專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
半導(dǎo)體器件及其制造方法背景技術(shù)本發(fā)明涉及一種芯片尺寸封裝型(下面稱作"CSP型")的半導(dǎo)體器件，更具體地說(shuō)，涉及一種其中外部連接端部從包封樹(shù)脂的底表 面?zhèn)韧钩龅陌雽?dǎo)體器件及其制造方法。使用聚酰亞胺樹(shù)脂帶和焊料球的帶CSP型半導(dǎo)體器件和使用基本 金屬(base metal)的凸塊芯片載體型(下面稱作"BCC型")半導(dǎo)體器 件是已知的，反映了半導(dǎo)體器件的小型化的需求。但是，帶CSP型半導(dǎo) 體器件具有其中聚酰亞胺樹(shù)脂帶昂貴的問(wèn)題，以及由于聚酰亞胺樹(shù)脂 帶是軟的，聚酰亞胺樹(shù)脂帶不適合于帶傳輸。同時(shí)，BCC型半導(dǎo)體器 件具有問(wèn)題在于，在通過(guò)刻蝕而除去基本金屬之后，留下分立得器件， 以致它們的模制表面需要通過(guò)壓敏粘合帶固定，導(dǎo)致了高成本。由此， 本受讓人較早提出一種專利文獻(xiàn)l中公開(kāi)的制造半導(dǎo)體器件的方法。在圖7A至7J中，示出了制造半導(dǎo)體器件的該方法的例子。在由Cu、 Cu合金或鐵鎳合金(例如，42合金)構(gòu)成的引線框材料(leadframe material) 10的整個(gè)正面和反面上涂敷抗蝕劑膜11之后，利用預(yù)定的引 線圖案爆光抗蝕劑膜ll，然后進(jìn)行顯影，由此形成電鍍掩模的刻蝕圖 形12。然后，引線框材料10經(jīng)受全身電鍍，并且如果抗蝕劑膜ll被除 去，那么在該正面和反面上形成電鍍掩模13和14 (步驟A至D)。接下來(lái)，在用另一抗蝕劑膜15涂敷整個(gè)下表面(即，反面?zhèn)?之 后，通過(guò)使用電鍍掩模13作為抗蝕劑掩模，使上表面?zhèn)?即，正表面 側(cè))經(jīng)受半刻蝕。在此情況下，由于被電鍍掩模13覆蓋的引線框材料 IO的表面的那些部分不被刻蝕，通過(guò)抗蝕劑膜預(yù)先形成的元件安裝部 分16和引線鍵合部分17最終凸出。應(yīng)當(dāng)注意，元件安裝部分16和引線鍵合部分17的表面被電鍍掩模13所覆蓋(步驟E和F)。接下來(lái)，在下表面?zhèn)壬铣タ刮g劑膜15之后，在元件安裝部分16 上安裝半導(dǎo)體元件18，以及半導(dǎo)體元件18和引線鍵合部分17的電極焊 盤部分被引線鍵合，半導(dǎo)體元件18、鍵合引線20以及引線鍵合部分17 被樹(shù)脂包封。參考數(shù)字21表示包封樹(shù)脂(步驟F和H)。隨后，該反面?zhèn)冉?jīng)受半刻蝕。此時(shí)，形成電鍍掩模14的引線框材 料10的一部分剩下，而不被刻蝕，由于電鍍掩模14起到抗蝕劑掩模的 作用。結(jié)果，外部連接端部22和元件安裝部分16的反表面凸出。由于 外部連接端部22和引線鍵合部分17互相連通，各個(gè)外部連接端部22(引 線鍵合部分17與此連通)被獨(dú)立制成，并被電連接到半導(dǎo)體元件18的 各個(gè)電極焊盤部分。由于這些半導(dǎo)體器件23通常以柵格形式布置并被 同時(shí)地制造，它們被切割和分開(kāi)(離散)，由此制造單個(gè)半導(dǎo)體器件 23 (步驟I和J)。[專利文獻(xiàn)l] JP-A-2001-24135但是，利用上述常規(guī)半導(dǎo)體器件形成電鍍掩模13和14，如圖8所示。 即，通過(guò)在引線框材料10的表面(包括反面)上設(shè)置具有l(wèi)pm厚度的 Ni底涂層24，并通過(guò)在其上進(jìn)一步設(shè)置具有約0.2pm厚度的貴金屬電鍍 層(例如，Au) 25，形成電鍍掩模13和14。由于上層側(cè)面上的貴金屬 電鍍層25 (遠(yuǎn)離引線框材料10的層被稱為上層，以及與其靠近的層被 稱為下層)具有刻蝕液抵抗性，在刻蝕過(guò)程中，貴金屬電鍍層25不被 腐蝕，但是由銅或銅合金形成的引線框材料10和下層側(cè)上的Ni底涂層 24被刻蝕液腐蝕，如圖9A所示。因此，貴金屬電鍍層25的周邊假定箔 狀形，并被粘附到引線鍵合部分17、元件安裝部分16和外部連接端部 22的每個(gè)的周邊，由此形成電鍍毛邊(plating burr)(電鍍箔)26。如果存在這種電鍍毛邊26，那么在引線鍵合工序、樹(shù)脂包封工序(即，模制工序)等中，電鍍毛邊26被剝離，在半導(dǎo)體器件中引起包 括有故障的引線鍵合和端子之間短路等的缺陷。發(fā)明內(nèi)容鑒于上述情況設(shè)計(jì)本發(fā)明，并且其目的是提供一種半導(dǎo)體器件的 制造方法，通過(guò)抑制或消除電鍍毛邊的產(chǎn)生，產(chǎn)生少量次品，以及提 供一種通過(guò)該方法制造的半導(dǎo)體器件。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種制造半導(dǎo)體器件的方法，其中 在引線框材料的正表面?zhèn)然蚍幢砻鎮(zhèn)壬系念A(yù)定部分處形成具有貴金屬 電鍍層作為最上層的電鍍掩模，以及通過(guò)使用該電鍍掩模作為抗蝕劑 掩模，連續(xù)地刻蝕引線框材料，以便形成與在包封樹(shù)脂的內(nèi)部中布置 的半導(dǎo)體元件電連通的外部連接端部，該外部連接端部向下凸出，該 方法包括以下步驟設(shè)置顯示出刻蝕液抵抗性的基本金屬電鍍層(plating)或貴金屬電鍍層作為電鍍掩模的最底層。在本發(fā)明中，電鍍掩模的最底層的鍍層是指與引線框材料的正表 面(或反表面)直接接觸的鍍層，以及最上層的鍍層指距引線框材料 最遠(yuǎn)側(cè)的鍍層。此外，在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法中，該電鍍掩模的厚度優(yōu)選較大，例如，l至l(Him。在此情況下，在中間部分中布置容易 被刻蝕液腐蝕的鍍層(例如，Ni鍍層)等的情況下，由于該鍍層被刻 蝕液所腐蝕，因此該鍍層的厚度優(yōu)選被設(shè)為總厚度的9/10或以下(優(yōu)選 4/6)。此外，由于錫鍍層難以被刻蝕液腐蝕，因此可以使用錫鍍層代 替最底層中的貴金鍍層(該方案應(yīng)用于本發(fā)明的后續(xù)方面)。此外，在本發(fā)明中(在本發(fā)明的第一至第五方面中)，顯示出刻 蝕液抵抗性的基本金屬電鍍層是指，例如，錫鍍層、錫鉍鍍層、鉛焊 料鍍層、無(wú)鉛焊料鍍層等等。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括 在引線框材料的正表面?zhèn)壬系陌雽?dǎo)體元件部分的周邊周圍形成的引線 鍵合部分上，和在與該引線鍵合部分一致的引線框材料的反表面?zhèn)壬?形成的外部連接端部上，形成具有貴金屬電鍍層作為最上層的電鍍掩 模的第一步驟；在引線框材料的反表面?zhèn)壬闲纬煽刮g劑膜之后，通過(guò) 使用在正表面?zhèn)壬闲纬傻碾婂冄谀Ｗ鳛榭刮g劑掩模，從正表面?zhèn)?，?引線框材料上，執(zhí)行預(yù)定深度的刻蝕處理，以便使得引線鍵合部分凸 出的第二步驟；在引線框材料上安裝半導(dǎo)體元件之后，通過(guò)鍵合引線 連接半導(dǎo)體元件的電極焊盤部分和分別對(duì)應(yīng)于此的引線鍵合部分，由 此形成導(dǎo)電電路的第三步驟；包封包括半導(dǎo)體元件、鍵合引線和引線 鍵合部分的引線框材料的正表面?zhèn)鹊牡谒牟襟E；以及通過(guò)使用所形成 的電鍍掩模作為抗蝕劑掩模而除去的抗蝕劑膜，在引線框材料的反表 面?zhèn)壬蠄?zhí)行刻蝕處理，以便使得外部連接端部凸出并被獨(dú)立制成的第 五步驟，其中提供顯示出刻蝕液抵抗性的基本金屬電鍍層或貴金屬電 鍍層作為電鍍掩模的最底層。應(yīng)當(dāng)注意，在該引線框材料的反表面?zhèn)壬闲纬傻目刮g劑膜可以是 具有在其處粘結(jié)并可以在刻蝕之后通過(guò)剝離而除去的帶材料的抗蝕劑 膜。此外，在根據(jù)本發(fā)明的第一或第二方面的半導(dǎo)體器件的制造方法 中，可以在引線框材料的中心形成元件安裝部分，與外部連接端部無(wú) 關(guān)。此外，在該制造半導(dǎo)體器件的方法中，可以在半導(dǎo)體元件下面直 接設(shè)置用于熱散逸的端子。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括 形成其最上部分由貴金屬電鍍層構(gòu)成的電鍍掩模的第一步驟，在對(duì)應(yīng) 于在引線框材料的正表面?zhèn)壬习惭b的半導(dǎo)體元件的下部上布置的電極 焊盤部分的位置處，在引線框材料的正面和反面上形成該電鍍掩模；在引線框材料的反表面?zhèn)壬闲纬煽刮g劑膜之后，通過(guò)使用在正表面?zhèn)?上形成的電鍍掩模作為抗蝕劑掩模，從正表面?zhèn)龋谝€框材料上執(zhí) 行預(yù)定深度的刻蝕處理，以便使得用于電連接到電極焊盤部分的內(nèi)部 連接端部凸出的第二步驟；在半導(dǎo)體元件和引線框材料上安裝半導(dǎo)體 元件的內(nèi)部連接端部之間建立導(dǎo)電之后，樹(shù)脂包封包括該半導(dǎo)體元件 的引線框材料的正表面?zhèn)鹊牡谌襟E；以及通過(guò)使用所形成的電鍍掩 模作為抗蝕劑掩模而除去的抗蝕劑膜，在該引線框材料的反表面?zhèn)壬?執(zhí)行刻蝕處理，以便使得與內(nèi)部連接端部集成并連通的外部連接端部 凸出并被獨(dú)立制成的第四步驟，其中提供顯示出刻蝕液抵抗性的基本 金屬電鍍層或貴金屬電鍍層作為電鍍掩模的最底層。應(yīng)當(dāng)注意，該引線框材料的反表面?zhèn)壬闲纬傻目刮g劑膜可以是具 有在其處粘結(jié)的帶材料的抗蝕劑膜，以及可以通過(guò)刻蝕之后剝離除去。通過(guò)根據(jù)本發(fā)明第一至第三方面的任意一個(gè)的半導(dǎo)體器件的制造 方法，制造根據(jù)本發(fā)明第四方面的半導(dǎo)體器件。根據(jù)本發(fā)明的第五方面，提供一種具有外部連接端部的半導(dǎo)體器 件，該外部連接端部被電連接到包封的半導(dǎo)體元件并凸出到反表面?zhèn)龋?包括被電連接到半導(dǎo)體元件的電極焊盤部分的連接端部(包括與半 導(dǎo)體元件直接接觸的引線鍵合部分和內(nèi)部連接端部)，其中該連接端 部和外部連接端部具有它們的最上層和最底層，每個(gè)所述最上層由貴 金屬電鍍層構(gòu)成，每個(gè)所述最底層由顯示出刻蝕液抵抗性的基本金屬 電鍍層或貴金屬電鍍層構(gòu)成。根據(jù)本發(fā)明的第五方面，提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括 在內(nèi)部連接端部上形成具有貴金屬電鍍層的電鍍掩模作為最上層的第 一步驟，該內(nèi)部連接端部被電連接到引線框材料的正表面?zhèn)壬习惭b的 半導(dǎo)體元件的電極焊盤部分和與該內(nèi)部連接端部一致的引線框材料的 反表面?zhèn)壬闲纬傻耐獠窟B接端部；在該引線框材料的反表面?zhèn)壬闲纬煽刮g劑膜之后，通過(guò)使用在正表面?zhèn)壬闲纬傻碾婂冄谀Ｗ鳛榭刮g劑掩 模，從正表面?zhèn)?，在引線框材料上執(zhí)行預(yù)定深度的刻蝕處理，以便使 得該內(nèi)部連接端部凸出的第二步驟；在引線框材料上安裝半導(dǎo)體元件 之后，電連接半導(dǎo)體元件的電極焊盤部分和分別對(duì)應(yīng)于此的內(nèi)部連接 端部的第三步驟；包封包括半導(dǎo)體元件和內(nèi)部連接端部的引線框材料 的正表面?zhèn)鹊牡谒牟襟E；以及通過(guò)使用所形成的電鍍掩模除去的抗蝕 劑膜作為抗蝕劑掩模，在引線框材料的反表面?zhèn)壬蠄?zhí)行刻蝕處理，以 便使得外部連接端部凸出和分開(kāi)，并制成在外側(cè)上具有外部連接端部 和在內(nèi)側(cè)上具有內(nèi)部連接端部的單獨(dú)導(dǎo)體端子的第五步驟，其中在第 二步驟和第五步驟中的刻蝕處理之后，提供去毛邊和清洗該電鍍層的 步驟，用于除去內(nèi)部連接端部和外部連接端部的每一個(gè)的周邊周圍產(chǎn) 生的電鍍毛邊。在該引線框材料的反表面?zhèn)壬闲纬傻目刮g劑膜可以是具有在其處 粘結(jié)的帶材料的抗蝕劑膜，以及可以通過(guò)刻蝕之后剝離除去。在此所指的電鍍層的去毛邊和清洗包括，例如，通過(guò)在清洗過(guò)程 中施加超聲波，使由刻蝕產(chǎn)生的電鍍毛邊與各個(gè)內(nèi)連接端部的表面周 邊分開(kāi)的情況；通過(guò)在它們上噴射水而除去電鍍毛邊的情況；利用刷 子等機(jī)械地除去電鍍毛邊，和隨后除去分開(kāi)的電鍍毛邊的情況；中間 產(chǎn)品(即，半刻蝕之后立即得到的產(chǎn)品)被浸于具有超聲換能器的水 槽中，以剝離該電鍍毛邊，隨后進(jìn)行沖洗的情況；或這些情況的組合。在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法中，該導(dǎo)體端子的內(nèi)部連 接端部可以由引線鍵合部分構(gòu)成，以及可以圍繞半導(dǎo)體元件布置，具 有彼此相對(duì)設(shè)置的間隙。此外，在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法中，在與導(dǎo)體端子 分開(kāi)的引線框材料的中心，可以形成用于安裝半導(dǎo)體元件的元件安裝 部分，在第一步驟中，也可以在元件安裝部分的正表面和反表面上形成電鍍掩模，以及在第二步驟和第五步驟中的刻蝕處理之后，在去毛 邊和清洗電鍍層的步驟中，可以除去所產(chǎn)生的電鍍毛邊。此外，在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法中，在與導(dǎo)體端子 分開(kāi)的引線框材料的中心，可以以柵格陣列形式形成用于在其上安裝 半導(dǎo)體元件的用于熱散逸的端子，在第一步驟中，也可以在用于熱散逸的端子的正表面和反表面上形成電鍍掩模，以及在第二步驟和第五 步驟中的刻蝕處理之后，在去毛邊和清洗電鍍層的步驟中，可以除去 鎖產(chǎn)生的電鍍毛邊。此外，在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法中，該半導(dǎo)體器件 可以由倒裝芯片(flip-chip)型半導(dǎo)體器件構(gòu)成，以及該導(dǎo)體端子的內(nèi) 部連接端部可以被連接到在半導(dǎo)體元件的下部上布置的電極焊盤部 分。在根據(jù)本發(fā)明第一至第三方面的任意一個(gè)方面的半導(dǎo)體器件的制 造方法中，由于顯示出刻蝕液抵抗性的基本金屬電鍍層或貴金屬電鍍 層被設(shè)置為電鍍掩模的最底層，電鍍毛邊的產(chǎn)生被最大限度地抑制， 以及不需要去毛邊操作。結(jié)果，可以提供其中不合格率低的半導(dǎo)體器 件的制造方法。此外，在根據(jù)本發(fā)明第四或第五方面的半導(dǎo)體器件中，被電連接 到半導(dǎo)體元件的電極焊盤部分的連接端部和外部連接端部具有它們的 最上層和它們的最底層，每個(gè)所述最上層由貴金屬電鍍層構(gòu)成，以每 個(gè)所述最底層由顯示出刻蝕液抵抗性的基本金屬電鍍層或貴金屬電鍍 層構(gòu)成。因此，可以提供其中保證電鍍層厚度的半導(dǎo)體器件，以及有 缺陷產(chǎn)品的比率是低的。在根據(jù)本發(fā)明第五方面的半導(dǎo)體器件的制造方法中，由于在(半) 刻蝕處理之后產(chǎn)生的電鍍掩模的周邊圍繞的毛邊被除去，可以提供一種其中不合格率較低的半導(dǎo)體器件的制造方法。此外，由于在電鍍掩模的形成中沒(méi)有進(jìn)行特殊的電鍍，因此半導(dǎo) 體器件的制造成本變低。


圖l是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的說(shuō)明性視圖；圖2是說(shuō)明引線鍵合部分的細(xì)節(jié)的剖面圖；圖3A至3C是應(yīng)用第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的說(shuō)明性視圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的說(shuō)明性視圖；圖5是說(shuō)明引線鍵合部分的細(xì)節(jié)的剖面圖；圖6A至6C是應(yīng)用第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的說(shuō)明性視圖； 圖7A至7J是根據(jù)常規(guī)例子的半導(dǎo)體器件的制造方法的說(shuō)明性視圖；圖8是根據(jù)常規(guī)例子的電鍍掩模的說(shuō)明性視圖；以及 圖9A和9B是說(shuō)明電鍍毛邊的產(chǎn)生情況的說(shuō)明性視圖。參考數(shù)字和符號(hào)的描述10:引線框材料，11:抗蝕劑膜，12:刻蝕圖形，13， 14:電鍍 掩模，15:抗刻蝕劑膜，16:元件安裝部分，17:引線鍵合部分，18: 半導(dǎo)體元件，20:鍵合引線，21:包封樹(shù)脂，22:外部連接端部，23: 半導(dǎo)體器件，24: Ni底涂層，25:貴金屬電鍍層，26:電鍍毛邊，28: 半導(dǎo)體器件，29:半導(dǎo)體元件，30:電極焊盤部分，32:銅導(dǎo)體，33: 金鍍層，34:底涂層，35:金鍍層，36:襯底，38， 39:電鍍掩模， 40， 42:半導(dǎo)體器件，43:半導(dǎo)體元件，44:電極焊盤部分，45:半導(dǎo)體器件具體實(shí)施方式
為了便于本發(fā)明的理解，現(xiàn)在將參考附圖，描述本發(fā)明的實(shí)施例。這里，圖l是通過(guò)根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法 所制造的半導(dǎo)體器件的說(shuō)明性視圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的引線鍵合部分的細(xì)節(jié)的剖視圖。圖3A至3C是應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的半導(dǎo)體器件的說(shuō)明性視圖。首先，將描述圖1所示的半導(dǎo)體器件28。與圖7A至7J中所示的半導(dǎo) 體器件相同的那些組成元件由相同的參考標(biāo)記表示，將省略其詳細(xì)描 述。如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件28具有在其中心 的半導(dǎo)體元件18和在其外圍的導(dǎo)體端子29，該導(dǎo)體端子29的上表面?zhèn)?(正表面?zhèn)?形成為引線鍵合部分17以及該導(dǎo)體端子29的下表面?zhèn)?反 表面?zhèn)?形成為外部連接端部22，引線鍵合部分17和外部連接端部22 以區(qū)域陣列的形式布置。半導(dǎo)體元件18的引線鍵合部分17和電極焊盤 部分30通過(guò)鍵合引線20而電連接，以及半導(dǎo)體元件18的上層、鍵合引 線20和導(dǎo)體端子29被包封樹(shù)脂21而樹(shù)脂包封。圖1示出了導(dǎo)體端子29的細(xì)節(jié)。首先在桿狀銅導(dǎo)體32的上和下側(cè)面 上設(shè)置具有0.15至0.5pm厚度的金鍍層33，該金鍍層33是顯示出刻蝕液 抵抗性的貴金屬電鍍層的一個(gè)例子，所述桿狀銅導(dǎo)體32通過(guò)使引線框 材料IO (參見(jiàn)圖7A)經(jīng)受刻蝕而形成。在其上設(shè)置具有約0.5至2pm厚 度的底涂層34，以及在其上進(jìn)一步設(shè)置具有0.15至0.5pm厚度的金鍍層 35，該金鍍層35是貴金屬電鍍層的一個(gè)例子。在該實(shí)施例中，Ni鍍層 被設(shè)置為底涂層34。應(yīng)當(dāng)注意，引線框材料10的厚度約為0.1至0.3pm， 但是本發(fā)明不局限于這些厚度。依據(jù)其結(jié)構(gòu)，元件安裝部分16設(shè)有與導(dǎo)體端子29相同結(jié)構(gòu)的鍍層。 元件安裝部分16的下半部和導(dǎo)體端子29從包封樹(shù)脂21凸出并暴露于外 部。在每個(gè)外部連接端部22的下部上設(shè)置具有優(yōu)異的濕潤(rùn)性的電鍍層， 以及通過(guò)在另一襯底36上設(shè)置的乳劑焊料的熔合，與另一襯底36建立電連接，如圖1所示。元件安裝部分16被布置在半導(dǎo)體元件18的底表面?zhèn)让嫔希纱舜?進(jìn)從半導(dǎo)體元件18的熱散逸。接下來(lái)，將描述制造該半導(dǎo)體器件28的方法，但是僅僅詳細(xì)描述 與圖7A至7J所示的常規(guī)半導(dǎo)體器件23的制造方法不同的部分。在圖7A 至7J中，圖7A至7C的步驟是相同的。在圖7D的步驟中，在執(zhí)行全身 (all-over)電鍍的情況下，首先執(zhí)行具有0.15至0.5pm厚度的金鍍層33， 該金鍍層33是貴金屬電鍍層的一個(gè)例子，并且在其上設(shè)置具有大約0.5 至2pm厚度的底涂層34。然后，在其上進(jìn)一步設(shè)置具有0.15至0.5pm厚 度的金鍍層35，該金鍍層35是貴金屬電鍍層的一個(gè)例子。接下來(lái)，如圖7E所示，用抗蝕劑膜15覆蓋引線框材料10的整個(gè)下 表面?zhèn)?，以及?zhí)行正面?zhèn)鹊陌肟涛g，如圖7F所示。在此情況下，由于 金鍍層33和35沒(méi)有被刻蝕液所腐蝕，因此形成引線鍵合部分17，如圖2 所示。即，下側(cè)上的引線框材料10被刻蝕為預(yù)定形狀，而引線框材料 10被腐蝕直至由金鍍層35、底涂層34和金鍍層33構(gòu)成的電鍍掩模38的 周邊的下部。由此，電鍍掩模38從構(gòu)成引線鍵合部分17的銅材料的周 邊凸出，但是由于其厚度具有金鍍層33和35以及底涂層34的厚度，電 鍍掩模38難以彎曲，并且在樹(shù)脂包封過(guò)程中，沒(méi)有構(gòu)成通過(guò)這種除去 或離開(kāi)而形成的電鍍毛邊。由此，半導(dǎo)體器件28的不合格率可觀地下 降。應(yīng)當(dāng)注意，作為圖7E的步驟中使用的抗蝕劑膜，優(yōu)選具有在其處 粘結(jié)的帶材料的抗蝕劑膜，以及由此便于刻蝕之后的剝離操作。接著，如圖7G所示，下表面?zhèn)壬系目刮g劑膜15被除去。在元件安 裝部分16上安裝半導(dǎo)體元件18之后，半導(dǎo)體元件18和引線鍵合部分17 之間的電連接受到鍵合引線20的影響，引線框材料10的上端被樹(shù)脂包封(圖7H)。然后，如圖7I所示，進(jìn)行引線框材料10的反表面?zhèn)鹊陌肟涛g。在 此情況下，由于外部連接端部22的反表面?zhèn)群驮惭b部分16被由金 鍍層35、底涂層34和金鍍層33構(gòu)成的電鍍掩模39所覆蓋，總體上形成 有較大厚度的電鍍掩模39沒(méi)有被刻蝕液腐蝕。此外，由于電鍍掩模39 具有固定的厚度(優(yōu)選，l至10nm，更優(yōu)選1.5至4)am),沒(méi)有形成電鍍 毛邊。接下來(lái)，如圖7J所示，每個(gè)半導(dǎo)體器件28被切割并分開(kāi)，以獲得 單個(gè)的半導(dǎo)體器件。接下來(lái)，參考圖3A至3C，將描述應(yīng)用根據(jù)發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制 造方法的半導(dǎo)體器件40， 42和45。圖3A示出了其中省略了元件安裝部分(管芯襯墊(die pad))的 半導(dǎo)體器件40,在半導(dǎo)體元件18周邊周圍設(shè)置間隙(clearance)，以及 以柵格陣列的形式布置導(dǎo)體端子29。這些導(dǎo)體端子29的上側(cè)形成為引 線鍵合部分17，而其下側(cè)形成為外部連接端部22。在引線鍵合部分17 和外部連接端部22的表面上分別形成每個(gè)由金鍍層35、底涂層34以及 金鍍層33構(gòu)成的電鍍掩模38和39。由于這些電鍍掩模38和39的每個(gè)的表面面積大于銅導(dǎo)體32的截面 面積，電連接效率增加。應(yīng)當(dāng)注意，圖3A至3C所示的掩模38向外膨脹， 如圖l中的放大視圖所示。接下來(lái)，圖3B示出了一種半導(dǎo)體器件，其中元件安裝部分被省略， 以及代替地，在半導(dǎo)體元件18下面直接設(shè)置多個(gè)導(dǎo)體端子29 (用于熱 散逸的端子)。直接布置在半導(dǎo)體元件18下面的導(dǎo)體端子29不形成導(dǎo) 電電路，而是協(xié)助從半導(dǎo)體元件18的熱散逸。在導(dǎo)體端子29的上和下表面上分別形成每個(gè)由金鍍層35、底涂層 34以及金鍍層33構(gòu)成的電鍍掩模38和39，由此防止電鍍毛邊的產(chǎn)生。圖3C中所示的半導(dǎo)體器件45是倒裝芯片(FC)型半導(dǎo)體器件，其 中半導(dǎo)體元件43的電極焊盤部分44以柵格陣列的形式布置，半導(dǎo)體元 件43布置有面向下的電極焊盤部分44，并且內(nèi)部連接端部被分別被設(shè) 置在導(dǎo)體端子29的上側(cè)上，并被直接連接到半導(dǎo)體元件43的電極焊盤 部分44。結(jié)果，可以制造更緊湊的半導(dǎo)體器件。在此情況下，在導(dǎo)體端子29的上和下表面上分別形成每個(gè)由金鍍 層35、底涂層34以及金鍍層33構(gòu)成的電鍍掩模38和39，由此防止電鍍 毛邊的產(chǎn)生。在上述實(shí)施例中，電鍍掩模38和39的每一個(gè)形成為使得貴金屬電 鍍層被設(shè)置為最底層和最上層，作為底涂層的Ni鍍層被設(shè)置為中間部 分；但是，最底層中的貴金屬電鍍層可以被省略，以及底涂層可以是 具有大厚度的基本金屬電鍍層。在此情況下，任意金屬可以被用作基 本金屬電鍍層，只要該金屬不被刻蝕液所腐蝕，但是優(yōu)選地使用如顯 示出刻蝕液抵抗性的錫鍍層、錫鉍鍍層、鉛焊料鍍層或無(wú)鉛焊料鍍層。 由于這些金屬不可能被刻蝕液所腐蝕，表面上的薄的貴金屬電鍍層不 形成毛邊。應(yīng)當(dāng)注意，如果與Ni鍍層相比它難以被刻蝕液腐蝕(例如， 刻蝕速率是1/10或以下)，那么這種基本金屬電鍍層是足夠的，并且即 使它在一定程度上被腐蝕，該腐蝕可以通過(guò)增加其厚度來(lái)補(bǔ)償(例如， 4至8—。接下來(lái)，圖4是通過(guò)根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方 法所制造的半導(dǎo)體器件的說(shuō)明性視圖。圖5是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施 例的引線鍵合部分的細(xì)節(jié)的剖視圖。圖6A至6C是應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明第二 實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的半導(dǎo)體器件的說(shuō)明性視圖。1首先，將描述圖4所示并通過(guò)根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法所制造的半導(dǎo)體器件28。與圖l所示的半導(dǎo)體器件的制造方法相同的那些構(gòu)成元件由相同參考標(biāo)記表示，其詳細(xì)描述將被省略。如圖4所示，由根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法所 制造的半導(dǎo)體器件28在其中心具有半導(dǎo)體元件18并且在其周邊具有導(dǎo) 體端子29，該導(dǎo)體端子29的上表面?zhèn)?正表面?zhèn)?形成為引線鍵合部 分17， S卩，內(nèi)部連接端部的一個(gè)例子，以及該導(dǎo)體端子29的下表面?zhèn)?(反表面?zhèn)?形成為外部連接端部22，引線鍵合部分17和外部連接端 部22以區(qū)域陣列的形式布置。半導(dǎo)體元件18的引線鍵合部分17和電極 焊盤部分30通過(guò)鍵合引線20而電連接，以及半導(dǎo)體元件18的上半部、 鍵合引線20和導(dǎo)體端子29被包封樹(shù)脂21所樹(shù)脂包封。在圖4中示出了導(dǎo)體端子29的細(xì)節(jié)。首先，在通過(guò)使引線框材料IO 經(jīng)受刻蝕而形成的桿狀銅導(dǎo)體32 (參見(jiàn)圖4)的上和下側(cè)上設(shè)置具有約 0.5至2pm厚度的底涂層34，以及在其上進(jìn)一步設(shè)置具有0.15至0.5)im厚 度的金鍍層35，該金鍍層35是貴金屬電鍍層的一個(gè)例子。在該實(shí)施例 中，Ni鍍層被設(shè)置為底涂層34。應(yīng)當(dāng)注意，引線框材料10的厚度約為 0.1至0.3pm，但是本發(fā)明不局限于這些厚度。該金鍍層35的厚度不被限 制，只要它具有使得襯底不被刻蝕液所腐蝕的厚度；但是，如果金鍍 層35變得太厚，那么制造成本不利地猛增。通過(guò)刻蝕形成導(dǎo)體端子29 (以及將在下面將描述的元件安裝部分16)，以及由于其外圍毛邊26 已被除去，在銅導(dǎo)體32的上和下側(cè)上形成的上述底涂層34和金鍍層35 的寬度基本上與銅導(dǎo)體32的剖面的寬度相同。依據(jù)其結(jié)構(gòu)，元件安裝部分16設(shè)有與導(dǎo)體端子29相同結(jié)構(gòu)的鍍層。 元件安裝部分16的下半部和導(dǎo)體端子29從包封樹(shù)脂21凸出并暴露于外 部。在每個(gè)外部連接端部22的下部上設(shè)置具有優(yōu)異的濕潤(rùn)性的電鍍層， 以及通過(guò)在另一襯底36上設(shè)置的乳劑焊料的熔合，與另一襯底36建立電連接，如圖4所示。元件安裝部分16被布置在半導(dǎo)體元件18的底表面?zhèn)让嫔?，由此?進(jìn)從半導(dǎo)體元件18的熱散逸。接下來(lái)，將描述制造該半導(dǎo)體器件28的方法，但是僅僅詳細(xì)描述 與圖7A至7J所示的常規(guī)半導(dǎo)體器件23的制造方法不同的部分。在圖7A 至7J中，圖7A至7C的步驟是相同的。在圖7D的步驟中，在執(zhí)行全身電 鍍的情況下，首先設(shè)置具有約0.5至2nm厚度的底涂層34，如圖5所示。 然后，在其上進(jìn)一步設(shè)置具有0.15至0.5pm厚度的金鍍層35，該金鍍層 35是貴金屬電鍍層的一個(gè)例子。接下來(lái)，如圖7E所示，用抗蝕劑膜15覆蓋引線框材料10的整個(gè)下 表面?zhèn)?，以及?zhí)行正面?zhèn)鹊陌肟涛g，如圖7F所示。在此情況下，盡管 部分引線框材料10和部分底涂層34被刻蝕液所腐蝕，但是由于金鍍層 35不被刻蝕液腐蝕，因此形成引線鍵合部分17，如圖5所示。即，引線 框材料10被刻蝕為預(yù)定形狀，以形成銅導(dǎo)體32的上半部，以及部分底 涂層34也被同時(shí)腐蝕。然后，在最上部分的金鍍層35被剩下，以及直 接在銅導(dǎo)體32上面的周邊周圍形成電鍍毛邊26。如果電鍍毛邊26被原 樣地剩下，導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的產(chǎn)品缺陷，如之前描述。由此，在該半刻蝕步驟(F)之后提供去毛邊和清洗該鍍層的步驟。 該鍍層的去毛邊通過(guò)例如在其處施加的超聲波，將清洗液施加到毛邊 26來(lái)實(shí)現(xiàn)。此外，鍍層的去毛邊還可以通過(guò)用刷子等研磨或通過(guò)水噴 射等，通過(guò)機(jī)械去毛邊來(lái)實(shí)現(xiàn)，或可以通過(guò)利用例如王水的化學(xué)處理 來(lái)實(shí)現(xiàn)。由于電鍍毛邊從上側(cè)和下側(cè)熔化，而需要的部分(例如，引 線鍵合部分)僅僅從一側(cè)單獨(dú)熔化，因此電鍍毛邊可以被除去。隨后， 通過(guò)清洗從該產(chǎn)品完全除去所除去的電鍍毛邊。應(yīng)當(dāng)注意，在半刻蝕 步驟(F)和(I)之后，沖洗被自然地進(jìn)行，以除去刻蝕液，并且在不 同于去毛邊和清洗該鍍層的這些步驟的時(shí)間實(shí)現(xiàn)。應(yīng)當(dāng)注意，作為在半刻蝕步驟(F)中使用的抗蝕劑膜，優(yōu)選具有 在其處粘結(jié)的帶材料的抗蝕劑，由此便于刻蝕之后的剝離操作。在去除電鍍毛邊26之后，下表面?zhèn)壬系目刮g劑膜15被除去。在元 件安裝部分16上安裝半導(dǎo)體元件18之后，半導(dǎo)體元件18和引線鍵合部 分17之間的電連接由鍵合引線20來(lái)實(shí)現(xiàn)，引線框材料10的上端被樹(shù)脂 包封(圖7H)。然后，如圖71所示，進(jìn)行引線框材料10的反表面?zhèn)鹊?半刻蝕。在此情況下，由于外部連接端部22的反表面?zhèn)群驮惭b部 分16設(shè)有底涂層34和金鍍層35，產(chǎn)生了電鍍毛邊26，因此進(jìn)行去毛邊 和清洗該鍍層的上述步驟，以除去所有所形成的電鍍毛邊26。接下來(lái)，如圖7J所示，每個(gè)半導(dǎo)體器件28被切割并被分開(kāi)，以獲 得單個(gè)的半導(dǎo)體器件。接下來(lái)，參考圖6A至6C，將描述應(yīng)用根據(jù)發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo) 體器件的制造方法的半導(dǎo)體器件40， 42和45。應(yīng)當(dāng)注意，在下面描述 的制造方法中，在各個(gè)半刻蝕處理之后提供去毛邊和清洗該鍍層的上 述步驟，以便除去由半刻蝕處理形成的電鍍毛邊26。圖6A示出了其中省略了元件安裝部分(管芯襯墊)的半導(dǎo)體器件 40，在半導(dǎo)體元件18周邊周圍設(shè)置間隙，以及以柵格陣列的形式布置 導(dǎo)體端子29。這些導(dǎo)體端子29的上側(cè)形成為引線鍵合部分17，而其下 側(cè)形成為外部連接端部22。在引線鍵合部分17的表面和外部連接端部 22上分別形成底涂層34和金鍍層35 (參見(jiàn)圖l)。盡管在金鍍層35的周 邊周圍形成電鍍毛邊26，但是在去毛邊和清洗該鍍層的步驟中，除去 該電鍍毛邊26。應(yīng)當(dāng)注意，在半導(dǎo)體元件18的底部也可以提供管芯焊盤18a，如由 圖6A中的雙點(diǎn)劃線所示。該管芯焊盤18a可以被半刻蝕，如之前描述，或可以被粘附到半導(dǎo)體元件18的底部。接下來(lái)，圖6B示出了其中元件安裝部分被省略的半導(dǎo)體器件，以 及代替地，以柵格陣列的形式在半導(dǎo)體元件18的下面直接設(shè)置多個(gè)導(dǎo) 體端子29。直接布置在半導(dǎo)體元件18下面的導(dǎo)體端子29不形成導(dǎo)電電 路，而是協(xié)助從半導(dǎo)體元件18的熱散逸(用于熱散逸的端子)。應(yīng)當(dāng) 注意，在半導(dǎo)體元件18的周邊圍繞設(shè)置的導(dǎo)體端子29的上表面上分別 形成引線鍵合部分17，以及在其下表面上形成外部連接端部22。每個(gè)由底涂層34和金鍍層35構(gòu)成的電鍍掩模13和14分別被設(shè)置在 各個(gè)導(dǎo)體端子29的上和下表面上，以及在半刻蝕處理中所形成的電鍍 毛邊被除去。圖6C中所示的半導(dǎo)體器件45是倒裝芯片(FC)型半導(dǎo)體器件，其 中以柵格陣列的形式布置半導(dǎo)體元件43的電極焊盤部分44，半導(dǎo)體元 件43布置有面向下的電極焊盤部分44，并且在導(dǎo)體端子29的上側(cè)分別 設(shè)置內(nèi)部連接端部，并且該內(nèi)部連接端部被直接連接到半導(dǎo)體元件43 的電極焊盤部分44。結(jié)果，可以制造進(jìn)一步緊湊的半導(dǎo)體器件。在此情況下，在各個(gè)導(dǎo)體端子29的上和下表面上也設(shè)置底涂層34 和金鍍層35，以及在半刻蝕處理中所形成的電鍍毛邊被除去。盡管金鍍層被用作貴金屬電鍍層的一個(gè)例子，但是在本發(fā)明中也 可以使用其他金屬(例如，Ag、 Pd、 Pt等)，只要該金屬通常不被刻 蝕液所腐蝕或難以被腐蝕，以及難以經(jīng)受表面氧化。
權(quán)利要求
1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟在引線框材料的正表面?zhèn)然蚍幢砻鎮(zhèn)壬系念A(yù)定部分，形成具有貴金屬電鍍層作為最上層的電鍍掩模，設(shè)置顯示出刻蝕液抵抗性的基本金屬電鍍層或貴金屬電鍍層作為電鍍掩模的最底層，通過(guò)使用該電鍍掩模作為抗蝕劑掩模，連續(xù)地刻蝕該引線框材料，以及形成與在包封樹(shù)脂的內(nèi)部布置的半導(dǎo)體元件電連通的外部連接端部，該外部連接端部向下凸出。
2. —種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括在引線框材料的正表面?zhèn)壬系陌雽?dǎo)體元件部分的周邊周圍形成的 引線鍵合部分上，和在與該引線鍵合部分相一致的引線框材料的反表 面?zhèn)壬闲纬傻耐獠窟B接端部上，形成具有貴金屬鍍層作為最上層的電 鍍掩模的第一步驟；在引線框材料的反表面?zhèn)壬闲纬煽刮g劑膜之后，通過(guò)使用在正表 面?zhèn)壬闲纬傻碾婂冄谀Ｗ鳛榭刮g劑掩模，從正表面?zhèn)?，在該引線框材 料上執(zhí)行預(yù)定深度的刻蝕處理，以便使得引線鍵合部分凸出的第二步 驟；在該引線框材料上安裝半導(dǎo)體元件之后，通過(guò)鍵合引線來(lái)連接半 導(dǎo)體元件的電極焊盤部分和分別對(duì)應(yīng)于此的引線鍵合部分，由此形成 導(dǎo)電電路的第三步驟；包封包括半導(dǎo)體元件、鍵合引線和引線鍵合部分的引線框材料的 正表面?zhèn)鹊牡谒牟襟E；以及通過(guò)使用所形成的電鍍掩模除去的抗蝕劑膜作為抗蝕劑掩模，在 引線框材料的反表面?zhèn)壬蠄?zhí)行刻蝕處理，以便使得外部連接端部凸出 并被獨(dú)立制成的第五步驟，其中，顯示出刻蝕液抵抗性的基本金屬電鍍層或貴金屬電鍍層被設(shè)置為該電鍍掩模的最底層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在該引線框材料 的反表面?zhèn)壬闲纬傻目刮g劑膜具有在其處粘結(jié)的帶材料，并在刻蝕之 后通過(guò)剝離而除去的抗蝕劑膜。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在該引線框 材料的中心形成元件安裝部分，與外部連接端部無(wú)關(guān)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或2的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在半導(dǎo)體元 件下面直接設(shè)置用于熱散逸的端子。
6. —種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括形成其最上部分由貴金屬電鍍層構(gòu)成的電鍍掩模的第一步驟，在 對(duì)應(yīng)于在該引線框材料的正表面?zhèn)壬习惭b的半導(dǎo)體元件的下部上布置 的電極焊盤部分的位置，在該引線框材料的正面和反面上形成所述電 鍍掩模；在該引線框材料的反表面?zhèn)壬闲纬煽刮g劑膜之后，通過(guò)使用在該 正表面?zhèn)壬闲纬傻碾婂冄谀Ｗ鳛榭刮g劑掩模，從正表面?zhèn)?，在引線框 材料上執(zhí)行預(yù)定深度的刻蝕處理，以便使得用于電連接到電極焊盤部 分的內(nèi)部連接端部凸出的第二步驟；在半導(dǎo)體元件和引線框材料上安裝的半導(dǎo)體元件上的內(nèi)部連接端 部之間建立導(dǎo)電之后，樹(shù)脂包封包括該半導(dǎo)體元件的引線框材料的正 表面?zhèn)鹊牡谌襟E；以及通過(guò)使用所形成的電鍍掩模除去的抗蝕劑膜作為抗蝕劑掩模，在 引線框材料的反表面?zhèn)壬蠄?zhí)行刻蝕處理，以便使得外部連接端部與內(nèi) 部連接端部集成并連通，從而凸出并被獨(dú)立制成的第四步驟，其中，顯示出刻蝕液抵抗性的基本金屬電鍍層或貴金屬電鍍層被 設(shè)置為電鍍掩模的最底層。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在該引線框材料 的反表面?zhèn)壬闲纬傻目刮g劑膜是具有在其處粘結(jié)的帶材料，并在刻蝕 之后通過(guò)剝離而被除去的抗蝕劑膜。
8. —種通過(guò)根據(jù)權(quán)利要求1、 2和6的任意一項(xiàng)的半導(dǎo)體器件的制造 方法所制造的半導(dǎo)體器件。
9. 一種具有外部連接端部的半導(dǎo)體器件，該外部連接端部電連接 到包封的半導(dǎo)體元件并凸出到反表面?zhèn)?，所述半?dǎo)體器件包括被電連接到半導(dǎo)體元件的電極焊盤部分的連接端部， 其中，該連接端部和外部連接端部具有它們的最上層和最底層， 所述最上層每個(gè)由貴金屬電鍍層構(gòu)成，以及所述最底層每個(gè)由顯示出 刻蝕液抵抗性的基本金屬電鍍層或貴金屬電鍍層構(gòu)成。
10. —種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括在內(nèi)部連接端部上形成具有貴金屬電鍍層作為最上層的電鍍掩模 的第一步驟，所述內(nèi)部連接端部被電連接到在引線框材料的正表面?zhèn)?上安裝的半導(dǎo)體元件的電極焊盤部分以及在與該內(nèi)部連接端部一致的引線框材料的反表面?zhèn)壬闲纬傻耐獠窟B接端部；在該引線框材料的反表面?zhèn)壬闲纬煽刮g劑膜之后，通過(guò)使用在正 表面?zhèn)壬闲纬傻碾婂冄谀Ｗ鳛榭刮g劑掩模，從正表面?zhèn)?，在引線框材 料上執(zhí)行預(yù)定深度的刻蝕處理，以便使得該內(nèi)部連接端部凸出的第二 步驟；在該引線框材料上安裝半導(dǎo)體元件之后，電連接半導(dǎo)體元件的電 極焊盤部分和分別對(duì)應(yīng)于此的內(nèi)部連接端部的第三步驟；包封包括半導(dǎo)體元件和內(nèi)部連接端部的引線框材料的正表面?zhèn)鹊?第四步驟；以及通過(guò)使用所形成的電鍍掩模除去的抗蝕劑膜作為抗蝕劑掩模，在 引線框材料的反表面?zhèn)壬蠄?zhí)行刻蝕處理，以便使得該外部連接端部凸 出并分開(kāi)，以及制成在外側(cè)上具有外部連接端部并在內(nèi)側(cè)上具有內(nèi)部連接端部的單獨(dú)導(dǎo)體端子的第五步驟，其中，在第二步驟和第五步驟中的刻蝕處理之后，提供去毛邊和 清洗該電鍍層的步驟，用于除去在內(nèi)部連接端部和外部連接端部的每 一個(gè)的周邊周圍所產(chǎn)生的電鍍毛邊。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在該引線框材料的反表面?zhèn)壬闲纬傻目刮g劑膜是具有在其處粘結(jié)的帶材料并在刻蝕 之后通過(guò)剝離而被除去的抗蝕劑膜。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中該導(dǎo)體端子的 內(nèi)部連接端部由引線鍵合部分構(gòu)成，并且圍繞半導(dǎo)體元件布置，具有 彼此相對(duì)設(shè)置的間隙。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在與導(dǎo)體端子 分開(kāi)的引線框材料的中心，形成用于安裝半導(dǎo)體元件的元件安裝部分， 在第一步驟中，在元件安裝部分的正表面和反表面上也形成電鍍掩模， 以及在第二步驟和第五步驟中的刻蝕處理之后，在去毛邊和清洗電鍍層的步驟中，除去所產(chǎn)生的電鍍毛邊。
14. 根據(jù)權(quán)利要求11的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在與導(dǎo)體端子 分開(kāi)的引線框材料的中心，以柵格陣列形式形成用于在其上安裝半導(dǎo) 體元件的用于熱散逸的端子，在第一步驟中，在用于熱散逸的端子的 正表面和反表面上也形成電鍍掩模，以及在第二步驟和第五步驟中的 刻蝕處理之后，在去毛邊和清洗電鍍層的步驟中除去所產(chǎn)生的電鍍毛 邊。
15. 根據(jù)權(quán)利要求10的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中該半導(dǎo)體器 件由倒裝芯片型半導(dǎo)體器件構(gòu)成，以及該導(dǎo)體端子的內(nèi)部連接端部被 連接到在半導(dǎo)體元件的下部上布置的電極焊盤部分。
全文摘要
一種制造半導(dǎo)體器件(28)的方法，其中在引線框材料(10)的正表面?zhèn)然蚍幢砻鎮(zhèn)壬系念A(yù)定部分處形成具有貴金屬電鍍層(35)作為最上層的電鍍掩模(38，39)，以及通過(guò)使用該電鍍掩模(38，39)作為抗蝕劑掩模，連續(xù)地刻蝕引線框材料(10)，以便形成與在包封樹(shù)脂(21)的內(nèi)部布置的半導(dǎo)體元件(18)電連通并向下凸出的外部連接端部(22)。顯示出刻蝕液抵抗性的基本金屬電鍍層或貴金屬電鍍層(33)被設(shè)置為電鍍掩模(38，39)的最底層。
文檔編號(hào)H01L23/12GK101218670SQ20068002516
公開(kāi)日2008年7月9日 申請(qǐng)日期2006年8月9日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月10日
發(fā)明者平島哲也, 高井啓次 申請(qǐng)人:株式會(huì)社三井高科技