專利名稱：晶體管結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶體管結(jié)構(gòu)及其制造方法，且特別是涉及一種具有反熔
絲結(jié)構(gòu)及雙重擴散漏極(double diffused drain, DDD)的金屬氧化物半導(dǎo)體晶 體管(metal oxide semiconductor, MOS)結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進步，晶體管的尺寸也不斷縮小，因此衍生了許多問 題。其中 一項問題即為熱栽流子效應(yīng)(hot carrier effect)，也就是當(dāng)晶體管的 操作電壓超過一定強度時，因為強大的電場加速電子撞擊電子空穴對而產(chǎn)生 大量的載流子，使得晶體管的通道內(nèi)的電流大增而產(chǎn)生電擊穿(electrical breakdown)問題。產(chǎn)生的電子通常吸往漏極而增加漏極的電流大小，部分電 子射入柵極氧化層中而改變臨界電壓(threshold voltage)而影響操作特性。產(chǎn) 生的空穴將流往基底，而產(chǎn)生基底電流(substrate current),另一部份的空穴則 被源極所收集，促使更多的載流子倍增，最后發(fā)生電擊穿。過大的電流會使 通道容易劣化而降低晶體管的使用壽命。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的就是在提供一種晶體管結(jié)構(gòu)及其制造方法，提 出具有雙重擴散漏極結(jié)構(gòu)及反熔絲結(jié)構(gòu)的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，可以較 高電壓進行操作而不致發(fā)生電擊穿。
根據(jù)本發(fā)明的目的，提出一種晶體管結(jié)構(gòu)，包括一基板、 一第一阱區(qū)、 一源極區(qū)及一反熔絲結(jié)構(gòu)。第一阱區(qū)具有第一摻雜物并位于基板內(nèi)。源極區(qū) 位于第一阱區(qū)中，包括一輕摻雜源極區(qū)以及一重摻雜源極區(qū)，重摻雜源極區(qū) 位于輕摻雜源極區(qū)內(nèi)。重摻雜源極區(qū)的邊緣與輕摻雜源極區(qū)的邊緣基本上保 持一距離。反熔絲結(jié)構(gòu)設(shè)置于源極區(qū)上。
根據(jù)本發(fā)明的目的，提出一種晶體管結(jié)構(gòu)的制造方法，包括提供一基 板；形成一具有第一摻雜物的第一阱區(qū)于基板內(nèi)；形成一輕摻雜源極區(qū)及一
輕摻雜漏極區(qū)于基板內(nèi)；形成一第一絕緣層及一第二絕緣層于基板上；形成 一柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及一反熔絲導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于第一絕緣層上，反 熔絲導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于第二絕緣層上；形成一重摻雜源極區(qū)及一重摻雜漏極區(qū)， 重摻雜源極區(qū)位千輕摻雜源極區(qū)內(nèi)，重摻雜漏極區(qū)位千輕摻雜漏極區(qū)內(nèi)，重 摻雜源極區(qū)的邊緣與輕摻雜源極區(qū)的邊緣保持一第 一距離，重摻雜漏極區(qū)的 邊緣與輕摻雜漏極區(qū)的邊緣保持一第二距離。
根據(jù)本發(fā)明的目的，提出另一種晶體管結(jié)構(gòu)的制造方法，包括提供一 基板；形成一具有第一摻雜物的第一阱區(qū)于基板內(nèi)；形成一具有第二摻雜物 的第二阱區(qū)于基板內(nèi)，第二阱區(qū)鄰接第一阱區(qū)；形成一第一絕緣層及一第二 絕緣層于基板上；形成一柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及一反熔絲導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu) 位于第一絕緣層上，反熔絲導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于第二絕緣層上，第二阱區(qū)位于反熔 絲導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之下；形成一輕摻雜源極區(qū)及一輕摻雜漏極區(qū)于基板內(nèi)；形成一 重摻雜源極區(qū)及一重摻雜漏極區(qū)，重摻雜源極區(qū)位于輕摻雜源極區(qū)內(nèi)，重摻 雜漏極區(qū)位于輕摻雜漏極區(qū)內(nèi)，重摻雜源極區(qū)的邊緣與輕摻雜源極區(qū)的邊緣 保持一第 一距離，重摻雜漏極區(qū)的邊緣與輕摻雜漏極區(qū)的邊緣保持一第二距 離。
為讓本發(fā)明的上述目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉幾個優(yōu) 選實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。


圖1本發(fā)明實施例一的一種金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2A 2M繪示本發(fā)明實施例一的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方 法的流程剖面圖3繪示本發(fā)明實施例一的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法的步驟 流程圖4繪示本發(fā)明實施例二的一種金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的結(jié)構(gòu)示意
圖5A 5M繪示繪示本發(fā)明實施例二的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制 造方法的流程剖面圖；以及
圖6繪示繪示本發(fā)明實施例二的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法的 步驟流程圖。
簡單符號說明
10、 20:遮蔽層 100、 200:晶體管結(jié)構(gòu) 112:第一阱區(qū) 116:源才及區(qū) 118:漏極區(qū) 122:第一場氧化物 124:第二場氧化物 132、 232:輕摻雜漏極區(qū) 134、 234:輕摻雜源極區(qū) 140、 140a:第一絕緣層 150:第二絕緣層 160:柵極結(jié)構(gòu) 162、 172:多晶硅層 164、 174:金屬層 166: 4冊才及間隙物 170:反熔絲結(jié)構(gòu) 176:反熔絲間隙物 180:間隙物材料層 192、 292:重摻雜漏極區(qū) 194、 294:重摻雜源才及區(qū)
具體實施例方式
本發(fā)明提出具有DDD結(jié)構(gòu)及反熔絲結(jié)構(gòu)的金屬氧化物半導(dǎo)體體晶體 管，可以較高的電壓進行操作而不會發(fā)生電擊穿。以下分別以各實施例做詳 細i兌明。
實施例一
請參照圖1，其繪示本發(fā)明實施例一的一種金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的 結(jié)構(gòu)示意圖。晶體管結(jié)構(gòu)100包括基H 110、第一阱區(qū)112、源極區(qū)116及 反熔絲結(jié)構(gòu)170。第一阱區(qū)112具有第一摻雜物并位于基板110內(nèi)。本實施 例中基板110為一P型基板，第一摻雜物為P型摻雜物，但本發(fā)明不限于此。
源極區(qū)116位于第一阱區(qū)112中，包括一輕摻雜源極區(qū)134以及一重摻雜源 極區(qū)194，重摻雜源極區(qū)194位于輕摻雜源極區(qū)134內(nèi)。重摻雜源極區(qū)194 的邊緣與輕摻雜源極區(qū)134的邊緣基本上保持一距離。此外，晶休管結(jié)構(gòu)100還包括位子第一阱區(qū)112中的漏極區(qū)118。漏極 區(qū)118包括輕摻雜漏極區(qū)132以及重摻雜漏才及區(qū)192，重摻雜漏極區(qū)192位 于輕摻雜漏極區(qū)132內(nèi)。晶體管結(jié)構(gòu)100還包括第一場氧化物122及第二場 氧化物124，源極區(qū)116及漏極區(qū)118位于第一場氧化物122及第二場氧化 物124之間。柵極結(jié)構(gòu)160設(shè)置于基底110上并位于源極區(qū)116及漏極區(qū)118之間。 柵極結(jié)構(gòu)160包括柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與柵極間隙物166。本實施例中，柵極導(dǎo)電 結(jié)構(gòu)為多晶硅(polysilicon)層162及金屬層164的雙層結(jié)構(gòu)。金屬層164例如 為硅化鴒(WSi)，設(shè)置于多晶硅層162上。柵極間隙物166包覆柵極導(dǎo)電結(jié) 構(gòu)的周圍并露出部分的柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。第一絕緣層140a位于柵極結(jié)構(gòu)160 與基板110之間，第二絕緣層150覆蓋第一絕緣層140a。第一絕緣層150及 第二絕緣層140a的材料例如為氮化硅或氧化硅，且第一絕緣層150及第二 絕緣層140a的材料可以相同或不同。反熔絲結(jié)構(gòu)170設(shè)置于源極區(qū)116上，包括反熔絲導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、反熔絲間 隙物176，以及第二絕緣層150,第二絕緣層150位于反熔絲導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與基 板110之間。更仔細地說，反熔絲結(jié)構(gòu)170包括位于反熔絲導(dǎo)電結(jié)構(gòu)下方的 部分的第二絕緣層150。本實施例中，由于工藝的關(guān)系，反熔絲導(dǎo)電結(jié)構(gòu)同 樣為多晶硅層172及金屬層174所構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)，并與多晶硅層162及金 屬層164為相同材料。反熔絲間隙物176包覆反熔絲導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的周圍并露出 部分的反熔絲導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。第二絕緣層150的厚度比第一絕緣層140a的厚度 要薄。當(dāng)對反熔絲結(jié)構(gòu)170施加足夠的電壓時，可以貫穿第二絕緣層150而 使源極區(qū)116與漏極區(qū)118導(dǎo)通。當(dāng)一存儲器具有多個晶體管結(jié)構(gòu)IOO所形 成的陣列時，可以根據(jù)程序編碼需要貫穿反熔絲結(jié)構(gòu)170來寫入數(shù)據(jù)，并可 根據(jù)柵極結(jié)構(gòu)160的控制電壓來操作導(dǎo)通電流。另外，上述重摻雜源極區(qū)194的邊緣與輕摻雜源極區(qū)134的邊緣、重摻 雜漏極區(qū)192的邊緣與輕摻雜漏極區(qū)132的邊緣分別保持一距離Dl及D2。 更仔細地說，此一距離指平行于基板110的主表面的水平距離。此一距離約 大于或等于0.25pm，并小于柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的一半長度，也就是約等于源極
區(qū)116及漏極區(qū)118間的通道的一半長度?！兜┰趯嶋H工藝中仍須注意輕摻雜 源極區(qū)134與輕摻雜漏極區(qū)132是否過于接近而造成熱載流子效應(yīng)。此外， 重摻雜源極區(qū)194及重摻雜漏極區(qū)192與第二場氧化物124及第一場氧化物 122的距離，赤優(yōu)選地分別為距離Dl及距離D2，使晶休營結(jié)構(gòu)100具有優(yōu) 選的操作可靠性。
因此，重摻雜源極區(qū)194與輕摻雜源極區(qū)134、重摻雜漏極區(qū)192與輕 摻雜漏極區(qū)132形成雙重擴散漏極(double diffiised drain，DDD)結(jié)構(gòu)。此種結(jié) 構(gòu)可以在高電壓下操作而不會發(fā)生電擊穿，可以適用于需要高功率操作的電 子產(chǎn)品。
此外，本實施例中更優(yōu)選地包括一具有第二摻雜物的第二阱區(qū)114，第 二阱區(qū)114位于反熔絲結(jié)構(gòu)170之下。本實施例中第二摻雜物為N型摻雜物， 輕摻雜源極區(qū)134、重摻雜源極區(qū)194、輕摻雜漏極區(qū)132及重摻雜漏極區(qū) 192的摻雜物與第二阱區(qū)114相同，但本發(fā)明不限于此。
另外，本實施例中由于工藝步驟順序的安排，使得柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于部 分的輕摻雜源極區(qū)134及部分的輕摻雜漏極區(qū)132之上，以下介紹本實施例 的晶體管結(jié)構(gòu)IOO的制造方法。請參照圖2A 2M,其繪示本發(fā)明實施例一 的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法的流程剖面圖。并請同時參照圖3， 其繪示本發(fā)明實施例一的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法的步驟流程 圖。
首先，請參照圖2A。如步驟301所示，提供一基板IIO。接著，如步驟 302所示，形成具有第一摻雜物的第一阱區(qū)112于基板110內(nèi)。本實施例以 光刻工藝形成圖案化遮蔽層并配合離子注入,將P型摻雜物注入P型基板中。
然后，請參照圖2B。如步驟303所示，形成一具有第二摻雜物的第二 阱區(qū)114于基板110內(nèi)，第二阱區(qū)114鄰接第一阱區(qū)112。本實施例以光刻 工藝形成圖案化遮蔽層并配合離子注入，將N型摻雜物注入P型基板中。
接著。請參照圖2C，形成第一場氧化物122及第二場氧化物124于基 板110上。場氧化物例如是以四乙基正硅酸鹽(Tetraethylorthosilicate， TEOS) 為基底，于氧化爐管內(nèi)含有水氣的環(huán)境中進行場氧化層的成長。
接著，請參照圖2D。如步驟304所示，形成輕摻雜源極區(qū)134及輕摻 雜漏極區(qū)132于基板110內(nèi)。本步驟同樣以光刻工藝形成圖案化遮蔽層并配 合離子注入，將N型摻雜物以低濃度進行注入。
然后，請參照圖2E。如步驟305所示，形成第一絕緣層140于基板110上。
接著，請參照圖2F。如步驟306所示，去除部分的第一絕緣層140，以 形成第一絕緣層i40a。此一步驟可以光刻工藝搭配蝕刻工藝進行。
然后，請參照圖2G。形成第二絕緣層150于基板110上，并覆蓋第一 絕緣層140a,第二絕緣層150的厚度較第一絕緣層140a的厚度為薄。本實 施例中，第一絕緣層140a的厚度大于200埃(angstrom, A)，第二絕緣層150 的厚度小于200A。
接著，請參照圖2H。如步驟307所示，形成柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及反熔絲導(dǎo) 電結(jié)構(gòu)。柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于第一絕緣層140a及第二絕緣層150上，反熔絲 導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于第二絕緣層150上，且第二阱區(qū)114位于反熔絲導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之下。 本實施例中柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及反熔絲導(dǎo)電結(jié)構(gòu)分別為具有多晶硅層162、金屬 層164，以及多晶硅層172、金屬層174的雙層結(jié)構(gòu)。本步驟可以依序沉積 多晶硅材料、金屬材料(例如硅化鵠)后，以光刻工藝配合蝕刻形成柵極導(dǎo) 電結(jié)構(gòu)及反熔絲導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
然后，請參照圖21。如步驟308所示，形成覆蓋基板IIO、柵極導(dǎo)電結(jié) 構(gòu)及反熔絲導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的間隙物材料層180。間隙物材料層180例如為四乙基 正硅酸鹽(Tetraethylorthosilicate，TEOS)。
接著，請參照圖2J。如步驟309所示，去除部分的間隙物材料層180， 以形成具有柵極間隙物166的柵極結(jié)構(gòu)160，及具有反熔絲間隙物176的反 熔絲結(jié)構(gòu)170。
然后，請參照圖2K。如步驟310所示，形成一遮蔽層IO于第一場氧化 物122及第二場氧化物124上。遮蔽層10例如為光刻工藝所形成的光致抗 蝕劑層。
接著，請參照圖2L。如步驟311所示，形成重摻雜源極區(qū)194及重摻 雜漏極區(qū)192,以分別形成源極區(qū)116及漏極區(qū)118。重摻雜源極區(qū)194位 于輕摻雜源極區(qū)134內(nèi)，重摻雜漏極區(qū)192位于輕摻雜漏極區(qū)132內(nèi)。重摻 雜源極區(qū)194的邊緣與輕摻雜源極區(qū)134的邊緣保持一距離Dl，重摻雜漏 極區(qū)192的邊緣與輕摻雜漏極區(qū)132的邊緣保持一距離D2。距離Dl及距離 D2是在基本上平行于基板110的主表面的方向的距離，分別約大于或等于 0.25pm并小該柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的一半長度(也就是約等于一半的通道長度)。
本步驟以遮蔽層10、柵極結(jié)構(gòu)160及反熔絲結(jié)構(gòu)170為屏蔽，以離子注入高 濃度的N型摻雜物形成重摻雜源極區(qū)194及重摻雜漏極區(qū)192。最后，請參照圖2M。如步驟312所示，去除遮蔽層IO,完成晶體管結(jié) 構(gòu)100。然而，本發(fā)明所屬的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，可知本發(fā)明的技術(shù)不限于此。 例如，步驟303所形成的第二阱區(qū)114可加強源極區(qū)116的電導(dǎo)通性，但此 一功能可以由輕摻雜源極區(qū)134及重摻雜源極區(qū)194所組成的DDD結(jié)構(gòu)來 達成。因此第二阱區(qū)114在本實施例中可以不需形成。實施例二請參照圖4,其繪示本發(fā)明實施例二的一種金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的 結(jié)構(gòu)示意圖。晶體管結(jié)構(gòu)200與實施例一的晶體管結(jié)構(gòu)100的主要不同之處， 在于輕摻雜源極區(qū)234、重摻雜源極區(qū)294、輕摻雜漏極區(qū)232及重摻雜漏 極區(qū)292的形成方式。由于工藝上的步驟順序不同，重摻雜源極區(qū)294與輕 摻雜源極區(qū)234間的距離D3,以及重摻雜漏極區(qū)292與輕摻雜漏極區(qū)232 間的距離D4約為0.8|im到3.0^irn之間。此外，重摻雜源極區(qū)294及重摻雜 漏極區(qū)292與第二場氧化物124及第一場氧化物122的距離，亦優(yōu)選地分別 為距離D3及距離D4,使晶體管結(jié)構(gòu)200具有優(yōu)選的操作可靠性。其余相同 的元件繼續(xù)沿用其標(biāo)號，并不再敘述其功能。以下介紹本發(fā)明實施例二的晶 體管結(jié)構(gòu)200的制造方法。請參照圖5A 5M，其繪示本發(fā)明實施例二的金 屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法的流程剖面圖。并請同時參照圖6，其繪 示本發(fā)明實施例二的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法的步驟流程圖。首先，請參照圖5A。如步驟601所示，提供一基板IIO。接著，如步驟 602所示，形成具有第一摻雜物的第一阱區(qū)112于基板110內(nèi)。然后，請參考圖5B。如步驟603所示，形成具有第二摻雜物的第二阱 區(qū)114于基板110內(nèi)，第二阱區(qū)114鄰接第一阱區(qū)112。接著，請參考圖5C。形成第一場氧化物122及第二場氧化物124于基 板110上。然后，請參考圖5D。如步驟604所示，形成第一絕緣層140于基板110上。接著，請參考圖5E。如步驟605所示，去除部分的第一絕緣層140，以 形成第一絕緣層140a。
然后，請參考圖5F。形成第二絕緣層150于基板110上，并覆蓋第一絕 緣層140a，第二絕緣層150的厚度較第一絕緣層140a的厚度為薄。本實施 例中，第一絕緣層140a的厚度大于200A,第二絕緣層150的厚度小于200A。
接著，請參考圖5G。如步驟606所殺，形成柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及反熔絲導(dǎo) 電結(jié)構(gòu)。柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于第一絕緣層上140a及第二絕緣層150上，反熔 絲導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于第二絕緣層150上，且第二阱區(qū)114位于反熔絲導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之 下。
然后，請參照圖5H。如步驟607所示，形成輕摻雜源極區(qū)234及輕摻 雜漏極區(qū)232于基板內(nèi)110。與實施例一的晶體管結(jié)構(gòu)IOO不同之處，在于 因為柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及反熔絲導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的遮蔽效應(yīng)，柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及反熔絲導(dǎo) 電結(jié)構(gòu)的下方不會形成輕摻雜源極區(qū)234及輕摻雜漏極區(qū)232的離子摻雜區(qū) 域。
接著，請參照圖51。如步驟608所示，形成覆蓋基板IIO、柵極導(dǎo)電結(jié) 構(gòu)及反熔絲導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的間隙物材料層180。
然后，請參照圖5J。如步驟609所示，去除部分的間隙物材料層180， 以形成4冊極結(jié)構(gòu)160及反熔絲結(jié)構(gòu)170。
接著，請參照圖5K。如步驟610所示，形成遮蔽層20于第一場氧化物 122、第二場氧化物124與門極結(jié)構(gòu)160上，且遮蔽層20覆蓋部分的基板110。
然后，請參照圖5L。如步驟6U所示，形成重摻雜源極區(qū)294及重摻 雜漏極區(qū)292。重摻雜源極區(qū)294位于輕摻雜源極區(qū)234內(nèi)，重摻雜漏極區(qū) 292位于輕摻雜漏極區(qū)232內(nèi)。重摻雜源極區(qū)294的邊緣與輕摻雜源極區(qū)234 的邊緣保持一距離D3,重摻雜漏極區(qū)292的邊緣與輕摻雜漏極區(qū)232的邊 緣保持一距離D4。距離D3及距離D4是在基本上平行于基板110的主表面 的方向的距離，且距離D3或距離D4約為0.8(xm到3.(Vm之間。本步驟以 遮蔽層20、柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、柵極間隙物166、反熔絲導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及反熔絲間隙 物176為屏蔽，以離子注入形成重摻雜源極區(qū)294及重摻雜漏極區(qū)292。
接著，請參照圖5M。如步驟612所示，去除遮蔽層20,完成晶體管結(jié) 構(gòu)200。
實施例二的晶體管結(jié)構(gòu)200中，重摻雜區(qū)與輕摻雜區(qū)之間具有更大的間 距，因此可以適用于更高電壓的操作。
本發(fā)明上述實施例所揭露的晶體管結(jié)構(gòu)及其制造方法，提出具有DDD
結(jié)構(gòu)及反熔絲結(jié)構(gòu)的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，可用于需要進行高電壓操作的記憶裝置或邏輯控制單元。由于DDD結(jié)構(gòu)的特性，在高電壓操作下不會 產(chǎn)生電擊穿，可以延長晶體管的壽命及提高可靠度。綜上所迷，雖然本發(fā)明以優(yōu)選實施例揭露如上，然而其并非用以限定本 發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動 與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當(dāng)以后附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種晶體管結(jié)構(gòu)，包括基板；具有第一摻雜物的第一阱區(qū)，位于該基板內(nèi)；源極區(qū)，位于該第一阱區(qū)中，該源極區(qū)包括輕摻雜源極區(qū)以及重摻雜源極區(qū)，該重摻雜源極區(qū)位于該輕摻雜源極區(qū)內(nèi)，該重摻雜源極區(qū)的邊緣與該輕摻雜源極區(qū)的邊緣在平行于基板的主表面的方向保持一距離；以及反熔絲結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該源極區(qū)上。
2. 如權(quán)利要求1所述的晶體管結(jié)構(gòu)，還包括漏極區(qū)，位于該第一阱區(qū)中， 該漏極區(qū)包括輕摻雜漏極區(qū)以及重摻雜漏極區(qū)，該重摻雜漏極區(qū)位于該輕摻 雜漏極區(qū)內(nèi)，該重摻雜漏極區(qū)的邊緣與該輕摻雜漏極區(qū)的邊緣保持距離。
3. 如權(quán)利要求2所述的晶體管結(jié)構(gòu)，還包括第一場氧化物及第二場氧化 物，該源極區(qū)及該漏極區(qū)位于該第一場氧化物及該第二場氧化物之間。
4. 如權(quán)利要求2所述的晶體管結(jié)構(gòu)，還包括柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該基底上 并位于該源極區(qū)及該漏極區(qū)之間。
5. 如權(quán)利要求4所述的晶體管結(jié)構(gòu)，其中該柵極結(jié)構(gòu)包括柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu) 及柵極間隙物，該柵極間隙物包覆該柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的周圍并露出部分的該柵 極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
6. 如權(quán)利要求5所述的晶體管結(jié)構(gòu)，其中該柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于部分的該 輕摻雜源極區(qū)及部分的該輕摻雜漏極區(qū)之上。
7. 如權(quán)利要求5所述的晶體管結(jié)構(gòu)，其中該柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)還包括多晶硅 層及金屬層，該金屬層設(shè)置于該多晶硅層上。
8. 如權(quán)利要求5所述的晶體管結(jié)構(gòu)，其中該距離約大于或等于0.25pm, 并小于該柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的一半長度。
9. 如權(quán)利要求4所述的晶體管結(jié)構(gòu)，其中該反熔絲結(jié)構(gòu)還包括反熔絲導(dǎo) 電結(jié)構(gòu)及反熔絲間隙物，該反熔絲間隙物包覆該反熔絲導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的周圍并露 出部分的該反熔絲導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
10. 如權(quán)利要求9所述的晶體管結(jié)構(gòu)，還包括第一絕緣層，該第一絕緣 層位于該柵極結(jié)構(gòu)與該基板之間。
11. 如權(quán)利要求IO所述的晶體管結(jié)構(gòu)，其中該反熔絲結(jié)構(gòu)還包括第二絕緣層，該第二絕緣層位于該反熔絲導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與該基板之間，該第一絕緣層的 厚度大于該第二絕緣層。
12. 如權(quán)利要求1所述的晶體管結(jié)構(gòu)，還包括具有第二摻雜物的第二阱 區(qū)，該第二阱區(qū)位于該反熔絲結(jié)構(gòu)之下。
13. 如權(quán)利要求1所述的晶體管結(jié)構(gòu)，其中該距離約為0.8ixm到3.(Vm之間。
14. 一種晶體管結(jié)構(gòu)的制造方法，包括(a) 提供基板；(b) 形成具有第 一摻雜物的第 一 阱區(qū)于該基板內(nèi)；(c) 形成輕摻雜源極區(qū)及輕摻雜漏極區(qū)于該基板內(nèi)；(d) 形成第 一絕緣層于該基板上；(e) 形成柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及反熔絲導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，該柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于該第一絕 緣層上，該反熔絲導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于該第二絕緣層上；以及(f) 形成重摻雜源極區(qū)及重摻雜漏極區(qū)，該重摻雜源極區(qū)位于該輕摻雜源 極區(qū)內(nèi)，該重摻雜漏極區(qū)位于該輕摻雜漏極區(qū)內(nèi)，該重摻雜源極區(qū)的邊緣與 該輕摻雜源極區(qū)的邊緣保持第一距離，該重摻雜漏極區(qū)的邊緣與該輕摻雜漏 極區(qū)的邊緣保持第二距離。
15. 如權(quán)利要求14所述的方法，還包括(g) 形成具有第二摻雜物的第二阱區(qū)于該基板內(nèi)，該第二阱區(qū)鄰接該第一 阱區(qū)，該第二阱區(qū)位于該反熔絲導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之下。
16. 如權(quán)利要求14所述的方法，還包括(h) 形成第 一場氧化物及第二場氧化物于該基板上。
17. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中步驟(d)還包括 (dl)去除部分的該第一絕緣層；以及(d2)形成一 第二絕緣層于該基板上。
18. 如權(quán)利要求14所述的方法，還包括(11) 形成一覆蓋該基板、該柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及該反熔絲導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的間隙物 材料層；以及(12) 去除部分的該間隙物材料層，以形成一柵極結(jié)構(gòu)及一反熔絲結(jié)構(gòu)。
19. 如權(quán)利要求14所迷的方法，其中步驟(f)前還包括 (j)形成一遮蔽層。
20. 如權(quán)利要求19所述的方法，其中步驟(f)中，以該遮蔽層、柵極結(jié)構(gòu) 及反熔絲結(jié)構(gòu)為屏蔽，以離子注入形成該重摻雜源極區(qū)及該重摻雜漏極區(qū)。
21. 如權(quán)利要求19所述的方法，其中步驟(f)后還包括 (k)去除該遮蔽層。
22. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中步驟(f)中該第一距離或該第二距離 約大于或等于0.25,,并小于該柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的一半長度。
23. —種晶體管結(jié)構(gòu)的制造方法，包括(a) 提供基板；(b) 形成具有第 一摻雜物的第 一 阱區(qū)于該基板內(nèi)；(c) 形成具有第二摻雜物的第二阱區(qū)于該基板內(nèi)，該第二阱區(qū)鄰接該第一 阱區(qū)；(d) 形成第一絕緣層于該基板上；(e) 形成柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及反熔絲導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，該柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于該第 一絕 緣層上，該反熔絲導(dǎo)電結(jié)構(gòu)位于該第二絕緣層上，該第二阱區(qū)位于該反熔絲 導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之下；(f) 形成輕摻雜源極區(qū)及輕摻雜漏極區(qū)于該基板內(nèi)；以及(g) 形成重摻雜源極區(qū)及重摻雜漏極區(qū)，該重摻雜源極區(qū)位于該輕摻雜源 極區(qū)內(nèi)，該重摻雜漏極區(qū)位于該輕摻雜漏極區(qū)內(nèi)，該重摻雜源極區(qū)的邊緣與 該輕摻雜源極區(qū)的邊緣保持一第一距離，該重摻雜漏極區(qū)的邊緣與該輕摻雜 漏極區(qū)的邊緣保持第二距離。
24. 如權(quán)利要求23所述的方法，還包括(h) 形成第 一場氧化物及第二場氧化物于該基板上。
25. 如權(quán)利要求23所述的方法，其中步驟(d)還包括 (dl)去除部分的該第一絕緣層；以及(d2)形成第二絕緣層于該基板上。
26. 如權(quán)利要求23所述的方法，還包括(11) 形成覆蓋該基板、該柵極導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及該反熔絲導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的間隙物材 料層；以及(12) 去除部分的間隙物材料層，以形成一柵極結(jié)構(gòu)及反熔絲結(jié)構(gòu)。
27. 如權(quán)利要求23所迷的方法，其中步驟(g)前還包括 (j)形成遮蔽層于該第一場氧化物、該第二場氧化物及4冊極結(jié)構(gòu)上，且該遮蔽層覆蓋部分的該基4反。
28. 如權(quán)利要求27所述的方法，其中步驟(g)中，以該遮蔽層、該柵極 導(dǎo)電結(jié)構(gòu)及該反熔絲導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為屏蔽，以離子注入形成該重摻雜源極區(qū)及該 童摻雜漏極區(qū)。
29. 如權(quán)利要求27所述的方法，其中步驟(g)后還包括 (k)去除該遮蔽層。
30. 如權(quán)利要求23所述的方法，其中步驟(g)中該第一距離或該第二距 離約為0.8|am到3.0(im之間。
全文摘要
一種晶體管結(jié)構(gòu)，包括一基板、一第一阱區(qū)、一源極區(qū)及一反熔絲結(jié)構(gòu)。第一阱區(qū)具有第一摻雜物并位于基板內(nèi)。源極區(qū)位于第一阱區(qū)中，包括一輕摻雜源極區(qū)以及一重摻雜源極區(qū)，重摻雜源極區(qū)位于輕摻雜源極區(qū)內(nèi)。重摻雜源極區(qū)的邊緣與輕摻雜源極區(qū)的邊緣基本上保持一距離。反熔絲結(jié)構(gòu)設(shè)置于源極區(qū)上。
文檔編號H01L29/78GK101154683SQ200610142189
公開日2008年4月2日 申請日期2006年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月29日
發(fā)明者葉清本, 林正基, 連士進 申請人:旺宏電子股份有限公司