專利名稱：在封裝級制作用于被覆蓋的mems的襯底接觸的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要涉及微機電系統(tǒng)("MEMS")，更具體地，涉 及為MEMS的應用而建立的接觸。
背景技術(shù)：
^多4件和系統(tǒng)都包括許多不同類型的執(zhí)行各種監(jiān)控和/或 控制功能的傳感器。微機械和其他微制造工藝的進步已經(jīng)實現(xiàn)了制作 大量的微機電系統(tǒng)("MEMS")器件。近年來，許多用于執(zhí)行監(jiān)控和 /或控制功能的傳感器實現(xiàn)在MEMS器件中。MEMS傳感器的一個特別的應用是加速度計。典型地， MEMS加速計在其組件部件中包括，建立在絕緣體上硅晶片上的質(zhì)量 塊。該質(zhì)量塊通過一個或多個懸掛彈簧彈性地懸掛到晶片的一部分上。 當MEMS加速度計經(jīng)歷加速時，該質(zhì)量塊也運動，并且該動作被轉(zhuǎn)化 成與加速成比例的具有參量幅值的電信號(例如，電壓，電流，頻率， 等)。MEMS加速計典型地實現(xiàn)于具有多個電子器件的系統(tǒng)中。 每個器件都可能發(fā)射電磁干擾波，并且，如果MEMS加速計與另一個 器件設(shè)置得太近，可能在工作時受到來自器件的寄生電容的作用。為 減小這種現(xiàn)象，通常采用覆蓋物(cap)來包封住該質(zhì)量塊，該覆蓋物 通過鍵合線接地到晶片上。MEMS加速度計變得越來越小，這樣，通常采用具有精細 和超精細間距和縮小的直徑的鍵合線。然而，使用這些鍵合線會有某 些缺點。例如，縮小的間距和直徑會在處理和鍵合該鍵合線時帶來困難。具體來說，鍵合線會不經(jīng)意的短路到MEMS加速度計的其他導電
結(jié)構(gòu)。而且，將該鍵合線連接到組件上是相對昂貴的工藝?？傊枰峁┮环N相對便宜和操作簡單并且不會不經(jīng)意的 短路到其他導電結(jié)構(gòu)的MEMS加速度計的制造方法，而且，還需讓該 工藝不使用額外的制造設(shè)備。接下來，通過接下來的詳細描述和附上 的權(quán)利要求，再結(jié)合相應的附圖和前述的技術(shù)領(lǐng)域和背景技術(shù)的內(nèi)容， 將明白本發(fā)明其他需要的特征與特性。


接下來將結(jié)合下面的圖示來描述本發(fā)明，其中類似的標號代
表類似的部件，并且圖1是一個示例的MEMS器件的截面圖；
圖2是圖1中描述的示例的MEMS傳感器的頂視圖； [OOIO]圖3是另一個示例的MEMS器件的截面圖； [OOll]圖4是表示制造圖1和圖2中描述的示例MEMS器件的示
例方法的流程圖；圖5是可用于圖4中描述的方法的示例性襯底的截面圖；圖6是圖5中顯示的示例性襯底的頂視圖；和圖7是在圖4描述的示例方法中另一步驟中圖5的示例性襯
底的截面圖；圖8是在圖4中描述的示例方法中另一步驟中圖5的示例性 襯底的截面圖；圖9是在圖4中描述的示例方法中另 一步驟中圖5的示例性 襯底的截面圖；圖10是在圖4中描述的示例方法中另一步驟中圖5的示例 性襯底的截面圖。
具體實施例方式下面具體的描述在本質(zhì)上是示例性的而不是要限制該發(fā)明或該發(fā)明的應用或用途。而且，也無意被前述的技術(shù)領(lǐng)域、背景技術(shù)、 發(fā)明內(nèi)容或后續(xù)的詳細描述中明示或隱含的理論所局限?；谶@種考 慮，雖然通過加速度計的內(nèi)容來描述和敘述本發(fā)明，但是要明白，本 發(fā)明至少可用于包括可移動地懸掛在襯底表面上的質(zhì)量塊的多種器件 的任何一種，或需要防止電磁干擾的任何微機電系統(tǒng)("MEMS")器 件?，F(xiàn)在進行描述，圖1是示例的MEMS器件100的截面圖。 MEMS器件100是慣性傳感器，例如加速度計，并且包括形成在晶片 106上的場區(qū)102和傳感器區(qū)104。晶片106可以是常規(guī)使用的晶片中 的任何一種。例如，如圖l所描述的，晶片106是SOI("絕緣體上硅") 晶片。這種情況下，晶片106—般包括支撐層(handle layer) 108，有 源層112和設(shè)置于支撐層108和有源層112之間的犧牲層114。場區(qū) 102和傳感器區(qū)104都形成在有源層112。場區(qū)102是有源層112的區(qū) 域，有源層112通過犧牲層114與支撐層108連接。相反地，傳感器 區(qū)104,雖然與場區(qū)102耦合，還部分地從支撐層108中脫離。具體來 講，通過移除傳感器區(qū)104下方地部分犧牲層114,傳感器區(qū)104被部 分地底切。這種底切形成了將部分傳感器區(qū)104從支撐層108脫離的 脫離槽116。傳感器區(qū)104的脫離部分從而懸掛在晶片106上。傳感器區(qū)104包括多個傳感器元件，它們可以，例如根據(jù)實 現(xiàn)的特定MEMS器件100而變化。然而，在描述的實施例中，其中 MEMS器件100是加速度計，該傳感器元件包括懸掛彈簧122，機構(gòu) 124，在此例子中是振動塊，移動電極126和固定電極128。懸掛彈簧 122彈性地將振動塊124和移動電極126懸吊在支撐層108上，并優(yōu)選 配置為較為靈活。懸掛彈簧122、振動塊124和移動電極126每個都橫 跨在脫離槽116上，因而也都從晶片106脫離并懸于其上。然而，固 定電極128仍然通過，例如犧牲層114,與晶片106保持連接。為了清楚和便于描述，可以認識到，傳感器區(qū)104在圖1中被描述為只包括單個懸掛彈簧122，單個移動電極126和單個固定電 極128。然而，在將要詳細描述的某個特定的物理實現(xiàn)中，其更清楚地 在圖2中顯示，傳感器區(qū)104包括一對懸掛彈簧122，多個移動電極 126和多個固定電極128。懸掛彈簧122每個連接在場區(qū)102和振動塊 124中，且如前所述，當脫離時，將振動塊124彈性懸掛在晶片106上。 移動電極126每個都與振動塊124相連，而且同樣，在脫離時，懸掛 在晶片106上。圖2還顯示，每個移動電極126設(shè)置在兩個固定電極 128之間。如前所述，固定電極128沒有脫離。相反，通過多個固定錨 202，固定電極128與晶片106保持錨定。轉(zhuǎn)回到圖1，為減少MEMS器件100工作期間寄生電容的 存在，還包括保護覆蓋物132和互連136。保護覆蓋物132與晶片106 耦合，并至少在傳感器區(qū)104上延伸以提供相應的物理保護。優(yōu)選， 保護覆蓋物132部分地與傳感器區(qū)104間隔開，以使傳感器區(qū)104的 至少一部分可以移動。保護覆蓋物132和晶片106可以通過各種方式 之一彼此耦合。例如，在描述的實施例中，保護覆蓋物132通過覆蓋 物錨134與場區(qū)102耦合。覆蓋物錨134可以是適于將保護覆蓋物132 和晶片106密封耦合的任合一種裝置，例如熔接密封?；蛘?，保護覆 蓋物132可以與傳感器區(qū)104的一個或多個不動部分相耦合，例如一 個或多個固定電極128。在操作期間，當MEMS器件100經(jīng)歷加速時，振動塊124 會移動與經(jīng)歷的加速度的大小成比例的距離。移動電極126連接至振 動塊124，因而也移動和振動塊124相同的距離。移動電極126和固定 電極128—起形成了可變微分電容。這樣，當MEMS器件IOO經(jīng)歷加 速時，移動電極126會朝向或遠離固定電極128移動。移動電極126 移動的距離將導致固定電極126和移動電極128之間電容值的成比例 的變化。測量這種電容值的變化，并且用于確定加速度的大小?；ミB136將保護覆蓋物132接地到支撐層108，以防止寄生
8電容干擾上述的電容測量。優(yōu)選，互連136耦合到由有源層U2、犧牲 層114、保護覆蓋物132和覆蓋物錨134的邊緣所定義的側(cè)壁138。側(cè) 壁138可以是傾斜的，如圖1所示，也可以基本上樹直的或垂直的。 在樹直的配置中，例如圖3中實施例顯示的那樣，側(cè)壁138與第二壁 172可以通過形成在其間的擱板174連接，該擱板174被設(shè)置用于將互 連136保持在側(cè)壁138上?；ミB136連接到側(cè)壁138上使得至少保護 覆蓋物132和支撐層108電連接。或者，互連136可以延伸出側(cè)壁138 并覆蓋保護覆蓋物132的其他部分，例如頂部。
'['0025]互連136可以由任何一種導電材料構(gòu)成。例如，互連136 可以包含金屬，可以是單層金屬，例如鋁，還可以是兩層金屬，例如 鈦或鉻和鋁。采用其他適合的金屬也是可以的。在另一個例子中，互 連136是導電的環(huán)氧樹脂。轉(zhuǎn)到圖4,其顯示了制造MEMS器件100的示例方法400 的流程圖。首先，得到在支撐層上至少具有保護覆蓋物的襯底(402步 驟)。然后，切割襯底以將襯底分成第一管芯和第二管芯，其中第一管 芯具有側(cè)壁(步驟404)。接著將第一管芯連接到引線框架(步驟406)。 然后，在側(cè)壁上淀積導電材料(步驟408)。步驟402可以由任何一種傳統(tǒng)技術(shù)來完成。例如，可以由現(xiàn) 貨供應得到合適的襯底，也可以通過定制。圖5示出了示例的合適襯 底500的截面圖。襯底500包括支撐層108，設(shè)置于支撐層108上的犧 牲層114，設(shè)置在犧牲層114上的有源層112，形成在有源層112中的 傳感器區(qū)157和159，和保護覆蓋物132。覆蓋物錨134設(shè)置于保護覆 蓋物132和有源層112之間。襯底500還包括由虛線142限定的第一 管芯區(qū)141和第二管芯區(qū)143，每個管芯區(qū)都具有傳感器區(qū)157和159 中的一個。雖然圖5中顯示了兩個管芯區(qū)141和143,但是應當明白， 通常在襯底上形成更多。例如，如圖6中提供的襯底500的頂視圖所 示，襯底500可以包括多個管芯區(qū)141、 143、 145、 147、 149、 151、153和155，其包括上面形成的多個傳感器區(qū)157、 159、 161、 163、 165、 167、 169和171以及鍵合墊173、 175、 177、 179、 181、 183、 185和 187。每個管芯區(qū)141、 143、 145、 147、 149、 151、 153和155都由圖 6中的垂直交叉的虛線所確定，例如線144和146。雖然每個管芯區(qū)141、 143、 145、 147、 149、 151、 153和155都顯示為長方形，也可以釆用 具有其他適宜形狀的管芯區(qū)，例如，圓形、卵形、五邊形、六邊形、 九邊形等。接下來，切割保護覆蓋物132和支撐層108，將襯底500分 成第一管芯148和第二管芯150,其'中第一管芯148具有側(cè)壁138 (步 驟404)。在一個示例的實施例中，切割沿著圖6示出的至少一條虛線 進行，例如，沿著虛線144或沿著虛線146?？蛇x地，如果管芯區(qū)141、 143、 145、 147、 149、 151、 153和155具有長方形之外的形狀，切割 可以在管芯區(qū)141、 143、 145、 147、 149、 151、 153和155的非有源 區(qū)進行。應當理解，可以對襯底500進行任何形式的切割，以分離第 一管芯148和第二管芯150，例如，直割或斜割。步驟404的一個示例實施例中，采用V形刀片在第一管芯 區(qū)141和第二管芯區(qū)143間進行單次斜割。該刀片可以具有60度傾角。 在另一個示例實施例中，用了多次切割。例如，先第一次切割，再以 和第一次切割成某個角度進行第二次切割，形成V形槽。第一和第二 次切割之間的角度優(yōu)選是約60度，然而，任何其他可選的角度也是適 合的。接著，使用直割分離第一管芯M8和第二管芯150。圖7顯示了襯底500的示例實施例，該襯底500包括在第一 管芯區(qū)141和第二管芯區(qū)143之間使用V形刀片形成的斜割。在此實 施例中，切割延伸穿過保護覆蓋物132、覆蓋物錨134、有源層112、 犧牲層114和支撐層108。如圖6所示，只切割支撐層108的一部分， 因而第一管芯區(qū)141和第二管芯區(qū)143保持互相連接。保護覆蓋物132、 覆蓋物錨134、有源層112、犧牲層114和支撐層IOS每個都具有暴露的邊緣，這些邊緣一起定義了第一側(cè)壁138和第二側(cè)壁152。第一側(cè)壁 138和第二側(cè)152形成槽154。接著，分離第一管芯區(qū)141和第二管芯區(qū)143?？梢圆捎萌?何常規(guī)技術(shù)來分離，例如鋸，也可以通過任何形式的切割來進行，例 如直割。無論是哪種情況，切割襯底500將管芯區(qū)141和143分離成 第一管芯MS和第二管芯150。優(yōu)選地，通過槽154區(qū)域進行切割。例 如，切割可以位于在第一側(cè)壁138和第二側(cè)壁152之間。步驟404的另一個示例實施例中，在第一管芯區(qū)141和第二 管芯區(qū)143之間進行直割。在一個實施例中，穿過支撐層108進行單 次切割以分離第一管芯區(qū)141和第二管芯區(qū)143。步驟404的另一個實 施例中，在第一和第二管芯區(qū)141和143之間進行多次切割。這里， 如圖8所示，穿過保護覆蓋物132和支撐層108的第一部分進行基本 垂直的切割，以形成第一側(cè)壁138。接著，穿過支撐層108的第二部分 進行橫向的第二次切割，以形成擱板174。穿過剩下的支撐層108的第 三部分進行基本垂直的第三次切割，以將第一管芯區(qū)141和第二管芯 區(qū)143分開，從而在第一管芯區(qū)141上形成第二壁172。應當知道，也 可以采用將管芯區(qū)141和143分開的任何其他方式以及壁138和172 的配置。管芯區(qū)141和143分開后，第一管芯148被安裝到引線框架 158上，如圖9所示(步驟406)。應當知道，可以采用常規(guī)安裝管芯 的任何引線框架。而且，第一管芯148可以通過任何方式安裝引線框 架158，例如，通過焊料，環(huán)氧樹脂，或膠水。此外，第一管芯148還 可以進行進一步地處理。例如，第一管芯148可以引線鍵合到引線框 架158。可選地，如果引線框架158包括其他管芯，例如控制管芯160， 第一管芯148可以通過引線180引線鍵合到管芯160上，如圖9所示。接下來，在第一管芯148的側(cè)壁138上淀積導電材料182以形成互連136 (步驟408)。導電材料182可以是具有導電性質(zhì)的任 何材料，例如，導電環(huán)氧樹脂、金屬或任何其他材料等。優(yōu)選，導電 材料182可以將保護覆蓋物132接地到支撐層108。導電材料1S2可以采用任何常規(guī)手段淀積到側(cè)壁138上。在 一個示例實施例中，如圖10所示，分配器162，例如分配針，連接到 沒有示出的導電材料源。接著分配器162將導電材料182淀積到側(cè)壁 182上。優(yōu)選，分配器162被配置為將足夠的導電材料182淀積到側(cè)壁 13S上以將保護覆蓋物132電連接到支撐層108。步驟408之后，第一管芯14S和引線框架158可能還要進一 步處理。例如，第一管芯148和引線框架158可能要經(jīng)過回流焊工藝 以保證第一管芯148和引線框架158的耦合?？蛇x地，第一管芯148 可以經(jīng)歷封裝工藝，其中適宜的模制材料淀積到第一管芯148上。這里提供了從包括支撐層和該支撐層上的覆蓋物的襯底到 形成微機電系統(tǒng)("MEMS")器件的方法。在一個示例實施例中，該 方法包括切割襯底以將該襯底分成第一管芯和第二管芯，其中該第一 管芯具有第一側(cè)壁，和將導電材料淀積到第一側(cè)壁上從而電耦合該覆 蓋物和該支撐層。切割的步驟可以包括進行第一次斜割穿過覆蓋物和 至少部分支撐層以形成第一惻壁?？蛇x地，切割步驟還可以包括進行 與第一側(cè)壁成一定角度的第二次斜割穿過覆蓋物和至少部分支撐層以 形成第二側(cè)壁。在另一種可選方案中，切割步驟進一步包括在第一和 第二側(cè)壁之間進行直割，將襯底分成第一和第二管芯。還在一個可選 實施例中，切割步驟包括進行直割穿過覆蓋物和支撐層的第一部分形 成第一側(cè)壁。還在另一個可選實施例中，切割步驟進一步包括切割支 撐層的第二部分以形成第二側(cè)壁和在第一和第二側(cè)壁之間的擱板?？?選地，切割步驟還包括切割支撐層的第三部分以分離第一管芯和第二 管芯。
在另一個示例實施例中，淀積導電材料的步驟包括將導電材 料施加在第一側(cè)壁上。在一個示例實施例中，該導電材料是導電環(huán)氧 樹脂。還在另一個實施例中，該方法還包括在淀積步驟之前，管芯鍵 合該第一管芯到引線框架。在另一個實施例中，該方法還包括在淀積 步驟之前，引線鍵合該第一管芯到引線框架。在另一個示例實施例中，該方法包括進行第一次斜割穿過覆 蓋物和至少一部分支撐層以形成第一側(cè)壁，進行與第一側(cè)壁成一定角 度的第二次斜割穿過覆蓋物和至少一部分支撐層以形成第二側(cè)壁，在 第一和第二側(cè)壁之間進行直割將襯底分成第一和第二管芯，該第一管 芯具有第一側(cè)壁，該第二管芯具有第二側(cè)壁，以及將導電材料淀積到
第一側(cè)壁上從而電耦合覆蓋物和支撐層。淀積導電材料的步驟可包括 將淀積物質(zhì)噴涂在第一側(cè)壁上。該導電材料可以是導電環(huán)氧樹脂。該 方法可以進一步包括在淀積步驟前，管芯鍵合該第一管芯到引線框架。 該方法可以經(jīng)一步包括在淀積步驟前，引線鍵合該第一管芯到引線框 架。還在另一個示例實施例中，該方法包括進行直割穿過覆蓋物 和支撐層的第一部分以形成第一側(cè)壁，切割支撐層的第二部分以形成 第二側(cè)壁和在第一和第二側(cè)壁之間的擱板，切割支撐層的第三部分以 將第一管芯和第二管芯分離，以及將導電材料淀積到第一側(cè)壁上從而 電耦合覆蓋物和支撐層。淀積導電材料的步驟可以包括將淀積物質(zhì)施 加在第一側(cè)壁上。該方法可以進一步包括在淀積步驟前，管芯鍵合該 第一管芯到引線框架上?？蛇x地，該方法還可以進一步包括在淀積步 驟前，引線鍵合該第一管芯到引線框架。雖然在前面的發(fā)明的詳細描述中已經(jīng)示出了至少一個示例 實施例，但是應當注意到還可以有大量的變化存在。還應當知道示例 的實施例只是例子，而不是以任何方式限定本發(fā)明的范圍、應用和配 置。相反，前面的詳細描述可以為本領(lǐng)域的熟知人員提供一個方便的
13路線圖以實現(xiàn)本發(fā)明的示例實施例，還可以理解在不背離附加的權(quán)利 要求所設(shè)定本發(fā)明的范圍以及其法律等價的基礎(chǔ)上，在示例實施例中 描述的元件的功能和配置方面可以具有許多變化。
權(quán)利要求
1.一種從襯底形成微機電系統(tǒng)(“MEMS”)器件的方法，所述襯底包括支撐層和覆蓋所述支撐層的覆蓋物，所述方法包括切割所述襯底以將所述襯底分成第一管芯和第二管芯，所述第一管芯具有第一側(cè)壁；以及將導電材料淀積到所述第一側(cè)壁上，以將所述覆蓋物電耦合到所述支撐層。
2. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中所述切割步驟包g進疔第一次斜割，穿過所述覆蓋物和至少一部分所述支撐層以形成所述第一側(cè)壁。
3. 如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述切割步驟還包括進行與所 述第一側(cè)壁成一定角度的第二次斜割，穿過所述覆蓋物和至少一部分 所述支撐層以形成第二側(cè)壁。
4. 如權(quán)利要求3所述的方法，其中所述切割步驟還包括在所述第 一和第二側(cè)壁之間進行直割，以將所述襯底分成所述第一和第二管芯。
5. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中所述切割步驟包括進行直割， 穿過所述覆蓋物和所述支撐層的第一部分以形成所述第一側(cè)壁。
6. 如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述切割步驟還包括切割所述 支撐層的第二部分，以形成第二側(cè)壁和在所述第一與所述第二側(cè)壁之 間的擱板。
7. 如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述切割步驟還包括切割所述 支撐層的第三部分，以將所述第一管芯與所述第二管芯分離。
8. 如權(quán)利要求l所述的方法，其中所述淀積導電材料的步驟包括將導電材料施加在所述第一側(cè)壁上。
9. 如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述導電材料是導電環(huán)氧樹脂。
10. 如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述淀積步驟之前，管 芯鍵合所述第一管芯到引線框架。
11. 如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述淀積步驟之前，引 線鍵合所述第一管芯到所述引線框架。
12. —種從襯底形成微機電系統(tǒng)("MEMS")器件的方法，所述 襯底包括支撐層和覆蓋所述支撐層的覆蓋物，所述方法包括-進行第一次斜割，穿過所述覆蓋物和至少一部分所述支撐層以形 成第一側(cè)壁；進行與所述第一側(cè)壁成一定角度的第二次斜割，穿過所述覆蓋物 和至少一部分所述支撐層以形成第二側(cè)壁；在所述第一和第二側(cè)壁之間進行直割，以將所述襯底分成所述第 一和第二管芯，所述第一管芯包括所述第一側(cè)壁，且所述第二管芯包 括所述第二側(cè)壁；以及將導電材料淀積到所述第一側(cè)壁上，以將所述覆蓋物電耦合至所 述支撐層。
13. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述淀積導電材料的步驟包 括將導電材料施加在所述第一側(cè)壁上。
14. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述導電材料是導電的環(huán)氧 樹脂。
15. 如權(quán)利要求12所述的方法，還包括在所述淀積步驟之前，管 芯鍵合所述第一管芯到引線框架。
16. 如權(quán)利要求12所述的方法，還包括在所述淀積步驟之前，引 線鍵合所述第一管芯到所述引線框架。
17. —種從襯底形成微機電系統(tǒng)("MEMS")器件的方法，所述 襯底包括支撐層和覆蓋所述支撐層的覆蓋物，所述方法包括-進行直割穿過所述覆蓋物和所述支撐層的第一部分以形成第一側(cè)壁；切割所述支撐層的第二部分以形成第二側(cè)壁和在所述第一與所述第二側(cè)壁之間的擱板；切割所述支撐層的第三部分以將第一管芯與第二管芯分離；以及 將導電材料淀積到所述第一側(cè)壁上，以將所述覆蓋物電耦合至所述支撐層。
18. 如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述淀積導電材料的步驟包 括將導電材料施加在所述第一側(cè)壁上。
19. 如權(quán)利要求n所述的方法，還包括在所述淀積步驟之前，管芯鍵合所述第一管芯到引線框架。
20. 如權(quán)利要求17所述的方法，還包括在所述淀積步驟之前，引 線鍵合所述第一管芯到所述引線框架。
全文摘要
提供一種從包括支撐層(108)和覆蓋該支撐層(108)的覆蓋物(132)的襯底(500)形成微機電系統(tǒng)(“MEMS”)器件(100)的方法。在一個示例實施例中，該方法包括切割襯底(500)從而將該襯底(500)分成第一管芯(148)和第二管芯(150)，其中該第一管芯(148)具有第一側(cè)壁(138)，和將導電材料(182)淀積到第一側(cè)壁(138)上從而將該覆蓋物(132)耦合至支撐層(108)。
文檔編號H01L21/44GK101553899SQ200680021842
公開日2009年10月7日 申請日期2006年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月21日
發(fā)明者史蒂芬·R·胡珀, 威廉·G·麥克唐納, 赫曼特·D·德賽, 阿爾溫特·S·薩利安 申請人:飛思卡爾半導體公司