gòu)成， 并且該填料330的最大外形尺寸(若為球狀，則指直徑)成為比鍵合線36 還大的值，而且該填料330包含在第二絕緣粘接劑32中。這樣，根據(jù)使第二絕緣粘接劑32含有填料330的方式，不但具有與所 述第二實(shí)施例相同的效果，而且還具有如下效果，即，將第二半導(dǎo)體芯片22 層疊裝載在第一半導(dǎo)體芯片21上時(shí)，能夠通過(guò)使該填料330分散含有在第 二絕緣粘接劑32中，規(guī)定第一半導(dǎo)體芯片21和第二半導(dǎo)體芯片22之間的 距離。而且，能夠平行地配置該第一半導(dǎo)體芯片21和第二半導(dǎo)體芯片22。因 此，能夠防止向第二半導(dǎo)體芯片22上的電極焊盤(pán)24連接鍵合線37時(shí)發(fā)生 連接不良及/或位置偏差。而且，在第一半導(dǎo)體芯片21上，當(dāng)?shù)谝浑姌O焊盤(pán)21E配置在半導(dǎo)體芯 片的中央部分時(shí)、或者將其僅配置在該半導(dǎo)體芯片21的一個(gè)邊緣部分時(shí)等， 僅第一絕緣粘接劑31難于以與第一半導(dǎo)體芯片21平行的方式支撐第二半導(dǎo) 體芯片22的情況下，也能夠通過(guò)使第二絕緣粘接劑21含有填料330，以與 該第二半導(dǎo)體芯片22并行的方式支撐。而且，在第二半導(dǎo)體芯片22的厚度例如薄到50pm以下等的情況下，當(dāng) 將第二半導(dǎo)體芯片22層疊配置在第一半導(dǎo)體芯片21上時(shí)，因第二半導(dǎo)體芯 片22容易彎曲變形而起到有效作用。而且，通過(guò)利用具有彈性的有機(jī)材料形成該填料330，將第二半導(dǎo)體芯 片22層疊并裝載在第一半導(dǎo)體芯片21上時(shí)，能夠減少因施加在該第二半導(dǎo) 體芯片22上的負(fù)荷而使形成在第一半導(dǎo)體芯片21上的功能部受到的壓力， 從而能夠抑制基于該功能部的斷線等發(fā)生工作不良。從而，能夠形成這樣一種芯片層疊型半導(dǎo)體器件將第一半導(dǎo)體芯片21 的電極焊盤(pán)21E配置在與第二半導(dǎo)體芯片22重疊的區(qū)域，而且第一半導(dǎo)體 芯片21和第二半導(dǎo)體芯片22的組合的靈活性提高，可靠性高而且更薄。(第四實(shí)施例的變形例)用圖5說(shuō)明本發(fā)明的芯片層疊型半導(dǎo)體器件的所述第四實(shí)施例的變形例。本變形例的半導(dǎo)體器件145具有與第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件110相同的 基本結(jié)構(gòu)，但是特別地，在第二絕緣粘接劑32部的結(jié)構(gòu)上具有特點(diǎn)，其中， 該第二絕緣粘接劑32部粘接下層側(cè)的第一半導(dǎo)體芯片21和裝載在該第一半 導(dǎo)體芯片21上的上層側(cè)的第二半導(dǎo)體元件22。艮口，作為圖5所示的半導(dǎo)體器件145的特征性結(jié)構(gòu)，在第二絕緣粘接劑 32中含有由絕緣材料的粒子構(gòu)成的填料340。該填料340不同于所述第四實(shí)施例的填料330，其最大外形尺寸(若為 球狀，則指直徑)設(shè)定為比鍵合線36的直徑還大，且更進(jìn)一步成為比第一 絕緣粘接劑層31的厚度還大的尺寸，并且其包含在第二絕緣粘接劑32中。即使是這種方式，與所述實(shí)施例一樣地，發(fā)揮保持第二半導(dǎo)體芯片22 平行等的效果。(第五實(shí)施例)用圖6說(shuō)明本發(fā)明的芯片層疊型半導(dǎo)體器件的第五實(shí)施例。 本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件150具有與所述第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件120相 同的結(jié)構(gòu)，但是特別地，在下層側(cè)的第一半導(dǎo)體芯片21和上層側(cè)的第二半 導(dǎo)體元件22之間的接合部的結(jié)構(gòu)上具有特征，其中該第二半導(dǎo)體元件22裝 載在該第一半導(dǎo)體芯片21上。艮口，作為該半導(dǎo)體器件150所具有的特征性結(jié)構(gòu)，利用第一絕緣粘接劑31選擇性地覆蓋所述第一半導(dǎo)體芯片21的電極焊盤(pán)21E的外露部以及鍵合 線36的與該電極焊盤(pán)21E連接的一部分，而利用密封用樹(shù)脂41覆蓋用該第 一絕緣粘接劑31沒(méi)有覆蓋的第一半導(dǎo)體芯片21表面區(qū)域。而且，第二半導(dǎo)體芯片22被密封用樹(shù)脂41粘合在第一半導(dǎo)體芯片21 上，其中該密封用樹(shù)脂41容置于第一絕緣粘接劑31及容納在第一半導(dǎo)體芯 片21第二半導(dǎo)體芯片22之間。根據(jù)這種方式，不但具有與所述第二實(shí)施例相同的效果，而且還具有如 下的效果，即，由于利用密封用樹(shù)脂41覆蓋第二半導(dǎo)體芯片22的除了與第 一絕緣粘接劑31接觸的部分以外的、包括上表面及底面的外露部的整體， 所以能夠減小該第二半導(dǎo)體芯片22的上表面及背面所產(chǎn)生的應(yīng)力差。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，能夠防止該第二半導(dǎo)體芯片22的上表面部分與密封用 樹(shù)脂41之間發(fā)生的剝離現(xiàn)象，該剝離現(xiàn)象由在半導(dǎo)體芯片的上表面及背面 所產(chǎn)生的應(yīng)力差引起。而且，在該第二半導(dǎo)體芯片22的厚度是薄為50lam左右時(shí)，能夠防止由 發(fā)生在其上表面及背面的應(yīng)力差導(dǎo)致的該第二半導(dǎo)體芯片22的破裂。而且，通過(guò)不應(yīng)用所述第二實(shí)施例所示的半導(dǎo)體器件120中的第二絕緣 粘接劑32，能夠減少所構(gòu)成的構(gòu)件數(shù)目及制造工序數(shù)目，從而能夠以更低的 成本制造該半導(dǎo)體器件150。此外，與所述第二實(shí)施例一樣地，在第一半導(dǎo)體芯片21上，以選擇性 地覆蓋電極焊盤(pán)21E上部及第一鍵合線36的方式配置所述第一絕緣粘接劑 31，由此，在進(jìn)行這種覆蓋處理時(shí)，易于控制該第一絕緣粘接劑31的高度 (厚度)。艮口，當(dāng)在該第一半導(dǎo)體芯片21上層疊并裝載第二半導(dǎo)體芯片22時(shí)，由 于存在進(jìn)行過(guò)高度控制的第一絕緣粘接劑31，所以能夠使該第一半導(dǎo)體芯片 21和第二半導(dǎo)體芯片22之間的距離固定，并層疊配置該第一半導(dǎo)體芯片21 和第二半導(dǎo)體芯片22。從而，中間隔著在第一半導(dǎo)體芯片21上且容置于其與第二半導(dǎo)體芯片 22之間的密封用樹(shù)脂41，裝載并粘合第二半導(dǎo)體芯片22時(shí)，能夠使該第二 半導(dǎo)體芯片22不發(fā)生傾斜，而使第一半導(dǎo)體芯片21的表面和第二半導(dǎo)體芯 片22的表面平行。從而，能夠以更低成本獲得這樣一種芯片層疊型半導(dǎo)體器件一半導(dǎo)體芯片21的電極焊盤(pán)21E配置在與第二半導(dǎo)體芯片22重 第一半導(dǎo)體芯片21和第二半導(dǎo)體芯片22的組合具有高的靈活性而且更薄。(第六實(shí)施例)用圖7說(shuō)明本發(fā)明的芯片層疊型半導(dǎo)體器件的第六實(shí)施例。 本變形例的半導(dǎo)體器件160具有與所述第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件120相 同的基本結(jié)構(gòu)，但是特別地，在第二絕緣粘接劑32部的結(jié)構(gòu)上具有特點(diǎn)， 該第二絕緣粘接劑32部粘接下層側(cè)的第一半導(dǎo)體芯片21和裝載在該第一半 導(dǎo)體芯片21上的上層側(cè)的第二半導(dǎo)體元件22。艮口，作為該半導(dǎo)體器件160所具有的特征性結(jié)構(gòu)，利用第一絕緣粘接劑 31選擇性地覆蓋所述第一半導(dǎo)體芯片21的電極焊盤(pán)21E的外露部以及鍵合 線36的與該電極焊盤(pán)21E連接的一部分，同時(shí)，在沒(méi)有被該第一絕緣粘接 劑31覆蓋的第一半導(dǎo)體芯片21表面區(qū)域，局部地以島狀配置第二絕緣粘接 劑32。而且，第二半導(dǎo)體芯片22被第一絕緣粘接劑31、第二絕緣粘接劑32及 注入并容置于第一半導(dǎo)體芯片21和第二半導(dǎo)體芯片22之間的密封用樹(shù)脂41 粘合在第一半導(dǎo)體芯片21上。根據(jù)這種方式，具有與所述第二實(shí)施例相同的效果，而且利用密封用樹(shù) 脂41覆蓋第二半導(dǎo)體芯片22的除了與第一絕緣粘接劑31及第二絕緣粘接 劑32接觸的部分以外的、包括上表面及底面的外露部的整體。因此，能夠 減小在該第二半導(dǎo)體芯片22的上表面及背面所產(chǎn)生的應(yīng)力差。而且，根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，能夠防止在該第二半導(dǎo)體芯片22的上表面部分 與密封用樹(shù)脂41之間發(fā)生的剝離現(xiàn)象，該剝離現(xiàn)象由發(fā)生在半導(dǎo)體芯片的 上表面及背面的應(yīng)力差引起。而且，在該第二半導(dǎo)體芯片22的厚度薄到5(Hmi左右時(shí)，能夠防止因發(fā) 生在其上表面及背面的應(yīng)力差而導(dǎo)致該第二半導(dǎo)體芯片22的破裂。進(jìn)一步地，利用第一絕緣粘接劑31及第二絕緣粘接劑32粘合第一半導(dǎo) 體芯片21和第二半導(dǎo)體芯片22，當(dāng)向該第一半導(dǎo)體芯片21和第二半導(dǎo)體芯，即，將第 疊的區(qū)域， 、可靠性高片22之間充填密封用樹(shù)脂41時(shí)，能夠抑制因該密封用樹(shù)脂41的充填中產(chǎn) 生的應(yīng)力而導(dǎo)致第一半導(dǎo)體芯片21和第二半導(dǎo)體芯片22之間發(fā)生剝離。此外，與所述第五實(shí)施例一樣地，在第一半導(dǎo)體芯片21上，以選擇性 地覆蓋第一電極焊盤(pán)21E上部及第一鍵合線36的方式配置所述第一絕緣粘 接劑31，由此，在進(jìn)行這種覆蓋處理時(shí)，易于控制該第一絕緣粘接劑31的4艮口， ^在該第一半導(dǎo)體芯片21上層疊并裝載第二半導(dǎo)體芯片22時(shí)，由 于存在進(jìn)行過(guò)高度控制的第一絕緣粘接劑31，所以能夠使該第一半導(dǎo)體芯片 21和第二半導(dǎo)體芯片22之間的距離固定來(lái)層疊配置該第一半導(dǎo)體芯片21和 第二半導(dǎo)體芯片22。從而，中間隔著覆蓋在第一半導(dǎo)體芯片21上的第二絕緣粘接劑32及密 封用樹(shù)脂41，裝載并粘合第二半導(dǎo)體芯片22時(shí)，能夠使該第二半導(dǎo)體芯片 22不發(fā)生傾斜，而使第一半導(dǎo)體芯片21的表面和第二半導(dǎo)體芯片22的表面 平行。從而，能夠以更低成本獲得這樣一種芯片層疊型半導(dǎo)體器件，即，能夠 將第一半導(dǎo)體芯片21的電極焊盤(pán)21E配置在與第二半導(dǎo)體芯片22重疊的區(qū) 域，而且第一半導(dǎo)體芯片21和第二半導(dǎo)體芯片22的組合具有高的靈活性、可靠性高且更薄。(第七實(shí)施例)用圖8說(shuō)明本發(fā)明的芯片層疊型半導(dǎo)體器件的第七實(shí)施例。 本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件170應(yīng)用了作為芯片裝載構(gòu)件的引線框架70。 艮口，本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件170具有作為芯片裝載構(gòu)件及引線引出構(gòu)件的引線框架70;裝載在該引線框架70的管芯臺(tái)面(die stage) 71上的下層側(cè)的第一半導(dǎo)體芯片21;中間隔著絕緣粘接劑層疊在該第一半導(dǎo)體芯片21上的上層側(cè)的第二半導(dǎo)體芯片22。而且，還具有鍵合線36，其連接第一半導(dǎo)體芯片21的電極焊盤(pán)21E和引線框架70的內(nèi)部引線部72;鍵合線37，其連接第二半導(dǎo)體芯片22的電極焊盤(pán)22E和引線框架的內(nèi)部引線部72。而且，利用密封用樹(shù)脂41密封所述半導(dǎo)體芯片21、 22、鍵合線36、 37及引線框架70等，并將所述內(nèi)部引線的另一端的外部引線73設(shè)定為外部連接端子。此外，第一半導(dǎo)體芯片21利用粘接劑51而粘合在所述管芯臺(tái)面71上 面，該粘接劑51由絕緣性樹(shù)脂或者導(dǎo)電性樹(shù)脂構(gòu)成，其中，該絕緣性樹(shù)脂 由環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成，該導(dǎo)電性樹(shù)脂由含有銀(Ag)等金屬粒子的環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成。而且，所述鍵合線36、 37由金(Au)線、鋁(Al)線或者銅(Cu)線 構(gòu)成，并且通過(guò)公知的引線鍵合法連接。更進(jìn)一歩，應(yīng)用了環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂作為所述密封用樹(shù)脂41。作為具有這種結(jié)構(gòu)的本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件170所具有的特征性結(jié)構(gòu)， 由第一絕緣粘接劑31選擇性地覆蓋所述第一半導(dǎo)體芯片21的電極焊盤(pán)21E 的外露部、以及鍵合線36的與該電極焊盤(pán)21E連接的一部分、即至少位于 該第一半導(dǎo)體芯片21上的部分，同時(shí)，由第二絕緣粘接劑32覆蓋沒(méi)有被該 第一絕緣粘接劑31覆蓋的第一半導(dǎo)體芯片21表面。以使該第一絕緣粘接劑31及第二絕緣粘接劑32的高度成為相等的高度 的方式，設(shè)定該第二絕緣粘接劑32的覆蓋量。而且，所述第二半導(dǎo)體芯片22被該第一絕緣粘接劑31及第二絕緣粘接 劑32粘接、固定在該第一半導(dǎo)體芯片21上。此外，第一絕緣粘接劑31及第二絕緣粘接劑32是環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺 樹(shù)脂或者丙烯酸樹(shù)脂等的、具有熱固化性或熱塑性的樹(shù)脂粘接劑。而且，該第一絕緣粘接劑31和第二絕緣粘接劑32也可以分別具有不同 的物理性能。根據(jù)這種方式，與所述第二實(shí)施例一樣，利用第一絕緣粘接劑31選擇 性地覆蓋電極焊盤(pán)23及第一鍵合線36的一部分，所以將第二半導(dǎo)體芯片22 中間隔著第二絕緣粘接劑32裝載到第一半導(dǎo)體芯片21上時(shí)，該第二半導(dǎo)體 芯片22和所述第一鍵合線36不會(huì)產(chǎn)生接觸。進(jìn)一步地，能夠防止因第一鍵合線36變形而導(dǎo)致第一鍵合線36相互之 間發(fā)生短路，還能夠防止在與電極焊盤(pán)23的接觸部上該第一鍵合線36中發(fā) 生斷線。而且，與所述第二實(shí)施例一樣，在第一半導(dǎo)體芯片21上，以選擇性地 覆蓋電極焊盤(pán)21E上部及第一鍵合線36的一部分的方式配置所述第一絕緣粘接劑31，因此在進(jìn)行這種覆蓋處理時(shí)，易于控制該第一絕緣粘接劑31的咼度(厚度)o由此，當(dāng)在該第一半導(dǎo)體芯片21上層疊并裝載第二半導(dǎo)體芯片22時(shí)， 由于存在進(jìn)行過(guò)高度控制的第一絕緣粘接劑31，所以能夠使該第一半導(dǎo)體芯 片21和第二半導(dǎo)體芯片22之間的距離固定。艮P，在第一半導(dǎo)體芯片21上，中間隔著第一絕緣粘接劑32而裝載并粘 合第二半導(dǎo)體芯片22時(shí)，能夠以不發(fā)生傾斜的方式層疊并配置該第二半導(dǎo) 體芯片22。更進(jìn)一步，與所述第二實(shí)施例一樣，由第一絕緣粘接劑31及第二絕緣 粘接劑32粘合第一半導(dǎo)體芯片21和第二半導(dǎo)體芯片22，其中該第二絕緣粘 接劑32是以與該第一絕緣粘接劑31相同的高度(厚度)來(lái)配置的。從而，與所述第一實(shí)施例所示的結(jié)構(gòu)相比，能夠降低第二半導(dǎo)體芯片22 的裝載高度，并且能夠使整個(gè)半導(dǎo)體器件170的厚度變薄而構(gòu)成。更進(jìn)一步，以低成本地獲得這樣一種芯片層疊型半導(dǎo)體器件，即能夠?qū)?第一半導(dǎo)體芯片21的電極焊盤(pán)21E配置在與第二半導(dǎo)體芯片22重疊的區(qū)域， 而且第一半導(dǎo)體芯片21和第二半導(dǎo)體芯片22的組合具有高靈活性，可靠性 高且更薄。(第八實(shí)施例)用圖9A及圖9B說(shuō)明本發(fā)明的芯片層疊型半導(dǎo)體器件的第八實(shí)施例。 本實(shí)施例的芯片層疊型半導(dǎo)體器件180具有與第一實(shí)施例至第六實(shí)施例 的半導(dǎo)體器件相同的基本結(jié)構(gòu)，但是如圖9A所示那樣被層疊的半導(dǎo)體芯片 具有如下結(jié)構(gòu)，即在其表面的大致中央部分以直線狀配置有多個(gè)電極焊盤(pán)。 艮口，作為本實(shí)施例的該半導(dǎo)體器件180所具有的特征性結(jié)構(gòu)，如圖9(B) 所示地，半導(dǎo)體芯片21及半導(dǎo)體芯片22的多個(gè)電極焊盤(pán)21E (22E)以直 線狀配置在該半導(dǎo)體芯片21、 22各自表面的大致中央部分。從而，從該電極焊盤(pán)21E (22E)引出并與襯底ll上的電極焊盤(pán)連接的 鍵合線36 (37)與前述實(shí)施例所示的結(jié)構(gòu)相比其長(zhǎng)度長(zhǎng)。這種長(zhǎng)的鍵合線容易產(chǎn)生變形、斷線或者與其它鍵合線的接觸等。 因此，利用第一絕緣粘接劑31選擇性地覆蓋所述第一半導(dǎo)體芯片21的電極焊盤(pán)21E的外露部、以及鍵合線36的與該電極焊盤(pán)21E連接的一部分 即至少位于該第一半導(dǎo)體芯片21上的部分。而且，利用第二絕緣粘接劑32覆蓋該鍵合線36的位于該第一半導(dǎo)體芯 片21上的剩余部分。該第二絕緣粘接劑32也覆蓋配置在第一絕緣粘接劑31上。而且，所述第二半導(dǎo)體芯片22由該第二絕緣粘接劑32粘合在第一半導(dǎo) 體芯片21上，其中該第二絕緣粘接劑32是以覆蓋第一半導(dǎo)體芯片21上部 及第一絕緣粘接劑31上部的方式配置的。進(jìn)一步地，利用第三絕緣粘接劑33選擇性地覆蓋該第二半導(dǎo)體芯片22 的電極焊盤(pán)22E的外露部、以及鍵合線37的與該電極焊盤(pán)22E連接的一部 分即至少位于該第二半導(dǎo)體芯片22上的部分。此外，第一絕緣粘接劑31、第二絕緣粘接劑32及第三絕緣粘接劑33是 環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂或者丙烯酸樹(shù)脂等、具有熱固化性或熱塑性的樹(shù)脂 粘接劑。而且，該第一絕緣粘接劑31 、第二絕緣粘接劑32及第三絕緣粘接劑33 也可以分別具有不同的物理性能。根據(jù)這種本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件180的方式，即使在采用將電極焊盤(pán)配 置在中央部分的半導(dǎo)體芯片的情況下，也能夠容易地構(gòu)成芯片層疊型半導(dǎo)體器件。而且，在第二芯片上，利用第三絕緣粘接劑33覆蓋并固定第二鍵合線 37的一部分，其中該第二鍵合線37與層疊的第二芯片連接，當(dāng)由密封用樹(shù) 脂41密封時(shí)，能夠防止因密封用樹(shù)脂41的流動(dòng)而引起的該第二鍵合線37 的變形，從而能夠防止相鄰的鍵合線之間相互接觸。作為本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件180的其它特征性結(jié)構(gòu)，在所述電極焊盤(pán) 21E、 22E上配置有凸塊(bump) 27、 28，而且對(duì)于鍵合線與所對(duì)應(yīng)的該凸 塊27、 28實(shí)施有針腳式鍵合(stitchbonding)。由金、銅、金合金或者銅合金等金屬形成該凸塊27、 28，而且，針腳式 鍵合將與所述襯底上的電極12、 13的連接設(shè)定為第一鍵合，而將與凸塊27、 28的連接設(shè)定為第二鍵合。這種鍵合方式稱(chēng)作反向鍵合(reverse bonding) 法。這樣地，事先在電極焊盤(pán)上形成凸塊，通過(guò)反向鍵合法進(jìn)行引線連接，從而能夠降低引線環(huán)(wire loop)的高度，進(jìn)而能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體器件的薄型結(jié)構(gòu)。還有，由于通過(guò)凸塊連接電極焊盤(pán)和鍵合引線，所以能夠提高鍵合引線的連接強(qiáng)度。而且，由于該凸塊起到作為間隔物的功能，所以能夠防止因引線環(huán)下垂 而導(dǎo)致與芯片的半導(dǎo)體芯片的電路面以及/或者半導(dǎo)體芯片的角部等接觸。 根據(jù)需要也能夠?qū)⑦@種反向鍵合法應(yīng)用到所述實(shí)施例的任何一個(gè)。 在此，圖IOA、圖IOB及圖IOC示出了，所述第一實(shí)施例至第八實(shí)施例 所示的、本發(fā)明的芯片層疊型半導(dǎo)體器件的兩個(gè)半導(dǎo)體芯片21、 22的層疊 方式。裝載在芯片裝載構(gòu)件11或者管芯臺(tái)面71上的第一半導(dǎo)體芯片21和層 疊配置在該第一半導(dǎo)體芯片21上的第二半導(dǎo)體芯片22，能夠根據(jù)兩個(gè)半導(dǎo) 體芯片各自的形狀及尺寸采用各種層疊形式。圖IOA示出了，在下層側(cè)的第一半導(dǎo)體芯片21與上層側(cè)的第二半導(dǎo)體 芯片22的大小相同情況下，鍵合線的引出方式。在這種結(jié)構(gòu)中，將第一鍵合線36連接第一半導(dǎo)體芯片21，將第二鍵合 線37連接第二半導(dǎo)體芯片22。如此地，在上層側(cè)的第二半導(dǎo)體芯片22與下層側(cè)的第一半導(dǎo)體芯片21 的大小相同的情況下，能夠構(gòu)成堆疊封裝型半導(dǎo)體器件。圖IOB示出了，在所層疊的第一半導(dǎo)體芯片21和第二半導(dǎo)體芯片22具有不同外形尺寸的情況下，鍵合線的引出方式。在這種結(jié)構(gòu)中，在圖面的上下方向上，第一半導(dǎo)體芯片21比第二半導(dǎo) 體芯片22大，另一方面，在圖面的左右方向上，第二半導(dǎo)體芯片22比第一 半導(dǎo)體芯片21大。在這種結(jié)構(gòu)中，第一鍵合線36與第一半導(dǎo)體芯片21連 接，第二鍵合線37與第二半導(dǎo)體芯片22連接。此時(shí)，以所謂的交錯(cuò)狀配置第一半導(dǎo)體芯片21的電極焊盤(pán)21E。從而， 與該交錯(cuò)排列對(duì)應(yīng)地引出與該電極焊盤(pán)21E連接的鍵合線36。如此地，在下層側(cè)的第一半導(dǎo)體芯片21與上層側(cè)的第二半導(dǎo)體芯片22 的大小不同的情況下，能夠構(gòu)成堆疊封裝型半導(dǎo)體器件。而且，在采用了交錯(cuò)配置的半導(dǎo)體芯片的情況下，第一鍵合線36的間隔變得微細(xì)，從而第一鍵合線36變形時(shí)容易發(fā)生短路，但是，根據(jù)本發(fā)明， 如所述第一實(shí)施例至第八實(shí)施例所述地，能夠防止鍵合線之間發(fā)生短路。圖IOC示出了，在第一半導(dǎo)體芯片21和第二半導(dǎo)體芯片22具有不同外 形尺寸情況下的其它例子。與第一半導(dǎo)體芯片21相比，配置在該第一半導(dǎo) 體芯片21上的第二半導(dǎo)體芯片22在縱向及橫向上的尺寸都更大。第一鍵合線36連接在第一半導(dǎo)體芯片21上，第二鍵合線37連接在第 二半導(dǎo)體芯片22上。虛線所示的第一半導(dǎo)體芯片21的電極焊盤(pán)21E的位置配置在該第一半 導(dǎo)體芯片21的邊緣部?jī)?nèi)側(cè)，并且第一鍵合線36的長(zhǎng)度比第二鍵合線37的 長(zhǎng)度長(zhǎng)。如此地，根據(jù)本發(fā)明，即使在上層側(cè)的第二半導(dǎo)體芯片22比下層側(cè)的 第一半導(dǎo)體芯片21大的情況下，也能夠構(gòu)成堆疊封裝型半導(dǎo)體器件。而且，在第一電極焊盤(pán)配置在半導(dǎo)體芯片的邊緣部?jī)?nèi)側(cè)的半導(dǎo)體芯片的 情況下，向第一半導(dǎo)體芯片21連接的鍵合線36的長(zhǎng)度變長(zhǎng)，所以易發(fā)生變 形或者短路，但是，如第一實(shí)施例至第八實(shí)施例所述地，能夠防止發(fā)生短路。而且，即使在第一實(shí)施例至第八實(shí)施例所示的、任意一個(gè)本發(fā)明的芯片 層疊型半導(dǎo)體器件，當(dāng)制造半導(dǎo)體器件時(shí)，在向第一半導(dǎo)體芯片的第一電極 焊盤(pán)引線鍵合第一鍵合線之后，用第一絕緣粘接劑覆蓋第一電極焊盤(pán)及第一 鍵合線的至少一部分。用該第一絕緣粘接劑覆蓋第一電極焊盤(pán)及第一鍵合線，從而具有如下的 效果，在制造半導(dǎo)體器件的時(shí)候，當(dāng)將第二半導(dǎo)體芯片層疊并裝載在第一半 導(dǎo)體芯片上時(shí)，能夠防止與第一電極焊盤(pán)連接的第一鍵合線接觸到第二半導(dǎo) 體芯片的底面，而且能夠防止因第一鍵合線變形而導(dǎo)致第一鍵合線之間發(fā)生 短路、或者在與第一電極焊盤(pán)的連接部上發(fā)生斷線。而且，由于在第一半導(dǎo)體芯片上，以局部地覆蓋第一電極焊盤(pán)及第一鍵 合線一部分的方式配置該第一絕緣粘接劑，所以在覆蓋第一鍵合線時(shí)，控制 要配置第一絕緣粘接劑的部分的高度變得容易。由此，在第一半導(dǎo)體芯片上 層疊配置第二半導(dǎo)體芯片時(shí)，通過(guò)進(jìn)行過(guò)該高度控制的第一絕緣粘接劑的配 置部分，能夠?qū)⒌谝话雽?dǎo)體芯片和第二半導(dǎo)體芯片之間的距離控制為一定不 變。即，能夠使第二半導(dǎo)體芯片不產(chǎn)生傾斜，而層疊配置在第一半導(dǎo)體芯片上。由此，在將第二鍵合線連接到第二半導(dǎo)體芯片上的第二電極焊盤(pán)時(shí)，能 夠防止連接不良或者位置偏差。此外，第一絕緣粘接劑具有粘合第一半導(dǎo)體芯片和第二半導(dǎo)體芯片的粘 接功能。而且，如果采用所謂的"反向鍵合法"進(jìn)行引線鍵合，則能夠降低第一 鍵合線的引線環(huán)的高度，其中，所謂的"反向鍵合法"是通過(guò)球焊將鍵合焊 盤(pán)和第一鍵合線鍵合之后，通過(guò)針腳式鍵合將第一電極焊盤(pán)和第一鍵合線鍵 合，從而將鍵合焊盤(pán)和第一電極焊盤(pán)引線鍵合的方法。由此，能夠減少所供給的第一絕緣粘接劑的量，而且能夠降低要配置絕 緣粘接劑的部分的高度，并且還易于高精度地控制，因此將第二半導(dǎo)體芯片 裝載在第一半導(dǎo)體芯片時(shí)，易于控制第二半導(dǎo)體芯片的水平度，而且還能夠 構(gòu)成更薄的半導(dǎo)體器件。接著，圖11A、圖11B、圖11C、圖11D、圖12E、圖12F及圖12G示 出了，所述第一實(shí)施例至第八實(shí)施例所示的、本發(fā)明的芯片層疊型半導(dǎo)體器 件中的、絕緣粘接劑對(duì)于向電極焊盤(pán)連接的鍵合線連接部位的覆蓋方式，以 及絕緣粘接劑對(duì)半導(dǎo)體芯片的覆蓋方式。圖11A示出了，在下層側(cè)的第一半導(dǎo)體芯片21中，將第一鍵合線36與 多個(gè)第一電極焊盤(pán)21E連接，其中該多個(gè)第一電極焊盤(pán)21E列狀地配置在對(duì) 置兩邊的邊緣附近，并且利用第一絕緣粘接劑31選擇性地覆蓋該第一電極 焊盤(pán)21E上部及第一鍵合線36的一部分。第一絕緣粘接劑31 —體地覆蓋列狀地配置的第一電極焊盤(pán)21E的焊盤(pán) 列、以及與該第一電極焊盤(pán)21E連接的第一鍵合線36的引線列。這種方式 是能夠應(yīng)用于所述實(shí)施例1、 2、 4、 5、 6及7的方式，且能夠獲得該實(shí)施例 所示的效果。而且，圖11B示出了，在下層側(cè)的第一半導(dǎo)體芯片21中，將第一鍵合 線36與多個(gè)第一電極焊盤(pán)21E連接，其中該多個(gè)電極焊盤(pán)21E列狀地配置 在對(duì)置兩邊的邊緣附近，并且利用第一絕緣粘接劑31選擇性地覆蓋第一鍵 合線36的延伸部的整體。第一絕緣粘接劑31不但一體地、 一同覆蓋列狀地配置的電極焊盤(pán)21E 的焊盤(pán)列以及與第一鍵合線36的引線列，同時(shí)還沿著該第一鍵合線36的延伸部覆蓋其整體。這種方式為與所述實(shí)施例3所示的半導(dǎo)體器件130對(duì)應(yīng)的方式，且能夠獲得該實(shí)施例3所示的效果。而且，圖11C示出了，在下層側(cè)的所述第一半導(dǎo)體芯片21中，將第一 鍵合線36與多個(gè)第一電極焊盤(pán)21E連接，該多個(gè)電極焊盤(pán)21E列狀地配置 在對(duì)置兩邊的邊緣附近，并且利用第一絕緣粘接劑31選擇性地覆蓋該電極 焊盤(pán)1及第一鍵合線36的一部分。第一絕緣粘接劑31獨(dú)立地覆蓋列狀地配置的電極焊盤(pán)21E、以及第一鍵 合線36的與該電極焊盤(pán)21E連接的一部分。這種方式是代替所述圖IIA所 示的方式而能夠應(yīng)用到所述實(shí)施例1、 2、 4、 5、 6及7的方式，且該方式也 能夠獲得該實(shí)施例所示的效果。進(jìn)一步地，通過(guò)向每個(gè)電極焊盤(pán)21E供給并覆蓋第一絕緣粘接劑31，能 夠降低覆蓋著該第一絕緣粘接劑31的部分的高度，并且易于高精度地控制 該第一絕緣粘接劑31的量，因此在將第二半導(dǎo)體芯片22裝載在第一半導(dǎo)體 芯片21上時(shí)，易于控制該第二半導(dǎo)體芯片22表面的傾斜。而且，圖11D示出了，在下層側(cè)的半導(dǎo)體芯片21中，將第一鍵合線36 連接在列狀地配置在四邊的邊緣附近的多個(gè)電極焊盤(pán)21E的每一個(gè)，其中利 用第一絕緣粘接劑31選擇性地覆蓋對(duì)置兩邊的一部分電極焊盤(pán)21E及第一 鍵合線36的一部分。第一絕緣粘接劑31 —體地覆蓋以交錯(cuò)狀配置的電極焊盤(pán)21E的焊盤(pán)列、 以及與該電極焊盤(pán)21E連接的第一鍵合線36的引線列。這種方式還是能夠 應(yīng)用到所述實(shí)施例l、 2、 4、 5、 6及7的方式。此外，所述實(shí)施例6所示的半導(dǎo)體器件160，在下層側(cè)的第一半導(dǎo)體芯 片21中，不僅利用第一絕緣粘接劑31覆蓋電極焊盤(pán)21E和第一鍵合線36， 而且在第一半導(dǎo)體芯片21上選擇性地覆蓋第二絕緣粘接劑32。下面示出了該第二絕緣粘接劑32B的覆蓋方式。圖12E示出了，在所述 圖11C所示的方式，即將第一鍵合線36與多個(gè)電極焊盤(pán)21E連接，該多個(gè) 電極焊盤(pán)21E列狀地配置在下層側(cè)的第一半導(dǎo)體芯片21的一組對(duì)置兩邊的 邊緣部，并且第一絕緣粘接劑31個(gè)別地覆蓋電極焊盤(pán)21及第一鍵合線36 的一部分，在此基礎(chǔ)上，第二絕緣粘接劑32選擇性地、孤立的島狀覆蓋該第一半導(dǎo)體芯片21的表面。由這些第一絕緣粘接劑31及第二絕緣粘接劑32，將第二半導(dǎo)體芯片22 (未圖示)粘合在該第一半導(dǎo)體芯片21上。如實(shí)施例6所說(shuō)明地，在不存在該第一絕緣粘接劑31及第二絕緣粘接 劑32的第一半導(dǎo)體芯片21和第二半導(dǎo)體芯片22之間充填密封用樹(shù)脂41 。而且，圖12F示出了，所述圖11A所示的方式，即將第一鍵合線36與 多個(gè)電極焊盤(pán)21E連接，該多個(gè)電極焊盤(pán)21E列狀地配置在下層側(cè)的第一半 導(dǎo)體芯片21的一組對(duì)置的兩邊的邊緣部，并且利用第一絕緣粘接劑31覆蓋 電極焊盤(pán)21E及第一鍵合線36的一部分，在此狀態(tài)下，將第二絕緣粘接劑 32選擇性地、帶狀地覆蓋在該第一半導(dǎo)體芯片21的表面。該第二絕緣粘接劑32B的兩個(gè)帶以沿著連接第一半導(dǎo)體芯片21角部的 方向、即對(duì)角線來(lái)延伸且交叉為X字形。由這些第一絕緣粘接劑31A及第二絕緣粘接劑31B，將第二半導(dǎo)體芯片 22 (未圖示)粘合在該第一半導(dǎo)體芯片21上。根據(jù)這種方式，與圖12F所 示的結(jié)構(gòu)相比，能夠利用第二絕緣粘接劑32更加堅(jiān)固地粘合第一半導(dǎo)體芯 片和第二半導(dǎo)體芯片。此外，在此將第二絕緣粘接劑32的覆蓋方式設(shè)定成沿第一半導(dǎo)體芯片 21的對(duì)角線的X字形，當(dāng)然不僅限于此。而且，即使在這種結(jié)構(gòu)，在不存 在第一絕緣粘接劑31及第二絕緣粘接劑32的第一半導(dǎo)體芯片21和第二半 導(dǎo)體芯片22之間也充填密封用樹(shù)脂41 。而且，圖12G示出了，所述圖11A所示的方式，即將第一鍵合線36與 多個(gè)電極焊盤(pán)21E連接，該多個(gè)電極焊盤(pán)21E列狀地配置在下層側(cè)的第一半 導(dǎo)體芯片21的一組對(duì)置的兩邊的邊緣部，并且利用第一絕緣粘接劑31覆蓋 該電極焊盤(pán)21E及第一鍵合線36的一部分，在上述狀態(tài)下，將第二絕緣粘 接劑32選擇性地、以平行的帶狀覆蓋該第一半導(dǎo)體芯片21的表面。該第二 絕緣粘接劑32的兩個(gè)帶與該第一半導(dǎo)體芯片21的電極焊盤(pán)列平行地延伸。由這些第一絕緣粘接劑31及第二絕緣粘接劑32，將第二半導(dǎo)體芯片22 (未圖示)粘合在該第一半導(dǎo)體芯片21上。根據(jù)這種方式，與圖12F所示 的結(jié)構(gòu)相比，能夠利用第二絕緣粘接劑32更加堅(jiān)固地粘合第一半導(dǎo)體芯片 和第二半導(dǎo)體芯片。而且，即使在這種結(jié)構(gòu)，也在不存在第一絕緣粘接劑31及第二絕緣粘接劑32的第一半導(dǎo)體芯片21和第二半導(dǎo)體芯片22之間充填密封用樹(shù)脂41 。 此時(shí)，將該密封用樹(shù)脂41的注入方向設(shè)定成與第一絕緣粘接劑31及第二絕 緣粘接劑32的配置方向平行(在圖示方向上為上下方向)，從而能夠快速 且可靠地充填該密封用樹(shù)脂41 。用實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明具有如上所述特征結(jié)構(gòu)的、本發(fā)明的芯片層疊型半導(dǎo) 體器件的制造方法。(第九實(shí)施例)圖13A、圖13B、圖13C、圖13D、圖13E、圖14F、圖14G、圖14H 及圖14I示出了，本發(fā)明的芯片層疊型半導(dǎo)體器件的制造方法的第一實(shí)施方 式，并將其作為第九實(shí)施例。在本實(shí)施例中，首先將下層側(cè)的第一半導(dǎo)體芯片21裝載在作為芯片裝 載構(gòu)件的襯底11上(參照?qǐng)D13A)。第一半導(dǎo)體芯片21的一側(cè)的主面(上 表面)具有電路及電極焊盤(pán)21E，另一方面，襯底11在裝載該半導(dǎo)體芯片 21的面上具有鍵合焊盤(pán)12、 13。在第一半導(dǎo)體芯片21的背面事先粘合有薄膜狀粘接劑51，并且一邊加 熱襯底11， 一邊將該第一半導(dǎo)體芯片21按壓到襯底11上，從而將該第一半 導(dǎo)體芯片21粘接并固定在襯底11上。此外，在這種粘合處理中，可以代替 對(duì)襯底11進(jìn)行加熱，而加熱第一半導(dǎo)體芯片21，也可以加熱襯底11和第一 半導(dǎo)體芯片21兩者。將加熱溫度設(shè)定成5(TC 10(TC左右，即設(shè)定為薄膜狀粘接劑51的粘度 降低的溫度。而且，也可以在將半導(dǎo)體芯片21裝載到襯底11上之后，將粘 接劑51、襯底ll及半導(dǎo)體芯片21加熱至12(rC 24(TC，從而使粘接劑51 固化。而且，也可以替代薄膜狀粘接劑51，而將液態(tài)狀粘接劑事先向襯底 ll供給。接下來(lái)，利用第一鍵合線36連接(引線鍵合)第一半導(dǎo)體芯片21的電 極焊盤(pán)21E和襯底11的電極焊盤(pán)12 (參照?qǐng)D13B)。在進(jìn)行該引線鍵合時(shí)，能夠應(yīng)用通常的鍵合法或者所謂"反向鍵合法" 的任意一個(gè)方法，其中，該通常的鍵合法是在第一半導(dǎo)體芯片21的電極焊盤(pán)21E上進(jìn)行第一鍵合之后，在襯底11的電極焊盤(pán)12上進(jìn)行第二鍵合的方法，所謂"反向鍵合法"是在襯底11的電極焊盤(pán)12上進(jìn)行第一鍵合之后， 在第一半導(dǎo)體芯片21的電極焊盤(pán)21E上進(jìn)行第二鍵合的方法。通過(guò)反向鍵合法進(jìn)行引線鍵合時(shí)，也可以事先在電極焊盤(pán)21E上形成凸 塊，并在該凸塊進(jìn)行第二鍵合。作為該凸塊的形成方法，能夠應(yīng)用球焊法或 者選擇性電鍍法。若采用反向鍵合法進(jìn)行引線鍵合，則與通常的鍵合法相比， 能夠降低鍵合線環(huán)的高度。接下來(lái)，利用第一絕緣粘接劑31覆蓋連接部的附近部位，該連接部的 附近部位包括所述電極焊盤(pán)21E的外露部以及與該電極焊盤(pán)21E連接的第一 鍵合線36 (參照?qǐng)D13C)。第一絕緣粘接劑31是液狀樹(shù)脂粘接劑，并且使噴嘴61噴出規(guī)定容量以 形成所述圖IIA、 B、 C、 D所示的覆蓋方式中的任意一個(gè)方式的方式進(jìn)行供 給。此外，在供給第一絕緣粘接劑31時(shí)，為使第一鍵合線36不產(chǎn)生變形， 也可以將第一絕緣粘接劑31加熱至50°C 100°C，來(lái)提高流動(dòng)性。在供給這種第一絕緣粘接劑31時(shí)，能夠在下列方法中選擇任意的一種， 即加熱襯底11、第一半導(dǎo)體芯片21及第一鍵合線36的同時(shí)供給第一絕緣 粘接劑31的方法；邊加熱邊供給該第一絕緣粘接劑31的方法；加熱襯底11、 第一半導(dǎo)體芯片21及第一鍵合線36的同時(shí)，邊加熱邊供給第一絕緣粘接劑 31的方法。此外，在將第一絕緣粘接劑31供給到多個(gè)區(qū)域的情況下，當(dāng)處 于固化或者半固化狀態(tài)時(shí)，以使每個(gè)區(qū)域的該第一絕緣粘接劑31的高度相 等的方式控制供給量。然后，使第一絕緣粘接劑31變?yōu)楣袒蛘甙牍袒癄顟B(tài)(B級(jí)(stage) 狀態(tài))，固定包括電極焊盤(pán)21E及該電極焊盤(pán)21E和第一鍵合線36的連接 部的附近部位(參照?qǐng)D13D)。按照該第一絕緣粘接劑31的材質(zhì)，從下列 方法中恰當(dāng)?shù)剡x擇使該第一絕緣粘接劑31固化或者半固化的處理若為熱 固化性樹(shù)脂的情況，則加熱至15(TC 20(TC或者室溫放置(常溫固化)；若 為熱可塑性樹(shù)脂的情況，則干燥(揮發(fā)溶劑)或者加熱至10(TC 24(TC之后， 進(jìn)行降溫處理等方法。接下來(lái)，在所述第一半導(dǎo)體芯片21上，裝載上層側(cè)的第二半導(dǎo)體芯片 22 (參照?qǐng)D13E)。該第二半導(dǎo)體芯片22的一側(cè)的主面(上表面)具有電路及電極焊盤(pán)22E，在其背面(非形成電路面)配置第二絕緣粘接劑32。根據(jù) 圖13所示的狀態(tài)，第二半導(dǎo)體芯片22中間隔著第二絕緣粘接劑32粘合在 第一半導(dǎo)體芯片21上。接下來(lái)，通過(guò)將第二半導(dǎo)體芯片22—邊加熱至5(TC 24(TC， 一邊沿著 箭頭按壓到第一半導(dǎo)體芯片21，利用第二絕緣粘接劑32將該第二半導(dǎo)體芯 片22粘合在第一半導(dǎo)體芯片21上(參照?qǐng)D14F)。此時(shí)，將所述第一絕緣 粘接劑31以固化或者半固化狀態(tài)突出并配置在第一半導(dǎo)體芯片21上。加熱第二半導(dǎo)體芯片22，從而第二絕緣粘接劑32粘度下降，流動(dòng)性增 強(qiáng)，所以添埋由第一絕緣粘接劑31形成的凹部并覆蓋在該第一絕緣粘接劑 31上。此外，由于利用第一絕緣粘接劑31覆蓋所述第一鍵合線36，所以在將 該第二半導(dǎo)體芯片22裝載在第一半導(dǎo)體芯片21上時(shí)，不用擔(dān)心第一鍵合線 36與第二半導(dǎo)體芯片22的底面等接觸。更進(jìn)一步，不會(huì)因第一鍵合線36變 形，而使相鄰的第一鍵合線36之間發(fā)生接觸、短路等或者產(chǎn)生斷線。而且，在這種層疊結(jié)構(gòu)中，第一半導(dǎo)體芯片21和第二半導(dǎo)體芯片22之 間的間隔被事先控制過(guò)高度的第一絕緣粘接劑31的高度限定。從而，能夠 使第一半導(dǎo)體芯片21和第二半導(dǎo)體芯片22之間的分離距離恒定。即，第二 半導(dǎo)體芯片22不發(fā)生傾斜即以與第一半導(dǎo)體芯片21的表面平行的表面，層 疊到該第一半導(dǎo)體芯片21上。此外，在將第二半導(dǎo)體芯片22層疊并裝載在第一半導(dǎo)體芯片21的過(guò)程 中使第二絕緣粘接劑32固化或者半固化，或者在將第二半導(dǎo)體芯片層疊并 裝載在第一半導(dǎo)體芯片之后，以裝載配置的如圖14F所示的狀態(tài)使第二絕緣 粘接劑32固化或者半固化也是可以。按照該第二絕緣粘接劑32的材質(zhì)，從下列方法中恰當(dāng)?shù)剡x擇使第二絕 緣粘接劑32固化或者半固化的處理若為熱固化性樹(shù)脂的情況，則加熱至 15(TC 24(TC或者室溫放置(常溫固化)；若為熱可塑性樹(shù)脂的情況，則干 燥(揮發(fā)溶劑)或者加熱至10(TC 24(TC左右之后進(jìn)行降溫處理等方法。而 且，在進(jìn)行使該第二絕緣粘接劑32固化或者半固化的處理時(shí)，也可以同時(shí) 固化處于半固化狀態(tài)的所述第一絕緣粘接劑31。接下來(lái)，用第二鍵合線37連接(引線鍵合)第二半導(dǎo)體芯片22的電極焊盤(pán)22E和襯底11的電極焊盤(pán)13 (參照?qǐng)D14G)。此時(shí)，如上所述地，將 該第二半導(dǎo)體芯片22以其表面與半導(dǎo)體芯片21的表面平行的方式裝載，因 此第二半導(dǎo)體芯片22配置成與襯底11的表面相平行，從而在進(jìn)行該引線鍵 合吋，不會(huì)發(fā)生位置偏差及/或接合不良等問(wèn)題。接下來(lái)，利用由環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成的密封用樹(shù)脂41 一體地樹(shù)脂密封第一半 導(dǎo)體芯片21、第二半導(dǎo)體芯片22以及第一及第二鍵合線36、 37等(參照?qǐng)D 14H)。作為樹(shù)脂密封方法，能夠應(yīng)用公知的壓塑模(Transfer Mold)法或者壓 制成形模(compressionmold)法。此外，在用密封用樹(shù)脂來(lái)密封時(shí)，使該密 封用樹(shù)脂熱固化，但是此時(shí)，同時(shí)使處于半固化狀態(tài)的第一絕緣粘接劑31 或者第二絕緣粘接劑32固化也是可以。然后，在襯底ll的另一側(cè)的主面(背面)，配置作為外部連接端子46 的多個(gè)焊球(參照?qǐng)D141)。如此地，形成圖1所示的芯片層疊型半導(dǎo)體器 件110。此外，在所述圖13所示的制造方法中，能夠采用例如圖15所示的方法 進(jìn)行，粘接劑51覆蓋半導(dǎo)體芯片21的背面的工序，以及第二絕緣粘接劑32 覆蓋半導(dǎo)體芯片22的背面的工序。艮口，首先準(zhǔn)備大的片狀粘接劑51S (或者片狀絕緣粘接劑32S)。該片 狀粘接劑51S (或者片狀絕緣粘接劑32S)具有與形成了多個(gè)第一半導(dǎo)體芯 片21 (或者第二半導(dǎo)體芯片22)的半導(dǎo)體晶片200相當(dāng)?shù)男螤罴懊娣e(參 照?qǐng)D15A)。然后，將該片狀粘接劑51S (或者片狀絕緣粘接劑32S)貼付到半導(dǎo)體 晶片200的背面(非形成電路面)(參照?qǐng)D15B)。接下來(lái)，將該片狀粘接劑51S (或者片狀絕緣粘接劑32S)貼合在切割 片(dicing sheet) 210 (參照?qǐng)D15C)。然后，對(duì)半導(dǎo)體晶片200進(jìn)行切割處理，將半導(dǎo)體晶片200切割成單個(gè) 半導(dǎo)體芯片。此時(shí)，片狀粘接劑51S (或者片狀絕緣粘接劑32S)也同半導(dǎo) 體晶片200 —起被切開(kāi)(參照?qǐng)D15D)。然后，將成為單個(gè)的半導(dǎo)體芯片和貼合在其背面的片狀粘接劑51S (或 者片狀絕緣粘接劑32S) —起從切割片210剝離。根據(jù)這種方法，與將粘接劑(或者絕緣粘接劑)覆蓋在事先成為單個(gè)的 半導(dǎo)體芯片的背面的方法相比，不但能夠高效率地覆蓋該粘接劑(或者絕緣 粘接劑)，而且還能夠使成為單個(gè)的半導(dǎo)體芯片中的粘接劑的量及厚度等均勻。(第十實(shí)施例)圖16A、圖16B、圖16C、圖16D、圖16E、圖17A、圖17B、圖17C、 圖17D、圖17E、圖17F、圖17G、圖17H、圖171及圖17J示出了作為第十實(shí)施例的本發(fā)明的層疊型半導(dǎo)體器件的制造方法的第二實(shí)施方式。在本實(shí)施例中，首先將下層側(cè)的第一半導(dǎo)體芯片21裝載在作為芯片裝 載構(gòu)件的襯底11 (參照?qǐng)D16A)。第一半導(dǎo)體芯片21的一側(cè)的主面(上表 面)具有電路及電極焊盤(pán)21E,另一方面，襯底11在裝載該半導(dǎo)體芯片21 的面上具有鍵合焊盤(pán)12、 13。在第一半導(dǎo)體芯片21的背面事先粘合薄膜狀粘接劑51，并且一邊加熱 襯底11， 一邊將該第一半導(dǎo)體芯片21按壓到襯底11上，從而將該第一半導(dǎo) 體芯片21粘接并固定在襯底11上。此外，在這種粘合處理中，可以代替對(duì)襯底11進(jìn)行加熱，而加熱第一 半導(dǎo)體芯片21，也可以加熱襯底11和第一半導(dǎo)體芯片21兩者。將加熱溫度設(shè)定成5(TC 10(TC左右，即設(shè)定為薄膜狀粘接劑51的粘度 降低的溫度。而且，將半導(dǎo)體芯片21裝載到襯底11上之后，將粘接劑51、 襯底11及半導(dǎo)體芯片21加熱至120°C 240°C，從而使粘接劑51固化也是 可以。而且，也可以代替薄膜狀粘接劑51，而將液態(tài)狀粘接劑事先向襯底 ll供給。此外，即使在本實(shí)施例中，作為向第一半導(dǎo)體芯片21的背面覆蓋薄膜 狀粘接劑51的方法，也能夠應(yīng)用所述圖15A至圖15D所示的方法。接下來(lái)，用第一鍵合線36連接(引線鍵合)第一半導(dǎo)體芯片21的電極 焊盤(pán)21E和襯底11的電極焊盤(pán)12 (參照?qǐng)D16B)。在進(jìn)行該引線鍵合時(shí)，還能夠應(yīng)用通常的鍵合法和所謂"反向鍵合法" 的任意一個(gè)方法，其中，該通常的鍵合法是在第一半導(dǎo)體芯片21的電極焊 盤(pán)21E上進(jìn)行第一鍵合之后，在襯底11的電極焊盤(pán)12上進(jìn)行第二鍵合的方法，所謂"反向鍵合法"是在襯底11的電極焊盤(pán)12上進(jìn)行第一鍵合之后， 在第一半導(dǎo)體芯片21的電極焊盤(pán)21E上進(jìn)行第二鍵合的方法。接下來(lái)，利用第一絕緣粘接劑31覆蓋連接部的附近部位，該連接部的 附近部位包括所述電極焊盤(pán)21E的外露部以及與該電極焊盤(pán)21E連接的第一 鍵合線36 (參照?qǐng)D16C)。第一絕緣粘接劑31是液態(tài)狀樹(shù)脂粘接劑，并且以形成所述圖11A、 B、 C、 D所示覆蓋方式中的任意一個(gè)方式，使噴嘴61噴出規(guī)定容量的第一絕緣 粘接劑31而進(jìn)行供給。此外，在供給第一絕緣粘接劑31時(shí)，為使第一鍵合 線36不產(chǎn)生變形，將第一絕緣粘接劑31加熱至5(TC 10(TC而提高其流動(dòng) 性也是可以。在供給這種第一絕緣粘接劑31時(shí)，能夠在下列方法中選擇任意的一個(gè)， 即，加熱襯底11、第一半導(dǎo)體芯片21及第一鍵合線36的同時(shí)供給第一絕緣 粘接劑31的方法；邊加熱邊供給該第一絕緣粘接劑31的方法；加熱襯底11、 第-一半導(dǎo)體芯片21及第一鍵合線36的同時(shí)，邊加熱邊供給第一絕緣粘接劑 31的方法。此外，在將第一絕緣粘接劑31供給到多個(gè)區(qū)域的情況下，以當(dāng)處于固 化或者半固化狀態(tài)時(shí)，每個(gè)區(qū)域的該第一絕緣粘接劑31的高度相等的方式控制供給量。然后，使第一絕緣粘接劑31變?yōu)楣袒蛘甙牍袒癄顟B(tài)(B級(jí)狀態(tài))，固 定包括電極焊盤(pán)21E及該電極焊盤(pán)21E和第一鍵合線36之間的連接部的附 近部位(參照?qǐng)D16D)。按照該第一絕緣粘接劑31的材質(zhì)，從下列方法中恰當(dāng)?shù)剡x擇使該第一 絕緣粘接劑31固化或者半固化的處理若為熱固化性樹(shù)脂的情況，則加熱 至15(TC 20(TC或者室溫放置(常溫固化)；若為熱可塑性樹(shù)脂的情況，則 千燥(揮發(fā)溶劑)或者加熱至10(TC 24(TC左右之后進(jìn)行降溫處理等方法。在本實(shí)施例中，接著，在所述第一半導(dǎo)體芯片21上的規(guī)定部位，滴下 并供給第二絕緣粘接劑32 (參照?qǐng)D16E)。該第二絕緣粘接劑32為液態(tài)狀 樹(shù)脂粘接劑，并由噴嘴62噴出規(guī)定液體容量的該第二絕緣粘接劑32從而供 給到第一半導(dǎo)體芯片21上。作為第二絕緣粘接劑32，也可以采用與所述第 一絕緣粘接劑31具有相同物質(zhì)特性的樹(shù)脂。將該第二絕緣粘接劑32供給到第一半導(dǎo)體芯片21上的部位，可采用除了粘合第一絕緣粘接劑的部位之外的第一半導(dǎo)體芯片21上表面的整個(gè)面以 外，還可以任意地選擇分散在如圖12E、 F、 G所示那樣分散于第一半導(dǎo)體芯 片21上的位置上的方式等。此外，在供給第二絕緣粘接劑時(shí)，以該第二絕 緣粘接劑32的覆蓋部的高度比所述第一絕緣粘接劑31的覆蓋部的高度高的 方式供給第二絕緣粘接劑32。接下來(lái)，在所述第一半導(dǎo)體芯片21上，裝載上層側(cè)的第二半導(dǎo)體芯片 22 (參照?qǐng)D17F)。該第二半導(dǎo)體芯片22的一側(cè)的主面(上面)具有電路及 電極焊盤(pán)24，其背面(非形成電路面)與第一半導(dǎo)體芯片21對(duì)置。沿著圖中箭頭方向按壓該第二半導(dǎo)體芯片22，使其與第二絕緣粘接劑 32接觸，從而層疊裝載在第一半導(dǎo)體芯片21上。此時(shí)，在該第一半導(dǎo)體芯 片21上，突出地覆蓋有變?yōu)楣袒蛘甙牍袒癄顟B(tài)的第一絕緣粘接劑31，而 且以比該突出部的高度還高的方式供給第二絕緣粘接劑32。從而，第二半導(dǎo) 體芯片22與第二絕緣粘接劑32接觸而裝載。此外，利用第一絕緣粘接劑31覆蓋所述第一鍵合線36，因此，在第一 半導(dǎo)體芯片21上裝載該第二半導(dǎo)體芯片22時(shí)，第一鍵合線36不會(huì)與第二 爭(zhēng)導(dǎo)體芯片22的底面等接觸。更進(jìn)一步，不會(huì)因第一鍵合線36變形，而使相鄰的第一鍵合線36之間 發(fā)生接觸及短路等，或者產(chǎn)生斷線。而且，在這種層疊結(jié)構(gòu)中，第一半導(dǎo)體芯片21和第二半導(dǎo)體芯片22之 間的間隔被事先控制過(guò)高度的第一絕緣粘接劑31的高度規(guī)定。從而，能夠 使第一半導(dǎo)體芯片21和第二半導(dǎo)體芯片22之間的分離距離恒定。g卩，第二 半導(dǎo)體芯片22不產(chǎn)生傾斜，即該第二半導(dǎo)體芯片22以與第一半導(dǎo)體芯片21 的表面平行的表面而層疊配置在該第一半導(dǎo)體芯片21上。接下來(lái)，通過(guò)將第二半導(dǎo)體芯片22加熱至50。C 24(rC的同時(shí)，沿著箭 頭向第一半導(dǎo)體芯片21上按壓，利用第二絕緣粘接劑32將該第二半導(dǎo)體芯 片22粘合在第一半導(dǎo)體芯片21上(參照?qǐng)D17G)。當(dāng)如此地按壓時(shí)，使第 二絕緣粘接劑32固化或者半固化狀態(tài)，將第二半導(dǎo)體芯片22粘合在第一半 導(dǎo)體芯片21上。按照第二絕緣粘接劑32的種類(lèi)，從下列方法中恰當(dāng)?shù)剡x擇使該第二絕緣粘接劑32固化或者半固化的處理若為熱固化性樹(shù)脂的情況，則加熱至15(TC 24(TC或者室溫放置(常溫固化)；若為熱可塑性樹(shù)脂的情況，則干 燥(揮發(fā)溶劑)或者加熱至100。C 24(TC之后進(jìn)行降溫處理等方法。而且，在使該第二絕緣粘接劑32固化或者半固化的處理中，同時(shí)也可 以暫時(shí)軟化處于半固化狀態(tài)的第一絕緣粘接劑31然后固化。在此情況下， 能夠由第二絕緣粘接劑32和第一絕緣粘接劑31粘合第一半導(dǎo)體芯片21和 第二半導(dǎo)體芯片22。此時(shí)，在第一半導(dǎo)體芯片21上，以固化或者半固化狀 態(tài)突出地配置所述第一絕緣粘接劑31。通過(guò)加熱第二半導(dǎo)體芯片22，第二絕緣粘接劑32粘度降低、流動(dòng)性增 大，從而該第二絕緣粘接劑32添埋由第一絕緣粘接劑31形成的凹部且覆蓋 并覆蓋粘附在該第一絕緣粘接劑31上。此外，在圖17F、圖17G所示的工序中，在第一半導(dǎo)體芯片21上層疊 配置第二半導(dǎo)體芯片22時(shí)，還能夠邊加熱第二絕緣粘接劑32邊進(jìn)行。加熱是將第二半導(dǎo)體芯片22或第一半導(dǎo)體芯片21中的任意一個(gè)、或者 兩個(gè)都加熱至5(TC 24(TC左右而進(jìn)行的。在這種情況下，將第二半導(dǎo)體芯 片22按壓到第一半導(dǎo)體芯片21的狀態(tài)中，能夠使第二絕緣粘接劑32固化 或者半固化。更進(jìn)一步，同時(shí)，也可以通過(guò)同時(shí)加熱處于半固化狀態(tài)的第一 絕緣粘接劑31，從而暫時(shí)軟化然后使之固化。此外，加熱軟化處于半固化狀態(tài)的第一絕緣粘接劑31，并按壓到第二半 導(dǎo)體芯片22時(shí)，為了能夠以規(guī)定距離保持第一半導(dǎo)體芯片21和第二半導(dǎo)體 芯片22之間的間隙，第二絕緣粘接劑32含有至少具有比第一鍵合線36的 直徑還大的外形尺寸的絕緣性填料也是可以。接下來(lái)，用第二鍵合線37連接(引線鍵合)第二半導(dǎo)體芯片22的電極 焊盤(pán)22E和襯底11的電極焊盤(pán)13 (參照?qǐng)D17H)。由于第二半導(dǎo)體芯片22 以其表面與半導(dǎo)體芯片21的表面平行的方式被裝載，因此在進(jìn)行該引線鍵 合時(shí)，不會(huì)發(fā)生位置偏差及/或接合不良等問(wèn)題。接下來(lái)，利用由環(huán)氧樹(shù)脂等構(gòu)成的密封用樹(shù)脂41， 一體地樹(shù)脂密封第一 半導(dǎo)體芯片21、第二半導(dǎo)體芯片22以及第一及第二鍵合線36、 37等(參照 圖171)。作為樹(shù)脂密封方法，能夠應(yīng)用公知的壓鑄法或者壓制成形模法。此外，在用密封用樹(shù)脂來(lái)密封時(shí)，使該密封用樹(shù)脂熱固化，而此時(shí)，也可以使處于半固化狀態(tài)的第一絕緣粘接劑31或者第二絕緣粘接劑32同時(shí)固 化。然后，在襯底11的另一側(cè)的主面(背面)，配置作為外部連接端子46 的多個(gè)焊球(參照?qǐng)D17J)。如此地，形成圖2所示的芯片層疊型半導(dǎo)體器 件120。(第H^—實(shí)施例)圖18A、圖18B、圖18C、圖18D、圖18E、圖19F、圖19G、圖19H及圖191示出了作為第十一實(shí)施例的本發(fā)明的層疊型半導(dǎo)體器件的制造方法 的第三實(shí)施方式。在本實(shí)施例中，首先將下層側(cè)的第一半導(dǎo)體芯片21裝載 在作為芯片裝載構(gòu)件的襯底11上(參照?qǐng)D18A)。第一半導(dǎo)體芯片21的一側(cè)的主面(上表面)具有電路及電極焊盤(pán)21E， 另一方面，襯底11在裝載該半導(dǎo)體芯片21的面上具有鍵合焊盤(pán)12、 13。在 第一半導(dǎo)體芯片21的背面事先粘合薄膜狀粘接劑51，并且一邊加熱襯底11， 一邊將該第一半導(dǎo)體芯片21按壓到襯底11上，從而將該第一半導(dǎo)體芯片21 粘接并固定在襯底11上。此外，在這種粘合處理中，可以代替對(duì)襯底11進(jìn)行加熱而加熱第一半 導(dǎo)體芯片21，還可以加熱襯底11和第一半導(dǎo)體芯片21兩者。將加熱溫度設(shè)定成50'C 10(TC左右，即設(shè)定為薄膜狀粘接劑51的粘度 降低左右的溫度。而且，將半導(dǎo)體芯片21裝載到襯底11上之后，將粘接劑 51、襯底11及半導(dǎo)體芯片21加熱至120°C 240°C，從而使粘接劑51固化 也是可以。而且，還可以代替薄膜狀粘接劑51，而將液態(tài)狀粘接劑事先向襯 底11供給。此外，能夠通過(guò)所述圖15A至圖15D所示的方法，獲得粘合了薄膜狀 粘接劑51的第一半導(dǎo)體芯片21。接下來(lái)，用第一鍵合線36連接(引線鍵合)第一半導(dǎo)體芯片21的電極 焊盤(pán)21E和襯底11的電極焊盤(pán)12 (參照?qǐng)D18B)。在進(jìn)行該引線鍵合時(shí)，也能夠應(yīng)用通常的鍵合法和所謂"反向鍵合法" 中的任意一個(gè)方法，其中，該通常的鍵合法是在第一半導(dǎo)體芯片21的電極 焊盤(pán)21E上進(jìn)行第一鍵合之后，在襯底11的電極焊盤(pán)12上進(jìn)行第二鍵合的方法，所謂"反向鍵合法"是在襯底11的電極焊盤(pán)12上進(jìn)行第一鍵合之后，在第一半導(dǎo)體芯片21的電極焊盤(pán)21E上進(jìn)行第二鍵合的方法。接下來(lái)，利用第一絕緣粘接劑31覆蓋連接部的附近部位，該連接部的 附近部位包括所述電極焊盤(pán)21E的外露部以及與該電極焊盤(pán)21E連接的第一 鍵合線36 (參照?qǐng)D18C)。第一絕緣粘接劑31是液態(tài)狀樹(shù)脂粘接劑，使噴 嘴61噴出規(guī)定容量，而以形成所述圖IIA、 B、 C、 D所示覆蓋方式中的任 意一個(gè)方式供給。此外，在供給第一絕緣粘接劑31時(shí)，為使第一鍵合線36不產(chǎn)生變形， 將第一絕緣粘接劑31加熱至5(TC 10(TC使其流動(dòng)性提高也是可以。在供給 這種第一絕緣粘接劑31時(shí)，能夠在下列方法中選擇任意的一個(gè) 一邊加熱 襯底11、第一半導(dǎo)體芯片21及第一鍵合線36， 一邊供給第一絕緣粘接劑31 的方法；邊加熱邊供給該第一絕緣粘接劑31的方法；加熱襯底ll、第一半 導(dǎo)體芯片21及第一鍵合線36的同時(shí)，邊加熱邊供給第一絕緣粘接劑31的 方法。此外，在將第一絕緣粘接劑31供給到多個(gè)區(qū)域的情況下，以當(dāng)將其變 為固化或者半固化狀態(tài)時(shí)，使每個(gè)區(qū)域的該第一絕緣粘接劑31的高度相等 的方式控制供給量。然后，使第一絕緣粘接劑31處于固化或者半固化狀態(tài)(B級(jí)狀態(tài))，固 定包括電極焊盤(pán)23及該電極焊盤(pán)21E和第一鍵合線36的連接部的附近部位 (參照?qǐng)D18D)。按照該第一絕緣粘接劑31的材質(zhì)，從下列方法中恰當(dāng)選擇使該第一絕 緣粘接劑31半固化的處理若為熱固化性樹(shù)脂的情況，則加熱至150°C 240 "C或者室溫放置(常溫固化)；若為熱可塑性樹(shù)脂的情況，則干燥(揮發(fā)溶 劑)或者加熱至10(TC 24(TC之后進(jìn)行降溫處理等。接下來(lái)，在所述第一半導(dǎo)體芯片21上，層疊而配置裝載上層側(cè)的第二 半導(dǎo)體芯片22 (參照?qǐng)D18E)。第二半導(dǎo)體芯片22的上表面具有電路及第 二電極焊盤(pán)22E，其背面與第一半導(dǎo)體芯片21對(duì)置。通過(guò)將第二半導(dǎo)體芯片22加熱至5(TC 20(TC并且使第一半導(dǎo)體芯片 21向圖中箭頭方向移動(dòng)，從而使第二半導(dǎo)體芯片22接觸到第一絕緣粘接劑 31并層疊裝載在第一半導(dǎo)體芯片21上。此時(shí)，在第一半導(dǎo)體芯片21上突出地粘合有半固化狀態(tài)的第一絕緣粘接劑31。由于加熱第二半導(dǎo)體芯片22，所以半固化狀態(tài)的第一絕緣粘接劑32的 與第二半導(dǎo)體芯片22接觸的附近部位的粘度降低，粘接而保持第二半導(dǎo)體 芯片22。接下來(lái)，在將第二半導(dǎo)體芯片22層疊配置在第一半導(dǎo)體芯片21上的狀 態(tài)下，對(duì)第一絕緣粘接劑31進(jìn)行加熱并使之固化或者半固化，從而由第一 絕緣粘接劑31粘合第二半導(dǎo)體芯片22和第一半導(dǎo)體芯片21 (參照?qǐng)D19F)。按照第一絕緣粘接劑的種類(lèi)，從下列方法中恰當(dāng)選擇該使其固化或者半 固化的處理若為熱固化性樹(shù)脂的情況，則加熱至150。C 24(TC或者室溫放 置(常溫固化)；若為熱可塑性樹(shù)脂的情況，則干燥(揮發(fā)溶劑)或者加熱 至10(TC 24(TC之后進(jìn)行降溫等。此外，通過(guò)該處理，能夠使第二半導(dǎo)體芯 片22和第一半導(dǎo)體芯片21之間的粘合狀態(tài)更加堅(jiān)固，但是對(duì)于將第二半導(dǎo) 體芯片22層疊配置在第一半導(dǎo)體芯片時(shí)的粘合狀態(tài)，也可以省略該處理。此外，利用第一絕緣粘接劑31覆蓋所述第一鍵合線36，而且，由于僅 使第一絕緣粘接劑31的與第二半導(dǎo)體芯片22接觸的附近部位的粘度降低， 因此在第一半導(dǎo)體芯片21上裝載該第二半導(dǎo)體芯片22時(shí)，不用擔(dān)心第一鍵 合線36與第二半導(dǎo)體芯片22的底面等接觸。更進(jìn)一步，不會(huì)因第一鍵合線 36變形，而使相鄰的第一鍵合線36之間發(fā)生接觸及短路等，或者產(chǎn)生斷線。而且，在這種層疊結(jié)構(gòu)中，第一半導(dǎo)體芯片21和第二半導(dǎo)體芯片22之 間的間隔由事先控制過(guò)高度的第一絕緣粘接劑31的高度來(lái)規(guī)定。從而，能 夠使第一半導(dǎo)體芯片21和第二半導(dǎo)體芯片22之間的分離距離恒定。g卩，第 二半導(dǎo)體芯片22不產(chǎn)生傾斜，以與第一半導(dǎo)體芯片21的表面平行的表面層 疊配置在該第一半導(dǎo)體芯片21上。接下來(lái)，用第二鍵合線37連接(引線鍵合)第二半導(dǎo)體芯片22的電極 焊盤(pán)22E和襯底11的電極焊盤(pán)13 (參照?qǐng)D19G)。將第二半導(dǎo)體芯片22 以其表面與半導(dǎo)體芯片21的表面平行的方式裝載，因此在進(jìn)行該引線鍵合 時(shí)，不會(huì)發(fā)生位置偏差及/或接合不良等問(wèn)題。接下來(lái)，利用由環(huán)氧樹(shù)脂等構(gòu)成的密封用樹(shù)脂41， 一體地樹(shù)脂密封第一 半導(dǎo)體芯片21、第二半導(dǎo)體芯片22以及第一及第二鍵合線36、 37等(參照 圖19H)。作為樹(shù)脂密封方法，能夠應(yīng)用公知的壓鑄模法或者壓制成模模法。此外，在用密封用樹(shù)脂來(lái)密封時(shí)，使該密封用樹(shù)脂熱固化，但是此時(shí)，也可 以同時(shí)使半固化狀態(tài)的第一絕緣粘接劑31或者第二絕緣粘接劑32固化。然后，在襯底ll的另一側(cè)的主面(背面)，配置作為外部連接端子46 的多個(gè)焊球(參照?qǐng)D191)。如此地，形成圖6所示的芯片層疊型半導(dǎo)體器 件150。(第十二實(shí)施例)圖20A、圖20B、圖20C、圖20D、圖20E、圖21F、圖21G、圖21H、圖211及圖21J示出了作為第十二實(shí)施例的本發(fā)明的層疊型半導(dǎo)體器件的制 造方法的第四實(shí)施方式。在本實(shí)施例中，應(yīng)用了引線框架70來(lái)作為芯片裝 載構(gòu)件。在本實(shí)施例中，首先將下層側(cè)的第一半導(dǎo)體芯片21裝載在作為芯片裝 載構(gòu)件的引線框架70的管芯臺(tái)面71上(參照?qǐng)D20A)。該第一半導(dǎo)體芯片21的一側(cè)的主面(上表面)上具有電路及電極焊盤(pán) 21E，另一方面，引線框架70具有作為該半導(dǎo)體芯片21的裝載部的管芯臺(tái) 面71，而且還具有多個(gè)內(nèi)部引線部72以及外部引線部73，其中，該多個(gè)內(nèi) 部引線部72經(jīng)由鍵合線36與該半導(dǎo)體芯片21的電極焊盤(pán)21E連接，該外 部引線部73位于該內(nèi)部引線部72的延長(zhǎng)部。在所述第一半導(dǎo)體芯片21的背面事先粘合薄膜狀粘接劑51，并且加熱 引線框架70的同時(shí)將該第一半導(dǎo)體芯片21按壓到引線框架71上，從而將 第一半導(dǎo)體芯片21粘接并固定在管芯臺(tái)面71上。此外，在這種粘合處理中， 可以代替對(duì)引線框架70進(jìn)行加熱而加熱第一半導(dǎo)體芯片21，還可以加熱引 線框架70和第一半導(dǎo)體芯片21兩者。將加熱溫度設(shè)定成5(TC 10(TC，即設(shè)定為薄膜狀粘接劑51的粘度降低 的程度的溫度。而且，將半導(dǎo)體芯片21裝載到襯底11上之后，將粘接劑51、 襯底11及半導(dǎo)體芯片21加熱至12(TC 24(TC，從而使粘接劑51固化也是 可以。而且，代替薄膜狀粘接劑51，而將液狀粘接劑事先向引線框架71供 給也是可以。接下來(lái)，用第一鍵合線36連接(引線鍵合)第一半導(dǎo)體芯片21的電極 焊盤(pán)23和引線框架70的內(nèi)部引線部72 (參照?qǐng)D20B)。在進(jìn)行該引線鍵合時(shí)，也能夠應(yīng)用通常的鍵合法和所謂"反向鍵合法"中的任意一個(gè)方法，其 中，該通常的鍵合法是在第一半導(dǎo)體芯片21的電極焊盤(pán)21E上進(jìn)行第一鍵合之后，在引線框架70的內(nèi)部引線部72上進(jìn)行第二鍵合的方法，所謂"反 向鍵合法"是在引線框架70的內(nèi)部引線部72上進(jìn)行第一鍵合之后，在第一 半導(dǎo)體芯片21的電極焊盤(pán)21E上進(jìn)行第二鍵合的方法。接下來(lái)，利用第一絕緣粘接劑31覆蓋連接部的附近部位，該連接部的 附近部位包括所述電極焊盤(pán)21E的外露部以及與該電極焊盤(pán)21E連接的第一 鍵合線36 (參照?qǐng)D20C)。第一絕緣粘接劑31是液狀樹(shù)脂粘接劑，從噴嘴 61噴出規(guī)定容量，以形成所述圖IIA、 B、 C、 D所示的覆蓋方式中的任意 一個(gè)的方式供給。此外，在供給第一絕緣粘接劑31時(shí)，為使第一鍵合線36 不產(chǎn)生變形，將第一絕緣粘接劑31加熱至5(TC 10(TC左右使其流動(dòng)性提高 也是可以。在供給這種第一絕緣粘接劑31時(shí)，能夠在下列方法中選擇任意的一個(gè) 加熱襯底11、第一半導(dǎo)體芯片21及第一鍵合線36的同時(shí)供給第一絕緣粘接 劑31的方法；邊加熱邊供給該第一絕緣粘接劑31的方法；加熱襯底11、第 一半導(dǎo)體芯片21及第一鍵合線36的同時(shí)，邊加熱邊供給第一絕緣粘接劑31 的方法。此外，將第一絕緣粘接劑31供給到多個(gè)區(qū)域的情況下，以當(dāng)變?yōu)楣袒?或者半固化狀態(tài)時(shí)，使每個(gè)第一絕緣粘接劑31的高度相等的方式控制供給然后，使第一絕緣粘接劑31變?yōu)楣袒蛘甙牍袒癄顟B(tài)(B級(jí)狀態(tài))，固 定包括電極焊盤(pán)23及該電極焊盤(pán)23和第一鍵合線36的連接部的附近部位 (參照?qǐng)D20D)。按照該第一絕緣粘接劑31的材質(zhì)，從下列方法中恰當(dāng)?shù)?選擇使該第一絕緣粘接劑31固化或者半固化的處理，S卩，若為熱固化性樹(shù) 脂的情況，則加熱至15(TC 24(TC或者室溫放置(常溫固化)；若為熱可塑 性樹(shù)脂的情況，則干燥(揮發(fā)溶劑)或者加熱至10(TC 24(TC之后進(jìn)行降溫 處理等。接下來(lái)，在第一半導(dǎo)體芯片21上的規(guī)定部位，滴下并供給第二絕緣粘 接劑32 (參照?qǐng)D20E)。該第二絕緣粘接劑32為液態(tài)狀樹(shù)脂粘接劑，并由 噴嘴62噴出規(guī)定容量，從而供給到第一半導(dǎo)體芯片21上。作為第二絕緣粘接劑32，也可以采用與所述第一絕緣粘接劑31具有相同物質(zhì)特性的樹(shù)脂。在下述中，能夠任意地選擇將該第二絕緣粘接劑32供給到第一半導(dǎo)體 芯片21上的部位，g卩，在除了覆蓋第一絕緣粘接劑31的部位之外的第一半 導(dǎo)體芯片21上面的整個(gè)面上，或者如圖12E、 F、 G所示地在第一半導(dǎo)體芯 片21上分散配置的分散方式等。此外，在供給第二絕緣粘接劑時(shí)，以該第 二絕緣粘接劑32的高度(厚度)比所述第一絕緣粘接劑31的高度(厚度) 高的方式供給第二絕緣粘接劑32。接下來(lái)，在所述第一半導(dǎo)體芯片21上，裝載上層側(cè)的第二半導(dǎo)體芯片 22 (參照?qǐng)D21F)。該第二半導(dǎo)體芯片22的一側(cè)的主面(上表面)具有電路 及電極焊盤(pán)24，其背面(非形成電路面)與第一半導(dǎo)體芯片21對(duì)置。通過(guò) 沿著圖中箭頭方向按壓該第二半導(dǎo)體芯片22，使其與第二絕緣粘接劑32接 觸，從而層疊裝載在第一半導(dǎo)體芯片21上。此時(shí)，在該第一半導(dǎo)體芯片21上，突出地覆蓋有處于固化或者半固化 狀態(tài)的第一絕緣粘接劑31，而且以比該突出部的高度還高的方式供給有第二 絕緣粘接劑32。從而，第二半導(dǎo)體芯片22與第二絕緣粘接劑32接觸并被裝 載。此外，利用第一絕緣粘接劑31覆蓋所述第一鍵合線36，因此，在第一 半導(dǎo)體芯片21上裝載該第二半導(dǎo)體芯片22時(shí)，第一鍵合線36不會(huì)與第二 半導(dǎo)體芯片22的底面等接觸。更進(jìn)一步，不會(huì)因第一鍵合線36變形，而相 鄰的第一鍵合線36之間發(fā)生接觸及短路等，或者產(chǎn)生斷線。而且，在這種層疊結(jié)構(gòu)中，第一半導(dǎo)體芯片21和第二半導(dǎo)體芯片22之 間的間隔由事先控制過(guò)高度的第一絕緣粘接劑31的高度而規(guī)定。從而，能 夠使第一半導(dǎo)體芯片21和第二半導(dǎo)體芯片22之間的分離距離恒定。g卩，第 二半導(dǎo)體芯片22不產(chǎn)生傾斜，即以與第一半導(dǎo)體芯片21的表面平行的表面 而層疊配置在該第一半導(dǎo)體芯片21上。接下來(lái)，通過(guò)將第二半導(dǎo)體芯片22—邊加熱至5(TC 24(rC， 一邊沿著 箭頭向第一半導(dǎo)體芯片21按壓，借助第二絕緣粘接劑32將該第二半導(dǎo)體芯 片22粘合在第一半導(dǎo)體芯片21上(參照?qǐng)D21G)。當(dāng)如此地按壓時(shí)，使第 二絕緣粘接劑32固化或者半固化狀態(tài)，而粘合第二半導(dǎo)體芯片22和第一半 導(dǎo)體芯片21。按照第二絕緣粘接劑31B的種類(lèi)，從下列方法中恰當(dāng)?shù)剡x擇使該第二絕 緣粘接劑32固化或者半固化的處理若為熱固化性樹(shù)脂的情況，則加熱至15(TC 24(TC或者室溫放置(常溫固化)；若為熱可塑性樹(shù)脂的情況，則干 燥(揮發(fā)溶劑)或者加熱至10(TC 24(TC之后進(jìn)行降溫處理等。而且，在使該第二絕緣粘接劑32固化或者半固化的處理中，同時(shí)，暫 時(shí)軟化半固化狀態(tài)的第一絕緣粘接劑31然后使其固化也可以。在此情況下， 能夠由第二絕緣粘接劑32和第一絕緣粘接劑31粘合第一半導(dǎo)體芯片21和 第二半導(dǎo)體芯片22。此時(shí)，在第一半導(dǎo)體芯片21上，以固化或者半固化狀 態(tài)突出地配置所述第一絕緣粘接劑31。從而，通過(guò)加熱第二半導(dǎo)體芯片22， 第二絕緣粘接劑32粘度降低、流動(dòng)性增大，從而該第二絕緣粘接劑32添埋 由第一絕緣粘接劑31形成的凹部且覆蓋并粘附在該第一絕緣粘接劑31上。此時(shí)，在第一半導(dǎo)體芯片21上，突出并粘合有固化或者半固化狀態(tài)的 第一絕緣粘接劑31,并以比該突出高度還高的方式供給第二絕緣粘接劑32。 從而，第二半導(dǎo)體芯片22與供給在第一半導(dǎo)體芯片21上的第二絕緣粘接劑 32接觸。而且，第一半導(dǎo)體芯片21和第二半導(dǎo)體芯片22之間的間隔由事先控制 過(guò)高度的第一絕緣粘接劑31的高度而規(guī)定，因此將第一半導(dǎo)體芯片21和第 二半導(dǎo)體芯片22之間的距離控制為恒定。g卩，第二半導(dǎo)體芯片22不產(chǎn)生傾 斜而層疊配置在該第一半導(dǎo)體芯片21上。此外，在圖21G中，除了上述說(shuō)明的方法之外，還能夠在將第二半導(dǎo)體 芯片22按壓并層疊配置到第一半導(dǎo)體芯片21上時(shí)，邊加熱第二絕緣粘接劑 32邊進(jìn)行。加熱是通過(guò)將第二半導(dǎo)體芯片22或第一半導(dǎo)體芯片21中的任意 一個(gè)、或者兩者都加熱至5(TC 24(TC左右而進(jìn)行的。在這種情況下，能夠 以將第二半導(dǎo)體芯片22按壓到第一半導(dǎo)體芯片21的狀態(tài)使第二絕緣粘接劑 32固化或者半固化。更進(jìn)一步，此時(shí)，同時(shí)加熱半固化狀態(tài)的第一絕緣粘接 劑31，從而暫時(shí)進(jìn)行軟化然后再使之固化也是可以。此外，加熱軟化半固化狀態(tài)的第一絕緣粘接劑31，按壓第二半導(dǎo)體芯片 22時(shí)，為了能夠以規(guī)定距離保持第一半導(dǎo)體芯片21和第二半導(dǎo)體芯片22之 間的間隙，也可以在第二絕緣粘接劑32中含有至少具有比第一鍵合線36的 直徑還大的外形尺寸的絕緣性填料。接下來(lái)，用第二鍵合線37連接(引線鍵合)第二半導(dǎo)體芯片22的電極 焊盤(pán)22E和引線框架70的內(nèi)部引線部72 (參照?qǐng)D21H)。第二半導(dǎo)體芯片 22以其表面與引線框架70的管芯臺(tái)面71的表面平行的方式配置，因此在進(jìn) 行該引線鍵合時(shí)，不會(huì)發(fā)生位置偏差及/或接合不良等問(wèn)題。接下來(lái)，利用由環(huán)氧樹(shù)脂等構(gòu)成的密封用樹(shù)脂41， 一體地樹(shù)脂密封第一 半導(dǎo)體芯片21、第二半導(dǎo)體芯片22以及第一及第二鍵合線36、 37等(參照 圖211)。作為樹(shù)脂密封方法，能夠應(yīng)用公知的壓鑄法或者壓制成模模法。此外， 在用密封用樹(shù)脂來(lái)密封時(shí)，使該密封用樹(shù)脂熱固化，但是此時(shí)，也可以同時(shí) 使處于半固化狀態(tài)的第一絕緣粘接劑31或者第二絕緣粘接劑32固化。然后，切斷分離所述引線框架70，進(jìn)行引線部的成型修整，從而形成單 個(gè)的半導(dǎo)體器件(參照?qǐng)D21J)。如此地，形成圖8所示的芯片層疊型半導(dǎo) 體器件170。此外，在圖21J等中，示出了鍵合線36、 37與一個(gè)內(nèi)部引線72連接的 狀態(tài)，但是當(dāng)然不僅限于這種狀態(tài)，也存在分別與不同的內(nèi)部引線72連接 的方式(未圖示)。本發(fā)明的芯片層疊型半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)不僅限于在此所舉例的結(jié)構(gòu)，用 絕緣粘接劑覆蓋第一半導(dǎo)體芯片的引線鍵合的部位，其中該第一半導(dǎo)體芯片 裝載在芯片裝載構(gòu)件，若能夠抑制由第二半導(dǎo)體芯片的層疊工序中的機(jī)械應(yīng) 力所導(dǎo)致的斷線或者短路等，則可以有各種變形。產(chǎn)業(yè)中的利用可行性本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，更具體地說(shuō)，能夠應(yīng)用于具 有如下結(jié)構(gòu)的芯片層疊型半導(dǎo)體器件及其制造方法，即具有在一個(gè)半導(dǎo)體芯 片上以及與該半導(dǎo)體芯片的電極焊盤(pán)連接的鍵合線上配置其它半導(dǎo)體芯片 的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，具有芯片裝載構(gòu)件；第一半導(dǎo)體芯片，其配置在所述芯片裝載構(gòu)件上；鍵合線，其與所述第一半導(dǎo)體芯片的電極焊盤(pán)連接；第一絕緣粘接劑，其選擇性地覆蓋所述電極焊盤(pán)和所述鍵合線之間的連接部；第二半導(dǎo)體芯片，其中間隔著所述第一絕緣粘接劑配置在所述第一半導(dǎo)體芯片上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 第二絕緣粘接劑配置在所述第一絕緣粘接劑和沒(méi)有被第一絕緣粘接劑覆蓋的所述第一半導(dǎo)體芯片的上表面，中間隔著所述第二絕緣粘接劑配置第二半導(dǎo)體芯片。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 第二絕緣粘接劑配置在沒(méi)有被所述第一絕緣粘接劑覆蓋的所述第一半導(dǎo)體芯片的上表面，中間隔著所述第一絕緣粘接劑及所述第二絕緣粘接劑配置第二半導(dǎo)體心片。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，在所述第一半導(dǎo) 體芯片的上表面，以島狀局部地配置有所述第二絕緣粘接劑。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2至4中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述第二絕緣粘接劑含有由絕緣材料的粒子構(gòu)成的填料。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述填料的最大 直徑設(shè)定為比所述鍵合線的直徑還大的值。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述填料的最大 直徑設(shè)定為比所述鍵合線的直徑還大的值，并進(jìn)一步設(shè)定為比第一絕緣粘接 劑層的厚度還厚的值。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 在所述芯片裝載構(gòu)件上，利用樹(shù)脂來(lái)對(duì)于所述第一半導(dǎo)體芯片、所述第二半導(dǎo)體芯片、所述鍵合線及所述第一絕緣粘接劑實(shí)施有樹(shù)脂密封，在沒(méi)有被所述第一絕緣粘接劑覆蓋的所述第一半導(dǎo)體芯片和所述第二 半導(dǎo)體芯片之間也配置有所述樹(shù)脂。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一絕緣粘接劑分別獨(dú)立地覆蓋所述電極焊盤(pán)和所述鍵合線之間的多 個(gè)連接部。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述第一絕緣粘接劑橫跨并一體地覆蓋所述電極焊盤(pán)和所述鍵合線之間的 多個(gè)連接部。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1至10中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述鍵合線的整體被所述第一絕緣粘接劑覆蓋。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述芯片裝載構(gòu)件為引線框架的管芯臺(tái)面，所述鍵合線的另一側(cè)端部與所述 引線框架的內(nèi)部引線連接。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1至12中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述鍵合線和所述電極焊盤(pán)中間隔著凸塊相連接。
14. 一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括在芯片裝載構(gòu)件上配置第一半導(dǎo)體芯片的工序； 將鍵合線連接到所述第一半導(dǎo)體芯片的電極焊盤(pán)的工序； 利用第一絕緣粘接劑選擇性地覆蓋所述電極焊盤(pán)和所述鍵合線之間的 連接部的工序；在所述第一半導(dǎo)體芯片上，中間隔著所述第一絕緣粘接劑配置第二半導(dǎo) 體芯片的工序。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于， 在利用所述第一絕緣粘接劑選擇性地覆蓋所述連接部的工序之后，包括利用第二絕緣粘接劑覆蓋所述第一半導(dǎo)體芯片上沒(méi)有被所述第一絕緣粘接 劑覆蓋的部分的工序，所述第二半導(dǎo)體芯片中間隔著所述第一絕緣粘接劑及所述第二絕緣粘 接劑配置在所述第一半導(dǎo)體芯片上。
16. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在 所述第一半導(dǎo)體芯片上中間隔著所述第一絕緣粘接劑配置所述第二半導(dǎo)體芯片之前包括事先在所述第二半導(dǎo)體芯片的一個(gè)主面上粘合第二絕緣粘接劑的工序。
17. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在 所述第一半導(dǎo)體芯片上中間隔著所述第一絕緣粘接劑配置第二半導(dǎo)體芯片 的工序之后包括在所述芯片裝載構(gòu)件上，利用樹(shù)脂密封所述第一半導(dǎo)體芯片、所述第二 半導(dǎo)體芯片、所述鍵合線及所述第一絕緣粘接劑，并在所述第一半導(dǎo)體芯片、 所述第二半導(dǎo)體芯片之間也配置所述樹(shù)脂的工序。
18. 根據(jù)權(quán)利要求12至14中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法， 其特征在于，在所述第一半導(dǎo)體芯片上中間隔著所述第一絕緣粘接劑配置第 二半導(dǎo)體芯片的工序之后包括將鍵合線連接到所述第二半導(dǎo)體芯片的電極焊盤(pán)的工序。
全文摘要
第一半導(dǎo)體芯片21配置在芯片裝載構(gòu)件11上，利用第一絕緣粘接劑21覆蓋固定與第一半導(dǎo)體芯片21的電極焊盤(pán)21E連接的鍵合線36。一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，中間隔著第一絕緣粘接劑31，將第二半導(dǎo)體芯片22層疊配置在第一半導(dǎo)體芯片21上。由此，在層疊安裝芯片時(shí)，能夠防止襯底正上方的芯片的鍵合線發(fā)生斷線或者短路等問(wèn)題。
文檔編號(hào)H01L25/18GK101248526SQ200680030790
公開(kāi)日2008年8月20日 申請(qǐng)日期2006年8月23日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月24日
發(fā)明者成澤良明, 西村隆雄 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社