專利名稱：半導(dǎo)體發(fā)光元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用適合于發(fā)出青色系(從紫外線到黃色)的光的氮 化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體發(fā)光元件。更詳細地說，涉及實現(xiàn)芯片面內(nèi)的發(fā) 光的均勻性、并且在靜電或長時間動作等情況下難以損壞的結(jié)構(gòu)的半 導(dǎo)體發(fā)光元件。
背景技術(shù)：
例如，青色系的半導(dǎo)體發(fā)光元件，如圖4 (a)中的該發(fā)光元件芯 片(以下，稱為LED芯片)的一個例子的概略截面圖所示，在由藍寶 石構(gòu)成的絕緣性基板上疊層氮化物半導(dǎo)體層而形成。即，在藍寶石基 板21上，外延生長有例如n型GaN的n型層(包覆層)23、由比包 覆層的帶隙能小的材料例如InGaN系(是指In與Ga的比率能夠進行 多種變化，以下相同)化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的活性層24、由p型GaN構(gòu) 成的p型層(包覆層)25，形成半導(dǎo)體疊層部26，在其表面上，隔著 由ZnO構(gòu)成的透光性導(dǎo)電層27而設(shè)置有p側(cè)(上部)電極28,在對 疊層形成的半導(dǎo)體層的一部分進行蝕刻而露出的n型層23的表面上設(shè) 置有n側(cè)(下部)電極29，由此形成LED芯片。另一方面，使用該種氮化物半導(dǎo)體那樣的半導(dǎo)體材料的發(fā)光元件， 在半導(dǎo)體發(fā)光元件中，特別不耐逆方向電壓，當有靜電等電涌時，容 易損壞?？梢哉J為，因為活性層部分的電阻最大而容易吸收高電壓， 所以在活性層部分尤其容易損壞，該損壞會從高電場容易集中的部分 向活性層整體擴展。作為電場特別容易集中的部分，如圖4 (b)的平 面說明圖中的A所示，在平面形狀中，在與n側(cè)電極29相對的部分的 角部，電場最容易集中，己知對活性層的損傷從該角部開始，已公開曲線形狀—(例如參照專利文獻l口)。 B 、 ' b、 '專利文獻l:日本特幵平11-177133號公報
發(fā)明內(nèi)容如上所述，為了防止在施加靜電或電壓時等，尤其是由于施加逆 方向電壓而導(dǎo)致發(fā)光元件容易被損壞，使作為電流流動方向的p型層與n側(cè)電極的相對部的半導(dǎo)體疊層部的形狀不形成尖的部分而使其圓 滑，由此防止電場的集中。但是，即使實施這樣的對策，使用氮化物 半導(dǎo)體的發(fā)光元件，因為電涌等的輸入也容易損壞，并且發(fā)光特性的 劣化會隨著使用而加劇，存在亮度降低、容易損壞的問題。本發(fā)明為了解決上述問題而做出，其目的是提供一種在使用氮化 物半導(dǎo)體的發(fā)光元件中，防止半導(dǎo)體層的劣化，即使施加逆方向電壓 或長時間動作，半導(dǎo)體層也難以損壞，并且可靠性優(yōu)異的氮化物半導(dǎo) 體發(fā)光元件。本發(fā)明人對于使用氮化物半導(dǎo)體的發(fā)光元件因靜電等的施加而容 易損壞、以及亮度由于比較短時間的使用而降低等特性容易劣化的原 因，進行了專心研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，尤其當活性層等半導(dǎo)體層的一部分 中有受到損傷的部分時，該損傷會擴展到活性層等受到該損傷的半導(dǎo) 體層的整體，該半導(dǎo)體層的結(jié)晶性會大幅條低。并且發(fā)現(xiàn)，對該半導(dǎo) 體層的損傷.，在像上述那樣為了形成n側(cè)電極和形成芯片周圍的槽而 對半導(dǎo)體疊層部的一部分進行干蝕刻時，當存在卯。以下的拐角部時， 該拐角部在干蝕刻時會受到損傷，該損傷會向半導(dǎo)體層的整體擴展， 從而引起特性降低。艮P，發(fā)現(xiàn)如后述的圖2 (a)所示，在該拐角部，干蝕刻時的等 離子體P從夾著拐角部的兩邊集中，該拐角部的半導(dǎo)體層受到損傷， 該損傷由于LED的動作等而向半導(dǎo)體層的整體擴展，以至半導(dǎo)體層整 體劣化，從而引起亮度降低或破損等。并發(fā)現(xiàn)，通過將卯。以下的角部 消除，能夠避免蝕刻時等離子體P向一部分半導(dǎo)體層集中，可以得到 防止對半導(dǎo)體層的損傷、壽命長以及耐靜電等電涌的半導(dǎo)體發(fā)光元件。本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件，包括基板；設(shè)置在該基板上，由氮 化物半導(dǎo)體構(gòu)成的包含第一導(dǎo)電型層和第二導(dǎo)電型層的半導(dǎo)體疊層部設(shè)置在該半導(dǎo)體疊層部上的透光性導(dǎo)電層；設(shè)置在該透光性導(dǎo)電 層上、并與在上述半導(dǎo)體疊層部的表面?zhèn)仍O(shè)置的第一導(dǎo)電型層電連接 而設(shè)置的第一電極；和與上述半導(dǎo)體疊層部的下層側(cè)的第二導(dǎo)電型層
電連接而設(shè)置的第二電極，通過對上述半導(dǎo)體疊層部的至少芯片周圍 進行蝕刻，形成臺面狀半導(dǎo)體疊層部，對該臺面狀半導(dǎo)體疊層部進行 蝕刻，使得在平面形狀內(nèi)沒有卯°以下的角部、其拐角部成為曲線。在此，氮化物半導(dǎo)體是指由m族元素Ga與V族元素N的化合物、 或者III族元素Ga的一部分置換為Al、 In等其它III族元素后的化合物 以及/或者V族元素N的一部分置換為P、 As等其它V族元素后的化合 物構(gòu)成的半導(dǎo)休。另外，第一導(dǎo)電型和第二導(dǎo)電型是指，當以半導(dǎo)休 的極性的n型和p型中的任何一方作為第一導(dǎo)電型時，另一方的p型 或n型就是第二導(dǎo)電型。另外，角部是指直線或曲線以形成尖的部分 的方式相交的部分，拐角部是指無論有無尖的部分，直線或者曲線的 方向改變的部位，"沒有90。以下的角部、其拐角部成為曲線"的意思 是在2條邊的交點的內(nèi)角為90°以下的情況下，使該交點的部分成為 曲線、消除角部，當如圖2 (c)所示的a那樣，2條邊的交點的內(nèi)角 大于90°時，不一定需要使拐角部成為曲線。通過以外周部沒有角部、其拐角部成為曲線的方式形成上述透光 性導(dǎo)電層，在透光性導(dǎo)電層的拐角部，電場不集中，因此，也能夠防 止對半導(dǎo)體層的損傷。另外，優(yōu)選上述透光性導(dǎo)電層的外形被形成為 比上述臺面狀半導(dǎo)體疊層部的外形小、并且與上述臺面狀半導(dǎo)體疊層 部的外形基本相似的形狀。而且，優(yōu)選上述基板由絕緣性基板構(gòu)成，上述第二電極設(shè)置在 上述半導(dǎo)體疊層部的通過蝕刻而露出的上述第二導(dǎo)電型層的表面上， 對上述半導(dǎo)體疊層部進行蝕刻，使得在平面形狀內(nèi)，上述臺面狀半導(dǎo) 體疊層部的與上述第二電極相對的部分，在大于卯°的拐角部也不形成 角部而成為曲線，以在整個周圍沒有角部且拐角部成為曲線的方式形 成。另外，在上述基板為半導(dǎo)體基板的情況下，優(yōu)選上述臺面狀半上述基板^J背面形:有上述第二'電極。口 " " "通過形成本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，在對半導(dǎo)體疊層部的一部分進行蝕刻、 使下層的導(dǎo)電型層露出以形成臺面狀半導(dǎo)體疊層部時，在半導(dǎo)體層的 外形中沒有90。以下的角部，因此，即使在干蝕刻時被暴露于等離子體，
也不會從在拐角部相鄰的2邊受到等離子體的損傷從而只有角部受到 大致2倍的損傷，不會對半導(dǎo)體層施加局部的強損傷。結(jié)果，損傷不 會集中在半導(dǎo)體層、尤其是活性層的拐角部，半導(dǎo)體層不會在局部劣 化。于是，因為沒有局部弱的地方，所以也不會有劣化從該部分向半 導(dǎo)體層整體擴展的情況，即使長時間動作也不會劣化，因此，可得到 能夠高度地維持發(fā)光特性、即使進一步施加靜電等也能夠充分地耐受、 并且可靠性優(yōu)異的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件。

圖1是本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件的一個實施方式的平面和截面的 說明圖。圖2是對本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件不容易受到損傷的情況進行說 明的說明圖。圖3是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件的另一個實施方式的平面和 截面的說明圖。圖4是以往的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的1個例子的截面和平面的 說明圖。符號說明1基板2低溫緩沖層3n型層4活性層5p型層6半導(dǎo)體疊層部6a臺面狀半導(dǎo)體疊層部7透光性導(dǎo)電層8p側(cè)電極9n側(cè)電極
具體實施例方式
接著，一邊參照附圖一邊對本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件進行說明。 圖1表示疊層有適合于例如青色系的發(fā)光的氮化物半導(dǎo)體的、本發(fā)明 的半導(dǎo)體發(fā)光元件的芯片的平面和截面的說明圖。本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件，例如如圖l所示，在由藍寶石(A1203 單結(jié)晶)等構(gòu)成的基板1的表面上形成有由氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成的包含 第一導(dǎo)電型層和第二導(dǎo)電型層的半導(dǎo)體疊層部6，在該半導(dǎo)體疊層部6 上設(shè)置有透光性導(dǎo)電層7，在該透光性導(dǎo)電層7上，與在半導(dǎo)體疊層部 6的表面?zhèn)仍O(shè)置的第一導(dǎo)電型層(例如p型層5)電連接而設(shè)置有第一 電極(例如p側(cè)電極8)，與半導(dǎo)體疊層部6的下層側(cè)的第二導(dǎo)電型層 (例如n型層3)電連接而設(shè)置有第二電極(例如n側(cè)電極9)。在圖1 所示的例子中，基板1使用藍寶石基板那樣的絕緣性基板，n側(cè)電極9 形成于半導(dǎo)體疊層部6的一部分被蝕刻而露出的n型層3的露出面上。 在本發(fā)明中，如圖1 (a)的平面說明圖所示，具有如下特征通過利 用蝕刻將芯片周圍的半導(dǎo)體疊層部6除去，形成臺面狀半導(dǎo)體疊層部 6a，對該臺面狀半導(dǎo)體疊層部6a進行蝕刻，使得在平面形狀內(nèi)不具有 90°以下的角部、其拐角部成為曲線。即，在由半導(dǎo)體晶片制作芯片時，氮化物半導(dǎo)體非常硬，即使要 通過切割(dicing)或劃線(scribe)制作芯片，不僅分離的部分、甚 至內(nèi)部也容易產(chǎn)生裂紋，容易導(dǎo)致內(nèi)部量子效率降低。因此，在為了 形成n側(cè)電極9而將n型層露出時，對與芯片分離的部分、即芯片周 圍的半導(dǎo)體疊層部6也同時進行干蝕刻以形成槽部。因為進行該干蝕 刻直至超過活性層4，所以n型層3露出，形成臺面狀半導(dǎo)體疊層部 6a。在該干蝕刻中，芯片為大致正方形狀，因此，在以往，如圖2 (a) 所示，沿著芯片形狀、呈大致四角形狀形成分離槽，僅在形成n側(cè)電 極9的部分，與該分離槽相連而使n型層3露出。在圖2 (a)中，用 斜線E表示蝕刻部。如上所述，本發(fā)明人對氮化物半導(dǎo)體因為電涌、逆方向電壓、以 及長時間的動作而容易損壞的原因進行了專心研究，研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn): 像四角形的角部那樣，當在平面形狀中相鄰的邊具有以卯。以下的角度 相交的角部時，如圖2 (a)所示，該角部從相鄰的2邊接受等離子體 的能量P，由此，該角部的半導(dǎo)體層受到損傷，該損傷會逐漸傳遞到半
導(dǎo)體層內(nèi)，半導(dǎo)體層整體成為受到損傷的狀態(tài)，由于極少的逆方向電 壓或基于長時間動作的嚴酷的動作，尤其在電阻大的活性層中會產(chǎn)生 損壞，出現(xiàn)發(fā)生破損、發(fā)光特性大幅降低的現(xiàn)象。而且發(fā)現(xiàn)如圖2 (b)所示，通過使卯°以下的角部變得圓滑、 使其成為圓弧那樣的曲線形狀，不會在局部被照射2重的等離子體P， 而從周圍全體照射均勻的等離子體P,不會產(chǎn)生上述的局部的損傷，結(jié) 果，能夠消除因損傷傳遞到半導(dǎo)體層的全體而導(dǎo)致發(fā)光元件容易損壞、 發(fā)光特性容易降低的問題。即，當在半導(dǎo)體層的一部分中有受到損傷 的部分時，該損傷會傳遞到半導(dǎo)體層全體而對特性等帶來不良影響， 但通過預(yù)先將那樣受到損傷的部分除去，因為不存在受到損傷的部分， 所以可以認為不會擴展到半導(dǎo)體層的全體并使其電氣特性劣化。由該角部的2重的等離子體照射引起的劣化，當2邊交叉的拐角 的角度為卯。以下時，產(chǎn)生完全來自兩邊的2重照射，容易引起劣化， 但是，例如如圖2 (c)所示，如果角度a大于90。，則完全來自兩邊的 2重照射難以發(fā)生，因此比較能夠抑制劣化。因此，大于卯。的角部不 一定要形成為曲線，但是對于這樣的角部，將角部全部除去，臺面狀 半導(dǎo)體疊層部6的平面形狀由沒有角部的曲線形成，這樣能夠難以受 到損傷，因此優(yōu)選。特別地，如圖2 (c)所示，在與未圖示的n側(cè)電 極相對的臺面狀半導(dǎo)體疊層部6a的部分，電場容易集中，因此，優(yōu)選將角部除去而利用曲線形成拐角部。在圖1 (a)所示的例子中，透光性導(dǎo)電層7的平面形狀與半導(dǎo)體 疊層部6同樣，拐角部也由曲線形成。使該透光性導(dǎo)電層7的角部圓 滑的理由與上述的等離子體的2重照射對策沒有直接關(guān)系，透光性導(dǎo) 電層7中，電容易流動，尤其在角部，電場容易集中，因此，通過使 電場在容易受到損傷的臺面狀半導(dǎo)體疊層部6a的角部不集中，能夠進 一步防止由電涌或長時間動作引起的損壞或特性劣化。此外，該透光 性導(dǎo)電層7可以設(shè)置在臺面狀半導(dǎo)體疊層部6a的整個表面上并與臺面 狀半導(dǎo)體疊層部6a為完全相同的平面形狀，也可以如圖l (a)所示， 以位于臺面狀半導(dǎo)體疊層部6a的內(nèi)側(cè)的方式形成透光性導(dǎo)電層7。在 該情況下，優(yōu)選將透光性導(dǎo)電層7的平面形狀形成為與臺面狀半導(dǎo) 體疊層部6a的平面形狀平行(相似形狀)。因為這樣容易使流向半導(dǎo)
體層的電流均勻。半導(dǎo)休疊層部6例如形成為如下的結(jié)構(gòu)。例如0.005~0.1pm左右的 由GaN構(gòu)成的低溫緩沖層2、卜10nm左右的山摻雜有Si的GaN或者 AlGaN系化合物構(gòu)成的n型層3、例如l~3nm的由InDJ3Gao.87N構(gòu)成的 阱層和10~20nm的由GaN構(gòu)成的勢壘層疊層3~8對而形成的 0.05 0.3拜左右的多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)的活性層4、以及0.2~Inm 左右的由p型的GaN或AlGaN系化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的p型層5，通過 各自依次疊層而構(gòu)成。另外，在圖1所示的例子中，表示了 n型層3 和p型層5都由1層構(gòu)成的例子，但是，例如，也能夠形成在活性層 側(cè)由AlGaN系化合物構(gòu)成的容易封閉載流子的阻擋層(帶隙能大的 層)、和在與活性層4相反的一側(cè)容易提髙載流子濃度的GaN接觸層 的復(fù)層，還能夠在低溫緩沖層上設(shè)置非摻雜或者n型等的高溫緩沖層、 緩和各層間的變形的超晶格層等其它層。另外，也能夠用其它的氮化 物半導(dǎo)體層來形成這些層。另外，該例子是由ii型層3和p型層5夾持活性層4的雙異質(zhì)結(jié) 結(jié)構(gòu)，但也可以是n型層與p型層直接接合的pn結(jié)結(jié)構(gòu)。另外，活性 層4也不限于上述的MQW結(jié)構(gòu)，也能夠形成為單量子阱結(jié)構(gòu)(SQW) 或者塊狀(bulk)結(jié)構(gòu)。對該半導(dǎo)體疊層部6的芯片周圍和n側(cè)電極的形成部分進行蝕刻， 使n型層3露出。此時，如上所述，進行蝕刻，使得未被蝕刻而殘留 的臺面狀半導(dǎo)體疊層部6a的平面的外形形狀，沒有卯。以下的角部、 上述的拐角部成為曲線形狀。具體地說，在形成進行蝕刻的圖案的掩 模時，預(yù)先進行掩模的圖案化，使得上述的拐角部變得圓滑，由此， 只是進行與以往同樣的干蝕刻工序，就形成沒有角部、拐角部由曲線 形成的臺面狀半導(dǎo)體疊層部6a。干蝕刻例如以氯和四氯化硅的氣體作 為蝕刻劑，能夠通過進行等離子體蝕刻而形成。在該半導(dǎo)體疊層部6上，設(shè)置有0.1 10拜左右、例如0.5拜左右 的由例如通過摻雜Ga而使電阻率為5xlO"n.c加左右的ZnO構(gòu)成的透光 性導(dǎo)電層7。然后，在利用蝕刻將已疊層的半導(dǎo)體疊層部6的一部分除 去而露出的n型層3上，通過將0.01拜左右厚度的Ti膜和0.25fim左 右厚度的Al膜疊層后在600'C左右的溫度下進行燒結(jié)，將歐姆接觸用 的n側(cè)電極9形成為合金層，在透光性導(dǎo)電層7上的一部分上，利用 O.l拜左右厚度的Ti膜與0.3拜左右厚度的Au胰的疊層結(jié)構(gòu)形成p 側(cè)電極8。然后，在表面上，除了 p側(cè)電極8和n側(cè)電極9的表面以外， 在整個面上設(shè)置有未圖示的Si02等鈍化膜。透光性導(dǎo)電層7并不限定 于ZnO， ITO或者Ni和Au的2 100nm左右的薄合金層，也能夠一邊 使光透過一邊將電流擴散至芯片整體。根據(jù)本發(fā)明，在蝕刻時以不形成卯。以下的角部的方式進行圖案 化，因此，幾乎沒有過度暴露于干蝕刻的等離子體的部分，不會在局 部產(chǎn)生半導(dǎo)體層受到大的損傷的部分。接著，說明圖1所示的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法。例如，利用 有機金屬化學(xué)氣相成長法(MOCVD法)，與載氣H2—起供給三甲基 鎵(TMG)、氨氣(NH3)、三甲基鋁(TMA)、三甲基銦(TMIn)等 反應(yīng)氣體、以及形成為n.型時作為摻雜劑氣體的SiH4、形成為p型時 作為摻雜劑氣體的二茂鎂(Cp2Mg)或二甲基鋅(DMZn)等需要的 氣體，依次成長。首先，在例如由藍寶石構(gòu)成的絕緣基板1上，在例如400 600'C左 右的低溫下，形成0.005 0.1nm左右的由GaN層構(gòu)成的低溫緩沖層2， 然后，將溫度提髙到600 120(TC左右的高溫，形成卜10nm左右的由 n型GaN構(gòu)成的n型層(阻擋層)3。接著，將成長溫度降低到400~600'C 的低溫，形成0.05~0.3pm左右的、例如l~3nm的由Ino.13Gao.87N構(gòu)成 的阱層和10~20nm的由GaN構(gòu)成的勢壘層疊層3~8對而成的多量子阱 (MQW)結(jié)構(gòu)的活性層4。接著，將成長裝置內(nèi)的溫度提髙到 60(M200'C左右，分別疊層0.2~1拜左右的由GaN構(gòu)成的p型層5。此后，在表面設(shè)置SiN等保護膜，為了 p型摻雜劑的活化，在 400 800"C左右進行10~60分鐘左右的退火，在整個面上涂敷光致抗蝕 劑，利用光刻工序進行圖案化，使半導(dǎo)體疊層部6的進行蝕刻的部分 (芯片周圍和形成n側(cè)電極的部分)露出。此時，為了在平面形狀內(nèi) 不形成90。以下的角部，將光致抗蝕劑圖案化并形成掩膜，使得可能成 為90°以下的角部的地方成為曲線形狀。此后，裝入感應(yīng)耦合型等離子 體蝕刻裝置中，流入例如氯氣和四氯化硅氣體，導(dǎo)入RF功率，由此能 夠以期望的形狀對芯片周圍等期望的區(qū)域進行蝕刻。 此后，例如通過利用MBE、濺射、真空蒸鍍、PLD、離子鍍敷(ion plating)等方法形成0.5nm左右的摻雜有Ga的ZnO層，形成透光性導(dǎo) 電層7。然后，利用剝離(lift-off)法，在通過上述的蝕刻而露出的n 型層3的表面形成O.Oljim厚的Ti膜和0.25拜厚的Al膜，并進行600'C 左右的熱處理，由此進行燒結(jié)而形成合金，形成n側(cè)電極9。另外，同 樣利用剝離法，在透光性導(dǎo)電層7的一部分上形成O.l拜厚的Ti膜和 0.3pm厚的Au膜，形成p側(cè)電極8。結(jié)果，形成圖1所示的結(jié)構(gòu)的LED 芯片。上述的例子是使用作為絕緣性基板的藍寶石基板作為基板的例 子，因此，為了形成n側(cè)電極9，對半導(dǎo)體疊層部6的一部分進行蝕刻， 使n型層3露出，與此同時，進行芯片周圍的蝕刻。但是，在基板是 例如SiC那樣的半導(dǎo)體基板的情況下，在像上述那樣分割為芯片吋， 因為在氮化物半導(dǎo)體中容易產(chǎn)生裂紋，所以優(yōu)選利用干蝕刻預(yù)先對分 割部進行蝕刻。在該情況下，也需要進行千蝕刻，使得在通過該蝕刻 而殘留的臺面狀半導(dǎo)體疊層部6a的平面形狀中不形成角部。該例子如 圖3所示。在該例子中，因為基板1不是絕緣性基板而是半導(dǎo)體，所 以不是在利用蝕刻將半導(dǎo)體疊層部6的一部分除去后露出的n型層3 上形成電極，而是在半導(dǎo)體基板1的背面形成n側(cè)電極9，只是在臺面 狀半導(dǎo)體疊層部6a的平面形狀中，四角形狀的角部以圓弧那樣的曲線 形成，之后與上述的例子相同。艮P，在SiC基板l上，與上述同樣地形成由低溫緩沖層2、 n型層 3、活性層4、 p型層5構(gòu)成的半導(dǎo)體疊層部6,對該芯片的周圍進行蝕 亥lj。在該情況下，利用上述材料在芯片的大致中央部的透光性導(dǎo)電層7 的表面上形成p側(cè)電極8，在SiC基板l背面的整個面上，通過形成例 如Ni膜來形成n側(cè)電極9。產(chǎn)業(yè)上的可利用性根據(jù)本發(fā)明，能夠形成在靜電或者長時間動作的情況下也難以損 壞的結(jié)構(gòu)的青色或者紫外光等的發(fā)光元件，能夠利用于白色的光源、 照明等廣泛的電子設(shè)備的光源或者信號燈、照明器具、消毒用器具等。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于，包括基板；設(shè)置在該基板上，由氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成的包含第一導(dǎo)電型層和第二導(dǎo)電型層的半導(dǎo)體疊層部；設(shè)置在該半導(dǎo)體疊層部上的透光性導(dǎo)電層；設(shè)置在該透光性導(dǎo)電層上、并與在所述半導(dǎo)體疊層部的表面?zhèn)仍O(shè)置的第一導(dǎo)電型層電連接而設(shè)置的第一電極；和與所述半導(dǎo)體疊層部的下層側(cè)的第二導(dǎo)電型層電連接而設(shè)置的第二電極，通過對所述半導(dǎo)體疊層部的至少芯片周圍進行蝕刻，形成臺面狀半導(dǎo)體疊層部，對該臺面狀半導(dǎo)體疊層部進行蝕刻，使得在平面形狀內(nèi)沒有90°以下的角部、其拐角部成為曲線。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于 所述透光性導(dǎo)電層以外周部沒有角部、其拐角部成為曲線的方式形成。
3. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于 所述透光性導(dǎo)電層的外形被形成為比所述臺面狀半導(dǎo)體疊層部的外形小、并且與所述臺面狀半導(dǎo)體疊層部的外形基本相似的形狀。
4. 如權(quán)利要求l、 2或3所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于 所述基板由絕緣性基板構(gòu)成，所述第二電極設(shè)置在所述半導(dǎo)體疊層部的通過蝕刻而露出的所述第二導(dǎo)電型層的表面上，對所述半導(dǎo)體 疊層部進行蝕刻，使得在平面形狀內(nèi)，所述臺面狀半導(dǎo)體疊層部的與 所述第二電極相對的部分，在大于卯。的拐角部也不形成角部而成為曲 線，以在整個周圍沒有角部且拐角部成為曲線的方式形成。
5. 如權(quán)利要求l、 2或3所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其特征在于 所述基板由半導(dǎo)體基板構(gòu)成，所述臺面狀半導(dǎo)體疊層部的平面形狀為四角形的角部被形成為圓弧形狀的形狀，在所述基板的背面形成 有所述第二電極。
全文摘要
本發(fā)明提供一種在使用氮化物半導(dǎo)體的發(fā)光元件中，防止半導(dǎo)體層的劣化，即使施加逆方向電壓或長時間動作，半導(dǎo)體層也難以損壞，并且可靠性優(yōu)異的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件。在基板(1)的表面上形成有由氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成的包含第一導(dǎo)電型層(p型層(5))和第二導(dǎo)電型層(n型層(3))的半導(dǎo)體疊層部(6)，在其上與透光性導(dǎo)電層(7)和p型層(5)電連接而設(shè)置有p側(cè)電極(8)，與半導(dǎo)體疊層部(6)的下層側(cè)的n型層(3)電連接而設(shè)置有n側(cè)電極(9)。利用蝕刻將該芯片周圍的半導(dǎo)體疊層部(6)除去，由此形成臺面狀半導(dǎo)體疊層部(6a)，對該臺面狀半導(dǎo)體疊層部(6a)進行蝕刻，使得在平面形狀內(nèi)沒有90°以下的角部、其拐角部成為曲線。
文檔編號H01L33/00GK101120452SQ200680005138
公開日2008年2月6日 申請日期2006年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月16日
發(fā)明者伊藤范和, 園部雅之, 堤一陽, 山口敦司, 西田敏夫, 酒井光彥 申請人:羅姆股份有限公司