專利名稱：Cmos圖像傳感器及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及CMOS圖像傳感器，更具體地，涉及具有改善的特性的CMOS圖像傳感器及其制造方法。
背景技術：
通常，圖像傳感器是將光學圖像轉換為電信號的半導體器件。圖像傳感器分為電荷耦合器件(CCD)和互補金屬氧化物硅(CMOS)圖像傳感器。
CCD包括將光信號轉換為電信號和以矩陣形式排列的多個光電二極管，在光電二極管之間形成的多個垂直的電荷耦合器件，將光電二極管產(chǎn)生的電荷沿垂直方向傳送，用于將來自垂直電荷耦合器件的電荷沿水平方向傳送的水平電荷耦合器件，以及通過檢測沿水平方向傳送的電荷并輸出電信號來輸出電信號的讀出放大器。
CCD的主要缺點是復雜的驅動方法和高功耗。并且，因為多層光刻工藝所以制造CCD的方法復雜。
另外，控制電路、信號處理電路、模擬/數(shù)字(A/D)轉換器等難以與CCD集成在一起。這使得難以縮小采用CCD的產(chǎn)品的尺寸。
因此，開發(fā)出了CMOS圖像傳感器作為克服CCD缺陷的下一代圖像傳感器。
CMOS圖像傳感器是采用由MOS晶體管依次檢測單元像素輸出的開關方法的器件，MOS晶體管的數(shù)量與單元像素的數(shù)量一致。使用CMOS技術在半導體襯底上形成MOS晶體管，其中控制電路和信號處理電路使用外圍電路。
即，在每個單元像素中形成光電二極管和MOS晶體管，從而CMOS圖像傳感器使用開關方法通過依次檢測單元像素的電信號形成圖像。
因為CMOS圖像傳感器使用CMOS制造技術，所以功耗較低，并且由于光刻工藝的數(shù)量減少了而簡化了制造工藝。
在CMOS圖像傳感器中，因為控制電路、信號處理電路、A/D轉換電路可以與CMOS圖像傳感器芯片集成在一起，所以可以縮小采用CMOS圖像傳感器的產(chǎn)品的尺寸。
因此，CMOS圖像傳感器已經(jīng)廣泛地用在各種應用中，例如，數(shù)字照相機和數(shù)字視頻攝像機。
CMOS圖像傳感器根據(jù)晶體管的數(shù)量分為3T型、4T型、5T型等。3T型CMOS圖像傳感器包括一個光電二極管和三個晶體管，4T型CMOS圖像傳感器包括一個光電二極管和四個晶體管。
現(xiàn)在介紹3T型CMOS圖像傳感器的單元像素的等效電路和布局。
圖1是現(xiàn)有技術的3T型CMOS圖像傳感器的單元像素的等效電路圖，圖2是3T型CMOS圖像傳感器單元的布局。
參考圖1，3T型CMOS圖像傳感器包括單個光電二極管PD和三個NMOS晶體管T1、T2和T3。
光電二極管PD連接到第一NMOS晶體管T1的漏極和第二NMOS晶體管T2的柵極。
第一和第二NMOS晶體管T1和T2的源極連接到提供基準電壓VR的電壓線。第一NMOS晶體管T1的柵極連接到提供復位電壓RST的復位線。
并且，第三NMOS晶體管T3的源極連接到第二NMOS晶體管T2的漏極，第三NMOS晶體管T3的漏極通過信號線連接到讀出電路(未示出)，第三NMOS晶體管T3的柵極連接到提供選擇信號SLCT的列選擇線。
第一NMOS晶體管T1是復位累積在光電二極管PD中的光電荷(photocharge)的復位晶體管Rx，第二NMOS晶體管T2是作為源跟隨器緩沖放大器的驅動晶體管Dx，第三NMOS晶體管T3是通過開關操作進行尋址的選擇晶體管Sx。
參考圖2，在3T型CMOS圖像傳感器的單元像素中，在有源區(qū)10的寬的部分中形成單個光電二極管20，形成三個晶體管的柵極電極120、130和140，在有源區(qū)10的其余部分中彼此重疊。
即，由柵極電極120形成復位晶體管Rx，由柵極電極130形成驅動晶體管Dx，由柵極電極140形成選擇晶體管Sx。
在除柵極電極30(120)、40(130)和50(140)下的部分以外的晶體管的有源區(qū)10中摻雜雜質，由此形成每個晶體管的源極/漏極區(qū)。
因此，電源電壓Vdd加到在復位晶體管Rx與驅動晶體管Dx之間的源極/漏極區(qū)，在選擇晶體管Sx一側的源極/漏極區(qū)連接到讀出電路(未示出)。
柵極電極120、130和140連接到各自的信號線(未示出)。每個信號線具有連接到外部驅動電路的焊盤。
以下將介紹具有焊盤的各個信號線和隨后的工藝。
圖3A到3E是說明制造現(xiàn)有技術的CMOS圖像傳感器的方法的剖面圖，沿圖2的線III-III′。
參考圖3A，在重摻雜的P++半導體襯底61上進行外延工藝，形成輕摻雜的P-外延層62。
形成的輕摻雜的P-外延層62具有4-7μm的厚度。
然后，在半導體襯底61中定義有源區(qū)和器件隔離區(qū)，并且在器件隔離區(qū)中使用STI或LOCOS工藝形成器件隔離層63。
依次在形成器件隔離層63的外延層62的整個表面上淀積柵極絕緣層64和導電層(例如，高濃度多晶硅層)。有選擇地除去導電層和柵極絕緣層64，形成柵極電極65。
參考圖3B，在所得到的包括柵極電極65的結構的整個表面上覆蓋第一光致抗蝕劑層66，并使用曝光工藝和顯影工藝構圖，以覆蓋光電二極管區(qū)并且露出每個晶體管的源極/漏極區(qū)。
使用構圖的第一光致抗蝕劑層66作為掩模，n-雜質離子摻雜到露出的源極/漏極區(qū)中，形成n-擴散區(qū)67。
參考圖3C，除去第一光致抗蝕劑層66。然后，在半導體襯底61的整個表面上涂覆第二光致抗蝕劑層68并使用曝光工藝和顯影工藝構圖，以露出藍色、綠色和紅色光電二極管區(qū)。
使用構圖的第二光致抗蝕劑層68作為掩模，n-雜質離子摻雜到外延層62中，在光電二極管區(qū)中形成n-擴散區(qū)69。
通過以比源極/漏極區(qū)的n-擴散區(qū)67更高的能量摻雜雜質離子，更深地形成每個光電二極管區(qū)的n-擴散區(qū)69。
即，以較高的能量在深處形成n-擴散區(qū)，從而增加圖像傳感器的靈敏度。
并且，n-擴散區(qū)69是復位晶體管(圖1和2中的Rx)的源極區(qū)。
同時，當反向偏置加在光電二極管的n-擴散區(qū)69與P-外延層62之間時，形成耗盡區(qū)。當復位晶體管關斷時，由光產(chǎn)生的電子降低了驅動晶體管的電位。當復位晶體管關斷然后導通時，電位降低，從而出現(xiàn)電壓差。使用在信號處理中的電壓差實現(xiàn)圖像傳感器的操作。
形成的n-擴散區(qū)69具有2-4μm的厚度，n-擴散區(qū)69是藍色、綠色和紅色光電二極管區(qū)，并具有相同的深度。
即，雜質離子以相同的離子注入能量注入到每個光電二極管區(qū)中，從而光電二極管區(qū)具有相同的深度。
參考圖3D，在完全除去第二光致抗蝕劑層68之后，在半導體襯底61的整個表面上淀積絕緣層并進行回蝕工藝，以在柵極電極65的兩個側壁上形成柵極隔離物70。
在半導體襯底61的整個表面上涂覆第三光致抗蝕劑層71并通過曝光工藝和顯影工藝構圖，以覆蓋光電二極管區(qū)并露出每個晶體管的源極/漏極區(qū)。
使用構圖的第三光致抗蝕劑層71作為掩模，n+雜質離子摻雜到露出的源極/漏極區(qū)中，形成n+擴散區(qū)72。
參考圖3E，除去第三光致抗蝕劑層71。在半導體襯底61的整個表面上涂覆第四光致抗蝕劑層73并使用曝光工藝和顯影工藝構圖，以露出每個光電二極管區(qū)。
使用構圖的第四光致抗蝕劑層73作為掩模，p0雜質離子摻雜到形成n-擴散區(qū)69的光電二極管區(qū)中，由此在半導體襯底的表面中形成p0擴散區(qū)74。
然而，制造CMOS圖像傳感器的現(xiàn)有技術方法具有以下問題。
就形成相同深度的藍色、綠色和紅色光電二極管來說，由于硅晶格結構，從硅表面到藍色(～0.5μm)、綠色(～2μm)和紅色(～10μm)的貫入深度的差值較大。因此，因為不能夠相對于藍色和紅色像素有效地操作，所以圖像傳感器的特性降低。

發(fā)明內容
因此，本發(fā)明涉及充分消除由于現(xiàn)有技術的限制和缺點引起的一個或多個問題的CMOS圖像傳感器及其制造方法。
本發(fā)明的目的是提供CMOS圖像傳感器及其制造方法，能夠通過考慮由于三基色的波長差值引起的硅晶格結構的不同貫入深度形成各個顏色光電二極管，改善圖像傳感器的特性。
在隨后的介紹中將部分地闡述本發(fā)明的其它優(yōu)點、目的和特色，并且一部分對于本領域的普通技術人員在隨后的檢驗時或通過本發(fā)明的實踐將變得顯而易見。通過在書面的介紹及其權利要求以及附圖中詳細指出的結構可以實現(xiàn)并獲得本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點。
為了實現(xiàn)這些目的和其它優(yōu)點并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如在此具體和寬泛描述的，提供CMOS圖像傳感器，包括在第一導電率的半導體襯底中形成的第一導電類型的外延層；在外延層中以第一深度形成的第二導電類型的藍色光電二極管區(qū)；與藍色光電二極管區(qū)間隔開預定距離并且在外延層中以大于第一深度的第二深度形成的第二導電類型的綠色光電二極管區(qū)；以及與綠色光電二極管區(qū)間隔開預定距離并且在外延層中以大于第二深度的第三深度形成的第二導電類型的紅色光電二極管區(qū)。
在本發(fā)明的另一個方面中，提供制造具有藍色、綠色和紅色光電二極管區(qū)的CMOS圖像傳感器的方法，包括外延生長第一導電類型的半導體襯底，以在半導體襯底的表面中形成第一導電類型的外延層；在外延區(qū)的預定部分中摻雜第二導電類型的雜質離子，以形成具有第一深度的藍色光電二極管區(qū)；在外延區(qū)的預定部分中摻雜第二導電類型的雜質離子，以形成與藍色光電二極管區(qū)間隔開預定距離并具有大于第一深度的第二深度的綠色光電二極管區(qū)；以及在外延區(qū)的預定部分中摻雜第二導電類型的雜質離子，以形成與綠色光電二極管區(qū)間隔開預定距離并具有大于第二深度的第三深度的紅色光電二極管區(qū)。
應當理解，本發(fā)明的上述一般說明及其后的詳細說明是示例性和說明性的，是用來提供所要求的本發(fā)明的進一步說明。


為了提供對本發(fā)明更進一步的理解而包括并且引入并構成本申請的一部分的附圖，闡明本發(fā)明的實施例并說明書一起用來解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1是現(xiàn)有技術的3T型CMOS圖像傳感器的等效電路圖；
圖2是現(xiàn)有技術的3T型CMOS圖像傳感器的單元像素的布局；圖3A到3E是沿圖2的線III-III′的剖面圖，說明了制造現(xiàn)有技術的CMOS圖像傳感器的方法；圖4是根據(jù)本發(fā)明的實施例的CMOS圖像傳感器的光電二極管的剖面圖；以及圖5A到7B是沿圖2的線III-III′的剖面圖，說明制造根據(jù)本發(fā)明的實施例的CMOS圖像傳感器的方法。
具體實施例方式
現(xiàn)在詳細地參考本發(fā)明的優(yōu)選實施例，在附圖中說明了其例子。只要可能，在全部附圖中將用相同的參考數(shù)字表示相同或相似的部件。
在下文中，將參考附圖詳細介紹根據(jù)本發(fā)明的CMOS圖像傳感器及其制造方法。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的CMOS圖像傳感器的光電二極管的剖面圖。
參考圖4，CMOS圖像傳感器具有紅色、綠色和紅色光電二極管區(qū)。在P++半導體襯底101內形成P-外延層102。在外延層102內形成具有1μm或更小的深度的第一n-型摻雜區(qū)109a。在外延層102內與第一n-型摻雜區(qū)109a間隔開預定距離形成第二n-型摻雜區(qū)109b并具有2-4μm的深度。在外延層102內與第二n-型摻雜區(qū)109b間隔開預定距離形成第三n-型摻雜區(qū)109c并具有3-6μm的深度。在第一到第三n-型摻雜區(qū)109a、109b和109c內形成具有不同深度的第一到第三p0摻雜區(qū)116a、116b和116c。
第一n-型摻雜區(qū)109a、第二n-型摻雜區(qū)109b和第三n-型摻雜區(qū)109c分別是藍色光電二極管區(qū)、綠色光電二極管區(qū)和紅色光電二極管區(qū)。
并且，形成的第一p0摻雜區(qū)116a具有小于0.3μm的深度，形成的第三p0摻雜區(qū)116c具有0.3-1.0μm的深度。
形成的外延層102具有4-7μm的厚度。
圖5A到7B是沿圖2的線III-III′的剖面圖，說明制造根據(jù)本發(fā)明的CMOS圖像傳感器的方法。
參考圖5A，在由第一P++單晶硅形成的半導體襯底101中通過外延工藝形成第一導電類型的P-外延層102。
在外延層102中，在光電二極管中大量地和強烈地形成耗盡區(qū)，從而增加低壓光電二極管累積光電荷的能力并改善光靈敏度。
同時，在n型襯底中形成p型外延層。
形成的P-外延層102具有4-7μm的厚度B。
形成器件隔離層103以隔離在形成外延層102的半導體襯底101中的元件。
雖然未示出，但是以下將介紹形成器件隔離層103的方法。
首先，在半導體襯底上依次形成焊盤氧化物層、焊盤氮化物層和正硅酸乙酯(TEOS)氧化物層，并在TEOS氧化物層上形成光致抗蝕劑層。
然后，使用定義有源區(qū)和器件隔離區(qū)的掩模，使用曝光工藝和顯影工藝構圖光致抗蝕劑層。在此，除去在器件隔離區(qū)中形成的光致抗蝕劑層。
使用構圖的光致抗蝕劑層作為掩模有選擇地除去在器件隔離區(qū)中形成的焊盤氧化物層、焊盤氮化物層和TEOS氧化物層。
接著，使用構圖的焊盤氧化物層、焊盤氮化物層和TEOS氧化物層作為掩模，蝕刻在器件隔離區(qū)中的半導體襯底到預定深度，以形成溝槽。然后，除去所有的光致抗蝕劑層。
在形成溝槽的半導體襯底的整個表面上薄薄地形成犧牲氧化物層。形成O3TEOS層填充溝槽。也在溝槽的內壁中形成犧牲氧化物層，并且在大約1000℃或更高的溫度下形成O3TEOS層。
使用化學機械拋光(CMP)除去O3TEOS層，因此僅在溝槽區(qū)域中保留，由此在溝槽內形成器件隔離層103。然后，除去焊盤氧化物層、焊盤氮化物層和TEOS氧化物層。
依次在形成器件隔離層的外延層102的整個表面上形成柵極絕緣層104和導電層(例如，高濃度多晶硅層)。
可以使用熱氧化工藝或CVD工藝形成柵極絕緣層104。
有選擇地除去導電層和柵極絕緣層，形成柵極電極105。
參考圖5B，在所得到的包括柵極電極105的結構的整個表面上涂覆第一光致抗蝕劑層106，并使用曝光工藝和顯影工藝構圖，以覆蓋光電二極管區(qū)并且露出每個晶體管的源極/漏極區(qū)。
使用構圖的第一光致抗蝕劑層106作為掩模，第二導電類型的n-雜質離子摻雜到露出的源極/漏極區(qū)中，形成n-擴散區(qū)107。
參考圖5C，除去所有的第一光致抗蝕劑層106。然后，在半導體襯底101的整個表面上涂覆第二光致抗蝕劑層108并使用曝光工藝和顯影工藝構圖，以露出藍色光電二極管區(qū)。
使用構圖的第二光致抗蝕劑層108作為掩模，第二導電類型的n-雜質離子摻雜到外延層102中，以在藍色光電二極管區(qū)中形成第一n-擴散區(qū)109a。
在藍色光電二極管區(qū)中形成的第一n-擴散區(qū)109a從表面開始的深度A1為大約1μm或更小。
參考圖6A，在完全除去第二光致抗蝕劑層108之后，在半導體襯底101的整個表面上涂覆第三光致抗蝕劑層110并使用曝光工藝和顯影工藝構圖，以露出綠色光致抗蝕劑區(qū)域。
使用構圖的第三光致抗蝕劑層110作為掩模，第二導電類型的n-雜質離子摻雜到外延層102中，以在綠色光電二極管區(qū)中形成第二n-擴散區(qū)109b。
在綠色光電二極管區(qū)中形成的第二n-擴散區(qū)109a從表面開始的深度A2為2-4μm。
參考圖6B，在除去第三光致抗蝕劑層110之后，在半導體襯底101的整個表面上涂覆第四光致抗蝕劑層111并使用曝光工藝和顯影工藝構圖，以露出紅色光電二極管區(qū)。
使用構圖的第四光致抗蝕劑層111作為掩模，n-雜質離子摻雜到外延區(qū)102中，以在紅色光電二極管區(qū)的表面中形成第三n-擴散區(qū)109c。
在紅色光電二極管區(qū)中形成的第三n-擴散區(qū)109c從表面開始的深度A3為3-6μm。
以比源極/漏極區(qū)的n-擴散區(qū)107更高的能量更深地形成每個光電二極管區(qū)的第一到第三n-擴散區(qū)109a、109b和109c。
參考圖5D，在完全除去第四光致抗蝕劑層111之后，在半導體襯底101的整個表面上淀積絕緣層并進行回蝕工藝，以在柵極電極105的兩個側壁上形成柵極隔離物112。
在形成柵極隔離物112的半導體襯底101的整個表面上涂覆第五光致抗蝕劑層113，并通過曝光工藝和顯影工藝構圖，以覆蓋光電二極管區(qū)并且露出每個晶體管的源極/漏極區(qū)。
使用構圖的第五光致抗蝕劑層113作為掩模，n+雜質離子摻雜到露出的源極/漏極區(qū)中，形成n+擴散區(qū)114。
參考圖5E，除去第五光致抗蝕劑層113。在半導體襯底101的整個表面上涂覆第六光致抗蝕劑層115并使用曝光工藝和顯影工藝構圖，以露出每個光電二極管區(qū)。
使用構圖的第六光致抗蝕劑層115作為掩模，p0雜質離子摻雜到形成第一n-擴散區(qū)109a的光電二極管區(qū)中，由此在半導體襯底的表面中形成第一p0擴散區(qū)116a。
第一p0擴散區(qū)116a的深度為0.3μm或更小。
參考圖7A，除去第六光致抗蝕劑層115。在半導體襯底101的整個表面上涂覆第七光致抗蝕劑層117并使用曝光工藝和顯影工藝構圖，以露出每個光電二極管區(qū)。
使用構圖的第七光致抗蝕劑層117作為掩模，p0雜質離子摻雜到形成第二n-擴散區(qū)109b的光電二極管區(qū)中，由此在半導體襯底的表面中形成第二p0擴散區(qū)116b。
參考圖7B，除去第七光致抗蝕劑層117。在半導體襯底101的整個表面上涂覆第八光致抗蝕劑層118并使用曝光工藝和顯影工藝構圖，以露出每個光電二極管區(qū)。
使用構圖的第八光致抗蝕劑層118作為掩模，p0雜質離子摻雜到形成第三n-擴散區(qū)109c的光電二極管區(qū)中，由此在半導體襯底的表面中形成第三p0擴散區(qū)116c。
第三p0擴散區(qū)116c的深度為0.3-1.0μm。
根據(jù)本發(fā)明的CMOS圖像傳感器及其制造方法具有以下效果。
通過考慮光能量的貫入深度形成不同深度的藍色、綠色和紅色光電二極管區(qū)改善圖像傳感器的特性。
在本發(fā)明中進行多種改進和變化對于本領域的技術人員是顯而易見的。由此，本發(fā)明意圖覆蓋本發(fā)明提供的改進和變化，將它們納入附帶的權利要求書及其等同范圍之內。
權利要求
1.一種CMOS(互補金屬氧化物硅)圖像傳感器，包括在第一導電率的半導體襯底中形成的第一導電類型的外延層；在外延層中以第一深度形成的第二導電類型的藍色光電二極管區(qū)；與藍色光電二極管區(qū)間隔開預定距離并且在外延層中以大于第一深度的第二深度形成第二導電類型的綠色光電二極管區(qū)；以及與綠色光電二極管區(qū)間隔開預定距離并且在外延層中以大于第二深度的第三深度形成的第二導電類型的紅色光電二極管區(qū)。
2.根據(jù)權利要求1的CMOS圖像傳感器，其中第一深度是1μm或更小。
3.根據(jù)權利要求1的CMOS圖像傳感器，其中第二深度在2μm和4μm之間。
4.根據(jù)權利要求1的CMOS圖像傳感器，其中第三深度在3μm和6μm之間。
5.根據(jù)權利要求1的CMOS圖像傳感器，還包括在形成藍色、綠色和紅色光電二極管區(qū)的外延層的表面中具有不同深度的第一導電類型的摻雜區(qū)。
6.根據(jù)權利要求5的CMOS圖像傳感器，其中在藍色光電二極管區(qū)中形成的第一導電類型的摻雜區(qū)具有0.3μm或更小的深度。
7.根據(jù)權利要求5的CMOS圖像傳感器，其中在紅色光電二極管區(qū)中形成的第一導電類型的摻雜區(qū)具有在0.3μm和1.0μm之間的深度。
8.根據(jù)權利要求5的CMOS圖像傳感器，其中外延層具有在4μm和7μm之間的厚度。
9.一種制造具有藍色、綠色和紅色光電二極管區(qū)的CMOS圖像傳感器的方法，包括外延生長第一導電類型的半導體襯底，以在半導體襯底的表面中形成第一導電類型的外延層；在外延區(qū)的預定部分中摻雜第二導電類型的雜質離子，以形成具有第一深度的藍色光電二極管區(qū)；在外延區(qū)的預定部分中摻雜第二導電類型的雜質離子，以形成與藍色光電二極管區(qū)間隔開預定距離并具有大于第一深度的第二深度的綠色光電二極管區(qū)；以及在外延區(qū)的預定部分中摻雜第二導電類型的雜質離子，以形成與綠色光電二極管區(qū)間隔開預定距離并具有大于第二深度的第三深度的紅色光電二極管區(qū)。
10.根據(jù)權利要求9的方法，其中形成的藍色光電二極管區(qū)具有1μm或更小的深度。
11.根據(jù)權利要求9的方法，其中形成的綠色光電二極管區(qū)具有在2μm與4μm之間的深度。
12.根據(jù)權利要求9的方法，其中形成的紅色光電二極管區(qū)具有在3μm與6μm之間的深度。
13.根據(jù)權利要求9的方法，還包括在以不同深度形成藍色、綠色和紅色光電二極管區(qū)的外延區(qū)中形成第一導電類型的摻雜區(qū)。
14.根據(jù)權利要求13的方法，其中在藍色光電二極管區(qū)中形成的第一導電類型的摻雜區(qū)具有0.3μm或更小的深度。
15.根據(jù)權利要求13的方法，其中在紅色光電二極管區(qū)中形成的第一導電類型的摻雜區(qū)具有在0.3μm與1.0μm之間的深度。
16.根據(jù)權利要求9的方法，其中形成的外延層具有在4μm與7μm之間的厚度。
全文摘要
提供一種CMOS圖像傳感器及其制造方法。CMOS圖像傳感器包括在第一導電率的半導體襯底中形成第一導電類型的外延層；在第一深度的外延層中形成第二導電類型的藍色光電二極管區(qū)；與藍色光電二極管區(qū)間隔開預定距離并且在外延層中以大于第一深度的第二深度形成第二導電類型的綠色光電二極管區(qū)；以及與綠色光電二極管區(qū)間隔開預定距離并且在外延層中以大于第二深度的第三深度形成的第二導電類型的紅色光電二極管區(qū)。
文檔編號H01L21/822GK1877849SQ20061009122
公開日2006年12月13日 申請日期2006年6月7日 優(yōu)先權日2005年6月7日
發(fā)明者黃 俊 申請人:東部電子有限公司