專利名稱：：GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管芯質(zhì)量的檢測和分析方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管芯質(zhì)量的檢測和分析方法。更確切的說，是利用光垂直腔面入射的光電流譜法檢測GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管芯質(zhì)量以及相關(guān)數(shù)據(jù)的優(yōu)化分析方法。
背景技術(shù)：
：由于納米量子結(jié)構(gòu)中的受限電子、光子呈現(xiàn)出許多與體材料結(jié)構(gòu)中十分不同的物理內(nèi)涵、十分豐富的新量子現(xiàn)象和效應(yīng)，這也就為新原理的電子、光電子器件的發(fā)展提供了新機遇，如發(fā)展基于不同應(yīng)用目標(biāo)、工作于不同波段的量子阱、量子線和量子點激光器、調(diào)制器和探測器等，由于其多維的限制，產(chǎn)生很多優(yōu)越性，如量子點激光器則有窄發(fā)射線寬、高調(diào)制頻率、高溫度穩(wěn)定性和低閾值電流密度等獨特的優(yōu)越特性。GaAs基In(Ga)As量子點是可實現(xiàn)1060nm波長激光器(在工業(yè)方面，它可用于材料的焊接、打孔、切割等多種加工領(lǐng)域；在光纖通訊方面，它是光纖激光器的重要泵浦源)，94Onm波長激光器(它是泵浦Yb:YAG晶體最有效的波長)，和1300nm—1600nm波長激光器(光纖信號傳輸技術(shù)所用的重要波段)的理想材料。尤其是怎樣實現(xiàn)高溫度穩(wěn)定性和低閾值電流密度的1300nm—1600nm波長里子點激光器已成為近年來的難點和熱點之一。在GaAs基上實現(xiàn)l30Onm—160Onm長波長發(fā)光的In(Ga)As量子點尺寸較大或者材料中存在較大的應(yīng)力馳，這容易在材料中引入位錯和缺陷，從而大大降低了其光學(xué)和電學(xué)性能。根據(jù)近年來的研究，缺陷的存在是實現(xiàn)長波長高溫度穩(wěn)定性和低閾值電流密度激光器的主要障礙。因而采用一種簡便快速準(zhǔn)確的方法來檢測激光器管芯材料質(zhì)量是很必要的。目前為止，人們通常采用深能級瞬態(tài)譜(DLTS)，光熒光(PL)，透射電鏡(TEM)，I一V特性等方法來對量子點、激光群性能進行研究。每種方法都有其優(yōu)劣性。DLTS法雖然能檢測到材料中缺陷的種類以及相關(guān)參數(shù)，有利于研究相關(guān)的物理問題，但需要變溫試驗，耗時較長，設(shè)備較為復(fù)雜，操作也相對較為復(fù)雜。一般的PL法雖然比較簡便快速，但對量子點激光器結(jié)構(gòu)的樣品，必須采用紅外激發(fā)光源，且光路上小的變動，激發(fā)光源強度的穩(wěn)定性，樣品表面的清潔度以及平整度等，對PL光強都有很大影響，而且可得到的跟材料質(zhì)量相關(guān)的信息量較小。TEM法只能用于線位錯的研究，無法檢測到點缺陷這類的不可見缺陷，而且存在制樣困難，測試費用高等缺點。I一v特性法是檢測p-i-n二極管反向特性的一種常用方法，但只能間接的反映材料的質(zhì)量，且二極管的反向特性受P層和N層材料的生長、端面漏電以及后工藝的影響很大。本文提供的這種GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管芯質(zhì)量的檢測和分析方法，釆用一般的光電流譜測試設(shè)備即可，設(shè)備搭建簡單，檢測快速，可直接檢測到GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管芯中的缺陷吸收，并能定量地分析管芯質(zhì)量，結(jié)果直觀明了。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的巨的是提供一種GaAs基半導(dǎo)體量子點、激光器管"HP心質(zhì)且里的檢測和分析方法，其可實現(xiàn)光垂直于激光器管心腔面入射的光電流法檢；則GaAs基半導(dǎo)體里子點、激光器管心中的缺陷吸收，并可以定量分析其的質(zhì)量。本發(fā)明提供一種GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管芯質(zhì)量的檢測方法，其特征在于，包含以下步驟步驟1:.將激光器管芯的引線焊接在樣品架上；步驟2:調(diào)整樣品架，使光垂直于激光器管芯腔面入射；步驟3:將樣品架的引線接入光電流測量系統(tǒng)的電路，并確定激光器管芯處于反偏OV狀態(tài)；步驟4:測量激光器管芯的光電流曲線；步驟5:調(diào)節(jié)外接電源的輸出電壓，使激光器管芯的外接偏置電壓按步長L增加；步驟6:檢測信噪比，若發(fā)現(xiàn)信噪比明顯變差，則停止測量，若沒有則重復(fù)步驟4。其中激光器管芯是法布里-伯羅腔型GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器p-i-n異質(zhì)結(jié)管芯。其中激光器管芯腔面是指激光器管芯的法布里-伯羅腔的反射端面。其中光垂直于激光器管芯腔面入射，是指激光器管芯的法布里-伯羅腔的反射端面即入射光的照射面，光垂直于此腔面入射。其中激光器管芯處于反偏狀態(tài)是指p-i-n結(jié)的激光器管芯的p面電極接外接電源的負(fù)極，n面電極接外接電源的正極，使p-i-n結(jié)處于反向偏置狀態(tài)。其中光電流曲線是指光電流隨入射光子能量變化的曲線，對于GaAs基半導(dǎo)體量子點材料，入射光子能量一般要包括GaAs帶邊能量室溫為1.423eV以下的所有有光電流信號的光子能量。其中光電流曲線的測量均在室溫下進行。本發(fā)明提供一種GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管心質(zhì)且里的分析方法，本方法是利用權(quán)利要求1所述的檢測方法的檢結(jié)果，其特征在于，包括步驟如下步驟1將所測的每條光電流曲線中GaAs帶邊能量以下的光子能量對應(yīng)的光電流信號做積分，一條曲線對應(yīng)得出一個'E、的積分強度I，并記下測量曲線時所加的偏置電壓值步驟2通過公式—『,計算出激光器管芯本征層所受的電場F，其中^是指GaAs基p-i-n結(jié)的內(nèi)建勢，約1.5V，l是指激光器管芯本征層的厚度；步驟3:由上述步驟1和步驟2所得出的數(shù)據(jù)，繪出I一F曲線。I—F曲線有以下規(guī)律可分為三段，第一段，本征層所受的電場較小，隨著電場的增加總積分強度I急劇增加，第三段，本征層所受的電場較大，隨著電場的增加總積分強度I基本呈線性緩慢增加規(guī)律，第二段，即中間一段，I處于急劇增加到緩慢增加過程中的過渡段；步驟4:用直線y=A+Bx對I—F曲線中第三段線性增加區(qū)域的數(shù)據(jù)進行擬合，得出A和B的值；步驟5:定義激光器管芯質(zhì)量的指標(biāo)KO為B/A。具有的思義本發(fā)明GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管芯質(zhì)量的檢測和分析方法相對于目前通用的方法，具有以下優(yōu)點、不需要做變溫試驗，所有操作均在室溫下進行，省時省力。2、可將激光器管芯測完電流密度閾值特性和特征溫度后直接用于本發(fā)明的測量，可直接研究激光器管心特性好壞的物理原因，不需要重新制樣，省時省力省材料，且與激光器管芯特性對照性強，不依賴于材料的均勻性。3、測量中管芯處于反向偏置狀態(tài)，測量曲線的信噪比可間接反映激光器管芯的反向I—v特性。4、從一條大電場(比如100KV/cm)下的光電流曲線即可快速直觀地看出激光器管芯中是否存在缺陷吸收5、釆用本發(fā)明所述的分析方法對測量結(jié)果進行分析后，可得出一個反應(yīng)激光器管芯質(zhì)量的指標(biāo)值K0，即可對激光器管芯的質(zhì)量進行定量的分析。6、本發(fā)明所述的分析方法優(yōu)點體現(xiàn)如下1不需要繁瑣的計算分析過程，易于掌握。2將激光器管芯質(zhì)的指標(biāo)K0定義為B/A，而不是B。因為測量過程中樣品架在光路中的位置、光入射的角度、光源的穩(wěn)定性、前置放大器的放大倍數(shù)，以及激光器管芯的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)、條寬和腔長等均會對B和A產(chǎn)生類似影響，采用B/A作為激光器管心質(zhì)量的指標(biāo)，則可大大減小上述因素對分析結(jié)果的可靠度所產(chǎn)生的影響，從而提高了結(jié)果的準(zhǔn)確度。為進一步說明本發(fā)明的具體技術(shù)內(nèi)容，以下結(jié)合實施例及附圖詳細(xì)說明如后，其中圖1是本發(fā)明GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管心質(zhì)量的檢測方法的流程圖；圖2是現(xiàn)有GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管芯質(zhì)量的檢測方法所用的測量裝置的示意圖；圖3為本發(fā)明GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管芯質(zhì)里的檢測方法在實施例中所測到的激光器管芯L1禾口4的本征層受到電場為100KV/cm時的室溫光電流曲線圖4為本發(fā)明GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管心質(zhì)量的分析方法在實施例中所分析得出的激光器管心1、L2、L3和L4的I一F曲線；圖5為本發(fā)明GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管心質(zhì)量的分析方法在實施例中對Ll的I一F曲線中的第二段數(shù)據(jù)的線性擬合結(jié)果。具體實施方式請參閱圖1及圖2所示，本發(fā)明的一種GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管芯質(zhì)量的檢測方法，該檢測方法是使用如圖2所示的測量裝置，包含以下步驟步驟1:將激光器管芯4的引線焊接在樣品架上(圖1中s>10)，該激光器管芯是法布里-伯羅腔型GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器p-i-n異質(zhì)結(jié)管芯；步驟2:調(diào)整樣品架，使光垂直于激光器管心腔面入射圖1中S20)，該激光器管芯腔面是指激光器管芯的法布里-伯羅腔的反射端面，該光垂直于激光器管芯腔面入射，是指激光器管芯的法布里-伯羅腔的反射端面即入射光的照射面，光垂直于此腔面入射；步驟3:將樣品架的引線接入光電流測量系統(tǒng)的電路，并確定激光器管芯4處于反偏0V狀態(tài)(圖1中S30)，該激光器管芯處于反偏狀態(tài)是指p-i-n結(jié)的光器管芯的p面電極接外接電源的負(fù)極，n面電極接外接電源的正極，使P-i-n結(jié)處于反向偏置狀態(tài)；步驟4:測量激光器管芯4的光電流曲線(圖1中S40)，該光電流曲線是指光電流隨入射光子能量變化的曲線，對于GaAs基半導(dǎo)體量子點材料，入射光子能量一般要包括GaAs帶邊能量室溫為l.423eV以下的所有有光電流信號的光子能量，該光電流曲線的測量均在室溫下進行；步驟5:調(diào)節(jié)外接電源的輸出電壓，使激光器管芯的外接偏置電壓按步長L增加(圖1中S50);步驟6:檢測信噪比，若發(fā)現(xiàn)信噪比明顯變差，則停止測量(圖1中S60)，若沒有則重復(fù)步驟4，若是停止測里本發(fā)明一種GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管心質(zhì)里的分析方法，本方法是利用前述的檢測方法的檢測結(jié)果，包括步驟如下步驟1:將所測的每條光電流曲線中GaAs帶邊能量以下的光子能量對應(yīng)的光電流信號做積分，條曲線對應(yīng)得出個總的積分強度I，并記下測量曲線時所加的偏置電壓值V;步驟2:通過公式y(tǒng)+Fk十^計算出激光器管芯本征層所受的電場F，其中^是指GaAs基p-i-n結(jié)的內(nèi)建勢，約1.5V，l是指激光器管芯本征層的厚度；步驟3:由上述步驟1和步驟2所得出的數(shù)據(jù)，繪出I一F曲線。I一F曲線有以下規(guī)律可分為三段，第一段，本征層所受的電場較小，隨著電場的增加總積分強度I急劇增加，第三段，本征層所受的電場較大，隨著電場的增加總積分強度I基本呈線性緩慢增加規(guī)律，第二段，即中間一段，I處于急劇增加到緩慢增加過程中的過渡段；步驟4:用直線y=A+Bx對I—F曲線中第三段線性增加區(qū)域的數(shù)據(jù)進行擬合，得出A和B的值；步驟5:定義激光器管芯質(zhì)量的指標(biāo)K0為B/A。實施例請再參閱圖1及圖2所示，本發(fā)明的一種GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管芯質(zhì)量的檢測方法1、采用本發(fā)明所述的測量方法(圖l)和圖2所示的裝置。其中鎢燈1、透鏡組2、邁克爾遜干涉儀3、數(shù)據(jù)釆集電路8是構(gòu)成傅立葉變換紅外光譜儀的主要元件，傅立葉變換紅外光譜儀是目前通用的一種儀現(xiàn)翁，市面上早就出現(xiàn)了高性能的成品，在此不再對其結(jié)構(gòu)和操作方法進行累敘。4為所要測量的激光器管心，5為電壓源(用于激光器管芯外加反偏和提供刖置放大器的電源)，6為前置放大器(用于小信號放大)，7為電壓表(用于管芯兩端的電壓監(jiān)控)，9為計算機(用于傅立葉紅外光譜儀的控制和數(shù)據(jù)處理)。2、本發(fā)明GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管心質(zhì)且里的檢測方法所述的光電流曲線的測量過程如下C)，從鎢燈1出射的光經(jīng)透鏡組2變成平行光，經(jīng)邁克爾遜干涉儀3調(diào)制后，被聚焦到管芯腔面(即光垂直管心腔面入射)，光被管芯的本征層吸收產(chǎn)生光電流，此光電流信號經(jīng)前置放大器6放大后，經(jīng)數(shù)據(jù)采集電路8釆集最后輸入到計算機9，經(jīng)專門的軟件對收集的.必一數(shù)據(jù)進行數(shù)學(xué)變換后即可轉(zhuǎn)化為光電流曲線；每個外加偏壓下的光電流曲線的測量都由計算機全程控制，但外加偏壓值的大小是按監(jiān)控電壓表的讀數(shù)人為調(diào)節(jié)的，便于整個測量的及時終止。3、采用本發(fā)明GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管芯質(zhì)量的檢測方法，從反偏oV開始，按步長1V，測量了1300nm發(fā)射波長的GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管芯L1、L2、L3禾卩L4的不同外加偏壓下的系列光電流曲線，入射光子能量介于0.5eV到1.6eV之間。表l列出了激光器管芯L1一L4的本征層厚度、條寬和腔長以及激射情況。表1列出了本發(fā)明GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管芯質(zhì)量的檢測方法在實施例中所測的激光器管芯L1、L2、L3禾卩L4的本征層厚度、條寬和腔長以及激射情況表1<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>4、本發(fā)明GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管芯質(zhì)量的檢測方法所述的反偏0V，是指用電壓表監(jiān)測激光器管芯兩極的電壓，其讀數(shù)為OV。5、本發(fā)明GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管芯質(zhì)量的檢測方法所述的信噪比是指所測信號和噪音的比值，實質(zhì)上反映的是管芯的光電流和暗電流的比值。6、本發(fā)明GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管芯質(zhì)里的檢測方法所述的信噪比明顯變差是指信號的結(jié)構(gòu)特征己基本湮沒在噪聲之中，此時管芯的暗電流即反向漏電流很大，管芯已處于反向擊穿的邊緣，應(yīng)該立刻停止里，避免損壞管芯。7、首先對測量的光電流曲線作示例分析。圖3是采用本發(fā)明GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管芯質(zhì)量的檢測方法所測到的激光器管芯Ll和L4的本征層受到電場為100KV/cm時的室溫光電流曲線，其中al為激光器管芯Ll中缺陷吸收所產(chǎn)生的光電流峰，a2和a3是跟量子點中的空穴態(tài)和電子態(tài)之間的光學(xué)躍遷相關(guān)的光電流峰，a4是跟量子阱中激子吸收相關(guān)的光電流峰，a5是跟GaAs的帶邊吸收相關(guān)的光電流峰。若激光器管芯的質(zhì)量好，缺陷少，類似于管芯L4的光電流譜那樣，其光電流譜中對應(yīng)量子點基態(tài)的光電流峰a2的低能端會比較陡直的下降為0;若激光器管芯的質(zhì)量不好，管芯中的缺陷較多，類似于管芯L1的光電流譜那樣，其光電流譜中對應(yīng)量子點基態(tài)的光電流峰a2的低能端會出現(xiàn)跟缺陷吸收有關(guān)的光電流峰a1經(jīng)對照分析，管芯L2和L3的光電流曲線中也存在光電流峰a1，證明管芯L2禾卩L3中也存在大里的缺陷8、按照本發(fā)明GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管心質(zhì)量的分析方法所述的步驟中的前三步操作對激光器管心1、L2、L3禾QL4不同外加偏壓下所測的系列曲線分別進行處理，得出了它們的I一F曲線，如圖4所示9、本發(fā)明GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管心質(zhì)量的分析方法所述的電場F的單位均采用KV/cmo10、本發(fā)明GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管心質(zhì)量的分析方法所述的I一F曲線規(guī)律中的每一段區(qū)域的員體界定，需要結(jié)合具體激光器的I一F曲線來分析對于管心L1一L4，第一段和第二段的界線對應(yīng)電場在25KV/cm左右，第二段和第三段的界線在50KV/cm左右。11、按照本發(fā)明GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管芯質(zhì)量的分析方法所述的步驟中的步驟4，對激光益/r々~HH菅心L1、L2、L3和L4的I—F曲線中的第二段數(shù)據(jù)進行線性擬合，分別得出了A禾口B的值，列在表2中。表2列出了本發(fā)明GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管芯質(zhì)量的分析方法在實施例中得出的激光器管芯Ll、L2、L3禾QL4的A、B和質(zhì)量指標(biāo)值KO的具體數(shù)值表2<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>12、圖4為本發(fā)明GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管芯質(zhì)量的分析方法所述的步驟5的示例圖，用直線y=3.84+0.0346x，對管芯Ll的I—F曲線中<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>2c14、對比表1和表2中所列的管芯L1、L2、L3和L4的激射情況和管芯質(zhì)量指標(biāo)K0的數(shù)值，可以看出，管芯的KO越大則激光器管芯就越不容易激射，說明K0可以真實地反映出管芯質(zhì)量的好壞。權(quán)利要求1.一種GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管芯質(zhì)量的檢測方法，其特征在于，包含以下步驟步驟1將激光器管芯的引線焊接在樣品架上；步驟2調(diào)整樣品架，使光垂直于激光器管芯腔面入射；步驟3將樣品架的引線接入光電流測量系統(tǒng)的電路，并確定激光器管芯處于反偏0V狀態(tài)；步驟4測量激光器管芯的光電流曲線；步驟5調(diào)節(jié)外接電源的輸出電壓，使激光器管芯的外接偏置電壓按步長L增加；步驟6檢測信噪比，若發(fā)現(xiàn)信噪比明顯變差，則停止測量，若沒有則重復(fù)步驟4，若是停止測量。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管芯質(zhì)量的檢測方法，其特征在于，其中激光器管芯是法布里-伯羅腔型GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器p-i-n異質(zhì)結(jié)管芯。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管芯質(zhì)量的檢測方法，其特征在于，其中激光器管芯腔面是指激光器管芯的法布里-伯羅腔的反射端面。4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管芯質(zhì)量的檢測方法，其特征在于，其中光垂直于激光器管芯腔面入射，是指激光器管芯的法布里-伯羅腔的反射端面即入射光的照射面，光垂直于此腔面入射5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管芯質(zhì)量的檢測方法，其特征在于，其中激光器管心處于反偏狀態(tài)是指p-i-n結(jié)的激光器管心的P面電極接外接電源的負(fù)極，n面電極接外接電源的正極，使-i一n結(jié)處于反向偏置狀態(tài)。6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaAs基半導(dǎo)體量子占"、\激光器管芯質(zhì)量的檢測方法，其特征在于，其中光電流曲線是指光電流隨入射光子能量變化的曲線，對于GaAs基半導(dǎo)體量子點材料，入射光子能量一般要包括GaAs帶邊能量室溫為1.423eV以下的所有有光電流信號的光子能量。7、根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管芯質(zhì)量的檢測方法，其特征在于，其中光電流曲線的測量均在室溫下進行。8、一種GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管芯質(zhì)量的分析方法，本方法是利用權(quán)利要求1所述的檢觀!l方法的檢測結(jié)果，其特征在于，包括步驟如下步驟1:將所測的每條光電流曲線中GaAs帶邊能量以下的光子能量對應(yīng)的光電流信號做積分，—條曲線對應(yīng)得出個總的積分強度I，并記下測量曲線時所加的偏置電壓值V;步驟2通過公式—『,計算出激光器管芯本征層所受的電場F，其中K,是指GaAs基p-i-n結(jié)的內(nèi)建勢，約1.5V，[是指激光器管芯本征層的厚度；步驟3:由上述步驟1和步驟2所得出的數(shù)據(jù)，繪出I一F曲線。I一F曲線有以下規(guī)律可分為三:段，第段，本征層所受的電場較小，隨著電場的增力口總積分強度I急劇增加，第三段，本征層所受的電場較大隨著電場的增加總積分強度I基本呈線性緩慢增加規(guī)律第二段，即中間一段，I處于急劇增加到緩慢增加過程中的過渡段；步驟4:用直線y=A+Bx對I一F曲線中第三段線性增加區(qū)域的數(shù)據(jù)進行擬合，得出A和B的值；步驟5:定義激光器管芯質(zhì)量的指標(biāo)KO為B/A。全文摘要一種GaAs基半導(dǎo)體量子點激光器管芯質(zhì)量的檢測方法，其特征在于，包含以下步驟步驟1將激光器管芯的引線焊接在樣品架上；步驟2調(diào)整樣品架，使光垂直于激光器管芯腔面入射；步驟3將樣品架的引線接入光電流測量系統(tǒng)的電路，并確定激光器管芯處于反偏0V狀態(tài)；步驟4測量激光器管芯的光電流曲線；步驟5調(diào)節(jié)外接電源的輸出電壓，使管芯的外接偏置電壓按步長L增加；步驟6檢測信噪比，若發(fā)現(xiàn)信噪比明顯變差，則停止測量，若沒有則重復(fù)步驟4。文檔編號H01S5/00GK101212125SQ200610169748公開日2008年7月2日申請日期2006年12月28日優(yōu)先權(quán)日2006年12月28日發(fā)明者葉小玲,波徐,梁凌燕,王占國,陳涌海申請人:中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所