專利名稱：電路裝置和使用于該電路裝置的基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電路裝置和使用于該電路裝置的基板，尤其涉及在寬頻帶下具有良好的頻率特性的噪聲濾波功能的電路裝置和使用于該電路裝置的基板。
背景技術(shù)：
近年來，LSI(Large Scale Integrated circuit)等數(shù)字電路技術(shù)不僅使用于計算機和通信相關(guān)設(shè)備中，還使用于家電產(chǎn)品和車載用設(shè)備中。
并且，在LSI等中所產(chǎn)生的高頻電流并不停留在LSI附近，而向印刷電路基板等安裝電路基板內(nèi)的寬范圍擴散，并且與信號布線和接地布線感應(yīng)耦合而從信號電纜等作為電磁波泄漏。
將現(xiàn)有的模擬電路的一部分置換為數(shù)字電路的電路、和具有模擬輸入輸出的數(shù)字電路等混合了模擬電路和數(shù)字電路的電路中，數(shù)字電路對模擬電路的電磁干擾問題變得越來越深刻。
作為該問題的對策，從供電系統(tǒng)將作為高頻電流的產(chǎn)生源的LSI分離為高頻波、即電源去耦(decoupling)方法是有效的。并且，公知傳送線路型噪聲濾波器作為使用了該電源去耦方法的噪聲濾波器(專利文獻1)。
該傳送線路型噪聲濾波器具備第一和第二導(dǎo)電體、電介質(zhì)層、以及第一和第二陽極。并且，每個第一和第二導(dǎo)電體形成為板狀形狀，電介質(zhì)層配置在第一和第二導(dǎo)電體之間。
第一陽極與在第一導(dǎo)電體的長度方向的一端連接，第二陽極與在第一導(dǎo)電體的長度方向的另一端連接。第二導(dǎo)電體作為用于連接在基準電位的陰極發(fā)揮功能。此外，第一導(dǎo)電體、電介質(zhì)層和第二導(dǎo)電體構(gòu)成電容器。而且，第一導(dǎo)電體的厚度設(shè)定為可實質(zhì)性地抑制因流過第一導(dǎo)電體的電流的直流成分而產(chǎn)生的溫度上升。
而且，傳送線路型噪聲濾波器連接在電源與LSI之間，其使來自電源的電流通過由第一陽極、第一導(dǎo)電體和第二陽極構(gòu)成的路徑向LSI流動，并且使在LSI中所產(chǎn)生的交流電流衰減。
這樣，傳送線路型噪聲濾波器是具有電容器的結(jié)構(gòu)、并且將構(gòu)成電容器的兩個電極的第一和第二導(dǎo)電體用作傳送線路的噪聲濾波器。
但是，傳送線路型噪聲濾波器具有通過(電感/電容)1/2表示的阻抗，并且沒有采用減小電感的方法。此外，阻抗隨著頻率變高從電容所支配的區(qū)域轉(zhuǎn)移到電感所支配的區(qū)域。其結(jié)果，在現(xiàn)有的傳送線路型噪聲濾波器中存在不能實現(xiàn)比由傳送線路型噪聲濾波器原來所具有的電感來決定的阻抗低的阻抗的問題。
專利文獻1特開2004-80773號公報。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了解決上述問題而提出的，其目的在于提供一種可通過減小電感來減小阻抗的電路裝置。
此外，本發(fā)明的另一目的在于，提供一種使用于可通過減小電感來能夠減小阻抗的電路裝置的基板。
根據(jù)本發(fā)明，電路裝置具備基板和電元件?；寰哂械谝粚?dǎo)體板。電元件形成在基板上。而且，電元件包括n(n為正整數(shù))個第二導(dǎo)體板和m(m是正整數(shù))個第三導(dǎo)體板。n個第二導(dǎo)體板的各個使第一電流從電源一側(cè)向電負載電路一側(cè)流動。m個第三導(dǎo)體板，與n個第二導(dǎo)體板交互地層疊，并且各個使作為第一電流的返回電流的第二電流從電負載電路一側(cè)向電源一側(cè)流動。第一導(dǎo)體板，使從電負載電路一側(cè)接收到的第二電流流過m個第三導(dǎo)體板的每一個的一端，并且使從m個第三導(dǎo)體板的每一個的另一端接收到的第二電流向電源一側(cè)流動。在第一和第二電流分別流過n個第二導(dǎo)體板和m個第三導(dǎo)體板時，n個第二導(dǎo)體板具有比自感小的電感。在第二導(dǎo)體板與第三導(dǎo)體板之間的重復(fù)部分中，將在與第一和第二電流流動的方向垂直的方向的第二和第三導(dǎo)體板的長度設(shè)為W，將在第一和第二電流流動的方向的第二和第三導(dǎo)體板的長度設(shè)為L時，W≥L成立。第二電流包括流過m個第三導(dǎo)體板的第一電流成分；和流過第一導(dǎo)體板的第二電流成分。第一導(dǎo)體板包括第一平板構(gòu)件，與m個第三導(dǎo)體板的每一個的一端連接；第二平板構(gòu)件，與m個第三導(dǎo)體板的每一個的另一端連接；和電流抑制部，設(shè)置在第一和第二平板構(gòu)件之間，并且使第二電流成分小于第一電流成分。
作為優(yōu)選，電流抑制部使第二電流成分成為零。
此外，根據(jù)本發(fā)明，電路裝置具備基板和電元件?；寰哂械谝粚?dǎo)體板。電元件形成在基板上。而且，電元件包括n(n為正整數(shù))個第二導(dǎo)體板和m(m是正整數(shù))個第三導(dǎo)體板。n個第二導(dǎo)體板的各個使第一電流從電源一側(cè)向電負載電路一側(cè)流。m個導(dǎo)體板，與n個第二導(dǎo)體板交互地層疊，并且各個使作為第一電流的返回電流的第二電流從電負載電路一側(cè)向電源一側(cè)流。第一導(dǎo)體板，使從電負載電路一側(cè)接收到的第二電流流過m個第三導(dǎo)體板的每一個的一端，并且使從m個第三導(dǎo)體板的每一個的另一端接收到的第二電流向電源一側(cè)流。在第一和第二電流分別流過n個第二導(dǎo)體板和m個第三導(dǎo)體板時，n個第二導(dǎo)體板具有比自感小的電感。在第二導(dǎo)體板與第三導(dǎo)體板之間的重復(fù)部分中，將在與第一和第二電流流動的方向垂直的方向的第二和第三導(dǎo)體板的長度設(shè)為W，將在第一和第二電流流動的方向的第二和第三導(dǎo)體板的長度設(shè)為L時，W≥L成立。第一導(dǎo)體板包括第一平板構(gòu)件，與m個第三導(dǎo)體板的每一個的一端連接；和第二平板構(gòu)件，與m個第三導(dǎo)體板的每一個的另一端連接，并且與第一平板構(gòu)件分離。
根據(jù)該發(fā)明，電路裝置具備n(n為正整數(shù))個第一導(dǎo)體板和m(m是正整數(shù))個第二導(dǎo)體板。n個第一導(dǎo)體板的各個使第一電流從電源一側(cè)向電負載電路一側(cè)流。m個第二導(dǎo)體板，與n個第一導(dǎo)體板交互地層疊，并且各個使作為第一電流的返回電流的第二電流從電負載電路一側(cè)向電源一側(cè)流動。在第一和第二電流分別流過n個第一導(dǎo)體板和m個第二導(dǎo)體板時，n個第一導(dǎo)體板具有比自感小的電感。在第一導(dǎo)體板與第二導(dǎo)體板之間的重復(fù)部分中，將在與第一和第二電流流動的方向垂直的方向的第一和第二導(dǎo)體板的長度設(shè)為W，將在第一和第二電流流動的方向的第一和第二導(dǎo)體板的長度設(shè)為L時，L≥W成立。
作為優(yōu)選，電路裝置還具備基板?；寰哂械谌龑?dǎo)體板。n個第一導(dǎo)體板和m個第二導(dǎo)體板形成在基板上。第二電流包括流過m個第二導(dǎo)體板的第一電流成分；和流過第三導(dǎo)體板的第二電流成分。第三導(dǎo)體板包括第一平板構(gòu)件，與m個第二導(dǎo)體板的每一個的一端連接；第二平板構(gòu)件，與m個第二導(dǎo)體板的每一個的另一端連接；和電流抑制部，設(shè)置在第一和第二平板構(gòu)件之間，并且使第二電流成分小于第一電流成分。
作為優(yōu)選，電流抑制部使第二電流成分成為零。
作為優(yōu)選，電路裝置還具備基板。基板具有第三導(dǎo)體板。n個第一導(dǎo)體板和m個第二導(dǎo)體板形成在基板上。第三導(dǎo)體板包括第一平板構(gòu)件，與m個第二導(dǎo)體板的每一個的一端連接；和第二平板構(gòu)件，與m個第二導(dǎo)體板的每一個的另一端連接，并且與第一平板構(gòu)件分離。
作為優(yōu)選，將第一平板構(gòu)件與第二平板構(gòu)件之間的間隔設(shè)定為相對大的值。
作為優(yōu)選，電路裝置還具備配置有n個第一導(dǎo)體板和m個第二導(dǎo)體板的基板。而且，基板包括在一個主面形成的第三導(dǎo)體板和第一至第三狹縫。第一狹縫，將與n個第一導(dǎo)體板的每一個的一端連接的第一導(dǎo)體部分形成在一個主面。第二狹縫，將與n個第一導(dǎo)體板的每一個的另一端連接的第二導(dǎo)體部分形成在一個主面。和第三狹縫，配置在第一狹縫與第二狹縫之間，并且將與m個第二導(dǎo)體板的每一個的兩端分別連接的第三和第四導(dǎo)體部分形成在一個主面。
作為優(yōu)選，基板還包括第四狹縫，第四狹縫在與第二電流流動的方向大致垂直的方向從第三狹縫延伸。
作為優(yōu)選，基板還包括第五狹縫，第五狹縫形成在第四狹縫的兩端，并且在與第四狹縫形成規(guī)定角度的方向延伸。
根據(jù)本發(fā)明，基板是相對減小電元件的阻抗的基板。電元件包括n(n為正整數(shù))個第一導(dǎo)體板和m(m是正整數(shù))個第二導(dǎo)體板。n個第一導(dǎo)體板的各個使第一電流從電源一側(cè)向電負載電路一側(cè)流動。m個第二導(dǎo)體板，與n個第一導(dǎo)體板交互地層疊，并且各個使作為第一電流的返回電流的第二電流從電負載電路一側(cè)向電源一側(cè)流動。在第一和第二電流分別流過n個第一導(dǎo)體板和m個第二導(dǎo)體板時，n個第一導(dǎo)體板具有比自感小的電感?；寰邆潆娊橘|(zhì)、第三導(dǎo)體板和第四導(dǎo)體板。第三導(dǎo)體板，配置在電介質(zhì)的一個主面，并且與m個第二導(dǎo)體板的每一個的一端連接。第四導(dǎo)體板，與第三導(dǎo)體板以規(guī)定的間隔配置在電介質(zhì)的一個主面，并且與m個第二導(dǎo)體板的每一個的另一端連接。
作為優(yōu)選，基板還具備第一信號線和第二信號線。第一信號線，配置在電介質(zhì)的一個主面，并且與n個第一導(dǎo)體板的每一個的一端連接。第二信號線，配置在設(shè)置有第一信號的一個主面，并且與n個第一導(dǎo)體板的每一個的另一端連接。而且，第三和第四導(dǎo)體板，配置在與第一和第二信號線相同的一個主面。
作為優(yōu)選，第三導(dǎo)體板由配置在第一信號線的兩側(cè)的第一和第二平板構(gòu)件構(gòu)成。第四導(dǎo)體板由配置在第二信號線的兩側(cè)的第三和第四平板構(gòu)件構(gòu)成。
作為優(yōu)選，基板還具備第一信號線和第二信號線。第一信號線，配置在電介質(zhì)的一個主面，并且與n個第一導(dǎo)體板的每一個的一端連接。第二信號線，配置在設(shè)置有第一信號線的一個主面，并且與n個第一導(dǎo)體板的每一個的另一端連接。而且，第三和第四導(dǎo)體板配置在與第一和第二信號線不同的一個主面。
作為優(yōu)選，基板還具備第一信號線和第二信號線。第一信號線，配置在電介質(zhì)的一個主面，并且與n個第一導(dǎo)體板的每一個的一端連接。第二信號線，配置在設(shè)置有第一信號線的一個主面，并且與n個第一導(dǎo)體板的每一個的另一端連接。第三導(dǎo)體板包括第一至第三平板構(gòu)件。第一和第二平板構(gòu)件，在與第一信號線相同的一個主面配置在第一信號線的兩側(cè)。第三平板構(gòu)件，配置在與第一信號線不同的一個主面。第四導(dǎo)體板包括第四至第六平板構(gòu)件。第四和第五平板構(gòu)件，在與第二信號線相同的一個主面配置在第二信號線的兩側(cè)。第六平板構(gòu)件，配置在與第二信號線不同的一個主面。
作為優(yōu)選，電介質(zhì)由層疊的多個電介質(zhì)構(gòu)成。第三導(dǎo)體板由配置在各電介質(zhì)的表里的多個第一平板構(gòu)件構(gòu)成。第四導(dǎo)體板由配置在各電介質(zhì)的表里的多個第二平板構(gòu)件構(gòu)成。
作為優(yōu)選，基板還具備第一信號線和第二信號線。第一信號線，配置在多個電介質(zhì)之中設(shè)置在最上側(cè)的電介質(zhì)的一個主面，并且與n個第一導(dǎo)體板的每一個的一端連接。第二信號線，配置在設(shè)置有第一信號線的一個主面，并且與n個第一導(dǎo)體板的每一個的另一端連接。而且，多個第一平板構(gòu)件之中，配置在設(shè)置于最上側(cè)的電介質(zhì)的一個主面的平板構(gòu)件，由配置在第一信號線的兩側(cè)的第一和第二平板部分構(gòu)成。此外，在多個第二平板構(gòu)件中，配置在設(shè)置于最上側(cè)的電介質(zhì)的一個主面的平板構(gòu)件，由配置在第二信號線的兩側(cè)的第三和第四平板部分構(gòu)成。
作為優(yōu)選，將規(guī)定間隔設(shè)定為相對大的值。
根據(jù)本發(fā)明，基板是相對減小電元件的阻抗的基板。電元件包括n(n為正整數(shù))個第一導(dǎo)體板和m(m是正整數(shù))個第二導(dǎo)體板。n個第一導(dǎo)體板的各個使第一電流從電源一側(cè)向電負載電路一側(cè)流動。m個第二導(dǎo)體板，與n個第一導(dǎo)體板交互地層疊，并且各個使作為第一電流的返回電流的第二電流從電負載電路一側(cè)向電源一側(cè)流動。在第一和第二電流分別流過n個第一導(dǎo)體板和m個第二導(dǎo)體板時，n個第一導(dǎo)體板具有比自感小的電感。基板具備電介質(zhì)、第三導(dǎo)體板和第一至第三狹縫。第三導(dǎo)體板，配置在電介質(zhì)的一個主面。第一狹縫，將與n個第一導(dǎo)體板的每一個的一端連接的第一導(dǎo)體部分形成在一個主面。第二狹縫，將與n個第一導(dǎo)體板的每一個的另一端連接的第二導(dǎo)體部分形成在一個主面。第三狹縫，配置在第一狹縫與第二狹縫之間，并且將與m個第二導(dǎo)體板的每一個的兩端分別連接的第三和第四導(dǎo)體部分形成在一個主面。
作為優(yōu)選，基板還包括第四狹縫，第四狹縫在與第二電流流動的方向大致垂直的方向從第三狹縫延伸。
作為優(yōu)選，基板還包括第五狹縫，第五狹縫形成在第四狹縫的兩端，并且在與第四狹縫形成規(guī)定角度的方向延伸。
根據(jù)本發(fā)明，在電路裝置中，使第一電流從電源一側(cè)向電負載電路一側(cè)流的n個第一導(dǎo)體板、與使作為第一電流的返回電流的第二電流從電負載電路一側(cè)向電源一側(cè)流動的第二導(dǎo)體板之間的重復(fù)部分，在第一和第二電流的流動方向具有大致長方形的形狀。其結(jié)果，n個第一導(dǎo)體板與m個第二導(dǎo)體板之間的磁耦合相對增強，從而n個第一導(dǎo)體板的每一個的有效電感變得比第一導(dǎo)體板的自感小。
從而，根據(jù)本發(fā)明，可通過減小電感來減小電路裝置的阻抗。
此外，根據(jù)本發(fā)明，由于電路裝置具備將返回電流引到m個的第三導(dǎo)體板的基板，因此n個第二導(dǎo)體板與m個第三導(dǎo)體板之間的磁耦合相對增強，從而n個第二導(dǎo)體板的每一個的有效電感變得比第二導(dǎo)體板的自感小。
從而，根據(jù)本發(fā)明，可通過減小電感來減小電路裝置的阻抗。


圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的實施方式1的電路裝置的結(jié)構(gòu)的概略圖。
圖2是用于說明圖1所示的電介質(zhì)層和導(dǎo)體板的尺寸的圖。
圖3是相鄰的兩個導(dǎo)體板的俯視圖。
圖4是圖1所示的電路裝置的剖面圖。
圖5是用于說明圖1所示的電路裝置的制造方法的第一工序圖。
圖6是用于說明圖1所示的電路裝置的制造方法的第二工序圖。
圖7是用于說明圖1所示的電路裝置的功能的立體圖。
圖8是用于說明由流過導(dǎo)線的電流而生成的磁通量密度的圖。
圖9是用于說明在兩個導(dǎo)線之間產(chǎn)生了磁干擾時的有效電感的圖。
圖10是用于說明圖1所示的電路裝置的電感變小的機構(gòu)的概念圖。
圖11是表示圖1所示的電路裝置的阻抗的頻率依賴性的圖。
圖12是表示圖1所示的電路裝置的使用狀態(tài)的概念圖。
圖13是表示根據(jù)實施方式2的電路裝置的結(jié)構(gòu)的概念圖。
圖14是表示圖13所示的基板的結(jié)構(gòu)的立體圖。
圖15是用于詳細說明圖13所示的電路裝置的立體圖。
圖16是圖15所示的電路裝置的剖面圖。
圖17是表示圖15所示的電路裝置的阻抗的頻率依賴性的圖。
圖18是表示圖15所示的兩個導(dǎo)體板之間的電分離度與頻率之間的關(guān)系的圖。
圖19是表示圖13所示的基板的結(jié)構(gòu)的另一立體圖。
圖20是表示圖13所示的基板的結(jié)構(gòu)的其他另一立體圖。
圖21是表示圖13所示的基板的結(jié)構(gòu)的其他另一立體圖。
圖22是表示圖13所示的基板的結(jié)構(gòu)的其他另一立體圖。
圖23是表示圖13所示的基板的結(jié)構(gòu)的其他另一立體圖。
圖24是表示根據(jù)實施方式3的電路裝置的結(jié)構(gòu)的概念圖。
圖25是相鄰的兩個導(dǎo)體板的其他俯視圖。
圖26是表示圖24所示的電路裝置的阻抗的頻率依賴性的圖。
圖27是表示圖13所示的基板的另一結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖28是表示使用了圖27所示的基板的電路裝置的阻抗與頻率之間的關(guān)系的圖。
圖29是表示圖13所示的基板的其他另一結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖30是表示阻抗相對于使用圖29所示的基板制作了電路裝置時的由三個狹縫構(gòu)成的狹縫的長度而變化的圖。
圖31是表示圖13所示的基板的其他另一結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖32是表示圖31所示的狹縫長度與S21之間的關(guān)系的圖。
圖33是表示圖13所示的基板的其他另一結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖34是表示圖13所示的基板的其他另一結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖35是表示圖13所示的基板的其他另一結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖36是表示圖13所示的基板的其他另一結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖37是表示圖13所示的基板的其他另一結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖38是圖37所示的線XXXVIII-XXXVIII之間的基板的剖面圖。
圖中1～5-電介質(zhì)層；5A、201A、201B、211A、211B-主面；10A、10B-側(cè)陽極電極；10C、10D-陽極電極；11、11A、12、12A、21～23、21A～23A、204、205、212、213、301、401、403、405、407-導(dǎo)體板；20、20A-重復(fù)部分；20A、20B、20C、20D-側(cè)陰極電極；20E、20F-陰極電極；90-電源；91、111-正極端子；92、112-負極電極；100、101、102-電路裝置；100B-側(cè)面；100C-底面；100D-正面；100E-背面；110-CPU；121～124-引線；200、200A、200B、200C、200D、200E、200F、200G、200H、200J、200K、200L、200M、200N、200P、200Q、200R-基板；201、211-電介質(zhì)；202、203-信號線；206～208-導(dǎo)體；220-電流抑制部；302～304、312～324、411～414-狹縫；305～308、325～328、415～421、426-導(dǎo)體部分；309～311、423～426-過孔；402、404、406-電介質(zhì)。
具體實施例方式
參照附圖，對本發(fā)明的實施方式進行詳細的說明。另外，在圖中對相同或者相當部分賦予相同符號，并且沒有重復(fù)其說明。
(實施方式1)圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的實施方式1的電路裝置的結(jié)構(gòu)的概略圖。參照圖1，根據(jù)本發(fā)明的實施方式1的電路裝置100具備電介質(zhì)層1～5；導(dǎo)體板11、12、21～23；側(cè)(side)陽極電極10A、10B；陽極電極10C、10d；側(cè)陰極電極20A、20B、20C、20D；和陰極電極20E、20F。
電介質(zhì)層1～5依次層疊。導(dǎo)體板11、12、21～23的每一個形成為平板形狀。而且，導(dǎo)體板21配置在電介質(zhì)層1、2之間，導(dǎo)體板11配置在電介質(zhì)層2、3之間。導(dǎo)體板22配置在電介質(zhì)層3、4之間，導(dǎo)體板12配置在電介質(zhì)層4、5之間，導(dǎo)體板23配置在電介質(zhì)層5的一個主面5A。其結(jié)果，電介質(zhì)層1～5分別支撐導(dǎo)體板21、11、22、12、23。
側(cè)陽極電極10A與導(dǎo)體板11、12的一端連接，并形成在電路裝置100的側(cè)面100A(由電介質(zhì)層1～4的側(cè)面構(gòu)成的側(cè)面)。側(cè)陽極電極10B與導(dǎo)體板11、12的另一端連接，并形成在與電路裝置100的側(cè)面100A對置的側(cè)面100B(由電介質(zhì)層1～4的側(cè)面構(gòu)成的側(cè)面)。其結(jié)果，側(cè)陽極電極10B與側(cè)陽極電極10A對置而配置。
陽極電極10C配置在電路裝置100的底面100C，并且與側(cè)陽極電極10A連接。陽極電極10D配置在電路裝置100的底面100C，并且與側(cè)陽極電極10B連接。
側(cè)陰極電極20A在導(dǎo)體板21～23的一端側(cè)與導(dǎo)體板21～23連接，并且配置在電路裝置100的正面100D。側(cè)陰極電極20B在導(dǎo)體板21～23的一端側(cè)與導(dǎo)體板21～23連接，并且配置在與電路裝置100的正面100D對置的背面100E。由此，側(cè)陰極電極20B與側(cè)陰極電極20A對置而配置。
側(cè)陰極電極20C在導(dǎo)體板21～23的另一端側(cè)與導(dǎo)體板21～23連接，并且配置在電路裝置100的正面100D。側(cè)陰極電極20D在導(dǎo)體板21～23的另一端側(cè)與導(dǎo)體板21～23連接，并且配置在與電路裝置100的正面100D對置的背面100E。由此，側(cè)陰極電極20D與側(cè)陰極電極20C對置而配置。
陰極電極20E與側(cè)陰極電極20A、20B連接，并且配置在電路裝置100的底面100C。陰極電極20F與側(cè)陰極電極20C、20D連接，并且配置在電路裝置100的底面100C。
這樣，電路裝置100構(gòu)成為導(dǎo)體板11、12、21～23夾住電介質(zhì)層1～5而交互配置的構(gòu)造，并且具有兩個陽極電極10C、10D和兩個陰極電極20E、20F。
電介質(zhì)層1～5的每一層由例如鈦酸鋇(BaTiO3)構(gòu)成，側(cè)陽極電極10A、10B、陽極電極10C、10D、導(dǎo)體板11、12、21～23、側(cè)陰極電極20A、20B、20C、20D和陰極電極20E、20F的每一個由例如鎳(Ni)構(gòu)成。
圖2是用于說明圖1所示的電介質(zhì)層1、2和導(dǎo)體板11、21的尺寸的圖。參照圖2，電介質(zhì)層1、2的每一層在導(dǎo)體板11、21的電流流動方向DRI上具有長度L1、在與方向DRI垂直的方向DR2上具有寬度W1，并且具有厚度D1。長度L1設(shè)定為例如15mm，寬度W1設(shè)定為例如13mm，并且寬度D1設(shè)定為例如25μm。
導(dǎo)體板11具有長度L1和寬度W2。而且，寬度W2設(shè)定為例如11mm。此外，導(dǎo)體板21具有長度L2和寬度W1。而且，長度L2設(shè)定為例如13mm。此外，導(dǎo)體板11、21的每一個具有例如10μm～20μm范圍的膜厚。
電介質(zhì)層3～5的每一層具有與圖2所示的電介質(zhì)層1、2相同的長度L1、相同的寬度W1和相同的厚度D1。此外，導(dǎo)體板12與圖2所示的導(dǎo)體板11相同的長度L1、相同的寬度W2和相同的膜厚，并且導(dǎo)體板22、23的每一個具有與圖2所示的導(dǎo)體板21相同的長度L2、相同的寬度W1和相同的膜厚。
這樣，導(dǎo)體板11、12具有與導(dǎo)體板21～23不同的長度和不同的寬度。這是為了防止連接于導(dǎo)體板11、12的側(cè)陽極電極10A、10B與連接于導(dǎo)體板21～23的側(cè)陰極電極20A、20B、20C、20D之間短路的緣故。
圖3是相鄰的兩個導(dǎo)體板的俯視圖。參照圖3，如果將導(dǎo)體板11和導(dǎo)體板21投影到一個平面，導(dǎo)體板11和21具有重復(fù)部分20。而且，導(dǎo)體板11與導(dǎo)體板21之間的重復(fù)部分20具有長度L2和寬度W2。導(dǎo)體板11與導(dǎo)體板22之間的重復(fù)部分、導(dǎo)體板12與導(dǎo)體板22之間的重復(fù)部分以及導(dǎo)體板12與導(dǎo)體板23之間的重復(fù)部分，也具有與重復(fù)部分20相同的長度L2和相同的寬度W2。而且，在實施方式1中將長度L2和寬度W2設(shè)定為W2≤L2。
圖4是圖1所示的電路裝置100的剖面圖。圖4的(a)表示圖1所示的線IVA-IVA之間的電路裝置100的剖面圖，圖4的(b)表示圖1的線IVB-IVB之間的電路裝置100的剖面圖。
參照圖4，導(dǎo)體板21與電介質(zhì)層1、2的雙方接觸，導(dǎo)體板11與電介質(zhì)層2、3的雙方接觸。此外，導(dǎo)體板22與電介質(zhì)層3、4的雙方接觸，導(dǎo)體板12與電介質(zhì)層4、5的雙方接觸。此外，導(dǎo)體板23與電介質(zhì)層5接觸。
側(cè)陰極電極20C、20D并沒有與導(dǎo)體板11、12連接，而與導(dǎo)體板21～23連接。此外，陰極電極20F配置在電介質(zhì)層1的背面1A，并且與側(cè)陰極電極20C、20D連接(參照圖4的(a))。
側(cè)陽極電極10A、10B沒有與導(dǎo)體板21～23連接，而與導(dǎo)體板11、12連接。此外，陽極電極10C、10D配置在電介質(zhì)層1的背面1A，并且分別與側(cè)陽極電極10A、10B連接(參照圖4的(b))。
其結(jié)果，導(dǎo)體板21/電介質(zhì)層2/導(dǎo)體板11、導(dǎo)體板11/電介質(zhì)層3/導(dǎo)體板22、導(dǎo)體板22/電介質(zhì)層4/導(dǎo)體板12、以及導(dǎo)體板12/電介質(zhì)層5/導(dǎo)體板23，構(gòu)成并聯(lián)連接在陽極電極10C、10D與陰極電極20E、20F之間的四個電容器。
在該情況下，各電容器的電極面積等于相鄰的兩個導(dǎo)體板的重復(fù)部分20(參照圖3)的面積。
圖5和圖6是分別用于說明圖1所示的電路裝置100的制造方法的第一和第二工序圖。參照圖5在具有長度L1、寬度W1和厚度D1的由電介質(zhì)層1(BaTiO3)構(gòu)成的印刷電路基板的表面1B，通過絲網(wǎng)印刷在具有長度L2和寬度W1的區(qū)域涂敷Ni糊劑(paste)，從而在電介質(zhì)層1的表面1B形成由Ni構(gòu)成的導(dǎo)體板21。
通過同樣的方式，制作由BaTiO3構(gòu)成的電介質(zhì)層3、5，并且在該制作后的電介質(zhì)層3、5上分別形成由Ni構(gòu)成的導(dǎo)體板22、23(參照圖5(a))。
接著，在由具有長度L1、寬度W1和厚度D1的電介質(zhì)層2(BaTiO3)構(gòu)成的印刷電路基板的表面2A，通過絲網(wǎng)印刷在具有長度L1和寬度W2的區(qū)域涂敷Ni糊劑，從而在電介質(zhì)層2的表面2A形成由Ni構(gòu)成的導(dǎo)體板11。
通過同樣的方式，制作由BaTiO3構(gòu)成的電介質(zhì)層4，并且在該制作后的電介質(zhì)層4形成由Ni構(gòu)成的導(dǎo)體板12(參照圖5(b))。
其后，將分別形成有導(dǎo)體板21、11、22、12、23的電介質(zhì)層1～5的印刷電路基板依次層疊(參照圖5(c))。由此，與陽極電極10C、10D連接的導(dǎo)體板11、12、和與陰極電極20E、20F連接的導(dǎo)體板21～23交互地層疊。
此外，通過絲網(wǎng)印刷涂敷Ni糊劑，來形成側(cè)陽極電極10A、10B、陽極電極10C、10D、側(cè)陰極電極20A、20B、20C、20D和陰極電極20E、20F(參照圖6的(d)、(e))。其后在1350℃的燒成溫度下燒成圖6的(e)之前所制作的元件，而完成電路裝置100?；蛘?，因點火后(postfire，ポストファィャ一)而熔點比內(nèi)部電極(導(dǎo)體板11、12、21～23)低，而也可將導(dǎo)電率高的材料在側(cè)電極(外部電極)中使用。此外，還有對于側(cè)電極(外部電極)考慮焊錫浸濕性等，按照需求在燒成后通過Ni、Au、Su等進行鍍敷處理的情況。
另外，在電路裝置100的制作中有如下方法不使用印刷電路基板，而印刷電介質(zhì)的糊劑后使之干燥，并在其之上印刷導(dǎo)體，進一步，印刷電介質(zhì)的糊劑后進行同樣的工序，來逐漸層疊的方法。
圖7是用于說明圖1所示的電路裝置100的功能的立體圖。參照圖7，在電流流過電路裝置100的情況下，將陰極電極20E、20F與接地電位連接，并且按照流過導(dǎo)體板11、12的電流的方向與流過導(dǎo)體板21～23的電流的方向相反的方式使電流流過電路裝置100。
例如，按照電流從陽極電極10C向陽極電極10D的方向流動的方式使電流流過電路裝置100。于是，電流從陽極電極10C介由側(cè)陽極電極10A向?qū)w板11、12流，并且在箭頭30的方向流過導(dǎo)體板11、12，進而介由側(cè)陽極電極10B向陽極電極10D流。
此外，流過導(dǎo)體板11、12的電流的返回電流(reture current)，從陰極電極20F介由側(cè)陰極電極20C、20D流過導(dǎo)體板21～23，向著與箭頭30相反方向的箭頭40的方向流過導(dǎo)體板21～23，并且介由側(cè)陰極電極20A、20B向陰極電極20E流動。
于是，流過導(dǎo)體板11、12的電流I1、和流過導(dǎo)體板21～23的電流I2成為大小相等且方向相反的電流。
圖8是用于說明因流過導(dǎo)線的電流而生成的磁通量密度的圖。此外，圖9是用于說明在兩個導(dǎo)線將產(chǎn)生磁干擾的情況下的有效電感的圖。
參照圖8，在電流I流過無限長的直導(dǎo)線的情況下，在位于從導(dǎo)線距離a的位置的點P產(chǎn)生的磁通量密度B由式1表示。其中μ0是真空導(dǎo)磁率。
(式1)B=μ0I2πr---(1)]]>此外，圖8所示的導(dǎo)線為2根，在互相產(chǎn)生磁干擾時，將2根導(dǎo)線的自感分別設(shè)為L11、L22、將耦合系數(shù)設(shè)為k(0＜k＜1)、將2根導(dǎo)線的互感設(shè)為L12，則互感L12由下式表示。
(式2)L12=k·L11·L22---(2)]]>這里，L11＝L22時，互感L12由下式表示。
(式3)L12＝k·L11…(3)參照圖9，假設(shè)導(dǎo)線A與導(dǎo)線B由引線(lead line，リ一ド線)C連接、大小相等，并且，方向為反向的電流流過導(dǎo)線A、B，則導(dǎo)線A的有效電感L11effective由下式表示。
(式4)L11effective＝L11-L12…(4)這樣，在兩根導(dǎo)線A、B之間產(chǎn)生磁干擾時，導(dǎo)線A的有效電感L11effective因?qū)Ь€B之間的互感L12而比導(dǎo)線A自感L11小。這是因為，流過導(dǎo)線A的電流I生成的磁束φA的方向與流過導(dǎo)線B的電流-I生成的磁束φB的方向相反，從而生成流過導(dǎo)線A的電流I的有效的磁通量密度變小而導(dǎo)致的。
圖10是用于說明圖1所示的電路裝置100的電感變小的機構(gòu)的概念圖。如上所述，在電路裝置100中，由于導(dǎo)體板11配置在距導(dǎo)體板21、22為25μm的位置，并且導(dǎo)體板12配置在距離導(dǎo)體板22、23為25μm的位置，因此在導(dǎo)體板11與導(dǎo)體板21、22之間以及導(dǎo)體板12與導(dǎo)體板22、23之間產(chǎn)生磁干擾，由于流過導(dǎo)體板11、12的電流I1與流過導(dǎo)體板21～23的電流I2大小相等、且方向相反，因此導(dǎo)體板11、12的有效電感因?qū)w板11、12與導(dǎo)體板21～23之間的互感而比導(dǎo)體板11、12的自感小。
在該情況下，對導(dǎo)體板11、12的自感而言，導(dǎo)體板11、12與導(dǎo)體板21～23之間的重復(fù)部分20的長度L2在寬度W2以上時的導(dǎo)體板11、12的自感，比重復(fù)部分20的長度L2比寬度W2短時的導(dǎo)體板11、12的自感降低更大。參照圖10說明其理由。
圖10的(a)表示重復(fù)部分20的長度L2在寬度W2以上的情況，圖10的(b)表示重復(fù)部分20的長度L2比寬度W2短的情況。另外，在圖10的(a)、(b)中，箭頭表示向方向DR2擴散的電流。此外，在圖10的(a)、(b)中，重復(fù)部分20的面積相等。
參照圖10(a)，電流I1流過導(dǎo)體板11，電流I2流過導(dǎo)體板21。于是，在重復(fù)部分20的長度L2在寬度W2以上時，電流I1、I2在重復(fù)部分20的寬度W2的大致整體擴散，并且分別流過導(dǎo)體板11、21。其結(jié)果，由流過導(dǎo)體板21的電流I2生成的磁束φB抵消由流過導(dǎo)體板11的電流I1生成的磁束φA的程度相對增大，從而導(dǎo)體板11的有效電感因與導(dǎo)體板21之間的互感而比導(dǎo)體板11的自感小的程度相對增大。對于導(dǎo)體板12的有效電感比導(dǎo)體板12的自感小的程度也同樣。
參照圖10的(b)，在重復(fù)部分20的長度L2比寬度W2短時，電流I1在方向DR2流過導(dǎo)體板11的大致中央部分，電流I2在方向DR2流過與導(dǎo)體板21的端靠近的部分。
這是因為，在長度L2比寬度W2短時，從側(cè)陽極電極10A導(dǎo)入到導(dǎo)體板11的電流I1向?qū)w板11的寬度方向DR2擴散時的電感比電流I1向長度方向DR1流動時的電感大。
此外，這是因為，在長度L2比寬度W2短時，從側(cè)陰極電極20C、20D導(dǎo)入到導(dǎo)體板21的電流I2向?qū)w板21的寬度方向DR2擴散時的阻抗比電流I2向?qū)w板21的長度方向DR1流動時的阻抗小。
于是，在重復(fù)部分20的長度L2比寬度W2短時，電流I1在寬度方向DR2流過重復(fù)部分20的大致中央部分，電流I2在寬度方向DR2流過與重復(fù)部分20的端靠近的部分。其結(jié)果，由流過導(dǎo)體板21的電流I2生成的磁束φB與由流過導(dǎo)體板11的電流I1生成的磁束φA的抵消程度相對變小，從而導(dǎo)體板11的有效電感因與導(dǎo)體板21之間的互感而比導(dǎo)體板11的自感小的程度相對變小。對于導(dǎo)體板12的有效電感比導(dǎo)體板12的自感小的程度也同樣。
這樣，在重復(fù)部分20的長度L2在寬度W2以上時，導(dǎo)體板11、12的有效電感比導(dǎo)體板11、12的自感小的程度相對增大。
其結(jié)果，電路裝置100中的整體有效電感L相對降低較多。
如果將整體電路裝置100的有效電容設(shè)為C，則電路裝置100的阻抗Zs由下式表示。
(式5) 如上所述，由于在電路裝置100中形成有并聯(lián)連接的四個電容器，所以與形成有一個電容器時相比有效電容C增大。
從而，在電路裝置100中，在電容支配的低頻域下，因有效電容C增大而阻抗Zs降低，并且在電感支配的高頻域下，因上述的有效電感L的降低而阻抗Zs降低。
其結(jié)果，電路裝置100在寬頻域下具有相對低的阻抗Zs。
圖11是表示圖1所示的電路裝置100的阻抗的頻率依賴性的圖。在圖11中橫軸表示頻率、縱軸表示阻抗。此外，曲線k1表示重復(fù)部分20的長度L2在寬度W2以上時的阻抗的頻率依賴性，曲線k2表示重復(fù)部分20的長度L2比寬度W2短時的阻抗的頻率依賴性。
參照圖11，0.006GHz以下的低頻域是電容支配的頻域，0.01GHz以上的高頻域是電感支配的頻域。如上所述，由于在重復(fù)部分20的長度L2在寬度W2以上的情況下以及重復(fù)部分20的長度L2比寬度W2短的情況下，重復(fù)部分20的面積相等，因此在電容支配的0.006GHz以下的低頻域中，重復(fù)部分20的長度L2在寬度W2以上的電路裝置100的阻抗(曲線k1)，與重復(fù)部分20的長度L2比寬度W2短的電路裝置的阻抗(曲線k2)大致相同。
另一方面，在重復(fù)部分20的長度L2在寬度W2以上時，由于電路裝置100的電感，與重復(fù)部分20的長度L2比寬度W2短時相比相對降低很多，因此在電感支配的0.01GHz以上的高頻域中，重復(fù)部分20的長度L2在寬度W2以上的電路裝置100的阻抗(曲線k1)，比重復(fù)部分20的長度L2比寬度W2短的電路裝置的阻抗(曲線k2)小。
從而，通過將導(dǎo)體板11、12與導(dǎo)體板21～23之間的重復(fù)部分20的長度L2設(shè)定為寬度W2以上，能夠在電感支配的頻域中減小電路裝置100的阻抗。
圖12是表示圖1所示的電路裝置100的使用狀態(tài)的概念圖。參照圖12，電路裝置100連接在電源90與CPU(Central Processing Unit)110之間。并且，電路裝置100的陰極電極20E、20F與接地電位連接。電源90具有正極端子91和負極端子92。CPU110具有正極端子111和負極端子112。
引線121的一端與電源90的正極端子91連接，另一端與電路裝置100的陽極電極10C連接。引線122的一端與電源90的負極端子92連接，另一端與電路裝置100的陰極電極20E連接。
引線123的一端與電路裝置100的陽極電極10D連接，另一端與CPU110的正極端子111連接。引線124的一端與電路裝置100的陰極電極20F連接，另一端與CPU110的負極端子112連接。
于是，從電源90的正極端子91輸出的電流I介由引線121流過電路裝置100的陽極電極10C，并且按照側(cè)陽極電極10A、導(dǎo)體板11、12、側(cè)陽極電極10B和陽極電極10D的順序流過電路裝置100內(nèi)。而且，電流I從陽極電極10D介由引線123和正極端子111流入CPU110。
由此，電流I作為電源電流供給到CPU110。而且，CPU110通過電流I被驅(qū)動，并且從負極端子112輸出大小與電流I相同的返回電流(returncurrent)Ir。
于是，返回電流Ir介由引線124流入電路裝置100的陰極電極20F，并且按照側(cè)陰極電極20C、20D、導(dǎo)體板21～23、側(cè)陰極電極20A、20B和陰極電極20E的順序流過電路裝置100內(nèi)。并且，返回電流Ir從陰極電極20E介由引線122和負極端子92流入電源90。
其結(jié)果，由于在電路裝置100中電流I在導(dǎo)體板11、12從電源90一側(cè)流入CPU100一側(cè)，返回電流Ir在導(dǎo)體板21～23從CPU110一側(cè)流入電源90一側(cè)，因此電路裝置100的有效電感L如上所述那樣相對降低很多。此外，由于電路裝置100包括并聯(lián)連接的四個電容器，所以電路裝置100的有效電容C增大。從而，電路裝置100的阻抗Zs變小。
而且，CPU110通過從電源90介由電路裝置100供給的電流I來被驅(qū)動，而產(chǎn)生無用的高頻電流。該無用的高頻電流介由引線123、124泄漏到電路裝置100，但是由于電路裝置100如上所述那樣具有低阻抗Zs，所以無用的高頻電流流過由電路裝置100和CPU110構(gòu)成的電路，而抑制了從電路裝置100到電源90側(cè)的泄漏。
CPU110的工作頻率有向高頻側(cè)偏移的傾向，也可假設(shè)為1GHz左右下工作。在這種高工作頻率的頻域下，電路裝置100的阻抗Zs主要由有效電感L來決定，由于有效電感L如上所述那樣相對降低很多，所以電路裝置100作為將在高工作頻率下工作的CPU110所產(chǎn)生的無用高頻電流堵塞(閉じ込める)在CPU110的附近的噪聲濾波器發(fā)揮功能。
在實施方式1中將重復(fù)部分20的長度L2和寬度W2設(shè)定為L2≥W2。并且，按照CPU110的工作頻率相對變高，L2/W2設(shè)定為相對大的值。由此，高頻域下的電路裝置100的阻抗降低很多。
如上所述，電路裝置100連接在電源90與CPU110之間，并且作為將CPU110所產(chǎn)生的無用的高頻電流堵塞在CPU110附近的噪聲濾波器發(fā)揮功能。而且，在電路裝置100連接在電源90與CPU110之間的情況下，將導(dǎo)體板11、12、21～23作為傳送線路進行連接。即，使用與陽極電極10C、10D連接的導(dǎo)體板11、12和與陰極電極20E、20F連接的導(dǎo)體板21～23而構(gòu)成的電容器并沒有介由端子與傳送線路連接，而是將導(dǎo)體板11、12、21～23作為傳送線路的一部分進行連接。從而，導(dǎo)體板11、12是用于從電源90輸出的電流I從電源90一側(cè)流入CPU110一側(cè)的導(dǎo)體，導(dǎo)體板21～23是用于返回電流Ir從CPU110一側(cè)流入電源90一側(cè)的導(dǎo)體。其結(jié)果，能夠盡量排除等效串聯(lián)電感。
此外，在電路裝置100中，將流過與陽極電極10C、10D連接的導(dǎo)體板11、12的電流設(shè)定為與流過連接于陰極電極20E、20F的導(dǎo)體板21～23的電流相反方向，由此在導(dǎo)體板11、12與導(dǎo)體板21～23之間產(chǎn)生磁干擾，從而通過導(dǎo)體板11、12與導(dǎo)體板21～23之間的互感來減小導(dǎo)體板11、12的自感。而且，由此減小電路裝置100的有效電感來減小電路裝置100的阻抗Zs。
這樣，在本發(fā)明中，第一特征為，將構(gòu)成電容器的電極的導(dǎo)體板11、12、21～23作為傳送線路的一部分進行連接；第二特征為，通過使方向相反的電流分別流過與陽極電極10C、10D連接的導(dǎo)體板11、12和與陰極電極20E、20F連接的導(dǎo)體板21～23，由此在導(dǎo)體板11、12與導(dǎo)體板21～23之間產(chǎn)生磁干擾，從而使得導(dǎo)體板11、12的有效電感小于導(dǎo)體板11、12的自感，由此減小電路裝置100的阻抗Zs；第三特征為，構(gòu)成信號的電流流過的導(dǎo)體板11、12的每一個由與接地電位連接的兩個導(dǎo)體板(導(dǎo)體板21、22或者導(dǎo)體板22、23)被夾住。
該第二特征通過采用下述結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)使來自CPU110的返回電流Ir流過配置在電路裝置100內(nèi)部的導(dǎo)體板21～23的結(jié)構(gòu)。
而且，通過第一特征能夠盡量排除等效串聯(lián)電感，通過第二特征能夠?qū)o用的高頻電流堵塞在CPU110附近。此外，通過第三特征能夠抑制電路裝置100的噪聲輸出到外部，并且能夠抑制電路裝置100受到來自外部的噪聲的影響。
在上述說明中，電介質(zhì)層1～5均由完全相同的電介質(zhì)材料(BaTiO3)構(gòu)成，但是本發(fā)明并不限定于此，電介質(zhì)層1～5也可由互不相同的電介質(zhì)材料構(gòu)成，并且也可由兩種電介質(zhì)材料構(gòu)成，一般而言，只要由一種以上的電介質(zhì)材料構(gòu)成即可。在該情況下，構(gòu)成電介質(zhì)層1～5的各電介質(zhì)材料優(yōu)選具有3000以上的介電常數(shù)。
并且除了BaTiO3以外還能夠?qū)a(Ti，Sn)O3、Bi4Ti3O12、(Ba，Sr，Ca)TiO3、(Ba，Ca)(Zr，Ti)O3、(Ba，Sr，Ca)(Zr，Ti)O3、SrTiO3、CaTiO3、PbTiO3、Pb(Zn，Nb)O3、Pb(Fe，W)O3、Pb(Fe，Nb)O3、Pb(Mg，Nb)O3、Pb(Ni，W)O3、Pb(Mg，W)O3、Pb(Zr，Ti)O3，Pb(Li，F(xiàn)e，W)O3、Pb5Ge3O11和CaZrO3等用作電介質(zhì)材料。
此外，在上述說明中，說明了陽極電極10C、10D、側(cè)陽極電極10A、10B、導(dǎo)體板11、12、21～23、側(cè)陰極電極20A、20B、20C、20D和陰極電極20E、20F由鎳(Ni)構(gòu)成，但是本發(fā)明并不限定于此，陽極電極10C、10D、側(cè)陽極電極10A、10B、導(dǎo)體板11、12、21～23、側(cè)陰極電極20A、20B、20C、20D和陰極電極20E、20F也可由銀(Ag)、鈀(Pd)、銀鈀合金(Ag-Pd)、鉑(pt)、金(Au)、銅(Cu)、鉑(Ru)和鎢(W)的任一個構(gòu)成。
另外，在上述說明中，說明了電路裝置100具備電介質(zhì)層1～5，但是在該發(fā)明中，并不限定于此，電路裝置100也可不具備電介質(zhì)層1～5。這是因為，即使沒有電介質(zhì)層1～5，在導(dǎo)體板11、12與導(dǎo)體板21～23之間也產(chǎn)生磁干擾，從而通過上述的機構(gòu)，電路裝置100的阻抗下降。
另外，在上述說明中，與陽極電極10C、10D連接的導(dǎo)體板的個數(shù)為兩個(導(dǎo)體板11、12)，與陰極電極20E、20F連接的導(dǎo)體板的個數(shù)為三個(導(dǎo)體板21～23)，但是本發(fā)明并不限定于此，電路裝置100也可具備與陽極電極10C、10D連接的n(n為正整數(shù))個導(dǎo)體板和與陰極電極20E、20F連接的m(m為正整數(shù))個導(dǎo)體板。在該情況下，電路裝置100具備j(j＝m+n)個電介質(zhì)層。這是因為，如果至少具備一個與陽極電極10C、10D連接的導(dǎo)體板、與陰極電極20E、20F連接的導(dǎo)體板，則能夠產(chǎn)生磁干擾，來能夠減小有效電感。
而且，在本發(fā)明中，按照流過電路裝置100的電流增加，來增加與陽極電極10C、10D連接的導(dǎo)體板的個數(shù)、與陰極電極20E、20F連接的導(dǎo)體板的個數(shù)。與陽極電極10C、10D連接的導(dǎo)體板和與陰極電極20E、20F連接的導(dǎo)體板由多個導(dǎo)體板構(gòu)成時，由于多個導(dǎo)體板并聯(lián)連接在兩個陽極電極(10C、10D)之間或者兩個陰極電極(20E、20F)之間，因此如果增加與陽極電極10C、10D連接的導(dǎo)體板的個數(shù)和與陰極電極20E、20F連接的導(dǎo)體板的導(dǎo)體板的個數(shù)，則能夠增加流過電路裝置100的電流。
此外，在本發(fā)明中，在相對減小電路裝置100的阻抗的情況下，增加與電極10C、10D連接的導(dǎo)體板的個數(shù)、和與陰極電極20E、20F連接的導(dǎo)體板的個數(shù)。這是因為，如果增加與電極10C、10D連接的導(dǎo)體板的個數(shù)、和與陰極電極20E、20F連接的導(dǎo)體板的個數(shù)，則并聯(lián)連接的電容器的個數(shù)增加，而電路裝置100的有效電容增大，從而阻抗降低。
此外，在上述說明中，說明了將導(dǎo)體板11、12與導(dǎo)體板21～23平行地配置，但是本發(fā)明并不限定于此，也可將導(dǎo)體板11、12、21～23配置為導(dǎo)體板11、12與導(dǎo)體板21～23之間的間隔相對于長度方向DR1變化。
此外，在上述說明中，說明了電路裝置100與CPU110連接，但是本發(fā)明并不限定于此，電路裝置100只要是在規(guī)定頻率下工作的電負載電路，則可采用任何方式與電負載電路連接。
此外，在上述說明中，說明了將電路裝置100用作將CPU110所產(chǎn)生的無用的高頻電流堵塞在CPU110附近的噪聲濾波器，但是本發(fā)明并不限定于此，也可將電路裝置100用作電容器使用。如上所述，由于電路裝置100包括并聯(lián)連接的四個電容器，所以也可用作電容器。
而且，更具體而言，電路裝置100使用于筆記本電腦、CD-RW/DVD裝置、游戲機、信息家電、數(shù)碼相機、汽車電裝用、汽車用數(shù)碼設(shè)備、MPU外圍電路和DC/DC轉(zhuǎn)換器等中。
從而，雖然在筆記本電腦和CD-RW/DVD裝置等中用作電容器，但是使用于電源90與CPU110之間而具有將CPU110所產(chǎn)生的無用的高頻電流堵塞在CPU110附近的噪聲濾波器功能的電路裝置，包括于根據(jù)本發(fā)明的電路裝置100中。
(實施方式2)圖13是表示根據(jù)實施方式2的電路裝置的結(jié)構(gòu)的概念圖。參照圖13，根據(jù)實施方式2的電路裝置101采用了在圖1所示的電路裝置100中添加了基板200的結(jié)構(gòu)，而其他結(jié)構(gòu)與電路裝置100相同。
在電路裝置101中電路裝置100配置在基板200的一個主面201A上。
圖14是表示圖13所示的基板200的結(jié)構(gòu)的立體圖。參照圖14，基板200包括電介質(zhì)201、信號線202、203、導(dǎo)體板204、205。
信號線202、203隔開規(guī)定間隔而配置在電介質(zhì)201的一個主面201A上。導(dǎo)體板204、205隔開規(guī)定間隔而配置在與電介質(zhì)201的一個主面201A對置的一個主面201B。這樣，基板200由信號線202、203配置在一方的一個主面201A上、并且導(dǎo)體板204、205配置在另一方的一個主面201B的微帶狀線(Micro strip line)基板構(gòu)成。
而且，在基板200使用于電路裝置101的情況下，導(dǎo)體板204、205接地。
圖15是用于詳細說明圖13所示的電路裝置101的立體圖。參照圖15，電介質(zhì)層1～5、導(dǎo)體板11、12、21～23、側(cè)陽極電極10A、10B、陽極電極10C、10D、側(cè)陰極電極20A、20B、20C、20D和陰極電極20E、20F配置在基板200的電介質(zhì)201的一個主面201A。而且，電介質(zhì)層1～5、導(dǎo)體板11、12、21～23、側(cè)陽極電極10A、10B、陽極電極10C、10D、側(cè)陰極電極20A、20B、20C、20D和陰極電極20E、20F，在實施方式2中構(gòu)成“電元件”。
而且，側(cè)陽極電極10A和陽極電極10C，與信號線202連接，側(cè)陽極電極10B和陽極電極10D，與信號線203連接。側(cè)陰極電極20A和陰極電極20E通過導(dǎo)體206與導(dǎo)體板204連接，側(cè)陰極電極20C和陰極電極20F通過導(dǎo)體207與導(dǎo)體板205連接。另外，在圖15中雖然未圖示，但是側(cè)陰極電極20B通過導(dǎo)體(未圖示)與導(dǎo)體板204連接，側(cè)陰極電極20D通過導(dǎo)體(未圖示)與導(dǎo)體板205連接。
導(dǎo)體板204、205是用于電流I流過導(dǎo)體板11、12時的返回電流Ir流動的導(dǎo)體板。而且，返回電流Ir從導(dǎo)體板205介由導(dǎo)體207和導(dǎo)體(未圖示)流入側(cè)陰極電極20C、20D，并且介由導(dǎo)體板21～23流入側(cè)陰極電極20A、20B。
而且，流入到側(cè)陰極電極20A、20B的返回電流Ir，介由導(dǎo)體206和導(dǎo)體(未圖示)流入導(dǎo)體板204，并且從導(dǎo)體板204流入電路裝置101的外部。
這樣，基板200具備導(dǎo)體板204、205，該導(dǎo)體板204、205將返回電流Ir引到電路裝置101內(nèi)的導(dǎo)體板21～23。
圖16是圖15所示的電路裝置101的剖面圖。圖16(a)表示圖15所示的線XVIA-XVIA之間的電路裝置101的剖面圖，圖16(b)表示圖15所示的線XVIB-XVIB之間的電路裝置101的剖面圖。
參照圖16(a)，陰極電極20F配置在電介質(zhì)201的一個主面201A上，導(dǎo)體板205在電介質(zhì)201的一個主面201B上橫跨電介質(zhì)201的整個寬度而配置。而且，導(dǎo)體板205通過導(dǎo)體207與側(cè)陰極電極20C和陰極電極20F連接，并且通過導(dǎo)體208與側(cè)陰極電極20D和陰極電極20F連接。
另外，導(dǎo)體板204通過與導(dǎo)體板205相同的方法，與側(cè)陰極電極20A、20B和陰極電極20E連接。
參照圖16(b)，信號線202與側(cè)陽極電極10A和陽極電極10C連接，信號線203與側(cè)陽極電極10B和陽極電極10D連接。
導(dǎo)體板204，與導(dǎo)體板205隔開規(guī)定間隔L3而配置在一個主面201B。規(guī)定間隔L3設(shè)定為具有規(guī)定頻率的返回電流Ir基本上不會流過導(dǎo)體板204與導(dǎo)體板205之間的間隔。
這樣，通過將導(dǎo)體板204、205隔開規(guī)定間隔L3而配置在電介質(zhì)201的一個主面201B，由此能夠使得返回電流Ir不會流過導(dǎo)體板204、205之間，而將返回電流Ir引到電路裝置101內(nèi)的導(dǎo)體板21～23。
其結(jié)果，導(dǎo)體板11、12與導(dǎo)體板21～23之間的磁耦合相對增大，而通過實施方式1中所說明的機構(gòu)，導(dǎo)體板11、12的有效電感比導(dǎo)體板11、12的自感降低更多。
圖17是表示圖15所示的電路裝置101的阻抗的頻率依賴性的圖。在圖17中縱軸表示阻抗、橫軸表示頻率。此外，曲線k3是表示電路裝置101中的電感的頻率依賴性的曲線。
參照圖17，在電容支配的0.006GHz以下的低頻域中，電路裝置101的阻抗與根據(jù)實施方式1的電路裝置100的阻抗大致相等(參照曲線k1、k3)。
另一方面，在電感支配的0.01GHz以上的高頻域中，電路裝置101的阻抗比實施方式1的電路裝置100的阻抗還降低更大(參照曲線k1、k3)。
從而，通過使用隔開規(guī)定間隔L3而配置了兩個導(dǎo)體板204、205的基板200，能夠?qū)⒎祷仉娏鱅r引導(dǎo)到電路裝置101內(nèi)的導(dǎo)體板21～23，并且能夠?qū)?dǎo)體板11、12的有效電感比導(dǎo)體板11、12的自電感減小地更大。其結(jié)果，在電感支配的高頻域下，能夠大大地減小電路裝置101的阻抗。
圖18是表示圖15所示的兩個導(dǎo)體板204、205之間的電分離度和頻率的關(guān)系的圖。在圖18中縱軸表示Isolation、橫軸表示頻率。而且，Isolation表示它的值越小電分離度越高。此外，曲線k4、k5、k6分別表示規(guī)定間隔L3為1.5mm、3.0mm和4.5mm的情況。
參照圖18，隨著將規(guī)定間隔L3從1.5mm增大到3.0mm，導(dǎo)體板204、205之間的Isolation在2～3GHz的頻率范圍內(nèi)下降，從而導(dǎo)體板204、205之間的電分離度增大。而且，即使將規(guī)定間隔從3.0mm增大到4.5mm，導(dǎo)體板204、205之間的Isolation在2～3GHz的頻率范圍內(nèi)也大致不變。從而，規(guī)定間隔L3優(yōu)選設(shè)定為3.0mm以上。
圖19是表示圖13所示的基板200的結(jié)構(gòu)的另一立體圖。圖13所示的基板200也可由圖19所示的基板200A構(gòu)成。參照圖19，基板200A采用了將圖14所示的基板200的導(dǎo)體板204、205分別代替為導(dǎo)體板209、210的結(jié)構(gòu)，而其他結(jié)構(gòu)與基板200相同。
導(dǎo)體板209配置在電介質(zhì)201的一個主面201A，并且由平板構(gòu)件2091、2092構(gòu)成。而且，平板構(gòu)件2091、2092在電介質(zhì)201的一個主面201A中配置在信號線202的兩側(cè)。
導(dǎo)體板210配置在電介質(zhì)201的一個主面201A，并且由平板構(gòu)件2091、2092構(gòu)成。平板構(gòu)件2101、2102在電介質(zhì)201的一個主面201A中配置在信號線203的兩側(cè)。而且，平板構(gòu)件2091與平板構(gòu)件2101之間的間隔和平板構(gòu)件2092與平板構(gòu)件2102之間的間隔設(shè)定為規(guī)定間隔L3。
這樣，在基板200A中，導(dǎo)體板209、210以規(guī)定間隔L3配置在與信號線202、203相同的一個主面201A上。而且，導(dǎo)體板209、210分別由配置在信號線202、203的兩側(cè)的平板構(gòu)件2091、2092和2101、2102構(gòu)成。從而，基板200A由共平面(coplanar)基板構(gòu)成。
基板200A使用于電路裝置101中的情況下，導(dǎo)體板209的平板構(gòu)件2091通過導(dǎo)體(未圖示)與側(cè)陰極電極20A和陰極電極20E連接，平板構(gòu)件2092通過導(dǎo)體(未圖示)與側(cè)陰極電極20B和陰極電極20E連接。此外，導(dǎo)體板210的平板構(gòu)件2101通過導(dǎo)體(未圖示)與側(cè)陰極電極20C和陰極電極20F連接，平板構(gòu)件2102通過導(dǎo)體(未圖示)與側(cè)陰極電極20D和陰極電極20F連接。而且，導(dǎo)體板209、210接地。
由于基板200A具備隔開規(guī)定間隔L3而配置的兩個導(dǎo)體板209、210，因此將基板200A使用于電路裝置101的情況下，也與將基板200使用于電路裝置101的情況相同，在電感支配的高頻域下能夠大幅減小電路裝置101的阻抗。
圖20是表示圖13所示的基板200的結(jié)構(gòu)的其他另一立體圖。圖13所示的基板200也可由圖20所示的基板200B構(gòu)成。參照圖20，基板200B采用了在圖14所示的基板200中添加了導(dǎo)體板209、210的結(jié)構(gòu)，而其他結(jié)構(gòu)與基板200相同。關(guān)于導(dǎo)體板209、210，與對圖19所進行的說明一樣。
從而，基板200B具備導(dǎo)體板209、210，其以規(guī)定間隔L3配置在與信號線202、203相同的一個主面201A；和導(dǎo)體板204、205，其以規(guī)定間隔L3配置在與配置有信號線202、203的一個主面201A對置的一個主面201B。而且，基板200B使用于電路裝置101的情況下，導(dǎo)體板204、205、209、210接地。將這種基板200B稱作帶背面GND共平面基板。
在基板200B使用于電路裝置101的情況下，導(dǎo)體板209的平板構(gòu)件2091和導(dǎo)體板204通過導(dǎo)體(未圖示)與側(cè)陰極電極20A和陰極電極20E連接，導(dǎo)體板209的平板構(gòu)件2092和導(dǎo)體板204通過導(dǎo)體(未圖示)與側(cè)陰極電極20B和陰極電極20E連接。此外，導(dǎo)體板210的平板構(gòu)件2101和導(dǎo)體板205通過導(dǎo)體(未圖示)與側(cè)陰極電極20C和陰極電極20F連接，導(dǎo)體板210的平板構(gòu)件2102和導(dǎo)體板205通過導(dǎo)體(未圖示)與側(cè)陰極電極20D和陰極電極20F連接。而且，導(dǎo)體板204、205、209、210接地。
由于基板200B具備隔開規(guī)定間隔L3而配置的兩個導(dǎo)體板204、205、和兩個導(dǎo)體板209、210，因此即使在將基板200B使用于電路裝置101的情況下，也與將基板200使用于電路裝置101的情況相同，在電感支配的高頻域下能夠大幅減小電路裝置101的阻抗。
圖21是表示圖13所示的基板200的結(jié)構(gòu)的其他另一立體圖。圖13所示的基板200也可由圖21所示的基板200C構(gòu)成。參照圖21，基板200C采用了在圖20所示的基板200B中添加了電介質(zhì)211和導(dǎo)體板212、213的結(jié)構(gòu)，而其他結(jié)構(gòu)與基板200B相同。
電介質(zhì)211配置為它的一個主面211A與導(dǎo)體板204、205接觸。導(dǎo)體板212、213配置為以規(guī)定間隔L3配置在與電介質(zhì)211的一個主面211A對置的一個主面211B。
從而，基板200C由下述結(jié)構(gòu)構(gòu)成層疊多個電介質(zhì)201、211，并且在該層疊的多個電介質(zhì)201、211的各電介質(zhì)的表面和背面以規(guī)定間隔L3配置了導(dǎo)體板204、205、209、210、212、213。而且，導(dǎo)體板204、205、209、210、212、213接地。將這種基板200C稱作多層基板。
在基板200C使用于電路裝置101的情況下，導(dǎo)體板209的平板構(gòu)件2091和導(dǎo)體板204、212通過導(dǎo)體(未圖示)與側(cè)陰極電極20A和陰極電極20E連接，導(dǎo)體板209的平板構(gòu)件2092和導(dǎo)體板204、212通過導(dǎo)體(未圖示)與側(cè)陰極電極20B和陰極電極20E連接。此外，導(dǎo)體板210的平板構(gòu)件2101和導(dǎo)體板205、213通過導(dǎo)體(未圖示)與側(cè)陰極電極20C和陰極電極20F連接，導(dǎo)體板210的平板構(gòu)件2102和導(dǎo)體板205、215通過導(dǎo)體(未圖示)與側(cè)陰極電極20D和陰極電極20F連接。而且，導(dǎo)體板204、205、209、210、212、213接地。
由于基板200C具備隔開規(guī)定間隔L3而配置的兩個導(dǎo)體板204、205、兩個導(dǎo)體板209、210和兩個導(dǎo)體板212、213，因此即使在將基板200C使用于電路裝置101的情況下，也與將基板200使用于電路裝置101的情況相同，在電感支配的高頻域下能夠大幅減小電路裝置101的阻抗。
說明了基板200C具有兩個電介質(zhì)201、211，但是本發(fā)明并不限定于此，基板200C也可具備三個以上的電介質(zhì)，一般而言具備多個電介質(zhì)為好。
此外，上述的基板200、200A、200B、200C是用于在電感支配的高頻域下減小電元件(由電介質(zhì)層1～5、導(dǎo)體板11、12、21～23、側(cè)陽極電極10A、10B、陽極電極10C、10D，側(cè)陰極電極20A、20B、20C、20D和陰極電極20E、20F構(gòu)成)的阻抗的基板，構(gòu)成根據(jù)本發(fā)明的基板。
圖22是表示圖13所示的基板200的結(jié)構(gòu)的其他另一立體圖。圖13所示的基板也可由圖22所示的基板200D構(gòu)成。參照圖22，基板200D采用了在圖14所示的基板200中添加了過孔(via hole)BH1、BH2的結(jié)構(gòu)，而其他結(jié)構(gòu)與基板200相同。
過孔BH1設(shè)置在信號線202一側(cè)，并且貫通電介質(zhì)201而與導(dǎo)體板204連接。過孔BH2設(shè)置在信號線203一側(cè)，并且貫通電介質(zhì)201而與導(dǎo)體板205連接。
在基板200D使用于電路裝置101的情況下，信號線202與側(cè)陽極電極10A連接，信號線203與側(cè)陽極電極10B連接，過孔BH1與陰極電極20E連接，過孔BH2與陰極電極20F連接。
這樣，基板200D使用于電路裝置101的情況下，陰極電極20E、20F分別介由過孔BH1、BH2與接地的導(dǎo)體板204、205連接。由此，返回電流Ir按照導(dǎo)體板205、過孔BH2、陰極電極20F、側(cè)陰極電極20C、20D、導(dǎo)體板21、22、側(cè)陰極電極20A、20B、陰極電極20E、過孔BH1和導(dǎo)體板204的順序流動，從而導(dǎo)體板11、12的有效電感變得比導(dǎo)體11、12的自感小。
圖23是表示圖13所示的基板200的結(jié)構(gòu)的另一立體圖。圖13所示的基板200也可由圖23所示的基板200E構(gòu)成。參照圖23，基板200E采用了在圖14所示的基板200中添加了電流抑制部220的結(jié)構(gòu)，而其他結(jié)構(gòu)與基板200相同。
電流抑制部220例如由阻抗構(gòu)成，其一端與導(dǎo)體板204連接，另一端與導(dǎo)體板205連接。如果在返回電流Ir中，將流入電路裝置101的導(dǎo)體板21～23的電流設(shè)為電流Ir1，并且將從導(dǎo)體板205介由電流抑制部220流入導(dǎo)體板204的電流設(shè)為電流Ir2，則電流抑制部220使電流Ir2小于電流Ir1。
其結(jié)果，返回電流Ir主要介由導(dǎo)體板21～23流過電路裝置101，導(dǎo)體板11、12的有效電感變得比導(dǎo)體板11、12的自感小。
在基板200E使用于電路裝置101的情況下，導(dǎo)體板204通過導(dǎo)體(未圖示)與側(cè)陰極電極20A、20B和陰極電極20E連接，導(dǎo)體板205通過導(dǎo)體(未圖示)與側(cè)陰極電極20C、20D和陰極電極20F連接。而且，導(dǎo)體板204、205接地。
由于基板200E具備隔開規(guī)定間隔L3而配置的兩個導(dǎo)體板204、205；和電流抑制部220，其抑制流過兩個導(dǎo)體板204、205之間的電流Ir2小于流過導(dǎo)體板21～23的電流Ir1，因此即使在將基板200D使用于電路裝置101的情況下，也與將基板200使用于電路裝置101的情況相同，在電感支配的高頻域下能夠大幅減小電路裝置101的阻抗。
另外，圖13所示的基板200，也可由在圖19所示的基板200A的平板構(gòu)件2091、2101之間和平板構(gòu)件2092、2102之間設(shè)置了電流抑制部220的基板構(gòu)成，也可由在圖20所示的基板200B的導(dǎo)體板204、205之間、平板構(gòu)件2091、2101之間和平板構(gòu)件2092、2102之間設(shè)置了電流抑制部220的基板構(gòu)成，也可由在圖21所示的基板200C的導(dǎo)體板204、205之間、平板構(gòu)件2091、2101之間、平板構(gòu)件2092、2102之間和導(dǎo)體板212、213之間設(shè)置了電流抑制部220的基板構(gòu)成，也可由在圖22所示的基板200D的導(dǎo)體板204、205之間設(shè)置了電流抑制部220的基板構(gòu)成。而且，即使在使用了這些基板的情況下，在電感支配的高頻域下也能夠減小電路裝置101的阻抗。
上述的電路裝置101，與電路裝置100相同地配置在電源90與CPU110之間，并且將CPU110所產(chǎn)生的噪聲堵塞在CPU11附近(參照圖12)。
根據(jù)實施方式2，由于電路裝置101具備具有以規(guī)定間隔L3配置、且使返回電流Ir流過導(dǎo)體板21～23的導(dǎo)體板204、205(導(dǎo)體板209、210、212、213)的基板200、200D(基板200A、200B、200C)，因此與不具備基板200、200D(基板200A、200B、200C)的情況相比在電感支配的高頻域下能夠更加減小電路裝置101的阻抗。
此外，根據(jù)實施方式2，由于電路裝置101具備具有使返回電流Ir主要流過導(dǎo)體板21～23的導(dǎo)體板204、205和電流抑制部220的基板200E，因此與不具備基板200E的情況相比在電感支配的高頻域下能夠更加減小電路裝置101的阻抗。
其他結(jié)構(gòu)與實施方式1相同。
另外，在實施方式2中，導(dǎo)體板204和205構(gòu)成“第三導(dǎo)體板”，導(dǎo)體板204構(gòu)成“第一平板構(gòu)件”，導(dǎo)體板205構(gòu)成“第二平板構(gòu)件”。
此外，在基板200、200D中，導(dǎo)體板204構(gòu)成“第三導(dǎo)體板”，導(dǎo)體板205構(gòu)成“第四導(dǎo)體板”。
此外，在基板200A中，平板構(gòu)件2091、2092分別構(gòu)成“第一平板構(gòu)件”和“第二平板構(gòu)件”，平板構(gòu)件2101、2102分別構(gòu)成“第三平板構(gòu)件”和“第四平板構(gòu)件”。
此外，在基板200B中，平板構(gòu)件2091、2092分別構(gòu)成“第一平板構(gòu)件”和“第二平板構(gòu)件”，導(dǎo)體板204構(gòu)成“第三平板構(gòu)件”，平板構(gòu)件2101、2102分別構(gòu)成“第四平板構(gòu)件”和“第五平板構(gòu)件”，導(dǎo)體板205構(gòu)成“第六平板構(gòu)件”。
此外，在基板200C中，電介質(zhì)201、211構(gòu)成“多個電介質(zhì)”，導(dǎo)體板204、209、212構(gòu)成“第三導(dǎo)體板”和“多個第一平板構(gòu)件”，導(dǎo)體板205、210、213構(gòu)成“第四導(dǎo)體板”和“多個第二平板構(gòu)件”，平板構(gòu)件2091、2092分別構(gòu)成“第一平板部分”和“第二平板部分”，平板構(gòu)件2101、2102分別構(gòu)成“第三平板部分”和“第四平板部分”。
(實施方式3)圖24是表示根據(jù)實施方式3的電路裝置的結(jié)構(gòu)的概念圖。參照圖24，根據(jù)實施方式3的電路裝置102采用了將圖15所示的電路裝置101的導(dǎo)體板11、12、21～23分別替換為導(dǎo)體板11A、12A、21A～23A的結(jié)構(gòu)，而其他結(jié)構(gòu)與電路裝置101相同。
導(dǎo)體板21A配置在電介質(zhì)層1、2之間，導(dǎo)體板11A配置在電介質(zhì)層2、3之間。此外，導(dǎo)體板22A配置在電介質(zhì)層3、4之間，導(dǎo)體板12A配置在電介質(zhì)層4、5之間，導(dǎo)體板23A配置在電介質(zhì)層5的一個主面5A。
導(dǎo)體板11A、12A，其一端與側(cè)陽極電極10A連接，另一端與側(cè)陽極電極10B連接。導(dǎo)體板21A～23A，其一端與側(cè)陰極電極20A、20B連接，另一端與側(cè)陰極電極20C、20D連接。
線XVIA-XVIA之間的電路裝置102的剖面圖，與圖16(a)所示的電路裝置101的剖面圖相同，線XVIB-XVIB之間的電路裝置102的剖面圖，與圖16(b)所示的電路裝置101的剖面圖相同。而且，在圖16的(a)、(b)中，將導(dǎo)體板11、12、21～23替換為導(dǎo)體板11A、12A、21A～23A為好。
圖25是相鄰的兩個導(dǎo)體板的另一俯視圖。參照圖25，導(dǎo)體板11A具有長度L4和寬度W5，導(dǎo)體板21A具有長度L5和寬度w4。而且，長度L4與寬度W5之間滿足W5≥L4的關(guān)系，長度L5與寬度W4之間滿足W4≥L5的關(guān)系。這樣，導(dǎo)體板11A、21A由在寬度方向DR2比長度方向DR1長的形狀構(gòu)成。
導(dǎo)體板12A具有與導(dǎo)體板11A相同的尺寸，導(dǎo)體板22A、23A具有與導(dǎo)體板21A相同的尺寸。
如果將導(dǎo)體板11A和導(dǎo)體板21A投影到一個平面，則導(dǎo)體板11A和21A具有重復(fù)部分200A。而且，導(dǎo)體板11A與導(dǎo)體板21A之間的重復(fù)部分200A具有長度L5和寬度W5。導(dǎo)體板11A與導(dǎo)體板22A之間的重復(fù)部分、導(dǎo)體板12A與導(dǎo)體板22A之間的重復(fù)部分和導(dǎo)體板12A與導(dǎo)體板23A之間的重復(fù)部分，也具有與重復(fù)部分200A相同的長度L5和相同的寬度W5。而且，在實施方式3中將長度L5和寬度W5設(shè)定為W5≥L5。
在重復(fù)部分200A的寬度W5在長度L5以上時，如圖10(b)所示，流過導(dǎo)體板11A的電流I1在寬度方向DR2流過重復(fù)部分200A的大致中央部分，并且流過導(dǎo)體板21A的電流I2在寬度方向DR2流過與重復(fù)部分200A的端靠近的部分。其結(jié)果，如上所述，導(dǎo)體板11A、12A的有效電感變得比導(dǎo)體板11A、12A的自感小的程度相對降低。
但是，由于電路裝置102具備以規(guī)定間隔L3配置的導(dǎo)體板204、205，因此導(dǎo)體板204、205使返回電流Ir(＝電流I2)介由導(dǎo)體板21A～23A而流動。
其結(jié)果，與基板200在一個主面201B具有在陰極電極20E、20F之間電連接的導(dǎo)體板的情況相比，流入導(dǎo)體板21A～23A的返回電流電流的比例增大，從而導(dǎo)體板11A、12A的有效電感變得比導(dǎo)體板11A、12A的自感小的程度相對增大。
從而，即使重復(fù)部分200A的寬度W5在長度L5以上，通過具備在返回電流Ir流過的方向電分離的導(dǎo)體板204、205，也能夠減小電路裝置102的電感。
圖26是表示圖24所示的電路裝置102的電感的頻率依賴性的圖。在圖26中橫軸表示頻率、縱軸表示阻抗。此外，曲線k4表示在重復(fù)部分200A中的寬度W5在長度L5以上、且具備已分離的導(dǎo)體板204、205的情況下的阻抗的頻率依賴性，曲線k5表示在重復(fù)部分200A中的寬度W5在長度L5以上、且導(dǎo)體板204、205電導(dǎo)通的情況下的阻抗的頻率依賴性。
參照圖26，0.006GHz以下的低頻域是電容支配的頻域，0.01GHz以上的高頻域是電感支配的頻域。
在電容支配的0.006GHz以下的低頻域下，導(dǎo)體板204、205被電切斷的情況下的電路裝置102的阻抗(曲線k4)，與導(dǎo)體板204、205被電導(dǎo)通的情況下的電路裝置102的阻抗(曲線k5)大致相等。
另一方面，在電感支配的0.01GHz以上的高頻域下，導(dǎo)體板204、205被電切斷的情況下的電路裝置102的阻抗(曲線k4)變得比導(dǎo)體板204、205被電導(dǎo)通的情況下的電路裝置102的阻抗(曲線k5)小。
從而，即使重復(fù)部分200A的寬度W5在長度L5以上，通過將電分離的導(dǎo)體板204、205設(shè)置在基板200，也能夠減小電路裝置102的電感。
在電路裝置102中，也可使用基板200A、200B、200C、200D、200E的任一個來代替基板200。而且，在使用基板200A、200B、200C、200D、200E的任一個的情況下，與使用了基板200的情況相同地也能夠減小電路裝置102的阻抗。
從而，基板200、200A、200B、200C、200D、200E是在導(dǎo)體板11、12與導(dǎo)體板21～23之間的重復(fù)部分20的長度L2在寬度W2以上的電路裝置100、101、和在導(dǎo)體板11A、12A與導(dǎo)體板21A～23A之間的重復(fù)部分200A的寬度W5在長度L5以上的電路裝置102中，在電感支配的高頻域下減小阻抗的基板。
上述的電路裝置102與電路裝置100相同地配置在電源90與CPU110之間，并且將由CPU110產(chǎn)生的噪聲堵塞在CPU110附近(參照圖12)。
根據(jù)實施方式3，由于電路裝置102具備具有以規(guī)定間隔L3配置、且使返回電流Ir流過導(dǎo)體板21A～23A的導(dǎo)體板204、205(導(dǎo)體板209、210、212、213)的基板200、200D(基板200A、200B、200C)，因此與不具備基板200、200D(基板200A、200B、200C)的情況相比在電感支配的高頻域下能夠更加減小電路裝置102的阻抗。
此外，根據(jù)實施方式3，由于電路裝置102具備具有使返回電流Ir主要流過導(dǎo)體板21A～23A的導(dǎo)體板204、205和電流抑制部220的基板200E，因此與不具備基板200E的情況相比在電感支配的高頻域下能夠更加減小電路裝置102的阻抗。
其他結(jié)構(gòu)與實施方式1、2相同。
在實施方式3中，電介質(zhì)層1～5、導(dǎo)體板11A、12A、21A～23A、側(cè)陽極電極10A、10B、陽極電極10C、10D、側(cè)陰極電極20A、20B、20C、20D和陰極電極20E、20F構(gòu)成“電元件”。
此外，導(dǎo)體板204和205構(gòu)成“第一導(dǎo)體板”，導(dǎo)體板204構(gòu)成“第一平板構(gòu)件”，導(dǎo)體板205構(gòu)成“第二平板構(gòu)件”。
圖27是表示圖13所示的基板的另一結(jié)構(gòu)的俯視圖。參照圖27(a)，基板200F具備導(dǎo)體板301、狹縫(slit)302～304、過孔309。導(dǎo)體板301形成在電介質(zhì)(未圖示)的一個整個主面。狹縫302～304通過欠缺導(dǎo)體板301的一部分形成在電介質(zhì)(未圖示)的一個主面。通過狹縫302～304形成在電介質(zhì)(未圖示)的一個主面，導(dǎo)體部分305～308形成在電介質(zhì)(未圖示)的一個主面。
在圖27(a)中，雖然未圖示，但是基板200F具備另一個導(dǎo)體板，該導(dǎo)體板按照與導(dǎo)體板301對置的方式形成電介質(zhì)(未圖示)的另一個主面。而且，過孔309按照與導(dǎo)體板301和另一個導(dǎo)體板電連接的方式形成為格子狀。
在使用基板200F制作電路裝置的情況下，導(dǎo)體部分305、306構(gòu)成信號線，導(dǎo)體板301和另一個導(dǎo)體板與接地電位連接，陽極電極10C、10D分別與導(dǎo)體部分305、306連接，陰極電極20E、20F分別與導(dǎo)體部分307、308連接。其結(jié)果，返回電流從基板200F的導(dǎo)體板301和另一個導(dǎo)體板流過導(dǎo)體板21～23、21A～23A。
參照圖27(b)，基板200G采用了在圖27(a)所示的基板200F中添加了過孔310、311的結(jié)構(gòu)，而其他結(jié)構(gòu)與基板200F相同。過孔310、311分別形成在導(dǎo)體部分307、308。
在使用基板200G制作電路裝置的情況下，導(dǎo)體部分305、306構(gòu)成信號線，導(dǎo)體板301和另一個導(dǎo)體板與接地電位連接，陽極電極10C、10D分別與導(dǎo)體部分305、306連接，陰極電極20E、20F分別與導(dǎo)體部分307、308連接，陰極電極20E、20F分別與導(dǎo)體部分307、308連接。其結(jié)果，返回電流從基板200G的導(dǎo)體板301和另一個導(dǎo)體板流過導(dǎo)體板21～23、21A～23A。
參照圖27(c)，基板200H采用了在基板200F中添加了狹縫312、313的結(jié)構(gòu)，而其他結(jié)構(gòu)與基板200F相同。狹縫312、313通過欠缺導(dǎo)體板301的一部分按照與狹縫303連結(jié)的方式形成在電介質(zhì)(未圖示)的一個主面。而且，由狹縫303、312、313構(gòu)成的狹縫在與構(gòu)成信號線的導(dǎo)體部分305、306的長度方向垂直的方向，形成在基板200H的整體。
在使用基板200H制作電路裝置的情況下，導(dǎo)體部分305、306構(gòu)成信號線，導(dǎo)體板301和另一個導(dǎo)體板與接地電位連接，陽極電極10C、10D分別與導(dǎo)體部分305、306連接，陰極電極20E、20F分別與導(dǎo)體部分307、308連接。其結(jié)果，返回電流從基板200H的導(dǎo)體板301和另一個導(dǎo)體板流過導(dǎo)體板21～23、21A～23A。
參照圖27(d)，基板200J采用了在基板200G中添加了狹縫312、313的結(jié)構(gòu)，而其他結(jié)構(gòu)與基板200G相同。在基板200J中狹縫312、313也通過欠缺導(dǎo)體板301的一部分按照與狹縫303連結(jié)的方式形成在電介質(zhì)(未圖示)的一個主面。而且，由狹縫303、312、313構(gòu)成的狹縫在與構(gòu)成信號線的導(dǎo)體部分305、306的長度方向垂直的方向，形成在基板200J的整體。
在使用基板200J制作電路裝置的情況下，導(dǎo)體部分305、306構(gòu)成信號線，導(dǎo)體板301和另一個導(dǎo)體板與接地電位連接，陽極電極10C、10D分別與導(dǎo)體部分305、306連接，陰極電極20E、20F分別與導(dǎo)體部分307、308連接。其結(jié)果，返回電流從基板200J的導(dǎo)體板301和另一個導(dǎo)體板流過導(dǎo)體板21～23、21A～23A。
圖28是使用了圖27所示的基板200F、200G、200H、200J的電路裝置的阻抗與頻率之間的關(guān)系的圖。圖28中橫軸表示頻率、縱軸表示阻抗。此外，曲線k7表示使用了基板200F的情況，曲線k8表示使用了基板200G的情況，曲線k9表示使用了基板200H的情況，曲線k10表示使用了基板200J的情況。
通過在分別連接有陰極電極20E、20F的導(dǎo)體部分307、308設(shè)置過孔310、311，在大約10MHz以上的電感支配的頻域下阻抗下降(參照曲線k7、k8)。
此外，通過在分別連接有陰極電極20E、20F的導(dǎo)體部分307、308之間設(shè)置比狹縫303長的狹縫312、313，在大約10MHz以上的電感支配的頻域下阻抗下降(參照曲線k7～k9)。
另外，通過在分別連接有陰極電極20E、20F的導(dǎo)體部分307、308設(shè)置過孔310、311，并且，在導(dǎo)體部分307、308之間設(shè)置比狹縫303長的狹縫312、313，在大約1GHz以上的頻域下阻抗降低(參照曲線k9、k10)。這是因為，從設(shè)置在狹縫312、313的一側(cè)的導(dǎo)體板301向設(shè)置在狹縫312、313的另一側(cè)的導(dǎo)體板301的電流的流動被狹縫312、313阻擋，而流過電元件內(nèi)的導(dǎo)體板21～23、21A、22A、23A。
圖29是表示圖13所示的基板的其他另一結(jié)構(gòu)的俯視圖。參照圖29，基板200K采用了在圖27(b)所示的基板200G中添加了狹縫314、315的結(jié)構(gòu)，而其他結(jié)構(gòu)與基板200G相同。狹縫314、315通過欠缺導(dǎo)體板301的一部分按照與狹縫303連結(jié)的方式形成在電介質(zhì)(未圖示)的一個主面。而且，由狹縫303、314、315構(gòu)成的狹縫在與構(gòu)成信號線的導(dǎo)體部分305、306的長度方向垂直的方向，形成在基板200K的一部分。
圖30是表示阻抗相對于在使用圖29所示的基板200K而制作了電路裝置時的由三個狹縫303、314、315構(gòu)成的狹縫的長度的變化的圖。
在圖30中橫軸表示狹縫長度、縱軸表示阻抗。此外，曲線k11表示仿真結(jié)果，曲線k12表示實測值。另外，狹縫303的寬度為5mm，頻率為100MHz。
從圖30所示的結(jié)果可知，通過將由狹縫303、314、315構(gòu)成的狹縫的長度設(shè)定在5mm以上，由此阻抗變小。即，通過將由狹縫303、314、315構(gòu)成的狹縫的長度設(shè)為比狹縫303的寬度(＝5mm)長，由此阻抗變小。這樣通過在基板200K的一部分設(shè)置由狹縫303、314、315構(gòu)成的狹縫，能夠減小電路裝置的阻抗。
圖31是圖13所示的基板的其他另一結(jié)構(gòu)的俯視圖。參照圖31，基板200L采用了在圖29所示的基板K中添加了狹縫316、317的結(jié)構(gòu)，而其他結(jié)構(gòu)與基板200K相同。
狹縫316通過欠缺導(dǎo)體板301的一部分按照與狹縫314的一端大致垂直連結(jié)的方式形成在電介質(zhì)(未圖示)的一個主面。而且，狹縫316具有規(guī)定長度，并且在狹縫314的兩側(cè)僅以相同的長度延伸。狹縫317通過欠缺導(dǎo)體板301的一部分按照與狹縫315的一端大致垂直連結(jié)的方式形成在電介質(zhì)(未圖示)的一個主面。而且，狹縫317具有與狹縫316相同的長度，并且在狹縫315的兩側(cè)僅以相同的長度延伸。
圖32是表示圖31所示的狹縫316、317的長度與S21之間的關(guān)系的圖。在圖32中縱軸表示S21、橫軸表示狹縫長度。其中S21是從狹縫314、315一側(cè)的導(dǎo)體板301向狹縫314、315的另一側(cè)的導(dǎo)體板301流的電流的傳遞特性。
參照圖32，隨著狹縫316、317的狹縫長度按照5mm、10mm和15mm的順序變長，傳遞特性S21下降。這是因為，通過設(shè)置狹縫316、317來防止電流介由未形成有狹縫314、315導(dǎo)體板301的部分從狹縫314、315一側(cè)的導(dǎo)體板301向狹縫314、315的另一側(cè)的導(dǎo)體板301回流。而且，狹縫316、317的狹縫長度越長，防止該電流的回流的程度越大。
從而，通過使用基板200L，返回電流容易流過電元件內(nèi)部的導(dǎo)體板21～23、21A、22A、23A，并且能夠使導(dǎo)體板11、12和11A、12A的有效電感比自感小。
圖33是表示圖13所示的基板的其他另一結(jié)構(gòu)的俯視圖。參照圖33，基板200M采用了將圖31所示的基板200L的狹縫316、317分別替換為狹縫318、319的結(jié)構(gòu)，而其他結(jié)構(gòu)與基板200L相同。
狹縫318通過欠缺導(dǎo)體板301的一部分按照與狹縫314的一端連結(jié)的方式形成在電介質(zhì)(未圖示)的一個主面。狹縫319通過欠缺導(dǎo)體板301的一部分按照與狹縫315的一端連結(jié)的方式形成在電介質(zhì)(未圖示)的一個主面。
狹縫318由直線部分318A、318B、318C構(gòu)成。直線部分318A形成為與狹縫314大致垂直。直線部分318B在從直線部分318A的一端與直線部分318A形成規(guī)定角度的方向延伸。直線部分318C在從直線部分318A的另一端與直線部分318A形成規(guī)定角度的方向延伸。其結(jié)果，直線部分318B、318C在直線部分318A的兩端相對于朝向狹縫303的方向大致以ハ字狀配置。
狹縫319由直線部分319A、319B、319C構(gòu)成。直線部分319A形成為與狹縫315大致垂直。直線部分319B在從直線部分319A的一端與直線部分319A形成規(guī)定角度的方向延伸。直線部分319C在從直線部分319A的另一端與直線部分319A形成規(guī)定角度的方向延伸。其結(jié)果，直線部分319B、319C在直線部分319A的兩端相對于朝向狹縫303的方向大致以ハ字狀配置。
在具備狹縫318、319的情況下，也與具備狹縫316、317的情況同樣，傳遞特性S21變小，從而能夠防止電流介由未形成有狹縫314、315的導(dǎo)體板301的部分從狹縫314、315的一側(cè)的導(dǎo)體板301向狹縫314、315的另一側(cè)的導(dǎo)體板301回流。
圖34是表示圖13所示的基板的其他另一結(jié)構(gòu)的俯視圖。參照圖34，基板200N采用了將圖31所示的基板200L的狹縫316、317分別替換為狹縫320、321的結(jié)構(gòu)，而其他結(jié)構(gòu)與基板200L相同。
狹縫320通過欠缺導(dǎo)體板301的一部分按照與狹縫314的一端連結(jié)的方式形成在電介質(zhì)(未圖示)的一個主面。狹縫321通過欠缺導(dǎo)體板301的一部分按照與狹縫315的一端連結(jié)的方式形成在電介質(zhì)(未圖示)的一個主面。
狹縫320由直線部分320A、320B、320C構(gòu)成。直線部分320A形成為與狹縫314大致垂直。直線部分320B在從直線部分320A的一端與直線部分320A形成規(guī)定角度的方向延伸。直線部分320C在從直線部分320A的另一端與直線部分320A形成規(guī)定角度的方向延伸。其結(jié)果，直線部分320B、320C在直線部分318A的兩端相對于與狹縫303相反方向大致以ハ字狀配置。
狹縫321由直線部分321A、321B、321C構(gòu)成。直線部分321A形成為與狹縫315大致垂直。直線部分321B在從直線部分321A的一端與直線部分321A形成規(guī)定角度的方向延伸。直線部分321C在從直線部分321A的另一端與直線部分321A形成規(guī)定角度的方向延伸。其結(jié)果，直線部分321B、321C在直線部分321A的兩端相對于與狹縫303相反方向大致以ハ字狀配置。
在具備狹縫320、321的情況下，也與具備狹縫316、317的情況同樣，傳遞特性S21變小，從而能夠防止電流介由未形成有狹縫314、315的導(dǎo)體板301的部分從狹縫314、315的一側(cè)的導(dǎo)體板301向狹縫314、315的另一側(cè)的導(dǎo)體板301回流。
在圖31、圖33和圖34中，表示具備各種狹縫的基板200L、200M、200N，但是本發(fā)明并不限定與此，如圖31、圖33和圖34所示的形狀的基板，一般而言具備抑制高頻電流從狹縫一側(cè)向狹縫的另一側(cè)傳遞的形狀的狹縫為好。
圖35是圖13所示的基板的其他另一結(jié)構(gòu)的俯視圖。參照圖35，基板200P采用了將圖27(a)所示的基板200F的狹縫302～304代替為狹縫322～324的結(jié)構(gòu)，而其他結(jié)構(gòu)與基板200F相同。
狹縫322通過欠缺導(dǎo)體板301的一部分的方式形成在電介質(zhì)(未圖示)的一個主面。而且通過形成狹縫322，導(dǎo)體部分325～328形成在電介質(zhì)(未圖示)的一個主面。
狹縫323通過欠缺導(dǎo)體板301的一部分形成在電介質(zhì)(未圖示)的一個主面，并且在狹縫322的一側(cè)與狹縫322連結(jié)。此外，狹縫324通過欠缺導(dǎo)體板301的一部分形成在電介質(zhì)(未圖示)的一個主面，并且在狹縫322的另一側(cè)與狹縫322連結(jié)。
在使用基板200P制作電路裝置的情況下，導(dǎo)體部分325、328構(gòu)成信號線，并且導(dǎo)體板301和另一個導(dǎo)體板與接地電位連接，陽極電極10C、10D分別與導(dǎo)體部分325、328連接，陰極電極20E、20F分別與導(dǎo)體部分326、327連接。其結(jié)果，返回電流從基板200P的導(dǎo)體板301和另一個導(dǎo)體板流過導(dǎo)體板21～23、21A～23A。
圖36是表示圖13所示的基板的其他另一結(jié)構(gòu)的俯視圖。參照圖36，基板200Q采用了將圖35所示的基板200P的狹縫323、324分別替換為狹縫314、315的結(jié)構(gòu)，而其他結(jié)構(gòu)與基板200P相同。
狹縫314、315通過欠缺導(dǎo)體板301的一部分按照與狹縫322連結(jié)的方式形成在電介質(zhì)(未圖示)的一個主面。而且，由狹縫322、314、315構(gòu)成的狹縫在與構(gòu)成信號線的導(dǎo)體部分325、328的長度方向垂直的方向，形成在200Q的一部分。
圖37是表示圖13所示的基板的另一結(jié)構(gòu)的俯視圖。此外，圖38是圖37所示的線XXXVIII-XXXVIII之間的基板200R的剖面圖。參照圖37和圖38，基板200R具備導(dǎo)體板401、403、405、407、電介質(zhì)402、404、406、狹縫411、412、413、414、導(dǎo)體部分415、416、417、418、419、420、421、426。
導(dǎo)體板401形成在電介質(zhì)402的表面，導(dǎo)體板403形成在電介質(zhì)404的表面，導(dǎo)體板405形成在電介質(zhì)406的表面，導(dǎo)體板407形成在電介質(zhì)406的背面。而且，形成有導(dǎo)體板403的電介質(zhì)404，層疊在形成有導(dǎo)體板405、407的電介質(zhì)406上，形成有導(dǎo)體板401的電介質(zhì)402層疊在形成有導(dǎo)體板403的電介質(zhì)404上。
狹縫411～414通過欠缺導(dǎo)體板401的一部分形成在電介質(zhì)402的表面。而且，狹縫411、412、414在基板200R的寬度方向配置在直線上。此外，狹縫413按照其兩端與狹縫412連結(jié)并以包圍狹縫411的方式形成。在該情況下，狹縫413的寬度根據(jù)高頻電流的波長和電介質(zhì)402的介電常數(shù)決定，并且設(shè)定為高頻電流不會從形成在狹縫413內(nèi)側(cè)的導(dǎo)體部分421向形成在狹縫413外側(cè)的導(dǎo)體部分426跳躍的值。
其結(jié)果，導(dǎo)體板401分離為導(dǎo)體部分421和導(dǎo)體部分426。此外，導(dǎo)體416～419形成在電介質(zhì)402的表面。在該情況下，導(dǎo)體部分417的兩端與導(dǎo)體部分421連結(jié)，導(dǎo)體部分418的兩端與導(dǎo)體部分426連結(jié)。
導(dǎo)體部分415通過欠缺導(dǎo)體板403的一部分形成在電介質(zhì)404的表面。而且，導(dǎo)體部分415通過過孔423與導(dǎo)體部分416連接。此外，導(dǎo)體部分420通過欠缺導(dǎo)體板403的一部分形成在電介質(zhì)404的表面。而且，導(dǎo)體部分420通過過孔426與導(dǎo)體部分419連接。
導(dǎo)體部分417通過過孔424與導(dǎo)體板405連接，導(dǎo)體部分418通過過孔425與導(dǎo)體板407連接。另外，導(dǎo)體部分421通過過孔與導(dǎo)體板405連接，導(dǎo)體部分426通過過孔與導(dǎo)體板407連接。而且，導(dǎo)體板401、405、407與接地電位連接。
在使用基板200R制作電路裝置的情況下，導(dǎo)體部分415、416、419、420和過孔423、426構(gòu)成信號線，陽極電極10C與導(dǎo)體部分415連接，陽極電極10D與導(dǎo)體部分420連接，陰極電極20E與導(dǎo)體部分417連接，陰極電極20F與導(dǎo)體部分418連接。其結(jié)果，返回電流流過電元件內(nèi)的導(dǎo)體板21～23、21A～23A。
這樣，返回電流流過電元件內(nèi)的導(dǎo)體板21～23、21A～23A的原因在于，連接有陰極電極20E、20F的導(dǎo)體部分417、418分別與通過狹縫413被分離的導(dǎo)體部分421、426連接，導(dǎo)體部分421、426分別與不同的導(dǎo)體板405、407連接。
這樣通過使用基板200R，能夠使返回電流完全流過電元件內(nèi)部的導(dǎo)體板21～23、21A～23A，還能夠使導(dǎo)體板11、12、11A、12A的有效電感小于自感。其結(jié)果，能夠減小電路裝置100、101、102的阻抗。
這次所公開的實施方式在所有方面是例示，而不是限定。本發(fā)明范圍，通過權(quán)利要求范圍來表示而不是上述的實施方式的說明，并且包括與權(quán)利要求的范圍均等的意思和范圍內(nèi)的所有變更。
產(chǎn)業(yè)上的利用可能性該發(fā)明可應(yīng)用于通過減小電感可減小阻抗的電路裝置。此外，該發(fā)明可應(yīng)用于在通過電感的減小來可減小阻抗的電路裝置中所使用的基板。
權(quán)利要求
1.一種電路裝置，具備具有第一導(dǎo)體板的基板；和在所述基板上形成的電元件，所述電元件包括n個第二導(dǎo)體板，各個使第一電流從電源一側(cè)向電負載電路一側(cè)流動；和m個第三導(dǎo)體板，與所述n個第二導(dǎo)體板交互地層疊，并且各個使作為所述第一電流的返回電流的第二電流從所述電負載電路一側(cè)向所述電源一側(cè)流動，其中n為正整數(shù)，m為正整數(shù)，所述第一導(dǎo)體板，使從所述電負載電路一側(cè)接收到的所述第二電流流過所述m個第三導(dǎo)體板的每一個的一端，并且使從所述m個第三導(dǎo)體板的每一個的另一端接收到的所述第二電流向所述電源一側(cè)流動，在所述第一和第二電流分別流過所述n個第二導(dǎo)體板和所述m個第三導(dǎo)體板時，所述n個第二導(dǎo)體板具有比自感小的電感，在所述第二導(dǎo)體板與所述第三導(dǎo)體板之間的重復(fù)部分中，將在與所述第一和第二電流流動的方向垂直的方向的所述第二和第三導(dǎo)體板的長度設(shè)為W，將在所述第一和第二電流流動的方向的所述第二和第三導(dǎo)體板的長度設(shè)為L時，W≥L成立，所述第二電流包括流過所述m個第三導(dǎo)體板的第一電流成分；和流過所述第一導(dǎo)體板的第二電流成分，所述第一導(dǎo)體板包括第一平板構(gòu)件，與所述m個第三導(dǎo)體板的每一個的一端連接；第二平板構(gòu)件，與所述m個第三導(dǎo)體板的每一個的另一端連接；和電流抑制部，設(shè)置在所述第一和第二平板構(gòu)件之間，并且使所述第二電流成分小于所述第一電流成分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路裝置，其特征在于，所述電流抑制部使所述第二電流成分成為零。
3.一種電路裝置，具備具有第一導(dǎo)體板的基板；和在所述基板上形成的電元件，所述電元件包括n個第二導(dǎo)體板，各個使第一電流從電源一側(cè)向電負載電路一側(cè)流動；和m個第三導(dǎo)體板，與所述n個第二導(dǎo)體板交互地層疊，并且各個使作為所述第一電流的返回電流的第二電流從所述電負載電路一側(cè)向所述電源一側(cè)流動，其中n為正整數(shù)，m為正整數(shù)，所述第一導(dǎo)體板，使從所述電負載電路一側(cè)接收到的所述第二電流流過所述m個第三導(dǎo)體板的每一個的一端，并且使從所述m個第三導(dǎo)體板的每一個的另一端接收到的所述第二電流向所述電源一側(cè)流動，在所述第一和第二電流分別流過所述n個第二導(dǎo)體板和所述m個第三導(dǎo)體板時，所述n個第二導(dǎo)體板具有比自感小的電感，在所述第二導(dǎo)體板與所述第三導(dǎo)體板之間的重復(fù)部分中，將在與所述第一和第二電流流動的方向垂直的方向的所述第二和第三導(dǎo)體板的長度設(shè)為W，將在所述第一和第二電流流動的方向的所述第二和第三導(dǎo)體板的長度設(shè)為L時，W≥L成立，所述第一導(dǎo)體板包括第一平板構(gòu)件，與所述m個第三導(dǎo)體板的每一個的一端連接；和第二平板構(gòu)件，與所述m個第三導(dǎo)體板的每一個的另一端連接，并且與所述第一平板構(gòu)件分離。
4.一種電路裝置，具備n個第一導(dǎo)體板，各個使第一電流從電源一側(cè)向電負載電路一側(cè)流動；和m個第二導(dǎo)體板，與所述n個第一導(dǎo)體板交互地層疊，并且各個使作為所述第一電流的返回電流的第二電流從所述電負載電路一側(cè)向所述電源一側(cè)流動，其中n為正整數(shù)，m為正整數(shù)，在所述第一和第二電流分別流過所述n個第一導(dǎo)體板和所述m個第二導(dǎo)體板時，所述n個第一導(dǎo)體板具有比自感小的電感，在所述第一導(dǎo)體板與所述第二導(dǎo)體板之間的重復(fù)部分中，將在與所述第一和第二電流流動的方向垂直的方向的所述第一和第二導(dǎo)體板的長度設(shè)為W，將在所述第一和第二電流流動的方向的所述第一和第二導(dǎo)體板的長度設(shè)為L時，L≥W成立。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路裝置，其特征在于，還具備具有第三導(dǎo)體板的基板，所述n個第一導(dǎo)體板和所述m個第二導(dǎo)體板形成在所述基板上，所述第二電流包括流過所述m個第二導(dǎo)體板的第一電流成分；和流過所述第三導(dǎo)體板的第二電流成分，所述第三導(dǎo)體板包括第一平板構(gòu)件，與所述m個第二導(dǎo)體板的每一個的一端連接；第二平板構(gòu)件，與所述m個第二導(dǎo)體板的每一個的另一端連接；和電流抑制部，設(shè)置在所述第一和第二平板構(gòu)件之間，并且使所述第二電流成分小于所述第一電流成分。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電路裝置，其特征在于，所述電流抑制部使所述第二電流成分成為零。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路裝置，其特征在于，還具備具有第三導(dǎo)體板的基板，所述n個第一導(dǎo)體板和所述m個第二導(dǎo)體板形成在所述基板上，所述第三導(dǎo)體板包括第一平板構(gòu)件，與所述m個第二導(dǎo)體板的每一個的一端連接；和第二平板構(gòu)件，與所述m個第二導(dǎo)體板的每一個的另一端連接，并且與所述第一平板構(gòu)件分離。
8.根據(jù)權(quán)利要求3或7所述的電路裝置，其特征在于，將所述第一平板構(gòu)件與所述第二平板構(gòu)件之間的間隔設(shè)定為相對大的值。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路裝置，其特征在于，還具備配置有所述n個第一導(dǎo)體板和所述m個第二導(dǎo)體板的基板，所述基板包括在一個主面形成的第三導(dǎo)體板；第一狹縫，將與所述n個第一導(dǎo)體板的每一個的一端連接的第一導(dǎo)體部分形成在所述一個主面；第二狹縫，將與所述n個第一導(dǎo)體板的每一個的另一端連接的第二導(dǎo)體部分形成在所述一個主面；和第三狹縫，配置在所述第一狹縫與所述第二狹縫之間，并且將與所述m個第二導(dǎo)體板的每一個的兩端分別連接的第三和第四導(dǎo)體部分形成在所述一個主面。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電路裝置，其特征在于，所述基板還包括第四狹縫，所述第四狹縫在與所述第二電流流動的方向大致垂直的方向從所述第三狹縫延伸。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電路裝置，其特征在于，所述基板還包括第五狹縫，所述第五狹縫形成在所述第四狹縫的兩端，并且在與所述第四狹縫形成規(guī)定角度的方向延伸。
12.一種基板，相對減小電元件的阻抗，所述電元件包括n個第一導(dǎo)體板，各個使第一電流從電源一側(cè)向電負載電路一側(cè)流動；和m個第二導(dǎo)體板，與所述n個第一導(dǎo)體板交互地層疊，并且各個使作為所述第一電流的返回電流的第二電流從所述電負載電路一側(cè)向所述電源一側(cè)流動，其中n為正整數(shù)，m為正整數(shù)，在所述第一和第二電流分別流過所述n個第一導(dǎo)體板和所述m個第二導(dǎo)體板時，所述n個第一導(dǎo)體板具有比自感小的電感，所述基板具備電介質(zhì)；第三導(dǎo)體板，配置在所述電介質(zhì)的一個主面，并且與所述m個第二導(dǎo)體板的每一個的一端連接；和第四導(dǎo)體板，與所述第三導(dǎo)體板以規(guī)定的間隔配置在所述電介質(zhì)的一個主面，并且與所述m個第二導(dǎo)體板的每一個的另一端連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板，其特征在于，還具備第一信號線，配置在所述電介質(zhì)的一個主面，并且與所述n個第一導(dǎo)體板的每一個的一端連接；和第二信號線，配置在設(shè)置有所述第一信號線的一個主面，并且與所述n個第一導(dǎo)體板的每一個的另一端連接，所述第三和第四導(dǎo)體板，配置在與所述第一和第二信號線相同的一個主面。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的基板，其特征在于，所述第三導(dǎo)體板由配置在所述第一信號線的兩側(cè)的第一和第二平板構(gòu)件構(gòu)成，所述第四導(dǎo)體板由配置在所述第二信號線的兩側(cè)的第三和第四平板構(gòu)件構(gòu)成。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板，其特征在于，還具備第一信號線，配置在所述電介質(zhì)的一個主面，并且與所述n個第一導(dǎo)體板的每一個的一端連接；和第二信號線，配置在設(shè)置有所述第一信號線的一個主面，并且與所述n個第一導(dǎo)體板的每一個的另一端連接，所述第三和第四導(dǎo)體板配置在與所述第一和第二信號線不同的一個主面。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板，其特征在于，還具備第一信號線，配置在所述電介質(zhì)的一個主面，并且與所述n個第一導(dǎo)體板的每一個的一端連接；和第二信號線，配置在設(shè)置有所述第一信號線的一個主面，并且與所述n個第一導(dǎo)體板的每一個的另一端連接，所述第三導(dǎo)體板包括第一和第二平板構(gòu)件，在與所述第一信號線相同的一個主面配置在所述第一信號線的兩側(cè)；和第三平板構(gòu)件，配置在與所述第一信號線不同的一個主面，所述第四導(dǎo)體板包括第四和第五平板構(gòu)件，在與所述第二信號線相同的一個主面配置在所述第二信號線的兩側(cè)；和第六平板構(gòu)件，配置在與所述第二信號線不同的一個主面。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的基板，其特征在于，所述電介質(zhì)由層疊的多個電介質(zhì)構(gòu)成，所述第三導(dǎo)體板由配置在各電介質(zhì)的表里的多個第一平板構(gòu)件構(gòu)成，所述第四導(dǎo)體板由配置在各電介質(zhì)的表里的多個第二平板構(gòu)件構(gòu)成。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的基板，其特征在于，還具備第一信號線，配置在所述多個電介質(zhì)之中設(shè)置在最上側(cè)的電介質(zhì)的一個主面，并且與所述n個第一導(dǎo)體板的每一個的一端連接；和第二信號線，配置在設(shè)置有所述第一信號線的一個主面，并且與所述n個第一導(dǎo)體板的每一個的另一端連接，所述多個第一平板構(gòu)件之中，配置在設(shè)置于所述最上側(cè)的電介質(zhì)的一個主面的平板構(gòu)件，由配置在所述第一信號線的兩側(cè)的第一和第二平板部分構(gòu)成，所述多個第二平板構(gòu)件之中，配置在設(shè)置于所述最上側(cè)的電介質(zhì)的一個主面的平板構(gòu)件，由配置在所述第二信號線的兩側(cè)的第三和第四平板部分構(gòu)成。
19.根據(jù)權(quán)利要求12至18中任一項所述的基板，其特征在于，將所述規(guī)定間隔設(shè)定為相對大的值。
20.一種基板，相對減小電元件的阻抗，所述電元件包括n個第一導(dǎo)體板，各個使第一電流從電源一側(cè)向電負載電路一側(cè)流動；和m個第二導(dǎo)體板，與所述n個第一導(dǎo)體板交互地層疊，并且各個使作為所述第一電流的返回電流的第二電流從所述電負載電路一側(cè)向所述電源一側(cè)流動，其中n為正整數(shù)，m為正整數(shù)，在所述第一和第二電流分別流過所述n個第一導(dǎo)體板和所述m個第二導(dǎo)體板時，所述n個第一導(dǎo)體板具有比自感小的電感，所述基板具備電介質(zhì)；第三導(dǎo)體板，配置在所述電介質(zhì)的一個主面；第一狹縫，將與所述n個第一導(dǎo)體板的每一個的一端連接的第一導(dǎo)體部分形成在所述一個主面；第二狹縫，將與所述n個第一導(dǎo)體板的每一個的另一端連接的第二導(dǎo)體部分形成在所述一個主面；和第三狹縫，配置在所述第一狹縫與所述第二狹縫之間，并且將與所述m個第二導(dǎo)體板的每一個的兩端分別連接的第三和第四導(dǎo)體部分形成在所述一個主面。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的基板，其特征在于，所述基板還包括第四狹縫，所述第四狹縫在與所述第二電流流動的方向大致垂直的方向從所述第三狹縫延伸。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的基板，其特征在于，所述基板還包括第五狹縫，所述第五狹縫形成在所述第四狹縫的兩端，并且在與所述第四狹縫形成規(guī)定角度的方向延伸。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可通過減小電感來減小阻抗的電元件。導(dǎo)體板(11、12、21～23)分別形成在層疊的電介質(zhì)層(1～5)的主面。側(cè)陽極電極(10A、10B)與導(dǎo)體板(11、12)連接，側(cè)陰極電極(20A、20B、20C、20D)與導(dǎo)體板(21～23)連接。陽極電極(10C、10D)分別與側(cè)陽極電極(10A、10B)連接。陰極電極(10E)與側(cè)陰極電極(20A、20B)連接，陰極電極(20F)與側(cè)陰極電極(20C、20D)連接。在導(dǎo)體板(11、12)與導(dǎo)體板(21～23)中流過方向相反的電流。在導(dǎo)體板(11、12)與導(dǎo)體板(21～23)之間的重復(fù)部分中，將電流流動的方向的長度設(shè)定為與電流流動的方向垂直的方向的長度以上。
文檔編號H01P1/20GK1992425SQ200610172519
公開日2007年7月4日 申請日期2006年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月26日
發(fā)明者二木一也 申請人:三洋電機株式會社