專利名稱：維持在模封時晶片上引腳支撐平面的封裝構(gòu)造的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是涉及一種晶片上引腳(Lead-0n-Chip, LOC)的半導體封裝構(gòu) 造，特別是涉及一種維持在模封時晶片上引腳支撐平面的封裝構(gòu)造。
背景技術(shù)：
在 一 種低成本的半導體封裝構(gòu)造中，會使用 一 晶片上引腳 (Lead-On-Chip， LOC,以下均簡稱為LOC)型的導線架作為晶片載體，例如薄 小外形封裝(Thin Small Outline Package，TSOP)。所謂的LOC導線架，是 指導線架沒有晶片承座(die pad)的設計，晶片是直接粘貼在導線架引腳的 下方，打線的長度可以縮短，但是存在有引腳支撐力不足，模封時引腳會歪 斜，導致晶片位移的缺陷，在更嚴重的情況時，會有不當棵晶與焊線外露的 問題。
請參閱圖l所示，是一種現(xiàn)有習知的晶片上引腳(LOC)的半導體封裝構(gòu) 造的截面示意圖?，F(xiàn)有習知晶片上引腳的半導體封裝構(gòu)造IOO，主要是包含 一LOC導線架的復數(shù)個引腳110、 一晶片120、復數(shù)個焊線130以及一封膠 體140。該些引腳110具有一下表面lll及一上表面112。利用復數(shù)個粘晶 膠帶150將該晶片120的主動面121粘貼于該些引腳110的下表面1U,其 中，該晶片120的該主動面121是形成有復數(shù)個焊墊122，大約位于該主動 面121的中央。該些焊線130是電性連接該晶片120的該些焊墊122至該 些引腳110。該封膠體140是密封該晶片120、該些焊線130與該些引腳110 的內(nèi)端。在模封形成該封膠體140時，注膠壓力、膠體特性、膠體的流動 平衡性等因素，將影響該晶片120在封膠體140內(nèi)的位置，即存在有晶片 傾斜與位移問題。特別是模流不平衡時，該晶片120的背面或該些焊線130 有可能外露在該封膠體140之外。
由此可見，上述現(xiàn)有的半導體封裝構(gòu)造在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在 有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決上述存在的問題，相關(guān) 廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設計被發(fā) 展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān) 業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設一種新型的維持在模封時晶片上引 腳支撐平面的封裝構(gòu)造，實屬當前重要研發(fā)課題之一，亦成為當前業(yè)界極 需改進的目標。
有鑒于上述現(xiàn)有的半導體封裝構(gòu)造存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此
類產(chǎn)品設計制造多年豐富的實務經(jīng)驗及專業(yè)知識，并配合學理的運用，積極 加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設一種新型的維持在模封時晶片上引腳支撐平面的 封裝構(gòu)造，能夠改進一般現(xiàn)有的半導體封裝構(gòu)造，使其更具有實用性。經(jīng) 過不斷的研究、設計，并經(jīng)過反復試作樣品及改進后，終于創(chuàng)設出確具實 用價值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于，克服現(xiàn)有的半導體封裝構(gòu)造存在的缺陷，而 提供一種新型的維持在模封時晶片上引腳支撐平面的封裝構(gòu)造，所要解決 的技術(shù)問題是使其藉由支撐柱可以避免模封時晶片偏移以及晶片或焊線外 露于封膠體外的問題，從而更加適于實用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)
本發(fā)明提出的一種半導體封裝構(gòu)造，其包含:一 L0C導線架的復數(shù)個引腳；一 晶片，其主動面是貼附于該些引腳的下表面；復數(shù)個焊線，其是電性連接該 晶片至該些引腳；復數(shù)個第一支撐柱，其是設置于部分的該些引腳的上表 面；復數(shù)個第二支撐柱，其是設置于部分的該些引腳的下表面；以及一封膠 體，其是密封該晶片、該些焊線、該些引腳的內(nèi)端以及該些第一支撐柱與該 些第二支撐柱的側(cè)壁；其中，該些第一支撐柱與該些第二支撐柱是為縱向
對應且鄰近于該晶片，并且該些第一支撐柱與對應的該些第二支撐柱及對
應設置的引腳的總厚度約略等同該封膠體的厚度。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。 前述的半導體封裝構(gòu)造，其中所述的該些第一支撐柱與該些第二支撐
柱是為電鍍形成的硬質(zhì)金屬桿(Ragid Metal Bar, RMB)。
前述的半導體封裝構(gòu)造，其中所述的該些第一支撐柱與該些第二支撐 柱的硬度是大于該些引腳的硬度。
前述的半導體封裝構(gòu)造，其中所述的該些第一支撐柱的一外端與該些 第二支撐柱的 一 外端是分別外露于該封膠體的頂面與底面。
前述的半導體封裝構(gòu)造，其中所述的設置有該些第一支撐柱與該些第 二支撐柱的引腳是為無電性傳遞功能的虛引腳(dummy lead)。
前述的半導體封裝構(gòu)造，其中所述的設置有該些第一支撐柱與該些第 二支撐柱的引腳寬度是介于相對于鄰近的引腳寬度一至三倍。
前述的半導體封裝構(gòu)造，其中所述的晶片是具有復數(shù)個位在其主動面 中央?yún)^(qū)域的焊墊，以供該些焊線的連接。
前述的半導體封裝構(gòu)造，其中所述的封膠體的底面至該些引腳下表面 的厚度是概約等于該封膠體頂面至該些引腳上表面的厚度。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本
發(fā)明提出的一種半導體封裝構(gòu)造，其包含一 L0C導線架的復數(shù)個引腳； 一晶 片，其主動面是貼附于該些引腳的下表面；復數(shù)個焊線，其是電性連接該晶 片至該些引腳；以及一封膠體，其是密封該晶片、該些焊線及該些引腳的 內(nèi)端；另包含有復數(shù)個支撐柱，其是選擇性設置于部分的該些引腳的下表 面或上表面，且該些支撐柱是鄰近于該晶片，以維持在模封時該晶片的水 平面。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。 前述的半導體封裝構(gòu)造，其中所述的該些支撐柱是為電鍍形成的硬質(zhì)
金屬桿(Ragid Metal Bar，RMB)。
前述的半導體封裝構(gòu)造，其中所述的該些支撐柱的硬度是大于該些引
腳的硬度。
前述的半導體封裝構(gòu)造，其中所述的該些支撐柱的一外端是分別外露 于該封膠體的底面或頂面。
前述的半導體封裝構(gòu)造，其中所述的設置有該些支撐柱的引腳是為無 電性傳遞功能的虛引腳(dummy lead)。
前述的半導體封裝構(gòu)造，其中所述的設置有該些支撐柱與該些第二支 撐柱的引腳寬度是介于相對于鄰近的引腳寬度一至三倍。
前述的半導體封裝構(gòu)造，其中所述的晶片是具有復數(shù)個位在其主動面 中央?yún)^(qū)域的焊墊，以供該些焊線的連接。
前述的半導體封裝構(gòu)造，其中所述的該些支撐柱是垂直于該些引腳。
前述的半導體封裝構(gòu)造，其中所述的封膠體的底面至該晶片的背面的 厚度是不等于該封膠體頂面至該些引腳的厚度。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。由以上可知，為了 達到上述目的，本發(fā)明提供了一種維持在模封時晶片上引腳支撐平面的封 裝構(gòu)造，主要包含一 L0C導線架的復數(shù)個引腳、 一晶片、復數(shù)個焊線、復 數(shù)個第一支撐柱、復數(shù)個第二支撐柱以及一封膠體。該晶片的主動面是貼 附于該些引腳的下表面。該些焊線是電性連接該晶片至該些引腳。該些第 一支撐柱是設置于部分的該些引腳的上表面。該些第二支撐柱，其是設置 于部分的該些引腳的下表面。該封膠體是密封該晶片、該些焊線、該些引 腳的內(nèi)端以及該些第一支撐柱與該些第二支撐柱的側(cè)壁。其中，該些第一支 撐柱與該些第二支撐柱是為縱向?qū)亦徑谠摼?，并且該些第一支?柱與對應的該些第二支撐柱及對應設置的引腳的總厚度約略等同該封膠體 的厚度。在不同實施例中，該些支撐柱是選擇性設置于部分的該些引腳的 下表面或上表面，且該些支撐柱是鄰近于該晶片，以維持在模封時該晶片 的水平面。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明維持在模封時晶片上引腳支撐平面的封裝
構(gòu)造至少具有下列優(yōu)點本發(fā)明藉由支撐柱，可以避免模封時晶片偏移以 及晶片或焊線外露于封膠體外的問題，從而更加適于實用。
綜上所述，本發(fā)明是有關(guān)一種維持在模封時晶片上引腳支撐平面的封 裝構(gòu)造，主要包含一LOC導線架的復數(shù)個引腳， 一貼設于該些引腳下方的晶 片、復數(shù)個電性連接該晶片與該些引腳的焊線、復數(shù)個設置于部分的該些 引腳上方的第一支撐柱、復數(shù)個設置于部分的該些引腳下方的第二支撐柱 以及一封膠體。該封膠體是密封該晶片、該些焊線、該些引腳的內(nèi)端以及 該些第一支撐柱與該些第二支撐柱的側(cè)壁。其中，該些第一支撐柱與該些第 二支撐柱是為縱向?qū)亦徑谠摼⑶以撔┑谝恢沃c對應的該 些第二支撐柱及對應設置的引腳的總厚度約略等同該封膠體的厚度。藉由 該些支撐柱可以避免模封時晶片偏移以及防止該晶片背面或焊線外露的問 題。本發(fā)明具有上述諸多優(yōu)點及實用價值，其不論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)或功能上皆 有較大的改進，在技術(shù)上有顯著的進步，并產(chǎn)生了好用及實用的效果，且較 現(xiàn)有的半導體封裝構(gòu)造具有增進的突出功效，從而更加適于實用，并具有產(chǎn) 業(yè)的廣泛利用價值，誠為一新穎、進步、實用的新設計。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的 技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和 其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附 圖，詳細說明如下。


圖1是一種現(xiàn)有習知的晶片上引腳(L0C)的半導體封裝構(gòu)造的截面示意圖。
圖2是依據(jù)本發(fā)明的第 一具體實施例， 一種維持在模封時晶片上引腳支 撐平面的封裝構(gòu)造的截面示意圖。
圖3是依據(jù)本發(fā)明的第一具體實施例，該半導體封裝構(gòu)造在封膠前的俯 視示意圖。
圖4是依據(jù)本發(fā)明的第二具體實施例，另 一種維持在模封時晶片上引腳 支撐平面的封裝構(gòu)造的截面示意圖。
100:半導體封裝構(gòu)造110:引腳
111:下表面112:上表面
120:晶片121:主動面
122:焊墊130:焊線
140:封膠體150:粘晶膠帶
200:半導體封裝構(gòu)造210:引腳
210A:引腳211:下表面200610152872:.5
212:上表面213:內(nèi)端
220:晶片221:主動面
222:焊墊230:焊線
240:第一支撐柱241:側(cè)壁
242:外端250:第二支撐柱
251:側(cè)壁252:外端
260:封膠體261:頂面
262:底面270:粘晶膠帶
300:半導體封裝構(gòu)造310:引腳
311:下表面312:上表面
313:內(nèi)端320:晶片
321:主動面322:焊墊
330:焊線340:封膠體
341:頂面342:底面
350:支撐柱351:外端
360:粘晶膠帶
說明書第5/7頁
具體實施例方式
為更進一步闡述本發(fā)明為達成預定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功 效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的維持在模封時晶片上 引腳支撐平面的封裝構(gòu)造其具體實施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細說 明如后。
在本發(fā)明的第一具體實施例中，圖2是為一種維持在模封時晶片上引 腳支撐平面的封裝構(gòu)造的截面示意圖，圖3是該半導體封裝構(gòu)造在封膠前的 俯視示意圖。
請參閱圖2所示， 一種半導體封裝構(gòu)造200，主要包含一LOC導線架的 復數(shù)個引腳210、 210A、 一晶片220、復數(shù)個焊線230、復數(shù)個第一支撐柱 240、復數(shù)個第二支撐柱250以及一封膠體260。
請參閱圖3所示，未連接第一支撐柱240的引腳圖號標示為210,有連 接第一支撐柱240的引腳圖號標示為210A。如圖2所示，該LOC導線架并 不需要晶片承座，另可利用復數(shù)個粘晶膠帶270或其它粘晶材料使該晶片 220的主動面221貼附于該些引腳210的下表面211。其中
該晶片220，是具有復數(shù)個可位在其主動面221中央?yún)^(qū)域的焊墊222，以 供該些焊線230的連接。
該些焊線230，是電性連接該晶片220的焊墊222至該些引腳210的內(nèi) 端上表面212?？衫矛F(xiàn)有習知的打線技術(shù)形成該些焊線230
該些第一支撐柱240,是設置于部分的該些引腳210A的上表面2U;該 些第二支撐柱250，是設置于部分的該些引腳210A的下表面211。其中，如 圖2所示，該些第一支撐柱240與該些第二支撐柱250是為縱向?qū)亦?近于該晶片220，并且該些第一支撐柱240與對應的該些第二支撐柱250及 對應設置的引腳210A的總厚度約略等同該封膠體260的厚度，在模封時，該 些第一支撐柱240與該些第二支撐柱250可上下頂撐模穴的上下壁，以發(fā)揮 模穴內(nèi)良好的引腳支撐效果。在本實施例中，該些第一支撐柱240的一外 端242與該些第二支撐柱250的一外端252是分別外露于該封膠體260的 頂面261與底面262。其中，"縱向?qū)?是指該些第一支撐柱240與對應 該些第二支撐柱250是形成在同一垂直線上。此外，該些第一支撐柱240 與該些第二支撐柱250鄰近于該晶片220，表示該些第一支撐柱240或該些 第二支撐柱250至該晶片220側(cè)面的距離小于該些第一支撐柱240或該些 第二支撐柱250至該封膠體260外側(cè)緣的距離。
該封膠體260,是密封該晶片220、該些焊線230、該些引腳210的內(nèi)端 213以及該些第一支撐柱240與該些第二支撐柱250的側(cè)壁241、 251。該 封膠體260是具有一頂面261與一底面262。該些第一支撐柱240的外端 242是可外露于該封膠體260的頂面261;該些第二支撐柱250的外端252 是可外露于該封月交體260的底面262。
在本實施例中，該些第一支撐柱240與該些第二支撐柱250，是為電鍍 形成的硬質(zhì)金屬桿(Ragid Metal Bar, RMB)。該些第一支撐柱240與該些 第二支撐柱250的硬度是可大于該些引腳210的硬度。不受局限地，在一具 體實施例中，該封膠體260的底面262至該些引腳下表面211的厚度是概 約等于該封膠體260頂面261至該些引腳上表面212的厚度，以使該些第 一支撐柱240與該些第二支撐柱250可同時電鍍形成，特別可適用于其中 一種1比1模封的薄小外型封裝66 (Thin Small Outline Package 66， TS0P66)之外型，以封裝雙倍資料傳輸率(Doubule Data Rate ,DDR)的記憶 體晶片。
另外，較佳地，如圖3所示，上述設置有該些第一支撐柱240與該些第 二支撐柱250的引腳210A，是為無電性傳遞功能的虛引腳(dummy lead),例 如，該封裝構(gòu)造200可為適用于雙倍資料傳輸率同步動態(tài)存儲器(DDR SDRAM)產(chǎn)品的薄小外型封裝66之一封裝構(gòu)造，依美國電子器件工程聯(lián)合委 員會(Joint Electron Device Engineering Council, JEDEC)規(guī)范的其中 一種已知準標(JESD79E)，若為(x8)元件，第4、 7、 10、 13、 14、 16、 17、 19、 20、 25、 42、 43、 50、 53、 54、 57及60的引腳為無電性連接(NC)功能的虛 引腳，可進一步選擇適當位置的虛引腳作為該些第一支撐柱240與該些第二 支撐柱250的連接。在本實施例中，在連接有該些第一支撐柱240與該些
第二支撐柱250的引腳210A的寬度是介于相對于鄰近的一般引腳210寬度 一至三倍。通常其余正常引腳210的寬度是介于90um(微米)至160um(微 米)。
因此，藉由該些第一支撐柱240與該些第二支撐柱250的支撐，該晶 片220不會在形成該封膠體260的過程中產(chǎn)生位移歪斜，甚至可以解決不 當晶片背面與焊線230外露的問題。
在本發(fā)明的第二具體實施例中，揭示另 一種維持在模封時晶片上引腳 支撐平面的封裝構(gòu)造300。請參閱圖4所示，是依據(jù)本發(fā)明的第二具體實施 例，另 一種維持在模封時晶片上引腳支撐平面的封裝構(gòu)造的截面示意圖。一 種半導體封裝構(gòu)造300,主要包含一LOC導線架的復數(shù)個引腳310、 一晶片 320、復數(shù)個焊線330、 一封膠體340以及復數(shù)個支撐柱350。
該晶片320的主動面321,是以粘晶膠帶360貼附于該些引腳310的下 表面311。其中，該晶片320是具有復數(shù)個位在其主動面321中央?yún)^(qū)域的焊 墊322，以供該些焊線330電性連接至該些引腳310。
該封膠體340，是密封該晶片320、該些焊線330及該些引腳310的內(nèi) 端313。
依據(jù)容易發(fā)生位移間隔縮小的部位，該些支撐柱350,便選擇性設置于 部分的該些引腳310的下表面311或上表面312，且該些支撐柱350是鄰近 于該晶片320，以維持在模封時該晶片320的水平面。其中，該些支撐柱 350的一外端351是分別外露于該封膠體340的底面342或頂面341。在本 實施例中，該些支撐柱350是垂直于該些引腳310，特別是當該封膠體340 的底面342至該晶片320的背面的厚度是不等于該封膠體340頂面341至 該些引腳上表面312的厚度，即使有模流不平衡，該些支撐柱350能更發(fā) 揮支撐效果，可以避免該晶片320受到模流壓力差而位移。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式 上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā) 明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當可利 用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但 凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例 所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍 內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種維持在模封時晶片上引腳支撐平面的封裝構(gòu)造，其特征在于其包含一LOC導線架的復數(shù)個引腳；一晶片，其主動面是貼附于該些引腳的下表面；復數(shù)個焊線，其是電性連接該晶片至該些引腳；復數(shù)個第一支撐柱，其是設置于部分的該些引腳的上表面；復數(shù)個第二支撐柱，其是設置于部分的該些引腳的下表面；以及一封膠體，其是密封該晶片、該些焊線、該些引腳的內(nèi)端以及該些第一支撐柱與該些第二支撐柱的側(cè)壁；其中，該些第一支撐柱與該些第二支撐柱是為縱向?qū)亦徑谠摼?，并且該些第一支撐柱與對應的該些第二支撐柱及對應設置的引腳的總厚度約略等同該封膠體的厚度。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的維持在模封時晶片上引腳支撐平面的封裝構(gòu) 造，其特征在于其中所述的該些第一支撐柱與該些第二支撐柱是為電鍍形 成的硬質(zhì)金屬桿(Ragid Metal Bar，RMB)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的維持在模封時晶片上引腳支撐平面的封 裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的該些第一支撐柱與該些第二支撐柱的硬度是大于該些引腳的硬度。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的維持在模封時晶片上引腳支撐平面的封裝構(gòu) 造，其特征在于其中所述的該些第一支撐柱的一外端與該些第二支撐柱的一外端是分別外露于該封膠體的頂面與底面。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的維持在模封時晶片上引腳支撐平面的封裝構(gòu) 造,其特征在于其中所述的設置有該些第一支撐柱與該些第二支撐柱的引 腳是為無電性傳遞功能的虛引腳(dummy lead)。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的維持在模封時晶片上引腳支撐平面的封裝構(gòu) 造，其特征在于其中所述的設置有該些第一支撐柱與該些第二支撐柱的引腳寬度是介于相對于鄰近的引腳寬度一至三倍。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的維持在模封時晶片上引腳支撐平面的封裝構(gòu) 造，其特征在于其中所述的晶片是具有復數(shù)個位在其主動面中央?yún)^(qū)域的焊 墊，以供該些焊線的連接。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的維持在模封時晶片上引腳支撐平面的封 裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的封膠體的底面至該些引腳下表面的厚度是概約等于該封膠體頂面至該些引腳上表面的厚度。
9 、 一種維持在模封時晶片上引腳支撐平面的封裝構(gòu)造，其特征在于其 包含一LOC導線架的復數(shù)個引腳；一晶片，其主動面是貼附于該些引腳的下表面；復數(shù)個焊線，其是電性連接該晶片至該些引腳；以及一封膠體，其是密封該晶片、該些焊線及該些引腳的內(nèi)端；另包含有復數(shù)個支撐柱，其是選擇性設置于部分的該些引腳的下表面或上表面，且該些支撐柱是鄰近于該晶片，以維持在模封時該晶片的水平面。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的維持在模封時晶片上引腳支撐平面的封裝 構(gòu)造，其特征在于其中所述的該些支撐柱是為電鍍形成的硬質(zhì)金屬桿 (Ragid Metal Bar, RMB)。
11、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的維持在模封時晶片上引腳支撐平面的封裝 構(gòu)造,其特征在于其中所述的該些支撐柱的硬度是大于該些引腳的硬度。
12、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的維持在模封時晶片上引腳支撐平面的封裝 構(gòu)造，其特征在于其中所述的該些支撐柱的一外端是分別外露于該封膠體的底面或頂面。
13、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的維持在模封時晶片上引腳支撐平面的封裝 構(gòu)造，其特征在于其中所述的設置有該些支撐柱的引腳是為無電性傳遞功能的虛引腳(dummy lead)。
14、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的維持在模封時晶片上引腳支撐平面的封裝 構(gòu)造，其特征在于其中所述的設置有該些支撐柱與該些第二支撐柱的引腳寬度是介于相對于鄰近的引腳寬度一至三倍。
15、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的維持在模封時晶片上引腳支撐平面的封裝 構(gòu)造，其特征在于其中所述的晶片是具有復數(shù)個位在其主動面中央?yún)^(qū)域的焊墊，以供該些焊線的連接。
16、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的維持在模封時晶片上引腳支撐平面的封裝 構(gòu)造,其特征在于其中所述的該些支撐柱是垂直于該些引腳。
17、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的維持在模封時晶片上引腳支撐平面的封裝 構(gòu)造，其特征在于其中所述的封膠體的底面至該晶片的背面的厚度是不等于該封膠體頂面至該些引腳的厚度。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)一種維持在模封時晶片上引腳支撐平面的封裝構(gòu)造，主要包含一LOC導線架的復數(shù)個引腳，一貼設于該些引腳下方的晶片、復數(shù)個電性連接該晶片與該些引腳的焊線、復數(shù)個設置于部分的該些引腳上方的第一支撐柱、復數(shù)個設置于部分的該些引腳下方的第二支撐柱以及一封膠體。該封膠體是密封該晶片、該些焊線、該些引腳的內(nèi)端以及該些第一支撐柱與該些第二支撐柱的側(cè)壁。其中，該些第一支撐柱與該些第二支撐柱是為縱向?qū)亦徑谠摼?，并且該些第一支撐柱與對應的該些第二支撐柱及對應設置的引腳的總厚度約略等同該封膠體的厚度。藉由該些支撐柱可以避免模封時晶片偏移以及防止該晶片背面或焊線外露的問題。
文檔編號H01L23/48GK101179060SQ20061015287
公開日2008年5月14日 申請日期2006年11月6日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月6日
發(fā)明者范文正 申請人:力成科技股份有限公司