專利名稱：一種相變存儲元件的真空室熱隔離的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及存儲元件，并尤其涉及使用相變元件以儲存信息的存儲元件。
背景技術(shù)：
以相變?yōu)榛A(chǔ)的存儲材料廣泛地運用于讀寫光盤中，且這些材料也逐漸使用在計算機存儲元件中。這些材料包括至少兩種固態(tài)相，包括如大體上為非晶態(tài)的固態(tài)相，以及大體上為結(jié)晶態(tài)的固態(tài)相。激光脈沖用于讀寫光盤中，以在二種相間切換，并讀取該種材料在相變后的光學(xué)性質(zhì)，并且在計算機存儲元件中以同樣方法使用電脈沖。
如硫?qū)倩锛邦愃撇牧系倪@些相變存儲材料，可通過施加其幅度適合于集成電路中的電流，而引起晶相轉(zhuǎn)變。一般來講，非晶態(tài)的特征是其電阻高于結(jié)晶態(tài)，該電阻值可輕易測量得到而用于作為指示。這種特性則引發(fā)使用可編程電阻材料以形成非易失性存儲器電路等興趣，此電路可用于隨機存取讀寫。
從非晶態(tài)轉(zhuǎn)變到結(jié)晶態(tài)一般是低電流步驟。從結(jié)晶態(tài)轉(zhuǎn)變到非晶態(tài)(以下稱為重置(reset))一般是高電流步驟，其包括短暫的高電流密度脈沖以融化或破壞結(jié)晶結(jié)構(gòu)，此后該相變材料快速冷卻，抑制相變的過程，使得至少部分相變結(jié)構(gòu)得以維持在非晶態(tài)。在理想狀態(tài)下，使得相變材料從結(jié)晶態(tài)轉(zhuǎn)變到非晶態(tài)的重置電流幅度應(yīng)越低越好。可通過減小存儲器中的相變材料元件的尺寸以及減少電極與該相變材料的接觸面積來實現(xiàn)降低重置所需的重置電流幅度，因此可針對該相變材料元件施加較小的絕對電流值而實現(xiàn)較高的電流密度。
該領(lǐng)域發(fā)展的一種方法是致力于在集成電路結(jié)構(gòu)上形成微小孔洞，并使用微量可編程的電阻材料填充這些微小孔洞。致力于這些微小孔洞的專利包括在1997年11月11日公告的美國專利第5,687,112號“Multibit Single Cell Memory Element HavingTapered Contact”，發(fā)明人為Ovshinky；在1998年8月4日公告的美國專利第5,789,277號“Method of Making Chalogenide[sic]Memory Device”，發(fā)明人為Zahorik等；在2000年11月21日公告的美國專利第6,150,253號“Controllable OvonicPhase-Change Semiconductor Memory Device and Methods ofFabricating the Same”，發(fā)明人為Doan等；在1999年7月6日公告的美國專利第5,920,788號“Chalcogenide Memory Cell witha Plurality of Chalcogenide Electrodes”，發(fā)明人為Reinberg。
已知相變存儲器與結(jié)構(gòu)將產(chǎn)生的特殊問題在于其所產(chǎn)生的散熱效應(yīng)。一般來講，現(xiàn)有技術(shù)是教導(dǎo)如何使用金屬電極于相變存儲元件的兩側(cè)，而電極的尺寸大約等于相變構(gòu)件。這些電極將作為散熱裝置，金屬的高導(dǎo)熱性會快速地將熱量導(dǎo)離相變材料。由于相變現(xiàn)象為加熱的結(jié)果，因此散熱效應(yīng)會導(dǎo)致需要更大的電流以產(chǎn)生理想的相變現(xiàn)象。
解決這種熱流問題的一種方法，可見美國專利第6,815,704號“Self Aligned Air-Gap thermal Insulation for Nano-scaleInsulated Chalcogenide Electronics(NICE)RAM”，其中使用一種方式來隔離該存儲單元。該結(jié)構(gòu)及其制造過程太復(fù)雜且仍無法獲得存儲元件中的最小電流。
因此，優(yōu)選是可提供一種存儲單元結(jié)構(gòu)，其具有小尺寸以及低重置電流，同時其結(jié)構(gòu)可解決導(dǎo)熱性問題，同時能提供一種用于制造這種結(jié)構(gòu)的方法且能夠滿足用于制造大尺寸存儲元件時的嚴格工藝變量規(guī)格。優(yōu)選是提供一種制造過程以及結(jié)構(gòu)，其可兼容于制造同一集成電路的外圍電路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的重要目的之一是提供一種具有改良熱隔離的存儲元件。該存儲單元包括具有上表面的第一電極元件；形成在第一電極元件上的絕緣堆，包括第一、第二與第三絕緣構(gòu)件，均為大致平坦形狀且具有中央凹洞并貫穿其中，其中第二絕緣構(gòu)件從該空洞處內(nèi)凹；相變元件，大致為T型且具有基底部分，其延伸進入該空洞以接觸到第一電極元件，并接觸到第一與第三絕緣構(gòu)件，其中該相變元件的基底部分、第二絕緣構(gòu)件的內(nèi)凹部分以及第一與第三絕緣構(gòu)件的表面限定了熱絕緣空洞；以及接觸到相變元件的第二電極。
以下詳細說明本發(fā)明的結(jié)構(gòu)與方法。本發(fā)明內(nèi)容說明章節(jié)目的并非在于限定本發(fā)明。本發(fā)明由權(quán)利要求所限定。所有本發(fā)明的實施例、特征、目的及優(yōu)點等將可通過下列說明、權(quán)利要求及附圖獲得充分了解。


圖1是剖面圖，說明實施例中的相變存儲元件，其使用了真空室熱隔離元件；圖1a說明圖1所示相變存儲元件中的電流路徑；圖2a-2f是說明圖1所示相變存儲元件的替代實施例；圖3a-3f是說明圖1所示相變存儲元件的制造方法。
主要元件符號說明10存儲元件12襯底14下電極15上階壁16相變元件17底凸緣18中間介電層20頸部21空洞2 真空隔離室24上介電層26上電極27高溫區(qū)域具體實施方式
下面參照圖1-3說明各實施例?？梢粤私獾氖?，本發(fā)明中所述的實施例以及特征僅用于舉例以及說明，而非用于限制本發(fā)明的范圍。本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求所界定。
本發(fā)明涉及存儲元件以及存儲單元。如本文中所提及，以及如該領(lǐng)域中所周知，存儲單元是電路元件，其設(shè)計為維持電荷或狀態(tài)而指定單數(shù)據(jù)位的邏輯電平。舉例來講，存儲單元所組成的陣列是提供計算機所使用的隨機存取存儲器。在特定的存儲單元中，存儲元件的功能實際上是維持其中的電荷或狀態(tài)。舉例來講，在已知動態(tài)隨機存取存儲單元中，電容指定了該單元的邏輯電平，其完全充電狀態(tài)指定為邏輯“1”狀態(tài)(或高電平)，而完全放電狀態(tài)則指定為邏輯“0”狀態(tài)(或低電平)。
在本發(fā)明實施例中，存儲元件10如圖1所示。如圖所示，為簡潔起見，存儲元件10為單個單元。實際上每個元件為存儲單元的一部份，而每個存儲單元則為較大存儲陣列的一部份，如下所詳述。本發(fā)明將先描述存儲元件的結(jié)構(gòu)，接著敘述用于制造該結(jié)構(gòu)的方法。
該存儲元件形成在襯底12上，該襯底優(yōu)選為介電填充材料，例如二氧化硅。襯底材料圍繞并延伸到下電極14之上，包括位于下電極之上的上階壁15。該下電極優(yōu)選由例如鎢等耐火金屬而形成在氧化物層中。其它適合的耐火金屬包括鈦、鉬、鋁、鉭、銅、鉑、銥、鑭、鎳、釕以及這些材料的氧化物和氮化物。舉例來講，如氮化鈦、氧化釕或氧化鎳等材料為已知有效的耐火金屬。
在下電極之上且與下電極接觸的是相變元件16，其大致為T字型，其垂直部分接觸到下電極，并從下電極開始垂直延伸穿越位于下電極之上的襯底的上階壁15。上電極26形成在相變元件的橫條部分上。
相變元件可由一類優(yōu)選包括以硫?qū)倩锊牧蠟榛A(chǔ)的材料所構(gòu)成。硫?qū)倩锇ㄏ铝兴脑刂械娜我环N氧(O)、硫(S)、硒(Se)以及碲(Te)，形成元素周期表上第VI族的部分。硫?qū)倩锇▽⒘驅(qū)僭嘏c更為正電性的元素或自由基結(jié)合而得。硫?qū)倩衔锖辖鸢▽⒘驅(qū)倩衔锱c其它物質(zhì)如過渡金屬等結(jié)合。硫?qū)倩衔锖辖鹜ǔ０ㄒ粋€以上選自元素周期表第六欄的元素，例如鍺(Ge)以及錫(Sn)。通常，硫?qū)倩衔锖辖鸢ㄏ铝性刂幸粋€以上的復(fù)合物銻(Sb)、鎵(Ga)、銦(In)以及銀(Ag)。技術(shù)文件中描述了許多以相變?yōu)榛A(chǔ)的存儲材料，包括下列合金鎵/銻、銦/銻、銦/硒、銻/碲、鍺/碲、鍺/銻/碲、銦/銻/碲、鎵/硒/碲、錫/銻/碲、銦/銻/鍺、銀/銦/銻/碲、鍺/錫/銻/碲、鍺/銻/硒/碲以及碲/鍺/銻/硫。在鍺/銻/碲合金家族中，可以嘗試大范圍的合金成分。該成分可由下列特征式表示TeaGebSb100-(a+b)。
一位研究員描述了最有用的合金為，在沉積材料中所包含的平均碲濃度遠低于70％，典型地低于60％，并在一般型態(tài)合金中的碲含量范圍從最低23％到最高58％，且最優(yōu)是介于48％到58％之間的碲含量。鍺的濃度約高于5％，且其在材料中的平均范圍從最低8％到最高30％，一般低于50％。最優(yōu)地，鍺的濃度范圍介于8％到40％之間。在該成分中所剩下的主要成分則為銻。上述百分比為原子百分比，其為所有組成元素總和為100％。(Ovshinky‘112專利，欄10～11)。由另一研究者所評估的特殊合金包括Ge2Sb2Te5、GeSb2Te4以及GeSb4Te7。(Noboru Yamada，“Potential of Ge-Sb-Te Phase-change Optical Disks forHigh-Data-Rate Recording”，SPIE v.3109，pp.28-37(1997))。更一般地，過渡金屬如鉻(Cr)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈮(Nb)、鈀(Pd)、鉑(Pt)以及上述的混合物或合金，可與鍺/銻/碲結(jié)合以形成相變合金，其具有可編程的電阻性質(zhì)?？墒褂玫拇鎯Σ牧系奶厥鈱嵗鏞vshinsky‘112專利中欄11-13所述，其實例在此列入?yún)⒖肌?br> 相變化材料能在該單元有源溝道區(qū)域內(nèi)依其位置順序在材料為一般非晶狀態(tài)的第一結(jié)構(gòu)狀態(tài)與為一般結(jié)晶固體狀態(tài)的第二結(jié)構(gòu)狀態(tài)之間切換。這些材料至少為雙穩(wěn)定態(tài)。該術(shù)語“非晶”是用于指相對較無次序的結(jié)構(gòu)，其較單晶更無次序性，而具有可檢測的特征，如較結(jié)晶態(tài)更高的電阻值。該術(shù)語“結(jié)晶態(tài)”是用于指相對較有次序的結(jié)構(gòu)，其較非晶態(tài)更有次序，因此具有可檢測的特征，例如比非晶態(tài)更低的電阻值。典型地，相變材料可電切換到完全結(jié)晶態(tài)與完全非晶態(tài)之間所有可檢測的不同狀態(tài)。其它受到非晶態(tài)與結(jié)晶態(tài)的改變而影響的材料特性包括原子次序、自由電子密度以及活化能。該材料可切換成不同的固態(tài)，或可切換成由兩種以上固態(tài)所形成的混合物，提供從非晶態(tài)到結(jié)晶態(tài)之間的灰度級部分。該材料中的電性質(zhì)也可能隨之改變。
通過施加電脈沖，可將相變材料從一種相態(tài)切換到另一種相態(tài)。先前觀察指出，較短、較大幅度的脈沖傾向于將相變材料的相態(tài)改變成大體為非晶態(tài)。較長、較低幅度的脈沖傾向于將相變材料的相態(tài)改變成大體為結(jié)晶態(tài)。較短、較大幅度脈沖中的能量足夠大到破壞結(jié)晶結(jié)構(gòu)的結(jié)合鍵，同時足夠短到可以防止原子再次排列成結(jié)晶態(tài)。在沒有不適當(dāng)實驗的情形下，可以確定特別適用于特定相變合金的適當(dāng)脈沖量變曲線。在本文的后續(xù)部分，該相變材料稱為GST，同時本領(lǐng)域技術(shù)人員也需了解，也可使用其它類型的相變材料。在本文中所描述的一種適用于PCRAM中的材料為Ge2Sb2Te5。
在下電極與相變元件的橫條之間，有三層介電層。襯底的上階壁15是位于下電極上的第一層，如上所述。中間介電層18是在該上階壁的上方。上介電層24是形成在該中間介電層的上方且延伸并接觸到相變元件的下表面。該上介電層優(yōu)選由與構(gòu)成襯底的材料相同或相似的材料所組成，例如二氧化硅，而中間介電層則優(yōu)選由氮化硅或類似材料所構(gòu)成。
上階壁與上介電層接觸到相變元件的垂直部分。然而該中間介電層并不延伸到相變元件，而是該層內(nèi)凹，使得真空隔離室22由中間介電層的末端與相變元件的垂直部分(在一軸方向)以及上階壁與上介電層(在另一軸方向)所界定。該腔室優(yōu)選為真空，且為相變元件提供優(yōu)選的隔熱效果。在鄰近于真空隔離室的區(qū)域，修剪相變元件的垂直部分以形成頸部20，其橫截面面積較小。
在操作時，存儲元件中的電流從下電極14流入相變元件16，并從上電極26流出。當(dāng)然，如該領(lǐng)域中所周知，可以利用改變元件配置方式來改變電流方向。在兩種情況下，相變材料在電流流動時均受到焦耳熱效應(yīng)，如上所述，從而導(dǎo)致GST材料中央部位的溫度上升。當(dāng)溫度超過相變所需要的水平時，相變材料的一部份會改變其狀態(tài)。在相變元件中，溫度分布并不平均，電流密度的改變會造成明顯的變化。相變材料的溫度會決定所產(chǎn)生的效果，因此電流的選擇是用來產(chǎn)生足以在GST材料中導(dǎo)致理想結(jié)果(非晶態(tài)或結(jié)晶態(tài))的溫度。如果要讀取元件的狀態(tài)，則僅施加低電流以做為感測用途。該讀取操作為非破壞性的，因為元件溫度保持為低于相變臨界溫度。
真空隔離室22的功能是用來將熱量保存在相變元件中，其具有以下幾個優(yōu)點。首先，通過避免熱量遠離相變元件，該設(shè)計減少了達成相變所需要的熱量，進而減少了每一次設(shè)定(SET)或重置(RESET)操作所需要的電流。同時，將熱量維持在相變元件內(nèi)，可減少轉(zhuǎn)移到存儲陣列中的剩余部分的熱量，其直接有助于延長該元件的壽命。假設(shè)完整的集成電路中的存儲元件數(shù)量非常龐大(舉例來講，在1GB存儲元件中，會有至少80億個元件)，因此可以理解的是這種熱量減少會有非常顯著的效果。通過將電流集中在相變元件中的頸部20區(qū)域，會進一步提升相變元件的效率。該效應(yīng)如圖1a所詳示，其中箭頭Iin從電極14處進入，其電流密度相當(dāng)平均，但在接觸到接觸元件時則較集中，產(chǎn)生高溫區(qū)域27，在此若選擇適當(dāng)?shù)碾娏骷纯蛇_成相變。所說明的設(shè)計導(dǎo)致減少存儲元件的電流消耗。
存儲元件10可以具有其它的變化形式，如圖2a-2f所示。這些變化形式并不影響存儲元件10的整體性能、功能或設(shè)計，但確實將對特定的性能參數(shù)或制造性方面產(chǎn)生影響，如本領(lǐng)域技術(shù)人員所能理解。針對這些變化的討論以圖1中的存儲元件10做為起點。
如圖2a所示的變化方式是移除了相變元件延伸到上介電層之上表面的橫條部分，留下沙漏型元件。這種設(shè)計的優(yōu)點在于改良的制造方法，因為可以省略上介電層之上的GST材料層。
圖2b的變化方式是在相變元件增加了底凸緣17，使得該元件的外型類似I型。這種設(shè)計可以在相變元件的中央部分與底電極之間，提供優(yōu)選的隔熱效果。
在圖2c中，并不形成頸部20，而是留下相變元件的垂直部分作為垂直構(gòu)件。這種改變明顯地簡化了制造過程。
圖2d的變化方式則在相反方向移動。該頸部20保持垂直形狀，但是在垂直構(gòu)件內(nèi)形成空洞21?？梢郧宄姷降氖?，這種設(shè)計中的電流路徑將比圖1的設(shè)計更為緊縮，產(chǎn)生更集中的加熱效果。同時，空洞21也增加了隔熱度，進一步地集中熱量。如本領(lǐng)域所周知，優(yōu)選地是用濺鍍過程沉積該材料，且通過控制濺鍍的條件來形成內(nèi)部空洞21。
圖2e中的變化方式是形成了與圖1所示的頸部相反的頸部20。在本圖中，并不形成截面面積縮減的區(qū)域，而是具有增大并凸出到真空隔離室中的截面積，其為沉積過程的結(jié)果。
相似地，圖2f說明了一種設(shè)計，其頸部20凸出到真空隔離室中，但是在凸出部分形成有凹陷。
在圖3a-3f中，描述了用于形成圖1所示存儲元件10的制造方法。該過程從襯底12開始，如圖3a所示。利用已知技術(shù)在襯底中形成下電極14。襯底與電極的材料如前所述。
接著，如圖3b所示，以橫跨襯底的寬度，在襯底上形成襯底上階壁15、加上中間介電層18與上介電層24。這三層中的每一層的厚度介于10nm到約50nm之間，優(yōu)選為30nm。
如圖3c所示，移除部份材料以制造相變元件。優(yōu)選地，其根據(jù)已知的光刻過程，先施加光阻薄膜；利用掩膜或標線(reticle)而形成圖案；將該圖案在可見光或其它射線下曝光；剝離光阻材料中不需要的部分，以形成蝕刻掩膜；以及蝕刻該材料層。優(yōu)選地，施加干式非等向性蝕刻，可使用可感測蝕刻到下電極層的光學(xué)裝置來控制該蝕刻步驟。
該真空隔離室由圖3d所示的步驟形成，其中使用濕式蝕刻(優(yōu)選為磷酸)，以從襯底上階壁15所形成表面與上介電層24所起算的控制距離，對中間介電層18中的氮化硅進行選擇性蝕刻。
在下一步驟中加入相變元件16，如圖3e所示。如圖所示，其使用已知的沉積步驟，優(yōu)選使用濺鍍或電漿增強濺鍍過程，以形成相變元件16。相變元件的垂直部分的寬度(同時也是已蝕刻區(qū)域的寬度)應(yīng)該介于約10nm到約100nm之間，優(yōu)選為50nm。
最后，在最后步驟中沉積上電極26，如圖3f所示。如前所述，利用已知光刻技術(shù)，將上電極與相變元件圖案化到期望的橫向尺寸。
雖然已經(jīng)參照優(yōu)選實施例對本發(fā)明進行了描述，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將會了解的是，本發(fā)明創(chuàng)造并不受詳細描述內(nèi)容限制。在先前描述中已經(jīng)建議了替換方式及修改樣式，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員將會考慮其它替換方式及修改樣式。特別是，根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)與方法，所有實質(zhì)上具有相同于本發(fā)明的構(gòu)件結(jié)合而達成與本發(fā)明實質(zhì)上相同結(jié)果的都沒有脫離本發(fā)明的精神范圍。因此，所有這些替換方式及修改樣式都落在本發(fā)明所附權(quán)利要求及其等價物所界定的范圍中。任何在前文中提及的專利申請案以及印刷文本，均列為本案的參考。
權(quán)利要求
1.一種存儲元件，包括第一電極元件，具有上表面；形成在該第一電極元件上的絕緣堆棧，其包括第一、第二與第三絕緣構(gòu)件，三者的外型均大致平坦且在其中形成貫穿的凹洞，其中該第二絕緣構(gòu)件從該凹洞處內(nèi)凹；相變元件，其延伸入該凹洞以接觸到該第一電極元件并接觸到該第一與第三絕緣構(gòu)件，與該第三絕緣構(gòu)件接觸，其中該相變元件、該第二絕緣構(gòu)件的內(nèi)凹部分與該第一與第三絕緣構(gòu)件的表面限定熱絕緣空洞；以及第二電極，其接觸該相變元件。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲元件，其中，該相變元件包括由鍺、銻、與碲所組成的組合物。
3.如權(quán)利要求1所述的存儲元件，其中，該相變元件包括由下列群組中的至少二個所組成的組合物鍺(Ge)、銻(Sb)、碲(Te)、銦(In)、鈦(Ti)、鎵(Ga)、鉍(Bi)、錫(Sn)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鉛(Pb)、銀(Ag)、硫(S)以及金(Au)。
4.如權(quán)利要求1所述的存儲元件，其中，該相變元件大致為T型，其具有位于該第三絕緣構(gòu)件上的橫條構(gòu)件以及延伸進入該凹洞的中央部分。
5.如權(quán)利要求1所述的存儲元件，其中，該相變元件大致為I型，其具有位于該第三絕緣構(gòu)件上的橫條構(gòu)件、延伸進入該凹洞的中央部分以及位于該第一絕緣構(gòu)件下的基底構(gòu)件。
6.如權(quán)利要求1所述的存儲元件，其中，該相變元件在接近該第二絕緣構(gòu)件的內(nèi)凹部分處，具有較小的橫截面面積。
7.一種用來制造存儲元件的方法，包括下列步驟形成第一電極元件，其形狀大致為平板狀；在該第一電極元件上形成絕緣堆棧，其包括第一、第二與第三絕緣層；蝕刻凹洞穿過該絕緣堆棧；選擇性蝕刻該第二絕緣層以在該凹洞的側(cè)邊形成內(nèi)凹部分；沉積相變存儲元件，延伸進入該空洞以接觸到該第三與第一絕緣構(gòu)件及該第一電極元件，其中該相變存儲元件與該第二絕緣構(gòu)件限定熱絕緣空洞在該第三與第一絕緣構(gòu)件之間；以及沉積第二電極構(gòu)件，其接觸該相變存儲元件。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，該凹洞蝕刻步驟以及該選擇性蝕刻步驟結(jié)合為單個步驟，所選擇的蝕刻劑提供選擇性地更加活性對該第二絕緣構(gòu)件進行蝕刻。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，使用濺鍍過程來沉積該相變存儲元件，控制該工藝以在該相變存儲元件中接近該內(nèi)凹第二絕緣構(gòu)件處產(chǎn)生較小的橫截面面積。
10.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，該相變存儲元件大致沉積為T型，其具有位于該第三絕緣構(gòu)件上的橫條構(gòu)件以及延伸進入該凹洞的中央部分。
11.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，該相變存儲元件大致沉積為I型，其具有位于該第三絕緣構(gòu)件上的橫條構(gòu)件、延伸進入該凹洞的中央部分以及位于該第一絕緣構(gòu)件下的基底構(gòu)件。
全文摘要
一種具有改良熱絕緣的存儲元件。該存儲單元包括第一電極元件，其具有上表面；形成在該第一電極元件上的絕緣堆棧，其具有第一、第二與第三絕緣構(gòu)件，三者均大致為平坦且具有形成在其中并延伸穿過的中央凹洞，其中該第二絕緣構(gòu)件從該凹洞內(nèi)凹；相變元件，大致為T型，具有延伸進入凹洞以接觸到第一電極元件并接觸到第一與第三絕緣構(gòu)件的基底部分、以及延伸在第三絕緣構(gòu)件上并與其接觸的橫條部分，其中相變元件的基底部分、第二絕緣構(gòu)件的內(nèi)凹部分以及第一與第三絕緣構(gòu)件的表面限定熱絕緣空洞；以及第二電極，其接觸到相變構(gòu)件。
文檔編號H01L21/82GK1971964SQ20061014636
公開日2007年5月30日 申請日期2006年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月21日
發(fā)明者龍翔瀾 申請人:旺宏電子股份有限公司