專利名稱：晶片封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于 一種半導(dǎo)體元件及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種晶片封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法(CHIP PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THREROF)。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，集成電路(integrated circuits, IC)的生產(chǎn)主要 可分為三個階段集成電路的設(shè)計(IC design )、集成電路的制作(IC process )及集成電路的封裝(IC package )。在集成電路的制作中，晶片(chip)是經(jīng)由晶圓(wafer)制作、形成 集成電路以及切割晶圓(wafer sawing)等步驟而完成。晶圓具有一主動 面(active surface),其泛指晶圓的具有主動元件(active device)的 表面。當(dāng)晶圓內(nèi)部的集成電路完成之后，晶圓的主動面更配置有多個焊墊 (bonding pad),以使最終由晶圓切割所形成的晶片可經(jīng)由這些焊墊而向外 電性連接于一承載器(carrier )。承載器例如為一導(dǎo)線架(leadframe )或 一封裝勤反(package substrate )。 晶片可以打線^^ (wire bonding)或覆 晶接合(flip chip bonding)的方式連接至承載器上，使得晶片的這些焊 墊可電性連接于承載器的接點(diǎn)，以構(gòu)成一晶片封裝結(jié)構(gòu)。圖1A繪示現(xiàn)有的一種晶片封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視剖面示意圖，而圖IB繪示 圖1A的晶片封裝結(jié)構(gòu)的部分構(gòu)件的俯視示意圖。請同時參考圖IA與圖 IB，現(xiàn)有的晶片封裝結(jié)構(gòu)100包括一晶片110、 一導(dǎo)線架120、多條第一焊 線(bonding wire) 130、多條第二姅線140、多條第三焊線150與一膠體 (encapsulant) 160。晶片IIO具有一主動面112與配置于主動面112上的 多個第一焊墊114與第二焊墊116。晶片110固著于導(dǎo)線架120下方，而導(dǎo) 線架120包括多個內(nèi)引腳(inner lead) 122與一匯流架(bus bar) 124。這 些內(nèi)引腳122與匯流架124位于晶片110的主動面112的上方或下方，且匯 流架124的形狀為環(huán)形。請參考圖1B，由于晶片110的第一焊墊114具有相同電位，而這些第 一焊墊114例如是接地焊墊或電源焊墊，因此這些等電位的第一焊墊114 可分別借由這些第一焊線130連接至匯流架124,而匯流架124再借由這些 第二焊線140連接至相對應(yīng)的部分內(nèi)引腳122。然而，晶片110的作為傳輸 訊號用的第二焊墊116 (例如電位隨時改變的訊號焊墊)必須分別借由第三 焊線150連接至相對應(yīng)的其他內(nèi)引腳122,且這些第三焊線150通常需跨越
部分第一焊線130、部分第二焊線140與匯流架124。因il匕，這些第三焊線 150的長度較長，使得這些第三焊線150容易坍塌而造成電性短路。或 者，這些第三焊線150容易在封膠時發(fā)生坍塌或被灌入的膠體扯斷而造成電 性斷路。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種晶片封裝結(jié)構(gòu)，以降低焊線坍塌的可能性。本發(fā)明的另一目的是提供一種晶片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，以提升晶片 封裝結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)良率。為達(dá)上述或是其他目的，本發(fā)明提出一種晶片封裝結(jié)構(gòu)，其包括一晶 片、 一導(dǎo)線架、多條第一焊線與多條第二焊線。晶片具有一主動面與多個 晶片焊墊(chip bonding pad),其中這些晶片焊墊配置于主動面上。導(dǎo)線 架固著于晶片上，導(dǎo)線架包括多個內(nèi)引腳、至少一匯流架、 一絕緣層與多 個轉(zhuǎn)接焊墊(transfer bonding pad )。匯流架位于這些晶片焊墊與這些內(nèi) 引腳之間，絕緣層配置于匯流架上。這些轉(zhuǎn)接焊墊配置于絕緣層上，且這 些內(nèi)引腳與匯流架位于晶片的主動面上方，而晶片與絕緣層分別位于匯流 架的相對兩表面上。這些第一焊線分別連接這些晶片焊墊與這些轉(zhuǎn)接焊 墊，且這些第二焊線分別連接這些轉(zhuǎn)接焊墊與這些內(nèi)引腳。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的匯流架可為環(huán)狀。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的匯流架可為條狀。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的晶片封裝結(jié)構(gòu)更包括一膠體。膠體包 覆主動面、這些內(nèi)引腳、匯流架、這些第一焊線與這些第二焊線。為達(dá)上述或是其他目的，本發(fā)明提出一種晶片封裝結(jié)構(gòu)，其包括一晶 片、 一導(dǎo)線架、多條第一焊線與多條第二焊線。晶片具有一主動面與多個 晶片焊墊，其中這些晶片焊墊配置于主動面上。導(dǎo)線架包括一晶片座(chip pad)、多個內(nèi)引腳、至少一匯流架、 一絕緣層與多個轉(zhuǎn)接焊墊。晶片配置 于晶片座上，且主動面遠(yuǎn)離晶片座。匯流架位于晶片座與這些內(nèi)引腳之 間，絕緣層配置于匯流架上，且這些轉(zhuǎn)接焊墊配置于絕緣層上。這些第一焊 線分別連接這些晶片焊墊與這些轉(zhuǎn)接焊墊，且這些第二焊線分別連接這些 轉(zhuǎn)接焊墊與這些內(nèi)引腳。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的匯流架可為環(huán)狀。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的匯流架可為條狀。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的晶片封裝結(jié)構(gòu)更包括一膠體。膠體包 覆主動面、晶片座'這些內(nèi)引腳、匯流架、這些第一焊線與這些第二焊線。為達(dá)上述或是其他目的，本發(fā)明提出 一種晶片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其 包括下列步驟。首先，提供一導(dǎo)線架，導(dǎo)線架具有多個內(nèi)引腳與至少一匯流架。接著，在匯流架上形成一絕緣層。4妻著，在絕纟彖層上形成多個轉(zhuǎn)接 焊墊。之后，提供一晶片，晶片具有一主動面與多個晶片焊墊，其中這些 晶片焊墊配置于主動面上。之后，將晶片固著于導(dǎo)線架下方，使得這些內(nèi) 引腳與匯流架位于晶片的主動面上方，且晶片與絕緣層分別位于匯流架的 相對兩表面上。然后，形成多條第一焊線，以分別連接這些晶片焊墊與這 些轉(zhuǎn)接焊墊。然后，形成多條第二焊線，以分別連接這些轉(zhuǎn)接焊墊與這些 內(nèi)引腳。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的晶片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法更包括形成 一膠體，以包覆主動面、這些內(nèi)引腳、匯流架、這些第一焊線與這些第二 焊線。為達(dá)上述或是其他目的，本發(fā)明提出一種晶片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其 包括下列步驟。首先，提供一導(dǎo)線架，導(dǎo)線架具有一晶片座、多個內(nèi)引腳 與至少一匯流架，其中匯流架位于晶片座與這些內(nèi)引腳之間。接著，在匯流 架上形成一絕緣層。接著，在絕緣層上形成多個轉(zhuǎn)接焊墊。之后，提供一晶 片，晶片具有一主動面與多個晶片焊墊，其中這些晶片焊墊配置于主動面 上。之后，將晶片固著于晶片座上，其中主動面遠(yuǎn)離晶片座。然后，形成多 條第一焊線，以分別連接這些晶片焊墊與這些轉(zhuǎn)接焊墊。然后，形成多條 第二焊線，以分別連接這些轉(zhuǎn)接焊墊與這些內(nèi)引腳。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的晶片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法更包括形成 一膠體，以包覆主動面、晶片座、這些內(nèi)引腳、匯流架、這些第一焊線與這 些第二焊線。綜上所述，本發(fā)明的晶片封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法至少具有以下優(yōu)點(diǎn)一、 本發(fā)明在匯流架上形成轉(zhuǎn)接焊墊，以便于進(jìn)行跳線，因此相較于 現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明所形成的焊線的長度較短，且高度較低，以提高晶片封 裝結(jié)構(gòu)的可靠度。二、 由于這些晶片焊墊分別借由這些第一焊線連接至這些轉(zhuǎn)接焊墊，而 這些轉(zhuǎn)接焊墊分別借由這些第二焊線連接至這些內(nèi)引腳。換言之，這些轉(zhuǎn) 接焊墊是分別作為這些晶片焊墊對應(yīng)電性連接至這些內(nèi)引腳的轉(zhuǎn)接點(diǎn)。因 此，這些第一焊線與這些第二焊線的長度較短，從而使得這些第一焊線與 這些第二焊線坍塌而造成電性短路的可能性降低，進(jìn)而提升本發(fā)明的晶片 封裝結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)良率。三、 由于這些第一焊線與這些第二焊線的長度較短，從而使得這些第 一焊線與這些第二焊線在封膠制程中發(fā)生坍塌或被灌入的膠體扯斷而造成 電性斷路的可能性降低，.進(jìn)而提升本發(fā)明的晶片封裝結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)良率.?；谏鲜?，由于本發(fā)明在匯流架上形成轉(zhuǎn)接焊墊，其用以作為晶片焊 墊對應(yīng)電性連接至內(nèi)引腳的轉(zhuǎn)接點(diǎn)，因此所需的第 一焊線與第二焊線的長
度較短，以降低第一焊線與第二焊線坍塌的可能性。此外，由于這些第一 焊線與這些第二焊線的長度較短，因此第 一焊線與第二焊線在封膠制程中 發(fā)生坍塌或被灌入的膠體扯斷的可能性便可降低。為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉 較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下。


圖1A繪示現(xiàn)有的一種晶片封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視剖面示意圖。圖1B繪示圖1A的晶片封裝結(jié)構(gòu)的部分構(gòu)件的俯視示意圖。圖2A繪示本發(fā)明第 一 實(shí)施例的 一種晶片封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視剖面示意圖。圖2B繪示圖2A的晶片封裝結(jié)構(gòu)的導(dǎo)線架的俯視示意圖。圖2C繪示本發(fā)明另 一實(shí)施例的晶片封裝結(jié)構(gòu)的導(dǎo)線架的俯視示意圖。圖3A至圖3F繪示本發(fā)明第一實(shí)施例的晶片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的示意圖。圖4A繪示本發(fā)明第二實(shí)施例的一種晶片封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視剖面示意圖。 圖4B繪示圖4A的晶片封裝結(jié)構(gòu)的導(dǎo)線架的俯視示意圖。 圖5A至圖5F繪示本發(fā)明第二實(shí)施例的晶片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的示 意圖。100、200、300:晶片封裝結(jié)構(gòu)110、210、310:晶片112、212、312:主動面114:第一焊墊116:第二焊墊120、220、220'、 320:導(dǎo)線架122、222、322:內(nèi)引腳124、224、224，、 324:匯流架130、230、330:第一焊線140、240、340:第二焊線150:第三焊線160、250、350:膠體214、314:晶片焊墊224a、224b:匯流架的表面226、326:絕緣層228、328:轉(zhuǎn)接焊墊P:晶片座
具體實(shí)施方式
第一實(shí)施例圖2A繪示本發(fā)明第一實(shí)施例的一種晶片封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視剖面示意 圖，而圖2B繪示圖2A的晶片封裝結(jié)構(gòu)的導(dǎo)線架的俯視示意圖。請參考圖2A 與圖2B，第一實(shí)施例的晶片封裝結(jié)構(gòu)200包括一晶片210、 一導(dǎo)線架220、多 條第一焊線230與多條第二焊線240。晶片210具有一主動面212與多個晶 片焊墊214，其中這些晶片焊墊214配置于主動面212上。此外，這些晶片 焊墊214可為接地焊墊、電源焊墊或訊號焊墊。導(dǎo)線架220固著于晶片210上，導(dǎo)線架220包括多個內(nèi)引腳222、至少 一匯流架224、 一絕緣層226與多個轉(zhuǎn)接焊墊228。匯流架224位于這些晶 片焊墊214與這些內(nèi)引腳222之間，絕緣層226配置于匯流架224上。這 些轉(zhuǎn)接焊墊228配置于絕緣層226上，且這些內(nèi)引腳222與匯流架224位 于晶片210的主動面212的上方，而晶片210與絕緣層226分別位于匯流 架224的相對兩表面224a、 224b上。這些第一焊線230分別連接這些晶片焊墊214與這些轉(zhuǎn)接焊墊228,且 這些第二焊線240分別連接這些轉(zhuǎn)接焊墊228與這些內(nèi)引腳222。在第一實(shí) 施例中，晶片封裝結(jié)構(gòu)200更包括一膠體250。膠體250包覆主動面212、 這些內(nèi)引腳222、匯流架224、這些第一焊線230與這些第二焊線240。在此，必須說明的是，第一實(shí)施例的晶片封裝結(jié)構(gòu)200與現(xiàn)有晶片封 裝結(jié)構(gòu)100 (見圖1A與圖1B)相較，由于這些晶片焊墊214分別借由這些 第一焊線230連接至這些轉(zhuǎn)接焊墊228，而這些轉(zhuǎn)接焊墊228分別借由這些 第二焊線240連接至這些內(nèi)引腳222。換言之，這些轉(zhuǎn)接焊墊228是分別作 為這些晶片焊墊214對應(yīng)電性連接至這些內(nèi)引腳222的轉(zhuǎn)接點(diǎn)。因此，這些 第一焊線230與這些第二焊線240的長度較短，從而改善現(xiàn)有封裝結(jié)構(gòu)100 所存在的缺點(diǎn)，進(jìn)而提升第一實(shí)施例的晶片封裝結(jié)構(gòu)200的生產(chǎn)良率。在第一實(shí)施例中，匯流架224可為環(huán)狀且匯流架224的數(shù)量可為一 個，但是匯流架224的外型與數(shù)量可依照設(shè)計需求而改變，亦即第一實(shí)施例 只是用以舉例而非限定本發(fā)明。例如請參考圖2C，其繪示本發(fā)明另一實(shí)施 例的晶片封裝結(jié)構(gòu)的導(dǎo)線架的俯視示意圖。在另一實(shí)施例中，導(dǎo)線架220， 的匯流架224，可為條狀，且匯流架224，的數(shù)量可為多個。此外，在本實(shí)施 例中，所有的晶片焊墊214均有相對應(yīng)的轉(zhuǎn)接焊墊228,以便于跳線，但本 發(fā)明并不限定所有的晶片焊墊均需跳線。以下對于第一實(shí)施例的晶片封裝結(jié)構(gòu)200的制造方法進(jìn)行說明。圖3A 至圖3F繪示本發(fā)明第一實(shí)施例的晶片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的示意圖。第一 實(shí)施例的晶片封裝結(jié)構(gòu)200的制造方法包括下列步驟。首先，請參考圖 3A，提供一導(dǎo)線架220。導(dǎo)線架220具有多個內(nèi)引腳222與至少一匯流架224。 接著，i青參考圖3B,在匯-充架224上形成一絕鄉(xiāng)彖層226。在第一實(shí)施例中，形成絕緣層226的方式可以是化學(xué)氣相沈積制程(CVD process )。接 著，在絕緣層226上形成多個轉(zhuǎn)接焊墊228。在第一實(shí)施例中，可借由在絕緣層226上形成導(dǎo)體材料層(未繪示)，而形成導(dǎo)體材料層的方式可為賊鍍 制程、物理氣相沈積或其他薄膜沈積制程。然后，對于此導(dǎo)體材料層進(jìn)行 圖案化制程(例如微影與蝕刻制程)，以形成多個轉(zhuǎn)接焊墊228于絕緣層226 上。之后，請參考圖3C,提供一晶片210。晶片210具有一主動面212與 多個晶片焊墊214，其中這些晶片焊墊214配置于主動面212上。之后，請 參考圖3D，將晶片210固著于導(dǎo)線架220的下方，使得這些內(nèi)引腳222與 匯流架224位于晶片210的主動面212的上方，且晶片210與絕緣層226 分別位于匯流架224的相對兩表面224a、 224b上。然后，請參考圖3E，進(jìn)行打線制程，形成多條第一焊線230,以分別 連接這些晶片焊墊214與這些轉(zhuǎn)接焊墊228。然后，繼續(xù)形成多條第二焊線 240，以分別連接這些轉(zhuǎn)接焊墊228與這些內(nèi)引腳222。請參考圖3F，第一實(shí) 施例中，晶片封裝結(jié)構(gòu)200的制造方法更包括形成一膠體250,以包覆主動 面212、這些內(nèi)引腳222、匯流架224、這些第一焊線230與這些第二焊線 240。經(jīng)由上述步驟，第一實(shí)施例的晶片封裝結(jié)構(gòu)200即可完成。在此，必須再次強(qiáng)調(diào)的是，本實(shí)施例在匯流架224上形成轉(zhuǎn)接焊墊 228，以便于進(jìn)行跳線。更詳細(xì)而言，由于這些第一焊線230與這些第二焊 線240的長度較短，使得這些第一焊線230與這些第二焊線240坍塌而造 成電性短路的可能性降低?；蛘?，使得這些第一焊線230與這些第二焊線 240在封膠制程中發(fā)生坍塌或被灌入的膠體260扯斷而造成電性斷路的可能 性降低，進(jìn)而提升第一實(shí)施例的晶片封裝結(jié)構(gòu)200的生產(chǎn)良率。第二實(shí)施例圖4A繪示本發(fā)明第二實(shí)施例的一種晶片封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視剖面示意 圖，而圖4B繪示圖4A的晶片封裝結(jié)構(gòu)的導(dǎo)線架的俯視示意圖。請參考圖4A 與圖4B，第二實(shí)施例的晶片封裝結(jié)構(gòu)300與第一實(shí)施例的晶片封裝結(jié)構(gòu)200 的主要不同之處在于晶片封裝結(jié)構(gòu)300的導(dǎo)線架320包括一晶片座P、多 個內(nèi)引腳322、至少一匯流架324、 一絕緣層326與多個轉(zhuǎn)接焊墊328。晶 片310配置于晶片座P上，且主動面312遠(yuǎn)離晶片座P。換言之，就圖4A 的相對位置而言，晶片310的主動面312是朝上。此外，匯流架324位于 晶片座P與這些內(nèi)引腳322之間。以下對于第二實(shí)施例的晶片封裝結(jié)構(gòu).300的制造方法進(jìn)行說明。圖5A 至圖5F繪示本發(fā)明第二實(shí)施例的晶片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的示意圖。第二 實(shí)施例的晶片封裝結(jié)構(gòu)300的制造方法包括下列步驟。首先，請參考圖 5Aj是供一導(dǎo)線架320。導(dǎo)線架320具有一晶片座P、多個內(nèi)引腳322與至 少一匯流架324,其中匯流架324位于晶片座P與這些內(nèi)引腳322之間。接著，請參考圖5B,在匯流架324上形成一絕緣層326，絕緣層326 的形成方式可同于第一實(shí)施例所述。接著，在絕緣層326上形成多個轉(zhuǎn)接 焊墊328，而這些轉(zhuǎn)接焊墊328的形成方式可同于第一實(shí)施例所述。之后，請參考圖5C，提供一晶片310,晶片具有一主動面312與多個 晶片焊墊314,其中這些晶片焊墊314配置于主動面312上。之后，請參考 圖5D，將晶片310固著于晶片座P上，其中主動面312遠(yuǎn)離晶片座P。然后，請參考圖5E，進(jìn)行打線制程，形成多條第一焊線330，以分別 連接這些晶片焊墊314與這些轉(zhuǎn)接焊墊328。然后，繼續(xù)形成多條第二焊線 340，以分別連接這些轉(zhuǎn)接焊墊328與這些內(nèi)引腳322。請參考圖5F，第一 實(shí)施例中，晶片封裝結(jié)構(gòu)300的制造方法更包括形成一膠體350，以包覆主 動面312、晶片座P、這些內(nèi)引腳322、匯流架324、這些第一焊線330與 這些第二焊線340。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤 飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的申請專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種晶片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其包括一晶片，具有一主動面與多個晶片焊墊，其中該些晶片焊墊配置于該主動面上；一導(dǎo)線架，固著于該晶片上，該導(dǎo)線架包括多個內(nèi)引腳；至少一匯流架，位于該些晶片焊墊與該些內(nèi)引腳之間一絕緣層，配置于該匯流架上；以及多個轉(zhuǎn)接焊墊，配置于該絕緣層上，且該些內(nèi)引腳與該匯流架位于該晶片的該主動面上方，而該晶片與該絕緣層分別位于該匯流架的相對兩表面上；多條第一焊線，分別連接該些晶片焊墊與該些轉(zhuǎn)接焊墊；以及多條第二焊線，分別連接該些轉(zhuǎn)接焊墊與該些內(nèi)引腳。
2. 如權(quán)利要求1所述的晶片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該匯流架為環(huán) 狀或條狀。
3. 如權(quán)利要求1所述的晶片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于更包括一膠體， 包覆該主動面、該些內(nèi)引腳、該匯流架、該些第一焊線與該些第二焊線。
4. 一種晶片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于包括一晶片，具有一主動面與多個晶片焊墊，其中該些晶片焊墊配置于該主 動面上；一導(dǎo)線架，包括一晶片座，該晶片配置于該晶片座上，且該主動面遠(yuǎn)離該晶片座； 多個內(nèi)引腳；至少一匯流架，位于該晶片座與該些內(nèi)引腳之間； 一絕緣層，配置于該匯流架上；以及 多個轉(zhuǎn)接焊墊，配置于該絕緣層上；多條第一焊線，分別連接該些晶片焊墊與該些轉(zhuǎn)接焊墊；以及 多條第二焊線，分別連接該些轉(zhuǎn)接焊墊與該些內(nèi)引腳。
5. 如權(quán)利要求4所述的晶片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該匯流架為環(huán) 狀或條狀。
6. 如權(quán)利要求4所述的晶片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于更包括一膠體，該膠體包覆該主動面、該晶片座、該些內(nèi)引腳、該匯流架、該些第一焊線與 該些第二焊線。
7. —種晶片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于包括 提供一導(dǎo)線架，該導(dǎo)線架具有多個內(nèi)引腳與至少 一匯流架； 在該匯;克架上形成一絕纟彖層；在該絕緣層上形成多個轉(zhuǎn)接焊墊；提供一晶片，該晶片具有一主動面與多個晶片焊墊，其中該些晶片焊墊配置于該主動面上；將該晶片固著于該導(dǎo)線架下方，使得該些內(nèi)引腳與該匯流架位于該晶 片的該主動面上方，且該晶片與該絕緣層分別位于該匯流架的相對兩表面 上；形成多條第一焊線，以分別連接該些晶片焊墊與該些轉(zhuǎn)接焊墊；以及 形成多條第二焊線，以分別連接該些轉(zhuǎn)接焊墊與該些內(nèi)引腳。
8. 如權(quán)利要求7所述的晶片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于更包 括形成一膠體，以包覆該主動面、該些內(nèi)引腳、該匯流架、該些第一焊線與 該些第二焊線。
9. 一種晶片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于包括 提供一導(dǎo)線架，該導(dǎo)線架具有一晶片座、多個內(nèi)引腳與至少一匯流架，其中該匯流架位于該晶片座與該些內(nèi)引腳之間； 在該匯流架上形成一絕纟彖層； 在該絕緣層上形成多個轉(zhuǎn)接焊墊；^:供一晶片，該晶片具有一主動面與多個晶片焊墊,其中該些晶片焊墊 配置于該主動面上；將該晶片固著于該晶片座上，其中該主動面遠(yuǎn)離該晶片座； 形成多條第一焊線，以分別連接該些晶片焊墊與該些轉(zhuǎn)接焊墊；以及 形成多條第二焊線，以分別連接該些轉(zhuǎn)接焊墊與該些內(nèi)引腳。
10. 如權(quán)利要求9所述的晶片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于更包 4舌形成一月交體，以包4隻該主動面、該晶片座、該些內(nèi)引腳、該匯流架、該些 第一焊線與該些第二焊線。
全文摘要
一種晶片封裝結(jié)構(gòu)，其包括一晶片、一導(dǎo)線架、多條第一焊線與多條第二焊線。晶片具有一主動面與配置于主動面上的多個晶片焊墊。固著于晶片上的導(dǎo)線架包括多個內(nèi)引腳、至少一匯流架、一絕緣層與多個轉(zhuǎn)接焊墊。匯流架位于這些晶片焊墊與這些內(nèi)引腳之間，絕緣層配置于匯流架上。轉(zhuǎn)接焊墊配置于絕緣層上，且這些內(nèi)引腳與匯流架位于晶片的主動面上方，而晶片與絕緣層分別位于匯流架的相對兩表面上。這些第一焊線分別連接這些晶片焊墊與這些轉(zhuǎn)接焊墊，且這些第二焊線分別連接這些轉(zhuǎn)接焊墊與這些內(nèi)引腳。上述晶片封裝結(jié)構(gòu)可降低焊線坍塌的可能性。
文檔編號H01L21/60GK101118894SQ20061010406
公開日2008年2月6日 申請日期2006年7月31日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月31日
發(fā)明者華 潘, 邱介宏, 黃志龍 申請人:宏茂微電子(上海)有限公司;百慕達(dá)南茂科技股份有限公司