專利名稱：高壓非對稱橫向結(jié)構(gòu)擴散型場效應(yīng)管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種高壓非對稱橫向結(jié)構(gòu)擴散型場效應(yīng)管的制作方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的高壓橫向結(jié)構(gòu)擴散型場效應(yīng)管一般都采用如圖1-3所示 的工藝，圖1-圖3是現(xiàn)有高壓非對稱橫向結(jié)構(gòu)擴散型場效應(yīng)管的制 作方法的制作工藝示意圖；其中圖l.a-圖3.a為高壓非對稱橫向結(jié) 構(gòu)擴散型N型場效應(yīng)管的制作方法，圖1. b-圖3. b為高壓非對稱橫 向結(jié)構(gòu)擴散型P型場效應(yīng)管的制作方法。 一般先對多晶硅進行刻蝕， 如圖l所示；然后先完成側(cè)墻的生長和側(cè)墻刻蝕，如圖2所示；然后 對N型高壓橫向結(jié)構(gòu)擴散型場效應(yīng)管進行N型源漏注入，如圖1. a所 示；對P型高壓橫向結(jié)構(gòu)擴散型場效應(yīng)管進行P型源漏注入，如圖 l.b所示。
但現(xiàn)有的非對稱高壓橫向結(jié)構(gòu)擴散型場效應(yīng)管目前通常會出現(xiàn) 以下兩個問題
1、 由于源區(qū)和器件的溝道區(qū)有一個側(cè)墻隔離，如果源區(qū)的擴散 不夠，就會導(dǎo)致源區(qū)和溝道無法導(dǎo)通，從而整個非對稱高壓橫向結(jié)構(gòu) 擴散型場效應(yīng)管就會失效。
2、 如果在柵極上加較高的高壓，其產(chǎn)生的強電場，可能會導(dǎo)致
源區(qū)和柵極的擊穿電壓小于整個非對稱高壓橫向結(jié)構(gòu)擴散型場效應(yīng) 管的擊穿電壓，從而整個非對稱高壓橫向結(jié)構(gòu)擴散型場效應(yīng)管就會失 效。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種高壓非對稱橫向結(jié)構(gòu)擴 散型場效應(yīng)管的制作方法，它可以保證有源區(qū)和溝道的導(dǎo)通，從而保 證了整個非對稱高壓橫向結(jié)構(gòu)擴散型場效應(yīng)管的有效性。
為了解決以上技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種高壓非對稱橫向結(jié)構(gòu)
擴散型場效應(yīng)管的制作方法，第一步，多晶硅刻蝕；第二步，N型低 摻雜源漏注入；第三步，P型低摻雜源漏光罩及P型低摻雜源漏注入; 第四步，P型低摻雜源漏光刻膠去除；第五步，側(cè)墻生長及刻蝕；第 六步，N型或P型源漏注入。
它還包括以下步驟第七步，自對準硅化物阻擋層生長；第八步， 自對準硅化物阻擋層光罩及刻蝕；第九步，自對準硅化物阻擋層光刻 膠去除。
因為本發(fā)明在多晶硅刻蝕之后，先普注一次N型低摻雜源漏 (light doped drain,簡稱"LDD")，再用P型LDD的光罩，將高壓 P型器件的區(qū)域打開，使其成為P型，然后在側(cè)墻工藝之后，再進行 源漏注入，這樣使得有源區(qū)和溝道區(qū)之間有低摻雜源漏接通，保證器 件的有效性。另外，用自對準硅化物阻擋層在源區(qū)和側(cè)墻之間形成一 個窄條，從而保證源區(qū)和柵極之間有足夠強的擊穿電壓，避免器件出 現(xiàn)源區(qū)和柵極之間的電壓擊穿失效。


下面結(jié)合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細說明。
圖1-圖3是現(xiàn)有高壓非對稱橫向結(jié)構(gòu)擴散型場效應(yīng)管的制作方 法的制作工藝示意圖；其中圖l.a-圖3.a為高壓非對稱橫向結(jié)構(gòu)擴 散型N型場效應(yīng)管的制作方法，圖1. b-圖3. b為高壓非對稱橫向結(jié) 構(gòu)擴散型P型場效應(yīng)管的制作方法。
圖4-圖12是本發(fā)明高壓非對稱橫向結(jié)構(gòu)擴散型場效應(yīng)管的制作 方法的制作工藝示意圖；其中圖4. a-圖12. a為高壓非對稱橫向結(jié)構(gòu) 擴散型N型場效應(yīng)管的制作方法，圖4. b-圖12. b為高壓非對稱橫向 結(jié)構(gòu)擴散型P型場效應(yīng)管的制作方法。
具體實施例方式
如圖4-圖12所示，它們是本發(fā)明高壓非對稱橫向結(jié)構(gòu)擴散型場 效應(yīng)管的制作方法的制作工藝示意圖；其中圖4. a-圖12. a為高壓非 對稱橫向結(jié)構(gòu)擴散型N型場效應(yīng)管的制作方法，圖4. b-圖12. b為高 壓非對稱橫向結(jié)構(gòu)擴散型P型場效應(yīng)管的制作方法。它們的具體步驟 如下
第一步，多晶硅刻蝕；如圖4所示，它是經(jīng)過刻蝕后的示意圖。 此時，在圖4.a中是高壓非對稱橫向結(jié)構(gòu)擴散型N型場效應(yīng)管，高壓 非對稱橫向結(jié)構(gòu)擴散型N型場效應(yīng)管的底部是P型襯底，在P型襯底 上有N型外延，在N型外延上部設(shè)有高壓P阱和N型擴散區(qū)，在高壓 P阱和N型擴散區(qū)的上部設(shè)有三處場氧，而在位于高壓P阱上，并位 于高壓P阱和N型擴散區(qū)之間的場氧一側(cè)，依次生長有柵氧、多晶硅和硅化鉤。在圖4. b中是高壓非對稱橫向結(jié)構(gòu)擴散型P型場效應(yīng)管， 與N型場效應(yīng)管的不同在于，在N型外延上部設(shè)有高壓N阱和P型擴 散區(qū)。
第二步，N型低摻雜源漏注入。在圖5.a中，分別在高壓P阱和 N型擴散區(qū)注入N型LDD。在圖5.b中，分別在高壓N阱和P型擴散 區(qū)注入N型LDD。
第三步，P型低摻雜源漏光罩及P型低摻雜源漏注入，如圖6.a 和圖6.b所示。
第四步，P型低摻雜源漏光刻膠去除，如圖7.a和圖7.b所示。
第五步，側(cè)墻生長及刻蝕，如圖8.a和圖8.b所示。
第六步，N型或P型源漏注入，圖9.a為N型源漏注入和圖9.b
為P型源漏注入。
第七步，自對準硅化物阻擋層生長，如圖10.a和圖10.b所示。 第八步，自對準硅化物阻擋層光罩及刻蝕，如圖ll.a和圖ll.b所示。
第九步，自對準硅化物阻擋層光刻膠去除，如圖12.a和圖12.b所示。
權(quán)利要求
1、一種高壓非對稱橫向結(jié)構(gòu)擴散型場效應(yīng)管的制作方法，第一步，多晶硅刻蝕；其特征在于，它還包括如下步驟第二步，N型低摻雜源漏注入；第三步，P型低摻雜源漏光罩及P型低摻雜源漏注入；第四步，P型低摻雜源漏光刻膠去除；第五步，側(cè)墻生長及刻蝕；第六步，N型或P型源漏注入。
2、 如權(quán)利要求1所述的高壓非對稱橫向結(jié)構(gòu)擴散型場效應(yīng)管的 制作方法，其特征在于，它還包括以下步驟第七步，自對準硅化物阻擋層生長； 第八步，自對準硅化物阻擋層光罩及刻蝕； 第九步，自對準硅化物阻擋層光刻膠去除。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種高壓非對稱橫向結(jié)構(gòu)擴散型場效應(yīng)管的制作方法，它可以保證有源區(qū)和溝道的導(dǎo)通，從而保證了整個非對稱高壓橫向結(jié)構(gòu)擴散型場效應(yīng)管的有效性。它包括如下步驟第一步，多晶硅刻蝕；第二步，N型低摻雜源漏注入；第三步，P型低摻雜源漏光罩及P型低摻雜源漏注入；第四步，P型低摻雜源漏光刻膠去除；第五步，側(cè)墻生長及刻蝕；第六步，N型或P型源漏注入；第七步，自對準硅化物阻擋層生長；第八步，自對準硅化物阻擋層光罩及刻蝕；第九步，自對準硅化物阻擋層光刻膠去除。
文檔編號H01L21/02GK101197284SQ20061011909
公開日2008年6月11日 申請日期2006年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月5日
發(fā)明者周貫宇, 錢文生, 陳華倫 申請人:上海華虹Nec電子有限公司