專利名稱：芯片慢熔型保險絲結(jié)構(gòu)與制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種芯片慢熔型保險絲結(jié)構(gòu)與制造方法，特別涉及一種基板為陶 瓷材料，可直接印刷金屬薄膜的保險絲結(jié)構(gòu)與制作方法。
背景技術(shù)：
一般電子產(chǎn)品，當(dāng)電路板(PCB)承載電流量超過額定最大使用電流時，常 會使昂貴設(shè)備受損或燒毀，而保險絲最主要的功用就是防止超量的電流流過所述 的電子電路，造成危險，當(dāng)超額的電流流過保險絲時將使它產(chǎn)生高溫而導(dǎo)致熔斷 電路，以保護(hù)電子電路免受傷害與危險，故當(dāng)保險絲的基板使用塑料材料時，不 耐高溫?zé)票Ｗo(hù)不完全，而且僅可使用電鍍制造方式的金屬薄膜，制造困難成本 高，產(chǎn)品穩(wěn)定度不佳，且使用電鍍的金屬薄膜，浪費(fèi)材料而且生產(chǎn)不合格率高。
再者，目前隨著電器設(shè)備越來越復(fù)雜，需要的零件越來越多，電路板上的線 路與電子組件也越來越密集，于是電路基板的線路趨向微細(xì)化，電子組件芯片放
置在已沾有錫膏的電路板上，然后再利用加熱技術(shù)使組件固定在電路板的表面， 已是慣常使用的方法，其可使電路板的零件較為密集，使更多功能安置在同樣面 積的印刷電路板上，或者能夠以面積更小的電路板維持同樣的功能，然而， 一般 保險絲是將零件安置在電路板的一面，憑借保險絲座裝設(shè)，并將保險絲座接腳焊 在另一面上，此種零件會需要占用大量空間，而且接腳的焊點(diǎn)也比較大，遇超額 的電流流過保險絲，無法隔絕高溫，容易將電路板燒灼，且占用大量空間，不能 滿足市場上的需求，有鑒于此，本案發(fā)明人基于多年從事相關(guān)產(chǎn)品設(shè)計的經(jīng)驗， 有感上述現(xiàn)有品的不便，經(jīng)潛心研究，試作改良，終使本發(fā)明得以誕生，以符合 使用者喜好、使用方便。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種芯片慢熔型保險絲結(jié)構(gòu)與制造方法，特別是指一種 基板為陶瓷材料，可直接印刷金屬薄膜的慢熔型保險絲結(jié)構(gòu)與制造方法。
本發(fā)明的結(jié)構(gòu)技術(shù)方案是 一種芯片慢熔型保險絲結(jié)構(gòu)，包括 一基板，為 陶瓷材料制成，用以直接印刷形成金屬薄膜；至少一熔煉部，由第一金屬薄膜上 迭印一層面積小于第一金屬薄膜的第二金屬薄膜而形成于所述基板正面上；所述 的第二金屬薄膜熔點(diǎn)低于第一金屬薄膜；二電極端部，分別設(shè)于所述的基板兩側(cè) 面端部，并延伸至所述的基板正面、反面端部，且與所述的熔煉部的第一金屬薄 膜電連接； 一包覆體，完全覆蓋所述的熔煉部上，起保護(hù)作用。
本發(fā)明的另一結(jié)構(gòu)技術(shù)方案是 一種芯片慢熔型保險絲結(jié)構(gòu)，包括 一基板， 為陶瓷材料制成，用以直接印刷形成金屬薄膜；至少一熔煉部，是由第一金屬薄 膜上迭印一層面積小于第一金屬薄膜的第二金屬薄膜而形成設(shè)置于所述基板正面 與反面上；所述的第二金屬薄膜熔點(diǎn)低于第一金屬薄膜；二電極端部，分別設(shè)在 所述的基板兩側(cè)面端部，并延伸至所述的基板正面、反面端部，且與所述的熔煉 部的第一金屬薄膜電連接； 一包覆體，完全覆蓋所述的熔煉部上，起保護(hù)作用。
本發(fā)明的制造方法技術(shù)方案是 一種芯片慢熔型保險絲制造方法，其包括以 下步驟(A)提供一基板，在所述的基板正面兩端部，分別印刷金屬薄膜，使 形成二電極端部；(B)將所述的基板反面兩端部，分別印刷金屬薄膜，使形成 二電極端部；(C)在所述的基板正面二電極端部之間，印刷設(shè)置熔煉部的第一 金屬薄膜，且所述的第一金屬薄膜與電極端部形成電連接；(D)將所述的基板 正面第一金屬薄膜上，迭印一層面積小于第一金屬薄膜的第二金屬薄膜形成熔煉 部，其中所述的第二金屬薄膜熔點(diǎn)低于第一金屬薄膜；(E)將所述的基板二側(cè) 面端部，分別印刷金屬薄膜，形成所述的基板正面、反面兩端部的二電極端部電 連接；(F)形成一包覆體，完全覆蓋所述的熔煉部上，達(dá)到保護(hù)所述熔煉部的作 用；(G)將所述的包覆體上，印刷設(shè)置規(guī)格標(biāo)示。
本發(fā)明的另一制造方法技術(shù)方案是 一種芯片慢熔型保險絲制造方法，其包 括以下步驟(A)提供一基板，在所述的基板正面兩端部，分別印刷金屬薄膜， 使形成二電極端部；(B)將所述的基板反面兩端部，分別印刷金屬薄膜，使形 成二電極端部；(C)在所述的基板正面二電極端部之間，印刷設(shè)置熔煉部的第 -一金屬薄膜，且所述的第一金屬薄膜與電極端部形成電連接；(C-l)在所述的基 板反面二電極端部之間，印刷設(shè)置熔煉部的第一金屬薄膜，且所述的第一金屬薄 膜與電極端部形成電連接；(D)將所述的基板正面第一金屬薄膜上，迭印一層 面積小于第一金屬薄膜的第二金屬薄膜形成熔煉部，其中所述的第二金屬薄膜熔 點(diǎn)低于第-"金屬薄膜；(D-l)將所述的基板反面第一金屬薄膜上，迭印一層面積 小于第一金屬薄膜的第二金屬薄膜形成熔煉部，其中所述的第二金屬薄膜熔點(diǎn)是 低于第一金屬薄膜；(E)將所述的基板二側(cè)面端部，分別印刷金屬薄膜，形成 所述的基板正面、反面兩端部的二電極端部電連接；(F)形成一包覆體，完全覆 蓋所述的熔煉部上，達(dá)到保護(hù)所述熔煉部的作用；(G)將所述的包覆體上，印 刷設(shè)置規(guī)格標(biāo)示。
與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明具有的有益效果是利用上述制造方法，提供一 種可直接印刷金屬薄膜，縮小體積、形成熔煉部可以在額定負(fù)載電壓與額定兩倍 負(fù)載電流下，經(jīng)過l秒后才熔化阻斷電流，完成芯片慢熔型保險絲結(jié)構(gòu)的慢熔功 效，提高產(chǎn)品的優(yōu)良率與穩(wěn)定度。
為使本發(fā)明更加顯現(xiàn)出進(jìn)步與實(shí)用性，特再與現(xiàn)有物品作一比較分析如下
現(xiàn)有缺點(diǎn)
1. 現(xiàn)有的基板使用塑料材料，不耐高溫?zé)票Ｗo(hù)不完全。
2. 現(xiàn)有的基板使用塑料材料，使用電鍍的金屬薄膜制造困難成本高，產(chǎn)品穩(wěn) 定度不佳。
3. 現(xiàn)有使用電鍍的金屬薄膜，浪費(fèi)材料與生產(chǎn)不良率高。
4. 現(xiàn)有保險絲將接腳焊在電路板上，接腳的焊點(diǎn)比較大，遇超額的電流流過 保險絲，無法隔絕高溫，容易將電路板燒灼，且又占用大量空間。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)
1. 本發(fā)明的基板使用陶瓷材料，可耐高溫?zé)凭弑Ｗo(hù)作用。
2. 本發(fā)明的基板使用陶瓷材料可直接印刷金屬薄膜，制作簡便成本低，提高 產(chǎn)品穩(wěn)定度。
3. 本發(fā)明直接印刷金屬薄膜，節(jié)省材料與生產(chǎn)良率性。
4. 本發(fā)明直接印刷金屬薄膜、電極端部，且在第一金屬薄膜上迭印第二金屬 薄膜，可負(fù)載額定電壓與額定兩倍負(fù)載電流下，經(jīng)過l秒后才熔化阻斷負(fù)載電流， 可達(dá)慢速熔斷的效果，保障用電安全。


圖1是本發(fā)明芯片慢熔型保險絲制造方法實(shí)施例流程圖； 圖2是本實(shí)施例中在基板表面印刷金屬薄膜的正面視圖3是本實(shí)施例中在基板表面印刷金屬薄膜的反面視圖4是本實(shí)施例中在基板表面印刷金屬薄膜的剖視圖5是本發(fā)明芯片慢熔型保險絲制造方法另一實(shí)施例流程圖6是另一實(shí)施例中在基板表面印刷金屬薄膜的正面視圖7是另一實(shí)施例中在基板表面印刷金屬薄膜的反面視圖8是另一實(shí)施例中在基板表面印刷金屬薄膜的剖視圖。
附圖標(biāo)號說明l基板；ll熔煉部；lll電極端部；112第一金屬薄膜；113 第二金屬薄膜；114側(cè)面端部；13正面；12反面；2包覆體；21規(guī)格標(biāo)示；3(單
面)芯片慢熔型保險絲；4 (雙面)芯片慢熔型保險絲。
具體實(shí)施例方式
首先請參閱圖l，本發(fā)明芯片慢熔型保險絲制造方法實(shí)施例流程圖，其結(jié)合
附圖與實(shí)施例作進(jìn)一步描述如下
一種芯片慢熔型保險絲制造方法，其包括以下步驟(A)提供一基板l，在 所述的基板1反面12兩端部，分別印刷金屬薄膜，使形成二電極端部lll; (B) 將所述的基板1正面13兩端部，分別印刷金屬薄膜，使形成二電極端部111; (C)
在所述的基板1正面13 二電極端部111之間，印刷設(shè)置熔煉部11的第一金屬薄 膜112，且所述的第一金屬薄膜112與電極端部111是形成電連接；(D)將所述 的基板1正面13第一金屬薄膜112上，迭印一面積較小于第一金屬薄膜112的第 二金屬薄膜113形成熔煉部11，其中所述的第二金屬薄膜113熔點(diǎn)是低于第一金 屬薄膜112; (E)將所述的基板1 二側(cè)面端部114，分別印刷金屬薄膜，所述的 基板1反面12、正面13同一端部的二電極端部111均形成電連接；(F)形成一 包覆體2，完全覆蓋在所述的熔煉部11上，達(dá)成保護(hù)所述的熔煉部11作用；(G) 將所述的包覆體2上，印刷設(shè)置一規(guī)格標(biāo)示21，達(dá)成本發(fā)明一種(單面)芯片慢 熔型保險絲3。
再請參閱圖2、圖3和圖4，是本實(shí)施例中在基板表面印刷金屬薄膜的正視圖、 后視圖與剖視圖；本發(fā)明一種芯片慢熔型保險絲結(jié)構(gòu)，包括 一基板l，為陶瓷 材料制成，用以直接印刷形成金屬薄膜；至少一熔煉部11，是由第一金屬薄膜112 上迭印一面積較小于第一金屬薄膜112的第二金屬薄膜113，形成設(shè)置所述的基 板1反面12上；至少二電極端部lll，是分別設(shè)在所述的基板1的兩側(cè)面端部114，并延伸至所述的基板反面12、正面13端部，且與所述的熔煉部11的第 -金屬薄 膜112電連接；--包覆體2，是設(shè)置完全覆蓋所述的熔煉部11上，達(dá)成保護(hù)作用， 可負(fù)載額定電壓與額定兩倍負(fù)載電流下，經(jīng)過1秒后才熔化阻斷負(fù)載電流，可達(dá) 慢速熔斷的效果，保障用電安全。
又請參閱圖5，為本發(fā)明芯片慢熔型保險絲制造方法另一實(shí)施例流程圖，本 發(fā)明的又一制造方法； 一種芯片慢熔型保險絲制造方法，其包括以下步驟(A) 提供一基板l，在所述的基板1反面12兩端部，分別印刷金屬薄膜，使形成二電 極端部lll; (B)將所述的基板1正面13兩端部，分別印刷金屬薄膜，使形成 二電極端部lll; (C)在所述的基板1正面13 二電極端部111之間，印刷設(shè)置 熔煉部11的第一金屬薄膜112，且所述的第一金屬薄膜112與電極端部111是形 成電連接；(C-l)在所述的基板1反面12二電極端部111之間，印刷設(shè)置熔煉 部11的第一金屬薄膜112，且所述的第一金屬薄膜112與電極端部111是形成電 連接；(D)將所述的基板1反面12第一金屬薄膜112上，迭印一面積較小于第 一金屬薄膜112的第二金屬薄膜113形成熔煉部ll，其中所述的第二金屬薄膜113 熔點(diǎn)是低于第一金屬薄膜112; (D-l)將所述的基板1正面13第一金屬薄膜112 上，迭印一面積較小于第一金屬薄膜112的第二金屬薄膜113形成熔煉部11，其 中所述的第二金屬薄膜U3熔點(diǎn)是低于第一金屬薄膜112; (E)將所述的基板l 二側(cè)面端部114，分別印刷金屬薄膜，形成所述的基板1反面12、正面13兩端部 的二電極端部111電連接；(F)形成一包覆體2，設(shè)置完全覆蓋所述的熔煉部11 上，達(dá)成保護(hù)所述的熔煉部ll作用；(G)將所述的包覆體2上，印刷設(shè)置一規(guī) 格標(biāo)示21，達(dá)成本發(fā)明另一種(雙面)芯片慢熔型保險絲4。
另請參閱圖6、圖7和圖8，是另一實(shí)施例中在基板表面印刷金屬薄膜的正面 視圖、反面視圖與剖視圖；本發(fā)明一種芯片慢熔型保險絲結(jié)構(gòu)，包括 一基板l， 為陶瓷材料制成，用以直接印刷形成金屬薄膜；至少一熔煉部ll，是由第一金屬 薄膜112上迭印一面積較小于第一金屬薄膜112的第二金屬薄膜113，形成設(shè)置 所述的基板1反面12與正面13上；至少二電極端部lll，是分別設(shè)在所述的基 板1的兩側(cè)面端部114，并延伸至所述的基板反面12、正面13端部，且與所述的 熔煉部11的第一金屬薄膜112電連接； 一包覆體2，是設(shè)置完全覆蓋所述的熔煉 部11上，達(dá)成保護(hù)作用，可負(fù)載額定電壓與額定兩倍負(fù)載電流下，經(jīng)過l秒后才 熔化阻斷負(fù)載電流，可達(dá)慢速熔斷的效果，保障用電安全。
以上說明對本發(fā)明而言只是說明性的，而非限制性的，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員 理解，在不脫離權(quán)利要求所限定的精神和范圍的情況下，可作出許多修改、變化 或等效，但都將落入本發(fā)明的權(quán)利要求可限定的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種芯片慢熔型保險絲結(jié)構(gòu)，其特征在于包括一基板，為陶瓷材料制成，用以直接印刷形成金屬薄膜；至少一熔煉部，是由第一金屬薄膜上迭印一層面積小于第一金屬薄膜的第二金屬薄膜形成，設(shè)置在所述的基板上；其中所述的第二金屬薄膜熔點(diǎn)低于第一金屬薄膜；二電極端部，分別設(shè)在所述的基板兩側(cè)面端部，并延伸至所述的基板正面、反面端部，且與所述的熔煉部的第一金屬薄膜電連接；一包覆體，完全覆蓋所述的熔煉部上，起保護(hù)作用。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片慢熔型保險絲結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的至少 一熔煉部設(shè)置在所述的基板正面。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的芯片慢熔型保險絲結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的基板 正面與反面均設(shè)置有一個所述的熔煉部。
4. 一種芯片慢熔型保險絲制造方法，其包括以下步驟(A) 提供一基板，在所述的基板反面兩端部，分別印刷金屬薄膜，形成二 電極端部；(B) 將所述的基板正面兩端部，分別印刷金屬薄膜，使形成二電極端部；(C) 在所述的基板正面二電極端部之間，印刷設(shè)置熔煉部的第一金屬薄膜， 且所述的第一金屬薄膜與電極端部形成電連接；(D) 將所述的基板正面第一金屬薄膜上，迭印一層面積小于第一金屬薄膜 的第二金屬薄膜形成熔煉部，其中所述的第二金屬薄膜熔點(diǎn)低于第一金屬薄膜；(E) 將所述的基板二側(cè)面端部，分別印刷金屬薄膜，所述的基板正面、反 面同一端部的二電極端部均形成電連接；(F) 形成一包覆體，完全覆蓋所述的熔煉部上，達(dá)到保護(hù)所述的熔煉部作用。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片慢熔型保險絲制造方法，其特征在于 緊接在步驟C之后，還包括子步驟C-1:(C-l)在所述的基板反面二電極端部之間，印刷設(shè)置熔煉部的第一金屬薄膜， 且所述的第一金屬薄膜與電極端部形成電連接； 緊接在步驟D之后，還包括子步驟D-1: (D-l)將所述的基板反面第一金屬薄膜上，迭印 --層面積小于第一金屬薄膜的第二金屬薄膜形成熔煉部，其中所述的第二金屬薄膜熔點(diǎn)低于第-金屬薄膜。 6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片慢熔型保險絲制造方法，其特征在于 緊接在步驟F之后，還包括步驟G: (G)將所述的包覆體上，印刷設(shè)置規(guī)格標(biāo)示。
全文摘要
本發(fā)明提供一種芯片慢熔型保險絲結(jié)構(gòu)與制造方法，其包括一基板，至少一熔煉部，二電極端部與一包覆體，完全覆蓋所述的熔煉部上；其制造方法，包括(A)在一基板正面兩端部，分別形成二電極端部；(B)形成二電極端部；(C)在二電極端部之間，印刷設(shè)置熔煉部的第一金屬薄膜；(D)將所述的基板正面第一金屬薄膜上，迭印一層面積小于第一金屬薄膜的第二金屬薄膜形成熔煉部，其中所述的第二金屬薄膜熔點(diǎn)低于第一金屬薄膜；(E)將所述的基板二側(cè)面端部，分別印刷金屬薄膜；(F)形成一包覆體，完全覆蓋所述的熔煉部上，達(dá)到保護(hù)所述的熔煉部作用。憑借上述制造方法，獲得可慢速熔化、耐高溫與使用方便的芯片保險絲。
文檔編號H01L23/62GK101197351SQ20061016213
公開日2008年6月11日 申請日期2006年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月5日
發(fā)明者邱鴻智 申請人:邱鴻智