專利名稱：：光刻裝置和器件制造方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及一種光刻裝置和一種器件制造方法。尤其是涉及一種包括液體限制系統(tǒng)的光刻裝置，該液體限制系統(tǒng)用于在該光刻裝置中密封投影系統(tǒng)和將由該投影系統(tǒng)圖案化的基板之間的液體。
背景技術：
：光刻裝置是將期望的圖案應用于基板上，通常是應用于該基板的靶部上的裝置。光刻裝置可以用于例如集成電路(IC)的制造。在這種情況下，構圖部件，也稱作掩?；蛑虚g掩模版，可用于產(chǎn)生電路圖案以形成在IC的一個單獨層上。該圖案能轉印到基板的(例如硅晶片)靶部上(例如包括部分、一個或者多個管芯)。這種圖案的轉印典型地通過成像到基板上提供的輻射敏感材料(抗蝕劑)上。一般的，單個基板包含連續(xù)圖案化的相鄰靶部的整個網(wǎng)格。公知的光刻裝置包括所謂的晶片步進器，其通過將全部圖案一次曝光在靶部上而輻射每一靶部，和所謂的掃描器，其通過在輻射束下沿給定方向(“掃描”方向)掃描圖案、同時沿與該方向平行或者反平行的方向同步掃描基板來輻照每一靶部。也能通過在基板上壓印圖案而將構圖部件的圖案轉印至基板上?，F(xiàn)已提出，將光刻裝置中的基板浸入具有相對高的折射率的液體如水中，以填滿基板和投影系統(tǒng)末端元件之間的空間。這使得更小的特征能夠成像，因為曝光輻射在液體中具有更短的波長。(液體的這種作用也可以認為是增大了系統(tǒng)的有效NA和提高了焦深)。也有人建議其它的浸液，包括其中懸浮著固體微粒(如石英)的水。然而，將基板或者基板和基板臺浸沒在液體浴槽中(例如參見美國專利US4,509,852，這里全部引入作為參考)意味著在掃描曝光期間要將大量液體加速。這需要額外的或者更大功率的電動機，且液體內的紊流會導致不期望和不可預知的影響。對液體供給系統(tǒng)，所提出的解決方法之一是使用液體限制系統(tǒng)僅在基板的局部區(qū)域以及投影系統(tǒng)末端元件和基板之間提供液體(基板的表面積通常比投影系統(tǒng)末端元件的要大)。WO99/49504中公開了一種采用這種設置的方法，這里全部引入作為參考。如圖2和圖3所示，液體通過至少一個入口IN提供給到基板上，優(yōu)選沿著基板相對于末端元件移動的方向供給，并且在經(jīng)過了投影系統(tǒng)下方后由至少一個出口OUT除去。即，當沿-X方向在元件下面掃描基板時，在該元件的+X一側供給液體并在-X一側將其吸走。圖2示意性說明了該設置，其中液體通過入口IN供給，并且由連接到低壓源的出口OUT從元件另一側吸走。圖2示出了液體是沿著基板相對于末端元件的移動方向供給的，盡管不是必須要這樣?？梢栽谀┒嗽車亩鄠€方向上設置多個入口和出口，圖3示出了一個例子，其中圍繞末端元件以規(guī)則圖案設置了四組位于任一邊入口和出口。提出的另一種解決方法是，提供帶有密封元件的液體供給系統(tǒng)，該密封元件沿著位于投影系統(tǒng)末端元件和基板臺之間的空間的至少部分邊界延伸。這種解決方式在圖4中示出。盡管密封元件相對于投影系統(tǒng)在Z方向(光軸方向)可以有一定的相對運動，但它在XY平面內基本上保持不動。密封是在密封元件和基板表面之間形成的。密封優(yōu)選是諸如氣封這樣的非接觸密封。歐洲專利申請No.03257072.3公開了兩或雙工作臺浸沒光刻裝置的構思。提供了一種具有兩個支承基板的工作臺裝置。用一個工作臺在沒有浸液的第一位置進行水準測量，并用一個工作臺在存在浸液的第二位置進行曝光?；蛘撸撗b置僅有一個工作臺。如上所述的在浸沒系統(tǒng)中具有液體的問題在于存在有浸液蒸發(fā)的風險。這種浸液蒸發(fā)會導致一些后果。首先是基板的局部冷卻的問題，其導致基板收縮，并由此導致了由基板和基板臺之間的熱膨脹系數(shù)差導致的雙金屬的彎曲所引起的重疊和聚焦誤差。即使基板和基板臺具有同樣的熱膨脹系數(shù)，z平面內的溫度梯度也能導致彎曲，并由此產(chǎn)生聚焦誤差。其次是在基板表面上會出現(xiàn)干燥的污點。第三個后果是液體限制系統(tǒng)的冷卻，其間接冷卻了投影系統(tǒng)內的透鏡，并導致投影光束的球面象差。此外，蒸發(fā)導致的溫度的變化會導致基板臺或基板架的尺寸和形狀發(fā)生變化。如果基片臺改變了形狀，則基板臺上的傳感器的位置穩(wěn)定性以及該傳感器的信號可能會產(chǎn)生偏差。最終，由冷卻的液體限制系統(tǒng)造成的浸液的間接冷卻會導致液體內的折射率變化，這種變化又導致投影曝光束以及圖案的聚焦偏移和變形。這種光刻裝置的操作總的說來是與狀態(tài)相關的，所以系統(tǒng)的任何部分的任何能量變化都將導致基板上的抗蝕劑層的曝光誤差。僅僅是在基板、基板臺、基板架和傳感器上方的水膜上的相對濕度的濃度差也能導致水膜中的水蒸發(fā)，從而導致上述問題。在浸沒系統(tǒng)中有幾個位置會發(fā)生浸液的蒸發(fā)。這些位置有1.液體限制系統(tǒng)和基板之間；2.用液體限制系統(tǒng)潤濕之后的基板表面上；3.液體限制系統(tǒng)內的排出槽中；和4.基板架和包括該基板架的基板臺之間的槽或間隙中。在這些位置處的蒸發(fā)導致溫度降低，由此導致投影透鏡、浸液、液體限制系統(tǒng)、傳感器、基板、基板架和包括基板架和基板的基板臺的能量損失?；迮_有時稱作“反射鏡塊(mirrorblock)”，由于表面覆蓋有用于支撐基板的突起，基板架有時也稱作“突起板(pimpleplate)”。基板臺支撐基板架，基板架又支撐基板離開基板臺的表面。純蒸發(fā)比純冷凝多導致系統(tǒng)中的純能量損耗，其原因有幾個。第一個原因是氣刀的使用，氣刀用于在基板移進和移出浸沒系統(tǒng)時，把基板上的水膜推回和拖動其向前。氣刀的這些作用通過使用壓縮氣體噴射而實現(xiàn)。蒸發(fā)是水膜移動的一種可能的副作用。如果從基板表面損失的水分太多，則由氣刀推動的水膜就會太大且會毀壞氣刀。如果發(fā)生了這種情況，水膜就會蒸發(fā)到浸沒系統(tǒng)外的周圍環(huán)境中。第二個原因是當不使用氣刀或氣刀不完全有效時，基板和基板臺相對于密封元件移動，從而使得基板和基板臺的一部分暴露在光刻裝置周圍的大氣中。基板和基板臺上剩余的任何液體都可能蒸發(fā)到該大氣中，因此減少了系統(tǒng)能量。液體供給或排出系統(tǒng)的液體蒸發(fā)使整個液體限制系統(tǒng)冷卻，其冷卻了浸液，因而減少了系統(tǒng)能量并導致上述問題。以前，為了補償這種溫度降低和能量損失，有三種可能的解決方法。第一種解決方法是例如通過氣刀將濕潤的壓縮清潔空氣供給浸沒系統(tǒng)，通過減少浸沒系統(tǒng)內的大氣和氣刀內的空氣的相對濕度差來減少浸液的附加的蒸發(fā)。根據(jù)該現(xiàn)有技術，與浸液和密封元件12的存在有關的重疊誤差和其它問題由液體蒸發(fā)控制器解決，蒸發(fā)控制器探測并控制基板區(qū)域中的浸液的蒸發(fā)率。液體分子從周圍吸收能量而蒸發(fā)，尤其是在被抽走時，能導致諸如基板W這類關鍵元件的溫度的顯著的不均勻變化。熱引發(fā)的變形能導致最終寫到基板上的圖像的誤差。例如，在密封元件12通過之后，留在基板上的浸液的蒸發(fā)能引起高達3K的局部溫度下降。其結果是，典型地可能產(chǎn)生至少20nm的單純機械重疊誤差。這種解決方法不是非常有效，因為在液體限制系統(tǒng)中用于氣刀的空氣所需的過壓意味著100％的相對濕度，在壓縮空氣膨脹之后這是不能實現(xiàn)的。這就是為什么盡管使用了該方法蒸發(fā)仍然會發(fā)生。第二種解決方法是使用水流對基板架或基板臺進行的基板的熱調節(jié)(即，將能量供給至基板臺以減少純能量損失)。其目的是要提供相對于空轉系統(tǒng)而言具有盡可能小的溫度變化的蒸發(fā)能量，并由此向浸沒系統(tǒng)供給能量以補償蒸發(fā)導致的能量損失，最小化熱效應導致的例如熱機械變形。換言之，熱調節(jié)的目的是要將能量供給在蒸發(fā)過程中有損失的系統(tǒng)(尤其是供給基板)，由此限制浸液和/或其周圍的溫度下降?；迮_WT可以保持在系統(tǒng)的基準溫度。用這種方法會產(chǎn)生同樣的問題，因為整個基板會被冷卻且局部溫度的波動是不可抑制的。提供的第三種解決方法中由蒸發(fā)的浸液的冷卻效應導致的誤差通過提供一種基板加熱器來解決，該加熱器構造為根據(jù)基板臺WT相對于密封元件12的位置、速度、加速度和預定路徑，以及局部基板W和/或基板臺WT的溫度中的至少一個因素來加熱基板W的至少一部分。決定加熱器特性的其它參數(shù)有抗蝕劑特性；尤其是表面的液體接觸角、抗蝕劑的輻射劑量和用作抗蝕劑的物質?；寮訜崞骺梢酝ㄟ^多種機構加熱。其包括一個或多個下面所述的機構紅外發(fā)射源、熱燈絲電阻加熱器和高溫氣體噴嘴。決定要使用哪種加熱器的重要因素包括如何細致且迅速的調節(jié)加熱能量，以及如何以微型形態(tài)有效地制造加熱器。后者因素變得更加重要或更不重要取決于是否需要將加熱器嵌入或嵌在要被調節(jié)溫度的材料附近(例如嵌入在基板架或基板臺WT中的熱燈絲)，或取決于是否加熱器在一段距離處發(fā)揮某種程度的作用(例如輻射發(fā)射源或溫度受控制的氣體噴嘴源)。如果是輻射發(fā)射源，該輻射的波長分布應當選擇為不致于與基板W上的抗蝕劑組合物反應(考慮到這點對于大部分有用的抗蝕劑而言紅外輻射應該安全的)。輻射強度的選擇取決于抗蝕劑的光學特性(例如其反射性)。這些加熱系統(tǒng)需要根據(jù)工藝處理調節(jié)或具有適合的溫度傳感機構。兩者有優(yōu)點也有缺點；調節(jié)要求不很復雜的設計，而溫度傳感使得可獲得的系統(tǒng)比調諧的要龐大。
發(fā)明內容本發(fā)明希望提供一種有效并顯著地消除光刻裝置的液體限制系統(tǒng)內的凈能量減少的系統(tǒng)。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種光刻裝置，其包括構造成包含支撐基板的基板架的基板臺；構造為向基板的靶部上投射圖案化輻射束的投影系統(tǒng)；構造為用液體至少部分地填充所述投影系統(tǒng)的末端元件和所述基板之間的空間的液體供給系統(tǒng)；基本設置為容納位于所述投影系統(tǒng)的末端元件和所述基板之間的所述空間內的所述液體的密封元件；基板臺位移系統(tǒng)，設置為相對于所述密封元件沿著預定路徑移動所述基板臺，由此移動在所述基板的表面上的所述靶部；包括其中基板可能經(jīng)歷局部冷卻的基板位移系統(tǒng)的位置和時間的時間表；以及液體蒸發(fā)控制器，設置為通過使用所述時間表的同步蒸發(fā)控制技術，控制由所述液體供給系統(tǒng)供給的液體的蒸發(fā)引起的能量凈損失速率。使用液體蒸發(fā)控制器，不僅意味著系統(tǒng)能直接抑制液體蒸發(fā)，也意味著系統(tǒng)能間接減少不必要的系統(tǒng)能量轉移，例如，通過加熱整個系統(tǒng)而不發(fā)生冷凝，或通過調節(jié)液體或液體供給系統(tǒng)的特性以防止液體蒸發(fā)或補償液體的蒸發(fā)。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種器件制造方法，包括提供一構造為包括支撐基板的基板架的基板臺；提供一構造為向基板的靶部上投射圖案化輻射束的投影系統(tǒng)；提供一構造為用液體至少部分地填充所述投影系統(tǒng)的末端元件和所述基板之間的空間的液體供給系統(tǒng)；提供一基本設置為容納位于所述投影系統(tǒng)的末端元件和所述基板之間的所述空間內的所述液體的密封元件；控制由所述液體供給系統(tǒng)供給的液體的蒸發(fā)率；提供一基板臺位移系統(tǒng)，其設置為相對于所述密封元件沿著預定路徑移動所述基板臺，由此移動所述基板的表面上的所述靶部；根據(jù)所述基板臺相對于密封元件的位置、速度、加速度和預定路徑，局部基板溫度和局部基板臺溫度中的至少一個因素加熱所述基板的至少一部分；同時在加熱和控制蒸發(fā)率之間進行轉換。本發(fā)明的其它方面包括作為蒸發(fā)能量補償技術的方法的冷凝原理、吸收原理和相變材料原理。冷凝原理控制可以冷凝在表面上的蒸汽量；該量越大，轉移到發(fā)生冷凝的表面上的熱能越大。吸收原理發(fā)生在材料的冷卻和加熱期間；當材料冷卻時，氣體被吸收到該材料中。這種氣體吸收發(fā)生在基板的卸載期間，以致于在隨后的基板循環(huán)中吸收過程可以再開始。在冷卻期間，材料的狀態(tài)發(fā)生變化，釋放能量。在基板卸載期間要求相變材料再生，從而在接下來的基板循環(huán)中該過程可以再次開始。本發(fā)明的實施方案將通過參照示意性附圖的實施例進行描述，所述附圖中相應的附圖標記表示對應的部件，其中圖1描繪了根據(jù)本發(fā)明的一實施方案的光刻裝置；圖2和3描繪了用于一現(xiàn)有技術的光刻投影裝置中的液體供給系統(tǒng)；圖4描繪了根據(jù)另一現(xiàn)有技術的光刻裝置的液體供給系統(tǒng)；圖5描繪了根據(jù)本發(fā)明的一實施方案的液體限制系統(tǒng)；圖6描繪了根據(jù)本發(fā)明的第一實施方案的液體蒸發(fā)控制系統(tǒng)；圖7描繪了根據(jù)本發(fā)明的第二實施方案的液體蒸發(fā)控制系統(tǒng)；圖8描繪了根據(jù)本發(fā)明的第三實施方案的能量調節(jié)系統(tǒng)；圖9a和9b描繪了根據(jù)本發(fā)明的第四實施方案的液體蒸發(fā)控制系統(tǒng)；圖10描繪了根據(jù)本發(fā)明的第五實施方案的能量調節(jié)系統(tǒng)；圖11描繪了根據(jù)本發(fā)明的第六實施方案的能量調節(jié)系統(tǒng)；圖12描繪了根據(jù)本發(fā)明的第七實施方案的溫度傳感器；以及圖13描繪了用于根據(jù)本發(fā)明的另一實施方案的溫度傳感器的可選位置。具體實施例方式圖1示意性描繪了根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案的的光刻裝置。該裝置包括照射系統(tǒng)(照射器)IL，構造為調節(jié)輻射束B(例如UV輻射或DUV輻射)；支承結構(例如掩模臺)MT，構造為支撐構圖部件(例如掩模)MA，并與第一定位裝置PM連接，該第一定位裝置PM構造為根據(jù)特定參數(shù)精確定位該構圖部件；基板臺(例如晶片臺)WT，構造為支撐基板(例如涂敷抗蝕劑的晶片)W，并與第二定位裝置PW連接，該第二定位裝置PW構造為根據(jù)特定參數(shù)精確定位該基板；和投影系統(tǒng)(例如折射投影透鏡)PS，構造為將輻射束B投射在基板W的靶部C(例如包括一個或多個芯片)上，構圖部件MA賦予該輻射束B圖案。為了引導、成形或控制輻射，照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學元件，例如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其它類型的光學元件，或它們的任何組合。支承結構支承構圖部件，即承受該構圖部件的重量。其支撐構圖部件的方式取決于構圖部件的定位、光刻裝置的設計和例如是否在真空環(huán)境中支撐構圖部件等其它條件。支承結構能用機械，真空，靜電或其它夾緊技術來支撐構圖部件。支承結構可以是能根據(jù)需要固定或移動的框架或工作臺。支撐結構可以保證構圖部件處于期望的位置，例如相對投影系統(tǒng)處于期望的位置。這里使用的術語“中間掩模版”或者“掩?！笨梢哉J為與更通用的術語“構圖部件”同義。這里使用的術語“構圖部件”應廣義地理解為能用于給輻射束的截面賦予圖案從而在基板的靶部形成圖案的任何部件。應注意的是，賦予輻射束的圖案可以不和期望的基板靶部的圖案完全一致，例如如果該圖案包括相移特征或所謂的輔助特征。一般，賦予輻射束的圖案與在靶部中形成的器件例如集成電路的特殊功能層相對應。構圖部件可以是透射型或者反射型的。構圖部件的例子包括掩模、可編程反射鏡陣列和可編程LCD面板。掩模在光刻領域是公知的，掩模類型包括如二元型、交替相移型和衰減相移型，以及各種混合掩模類型。可編程反射鏡陣列的一個例子是采用小型反射鏡的矩陣設置，每個反射鏡能單獨傾斜從而沿不同方向反射入射的輻射束。這種傾斜的反射鏡將圖案賦予由反射鏡矩陣所反射的輻射束。這里使用的術語“投影系統(tǒng)”應廣義地理解為包括任何類型的投影系統(tǒng)，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性、電磁性和靜電光學系統(tǒng)，或其任何組合，只要適合于所用的曝光輻射，或適合于諸如浸液的使用或者真空的使用這類其它因素。這里使用的術語“投影透鏡”應理解為與更普通的術語“投影系統(tǒng)”同義。如文中所述，該裝置是透射型的(例如采用透射掩模)?；蛘?，該裝置也可以是反射型的(例如采用如上所述的可編程反射鏡陣列，或采用反射掩模)。光刻裝置可以為具有兩個(雙工作臺)或者多個基板臺(和/或兩個或者多個掩模臺)的類型。在這種“多工作臺式”機構中，可以并行使用輔助臺，或者可以在一個或者多個臺上進行曝光的同時，用一個或者多個其它臺進行準備步驟。參照圖1，照射器IL接受來自輻射源SO的輻射束。例如當光源為受激準分子激光器時，該光源與光刻裝置可以是分離的部件。在這種情況下，不認為光源構成了光刻裝置的一部分，且借助光束傳送系統(tǒng)BD，輻射束從光源SO傳遞到達照射器IL，該光束傳送系統(tǒng)BD包括例如適合的定向鏡和/或光束擴展器。在其它情況下，該光源可以是光刻裝置整體的一部分，例如當光源為汞燈時。光源SO和照射器IL，如果需要還加上光束傳送系統(tǒng)BD，稱作輻射系統(tǒng)。照射器IL可以包括用于調整輻射束角強度分布的調整裝置AD。通常，能夠調整照射器的光瞳平面內的強度分布的至少外徑和/或內徑向范圍(通常分別稱為σ-外和σ-內)。此外，照射器IL可以包括各種其它的元件，例如積分器IN和聚光器CO。這種照射器用于調節(jié)輻射束，使之在其橫截面上具有期望的均勻性和強度分布。輻射束B入射到由支承結構(例如掩模臺MT)支撐的構圖部件(例如掩模MA)上，并由構圖部件圖案化。穿過掩模MA后，輻射束B再經(jīng)過投影系統(tǒng)，由其將該光束聚焦于基板W的靶部C上。借助于第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如干涉儀裝置、線性編碼器或電容傳感器)，能夠很精確地移動基板臺WT，例如在輻射束B的路徑中定位不同的靶部C。類似地，例如在從掩模庫中機械取出掩模后或在掃描期間，能使用第一定位裝置PM和其它位置傳感器(圖1中未明確示出)將掩模MA相對于輻射束B的光路進行精確定位。通常，借助于構成第一定位裝置PM的一部分的長行程模塊(粗略定位)和短行程模塊(精確定位)，可以實現(xiàn)掩模臺MT的移動。類似地，使用構成第二定位裝置PW的一部分的長行程模塊和短行程模塊，也可以實現(xiàn)基板臺WT的移動。在使用晶片步進器時(與掃描器相對)，掩模臺MT只能與短行程致動裝置連接或者固定。使用掩模對準標記M1、M2和基板對準標記P1、P2，以對準掩模MA和基板W。盡管所示的基板對準標記占用了專用的靶部，但是它們也可以定位在靶部的間隔中(通稱為劃道對準標記)。類似地，在掩模MA上有一個以上芯片的情況下，掩模對準標記可以位于這些芯片之間。所述的裝置可以按以下的至少一種模式來使用在步進模式中，在將被賦予給輻射束的整個圖案一次性投影到靶部C上(即單一靜態(tài)曝光)的同時，掩模臺MT和基板臺WT基本保持不動。然后將基板臺WT沿X和/或Y方向移動，以使不同的靶部C曝光。在步進模式中，曝光區(qū)域的最大尺寸限制了在單一靜態(tài)曝光中成像的靶部C的尺寸。在掃描模式中，同步掃描掩模臺MT和基板臺WT，在將被賦予給輻射束的圖案投影到靶部C上(即單一動態(tài)曝光)的同時，同步掃描掩模臺MT和基板臺WT。基板臺WT相對于掩模臺MT的速度和方向由投影系統(tǒng)PS的放大(縮小)特性和圖像反轉特性所決定。在掃描模式中，曝光區(qū)域的最大尺寸限制了單一動態(tài)曝光中的靶部的寬度(在非掃描方向上)，而掃描動作的長度決定了靶部的高度(在掃描方向上)。在其他模式中，在將被賦予給輻射束的圖案投影到靶部C上的同時，保持支撐可編程構圖部件的掩模臺MT基本不動，而移動或者掃描基板臺WT。在這種模式下，通常采用脈沖輻射源，并且在每次將基板臺WT移動之后或者在掃描期間相繼的輻射脈沖之間，按要求更新可編程構圖部件。這種操作模式能容易地應用于利用可編程構圖部件的無掩模光刻中，例如上面所述的可編程反射鏡陣列。也可以將上述模式組合和/或變化使用，或者使用完全不同的模式。圖5顯示了液體限制系統(tǒng)包括用于容納浸沒系統(tǒng)的浸液的儲存器。儲存器10在投影系統(tǒng)的成像區(qū)域周圍形成對于基板的非接觸式密封，從而限制液體以填充到基板表面和投影系統(tǒng)的末端元件之間的空間中。儲存器由位于投影系統(tǒng)PL的末端元件下方和周圍的的密封元件12形成。液體被引入投影系統(tǒng)下方和密封元件12內的空間內。密封元件12略微擴展到投影系統(tǒng)的末端元件上方，且液體的水平面高于該末端元件，以提供液體緩沖。密封元件12具有內周邊，優(yōu)選其最上端與投影系統(tǒng)或其末端元件的形狀接近一致，例如可以為圓形。在底部，該內部邊緣與成像區(qū)域的形狀接近一致，例如為矩形，盡管不必須為這種情況。液體通過密封元件12的底部和基板W表面之間的氣封16而密封在儲存器中。氣封由氣體形成，例如空氣或合成空氣，優(yōu)選N2或其它惰性氣體，其受壓力作用通過入口15提供給密封元件12和基板之間的間隙并通過出口14被抽出。設置氣體入口15上的過壓，第一出口14上的真空級以及間隙的幾何形狀，以具有限制液體的向內高速氣流。在基板W的下面，基板W的底表面和基板架(也稱作樹節(jié)板(burlplate)或突起板)頂表面之間也存在間隙，基板架容納在基板臺WT的凹槽內。該間隙也可以包括各種氣封，以保持基板W底表面干燥且避免上述能量損失問題。當浸液11的蒸發(fā)多于冷凝時會產(chǎn)生凈能量損失(例如，當蒸發(fā)的液體在其能量能通過冷凝而返回給系統(tǒng)之前就從系統(tǒng)中除去)。局部能量的波動導致基板或基板上的抗蝕劑層變形。本發(fā)明尋求通過減少蒸發(fā)率或增加冷凝率來防止局部能量波動的方法。第一實施方案如上所述，液體蒸發(fā)超過冷凝的原因在于例如基板W或基板臺WT的頂表面暴露于大氣環(huán)境中。圖6顯示了相對于密封元件12的基板臺WT，箭頭32表示基板臺WT的行進方向；即，相對于密封構件12橫向行進。為了了解局部蒸發(fā)最可能發(fā)生在何處，要建立時間表34，其包括時間與基板臺WT相對于密封元件12的位置、速度、加速度和預定路徑，局部基板溫度，局部基板臺溫度和曝光布圖中的至少一個因素之間的關系。液體蒸發(fā)控制器30可以與時間表34結合使用。液體蒸發(fā)控制器30可以采用幾種形式，只要能控制由于蒸發(fā)導致凈能量排出即可(而不是蒸發(fā)本身被控制)。換言之，液體蒸發(fā)控制器的目的在于防止通過含有熱能的的液體蒸發(fā)導致的系統(tǒng)熱能的損失。例如，液體蒸發(fā)控制器30可以將由入口15供給而由出口14除去的空氣16加熱，以致于即使當基板從密封元件下方移出時，系統(tǒng)的熱平衡仍保持不變。或者，蒸發(fā)控制器30可以通過入口15和出口14供給加濕的壓縮空氣16?！翱諝狻笨芍复魏芜m當?shù)臍怏w，例如氮氣。當液體用于不能暴露于空氣的浸沒系統(tǒng)中時其尤其正確。這減少了從基板W的頂表面的蒸發(fā)，因此平衡了蒸發(fā)和冷凝并由此在浸沒系統(tǒng)中建立了能量平衡。用加濕的空氣抑制了蒸發(fā)，而不是從基板到空氣(或其它用于密封的氣體)的熱能的轉移。第二實施方案一種可替代的蒸發(fā)控制器如圖7所示。在這種情況下，加濕或加熱的空氣16仍然可以通過密封元件12引入。此外，溫度調節(jié)過的液體和/或液體蒸汽流被供給基板架。其控制著基板臺WT內的基板W下面的溫度，由此增加了在基板W的底表面上的冷點處的冷凝率，因為當冷卻時蒸汽冷凝為液體。然后，來自蒸汽的能量被轉移給液體冷凝至其上的基板(和其它表面)。這種基板底部上的冷凝的增加和基板頂部上的蒸發(fā)的減少可以精確地平衡，以便于即使當其移出密封元件12的保護范圍時，也能保證基板保持其熱平衡。通過在基板W下面的基板架WH中引入熱管48，能夠容易地獲得穩(wěn)定的基準溫度。流經(jīng)熱管48的水(或任何其他的適合的液體)可以使用溫度和/或壓力傳感器以及加熱器來調節(jié)，以保持管道中的恒定溫度。由熱管48內的水所形成的水蒸汽將僅冷凝在基板臺內的冷點處，從而將蒸汽的潛熱轉移至冷點。因此需要不復雜的控制機構，而且不可能有溫度的過調節(jié)。壓力傳感器確保例如水蒸汽的壓力不太高。對于20mK的冷凝溫度穩(wěn)定性，需要將水蒸汽的壓力控制到好于4Pa的容差。為了最優(yōu)化從水和水蒸汽轉移給基板架內的冷點的熱量，熱管48內的任何空氣，或除工作流體之外的其它流體，必須在系統(tǒng)關閉之前被抽出。加熱水的加熱器能直接設置在水中或設置在基板臺下面，由此保持基板臺底部被加熱到穩(wěn)定的溫度，其又能保持被封閉的水處于穩(wěn)定溫度。此外，熱管48能由幾個管道構成，這些管道能設置為盡可能接近于基板架WH的表面，從而使得管道中的水溫盡可能直接影響基板W的溫度。在基板架WH內、基板下面可以有中空的突起或凹座，這些突起或凹座能包括通道，其允許水蒸汽通過到達基板下側，并直接冷凝在基板的冷點上而不是僅冷凝在基板架的冷點處。因此，熱轉移能更加直接，而減少轉移熱量所需時間，從而減少了溫度波動的機會。許多基板臺都由諸如“Zerodur微晶玻璃”或堇青石這類具有低傳導性和低膨脹系數(shù)的材料制成。這使得制造出能快速響應溫度波動的熱平衡系統(tǒng)變得困難。此外，基板表面和冷卻介質(例如水)之間的熱阻太大以致于在基板內產(chǎn)生溫度下降，其導致如上所述的基板變形。不單是這樣，而且液體供給系統(tǒng)內的經(jīng)過基板的液體的流量也非常大并能在液體中引入擾動。在該第二實施方案中所述的系統(tǒng)具有不受這些問題限制的優(yōu)點。通過使流體例如在22℃時冷凝在基板的下表面上，使得具有非常有效的熱傳遞系數(shù)以及隨后的基板熱調節(jié)。流體可以是處于諸如2300Pa(或23mbar)低壓的水，或丙酮，醚或醇，或某些類似物。通過調節(jié)流體的壓力，流體的冷凝溫度能變成用于具體的系統(tǒng)和基板的正確值。流體的供給和溫度控制能在光刻裝置的固定的部件中進行，但是其自身的冷凝過程僅在熱量從系統(tǒng)中被排出的地方發(fā)生。為了防止冷凝發(fā)生在流體供給線內，氣體和液體的二相混合物能通過基板臺內的通道泵送，以保持流體處于最佳溫度。如下面的第四實施方案中所述的微篩可以被引入基板臺，以分離氣體和液體的二相混合物。第三實施方案引入至基板的頂表面的加濕過的空氣在氣刀經(jīng)過該基板之后易于膨脹。這導致了小于100％的相對濕度。在氣刀和氣刀抽吸管道之間的區(qū)域內，加濕過的空氣冷卻，且由于較冷的氣體具有比熱空氣低的濕度容量而使其濕度增加。熱的加濕過的空氣由此可以在氣刀之后被供給。對于氣刀經(jīng)過期間的下降的0.4bar，可以使用在大約28℃的水飽和空氣，從而使后面的氣刀在22℃處具有100％的相對濕度。熱空氣內蒸發(fā)掉的水分在膨脹之后再冷凝，結果在基板上留下零能量。圖8顯示了可以用于補償基板W頂部的蒸發(fā)的替代的實施方案。因為基板W按箭頭的方向向右移動，與浸液11接觸的基板W的上表面由氣刀40干燥。氣刀將氣楔提供至基板表面，從而將移除密封元件12之后最后殘留在基板上的浸液11薄膜除去。同時基板將冷卻并因此損失能量。這種典型的由氣刀導致的親水表面上的局部冷卻能量的損失為20瓦數(shù)量級(例如在60°接觸角處)。有兩種方法補償這種使用氣刀導致的蒸發(fā)能量的損失。首先是通過氣刀供給高壓的加濕過的空氣?；蛘呃缡褂弥T如LED或具有調節(jié)管的微波腔這類的輻射源38，來加熱氣刀內的空氣。圖8所示的實施方案具有溫度傳感器22，其將信息與時間表信息34一起輸入控制器(例如CPU)36。當基板W最可能通過氣刀40導致的蒸發(fā)而損失能量時，CPU36控制輻射源38以增加基板W在可能損失能量的點的局部表面溫度，由此重建熱平衡。必須選擇輻射源的波長范圍以不會曝光基板表面上的抗蝕劑，且使得光被所有處理層吸收同樣的量。可以在氣刀的周邊設置多個輻射源，從而使基板上留有“蒸發(fā)痕跡”的部分可以被有效補償。此外，輸入時間表(其也可以是公知的快進表(fastforwardtable))的其他信息可以是作業(yè)設計數(shù)據(jù)，掃描速度和抗蝕劑特性?？刂破鞴┙o給輻射源的信息也可以操縱輻射源發(fā)送其輻射的方向，從而更加精確地控制基板表面的溫度。第四實施方案圖9a和9b顯示了替代的液體蒸發(fā)控制器的實施方案。如在第三實施方案中一樣，有氣刀AK將空氣供給給基板表面，以從基板的表面清潔可以蒸發(fā)的液體并減少系統(tǒng)的熱能或留下影響基板使用的干燥標記。兩種實施方案也具有用于除去由氣刀AK引入的空氣的氣刀抽吸(未示出)。該第四實施方案也包括目的在于抽出水分11而不抽出空氣52的微篩MS。保持氣體52和水分11分離意味著不產(chǎn)生混合物，水分11能再生而空氣52能再生或作廢。防止空氣和水的混合物也確保了空氣能完美地干燥基板表面。當氣刀AK將空氣吹到覆蓋在液體11(例如水)中的基板W的表面上時，如圖9b所示在空氣52和水11之間形成了彎液面。在微篩MS的兩邊有水11的地方，氣刀抽吸導致水11通過洞56穿過微篩MS。然而，在微篩MS的一邊有空氣而另一邊有水的地方，水11的表面張力54保持空氣52在微篩MS的一邊。因此，僅有水會通過位于微篩MS一邊上的抽吸系統(tǒng)被抽出。該微篩MS可以為StorkVeco微篩。微篩MS和基板W之間的間隙越小越好，因為空氣和水之間的彎液面也就越強，而使得水和空氣在氣刀AK越過基板W的掃描速度更快的情況下分離。微篩MS和基板AK之間的距離的最低限度由間隙變小而增大的碰撞危險性所決定。微篩和氣刀必須設置在特定的最佳相對位置。氣刀必須是相對低的以在基板W表面上提供足夠的壓力。圖9a顯示了錐形50，其為具有最高速率的空氣由氣刀AK吹入的形狀。邊界50為因混合了周圍的空氣而空氣速率開始下降的地方。理想地，最高空氣速率的錐形必須與基板接觸，更加理想地，該錐形的尖端接觸基板。然而，氣刀不能太接近基板，否則實際上通入基板表面上的空氣會具有過高的速率，而基板表面上的液體有蒸發(fā)的危險而不是以推出的方式進入抽吸器。微篩可以有約3mm的跨度。對于在微篩MS上面的水11和與基板W鄰接的水11之間的給定的壓力差(其由彎液面外的微篩洞內的表面張力的強度所限制)而言，水11的流率能通過將彎液面定位成使微篩兩邊具有的水為適當比例而調節(jié)。分別設置微篩MS和氣刀AK以使得它們能定位在相對于基板的不同的高度處。它們通常固定至液體供給系統(tǒng)的壁上以致于其能同時掃描基板表面。該實施方案的優(yōu)點在于，最大的熱能損失通常發(fā)生在基板上的氣刀和氣刀抽吸系統(tǒng)之間，而該實施方案處理該特定區(qū)域?；迳蠚獾逗统槲髦g的水11的量取決于基板上方微篩的高度。留在氣刀和抽吸器之間的水越多，可能被氣刀留在基板表面上的水越多。因此，優(yōu)選具有盡可能低的微篩。另一方面，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)氣刀的高度是非常重要的。高度從100μm增加到125μm減小了晶片20％的熱損失。已經(jīng)示出氣刀在達到200μm高度處工作最好。因此建議氣刀的最低點為比微篩的最低點高50-100μm。如上所述，熱損失的減少降低了基板上的重疊誤差的危險性。第五實施方案圖10顯示了用于增加基板底部的冷凝的另一個可替代的實施方案，由此用不同于加熱頂部的方式來恢復熱平衡。當然，這兩種實施方案可以組合使用以增強熱平衡的精確度。在基板W和基板架WH之間的真空室42內供給的水飽和氣體44(例如在大約24毫巴或60毫巴飽和的乙醇)會導致水在基板W的冷點處的冷凝。由冷凝所損失的能量會加熱基板的空氣溫度。只要飽和氣體44被供給，基板W下面的冷凝的水就不會蒸發(fā)。為了補償在基板W頂部的平均能量損失，僅需要幾微米厚度的水膜冷凝在基板W的底表面上。在基板的最后曝光之后，基板被卸載之前，基板W的下表面上的水由供給的干燥空氣除去。在壓力作用下水分的蒸發(fā)非?？?。該能量調節(jié)的方法的優(yōu)點在于在發(fā)生能量損失的基板W的精確位置能無需任何主動控制就供給能量。這是因為水會冷凝在基板W的最冷的部分。另外的優(yōu)點在于不可能有溫度過調節(jié)。這是因為僅有基板W的熱容量參與了水的瞬時行為，因此能量調節(jié)是在盡可能短的時間內進行的。換言之，因為基板通過其頂表面上的能量損失而冷卻，水冷凝在其底表面上，所以一旦水離開就迅速將能量轉移回去。第六實施方案圖11顯示了當交換基板時提供密封元件12的底表面的封閉板46。封閉板的位置、速度、加速度和時間的也可以添加到時間表34的信息中。調節(jié)封閉板以允許浸液更容易保持在相同溫度/能量。不僅是封閉板可以進行熱調節(jié)，光刻裝置的任何部件甚至是間接與基板接觸的部件，例如任何與液體供給系統(tǒng)的液體接觸的部件，也可以被調節(jié)以使得其溫度保持穩(wěn)定。投影系統(tǒng)的末端元件和液體供給系統(tǒng)都與液體接觸，且都包括液體蒸發(fā)表面，尤其是在基板交換期間封閉板處于或進入位置時。輸送具有溫度仔細控制的液體的流道可以被引入液體供給系統(tǒng)內或液體供給系統(tǒng)外部的周邊。其勝過加熱器的優(yōu)點在于不需要額外的加熱器和控制器。如果使用同樣的浸液通過基板和投影系統(tǒng)之間的空間內的流道，液體供給系統(tǒng)的熱梯度可以比使用加熱器或熱燈絲或類似物時更加均勻?；蛘撸娂訜崞骺梢蕴峁┑揭后w供給系統(tǒng)中。這些加熱器可以由連接著諸如下述第七實施方案中所述的那些溫度傳感器的反饋控制器所控制。本實施方案，盡管具有額外的元件，但是具有能克服大的溫度波動的優(yōu)點，尤其是例如在移除封閉板期間。第七實施方案在本發(fā)明的替代實施方案中，蒸發(fā)控制的方法被積極地應用在檢測到基板的溫度降低時。可以用如圖12所示的檢測器22檢測浸液內的溫度的改變；或者，溫度傳感器可以處于諸如圖13所示的基板W周圍的不同的位置。溫度傳感器22a懸浮在基板W的上方，且圖13顯示了將該溫度傳感器連接至諸如圖8中所示(CPU36)的CPU的導線24。溫度傳感器22b在基板W內部且傳感器22c位于基板W和基板架WH之間的真空室42內。真空室42相對于基板W和基板架WH的比例為了說明性目的而放大了。傳感器也可以位于液體供給系統(tǒng)內。溫度傳感器可以設置在一個或多個這樣的位置上，以感應不同位置上的基板溫度，取決于在該位置導致能量損失可能性。還設置一傳感器位于基板臺自身中，但使其處于諸如圖13所示的并標志為22c的位置會是靈敏的，以使其盡可能接近于基板臺表面和/或基板W表面，因為當基板的熱平衡發(fā)生損失時，受損失的是基板。可以在使用加濕過的壓縮的清潔空氣的同時開關加熱元件，例如，如圖6所示。因此，隨著時間的過去蒸發(fā)過程通過加熱器的能量耗散來補償，而不需要溫度控制系統(tǒng)。當液體限制系統(tǒng)移動時會發(fā)生基板上的水膜的蒸發(fā)(例如相較于基板保持靜止時的5W能量損失，基板移動時有25W能量損失)。移動的速率影響能量損失的速率。氣刀后面而不是前面的水膜留在了基板上，所以移動圖案上的信息和基板相對于浸沒系統(tǒng)的速度被用于轉換補償?shù)哪芰亢兔芊庀到y(tǒng)內的基板相對于液體限制系統(tǒng)的位置?？刮g劑參數(shù)(例如浸液可濕性)和氣刀的氣體參數(shù)(例如Marangoni效應)確定了所需的加熱能量。當使用被動系統(tǒng)時，如圖10所示沒有溫度傳感器22的情況，沒有控制回路，所以幾乎不需要電子設備。因此如果需要的話容易改裝現(xiàn)有的機構，盡管毫無疑問也可以建立具有完整的溫度補償系統(tǒng)的新的機構。盡管在本文中以IC制造中的光刻裝置的使用為具體示例，但是應該理解這里描述的光刻裝置可以具有其它應用，例如集成光學系統(tǒng)、用于磁疇存儲器的引導和檢測圖案、平板顯示器，液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等的制造。本領域的技術人員將理解，在這種可替換的用途范圍中，這里的使用術語“晶片”或者“芯片”應認為分別與更普通的術語“基底”或“靶部”同義。這里所述的基底可以在曝光之前或之后進行處理，用例如涂布顯影裝置(一種典型地將抗蝕劑層應用于基底上并顯影曝光后的抗蝕劑的工具)、計量工具和/或檢驗工具。在各用途中，這里所公開的內容可以適用于這樣或其它的適合的基底處理工具。此外，基底可以處理不止一次，例如為了形成多層IC，以致于這里所用的術語基底也涉及已經(jīng)含有多個處理層的基底。這里使用的術語“輻射”和“光束”包含所有類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如具有365，248，193，157或者126nm的波長)。本文中允許的術語“透鏡”，可以涉及各種類型的光學元件的任意一種或其組合，包括折射和反射光學元件。盡管本發(fā)明的具體實施方案已經(jīng)如上所述，但是應當理解本發(fā)明可以用除上述方式之外的方式實現(xiàn)。例如，本發(fā)明可以采取計算機程序的形式，包括一個或多個描述上面所公開方法的機器可讀指令序列的，或采取數(shù)據(jù)存儲介質(例如半導體存儲器、磁盤或光盤)的形式，其中存儲有這類計算機程序。本發(fā)明能應用于任何浸沒光刻裝置，尤其是但不限于上述那些類型。上面的描述是為了解釋而不是限制本發(fā)明。因此，不背離下述權利要求的范疇對本發(fā)明做出的改進，對本領域技術人員是顯然的。權利要求1.一種光刻裝置，構造為將圖案化的輻射束投射到支撐在基板架上的基板的靶部，基板架位于基板臺的一凹槽內，其包括液體供給系統(tǒng)，構造為用液體至少部分地填充投影系統(tǒng)的末端元件和所述的基板之間的空間；密封元件，基本設置為在所述空間內容納所述液體；基板臺位移系統(tǒng)，設置為沿著相對于所述密封元件的預定路徑移動所述基板臺，由此移動所述基板表面上的所述靶部；時間表，包括其中基板可能處經(jīng)歷局部冷卻的基板位移系統(tǒng)的位置和時間；以及液體蒸發(fā)和冷凝控制器，設置為通過使用所述時間表的同步蒸發(fā)或冷凝控制技術，來控制由所述液體供給系統(tǒng)提供的液體的蒸發(fā)或冷凝的凈能量損失速率。2.根據(jù)權利要求1所述的光刻裝置，其中所述蒸發(fā)控制器包括構造為根據(jù)所述基板臺相對于所述密封元件的位置、速度、加速度和預定路徑，局部基板溫度，和局部基板臺溫度中的至少一個因素加熱所述基板的至少一部分的基板加熱器。3.根據(jù)權利要求1所述的光刻裝置，其中所述蒸發(fā)控制器包括構造為根據(jù)所述基板臺相對于所述密封元件的位置、速度、加速度和預定路徑，局部基板溫度，和局部基板臺溫度中的至少一個因素加熱所述基板臺的至少一部分的基板臺加熱器。4.根據(jù)權利要求1所述的光刻裝置，其中所述蒸發(fā)控制器包括構造為根據(jù)所述基板臺相對于所述密封元件的位置、速度、加速度和預定路徑，局部基板溫度，和局部基板臺溫度中的至少一個因素加熱所述液體供給系統(tǒng)的至少一部分的液體供給系統(tǒng)加熱器。5.根據(jù)權利要求4所述的光刻裝置，其中所述液體供給系統(tǒng)加熱器包括兩個結合到該液體供給系統(tǒng)壁上的電加熱器，和在該基板和投影系統(tǒng)的末端元件之間的空間內的溫度傳感器，該加熱器構造為根據(jù)溫度傳感器測量到的液體的溫度波動而對液體供給系統(tǒng)內的液體進行加熱。6.根據(jù)權利要求1所述的光刻裝置，還包括在投影系統(tǒng)的多次投影之間用于將空氣流供給基板表面的氣刀，其中所述蒸發(fā)控制技術包括在氣刀內供給加濕過的壓縮空氣。7.根據(jù)權利要求1所述的光刻裝置，其中所述蒸發(fā)控制技術包括將加濕過的壓縮空氣供給給液體限制系統(tǒng)。8.根據(jù)權利要求1所述的光刻裝置，還包括在投影系統(tǒng)的多次投影之間用于將空氣流供給給基板表面的氣刀，其中所述蒸發(fā)控制技術包括加熱氣刀中的空氣。9.根據(jù)權利要求8所述的光刻裝置，其中氣刀內的空氣是使用發(fā)光二極管加熱的。10.根據(jù)權利要求8所述的光刻裝置，其中將加濕過的熱空氣供給到氣刀和氣刀抽吸管道之間的區(qū)域。11.根據(jù)權利要求8所述的光刻裝置，還包括用于將冷凝與液體限制系統(tǒng)上游的加濕過的熱空氣隔開的冷凝分離器。12.根據(jù)權利要求1所述的光刻裝置，還包括在投影系統(tǒng)的多次投影之間用于將空氣流供給基板表面的氣刀，用于將空氣流從基板表面除去的氣刀抽吸系統(tǒng)，和懸在基板上用于將基板表面的液體與空氣分離而除去的微篩，其中蒸發(fā)控制技術包括優(yōu)化氣刀和微篩的相對高度，從而使得液體和空氣以液體、空氣和基板之間的能量流以保持基板處于最佳溫度的速度和比例除去。13.根據(jù)權利要求12所述的光刻裝置，其中基板上方的氣刀的高度小于200μm。14.根據(jù)權利要求12所述的光刻裝置，其中基板上方的氣刀的高度約為125μm。15.根據(jù)權利要求12所述的光刻裝置，其中基板上方的微篩的高度約為50μm。16.根據(jù)權利要求12所述的光刻裝置，其中基板上方的氣刀的高度為比基板上方的微篩的高度高約50-100μm。17.根據(jù)權利要求1所述的光刻裝置，其中時間表包括基板可能被冷卻以及由此可能發(fā)生液體從基板蒸發(fā)的時間，和作為時間的函數(shù)的蒸發(fā)能量以及基板臺或基板的位置。18.根據(jù)權利要求17所述的光刻裝置，還包括在投影系統(tǒng)的多次投影之間用于將空氣流供給基板表面的氣刀，其中時間表包括每次基板可能被冷卻時的時間以及此時基板上方的氣刀的位置。19.根據(jù)權利要求17所述的光刻裝置，該時間表還包括在一系列基板中當前基板的序列號。20.根據(jù)權利要求17所述的光刻裝置，該時間表還包括傳感器輸入的實際基板時間與預先計算好的最佳時間相比鉸的量。21.根據(jù)權利要求17所述的光刻裝置，該時間表還包括輻射照射基板的相關參數(shù)輸入。22.根據(jù)權利要求17所述的光刻裝置，還包括用于在液體限制系統(tǒng)不在基板上時將液體保持在液體限制系統(tǒng)內的封閉盤，其中時間表包括每次基板可能被冷卻時封閉盤不包括液體的時間。23.根據(jù)權利要求1所述的光刻裝置，其中該時間表包括基板上基板可能被冷卻且由此可能發(fā)生液體從基板蒸發(fā)的位置。24.根據(jù)權利要求23所述的光刻裝置，其中該時間表還包括作為時間的函數(shù)的基板和基板臺上的蒸發(fā)能量和位置。25.根據(jù)權利要求23所述的光刻裝置，其中該時間表包括基板相對于液體限制系統(tǒng)的位置。26.根據(jù)權利要求23所述的光刻裝置，其中該時間表包括基板頂表面的位置。27.根據(jù)權利要求23所述的光刻裝置，其中該時間表包括基板底表面的位置。28.根據(jù)權利要求23所述的光刻裝置，其中該時間表包括液體限制系統(tǒng)的排出通道的位置。29.根據(jù)權利要求1所述的光刻裝置，其中該液體蒸發(fā)控制器包括溫度傳感器。30.根據(jù)權利要求29所述的光刻裝置，其中溫度傳感器在該液體限制系統(tǒng)內。31.根據(jù)權利要求29所述的光刻裝置，其中溫度傳感器懸在基板上方。32.根據(jù)權利要求29所述的光刻裝置，其中溫度傳感器位于基板和基板臺之間。33.根據(jù)權利要求29所述的光刻裝置，其中溫度傳感器在基板臺內。34.根據(jù)權利要求1所述的光刻裝置，其中液體供給系統(tǒng)包括至少一條容納加熱或冷卻流體的流道以穩(wěn)定液體供給系統(tǒng)的溫度，以使得投影系統(tǒng)的末端元件和基板之間的液體保持在恒定的溫度。35.根據(jù)權利要求34所述的光刻裝置，其中該流道與液體供給系統(tǒng)相連，從而使得至少部分地填充該流道的液體與至少部分地填充投影系統(tǒng)的末端元件和基板之間的空間的液體是相同的液體。36.根據(jù)權利要求34所述的光刻裝置，其中該流道獨立于液體供給系統(tǒng)的供給，從而使得流道內的液體不同于至少部分地填充投影系統(tǒng)的末端元件和基板之間的空間的液體。37.一種光刻裝置，構造為將圖案化的輻射束投射到支撐在基板架上的基板的靶部，該基板架位于基板臺上的一凹槽內，其包括液體供給系統(tǒng)，構造為用液體至少部分地填充投影系統(tǒng)的末端元件和所述的基板之間的空間；密封元件，基本設置為在所述空間內容納所述液體；基板臺位移系統(tǒng)，設置為相對于所述密封元件沿著預定路徑移動所述基板臺，由此移動所述基板表面上的所述靶部；以及液體蒸發(fā)和冷凝控制器，設置為通過同步蒸發(fā)或冷凝控制技術，來控制由所述液體供給系統(tǒng)提供的液體的蒸發(fā)或冷凝的凈能量損失速率。38.根據(jù)權利要求37所述的光刻裝置，其中所述蒸發(fā)控制器包括用水流對基板架進行的基板熱調節(jié)。39.根據(jù)權利要求37所述的光刻裝置，其中所述蒸發(fā)控制器包括用水流對基板臺進行的基板熱調節(jié)。40.根據(jù)權利要求37所述的光刻裝置，其中所述蒸發(fā)控制器包括通過在離含有液體的空間最遠的基板表面引入流體的基板臺熱調節(jié)，該流體在光刻裝置的正常的操作溫度下冷凝。41.根據(jù)權利要求40所述的光刻裝置，其中該流體為所處壓力低于液體供給系統(tǒng)內液體的水，優(yōu)選處于大約2300Pa。42.根據(jù)權利要求40所述的光刻裝置，其中該流體為包括酮、醚和醇中的至少一種的氣體。43.根據(jù)權利要求40所述的光刻裝置，其中該流體通過基板臺內的管道被抽吸至基板表面或從中抽出。44.根據(jù)權利要求43所述的光刻裝置，其中該流體以二相混合物的形式被抽送。45.根據(jù)權利要求37所述的光刻裝置，其中所述蒸發(fā)控制器包括通過在基板架內結合包括液體和蒸汽的容器來控制基板臺的溫度。46.根據(jù)權利要求45所述的光刻裝置，其中該容器為一管道。47.根據(jù)權利要求45所述的光刻裝置，其中液體為水且蒸汽為水蒸汽。48.根據(jù)權利要求45所述的光刻裝置，其中液體為含有制冷劑的烴，蒸汽為烴蒸汽。49.根據(jù)權利要求45所述的光刻裝置，其中液體為R134a，1，1，1，2-四氟乙烷。50.根據(jù)權利要求45所述的光刻裝置，其中液體為含有制冷劑的烴類的混合物，蒸汽為烴類蒸汽的混合物。51.根據(jù)權利要求50所述的光刻裝置，其中該液體為R401a。52.根據(jù)權利要求45所述的光刻裝置，其中該液體為氨水，蒸汽為氨蒸汽。53.根據(jù)權利要求45所述的光刻裝置，包括用于加熱液體的加熱器。54.根據(jù)權利要求53所述的光刻裝置，其中該加熱器位于液體內。55.根據(jù)權利要求53所述的光刻裝置，其中該加熱器位于基板臺下面。56.根據(jù)權利要求53所述的光刻裝置，還包括用于為加熱器提供輸入?yún)?shù)的溫度和/或壓力傳感器。57.根據(jù)權利要求45所述的光刻裝置，其中該容器沒有空氣和不可冷凝的流體，且與大氣封閉。58.根據(jù)權利要求45所述的光刻裝置，其中該容器包括多條盡可能接近于基板架朝向基板的表面的管道。59.根據(jù)權利要求45所述的光刻裝置，包括在基板架朝向基板的表面內的中空的凹座。60.根據(jù)權利要求59所述的光刻裝置，其中該中空的凹座包括容器和基板之間的通道，以允許蒸汽從容器通至基板的底表面。61.根據(jù)權利要求45所述的光刻裝置，還在基板臺內包括海綿樣的材料。62.根據(jù)權利要求37所述的光刻裝置，還包括所述基板架和所述基板之間的真空室，其中液體蒸發(fā)技術包括將水飽和的空氣供給至所述真空室。63.根據(jù)權利要求37所述的光刻裝置，還包括用于從基板臺釋放出在接觸液體供給系統(tǒng)期間被吸收的氣體的釋放裝置。64.根據(jù)權利要求37所述的光刻裝置，還包括用于將基板臺的任何在接觸液體供給系統(tǒng)期間改變了相的部分恢復至初始相的再生裝置。65.一種器件制造方法，包括提供構造為支撐基板的基板臺；提供構造為將圖案化的輻射束投射到基板的靶部上的投影系統(tǒng)；提供構造為用液體至少部分地填充所述投影系統(tǒng)的末端元件和所述基板之間的空間的液體供給系統(tǒng)；提供基本設置為在所述投影系統(tǒng)的末端元件和所述基板之間的空間內容納所述液體的密封元件；控制由所述液體供給系統(tǒng)提供的液體的蒸發(fā)導致的能量損失速率；提供基板臺位移系統(tǒng)，設置為相對于所述密封元件沿著預定路徑移動所述基板臺，由此移動所述基板表面上的所述靶部；根據(jù)所述基板臺相對于所述密封元件的位置、速率、加速度和預定路徑，局部基板溫度，和局部基板臺溫度中的至少一個因素加熱所述基板的至少一部分；以及在加熱和控制蒸發(fā)速率之間同時進行轉換。全文摘要本發(fā)明涉及用于保持基板和浸沒光刻裝置的熱平衡的方法和裝置，其通過含有與基板的位置、速度和加速度相關的信息的時間表，和對應時間表內的信息而起減少局部蒸發(fā)和/或增加局部冷凝作用的蒸發(fā)控制器或冷凝控制器來實現(xiàn)?；灞砻娴乃值恼舭l(fā)使其冷卻，而冷凝到基板底表面的水分將該基板局部加熱。文檔編號H01L21/027GK1885171SQ200610107688公開日2006年12月27日申請日期2006年6月20日優(yōu)先權日2005年6月21日發(fā)明者J·H·W·雅各布斯,N·坦卡特,M·H·A·李恩德斯,E·R·盧普斯特拉,M·C·M·弗哈根,H·布姆,F·J·J·詹森,I·P·M·鮑查姆斯,N·R·坎帕,J·J·奧坦斯,Y·科克,J·范埃斯申請人:Asml荷蘭有限公司