專利名稱：電子互連及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及電子封裝的領(lǐng)域，更具體地涉及用于電子封裝的互連及其制造方法。
背景技術(shù)：
一般地，在電子封裝中，總線電鍍用于形成互連。應(yīng)該知道，在總線電鍍中，例如銅的導(dǎo)電金屬沉積在襯底或板上。隨后，將導(dǎo)電層圖案化以形成可以包括一系列跨越襯底表面的導(dǎo)電總線的一系列電跡線。這些總線經(jīng)由公共總線連接到電源并用于形成從電源到跡線的電連接。形成總線后，在跡線的特定部分上形成圖案化的掩模，同時保持其他部分暴露。然后，在電跡線暴露的部分上形成接觸墊。
應(yīng)該知道，在通過圖案化導(dǎo)電層形成跡線期間，導(dǎo)電層暴露于周圍的環(huán)境并且高度易被氧化，其通常影響了表面上接觸墊的粘附性。不利的是，導(dǎo)電層和接觸墊之間的弱粘附性可能以不期望的方式影響封裝的性能。例如，弱粘附性可以導(dǎo)致導(dǎo)電層和接觸墊之間的電阻增加，并從而可以導(dǎo)致電子封裝發(fā)熱。由于近來的趨勢是減小電子器件的尺寸同時增加每單位面積的密度，由此增加電子封裝上的互連密度，因此該問題被復(fù)雜化。結(jié)果，器件的性能愈加受互連技術(shù)和用于制造器件的芯片封裝的限制所影響。
因此，需要提供改進(jìn)的在電子封裝中使用的互連。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本技術(shù)的一個方面，提供制造互連的方法。該方法包括在襯底上沉積導(dǎo)電層，在導(dǎo)電層上沉積保護(hù)層，及圖案化保護(hù)層以形成至導(dǎo)電層的開口。該方法進(jìn)一步包括通過保護(hù)層中的開口在導(dǎo)電層上沉積接觸墊。接觸墊可以包括導(dǎo)電材料。該方法也包括圖案化導(dǎo)電層和保護(hù)層以在襯底上形成電跡線。
根據(jù)本技術(shù)的另一個方面，提供制造互連的方法。該方法包括提供具有第一表面和第二表面的襯底，在襯底的第一和第二表面的每個上沉積導(dǎo)電層，在每個導(dǎo)電層上沉積保護(hù)層，圖案化保護(hù)層以形成至導(dǎo)電層的開口，通過保護(hù)層中的開口在每個導(dǎo)電層上沉積接觸墊，及圖案化每個導(dǎo)電層以在襯底的第一和第二表面的每個上形成電跡線。
仍然根據(jù)本技術(shù)的另一個方面，提供互連。該互連包括被圖案化以形成設(shè)置在襯底上的多個電跡線的導(dǎo)電層，設(shè)置在導(dǎo)電層上的多個接觸墊，及設(shè)置在導(dǎo)電層上并被圖案化以僅覆蓋該多個電跡線的保護(hù)層。
根據(jù)本技術(shù)的另一個方面，提供結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)包括襯底，其中該襯底不包括通向公共總線的總線線路、被圖案化以在襯底上形成多個電跡線的導(dǎo)電層、設(shè)置在導(dǎo)電層上的多個接觸墊、和設(shè)置在導(dǎo)電層上并被圖案化以僅覆蓋該多個電跡線的保護(hù)層。
仍然根據(jù)本技術(shù)的另一個方面，提供電子封裝。該封裝包括具有本技術(shù)的互連的電路。


參照附圖閱讀下面詳細(xì)的描述可以更好地理解本發(fā)明的這些及其他特性、方面和優(yōu)勢，其中在整個圖中類似的標(biāo)記表示類似的部分，其中圖1-10是包括在根據(jù)本技術(shù)的特定實施例用于制造互連的示例性方法中的各步驟的示意圖；圖11是根據(jù)參照圖1-10描述的示例性方法制造的示例性互連的頂視圖；圖12-21是包括在根據(jù)本技術(shù)的特定實施例用于制造互連的另一個示例性方法中的各步驟的示意圖；以及圖22是根據(jù)參照圖12-21描述的示例性方法制造的示例性互連的頂視圖。
具體實施例方式
一般地，在電子封裝中使用的互連中，通過總線電鍍形成電跡線和接觸墊。在總線電鍍中，在襯底上形成金屬層。然后圖案化該金屬層以形成電跡線。跨越襯底的表面形成一系列導(dǎo)電總線線路以提供電連接到在沉積接觸墊的位置處的跡線。隨后，將所有的總線線路連接到電路外部的公共電總線。該公共電總線又連接到電源。
將電跡線連接到總線線路后，在一部分跡線上形成圖案化的掩模，同時保持暴露特定部分以形成接觸墊。隨后，在電跡線的暴露部分上電鍍導(dǎo)電層以形成接觸墊。
由于局部電流密度，使用總線電鍍電鍍接觸墊可以導(dǎo)致導(dǎo)電層的非均勻電鍍。應(yīng)該知道，接觸墊的電鍍率受連接到該墊的電跡線的長度和密度影響。例如，稀疏的電總線線路可以比相對更密集的總線線路組電鍍得快。因此，具有至總線線路的長、迂回連接的接觸墊可能具有阻力更大的路徑，因此電鍍相對慢。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，在電總線線路阻力方面的這個變化可能導(dǎo)致電鍍區(qū)域的不均勻性。而且以這種方式電鍍接觸墊也可能導(dǎo)致具有比預(yù)期更大尺寸的接觸墊。
隨后，在電鍍接觸墊后，接著通過將它與其他電總線線路物理地分離來去除公共電總線。然而以這種方式分離公共電總線在襯底上留下電總線線路的殘留部分，其仍然電連接到電鍍的接觸墊，并且延伸到其與公共電總線物理上分離的電路外圍。這些殘留部分的存在要求電路的剩余部分應(yīng)該適應(yīng)在這些通道周圍的布線，其可能進(jìn)一步復(fù)雜化電路設(shè)計。而且，這些總線的殘留部分可能不利地產(chǎn)生信號反射，并且還可能進(jìn)一步使電路的噪聲性能退化，尤其是對于高速跡線，其可能損害高頻電性能。
此外，一般用于形成此類跡線和墊的金屬例如銅可以被氧化，從而導(dǎo)致接觸墊和下面的電跡線之間的弱粘附性。而且，弱線接合能力減慢電鍍過程，難于得到厚電鍍，并且高成本使得這個過程難于使用并且通常是不希望有的。
參照圖1，襯底10包括表面14上的導(dǎo)電層12。在特定實施例中，襯底10可以包括柔性材料，印刷線路板，半導(dǎo)體晶片，玻璃襯底，耐熱玻璃(pyrex)襯底，或金屬襯底。如這里所使用的，術(shù)語“柔性”一般意味著能彎曲成具有小于大約100cm的曲率半徑的形狀。
在特定實施例中，可以通過使用任何合適的沉積技術(shù)，例如物理汽相沉積、等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(PECVD)、射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(RFPECVD)、膨脹熱等離子體化學(xué)汽相沉積(expanding thermal-plasmachemical-vapor deposition)(ETPCVD)、反應(yīng)濺射、電子循環(huán)拉伸駐留等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(electron-cyclodrawn-residence plasma-enhancedchemical-vapor deposition)(ECRPECVD)、感應(yīng)耦合等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(ICPECVD)、濺射沉積、蒸發(fā)、原子層沉積(ALD)，或其結(jié)合，將導(dǎo)電層12沉積在襯底10上。
在某一實施例中，導(dǎo)電層12可以包括諸如銅，或鎳，或兩者皆有的導(dǎo)電材料。在特定實施例中，導(dǎo)電層12的厚度可以在從大約5微米到大約20微米的范圍內(nèi)，優(yōu)選地從大約10微米到大約15微米。在一個實施例中，導(dǎo)電層的厚度是大約10微米。
此外，在一些實施例中，可以在沉積導(dǎo)電層12之前在襯底10的表面14上沉積粘合活性涂層(未示出)。在示例性實施例中，該粘合活性涂層可以包括鉻、鈦、鎳、蒙乃爾合金(monel)、鎢、鉬，或者其結(jié)合。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，蒙乃爾合金是一種鎳合金，其具有大約65重量百分比到大約70重量百分比的鎳，大約20重量百分比到大約29重量百分比的銅，和少量的鐵、錳、硅和碳。在一個實施例中，該粘合活性涂層可包括鈦。此外，可以對接收導(dǎo)電層12的襯底10的表面14進(jìn)行表面處理以通過增加襯底10的表面14的表面面積來增強(qiáng)襯底10和導(dǎo)電層12之間的粘合性。在一些實施例中，表面處理可以包括金屬濺射、蝕刻、等離子體蝕刻、脫水烘焙、機(jī)械粗加工、研磨，或它們的結(jié)合。
接下來，如圖2所示，保護(hù)層16沉積在導(dǎo)電層12上。在特定實施例中，在襯底10上形成電跡線和接觸墊時，可以使用保護(hù)層16來防止導(dǎo)電層12被氧化。在特定實施例中，保護(hù)層16可以包括導(dǎo)電的材料。在這些實施例中，保護(hù)層16的材料與導(dǎo)電層12中使用的材料相比可以具有相對更高的氧化可能性。例如，保護(hù)層16可以使用鈦、鎢、鎳、蒙乃爾合金、鉬、鉻，或者它們的結(jié)合。在這些實施例中，保護(hù)層的厚度可以在從大約0.05微米到大約0.5微米的范圍內(nèi)變化，優(yōu)選在從大約0.1微米到大約0.4微米的范圍內(nèi)變化。
此外，在一些實施例中，保護(hù)層16可以包括多層。在這些實施例中，可以將保護(hù)層16的各個層依次沉積在導(dǎo)電層12上。例如，通過在導(dǎo)電層12上形成鈦層，隨后在先前沉積的鈦層上沉積鉬層，可以沉積保護(hù)層16。在特定實施例中，可以通過使用類似于用于沉積導(dǎo)電層12的那些技術(shù)將保護(hù)層16沉積在導(dǎo)電層12上。
隨后，圖案化保護(hù)層16以形成至導(dǎo)電層12的開口。在特定實施例中，可以通過使用例如光刻或直接寫的工藝圖案化保護(hù)層16。在使用光刻形成保護(hù)層16上的圖案的實施例中，如圖3所示，將圖案轉(zhuǎn)印掩模18設(shè)置在保護(hù)層16上。在特定實施例中，可以將圖案轉(zhuǎn)印掩模18配置為通過使用工藝?yán)绻饪绦纬蓤D案。在這些實施例中，光刻可以用于形成圖案轉(zhuǎn)印掩模中的圖案并隨后將這些圖案轉(zhuǎn)印到下面的層例如保護(hù)層16上。
在特定實施例中，圖案轉(zhuǎn)印掩模18可以包括光致抗蝕劑，例如干膜光致抗蝕劑、液體光致抗蝕劑、或電泳光致抗蝕劑。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，光致抗蝕劑是可以施加到待圖案化的表面的光敏感涂層?？梢詫⒐庵驴刮g劑沉積在下面的層上以抵抗蝕刻劑或者蝕刻溶液的作用來在該層中產(chǎn)生預(yù)期圖案。在一些實施例中，光致抗蝕劑可以是干膜的形式，例如有機(jī)涂層，或者可以是液體的形式，其可以旋涂到待圖案化的層上。
應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，光掩模可以用來限定可暴露于光的光致抗蝕劑的區(qū)域。在正光致抗蝕劑的情況下，可以通過介質(zhì)例如溶劑依次去除這些暴露區(qū)域，從而在金屬層的表面上留下預(yù)期圖案。可替換地，在負(fù)光致抗蝕劑的情況下，可以通過溶劑去除未暴露部分，從而以圖案的形式在金屬層的表面上留下暴露部分。
可替換地，可以在圖案轉(zhuǎn)印掩模18中使用電泳抗蝕劑。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，電泳抗蝕劑可以包括可通過使用電鍍工藝沉積在待圖案化的金屬層上的有機(jī)化學(xué)制品。有利地，電泳抗蝕劑在蝕刻時提供物理強(qiáng)度和精確圖案。如同其他光致抗蝕劑，在掩模和蝕刻后，可以隨后在溶劑中溶解電泳抗蝕劑以產(chǎn)生預(yù)期圖案。
隨后，如圖4所示，在圖案轉(zhuǎn)印掩模18中通過上述工藝之一形成開口20，并且可以蝕刻下面的保護(hù)層16以形成至導(dǎo)電層12的開口22，如所示。在將接觸墊沉積到導(dǎo)電層12上的位置處形成開口20。
盡管沒有示出，在替換實施例中，直接寫工藝可與抗蝕劑一起使用來在保護(hù)層16中形成圖案或開口，例如開口22。在示例性實施例中，反轉(zhuǎn)直接寫工藝可以與負(fù)抗蝕劑一起使用。在該實施例中，可以使用反轉(zhuǎn)直接寫工藝來將負(fù)抗蝕劑以將形成在保護(hù)層16上的預(yù)期圖案的鏡像或反轉(zhuǎn)圖像的圖案沉積于保護(hù)層16上。也就是，通過使用反轉(zhuǎn)直接寫工藝，可以將負(fù)抗蝕劑沉積到部分保護(hù)層16上，其隨后將具有至導(dǎo)電層12的開口。例如，可以將負(fù)抗蝕劑沉積到相應(yīng)于隨后形成開口22的部分的所述部分保護(hù)層16上。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，在直接寫工藝中，分配工具的動作直接限定所得到的圖案。一般地，維持在此工藝中使用的抗蝕劑的厚度超過目標(biāo)電鍍厚度。這是保持圖案形狀和完整性所需的。例如，可以使用具有大約16微米的厚度的負(fù)抗蝕劑來電鍍具有在大約8微米到大約12微米的范圍內(nèi)的厚度的接觸墊。
參照圖5，在保護(hù)層16中形成開口22后，通過使用例如電解電鍍的附加電鍍工藝在開口22中形成接觸墊26。在圖示的實施例中，接觸墊26可以包括兩層或更多層。在圖示的實施例中，接觸墊26可包括具有第一材料的第一層28，和具有第二材料的第二層30。在特定實施例中，通過電解電鍍可以將第一層28沉積到導(dǎo)電層12上。隨后，通過使用電解電鍍將第二層30沉積到第一層28上。
在特定實施例中，第一層28可以具有可被配置用在焊料應(yīng)用中的阻擋金屬。例如，第一層28可以包括鎳，以及第二層30可以包括金。下面進(jìn)一步描述圖5中所示的結(jié)構(gòu)的形成。在一些實施例中，第一材料28可以包括任何適合的導(dǎo)電材料，例如鎳。在一些實施例中，第二層30可以包括貴金屬，例如金、或鈀，或兩者。在示例性實施例中，金屬層可以包括具有設(shè)置在其上的金層的鎳層。
盡管未示出，在替換實施例中，通過使用光刻技術(shù)可以將接觸墊26沉積到保護(hù)層16的開口22中。在這些實施例中，可以在導(dǎo)電層12的整個表面上形成接觸墊26的金屬層，例如金屬層28和30，也就是，可以在保護(hù)層16的表面上方和保護(hù)層16中的開口22中形成金屬層28和30。隨后，將圖案轉(zhuǎn)印掩模施加到這些金屬層28和30上，使得圖案轉(zhuǎn)印掩模覆蓋在需要接觸墊26的位置處的金屬層28和30，并且圖案轉(zhuǎn)印掩模在不需要接觸墊26的位置處具有開口。換句話說，用于接觸墊26的圖案轉(zhuǎn)印掩模是用于圖案化保護(hù)層16的圖案轉(zhuǎn)印掩模18的反轉(zhuǎn)。隨后，從與開口22一致的區(qū)域之外的區(qū)域蝕刻金屬層28和30以在導(dǎo)電層12上形成接觸墊26。
接下來，在圖6中，將圖案轉(zhuǎn)印掩模例如掩模18去除以在導(dǎo)電層12上提供接觸墊26。此外，如同襯底10，可以從接觸墊26和保護(hù)層16的表面去除任何不希望有的物質(zhì)，例如有機(jī)材料。在示例性實施例中，可以通過使用例如等離子體蝕刻或濺射的工藝清洗保護(hù)層16和接觸墊26的表面。
在通過保護(hù)層16中的開口22在導(dǎo)電層12上形成接觸墊26后，可通過使用一個或多個圖案轉(zhuǎn)印掩模層和使用上述光刻技術(shù)形成電跡線(未示出)。
參照圖7，示出了使用圖案轉(zhuǎn)印掩模32的襯底10的截面圖。如同圖3-5的圖案轉(zhuǎn)印掩模18，在示例性實施例中，圖案轉(zhuǎn)印掩模32可以包括光致抗蝕劑，例如干光致抗蝕劑、液體光致抗蝕劑、或者電泳光致抗蝕劑。此外，在圖8中，將掩模32圖案化以在導(dǎo)電層12和保護(hù)層16待蝕刻以形成預(yù)期圖案的地方產(chǎn)生開口34。
隨后，如圖9所示，從這些開口34去除部分保護(hù)層16和導(dǎo)電層12。在示例性實施例中，通過蝕刻掉金屬從開口34去除導(dǎo)電層12。在一些實施例中，蝕刻劑可以包括緩沖氫氟酸，例如TFT，或氯化鐵，或兩者。在示例性實施例中，可以使用蝕刻順序來蝕刻導(dǎo)電層12和保護(hù)層16。例如，可以首先利用TFT，其后用氯化鐵，再次用TFT，來蝕刻開口34中的區(qū)域，以去除兩個層12和16。在導(dǎo)電層12中使用銅的一個實施例中，使用氯化鐵作為蝕刻劑促進(jìn)了導(dǎo)電層的蝕刻。在使用鈦作為襯底10和導(dǎo)電層12之間的保護(hù)層和/或粘合活性層的一個實施例中，可以使用TFT蝕刻一個或兩個鈦層。在替換實施例中，可以使用反應(yīng)離子蝕刻(RIE)來從開口34蝕刻導(dǎo)電層12。在這些實施例中，使用四氟化碳(tetrafluoromethane)和氬的氣體混合物的蝕刻化學(xué)可用于RIE工藝中。
隨后，如圖10所示，去除圖案轉(zhuǎn)印掩模32(未示出)以提供具有具有設(shè)置在其上的保護(hù)層16的多個電跡線36和設(shè)置在導(dǎo)電層12上的多個接觸墊26的襯底10。
圖11是使用多個電跡線36和接觸墊26的圖10的電子封裝的頂視圖。如所示，襯底10包括通過電跡線36電連接到球柵陣列(BGA)墊40的接觸墊26。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，BGA封裝包括可以耦接到BGA墊如墊40的焊料球的柵格，并用作芯片和電子器件之間的電連接器。有利地，BGA接觸導(dǎo)致緊湊的尺寸，高電流載送能力，同時保持低電感，從而導(dǎo)致低電阻。而且，BGA也相對更容易與印刷電路板對準(zhǔn)，因為稱為“焊料球”或者“焊料塊”的引線比線接合的引線封裝更遠(yuǎn)。此外，襯底10可以包括焊接墊42以接收襯底10上的電子器件。
在特定實施例中，襯底10可以不包括總線線路。此外，襯底10可以不包括通向公共總線的總線線路。換句話說，在所示出的實施例中，電跡線36可以不延伸以如同現(xiàn)有技術(shù)中那樣形成電總線。因此，如圖10所示，在襯底上可以沒有總線線路的任何剩余部分，其可以設(shè)置在該多個電跡線36之間。
在特定實施例中，具有由通過使用以上參照圖1到10描述的方法制造的互連的電子封裝可以用在超聲探測器，或者計算機(jī)X線斷層攝影術(shù)探測器中。有利地，就噪聲率信號和所得到的圖象質(zhì)量而言，不存在總線線路或總線線路剩余可以導(dǎo)致探測器的性能增強(qiáng)。
在特定實施例中，電子封裝可以包括倒裝芯片結(jié)構(gòu)，或板上芯片結(jié)構(gòu)，或兩者。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，倒裝芯片是一種芯片封裝方法，其中芯片的有源側(cè)，即具有電路元件的側(cè)，被翻轉(zhuǎn)面向電子器件或管芯。因此，代替從芯片的外邊緣利用線面朝上并接合到封裝引線，倒裝芯片的表面區(qū)域的任何部分可以用于互連。該互連可通過焊料、銅、鎳或金的金屬塊來提供。
應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，板上芯片結(jié)構(gòu)可以包括安裝在印刷電路板上的芯片。此外，可以將芯片粘結(jié)并線接合、或帶自動接合(TAB)、或倒裝芯片接合到板上。
根據(jù)本技術(shù)的替換實施例，圖12-22示出了包括在制造用于電子封裝的互連的示例性方法中的各個步驟。
參照圖12，示出了具有第一表面46和第二表面48的襯底44。在所示的實施例中，襯底44分別在第一表面46和第二表面48上使用導(dǎo)電層50和52。可以通過采用以上關(guān)于圖1的導(dǎo)電層12描述的技術(shù)將導(dǎo)電層50和52沉積在襯底44上。在特定實施例中，導(dǎo)電層50和52的厚度可以在從大約5微米到大約20微米的范圍內(nèi)，優(yōu)選在從大約10微米到大約15微米的范圍內(nèi)。此外，如同導(dǎo)電層12(見圖1)，導(dǎo)電層50和52可以使用銅，或鎳，或兩者。盡管沒有示出，但是貫穿厚度的開口可以形成在襯底44以及導(dǎo)電層50和52中。這些貫穿厚度的開口可以通過鉆孔形成，并可用于形成通孔。
此外，在導(dǎo)電層50和52上設(shè)置保護(hù)層54和56。保護(hù)層54和56可以與先前關(guān)于圖2所描述的保護(hù)層16類似。在一些實施例中，通過使用與用于沉積導(dǎo)電層50和52的那些類似的沉積技術(shù)可以沉積保護(hù)層。此外，保護(hù)層54和56的厚度可以在從大約0.05微米到大約0.5微米的范圍內(nèi)，優(yōu)選地在從大約0.1微米到大約0.4微米的范圍內(nèi)。
接下來，如圖14所示，與掩模18(見圖3)類似，圖案轉(zhuǎn)印掩模58和60可以用在保護(hù)層54和56上以圖案化保護(hù)層。然后可以將圖案轉(zhuǎn)印掩模58和60圖案化以形成如圖15中所示的開口62和64。隨后，可以蝕刻下面的保護(hù)層54和56以分別在保護(hù)層54和56中形成開口78和80。接下來，可以在開口78和80中設(shè)置接觸墊66和68。如上面關(guān)于圖5所描述的，可以通過使用例如光刻或電解電鍍的技術(shù)在開口78和80中形成接觸墊66和68。如所示，接觸墊66和68可以包括兩層或更多層。例如，形成在導(dǎo)電層50上的接觸墊66可以包括第一層70和第二層72。在示例性實施例中，第一層70可以包括鎳，第二層72可以包括金。類似地，對于在導(dǎo)電層52上形成的接觸墊68，第一層74可以包括鎳以及第二層76可以包括金。
如同圖6，在圖17中，去除圖案轉(zhuǎn)印掩模58和60以在導(dǎo)電層50和52上分別提供接觸墊66和68。隨后，可以清洗接觸墊66和68及保護(hù)層54和56的表面以去除任何不希望有的物質(zhì)，例如有機(jī)材料。
在接觸墊66和68沉積在導(dǎo)電層50和52上后，將掩模78去除并且如圖18所示使用圖案轉(zhuǎn)印掩模82和84。圖案轉(zhuǎn)印掩模82和84可以與圖7的圖案轉(zhuǎn)印掩模32類似。如同圖8中所示的實施例，在圖19中，圖案化圖案轉(zhuǎn)印掩模82和84以通過開口86和88暴露部分保護(hù)層54和56。
隨后，如圖20所示，可以蝕刻開口86和88中的導(dǎo)電層50和52以分別暴露部分襯底表面46和48。如以上關(guān)于圖8所描述的，可以通過使用例如TFT，或氯化鐵，或兩者的蝕刻劑蝕刻金屬層50和52，如以上關(guān)于圖9所描述的。
接下來，去除掩模82和84以提供具有多個電跡線90和92的襯底44，和設(shè)置在其上的接觸墊66和68，如圖21所示。
圖22示出了從表面46的一側(cè)觀察的圖21中所示的實施例的頂視圖。如同圖10和11所示的實施例，襯底44可以不包括通向公共總線的總線線路。此外，如圖22所示，襯底44可以包括BGA墊94和焊接墊96。
盡管這里僅示出并描述了本發(fā)明的特定特性，但是對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說可以進(jìn)行許多修改和變化。因此，應(yīng)該理解的是，所附權(quán)利要求意在覆蓋落入本發(fā)明的真實精神內(nèi)的所有此類修改和變化。
元件列表10 襯底12 導(dǎo)電層14 導(dǎo)電層的表面16 保護(hù)層18 光致抗蝕劑掩模20 掩模中的開口22 保護(hù)層中的開口26 接觸墊28 接觸墊的第一層30 接觸墊的第二層
32 圖案掩模34 開口36 電跡線40 焊料42 BGA44 襯底46 襯底的第一表面48 襯底的第二表面50 襯底的第一表面上的導(dǎo)電層52 襯底的第二表面上的導(dǎo)電層54 保護(hù)層56 保護(hù)層58 圖案掩模60 圖案掩模62 圖案掩模58中的開口64 圖案掩模60中的開口66 導(dǎo)電墊68 導(dǎo)電墊70 導(dǎo)電墊66的第一層72 導(dǎo)電墊66的第二層74 導(dǎo)電墊68的第一層76 導(dǎo)電墊68的第二層78 保護(hù)層中的開口80 保護(hù)層中的開口82 圖案掩模84 圖案掩模86 開口88 開口90 電跡線92 電跡線
94 焊料96 BGA
權(quán)利要求
1.一種制造互連的方法，包括在襯底(10)上沉積導(dǎo)電層(12)；在導(dǎo)電層(12)上沉積保護(hù)層(16)；圖案化保護(hù)層(16)以形成至導(dǎo)電層(12)的開口(22)；通過保護(hù)層(16)中的開口(22)在導(dǎo)電層(12)上沉積接觸墊(26)，所述接觸墊(26)包括導(dǎo)電材料；以及圖案化導(dǎo)電層(12)和保護(hù)層(16)以在襯底(10)上形成電跡線(36)。
2.如權(quán)利要求1的方法，其中保護(hù)層(16)包括鈦、鎢、鎳、鉬、鉻、蒙乃爾合金中的一種，或其組合。
3.如權(quán)利要求1的方法，其中保護(hù)層(16)包括多個層。
4.如權(quán)利要求1的方法，其中沉積接觸墊(26)的步驟不使用總線電鍍。
5.如權(quán)利要求1的方法，其中沉積接觸墊(26)的步驟包括在導(dǎo)電層(12)上設(shè)置掩模(18)以暴露導(dǎo)電層(12)的接觸墊位置；從接觸墊位置蝕刻保護(hù)層(16)以沉積接觸墊(26)；以及在接觸墊位置上沉積導(dǎo)電材料以形成接觸墊(26)。
6.一種制造互連的方法，包括提供具有第一表面(46)和第二表面(48)的襯底(44)；在襯底(44)的第一和第二表面(46，48)的每一個上沉積導(dǎo)電層(50，52)；在每個導(dǎo)電層(50，52)上沉積保護(hù)層(54，56)；圖案化保護(hù)層(54，56)以形成至導(dǎo)電層(50，52)的開口；通過保護(hù)層(54，56)中的開口(78，80)在每個導(dǎo)電層(50，52)上沉積接觸墊(66，68)，所述接觸墊(66，68)包括導(dǎo)電材料；以及圖案化每個導(dǎo)電層(50，52)以在襯底的第一和第二表面(46，48)的每一個上形成電跡線。
7.一種互連，包括導(dǎo)電層(12)，其被圖案化以形成設(shè)置在襯底(10)上的多個電跡線(36)；設(shè)置在導(dǎo)電層(12)上的多個接觸墊(26)；和設(shè)置在導(dǎo)電層(12)上并被圖案化以僅覆蓋該多個電跡線(36)的保護(hù)層(16)。
8.如權(quán)利要求7的互連，其中保護(hù)層(16)的厚度在從大約0.05微米到大約0.5微米的范圍內(nèi)。
9.如權(quán)利要求7的互連，其中該多個電跡線(36)不延伸形成電總線。
10.一種結(jié)構(gòu)，包括襯底(10)，其中該襯底(10)不包括通向公共總線的總線線路；被圖案化以在襯底(10)上形成多個電跡線(36)的導(dǎo)電層(12)；設(shè)置在導(dǎo)電層(12)上的多個接觸墊(26)；以及設(shè)置在導(dǎo)電層(12)上并被圖案化以僅覆蓋該多個電跡線(36)的保護(hù)層(16)。
全文摘要
提供一種制造互連的方法。該方法包括在襯底(10)上沉積導(dǎo)電層(12)，在導(dǎo)電層(12)上沉積保護(hù)層(16)，圖案化保護(hù)層(16)以形成至導(dǎo)電層(12)的開口(22)，通過保護(hù)層(16)中的開口(22)在導(dǎo)電層(12)上沉積接觸墊(26)，所述接觸墊(26)包括導(dǎo)電材料，以及圖案化導(dǎo)電層(12)和保護(hù)層(16)以在襯底(10)上形成電跡線(36)。
文檔編號H01L23/522GK1953157SQ200610163910
公開日2007年4月25日 申請日期2006年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月21日
發(fā)明者K·M·杜羅徹爾, J·W·羅斯 申請人:通用電氣公司