專利名稱：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
目前已知在布線基板上安裝有半導(dǎo)體裝置(例如參照特開平2-272737號(hào)公報(bào))的類型的電子模塊。為制造可靠性高的電子模塊，將布線基板的布線圖案和半導(dǎo)體裝置的布線電連接是重要的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供安裝性高的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
(1)本發(fā)明提供的半導(dǎo)體裝置具有具有電極的半導(dǎo)體基板；樹脂突起，其形成于所述半導(dǎo)體基板的形成有所述電極的面上，形成為沿一直線延伸的形狀；布線，其與所述電極電連接，形成于所述樹脂突起上，所述樹脂突起具有沿所述直線距所述樹脂突起的中央越遠(yuǎn)其高度越低的傾斜區(qū)域，所述布線通過所述傾斜區(qū)域上而形成。根據(jù)本發(fā)明，可提供安裝性高的半導(dǎo)體裝置。
(2)在該半導(dǎo)體裝置中，所述傾斜區(qū)域也可以以距所述樹脂突起的中央越遠(yuǎn)寬度越窄的方式形成。
(3)在該半導(dǎo)體裝置中，所述半導(dǎo)體基板是半導(dǎo)體芯片，所述樹脂突起也可以形成為沿所述半導(dǎo)體基板的形成有所述電極的面的一個(gè)邊延伸的形狀。
(4)在該半導(dǎo)體裝置中，多個(gè)所述布線也可以形成于一個(gè)所述樹脂突起上。
(5)本發(fā)明提供的半導(dǎo)體裝置的制造方法，具有準(zhǔn)備具有電極的半導(dǎo)體基板的工序；在所述半導(dǎo)體基板的形成有所述電極的面上，形成構(gòu)成沿一直線延伸的形狀的樹脂突起的工序；在所述樹脂突起上形成與所述電極電連接的布線的工序，形成所述樹脂突起，使其具有沿所述直線距所述樹脂突起的中央越遠(yuǎn)高度越低的傾斜區(qū)域，使所述布線通過所述傾斜區(qū)域上形成。根據(jù)本發(fā)明，可制造安裝性優(yōu)良的半導(dǎo)體裝置。
(6)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，也可以形成所述樹脂突起，使所述傾斜區(qū)域距所述樹脂突起的中央越遠(yuǎn)寬度越窄。
(7)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，形成所述樹脂突起的工序也可以包括在所述半導(dǎo)體基板上設(shè)置樹脂材料，使其沿一條直線延伸且沿所述直線距中央越遠(yuǎn)寬度越窄的工序；使所述樹脂材料硬化的工序。
(8)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，也可以設(shè)置所述樹脂材料構(gòu)成一定的厚度，使所述樹脂材料硬化收縮，形成所述樹脂突起。
(9)在該半導(dǎo)體裝置的制造方法中，也可以在一個(gè)所述樹脂突起上形成多個(gè)所述布線。


圖1(A)～圖1(C)是用于說明應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的圖；圖2(A)～圖2(C)是用于說明應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的圖；圖3是表示安裝應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的電子模塊的圖；圖4是用于說明應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖；圖5(A)及圖5(B)是用于說明應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖；圖6(A)及圖6(B)是用于說明應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置的圖。
圖中10半導(dǎo)體基板；11區(qū)域；12集成電路；14電極；16鈍化膜；20樹脂突起；21直線；22樹脂材料；24傾斜區(qū)域；30布線；40布線基板；42基體基板；44布線圖案；45電連接部；50粘接劑；52粘接層；60樹脂突起；61直線；62中央?yún)^(qū)域；62中央?yún)^(qū)域；64傾斜區(qū)域；100半導(dǎo)體裝置。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖對(duì)應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。但是，本發(fā)明不限于以下實(shí)施方式。
下面，參照?qǐng)D1(A)～圖1(C)對(duì)應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置100進(jìn)行說明。在此，圖1(A)是應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置100的俯視圖。圖1(B)是圖1(A)的IB-IB線剖面圖，圖1(C)是圖1(A)的IC-IC線剖面圖。
如圖1(A)～圖1(C)所示，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體基板10。半導(dǎo)體基板10例如也可以為硅基板。半導(dǎo)體基板10也可以形成芯片狀(參照?qǐng)D3)。即，半導(dǎo)體基板10也可以為半導(dǎo)體芯片?；虬雽?dǎo)體基板10也可以形成晶圓狀(參照?qǐng)D4)。也可以在半導(dǎo)體基板10上形成集成電路12(參照?qǐng)D1(C))。集成電路12的結(jié)構(gòu)沒有特別限制，但例如也可以包括晶體管等有源元件、和電阻、線圈、電容器等無源元件。在半導(dǎo)體基板10形成芯片狀時(shí)，半導(dǎo)體基板10的形成有集成電路12的面(有源面)也可以形成長(zhǎng)方形。但是，半導(dǎo)體基板10的有源面也可以形成正方形。
如圖1(A)及圖1(C)所示，半導(dǎo)體基板10具有電極14。電極14也可以與半導(dǎo)體基板10的內(nèi)部電連接。電極14也可以與集成電路12電連接。或，包括未與集成電路12電連接的導(dǎo)電體，也稱作電極14。電極14也可以是半導(dǎo)體基板內(nèi)部布線的一部分。此時(shí)，電極14在半導(dǎo)體基板的內(nèi)部布線中也可以是用于與外部進(jìn)行電連接的部分。電極14也可以由鋁或銅等金屬構(gòu)成。電極14也可以沿半導(dǎo)體基板10的有源面的一個(gè)邊排列。
如圖1(B)及圖1(C)所示，半導(dǎo)體基板10也可以具有鈍化膜16。鈍化膜16也可以使電極14露出而形成。鈍化膜16也可以具有使電極14露出的開口。鈍化膜例如也可以是SiO2或SiN等無機(jī)絕緣膜。或鈍化膜16也可以是聚酰亞胺樹脂等有機(jī)絕緣膜。
如圖1(A)～圖1(C)所示，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置包括形成于半導(dǎo)體基板10上的樹脂突起20。樹脂突起20形成于半導(dǎo)體基板10的形成有電極14的面上。樹脂突起20也可以在鈍化膜16上形成。樹脂突起20的材料沒有特別限定，也可以應(yīng)用已知的任一種材料。例如，樹脂突起20也可以利用聚酰亞胺樹脂、硅改性聚酰亞胺樹脂、環(huán)氧樹脂、硅改性環(huán)氧樹脂、苯并環(huán)丁烯(BCB；benzocyclobutene)、聚苯并惡唑(PBO；polybenzoxazole)、苯酚樹脂等樹脂形成。
如圖1(A)所示，樹脂突起20形成沿一直線21延伸的形狀。在此，直線21也可以是通過半導(dǎo)體基板10上的假想的直線。在半導(dǎo)體基板10為半導(dǎo)體芯片時(shí)，樹脂突起20也可以形成沿半導(dǎo)體基板10的一個(gè)邊延伸的形狀。另外，在半導(dǎo)體基板10的有源面形成長(zhǎng)方形時(shí)，樹脂突起20也可以形成沿其長(zhǎng)邊延伸的形狀?；颍瑯渲黄?0也可以形成向一方向擴(kuò)展的形狀。樹脂突起20的表面也可以形成曲面。如圖1(C)所示，樹脂突起20的截面形狀也可以形成半圓狀。
如圖1(A)及圖1(B)所示，樹脂突起20具有沿直線21距樹脂突起20的中央越遠(yuǎn)高度越低的傾斜區(qū)域24。即，樹脂突起20也可以形成距其中央部越遠(yuǎn)高度越低的形狀?；颍瑯渲黄?0形成高度沿一直線21(連續(xù)地)改變的結(jié)構(gòu)，且也可以形成距樹脂突起20的中央越遠(yuǎn)高度越低的形狀。一個(gè)樹脂突起20也可以包括兩個(gè)傾斜區(qū)域24。還有，“樹脂突起20的高度”也可以是指，以半導(dǎo)體基板10的形成有電極焊盤14的面為基準(zhǔn)的樹脂突起20的高度。
如圖1(A)所示，傾斜區(qū)域24也可以以距樹脂突起20的中央越遠(yuǎn)寬度越窄的方式形成。即，樹脂突起20也可以形成距其中央部越遠(yuǎn)寬度越窄的形狀。或，樹脂突起20形成寬度沿一直線21(連續(xù)地)改變的結(jié)構(gòu)，且也可以形成距樹脂突起20的中央越遠(yuǎn)寬度越窄的形狀。還有，這里說的“樹脂突起20的寬度”也可以是指樹脂突起20的基端部的寬度。換言之，“樹脂突起20的寬度”也可以是樹脂突起20的與半導(dǎo)體基板10相對(duì)的面(底面)的寬度。但是，傾斜區(qū)域24也可以形成為使寬度一定(未圖示)。
如圖1(A)～圖1(C)所示，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置包括布線30。布線30與電極14電連接。布線30在樹脂突起20上(直至)形成。另外，布線30也可以通過傾斜區(qū)域24上而形成。此時(shí)，布線30的與傾斜區(qū)域24重疊的部分也可以與直線21交差而延伸(參照?qǐng)D1(A))。布線30也可以通過樹脂突起20的上端而形成。如圖1(A)及圖1(B)所示，多個(gè)布線30也可以直至一個(gè)樹脂突起20上而形成。但是，在一個(gè)樹脂突起20上也可以僅形成一個(gè)布線30(未圖示)。布線30的結(jié)構(gòu)及材料沒有特別限定。例如，布線30也可以單層形成。或布線30也可以多層形成。此時(shí)，布線30也可以包括由鈦鎢或鈦構(gòu)成的第一層、和由金構(gòu)成的第二層(未圖示)。
本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置也可以形成以上的結(jié)構(gòu)。根據(jù)該半導(dǎo)體裝置100，可提供安裝性優(yōu)異的半導(dǎo)體裝置。即，根據(jù)半導(dǎo)體裝置100，可高效地制造可靠性高的電子模塊1000(參照?qǐng)D3)。下面對(duì)其效果進(jìn)行說明。
在布線基板上安裝半導(dǎo)體裝置100的方法沒有特別限定，參照?qǐng)D2(A)～圖2(C)對(duì)其一例進(jìn)行說明。首先，對(duì)布線基板40進(jìn)行說明。布線基板40也可以包括基體基板42和布線圖案44。基體基板42的材料沒有特別限定，既可以為有機(jī)類或無機(jī)類的任一種材料，也可以由它們的復(fù)合結(jié)構(gòu)構(gòu)成。作為基體基板42，也可以利用由無機(jī)類材料構(gòu)成的基板。此時(shí)，基體基板42也可以是陶瓷基板或玻璃基板。在基體基板42為玻璃基板時(shí)，布線基板40也可以是電光學(xué)面板(液晶面板、電致發(fā)光面板等)的一部分。布線圖案44也可以由ITO(Indium Tin Oxide)、Cr、Al等金屬膜、金屬化合物膜、或它們的復(fù)合膜構(gòu)成。此時(shí)，布線圖案44也可以與驅(qū)動(dòng)液晶的電極(掃描電極、信號(hào)電極、對(duì)向電極等)電連接。或，基體基板42也可以是由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate)(PET)構(gòu)成的基板或薄膜?；蛞部梢允褂糜删埘啺窐渲瑯?gòu)成的撓性基板作為基體基板42。作為撓性基板，也可以使用FPC(Flexible PrintedCircuit)或TAB(Tape Automated Bonding)技術(shù)中使用的帶。此時(shí)，布線圖案44例如也可以通過將銅(Cu)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鈦鎢(Ti-W)中的任一個(gè)層疊而形成。而且，布線圖案44包括電連接部45。電連接部45是用于在布線圖案44中與其它部件電連接的部分。另外，布線圖案44也可以使其一部分通過基體基板42是內(nèi)側(cè)而形成。
下面，對(duì)在布線基板40上搭載半導(dǎo)體裝置100的工序進(jìn)行說明。首先，如圖2(A)所示，在布線基板40上配置半導(dǎo)體裝置100，將半導(dǎo)體裝置100的布線30(樹脂突起20)和布線基板40的布線圖案44(電連接部45)相對(duì)而對(duì)齊。此時(shí)，也可以在半導(dǎo)體裝置100和布線基板40之間設(shè)置粘接劑50。粘接劑50例如也可以利用薄膜狀的粘接劑?；蛞部梢岳酶酄畹恼辰觿┳鳛檎辰觿?0。粘接劑50也可以是絕緣性粘接劑。粘接劑50也可以是樹脂類粘接劑。然后，如圖2(B)所示，按壓半導(dǎo)體裝置100和布線基板40，使布線30和布線圖案44(電連接部45)接觸。在本工序中，也可以利用樹脂突起20(布線30)使粘接劑50流動(dòng)(參照?qǐng)D2(B))。另外，本工序也可以在加熱環(huán)境下進(jìn)行。由此，可提高粘接劑50的流動(dòng)性。另外，在本工序中，利用半導(dǎo)體基板10和布線基板40壓毀樹脂突起20，也可以使樹脂突起20彈性變形(參照?qǐng)D2(C))。由此，由于可利用樹脂突起20的彈力按壓布線30和電連接部45(布線圖案44)，故可制造電連接可靠性高的電子模塊。而且，進(jìn)行了在布線基板40上搭載半導(dǎo)體裝置100的工序后，使粘接劑50硬化，如圖2(C)所示，也可以形成粘接層52。利用粘接層52，也可以維持半導(dǎo)體基板10和布線基板40之間的間隔。即，利用粘接層52也可以維持樹脂突起20彈性變形了的狀態(tài)。例如，通過在壓毀樹脂突起20的狀態(tài)(樹脂突起20彈性變形了的狀態(tài))下使粘接劑50硬化，可維持樹脂突起20彈性變形了的狀態(tài)。
通過以上工序，也可以將半導(dǎo)體裝置100安裝在布線基板40上。進(jìn)而經(jīng)由檢查工序等，也可以制造圖3所示的電子模塊1000。
如已說明的，在布線基板40上安裝半導(dǎo)體裝置100的工序中，預(yù)先在半導(dǎo)體裝置100和布線基板40之間設(shè)置粘接劑50的情況下，利用樹脂突起20使粘接劑50流動(dòng)。此時(shí)，要使半導(dǎo)體裝置100的布線30和布線圖案44(電連接部45)電連接，進(jìn)行半導(dǎo)體裝置100的安裝工序，使布線30和電連接部45之間不殘留粘接劑50很重要。換言之，在布線基板40上安裝半導(dǎo)體裝置100的工序中，只要能夠從布線和電連接部45之間有效地排出粘接劑50，就可以高效地制造可靠性高的電子模塊。
但是，在粘接劑50的流動(dòng)阻力高時(shí)，粘接劑50可能對(duì)樹脂突起20施加大的力。特別是當(dāng)粘接劑向阻礙相互流動(dòng)的方向流動(dòng)時(shí)，在要對(duì)其進(jìn)行按壓的樹脂突起20上施加大的力，從而樹脂突起20變形的可能性變高。當(dāng)樹脂突起20變形時(shí)，布線30和布線圖案44(電連接部45)之間有粘接劑50殘留，可能對(duì)電子模塊的可靠性造成影響。
但是，如已說明的，半導(dǎo)體裝置100的樹脂突起20具有傾斜區(qū)域24。即，樹脂突起20具有距其中央部越遠(yuǎn)高度越低的部分。因此，當(dāng)利用半導(dǎo)體裝置100時(shí)，可使粘接劑50(僅僅)在離開樹脂突起20的中央部方向流動(dòng)。因此，通過樹脂突起20，可以以不阻礙粘接劑50流動(dòng)(相互不會(huì)阻礙流動(dòng))的方式使粘接劑50流動(dòng)。因此，通過樹脂突起20，可從傾斜區(qū)域24(布線30)和布線基板40(電連接部45)之間有效且可靠地排出粘接劑50。而且，布線30由于通過傾斜區(qū)域24上而形成，故可使布線30和電連接部45可靠地電連接。即，根據(jù)半導(dǎo)體裝置100，可高效地制造可靠性高的電子模塊。
另外，傾斜區(qū)域24在以距樹脂突起的中央部越遠(yuǎn)寬度越窄的方式形成時(shí)，可更高效地排出粘接劑50。因此，可提供安裝性更優(yōu)良的半導(dǎo)體裝置。
另外，如已說明的，樹脂突起20以距其中央部越遠(yuǎn)高度越低的方式形成。換言之，樹脂突起20以中央部的高度最高的方式形成。因此，在平坦的布線基板上安裝半導(dǎo)體裝置100時(shí)，樹脂突起20在靠近中央部的區(qū)域被施加大的力，而很大地變形。即，可以說樹脂突起20形成靠近中央部的區(qū)域容易被破壞的形狀。但是，在傾斜區(qū)域24以靠近樹脂突起20的中央部的區(qū)域?qū)挾燃訉挼姆绞叫纬蓵r(shí)，可提高其中央部的破壞強(qiáng)度。因此，可提供可靠性高的電子模塊。
下面，對(duì)制造半導(dǎo)體裝置100的方法進(jìn)行說明。圖4～圖5(B)是用于說明制造半導(dǎo)體裝置100的方法的圖。
本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法也包括準(zhǔn)備半導(dǎo)體基板10。如圖4所示，半導(dǎo)體裝置10也可以形成晶圓狀。如圖4所示，晶圓狀的半導(dǎo)體裝置10也可以包括成為多個(gè)半導(dǎo)體裝置的區(qū)域11。即，半導(dǎo)體基板10也可以構(gòu)成多個(gè)半導(dǎo)體芯片一體化的結(jié)構(gòu)。但是，也可以利用芯片狀的半導(dǎo)體基板作為半導(dǎo)體基板。
本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括在半導(dǎo)體基板10上形成樹脂突起20(參照?qǐng)D1(A)～圖1(C))。樹脂突起20形成于半導(dǎo)體基板10的形成有電極14的面上。樹脂突起20形成沿一直線21延伸的形狀。樹脂突起20具有沿直線21距樹脂突起20的中央越遠(yuǎn)高度越低的傾斜區(qū)域24。另外，也可以以傾斜區(qū)域24距樹脂突起20的中央越遠(yuǎn)寬度越窄的方式形成樹脂突起20。
形成樹脂突起20的方法沒有特別限定。例如樹脂突起20也可以通過在半導(dǎo)體基板10上設(shè)置樹脂材料22，并使其硬化而形成。此時(shí)，如圖5(A)所示，也可以設(shè)置樹脂材料22，使其沿一直線延伸且沿直線距中央越遠(yuǎn)寬度越窄。即，也可以設(shè)置樹脂材料22，使其平面形狀沿一直線延伸且沿直線距中央越遠(yuǎn)寬度越窄。這里所說的“樹脂材料22的寬度”也可以是指樹脂材料22的基端部的寬度。換言之，“樹脂材料22的寬度”也可以是樹脂材料22的與半導(dǎo)體基板10相對(duì)的面(底面)的寬度。樹脂材料22如圖5(B)所示，也可以形成一定的厚度而設(shè)置。另外，圖5(B)是圖5(A)的VB-VB線剖面圖。即使在將樹脂材料22設(shè)為了一定的厚度的情況，通過使其硬化收縮，也可以以具有傾斜區(qū)域24的方式形成樹脂突起20(參照?qǐng)D1(B))。根據(jù)該方法，可容易且高效地制造樹脂突起20。但是，形成樹脂突起20的工序不限于此。例如也可以通過模成型來形成樹脂突起20。
本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括形成布線30。布線30與電極14電連接而形成。布線30形成至樹脂突起20上。布線30通過傾斜區(qū)域24上而形成。也可以進(jìn)行本工序，使多個(gè)布線30通過一個(gè)樹脂突起20上。形成布線30的方法沒有特別限定，也可以應(yīng)用已知的任一種方法。
通過以上的工序，或進(jìn)而經(jīng)由檢查工序或切割工序，也可以形成半導(dǎo)體裝置100(參照?qǐng)D1(A)～圖1(C))。由此，可制造安裝性優(yōu)良的半導(dǎo)體裝置。
下面，參照附圖對(duì)應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施方式的變形例的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行說明。圖6(A)及圖6(B)是用于說明本變形例的半導(dǎo)體裝置的圖。
圖6(A)及圖6(B)所示的半導(dǎo)體裝置包括樹脂突起60。如圖6(A)所示，樹脂突起60形成沿一直線61延伸的形狀。樹脂突起60包括中央?yún)^(qū)域62。中央?yún)^(qū)域62也可以形成沿直線61高度沒有變化的形狀。即，中央?yún)^(qū)域62的上端面也可以沿直線61形成平坦。另外，樹脂突起60包括傾斜區(qū)域64。傾斜區(qū)域64被配置于中央?yún)^(qū)域62的兩側(cè)。詳細(xì)地說，傾斜區(qū)域64沿直線61配置于中央?yún)^(qū)域62的兩側(cè)。傾斜區(qū)域64是沿直線61距中央?yún)^(qū)域62越遠(yuǎn)高度越低的區(qū)域。另外，樹脂突起60也可以形成沿直線61寬度不改變的形狀。即，傾斜區(qū)域64也可以形成固定的寬度。而且，中央?yún)^(qū)域62和傾斜區(qū)域64也可以形成同等的寬度。但是，樹脂突起60也可以形成沿直線61距樹脂突起60的中央越遠(yuǎn)寬度越窄的形狀(參照?qǐng)D1(A))。樹脂突起60也可以形成中央?yún)^(qū)域62形成一定寬度，傾斜區(qū)域64沿直線61距樹脂突起60的中央越遠(yuǎn)寬度越窄的形狀(未圖示)。
而且，如圖6(A)及圖6(B)所示，布線30通過樹脂突起60上而形成。布線30也可以通過中央?yún)^(qū)域62上而形成。另外，布線30也可以通過傾斜區(qū)域64上而形成。布線30也可以在樹脂突起60上沿與直線61交差的方向延伸而形成。但是，布線30也可以避開中央?yún)^(qū)域62上，僅在傾斜區(qū)域64上形成(未圖示)。
根據(jù)該半導(dǎo)體裝置，也可以從樹脂突起和布線基板之間高效且可靠地排出樹脂材料。因此，可提供可高效地制造可靠性高的電子模塊的半導(dǎo)體裝置。
另外，本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，可進(jìn)行各種變形。例如，本發(fā)明包括與實(shí)施方式中所說明的結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)(例如功能、方法及結(jié)果相同的結(jié)構(gòu)、或目的及效果相同的結(jié)構(gòu))。另外，本發(fā)明包括置換了實(shí)施方式中所說明的結(jié)構(gòu)的本質(zhì)上不同的部分的結(jié)構(gòu)。另外，本發(fā)明包括可實(shí)現(xiàn)與實(shí)施方式中所說明的結(jié)構(gòu)同等的作用效果的結(jié)構(gòu)或可實(shí)現(xiàn)同一目的的結(jié)構(gòu)。還有，本發(fā)明包括對(duì)實(shí)施方式中所述明的結(jié)構(gòu)添加了公知技術(shù)的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其中，包括具有電極的半導(dǎo)體基板；樹脂突起，其形成于所述半導(dǎo)體基板的形成有所述電極的面上，形成沿一直線延伸的形狀；布線，其與所述電極電連接，形成于所述樹脂突起上，所述樹脂突起具有沿所述直線距所述樹脂突起的中央越遠(yuǎn)其高度越低的傾斜區(qū)域，所述布線通過所述傾斜區(qū)域上而形成。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述傾斜區(qū)域形成為距所述樹脂突起的中央越遠(yuǎn)寬度越窄。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述半導(dǎo)體基板是半導(dǎo)體芯片，所述樹脂突起形成為沿所述半導(dǎo)體基板的形成有所述電極的面的一個(gè)邊延伸的形狀。
4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，多個(gè)所述布線在一個(gè)所述樹脂突起上形成。
5.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，包括準(zhǔn)備具有電極的半導(dǎo)體基板的工序；在所述半導(dǎo)體基板的形成有所述電極的面上形成沿一直線延伸的形狀的樹脂突起的工序；在所述樹脂突起上形成與所述電極電連接的布線的工序，以具有沿所述直線距所述樹脂突起的中央越遠(yuǎn)高度越低的傾斜區(qū)域的方式形成所述樹脂突起，以通過所述傾斜區(qū)域上的方式形成所述布線。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，以所述傾斜區(qū)域距所述樹脂突起的中央越遠(yuǎn)寬度越窄的方式形成所述樹脂突起。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，形成所述樹脂突起的工序包括以沿一直線延伸且沿所述直線距中央越遠(yuǎn)寬度越窄的方式在所述半導(dǎo)體基板上設(shè)置樹脂材料的工序；使所述樹脂材料硬化的工序。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，以形成一定的厚度的方式設(shè)置所述樹脂材料，使所述樹脂材料硬化收縮，形成所述樹脂突起。
9.如權(quán)利要求5～8中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，在一個(gè)所述樹脂突起上形成多個(gè)所述布線。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種安裝性高的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。半導(dǎo)體裝置包括具有電極(14)的半導(dǎo)體基板(10)；樹脂突起(20)，其在半導(dǎo)體基板(10)的形成有電極(14)的面上形成，形成沿一直線(21)延伸的形狀；與電極(14)電連接，形成至樹脂突起(20)上的布線(30)。樹脂突起(20)具有沿直線(21)距樹脂突起(20)的中央越遠(yuǎn)高度越低的傾斜區(qū)域(24)。布線(30)通過傾斜區(qū)域(24)上而形成。
文檔編號(hào)H01L21/00GK1909221SQ20061010099
公開日2007年2月7日 申請(qǐng)日期2006年8月1日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月2日
發(fā)明者淺川達(dá)彥, 加藤洋樹 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社