專(zhuān)利名稱(chēng)：薄膜晶體管顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半穿透半反射式液晶顯示器及其制造方法，且特 別涉及一種半穿透半反射式液晶顯示器之薄膜晶體管顯示器件及其 制造方法。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管顯示器件(Thin Film Transistor displaying device, TFT displaying device)是液晶顯示器之重要器件之一。每一薄膜晶體管顯 示器件均可驅(qū)動(dòng)液晶顯示器之液晶旋轉(zhuǎn)，使得穿越液晶之光線產(chǎn)生折 射而組合成顯示畫(huà)面。半穿透半反射式顯示器(Transflecrive display device)之光源可 同時(shí)由外界光源及顯示器內(nèi)部之背光模塊(Backlightmodule)所提供。 相對(duì)于全穿透式顯示器，半穿透半反射式顯示器可減少電源之使用。 且相對(duì)于全反射式顯示器，半穿透半反射式顯示器還可以在外界光源 不足的情況下，由背光模塊提供足夠之光源。半穿透半反射式顯示器 可大幅提高陽(yáng)光下的可讀性，并可節(jié)省耗電量，使其廣泛地應(yīng)用于各 種電子產(chǎn)品中。傳統(tǒng)之半穿透半反射式顯示器之薄膜晶體管顯示器件之像素區(qū) 域具有透光區(qū)及反射區(qū)。傳統(tǒng)薄膜晶體管顯示器件之制造方法包括以 下步驟。首先利用四道光掩模依序形成柵極(Gate electrode)、柵極 絕緣層、源極金屬層(Source metal layer)及漏極金屬層(Drain metal layer)于基板上，其中源極金屬層及漏極金屬層以電絕緣方式位于柵 極上方。接著，形成鈍化層(PassivationLayer)覆蓋于柵極、源極金 屬層及漏極金屬層。然后，利用第五道光掩模形成過(guò)孔(Via)貫穿 鈍化層，用以暴露出漏極金屬層之部分表面。接著，利用第六光掩模 形成透光區(qū)電極于透光區(qū)之該鈍化層之上方。然后，利用第七道光掩 模形成多重表面層于反射區(qū)之鈍化層上。最后，利用第八道光掩模形 成及反射區(qū)電極于多重表面層上。然而一道光掩模制作過(guò)程包括光阻涂敷、軟烤、硬烤、曝光、 顯影、蝕刻、去光阻及清洗等步驟。在薄膜晶體管顯示器件之制造過(guò) 程中，每一制造程序均有機(jī)會(huì)造成微粒子的污染，而影響產(chǎn)品之合格 率。且每一制造程序均花費(fèi)許多的工時(shí)成本、人力成本及機(jī)臺(tái)購(gòu)置成 本。發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明的目的就是提供一種薄膜晶體管顯示器件及其 制造方法，其利用半色調(diào)光掩模定義過(guò)孔、透光區(qū)電極以及反射區(qū)電 極三者其中之二，使得制作過(guò)程光掩模數(shù)減少。不僅縮短制作過(guò)程步 驟，還能減少微粒子污染之機(jī)會(huì)和工時(shí)成本、人力成本及機(jī)臺(tái)購(gòu)置成 本的支出。根據(jù)本發(fā)明之目的，提出一種薄膜晶體管顯示器件制造方法。薄 膜晶體管顯示器件設(shè)置于一半穿透半反射式顯示器，薄膜晶體管顯示 器件具有一透光區(qū)及一反射區(qū)。首先，形成一柵極、 一源極金屬層及 一漏極金屬層于一基板上，其中源極金屬層及漏極金屬層電絕緣地位 于柵極之上方。接著，形成一鈍化層覆蓋于該柵極、該源極金屬層及 該漏極金屬層。然后，形成一過(guò)孔貫穿鈍化層，用以暴露出漏極金屬 層之部分表面。接著，形成一透光區(qū)電極于透光區(qū)之鈍化層上方。接 著，形成一反射區(qū)電極于反射區(qū)之鈍化層上方。其中，以一半色調(diào)光 掩模定義過(guò)孔、透光區(qū)電極以及反射區(qū)電極三者其中之二。根據(jù)本發(fā)明之目的，再提出一種薄膜晶體管顯示器件，薄膜晶體 管顯示器件設(shè)置于一半穿透半反射式顯示器。薄膜晶體管顯示器件具 有一透光區(qū)及一反射區(qū)所構(gòu)成之一像素區(qū)。薄膜晶
置于柵極上方。漏極金屬層與源極金屬層電絕緣地設(shè)置于柵極上方。 鈍化層覆蓋柵極、源極金屬層及漏極金屬層，且鈍化層包括一過(guò)孔， 以暴露漏極金屬層之部分表面。透光區(qū)電極設(shè)置于鈍化層上，并位于 透光區(qū)。透明導(dǎo)電層設(shè)置于鈍化層上方，并位于反射區(qū)。反射區(qū)電極 設(shè)置于鈍化層上方，并位于反射區(qū)。根據(jù)本發(fā)明之目的，另提出一種薄膜晶體管顯示器件，薄膜晶體 管顯示器件設(shè)置于一半穿透半反射式顯示器。薄膜晶體管顯示器件具 有一透光區(qū)及一反射區(qū)所構(gòu)成之一像素區(qū)。薄膜晶體管顯示器件包括 一柵極、 一源極金屬層、 一漏極金屬層、 一鈍化層、 一透光區(qū)電極及 一反身才區(qū)電極。柵極設(shè)置于一基板上。源極金屬層設(shè)置于柵極上方。 漏極金屬層與源極金屬層電絕緣地設(shè)置于柵極上方。鈍化層覆蓋柵 極、源極金屬層及漏極金屬層，且鈍化層包括一過(guò)孔，以暴露漏極金 屬層之部分表面。反射區(qū)電極設(shè)置于鈍化層上方，并位于反射區(qū)，其 中反身寸區(qū)電極層還填滿過(guò)孔。透光區(qū)電極設(shè)置于鈍化層上，并位于透 光區(qū)。為讓本發(fā)明之上述目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉 較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1 A 1L示出了依照本發(fā)明之實(shí)施例一的半穿透半反射式顯示 器之薄膜晶體管顯示器件之制造方法的流程圖。圖2A 2J示出了依照本發(fā)明之實(shí)施例二的半穿透半反射式顯示 器之薄膜晶體管顯示器件之制造方法的流程圖。圖3A 31示出了依照本發(fā)明之實(shí)施例三的半穿透半反射式顯示 器之薄膜晶體管顯示器件之制造方法的流程圖。圖4A 4J示出了依照本發(fā)明之實(shí)施例四的半穿透半反射式顯示 器之薄膜晶體管顯示器件之制造方法的流程圖。圖5A 5H示出了依照本發(fā)明之實(shí)施例五的半穿透半反射式顯示器之薄膜晶體管顯示器件之制造方法的流程圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明的主要構(gòu)想就在于提供一種薄膜晶體管顯示器件及其制 造方法，其利用半色調(diào)光掩模定義過(guò)孔、透光區(qū)電極以及反射區(qū)電極 三者其中之二，可減少一道制作過(guò)程光掩模數(shù)。以下舉幾組實(shí)施例配 合附圖做詳細(xì)說(shuō)明，然此些實(shí)施例與附圖僅為本發(fā)明之發(fā)明精神下的 幾種實(shí)施方式，并不會(huì)對(duì)本發(fā)明之欲保護(hù)范圍進(jìn)行限縮，本發(fā)明之欲 保護(hù)范圍仍以申請(qǐng)專(zhuān)利范圍所述者為限。實(shí)施例一本發(fā)明之實(shí)施例一利用半色調(diào)光掩模定義透光區(qū)電極以及反射區(qū)電極，使得制作過(guò)程光掩模數(shù)減少。圖1A 1L示出了依照本發(fā)明 之實(shí)施例一的半穿透半反射式顯示器之薄膜晶體管顯示器件之制造 方法的流程圖。本實(shí)施例之半穿透半反射式顯示器之薄膜晶體管顯示 器件具有由透光區(qū)A23及反射區(qū)A25所構(gòu)成之像素區(qū)A2。薄膜晶體 管顯示器件還具有像素間隔區(qū)A3，包圍透光區(qū)A23以及反射區(qū)A25。首先，如圖1A所示，形成柵極(Gate electrode) 13、柵極絕緣 層14、溝道層15、重?fù)诫s歐姆接觸層16、源極金屬層(Sourcemetal layer) 17及漏極金屬層(Drainmetal layer) 18于基板11上。其中， 源極金屬層17及漏極金屬層18電絕緣地位于柵極13上方。接著， 如圖1B所示，形成鈍化層(Passivation Layer) 19覆蓋于柵極13、 源極金屬層17及漏極金屬層18。較佳的是，如圖1C所示，形成多 重角度表面層22于鈍化層19上。多重角度表面層22位于反射區(qū)A25 中，并具有數(shù)個(gè)峰部22a及谷部22b。接著，如圖1D所示，形成過(guò)孔26貫穿鈍化層19。過(guò)孔26用以 暴露出漏極金屬層18之部分表面。需注意的是，在接下來(lái)的制作過(guò)程中，將利用一道半色調(diào)光掩模 定義出透光區(qū)電極以及反射區(qū)電極。本步驟主要是利用半色調(diào)光掩模 形成之高度具有差異的光阻層，配合差異畫(huà)蝕刻光阻層，使得光阻層
經(jīng)蝕刻前后分定義出不同區(qū)域，藉此同時(shí)定義出透光區(qū)電極以及反射區(qū)電極，其詳細(xì)步驟描述如下。首先，如圖1E所示，形成透明導(dǎo)電 層24于鈍化層19以及多重角度表面層22上。透明導(dǎo)電層24還填滿 過(guò)孔26，透明導(dǎo)電層24為一種具有導(dǎo)電性及透光性之材質(zhì)，例如是 氧化銦錫層(Indium Tin Oxide layer, ITO layer)。接著，如圖IF所 示，形成反射金屬層27于透明導(dǎo)電層24上。其中，反射金屬層27 沿著多重角度表面層22之峰部22a及谷部22b，形成數(shù)個(gè)峰部27a 及數(shù)個(gè)谷部27b于反射區(qū)A25中。峰部27a及谷部27b用以提供不 同角度之反射角，以反射出多角度之光線。反射金屬層27為具有導(dǎo) 電性及可反射光線之材質(zhì)，例如是鋁層。然后，如圖1G所示，均勻 地涂敷光阻層30于反射金屬層27上。接著，如圖1H所示，利用半 色調(diào)光掩模圖案化光阻層30，并據(jù)以形成第一圖案化光阻層311。第 一圖案化光阻層311具有開(kāi)口 311b于像素間隔區(qū)A3。位于透光區(qū) A23之第一圖案化光阻層311具有第一厚度D1，位于反射區(qū)A25之 第一圖案化光阻層311具有第二厚度D2，且第一厚度Dl小于第二厚 度D2。然后，如圖1I所示，以第一圖案化光阻層311為屏蔽，去除 開(kāi)口 311b中之反射金屬層27及透明導(dǎo)電層24。使得像素間隔區(qū)A3 兩側(cè)之反射金屬層27及透明導(dǎo)電層24相互絕緣。接著，如圖1J所 示，由第一圖案化光阻層311之頂面311a向下去除第一厚度Dl之第 一圖案化光阻層311,例如是利用氧等離子體灰化(02 plasma ashing) 制作過(guò)程，以形成第二圖案化光阻層321。第二圖案化光阻層321還 暴露出透光區(qū)A23，并覆蓋反射區(qū)A25。然后，如圖1K所示。以第 二圖案化光阻層321為屏蔽，去除透光區(qū)A23之反射金屬層27，并 據(jù)以形成透光區(qū)電極231及反射區(qū)電極251。其中，透光區(qū)電極231 為透光區(qū)A23之透明導(dǎo)電層24，反射區(qū)電極251包括反射區(qū)A25之 透明導(dǎo)電層24以及反射金屬層27。藉此在一道光掩模制作過(guò)程中， 配合多道次蝕刻步驟同時(shí)形成反射區(qū)電極以及透光區(qū)電極。最后，如圖1L所示，去除第二圖案化光阻層321。以形成半穿 透半反射式顯示器之薄膜晶體管顯示器件1，包括柵極13、源極金屬 層17、漏極金屬層18、鈍化層19、透光區(qū)極231及反射區(qū)電極251。
柵極13設(shè)置于基板11上。源極金屬層17設(shè)置于柵極13之上方，漏 極金屬層18與源極金屬層17電絕緣地設(shè)置于柵極13上方。鈍化層 19覆蓋柵極13、源極金屬層17及漏極金屬層18，且鈍化層19包括 過(guò)孔26，以暴露漏極金屬層18之部分表面。透光區(qū)電極231為透光 區(qū)A23之透明導(dǎo)電層24，反射區(qū)電極251包括反射區(qū)A25之透明導(dǎo) 電層24以及反射金屬層27。雖然本發(fā)明之薄膜晶體管顯示器件100是以先形成多重角度表 面層22，再形成過(guò)孔26為例作說(shuō)明，但是本發(fā)明亦可先形成過(guò)孔26， 再形成多重角度表面層22。只要是利用半色調(diào)光掩模定義過(guò)孔26、 透光區(qū)電極231及反射區(qū)電極251，以達(dá)到形成半穿透半反射式顯示 器之薄膜晶體管顯示器件100之目的，皆不脫離本發(fā)明之技術(shù)范圍。實(shí)施例二本發(fā)明之實(shí)施例二利用半色調(diào)光掩模定義過(guò)孔以及反射區(qū)電極。 在操作步驟上，本實(shí)施例之薄膜晶體管顯示器件之制造方法與實(shí)施例 一之薄膜晶體管顯示器件之制造方法不同處在于形成鈍化層之后的 步驟，且薄膜晶體管顯示器件之結(jié)構(gòu)不同之處在于過(guò)孔及反射區(qū)之結(jié) 構(gòu)，其余相同之處并不再贅述。請(qǐng)參照?qǐng)D2A 2J示出了依照本發(fā)明之實(shí)施例二的半穿透半反射 式顯示器之薄膜晶體管顯示器件之制造方法的流程圖。首先，如圖 2A所示，如上述實(shí)施例一所述之方法依序形成柵極13、柵極絕緣層 14、溝道層15、重?fù)诫s歐姆接觸層16、源極金屬層17及漏極金屬層 18于基板11上。在接下來(lái)的制作過(guò)程中，將利用一道半色調(diào)光掩模定義出透光區(qū) 電極以及過(guò)孔，其詳細(xì)步驟描述如下。首先，形成透明導(dǎo)電層24于 鈍化層19之上方，并涂敷光阻層30于透明導(dǎo)電層24上，如圖2B 所示。然后，如圖2C所示，以半色調(diào)光掩模圖案化光阻層30以形 成第一圖案化光阻層312。其中，第一圖案化光阻層312具有開(kāi)口 312b，開(kāi)口 312b對(duì)應(yīng)至漏極金屬層18。位于透光區(qū)A23之第一圖案 化光阻層312具有第一厚度Dl，位于像素間隔區(qū)A3及反射區(qū)A25 之第一圖案化光阻層312具有第二厚度D2。第一厚度Dl大于第二 厚度D2。然后，如圖2D所示，以第一圖案化光阻層312為屏蔽， 去除開(kāi)口 312b中之透明導(dǎo)電層24及鈍化層19，并據(jù)以形成過(guò)孔26。 接著，如圖2E所示，由第一圖案化光阻層312之頂面312a向下去除 第二厚度D2之第一圖案化光阻層312，以形成第二圖案化光阻層 322。第二圖案化光阻層322暴露出像素間隔區(qū)A3及反射區(qū)A25， 并覆蓋透光區(qū)A23。然后，如圖2F所示。以第二圖案化光阻層322 為屏蔽，去除位于像素間隔區(qū)A3及反射區(qū)A25之透明導(dǎo)電層24， 以形成透光區(qū)電極232。透光區(qū)電極232包括透光區(qū)A23之透明導(dǎo)電 層24。接著，如圖2G所示，去除第二圖案化光阻層322。藉此在一 道光掩模制作過(guò)程中，配合多道次蝕刻步驟同時(shí)形成過(guò)孔以及透光區(qū) 電極。較佳的是，如圖2H所示，形成多重角度表面層22于鈍化層19 上，并位于反射區(qū)A25。接著，如圖2I所示。形成反射金屬層27于 多重角度表面層22上及透光區(qū)電極232上，并填滿過(guò)孔26。最后，如圖2J所示。圖案化反射金屬層27，以形成反射區(qū)電極 252。藉此形成實(shí)施例二之薄膜晶體管顯示器件200。其中實(shí)施例二 之薄膜晶體管顯示器件200與實(shí)施例一之薄膜晶體管顯示器件100大 致上相同，惟實(shí)施例二之過(guò)孔26由反射金屬層27所填滿，且反射區(qū) 電極252為反射區(qū)A25之反射金屬層27。實(shí)施例三本發(fā)明之實(shí)施例三利用半色調(diào)光掩模定義過(guò)孔以及反射區(qū)電極。 本實(shí)施例之薄膜晶體管顯示器件之制造方法與實(shí)施例二之薄膜晶體 管顯示器件之制造方法不同處在于涂敷光阻后的步驟，且薄膜晶體管 顯示器件之結(jié)構(gòu)不同之處在于反射區(qū)之結(jié)構(gòu)，其余相同之處并不再贅 述。請(qǐng)參照?qǐng)D3A 31示出了依照本發(fā)明之實(shí)施例三的半穿透半反射 式顯示器之薄膜晶體管顯示器件之制造方法的流程圖。首先，如圖 3A所示，按照上述實(shí)施例之方法依序形成柵極13、柵極絕緣層14、 溝道層15、重?fù)诫s歐姆接觸層16、源極金屬層17及漏極金屬層18、 鈍化層19、透明導(dǎo)電層24以及光阻層30于基板11上，如圖3A所示。在接下來(lái)的制作過(guò)程中，將利用一道半色調(diào)光掩模定義出透光區(qū) 電極以及過(guò)孔，其詳細(xì)步驟描述如下。接著，如圖3B所示，以半色 調(diào)光掩模圖案化光阻層30以形成第一圖案化光阻層313。其中，第 一圖案化光阻層313具有開(kāi)口 313b,開(kāi)口 313b對(duì)應(yīng)至漏極金屬層18。 位于透光區(qū)A23及反射區(qū)A25之第一圖案化光阻層313具有第一厚 度Dl，位于像素間隔區(qū)A3之第一圖案化光阻層313具有第二厚度 D2。第一厚度D1大于第二厚度D2。然后，如圖3C所示，以第一圖 案化光阻層313為屏蔽，去除開(kāi)口 313b中之透明導(dǎo)電層24及鈍化層 19，并據(jù)以形成過(guò)孔26。接著，如圖3D所示，由第一圖案化光阻層 313之頂面311a向下去除第二厚度D2之第一圖案化光阻層313，以 形成第二圖案化光阻層323，第二圖案化光阻層323暴露出像素間隔 區(qū)A3，并覆蓋透光區(qū)A23及反射區(qū)A25。然后，如圖3E所示。以 第二圖案化光阻層323為屏蔽，去除位于像素間隔區(qū)A3之透明導(dǎo)電 層24，以形成透光區(qū)電極A23。透光區(qū)電極233包括透光區(qū)A23之 透明導(dǎo)電層24。接著，如圖3F所示，去除第二圖案化光阻層323。 藉此在一道光掩模制作過(guò)程中，配合多道次蝕刻步驟同時(shí)形成反射區(qū) 電極以及透光區(qū)電極。然后，如圖3G所示，形成多重角度表面層22于透明導(dǎo)電層24 上，并位于反射區(qū)A25。接著，如圖3H所示。形成反射金屬層27 于多重角度表面層22上及透光區(qū)電極233上，并填滿過(guò)孔26。最后，如圖3I所示。圖案化反射金屬層27，以形成反射區(qū)電極 253。藉此形成實(shí)施例三之薄膜晶體管顯示器件300。實(shí)施例三之薄 膜晶體管顯示器件300與實(shí)施例二之薄膜晶體管顯示器件200之結(jié)構(gòu) 大致上相同，惟實(shí)施例三之薄膜晶體管顯示器件于反射區(qū)增加一層透 明導(dǎo)電層24，且透明導(dǎo)電層24介于多重角度表面層22及鈍化層19 之間。
實(shí)施例四本發(fā)明之實(shí)施例四利用半色調(diào)光掩模定義過(guò)孔以及反射區(qū)電極。 本實(shí)施例之薄膜晶體管顯示器件之制造方法與實(shí)施例二之薄膜晶體 管顯示器件之制造方法不同處在于形成鈍化層之步驟后的步驟，其余 相同之處并不再贅述。請(qǐng)參照?qǐng)D4A 4J示出了依照本發(fā)明之實(shí)施例四的半穿透半反射 式顯示器之薄膜晶體管顯示器件之制造方法的流程圖。首先，請(qǐng)參照 圖4A，如上述實(shí)施例所述之方法依序形成柵極13、柵極絕緣層14、 溝道層15、重?fù)诫s歐姆接觸層16、源極金屬層17、漏極金屬層18 以及鈍化層19于基板11上，并形成多重角度表面層22于鈍化層19 之上方，并位于反射區(qū)A25。接著，如圖4B所示，形成透明導(dǎo)電層 24于鈍化層19及多重角度表面層22上。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D4C，涂敷 光阻層30于透明導(dǎo)電層24上。然后，如圖4D所示，以半色調(diào)光掩模圖案化光阻層30以形成 第一圖案化光阻層314。其中，第一圖案化光阻層314具有一開(kāi)口 314b，開(kāi)口 314b對(duì)應(yīng)至漏極金屬層18。位于透光區(qū)A23之第一圖案 化光阻層314具有第一厚度Dl，位于像素間隔區(qū)A3及反射區(qū)A25 之第一圖案化光阻層314具有第二厚度D2。第一厚度Dl大于第二 厚度D2。然后，如圖4E所示。以第一圖案化光阻層314為屏蔽，去 除開(kāi)口 314b中之透明導(dǎo)電層24及鈍化層19，并據(jù)以形成過(guò)孔26。接著，如圖4F所示，由第一圖案化光阻層314之頂面314a向下 去除第二厚度D2之第一圖案化光阻層314。以形成第二圖案化光阻 層324，第二圖案化光阻層324暴露出像素間隔區(qū)A3及反射區(qū)A25， 并覆蓋透光區(qū)A23。然后，請(qǐng)參照?qǐng)D4G。以第二圖案化光阻層324 為屏蔽，去除位于像素間隔區(qū)A3及反射區(qū)A25之透明導(dǎo)電層24， 以形成一透光區(qū)電極A23。透光區(qū)電極234包括透光區(qū)A23之透明 導(dǎo)電層24。接著，進(jìn)入圖4H，去除第二圖案化光阻層324。然后， 如圖41所示，形成反射金屬層27于透光區(qū)電極234及多重角度表面 層22上，并填滿過(guò)孔26。最后，如圖4J所示。圖案化反射金屬層27，以形成反射區(qū)電極254。藉此形成實(shí)施例四之薄膜顯示晶體管器件400。其中實(shí)施例四之薄膜晶體管顯示器件400與實(shí)施例二之薄膜晶體管顯示器件200結(jié) 構(gòu)上相同。實(shí)施例五本實(shí)施例之薄膜晶體管顯示器件之制造方法與實(shí)施例四之薄膜 晶體管顯示器件之制造方法不同處在于涂敷光阻層之步驟后的步驟， 且薄膜晶體管顯示器件之結(jié)構(gòu)不同之處在于過(guò)孔及反射區(qū)之結(jié)構(gòu)，其 余相同之處并不再贅述。請(qǐng)參照?qǐng)D5A 5H示出了依照本發(fā)明之實(shí)施例五的半穿透半反 射式顯示器之薄膜晶體管顯示器件5之制造方法的流程圖。首先，請(qǐng) 參照，如上述實(shí)施例所述之方法依序形成柵極13、柵極絕緣層14、 溝道層15、重?fù)诫s歐姆接觸層16、源極金屬層17、漏極金屬層18、 鈍化層19、多重角度表面層22、透明導(dǎo)電層24及光阻層30于基板 11上，如圖5A所示。接著，如圖5B所示，以半色調(diào)光掩模圖案化 光阻層30以形成第一圖案化光阻層315。第一圖案化光阻層315具 有開(kāi)口 315b，開(kāi)口 315b對(duì)應(yīng)至漏極金屬層18。位于透光區(qū)A23及 反射區(qū)A25之第一圖案化光阻層315具有第一厚度Dl ，位于像素間 隔區(qū)A3之第一圖案化光阻層315具有第二厚度D2。第一厚度Dl大 于第二厚度D2。然后，如圖5C所示。以第一圖案化光阻層315為屏 蔽，去除開(kāi)口 315b中之透明導(dǎo)電層24及鈍化層19，并據(jù)以形成過(guò) 孔26。接著，如圖5D所示，由第一圖案化光阻層315之頂面315a向 下去除第二厚度D2之第一圖案化光阻層315，以形成第二圖案化光 阻層325，第二圖案化光阻層325暴露出像素間隔區(qū)A3，并覆蓋透 光區(qū)A23及反射區(qū)A25。然后，請(qǐng)參照?qǐng)D5E，以第二圖案化光阻層 325為屏蔽，去除位于像素間隔區(qū)A3之透明導(dǎo)電層24，以形成透光 區(qū)電極A23。透光區(qū)電極235包括透光區(qū)A23之透明導(dǎo)電層24。接 著，請(qǐng)參照?qǐng)D5F，去除第二圖案化光阻層325。然后，如圖5G所示，形成反射金屬層27于透光區(qū)電極235及
反射區(qū)A25之透明導(dǎo)電層24上，并填滿過(guò)孔26。最后，如圖5H所示。圖案化反射金屬層27,以形成反射區(qū)電極 255。藉此形成實(shí)施例五之薄膜晶體管顯示器件500。需注意的是， 實(shí)施例五之薄膜晶體管顯示器件500與實(shí)施例四之薄膜晶體管顯示 器件400結(jié)構(gòu)上大致相同，惟實(shí)施例五之薄膜晶體管顯示器件于反射 區(qū)增加一層透明導(dǎo)電層24，且透明導(dǎo)電層24介于多重角度表面層22 及反射金屬層19之間。本發(fā)明上述實(shí)施例所揭露之薄膜晶體管顯示器件及其制造方法， 其利用一半色調(diào)光掩模定義過(guò)孔、透光區(qū)電極以及反射區(qū)電極三者其 中之二，使得制作過(guò)程光掩模數(shù)減少。不僅縮短制作過(guò)程步驟，還能 減少微粒子污染之機(jī)會(huì)和工時(shí)成本、人力成本及機(jī)臺(tái)夠制作過(guò)程本的 支出。綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以 限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中任何普通技術(shù)人員，在不脫離本 發(fā)明之精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種之更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本發(fā)明之保 護(hù)范圍當(dāng)視后附之權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管顯示器件之制造方法，該薄膜晶體管顯示器件設(shè)置于一半穿透半反射式顯示器，該薄膜晶體管顯示器件具有一透光區(qū)及一反射區(qū)，包括形成一柵極于一基板上；形成一柵極絕緣層以覆蓋該柵極；形成一溝道層于該柵極絕緣層上；形成一重?fù)诫s歐姆接觸層于該溝道層上；電絕緣地形成一源極金屬層和一漏極金屬層于該重?fù)诫s歐姆接觸層上；形成一鈍化層覆蓋于該柵極、該源極金屬層及該漏極金屬層；形成一過(guò)孔貫穿該鈍化層，用以暴露出該漏極金屬層之部分表面；形成一透光區(qū)電極于該透光區(qū)之該鈍化層之上方；以及形成一反射區(qū)電極于該反射區(qū)之該鈍化層之上方；其中，以一半色調(diào)光掩模定義該過(guò)孔、該透光區(qū)電極以及該反射區(qū)電極三者其中之二。
2. 如權(quán)利要求1所述之制造方法，其中該半色調(diào)光掩模用以定 義該透光區(qū)電極以及該反射區(qū)電極。
3. 如權(quán)利要求2所述之制造方法，其中于形成該鈍化層之步驟 之后該方法還包括形成一多重角度表面層于該鈍化層上，并位于該反射區(qū)。
4. 如權(quán)利要求3所述之制造方法，其中該薄膜晶體管顯示器件 還具有一像素間隔區(qū)，包圍該透光區(qū)以及該反射區(qū)所構(gòu)成之一像素 區(qū)，該形成該透光區(qū)電極及該反射區(qū)電極之步驟包括-形成一透明導(dǎo)電層于該鈍化層以及該多重角度表面層上，并填滿 該過(guò)孔；形成一反射金屬層于該透明導(dǎo)電層上； 涂敷一光阻層于該反射金屬層上；利用該半色調(diào)光掩模圖案化該光阻層，并據(jù)以形成一第一圖案化 光阻層，該第一圖案化光阻層具有一開(kāi)口于該像素間隔區(qū)，位于該透 光區(qū)之該第一圖案化光阻層具有一第一厚度，位于該反射區(qū)之該第一 圖案化光阻層具有一第二厚度，且該第一厚度小于該第二厚度；以該第一圖案化光阻層為屏蔽，去除該開(kāi)口中該反射金屬層及該 透明導(dǎo)電層；由該第一圖案化光阻層之一頂面向下去除該第一厚度之該第一 圖案化光阻層，以形成一第二圖案化光阻層，該第二圖案化光阻層還 暴露出該透光區(qū)，并覆蓋該反射區(qū)；以該第二圖案化光阻層為屏蔽，去除該透光區(qū)之該反射金屬層， 并據(jù)以形成一透光區(qū)電極及一反射區(qū)電極；以及去除該第二圖案化光阻層。
5. 如權(quán)利要求1所述之制造方法，其中該半色調(diào)光掩模用以定 義該透光區(qū)電極以及該過(guò)孔。
6. 如權(quán)利要求5所述之制造方法，其中該薄膜晶體管顯示器件 還具有一像素間隔區(qū)，包圍該透光區(qū)以及該反射區(qū)所構(gòu)成之一像素 區(qū)，該形成該過(guò)孔以及該透光區(qū)電極之步驟包括形成一透明導(dǎo)電層于該鈍化層之上方； 涂敷一光阻層于該透明導(dǎo)電層上；以該半色調(diào)光掩模圖案化該光阻層以形成一第一圖案化光阻層， 該第一圖案化光阻層具有一開(kāi)口，該開(kāi)口對(duì)應(yīng)至該漏極金屬層，位于 該透光區(qū)之該第一圖案化光阻層具有一第一厚度，位于該像素間隔區(qū) 之該第一圖案化光阻層具有一第二厚度，且該第一厚度大于該第二厚 度；以該第一圖案化光阻層為屏蔽，去除該開(kāi)口中之該透明導(dǎo)電層及該鈍化層，并據(jù)以形成一過(guò)孔；由該第一圖案化光阻層之一頂面向下去除該第二厚度之該第一 圖案化光阻層，以形成一第二圖案化光阻層，該第二圖案化光阻層暴 露出該像素間隔區(qū)，并覆蓋該透光區(qū)；以該第二圖案化光阻層為屏蔽，去除位于該像素間隔區(qū)之該透明 導(dǎo)電層，以形成一透光區(qū)電極；以及去除該第二圖案化光阻層。
7. 如權(quán)利要求6所述之顯示器件之制造方法，還包括 形成一多重角度表面層于該鈍化層上，并位于該反射區(qū)； 形成一反射金屬層于該多重角度表面層上及該透光區(qū)電極上，并填滿該過(guò)孔；以及圖案化該反射金屬層，以形成該反射區(qū)電極。
8. 如權(quán)利要求6所述之制造方法，還包括 形成一多重角度表面層于該透明導(dǎo)電層上，并位于該反射區(qū)； 形成一反射金屬層于該多重角度表面層上及該透光區(qū)電極上，并填滿該過(guò)孔；以及圖案化該反射金屬層，以形成該反射區(qū)電極。
9. 如權(quán)利要求6所述之制造方法，還包括 形成一多重角度表面層于該鈍化層上，并位于該反射區(qū)； 形成一反射金屬層于該多重角度表面層上之透明導(dǎo)電層上及該透光區(qū)電極上，并填滿該過(guò)孔；以及圖案化該反射金屬層，以形成該反射區(qū)電極。
10. 如權(quán)利要求6所述之顯示器件之制造方法，其中位于該反射 區(qū)及該像素間隔區(qū)之該第一圖案化光阻層具有一第二厚度，該形成該 透光區(qū)電極之步驟還包括以該第二圖案化光阻層為屏蔽，同時(shí)去除位于該反射區(qū)以及該像素間隔區(qū)之該透明導(dǎo)電層，以形成該透光區(qū)電極。
11. 如權(quán)利要求6所述之顯示器件之制造方法，其中形成該鈍化 層之步驟之后，該制造方法還包括形成一多重角度表面層于該鈍化層上，并位于該反射區(qū)。
12. —種薄膜晶體管顯示器件，該薄膜晶體管顯示器件設(shè)置于一 半穿透半反^f式顯示器，該薄膜晶體管顯示器件具有一透光區(qū)及一反 射區(qū)所構(gòu)成之一像素區(qū)，該薄膜晶體管顯示器件包括一柵極，設(shè)置于一基板上； 一源極金屬層，設(shè)置于該柵極之上方；一漏極金屬層，與該源極金屬層電絕緣地設(shè)置于該柵極之上方； 一鈍化層，覆蓋該柵極、該源極金屬層及該漏極金屬層，且該鈍 化層包括一過(guò)孔，以暴露該漏極金屬層之部分表面；一透光區(qū)電極，設(shè)置于該鈍化層上，并位于該透光區(qū)； 一透明導(dǎo)電層，設(shè)置于該鈍化層之上方，并位于該反射區(qū)；以及 一反射區(qū)電極，設(shè)置于該鈍化層之上方，并位于該反射區(qū)。
13. 如權(quán)利要求12所述之薄膜晶體管顯示器件還包括一多重角 度表面層，設(shè)置于該反射區(qū)處之該鈍化層之上方，并介于反射區(qū)電極 以及鈍化層之間。
14. 如權(quán)利要求12所述之薄膜晶體管顯示器件，其中該透明導(dǎo) 電層介于該多重角度表面層以及該反射區(qū)電極之間。
15. 如權(quán)利要求13所述之薄膜晶體管顯示器件，其中該透明導(dǎo) 電層介于該鈍化層以及該多重角度表面層之間。
16. 如權(quán)利要求13所述之薄膜晶體管顯示器件，其中該透明導(dǎo) 電層填滿該過(guò)孔，并介于該多重角度表面層以及該反射區(qū)電極之間。
17. —種薄膜晶體管顯示器件，該薄膜晶體管顯示器件設(shè)置于一 半穿透半反射式顯示器，該薄膜晶體管顯示器件具有一透光區(qū)及一反射區(qū)所構(gòu)成之一像素區(qū)，該薄膜晶體管顯示器件包括一柵極，設(shè)置于一基板上； 一源極金屬層，設(shè)置于該柵極之上方；一漏極金屬層，與該源極電絕緣地設(shè)置于該非柵極之上方；一鈍化層，覆蓋該柵極、該源極金屬層及該漏極金屬層，且該鈍 化層包括一過(guò)孔，以暴露該漏極金屬層之部分表面；一反射區(qū)電極，設(shè)置于該鈍化層之上方，并位于該反射區(qū)，其中 該反射區(qū)電極層還填滿該過(guò)孔；以及一透光區(qū)電極，設(shè)置于該鈍化層上，并位于該透光區(qū)。
18. 如權(quán)利要求17所述之顯示器件還包括一多重角度表面層， 設(shè)置于該反射區(qū)之該鈍化層之上方，并介于反射區(qū)電極以及鈍化層之 間。
19. 如權(quán)利要求18所述之薄膜晶體管顯示器件還包括一透明導(dǎo) 電層，位于該反射區(qū)，其中該透明導(dǎo)電層介于該鈍化層以及該多重角 度表面層之間。
20. 如權(quán)利要求19所述之顯示器件還包括一透明導(dǎo)電層，位于 該反射區(qū)，其中該透明導(dǎo)電層介于該多重角度表面層以及該反射區(qū)電 極之間。
全文摘要
一種薄膜晶體管顯示器件及其制造方法。薄膜晶體管顯示器件設(shè)置于一半穿透半反射式顯示器，薄膜晶體管顯示器件具有一透光區(qū)及一反射區(qū)。首先，形成一柵極于一基板上。接著，形成一柵極絕緣層以覆蓋該柵極。然后，形成一溝道層于該柵極絕緣層上。接著，形成一重?fù)诫s歐姆接觸層于該溝道層上。然后，電絕緣地形成一源極金屬層和一漏極金屬層于該重?fù)诫s歐姆接觸層上。接著，形成一鈍化層覆蓋于該柵極、該源極金屬層及該漏極金屬層。然后，形成一過(guò)孔貫穿鈍化層，用以暴露出漏極金屬層之部分表面。接著，形成一透光區(qū)電極于透光區(qū)之鈍化層之上方。接著，形成一反射區(qū)電極于反射區(qū)之鈍化層之上方。其中，以一半色調(diào)光掩模定義過(guò)孔、透光區(qū)電極以及反射區(qū)電極三者其中之二。
文檔編號(hào)H01L21/70GK101154635SQ20061013999
公開(kāi)日2008年4月2日 申請(qǐng)日期2006年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月28日
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