專利名稱：執(zhí)行雙重曝光光刻的方法、程序產(chǎn)品和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域通常涉及一種用于執(zhí)行雙重曝光光刻的方法、程序產(chǎn)品和設(shè)備，該雙重曝光光刻利用三色調(diào)掩膜且供給改善的散射條修整(scatter bartrimming)。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備可以例如在集成電路(IC)的制造中被使用。在這種情況下，掩膜可以包含與IC的單層相對應(yīng)的電路圖案，并且這個圖案可被成像到在已經(jīng)涂敷有輻射敏感材料(抗蝕劑)層的襯底(硅晶片)上的(例如包括一個或多個管芯的)目標(biāo)部分上。通常，單個晶片包含整個網(wǎng)絡(luò)的通過投影系統(tǒng)一次一個地依次輻照的鄰近目標(biāo)部分。在一種類型的光刻投影設(shè)備中，通過一次把整個掩膜圖案曝光到目標(biāo)部分上來輻照每個目標(biāo)部分；這樣的設(shè)備通常被稱作晶片步進(jìn)機(jī)(waferstepper)。在可替換的設(shè)備(通常稱為步進(jìn)和掃描設(shè)備)中，通過沿給定參考方向(“掃描”方向)在投影射束下逐漸地掃描掩膜圖案來輻照每個目標(biāo)部分，同時與這個方向平行或反平行地同步掃描襯底臺。通常，由于投影系統(tǒng)會具有放大因數(shù)M(通常小于1)，襯底臺以其被掃描的速度V會是掩膜臺以其被掃描的速度的M倍。在此所描述的關(guān)于光刻器件的更多信息可以例如從US 6,046,792中得到，在此引入該US 6,046,792作為參考。
在使用光刻投影設(shè)備的制造工藝中，掩膜圖案被成像到至少部分由輻射敏感材料(抗蝕劑)層覆蓋的襯底上。在這個成像步驟之前，襯底可以經(jīng)歷多個過程，諸如經(jīng)歷涂底(priming)、抗蝕劑涂敷和軟烘焙。在曝光之后，襯底須經(jīng)過其它過程，諸如經(jīng)過曝光后烘烤(PEB)、顯影、硬烘焙以及所成像的特征的測量/檢查。使用這組過程作為構(gòu)圖單層器件(例如IC)的基礎(chǔ)。這樣的已構(gòu)圖層然后可以經(jīng)歷各種工藝，諸如經(jīng)歷蝕刻、離子注入(摻雜)、金屬化、氧化、化學(xué)機(jī)械拋光等，所有工藝傾向于完成單層。如果需要若干層，那么針對每個新層將必須重復(fù)整個過程或其變型。最終，在襯底(晶片)上將會有器件陣列。然后通過諸如切割或鋸割的技術(shù)將這些器件彼此分離，由此單獨(dú)的器件可被安裝在載體、被連接到引腳等。
為了簡單起見，下文將投影系統(tǒng)稱作“透鏡”；然而這個術(shù)語應(yīng)當(dāng)被廣泛地解釋為包括各種類型的投影系統(tǒng)，例如包括折射光學(xué)系統(tǒng)、反射光學(xué)系統(tǒng)和反折射光系。輻射系統(tǒng)也可以包括根據(jù)用于導(dǎo)向、成型或控制輻射的投影射束的設(shè)計(jì)類型中的任意一種工作的構(gòu)件，以及這樣的構(gòu)件下面也可以共同地或特別地被稱為“透鏡”。此外，光刻設(shè)備可以是具有兩個或多個襯底臺(和/或兩個或多個掩膜臺)的類型。在這樣的“多級式”器件中，可以并行使用附加臺，或可以在一個或多個臺上進(jìn)行預(yù)備步驟，而一個或多個其它臺正被用于曝光。例如在US5,969,441中描述了雙級式光刻設(shè)備，在此引入該US 5,969,441作為參考。
上述的光刻掩膜包括與被集成到硅晶片上的電路構(gòu)件相對應(yīng)的幾何圖案。利用CAD(計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì))程序來生成被用來創(chuàng)建這樣的掩膜的圖案，這個過程通常被稱為EDA(電子設(shè)計(jì)自動化)。為了創(chuàng)建功能掩膜，大多數(shù)CAD程序遵循一組預(yù)定的設(shè)計(jì)規(guī)則。通過處理和設(shè)計(jì)限制來設(shè)置這些規(guī)則。例如，設(shè)計(jì)規(guī)則限定電路器件(諸如柵、電容等)之間的空間容差或互連線，以便確保電路器件或線不以不希望的方式相互作用。設(shè)計(jì)規(guī)則限制通常被稱作“臨界尺寸”(CD)。電路的臨界尺寸可被定義為線或孔的最小寬度或兩條線或兩個孔之間的最小間隔。因此，CD確定了所設(shè)計(jì)的電路的總尺寸和密度。
當(dāng)然，集成電路制造中的目標(biāo)之一是在晶片上(通過掩膜)如實(shí)地復(fù)制原電路設(shè)計(jì)。隨著目標(biāo)圖案的臨界尺寸變得越來越小，在晶片上復(fù)制目標(biāo)圖案也變得越來越難。然而，已知有幾種技術(shù)可慮及被成像或復(fù)制到晶片中的最小CD的減小。一種這樣的技術(shù)是雙重曝光技術(shù)，其中目標(biāo)圖案中的特征在兩次獨(dú)立的曝光中被成像。
例如，一種公知的雙重曝光技術(shù)是偶極照明。在這個技術(shù)中，在第一曝光期間，照亮目標(biāo)圖案(即特征)的垂直邊緣，然后在第二曝光期間，照亮目標(biāo)圖案的水平邊緣。如所述，通過利用兩次曝光可以得到改善的成像性能。
另外，隨著芯片制造商在生產(chǎn)中移向更主動的設(shè)計(jì)規(guī)則和更低的k1因子，使用散射條“SB”(或輔助特征“AF”)變得不可缺少?？梢允褂孟旅娴牡仁焦烙?jì)SB的寬度“d”，其中kSB是表示非可印刷性(non-printability)或亞分辨率(sub-resolution)的定比例常數(shù)(SB比例因子kSB的典型范圍是0.2-0.25)d＝kSB(λ/NA)，
其中λ是曝光工具的波長，而NA是曝光工具的數(shù)值孔徑。
為了將k1維持在0.35之上，制造商傾向于使用更高NA的曝光工具。隨著浸沒式光刻的出現(xiàn)，可使得NA值大于1。在這樣高的NA條件下，SB可量測性(scalability)和可印刷性正成為關(guān)鍵問題。圖1a描繪了允許的SB寬度與半節(jié)距最小設(shè)計(jì)規(guī)則。第二軸是k1因子。如圖1a所示，隨著器件制造商移向更低k1的生產(chǎn)，為了避免不希望的SB的印刷，SB的寬度也需要相應(yīng)地按比例縮小。這產(chǎn)生了問題，即在某些點(diǎn)處為了避免印刷所需要的SB的寬度會比最小可制造的寬度更小(即所需要的SB會太小以至于不能制造)。
此外，隨著標(biāo)線上的SB寬度變得比曝光波長(λ)更小，基爾霍夫標(biāo)量定律(Kirchoff scalar law)不再有效。圖1b圖解說明了使用0.85NA和QUASAR照明的隔離線的模擬空間像的比較。在BIM(即光強(qiáng)二進(jìn)制掩膜)上，4X標(biāo)線上的SB寬度為60nm。參考圖1b，將嚴(yán)密的EMF(NA85QS9363rig)的空間像和標(biāo)量(NA85QS9363scl)進(jìn)行比較，EMF空間像表明，SB實(shí)際上比所預(yù)期的標(biāo)量圖像暗。這說明，SB具有更大的光學(xué)重量(optical weight)并且因此更容易/易于在晶片上印刷。因此，需要致力于SB可量測性和可印刷性以及防止SB的印刷的工藝。

發(fā)明內(nèi)容
由于上述內(nèi)容，本發(fā)明的目標(biāo)是提供一種雙重曝光光刻方法，例如當(dāng)印刷65nm或45nm節(jié)點(diǎn)器件或更小的節(jié)點(diǎn)器件時，該方法從適于使用的襯底處削減掉(即除去)不想要的SB殘留物。
總之，本發(fā)明涉及一種基于具有要被成像到襯底上的特征的目標(biāo)圖案來生成用于多曝光光刻成像工藝中的互補(bǔ)掩膜的方法。該方法包括以下步驟對應(yīng)于目標(biāo)圖案限定初始的H掩膜；對應(yīng)于目標(biāo)圖案限定初始的V掩膜；在具有比預(yù)定臨界寬度更小的寬度的H掩膜中識別水平臨界特征；在具有比預(yù)定臨界寬度更小的寬度的V掩膜中識別垂直臨界特征；為水平臨界特征分配第一相移和第一透射百分率，這些水平臨界特征要被形成在H掩膜中；并且為垂直臨界特征分配第二相移和第二透射百分率，這些垂直臨界特征要被形成在V掩膜中。該方法進(jìn)一步包括把鉻分配到H掩膜和V掩膜中的所有非臨界特征的步驟。非臨界特征是具有大于或等于預(yù)定臨界寬度的寬度的那些特征。非臨界特征利用鉻被形成在H掩膜和V掩膜中。然后通過成像H掩膜和V掩膜把目標(biāo)圖案成像到襯底上。
本發(fā)明比起現(xiàn)有技術(shù)來提供了重要的優(yōu)點(diǎn)。例如，由于本發(fā)明工藝導(dǎo)致的SB的相互修整，本發(fā)明提供利用大SB的能力。特別地，在給定工藝中，H掩膜和V掩膜都包含電路特征和SB，但是H掩膜和V掩膜在不同的相應(yīng)定向上，并且因此在兩次曝光期間對于H掩膜和V掩膜存在相互SB修整。
從下面的本發(fā)明示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述中，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會更加清楚本發(fā)明的附加優(yōu)點(diǎn)。
盡管在本文中具體參考了本發(fā)明在IC制造中的使用，但是應(yīng)該明確地理解，本發(fā)明具有許多其它可能的應(yīng)用。例如，本發(fā)明可以在集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲器(magnetic domain memory)的導(dǎo)航和檢測圖案、液晶顯示面板、薄膜磁頭等中使用。本領(lǐng)域技術(shù)人員將會理解，在這種可替換的應(yīng)用的環(huán)境中，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在說明書中使用術(shù)語“標(biāo)線”、“晶片”或“管芯”可以分別通過更通用的術(shù)語“掩膜”、“襯底”和“目標(biāo)部分”來代替。


參考下面的詳細(xì)描述和附圖，可以更好地理解本發(fā)明本身以及進(jìn)一步的目標(biāo)和優(yōu)點(diǎn)。
圖1a圖解說明了允許的SB寬度與半節(jié)距最小設(shè)計(jì)規(guī)則的曲線。
圖1b圖解說明了使用0.85NA和QUASAR照明的隔離線的模擬空間像的比較。
圖2是說明本發(fā)明的DEL/DDL布局分解方法的示例性流程圖。
圖3a-3d說明了根據(jù)本發(fā)明方法將目標(biāo)圖案(參見圖3a)分解到V-布局(參見圖3b)和H布局(參見圖3c)和所得到的空間像(參見圖3d)的例子。
圖4a-4e說明了如何能通過利用與圖2的流程圖中所闡述的過程結(jié)合的極化偏振照明(illumination polarization)進(jìn)一步改善成像性能。
圖5a-5c說明了本發(fā)明的用于成像所隔離的45nm線的雙重曝光技術(shù)性能隨著變化的SB寬度的模擬比較。
圖6a和6b說明了針對45nm密集的和隔離線的單曝光工藝與雙重曝光工藝之間的比較。
圖7a和7b說明了在DRAM單元的有源層上具有主要特征修整的本發(fā)明的DDL/DET技術(shù)的使用。
圖8a和8c說明了使用雙重曝光技術(shù)形成的最終抗蝕劑輪廓的例子，而圖8b和8d說明了利用優(yōu)化照明器使用單曝光技術(shù)形成的抗蝕劑輪廓。圖8e在跨越有源區(qū)CD的切割線上不進(jìn)行極化的情況下說明了使用0.85NA干曝光的模擬工藝寬容度(latitude)。
圖9是說明能夠被利用來執(zhí)行本發(fā)明方法和生成表示H和V掩膜的文件的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的框圖。
圖10示意性地描述了適于使用借助于所公開的概念來設(shè)計(jì)的掩膜的示例性光刻投影設(shè)備。
具體實(shí)施例方式
如下面更詳細(xì)地說明的那樣，本發(fā)明的雙重曝光技術(shù)將目標(biāo)圖案分解成多個三色調(diào)掩膜，當(dāng)被照明時，這些三色調(diào)掩膜提供改善的散射條修整和改善的成像性能。
更具體地說，圖2是說明本發(fā)明的第一實(shí)施例的流程圖。參考圖2，過程中的第一步驟(步驟20)是在要被成像到襯底(或晶片等)上的目標(biāo)圖案中進(jìn)行識別和讀取。目標(biāo)圖案可以例如GDS II設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)或任何其它適當(dāng)?shù)臄?shù)據(jù)格式來表示。下一個步驟(步驟22)是把目標(biāo)圖案轉(zhuǎn)變成水平(H)和垂直(V)布局，并在水平和垂直布局中均識別臨界幾何形狀(步驟24)。應(yīng)當(dāng)注意，當(dāng)把目標(biāo)設(shè)計(jì)分成H和V布局時，這些布局最初是相同的且與目標(biāo)圖案相對應(yīng)。然而，如下面進(jìn)一步詳細(xì)解釋的那樣，H布局(也稱作H掩膜)根據(jù)本發(fā)明被修改并用來印刷目標(biāo)圖案的水平邊緣，而V布局(也稱作V掩膜)根據(jù)本發(fā)明被修改并用來印刷目標(biāo)圖案的垂直邊緣。
臨界幾何形狀是具有小于某些預(yù)定量的寬度尺寸的那些特征，這些預(yù)定量可由設(shè)計(jì)者基于正被利用的成像系統(tǒng)和目標(biāo)圖案的CD容差來確定。利用幾何形狀操作來規(guī)定在比臨界的特定/預(yù)定值更小的H掩膜和V掩膜中的特征。臨界值被設(shè)置為可以根據(jù)設(shè)計(jì)和正被利用的技術(shù)模式而改變的變量。換句話說，對于給定的工藝和技術(shù)模式(例如45nm)，正確地成像具有在某個值之下的寬度尺寸的特征越來越困難，該某個值在給出的發(fā)明中被稱作臨界值。如所述的那樣，這個臨界值可以隨著工藝的不同而改變以及針對不同的技術(shù)模式而改變。
注意，可以使用被用來成像目標(biāo)圖案的空間像模型或成像系統(tǒng)的校準(zhǔn)模型完成步驟24。通過利用這樣的模型，能模擬目標(biāo)圖案的給定特征如何被成像到襯底上，并且然后基于模擬的結(jié)果確定特征的CD和確定哪些特征符合臨界特征。在本領(lǐng)域中，使用這樣的模型是公知的，并且在此將不會詳細(xì)討論。應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步注意，也可以利用空間像模型或校準(zhǔn)模型來把目標(biāo)圖案轉(zhuǎn)變成水平和垂直布局。這可以通過在相對于照明偶極X或偶極Y的低對比度方向上規(guī)定處理邊緣而實(shí)現(xiàn)。
一旦在H布局和V布局中均識別了臨界幾何形狀，下一步(步驟26)就是利用例如被削弱的相移材料為H布局和V布局兩者中的臨界特征中的每一個分配所希望的透射率(例如6％的透射率)和相位(例如180度)。注意，可以利用例如于2004年11月5日在USP申請No.10/981,762中所公開的透射調(diào)諧技術(shù)來確定最佳透射百分率，在此引入該申請的全部內(nèi)容作為參考。當(dāng)然，簡單地選擇要被利用的所希望的透射率(諸如6％)也是可接受的。此外，當(dāng)180度被識別為施加到臨界特征的預(yù)期相移時，也能利用其它度數(shù)的相移，并且因此不應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為限于利用180度相移。
注意，被分配給臨界特征的透射率和相位限定了如何利用例如適當(dāng)被削弱的相移材料或無鉻臺式結(jié)構(gòu)在各自掩膜中形成臨界特征。進(jìn)一步注意，在給出的實(shí)施例中，對于所有臨界特征施加相同的透射率和相位，以使掩膜制造工藝的復(fù)雜度最小化。然而，當(dāng)這樣做導(dǎo)致改善成像性能時，也能為臨界特征指定不同的透射率和相位。注意，最佳透射率是與NA和節(jié)距相關(guān)的。
關(guān)于H布局和V布局中的非臨界特征(即具有比限定臨界幾何形狀的寬度更大的寬度的那些特征)，可以利用鉻成像這些特征。當(dāng)然，如果由于任何原因需要，也可以利用被用來形成臨界特征的相同的相移材料來成像這樣的非臨界特征。
下個步驟(步驟28)把臨時鉻防護(hù)(shield)涂敷到H布局中的垂直邊緣和V布局中的水平邊緣?？梢岳美缭S多已知的OPC模型或光學(xué)模型中的任何模型來涂敷鉻防護(hù)。一旦涂敷了臨時鉻防護(hù)，下一步(步驟30)就是把臨時SB涂敷到H布局和V布局的每一個上。在H布局中，平行于要被成像的水平邊緣水平延伸地放置SB，而在V布局中，平行于要被成像的垂直邊緣垂直延伸地放置SB。
注意，與本發(fā)明相關(guān)的優(yōu)點(diǎn)之一是由于本發(fā)明的工藝導(dǎo)致的SB的互相修整而能夠利用大的SB。特別地，在給定的工藝中，H掩膜和V掩膜都包含電路特征和SB，但H掩膜和V掩膜在不同的相應(yīng)定向上，因此，在兩次曝光期間對于H掩膜和V掩膜存在相互的SB修整。換句話說，利用每次曝光的背景曝光來防止每個掩膜中的SB被印刷。這個工藝對于得到非常低的k1印刷比使用專用的SB修整曝光更有效。正好，SB有多大可部分地取決于焦深要求和正被利用的給定工藝。確定所允許的最大SB尺寸的一種方法是進(jìn)行初始模擬以確定最大允許SB寬度，該最大允許SB寬度并不會在最終圖像上導(dǎo)致任何SB殘留物。
因?yàn)楫?dāng)最初確定防護(hù)要求時在各自的布局中沒有SB，所以在下一步(步驟32)，一旦臨時的SB被放置在H布局和V布局中，就重新執(zhí)行用于涂敷防護(hù)的模型，使得相對所要求的/最優(yōu)的防護(hù)可以考慮SB的光學(xué)重量。類似地，一旦完成了防護(hù)，就重新執(zhí)行用于涂敷SB的OPC程序，使得能根據(jù)要被涂敷到各自的掩膜的所完成的防護(hù)確定最優(yōu)的SB。
一旦完成了SB，最后的步驟(步驟34)就是與掩膜制造規(guī)則檢查和驗(yàn)證一起執(zhí)行最終模型OPC。如果各自布局(即掩膜)通過了規(guī)則檢查和驗(yàn)證，則完成該過程，并且H布局和V布局代表了要在雙重曝光成像工藝中被利用的掩膜。
應(yīng)當(dāng)注意，前述工藝并不局限于雙偶極照明。例如，也可以應(yīng)用于其它類型的照明、諸如定制的QUASAR照明，該定制的QUASAR照明在X(水平)或Y(垂直)方向上都具有對稱極子，但從X到Y(jié)方向不對稱。
圖3a-3d說明了根據(jù)本發(fā)明的方法把目標(biāo)圖案(參見圖3a)分解成V布局(參見圖3b)和H布局(參見圖3c)以及所得到的空間像(參見圖3d)的例子。參考為V布局的圖3b，示出了水平定向的特征33利用鉻防護(hù)來覆蓋，并且要被成像的垂直特征35由具有6％的透射率和180度的相移的AttPSM材料形成。V布局也包括垂直布置的SB 37。類似地，參考為H布局的圖3c，示出了利用鉻防護(hù)覆蓋垂直定向的特征35，并且要被成像的水平特征33由具有6％的透射率和180度的相移的AttPSM材料形成。該H布局也包括水平布置的SB 39。注意，前述例子中的所有要被成像的特征由AttPSM材料形成，因?yàn)樗刑卣鞫家驯徽J(rèn)為是臨界的。然而如上所述，對于具有超過臨界尺寸的寬度的目標(biāo)圖案中的任何特征，可能利用鉻來形成這個特征，以便簡化掩膜制造工藝。圖3d示出了模擬的成像結(jié)果。
在前述實(shí)施例的一個變型中，能通過利用結(jié)合極化偏振照明的本發(fā)明的雙重曝光工藝來進(jìn)一步增強(qiáng)成像性能。更具體地說，在高的NA和強(qiáng)的離軸照明條件下，當(dāng)節(jié)距小于波長時，第0階和+/-1階衍射分量之間的角度十分大，以致媒介作用變得顯著。線性極化是增強(qiáng)對比度的有效方式，且對于在曝光系統(tǒng)中實(shí)施相對簡單。如圖4a中所示，由于TM(即橫向磁波)的不完全干擾可以減小圖像對比度。然而，如圖4b中所示，通過利用結(jié)合線性極化源的偶極照明，可以減小不希望的TM構(gòu)件，由此改善圖像對比度。圖4c說明了，對于利用0.85NA、具有σIN＝0.68和σOUT＝0.93的DX進(jìn)行曝光的9％的AttPSM掩膜，通過對DX源施加線性y極化來將NILS改善了三倍。
圖4d是具有和不具有極化的曝光散焦(ED)曲線。注意，由于線性y極化的DX具有較低的最小強(qiáng)度，所以ED窗口具有較高的中心用量(center dose)。圖4e說明了，利用相同的偶極角度和西格馬(sigma)參數(shù)，通過增加線性y極化，對于垂直特征將曝光寬容度改善了51％。
如上所述，本發(fā)明的雙重曝光技術(shù)比起前面已知的技術(shù)來提供了改善的性能。圖5a是假定分別利用DX和DY照明的線性y和x極化的0.93NA的干曝光系統(tǒng)的用于成像隔離45nm線的本發(fā)明的雙重曝光技術(shù)性能的模擬比較。該DX和DY偶極設(shè)置都是具有35度極化角的σIN＝0.68和σOUI＝0.93。圖5b說明了其寬度從圖5a中的25nm變化到圖5c中的50nm的、被放置在最佳位置處的三對SB。模擬的FEM曲線示出了與25nm的SB相比整個尺寸的SB提供了100％的DOF改善。
作為實(shí)際情況，為了使用ArF來印刷45nm的特征，預(yù)期利用浸沒和極化來改善DOF。圖6a和6b針對45nm密集和隔離線比較了單曝光工藝與雙重曝光工藝。對于DX單曝光，模擬設(shè)置為0.93NA、бIN＝0.76和бOUT＝0.96。在雙重曝光的情況下，DX和DY都利用相同的NA和照明設(shè)置。針對所有的模擬利用Prolithv9.01EMF1，所有模擬包括單曝光例子和雙重曝光例子，該單曝光例子有情況A(密集的)、情況C(隔離的)和情況E(隔離的)，其中密集節(jié)距為120nm，該雙重曝光例子有情況B(密集的)和情況D(隔離的)。情況A和B比較了單曝光和根據(jù)本發(fā)明的雙重曝光的密集線性能。如所示的那樣，利用適當(dāng)?shù)姆雷o(hù)，雙重曝光具有與單曝光相同的過程窗口。對于具有單曝光的隔離線(情況E)，過程窗口是非常有限的。然而，利用全尺寸55nm的SB的情況D和雙重曝光技術(shù)示出了DOF的顯著改善。
關(guān)于本發(fā)明所提供的另一優(yōu)點(diǎn)，注意，針對某些非常密集的器件配置，有必要在線末端之間印刷好控制的非常小的間隔。當(dāng)試圖印刷這樣小的間隔時，本發(fā)明的工藝提供了改善的工藝寬容度。作為例子，利用本發(fā)明的DDL/DET技術(shù)來印刷6F2的DRAM核心，并且所得到的工藝寬容度與利用單曝光工藝所獲得的工藝寬容度進(jìn)行比較。圖7a說明了使用本發(fā)明的在DRAM單元的有源層上具有主特征修整的DDL/DET技術(shù)，其中k1為0.28。在這個例子中，分別利用在DX和DY中具有90度的兩個偶極模型，用于把原目標(biāo)布局71轉(zhuǎn)變成9％的AttPSM核心圖案73和BIM修整掩膜75，該BIM修整掩膜75被用來將所連接的抗蝕劑線清理成兩個獨(dú)立的線末端。在圖7a中也示出了所模擬的成像結(jié)果77。圖7b說明了在相同單元上具有主特征修整但具有更主動的0.27的k1的例子DEL。在這種情況下，第一曝光的最佳源是X-Y非對稱的QUASAR，并且第二曝光的源具有比бOUT更寬的бIN的偶極。圖8a和8c說明了使用雙重曝光技術(shù)所形成的得到的抗蝕劑輪廓。圖8b和8d說明了使用具有最佳照明器的單曝光技術(shù)所形成的抗蝕劑輪廓。如這些圖中所示，在單曝光情況下，由于線末端中差的NILS，存在要求非常主動的OPC修正的嚴(yán)重線末端后移(pull back)。對于單曝光工藝，很難實(shí)現(xiàn)與雙重曝光工藝相同的印刷結(jié)果。圖8e說明了在跨越有源區(qū)CD的切割線上不進(jìn)行極化的情況下，使用0.85NA的模擬工藝寬容度。如所示的那樣，對于0.18umDOF，雙重曝光工藝與最佳單曝光相比導(dǎo)致33％的更大曝光寬容度。
本發(fā)明的前述示例性實(shí)施例的變型也是可能的。例如，如上已經(jīng)所述的那樣，本發(fā)明的雙重曝光技術(shù)不限于偶極照明。在兩步照明過程中可以利用不同的源形狀。而且，用于第一照明的照明源的形狀可以區(qū)別于用于第二形狀的照明源的形狀。
也應(yīng)當(dāng)注意到，在進(jìn)一步增強(qiáng)成像結(jié)果的努力中，SB利用掩膜來定位，以便最好地匹配目標(biāo)圖案的頻率。因此，在V掩膜中，定位垂直SB，以便最好地匹配要被成像的垂直特征的頻率，而在H掩膜中，定位水平SB，以便最好地匹配要被成像的水平特征的頻率。
在另一變型中，能為H掩膜和V掩膜中的臨界尺寸分配不同相移和透射百分率。另外，也能為同一掩膜(也就是H掩膜或V掩膜)中的臨界分配不同的相移和透射百分率。例如，具有其中所有寬度都小于臨界尺寸的不同寬度的特征可以展示利用不同的相移和/或不同的透射率來改善的成像性能。
在又一變型中，亞分辨率光柵塊(grating block)被加入到不包含設(shè)計(jì)特征(包括SB)的開口區(qū)，以便減小來自成像系統(tǒng)的閃光影響。
圖9是說明能夠?qū)嵤┥鲜稣彰鲀?yōu)化的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100的框圖。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100包括總線102或其它用于傳送信息的通信機(jī)制和與用于處理信息的總線102耦合的處理器104。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100也包括主存儲器106(諸如隨機(jī)存取存儲器(RAM))或其它動態(tài)存儲器件，該其它動態(tài)存儲器件被耦合到用于存儲要由處理器104執(zhí)行的信息和指令的總線102。主存儲器106也可被用于在要由處理器104所執(zhí)行的指令執(zhí)行期間存儲臨時變量或其它中間信息。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100進(jìn)一步包括只讀存儲器(ROM)108或被耦合到用于存儲處理器104的靜態(tài)信息和指令的總線102的其它靜態(tài)存儲器件。存儲器件110(諸如磁盤或光盤)被設(shè)置且被耦合到用于存儲信息和指令的總線102上。
計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100可以通過總線102被耦合到顯示器112，該顯示器112諸如用于給計(jì)算機(jī)用戶顯示信息的陰極射線管(CRT)或平板或觸摸板顯示器。包括字母數(shù)字和其它鍵的輸入裝置114被耦合到用于把信息和命令選擇傳送給處理器104的總線102。其它類型的用戶輸入裝置是光標(biāo)控制器116(諸如鼠標(biāo)、跟蹤球)、或用于把方向信息和命令選擇傳送給處理器104和用于控制顯示器112上的光標(biāo)移動的光標(biāo)方向鍵。這個輸入裝置典型地在兩個軸(第一軸(例如x)和第二軸(例如y))上具有兩個自由度，這允許該裝置限定平面中的位置。觸摸板(屏)顯示器也可以被用作輸入裝置。
根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，可以響應(yīng)于執(zhí)行被包含在主存儲器106中的一個或多個指令的一個或多個序列的處理器104，由計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100來執(zhí)行分解過程。這樣的指令可以從另一計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)(諸如存儲器件110)讀取到主存儲器106中。被包含在主存儲器106中的指令序列的執(zhí)行使得處理器104執(zhí)行在此所述的過程步驟。也可以使用多處理裝置中的一個或多個處理器來執(zhí)行被包含在主存儲器106中的指令序列。在可替換的實(shí)施例中，硬布線電路可以代替或與軟件指令結(jié)合使用來實(shí)施本發(fā)明。因此，本發(fā)明的實(shí)施例不限于硬件電路和軟件的任意特定組合。
如在此所使用的術(shù)語“計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)”指參與給用于執(zhí)行的處理器104提供指令的任何介質(zhì)。這樣的介質(zhì)可以采用很多形式，這些形式包括但不限于非易失性介質(zhì)、易失性介質(zhì)和傳輸介質(zhì)。非易失性介質(zhì)例如包括光盤或磁盤、諸如存儲器件110。易失性介質(zhì)包括動態(tài)存儲器、諸如主存儲器106。傳輸介質(zhì)包括同軸電纜、銅線和光纖，這包括包含總線102的電線。傳輸介質(zhì)也可以采用聲音或光波的形式、諸如在射頻(RF)和紅外(IR)數(shù)據(jù)通信期間所生成的那些聲音或光波。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的一般形式例如包括軟盤、軟磁盤、硬盤、磁帶、任何其它磁介質(zhì)、CD-ROM、DVD、任何其它光介質(zhì)、穿孔卡、紙帶、任何其它具有孔的圖案的物理介質(zhì)、RAM、PROM、和EPROM、FLASH-EPROM、任何其它存儲芯片或盒式磁帶、如下文所描述的載波或計(jì)算機(jī)能讀取的任何其它介質(zhì)。
計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的多種形式可以包括將一個或多個指令的一個或多個序列傳送到用于執(zhí)行的處理器104。例如，該指令可以最初地涉及遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)的磁盤。該遠(yuǎn)程計(jì)算機(jī)可以將指令裝載到其動態(tài)存儲器中并使用調(diào)制解調(diào)器把指令發(fā)送到電話線上。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100本地的調(diào)制解調(diào)器可以接收電話線上的數(shù)據(jù)并使用紅外發(fā)射機(jī)來把數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)變成紅外信號。被耦合到總線102的紅外檢測器可以接收紅外信號中所承載的數(shù)據(jù)并把數(shù)據(jù)放置到總線102上?？偩€102把該數(shù)據(jù)傳送到主存儲器106，處理器104從該主存儲器106中檢索并執(zhí)行這些指令。由主存儲器106所接收到的指令可以在處理器104執(zhí)行前或后可選地存儲在存儲器件110上。
計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100也優(yōu)選地包括被耦合到總線102的通信接口118。通信接口118提供耦合到被連接到本地網(wǎng)絡(luò)122的網(wǎng)絡(luò)鏈路120的雙向數(shù)據(jù)通信。例如，通信接口118可以是綜合業(yè)務(wù)數(shù)字網(wǎng)絡(luò)(ISDN)卡或調(diào)制解調(diào)器，以給相應(yīng)類型的電話線提供數(shù)據(jù)通信連接。作為另一例子，通信接口118可以是局域網(wǎng)(LAN)卡，以給兼容的LAN提供數(shù)據(jù)通信連接。也可以實(shí)施無線鏈路。在任何這樣的實(shí)施方案中，通信接口118發(fā)送和接收承載表示各種類型信息的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)流的電、電磁或光信號。
網(wǎng)絡(luò)鏈路120典型地通過一個或多個網(wǎng)絡(luò)給其它數(shù)據(jù)裝置提供數(shù)據(jù)通信。例如，網(wǎng)絡(luò)鏈路120可以通過本地網(wǎng)絡(luò)122為主機(jī)124提供連接或?yàn)橛梢蛱鼐W(wǎng)服務(wù)提供商(ISP)126操作的數(shù)據(jù)設(shè)備提供連接。ISP 126又通過遍及全世界的分組數(shù)據(jù)通信網(wǎng)絡(luò)(現(xiàn)在通常稱為“因特網(wǎng)”128)提供數(shù)據(jù)通信服務(wù)。本地網(wǎng)絡(luò)122和因特網(wǎng)128都使用承載數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)流的電、電磁或光信號。通過多種網(wǎng)絡(luò)的信號、網(wǎng)絡(luò)鏈路120上和經(jīng)過通信接口118的信號(這些信號將數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)傳送到計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100和從計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100傳輸數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù))是傳輸信息的載波的典型形式。
計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100可以通過網(wǎng)絡(luò)(多個網(wǎng)絡(luò))、網(wǎng)絡(luò)鏈路120和通信接口118發(fā)送消息和接收數(shù)據(jù)(包括程序代碼)。在因特網(wǎng)例子中，服務(wù)器130可以通過因特網(wǎng)128、ISP126、本地網(wǎng)絡(luò)122和通信接口118傳輸針對應(yīng)用程序的所請求的代碼。根據(jù)本發(fā)明，一個這樣下載的應(yīng)用提供實(shí)施例的照明優(yōu)化。當(dāng)接收到代碼時，可由處理器104來執(zhí)行所接收到的代碼，和/或?qū)⑺邮盏降拇a存儲在存儲器件110中、或其它用于后來執(zhí)行的非易失性存儲中。如此，計(jì)算機(jī)系統(tǒng)100可以載波的形式獲得應(yīng)用代碼。
圖10示意性地描述了適于使用借助于本發(fā)明設(shè)計(jì)的掩膜的光刻投影設(shè)備。該設(shè)備包括-用于提供輻射的投影射束PB的輻射系統(tǒng)Ex、IL。在這個特定情況下，輻射系統(tǒng)也包括輻射源LA；-配備有用于支撐掩膜MA(例如標(biāo)線)的掩膜支架且被連接到用于相對于零件(item)PL精確定位掩膜的第一定位裝置的第一對象臺(掩膜臺)MT；-配備有用于支撐襯底W(例如涂敷有抗蝕劑的硅晶片)且被連接到用于相對于零件PL精確定位襯底的第二定位裝置的第二對象臺(襯底臺)WT；-用于把掩膜MA的所輻照的部分成像到襯底W的(例如包括一個或兩個管芯的)目標(biāo)部分C的投影系統(tǒng)(“透鏡”)PL(例如折射、反射或反折射光學(xué)系統(tǒng))。
如在此所述，該設(shè)備是透射型的(即具有透射掩膜)。然而通常也可以是反射型，例如(具有反射掩膜)?？商鎿Q地，該設(shè)備可以采用另一種構(gòu)圖裝置作為使用掩膜的替換方案；例子包括可編程鏡陣列或LCD矩陣。
源LA(例如汞燈或準(zhǔn)分子激光器)產(chǎn)生輻射射束。該射束直接地或在具有橫向調(diào)節(jié)裝置(諸如射束擴(kuò)展器Ex)之后被饋入照明系統(tǒng)(照明器)IL中。照明器IL可以包括用于設(shè)置射束中的強(qiáng)度分布的外部和/或內(nèi)部輻射范圍(通常分別被稱為σ-外部和σ-內(nèi)部)的調(diào)節(jié)裝置AM。此外，通常包括多個其它構(gòu)件，諸如積分器IN和電容器CO。這樣，照射到掩膜MA上的射束PB在其橫截面上具有所希望的均勻度和強(qiáng)度分布。
關(guān)于圖10，應(yīng)當(dāng)注意，源LA可以位于光刻投影設(shè)備的殼內(nèi)(通常情況是例如當(dāng)源LA是汞燈時的情況)，但是也可以遠(yuǎn)離光刻投影設(shè)備，其產(chǎn)生的輻射射束可以(例如借助適當(dāng)?shù)膶?dǎo)向鏡)被引入到該設(shè)備中；后者情形通常是當(dāng)源LA是準(zhǔn)分子激光器(例如在KrF、ArF或F2激光的基礎(chǔ)上)時的情況。本發(fā)明包括這兩種情形。
射束PB隨后截取被支撐在掩膜臺MT上的掩膜MA。具有橫向的掩膜MA，射束PB經(jīng)過將射束PB聚焦到襯底W的目標(biāo)部分C上的透鏡PL。借助第二定位裝置(和干涉測量裝置IF)，襯底臺WT可以精確地移動，例如以便在射束PB的路徑上定位不同的目標(biāo)部分C。類似地，例如在從掩膜庫中機(jī)械檢索掩膜MA之后或在掃描期間，可以使用第一定位裝置相對于射束PB的路徑準(zhǔn)確地定位掩膜MA。通常，借助長行程模塊(粗略定位)和短行程模塊(精確定位)可以實(shí)現(xiàn)對象臺MT、WT的移動，該長行徎模塊和短行程模塊在圖10中沒有詳細(xì)地描述。然而，在晶片步進(jìn)機(jī)的情況下(與步進(jìn)和掃描工具相反)，掩膜臺MT可以僅僅被連接到短行程致動器或可以被固定。
所述工具可被用在兩種不同的模式中-在步進(jìn)模式中，掩膜臺MT基本保持靜止，并且整個掩膜圖像一次(即單個“閃光”)被投影到目標(biāo)部分C上。然后在x和/或y方向上移動襯底臺WT，使得不同的目標(biāo)部分C能由射束PB輻照。
-在掃描模式中，應(yīng)用基本相同的情形，除了給定的目標(biāo)部分C沒有被曝露在單個“閃光”下。相反，掩膜臺MT在給定方向(所謂的“掃描方向”，例如y方向)上以速度v移動，使得投影射束PB可以掃描掩膜圖像；同時，襯底臺WT同時在相同或相反方向以速度V＝Mv移動，其中M是透鏡PL的放大率(典型地，M＝1/4或1/5)。這樣，在不需要兼顧分辨率的情況下，可以曝光相對大的目標(biāo)部分C。
雖然已經(jīng)詳細(xì)地描述和說明了本發(fā)明，但是應(yīng)當(dāng)清楚地理解，所述內(nèi)容僅僅是說明和示例，而不是限制，本發(fā)明的范圍僅由所附的權(quán)利要求的術(shù)語來限制。
權(quán)利要求
1.一種基于具有要被成像到襯底上的特征的目標(biāo)圖案生成互補(bǔ)掩膜的方法，所述互補(bǔ)掩膜用于多重曝光光刻成像工藝中，所述方法包括以下步驟對應(yīng)于所述目標(biāo)圖案限定初始H掩膜；對應(yīng)于所述目標(biāo)圖案限定初始V掩膜；在所述H掩膜中識別水平臨界特征，所述水平臨界特征具有比預(yù)定臨界寬度更小的寬度；在所述V掩膜中識別垂直臨界特征，所述垂直臨界特征具有比預(yù)定臨界寬度更小的寬度；將第一相移和第一透射百分率分配到所述水平臨界特征，所述水平特征要被形成在所述H掩膜中，以便展示所述第一相移和所述第一透射百分率；和將第二相移和第二透射百分率分配到所述垂直臨界特征，所述垂直特征要被形成在所述V掩膜中，以便展示所述第二相移和所述第二透射百分率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生成互補(bǔ)掩膜的方法，進(jìn)一步包括將鉻分配到所述H掩膜和所述V掩膜中的所有非臨界特征，所述非臨界特征具有大于或等于所述預(yù)定臨界寬度的寬度，利用鉻將所述非臨界特征形成在所述H掩膜和所述V掩膜中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的生成互補(bǔ)掩膜的方法，其中所述第一相移和所述第二相移是相等的，并且所述第一透射百分率和所述第二透射百分率是相等的。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的生成互補(bǔ)掩膜的方法，進(jìn)一步包括以下步驟將鉻防護(hù)涂敷到所述H掩膜中的特征的垂直邊緣；以及將散射條涂敷到所述H掩膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的生成互補(bǔ)掩膜的方法，進(jìn)一步包括以下步驟將鉻防護(hù)涂敷到所述V掩膜中的特征的水平邊緣；以及將散射條涂敷到所述V掩膜。
6.一種用于控制計(jì)算機(jī)的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其包括通過計(jì)算機(jī)可讀取的記錄介質(zhì)，被記錄在記錄介質(zhì)上用于指引計(jì)算機(jī)執(zhí)行基于具有要被成像到襯底上的目標(biāo)圖案生成表示互補(bǔ)掩膜的文件的工藝的裝置，所述互補(bǔ)掩膜用于多重曝光光刻成像工藝中，該工藝包括以下步驟對應(yīng)于所述目標(biāo)圖案限定初始的H掩膜；對應(yīng)于所述目標(biāo)圖案限定初始的V掩膜；在所述H掩膜中識別水平臨界特征，所述水平臨界特征具有比預(yù)定臨界寬度更小的寬度；在所述V掩膜中識別垂直臨界特征，所述垂直臨界特征具有比預(yù)定臨界寬度更小的寬度；將第一相移和第一透射百分率分配到所述水平臨界特征，所述水平特征要被形成在所述H掩膜中，以便展示所述第一相移和所述第一透射百分率；和將第二相移和第二透射百分率分配到所述垂直臨界特征，所述垂直特征要被形成在所述V掩膜中，以便展示所述第二相移和所述第二透射百分率。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其中所述工藝進(jìn)一步包括把鉻分配到所述H掩膜和所述V掩膜中的所有非臨界特征，所述非臨界特征具有大于或等于所述預(yù)定臨界寬度的寬度，所述非臨界特征利用鉻要被形成在所述H掩膜和所述V掩膜中。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其中所述第一相移和所述第二相移是相等的，并且所述第一透射百分率和所述第二透射百分率是相等的。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，其中所述工藝進(jìn)一步包括以下步驟將鉻防護(hù)涂敷到所述H掩膜中的特征的垂直邊緣；以及將散射條涂敷到所述H掩膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，進(jìn)一步包括以下步驟將鉻防護(hù)涂敷到所述V掩膜中的特征的水平邊緣；以及將散射條涂敷到所述V掩膜。
11.一種器件制造方法，其包括以下步驟(a)提供至少部分由輻射敏感材料層所覆蓋的襯底；(b)使用成像系統(tǒng)提供輻射的投影射束；(c)生成多個掩膜，這些掩膜被用于給投影射束在其橫截面賦予圖案；(d)將輻射的已構(gòu)圖射束投影到輻射敏感材料層的目標(biāo)部分上，其中，在步驟(c)中，所述掩膜通過包括以下步驟的方法形成對應(yīng)于目標(biāo)圖案限定初始的H掩膜；對應(yīng)于所述目標(biāo)圖案限定初始的V掩膜；在所述H掩膜中識別水平臨界特征，所述水平臨界特征具有比預(yù)定臨界寬度更小的寬度；在所述V掩膜中識別垂直臨界特征，所述垂直臨界特征具有比預(yù)定臨界寬度更小的寬度；將第一相移和第一透射百分率分配到所述水平臨界特征，所述水平特征要被形成在所述H掩膜中，以便展示所述第一相移和所述第一透射百分率；和將第二相移和第二透射百分率分配到所述垂直臨界特征，所述垂直特征要被形成在所述V掩膜中，以便展示所述第二相移和所述第二透射百分率。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件制造方法，其中步驟(c)進(jìn)一步包括將鉻分配到所述H掩膜和所述V掩膜中的所有非臨界特征的步驟，所述非臨界特征具有大于或等于所述預(yù)定臨界寬度的寬度，所述非臨界特征利用鉻要被形成在所述H掩膜和所述V掩膜中。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的器件制造方法，其中所述第一相移和所述第二相移是相等的，并且所述第一透射百分率和所述第二透射百分率是相等的。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的器件制造方法，其中步驟(c)進(jìn)一步包括以下步驟將鉻防護(hù)涂敷到所述H掩膜中的特征的垂直邊緣；以及將散射條涂敷到所述H掩膜。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的器件制造方法，其中步驟(c)進(jìn)一步包括以下步驟將鉻防護(hù)涂敷到所述V掩膜中的特征的水平邊緣；以及將散射條涂敷到所述V掩膜。
16.一種成像晶片的方法，其包括以下步驟限定要被成像到所述襯底上的目標(biāo)圖案；對應(yīng)于所述目標(biāo)圖案限定初始的H掩膜；對應(yīng)于所述目標(biāo)圖案限定初始的V掩膜；在所述H掩膜中識別水平臨界特征，所述水平臨界特征具有比預(yù)定臨界寬度更小的寬度；在所述V掩膜中識別垂直臨界特征，所述垂直臨界特征具有比預(yù)定臨界寬度更小的寬度；將第一相移和第一透射百分率分配到所述水平臨界特征，所述水平特征要被形成在所述H掩膜中，以便展示所述第一相移和所述第一透射百分率；將第二相移和第二透射百分率分配到所述垂直臨界特征，所述垂直特征要被形成在所述V掩膜中，以便展示所述第二相移和所述第二透射百分率；利用第一源照明成像所述H掩膜；和利用第二源照明成像所述V掩膜。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的成像晶片的方法，進(jìn)一步包括將鉻分配到所述H掩膜和所述V掩膜中的所有非臨界特征，所述非臨界特征具有大于或等于所述預(yù)定臨界寬度的寬度，所述非臨界特征利用鉻要被形成在所述H掩膜和所述V掩膜中。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的成像晶片的方法，其中所述第一相移和所述第二相移是相等的，并且所述第一透射百分率和所述第二透射百分率是相等的。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的成像晶片的方法，進(jìn)一步包括以下步驟將鉻防護(hù)涂敷到所述H掩膜中的特征的垂直邊緣；以及將散射條涂敷到所述H掩膜。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的成像晶片的方法，進(jìn)一步包括以下步驟將鉻防護(hù)涂敷到所述V掩膜中的特征的水平邊緣；以及將散射條涂敷到所述V掩膜。
21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的成像晶片的方法，其中所述第一源照明和所述第二源照明是偶極照明。
22.根據(jù)權(quán)利要求16所述的成像晶片的方法，其中所述第一源照明是偶極照明而所述第二源照明是非偶極照明。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的成像晶片的方法，其中所述第二源照明是QUASAR照明或環(huán)狀照明之一。
全文摘要
一種基于具有要被成像到襯底上的特征的目標(biāo)圖案生成用于多重曝光光刻成像工藝中的互補(bǔ)掩膜的方法包括以下步驟對應(yīng)于目標(biāo)圖案限定初始H掩膜；對應(yīng)于目標(biāo)圖案限定初始V掩膜；在具有比預(yù)定臨界寬度更小的寬度的H掩膜中識別水平臨界特征；在具有比預(yù)定臨界寬度更小的寬度的V掩膜中識別垂直臨界特征；將第一相移和第一透射百分率分配到要被形成在H掩膜中的水平臨界特征；和把第二相移和第二透射百分率分配到要被形成在V掩膜中的垂直臨界特征。該方法進(jìn)一步包括把鉻分配到H掩膜和V掩膜中的具有大于或等于預(yù)定臨界寬度的寬度的所有非臨界特征的步驟。利用鉻在H掩膜和V掩膜中形成非臨界特征。通過成像H掩膜和V掩膜將目標(biāo)圖案成像到襯底上。
文檔編號H01L21/00GK1908812SQ20061009963
公開日2007年2月7日 申請日期2006年4月12日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月12日
發(fā)明者J·F·陳, D·-F·S·蘇, D·范登布羅克 申請人:Asml蒙片工具有限公司