專利名稱：集成電路裝置及電子設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種集成電路裝置及電子設備。
背景技術：
作為驅動液晶面板等顯示面板的集成電路裝置，包括顯示驅動器(LCD驅動器)。對于這種顯示驅動器，為了低成本化而要求縮小芯片的尺寸。
然而，組裝在如便攜式電話機等設備中的顯示面板的大小幾乎是確定的。所以，如果要想通過采用微細加工技術來單純縮小顯示驅動器的集成電路裝置而縮小芯片尺寸，就會帶來安裝的難題。
專利文獻1 日本特開2001-222249號公報發(fā)明內容鑒于上述技術缺陷，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠實現(xiàn)電路面積小型化的集成電路裝置以及包括該裝置的電子設備。
本發(fā)明涉及的集成電路裝置，包括至少一個數(shù)據(jù)驅動塊，用于驅動數(shù)據(jù)線；多個控制晶體管，與上述數(shù)據(jù)驅動塊的各數(shù)據(jù)線對應地設置，并且通過公用控制信號控制；以及焊盤配置區(qū)域，配置有數(shù)據(jù)驅動器用焊盤，用于將上述數(shù)據(jù)線和上述數(shù)據(jù)驅動塊進行電氣相連接，其中，上述控制晶體管背配置在上述焊盤配置區(qū)域內。
本發(fā)明中，對應于數(shù)據(jù)驅動塊的各輸出線設有各控制晶體管，這些晶體管通過公用控制信號控制。而且，該控制晶體管被配置在焊盤配置區(qū)域內。這樣一來，因為通過公用控制信號控制控制晶體管，所以，即使將控制晶體管配置在焊盤配置區(qū)域內，其配線區(qū)域也不會增加太多。所以，能夠有效地利用焊盤配置區(qū)域來配置控制晶體管，實現(xiàn)集成電路裝置的小面積化。
而且，在本發(fā)明中，也可以是，上述公用控制信號輸入至所述控制晶體管的柵極，上述數(shù)據(jù)驅動塊的輸出線連接于上述控制晶體管的漏極。
如果使用這樣的控制晶體管，可以通過公用控制信號控制數(shù)據(jù)驅動塊輸出線的電位等。而且，即使在把這樣的控制晶體管配置于焊盤配置區(qū)域的情況下，也能把配線區(qū)域面積的增加控制在最小限度。
另外，在本發(fā)明中，向上述控制晶體管的源極供給公用電位，在上述公用控制信號為激活的情況下，也可以將上述數(shù)據(jù)驅動塊的輸出線設定在上述公用電位。
如果使用這樣的控制晶體管，能夠通過公用控制信號將數(shù)據(jù)驅動塊的輸出線設定在公用電位。而且，即使在把這樣的控制晶體管配置于焊盤配置區(qū)域的情況下，也能把配線區(qū)域面積的增加控制到最小限度。
另外，就本發(fā)明而言，在作為上述公用控制信號的放電信號為激活時，上述控制晶體管也可以是把上述數(shù)據(jù)驅動塊的輸出線設定為接地電位的放電晶體管。
如果把作為控制晶體管的這樣的放電晶體管配置在焊盤配置區(qū)域內，則在實現(xiàn)集成電路裝置的小面積化的同時，還能夠防止由數(shù)據(jù)線的殘留電荷造成的不良現(xiàn)象的發(fā)生。
另外，就本發(fā)明而言，上述控制晶體管至少一部分可以配置在上述數(shù)據(jù)驅動器用焊盤的下層，以使其重疊在上述數(shù)據(jù)驅動器用焊盤上。
如上所述，可以通過有效地利用焊盤的下層的區(qū)域來配置控制晶體管，實現(xiàn)集成電路裝置的小面積化。
另外，就本發(fā)明而言，包括用于對輸出到上述數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號進行阻抗變換的運算放大器，也可以把構成上述運算放大器的差動部分及驅動部分的晶體管配置在上述數(shù)據(jù)驅動塊內。
這樣一來，可以防止發(fā)生增加不必要的配線區(qū)域的情況。
另外，就本發(fā)明而言，也可以是，包括連接于上述數(shù)據(jù)驅動塊的輸出線并配置在上述焊盤配置區(qū)域的靜電保護元件，以上述數(shù)據(jù)線排列的方向為第一方向、以垂直于第一方向的方向為第二方向的情況下，上述控制晶體管被配置在上述數(shù)據(jù)驅動塊的上述第二方向側，而上述靜電保護元件則被配置在所述控制晶體管的上述第二方向側。
這樣一來，在防止控制晶體管的靜電擊穿的同時，實現(xiàn)集成電路裝置的小面積化。
另外，就本發(fā)明而言，也可以是，上述焊盤配置區(qū)域具有沿上述第一方向排列的多個配置范圍，在上述多個配置范圍的各配置范圍，配置沿上述第二方向排列的K個(K是大于等于2的整數(shù))上述數(shù)據(jù)驅動器用焊盤、以及分別與K個上述數(shù)據(jù)驅動器用焊盤連接的K個上述靜電保護元件。
這樣一來，可以按照焊盤間距在各個配置范圍有效配置數(shù)據(jù)驅動器用焊盤和靜電保護元件。
另外，就本發(fā)明而言，也可以是，沿上述第二方向排列的K個上述數(shù)據(jù)驅動器用焊盤在上述第一方向上錯開配置其中心位置。
這樣一來，能夠沿第一方向配置多個數(shù)據(jù)驅動器用焊盤。
另外，就本發(fā)明而言，K個上述靜電保護元件中第一個靜電保護元件包括第一二極管，設在高電位側電源與上述數(shù)據(jù)驅動塊的第一輸出線之間；以及第二二極管，設在低電位側電源與上述數(shù)據(jù)驅動塊的第一輸出線之間。在K個上述靜電保護元件中的第二靜電保護元件包括第三二極管，設置在高電位側電源和上述數(shù)據(jù)驅動塊的第二輸出線之間；以及第四二極管，設置在低電位側電源和上述數(shù)據(jù)驅動塊的第二輸出線之間。其中，上述第一、第二、第三、第四二極管在上述各配置范圍沿第二方向配置即可。
如果這樣配置第一～第四二極管，則能縮小配置范圍的第一方向的寬度，可以對應狹小的焊盤間距。
另外，就本發(fā)明而言，也可以是，上述第一、第三二極管形成于第一阱，上述第二、第四二極管形成于第二阱，上述第一、第二阱在上述第二方向上分離。
這樣一來，就能縮小配置范圍的第一方向的寬度，可以與狹小的焊盤間距相對應。
另外，就本發(fā)明而言，也可以是，上述靜電保護元件具有其長邊沿上述第一方向、短邊沿上述第二方向的擴散區(qū)。
這樣一來，可以使焊盤的連接線的線寬變粗，從而可以降低配線的阻抗。
另外，就本發(fā)明而言，也可以是，包括設置在高電位側電源和低電位側電源之間的電源間保護電路，上述電源間保護電路配置在上述靜電保護元件的上述第二方向側。
這樣一來，即使在電源間保護電路的電路規(guī)模較大的情況下，仍可以有效地布置。
另外，就本發(fā)明而言，也可以是，包括用于存儲上述數(shù)據(jù)驅動塊用圖像數(shù)據(jù)的存儲塊、以及配置有上述數(shù)據(jù)驅動器用焊盤和上述控制晶體管的焊盤塊，上述數(shù)據(jù)驅動塊、上述存儲塊和上述焊盤塊均作為驅動宏單元而被宏單元化，上述數(shù)據(jù)驅動塊和上述存儲塊沿第一方向配置，在把垂直于上述第一方向的方向作為第二方向時，上述焊盤塊被配置在上述數(shù)據(jù)驅動塊以及上述存儲塊的上述第二方向一側。
這樣，如果將數(shù)據(jù)驅動塊、焊盤塊等進行宏單元化，可以將使用例如采用手工配線的方法在焊盤上完成數(shù)據(jù)驅動塊輸出線的配線的宏單元用作驅動器宏單元。因此，可縮小輸出線的配線區(qū)域，實現(xiàn)集成電路裝置的小面積化。
另外，就本發(fā)明而言，也可以是，上述數(shù)據(jù)驅動塊包括多個子像素驅動單元，其用于分別輸出對應于一個子像素的圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)信號，在上述數(shù)據(jù)驅動塊中，在沿第一方向配置多個上述子像素驅動單元的同時，在沿垂直于第一方向的第二方向上配置上述子像素驅動單元。
這樣，如果將子像素驅動單元進行矩陣式配置，則能根據(jù)數(shù)據(jù)驅動器的技術規(guī)格實施靈活的布局設計。
而且，關于本發(fā)明涉及的集成電路裝置，以從集成電路裝置的短邊即第一邊朝向對面的第三邊的方向為第一方向、以從集成電路裝置的長邊即第二邊朝向對面的第四邊的方向為第二方向時，包括第一～第N電路塊(N是大于等于2的整數(shù))，沿上述第一方向配置；第一接口區(qū)，在上述第一～第N電路塊的上述第二方向側沿第四邊設置，成為焊盤配置區(qū)域；以及第二接口區(qū)，在把上述第二方向的反方向作為第四方向時，在上述第一～第N電路塊的上述第四方向側沿第二邊設置，成為焊盤配置區(qū)域。其中，上述第一～第N電路塊包括用于驅動數(shù)據(jù)線的至少一個數(shù)據(jù)驅動塊，在上述第一接口區(qū)配置有數(shù)據(jù)驅動器用焊盤，用于將上述數(shù)據(jù)線與上述數(shù)據(jù)驅動塊的輸出線電氣連接；以及多個控制晶體管，各控制晶體管與上述數(shù)據(jù)驅動塊的各輸出線對應設置，并通過公用控制信號控制。
本發(fā)明中，由于第一～第N電路塊沿第一方向配置，因而能夠縮小集成電路裝置的第二方向的寬度，可以提供薄而細長集成電路裝置。而且，通過本發(fā)明，能夠通過有效地利用焊盤配置區(qū)域來配置控制晶體管，故而可以進一步縮小集成電路裝置第二方向的寬度。
而且，本發(fā)明涉及包括上述任何一項記載的集成電路裝置和通過上述集成電路裝置驅動的顯示面板的電子設備。


圖1(A)、圖1(B)、圖1(C)是本實施例的比較例的說明圖；圖2(A)、圖2(B)是有關集成電路裝置安裝的說明圖；
圖3是本實施例的集成電路裝置的構成例；圖4是各種類型顯示驅動器及其內置電路塊的例子；圖5(A)、圖5(B)是本實施例的集成電路裝置的平面布局例；圖6(A)、圖6(B)是集成電路裝置的截面圖；圖7是集成電路裝置的電路構成例；圖8(A)、圖8(B)、圖8(C)是數(shù)據(jù)驅動器、掃描驅動器的構成例；圖9(A)、圖9(B)是電源電路、灰階電壓發(fā)生電路的構成例；圖10(A)、圖10(B)、圖10(C)是D/A轉換電路、輸出電路的構成例；圖11是本實施例控制晶體管配置方法的說明圖；圖12是數(shù)據(jù)驅動器輸出部分的構成例；圖13是數(shù)據(jù)驅動器輸出部分的構成例；圖14是數(shù)據(jù)驅動器輸出部分的構成例；圖15是焊盤配置區(qū)域的布局例；圖16(A)、圖16(B)是靜電保護元件和焊盤連接的說明圖；圖17(A)、圖17(B)是二極管的截面圖；
圖18(A)、圖18(B)是本實施例的宏單元化方法的說明圖；圖19(A)、圖19(B)也是本實施例的宏單元化方法的說明圖；圖20(A)、圖20(B)是存儲器和數(shù)據(jù)驅動器的塊分割方法的說明圖；圖21是水平掃描期間多次讀取圖像數(shù)據(jù)的方法的說明圖；圖22是數(shù)據(jù)驅動器、驅動單元的配置例；圖23是子像素驅動單元的配置例；圖24是讀出放大器、存儲單元的配置例；圖25子像素驅動單元的構成例；以及圖26(A)、圖26(B)是電子設備的構成例。
具體實施例方式
以下，詳細說明本發(fā)明優(yōu)選的實施例。而且，以下說明的本實施例并不限定于要求保護范圍所記載的本發(fā)明的內容，而且，也不限定本實施例所說明的構成全部都是本發(fā)明的必須的解決方法。
1.比較例圖1(A)表示作為本實施例的比較例的集成電路裝置500。圖1(A)的集成電路裝置500包括存儲塊MB(顯示數(shù)據(jù)RAM)和數(shù)據(jù)驅動塊DB。而且，存儲塊MB和數(shù)據(jù)驅動塊DB沿D2方向配置。另外，存儲塊MB、數(shù)據(jù)驅動塊DB的沿D1方向的長度與在D2方向的寬度相比為較長的超扁平的塊。
來自主機側的圖像數(shù)據(jù)被寫入存儲塊MB。然后，數(shù)據(jù)驅動塊DB把寫進存儲塊MB的數(shù)字圖像數(shù)據(jù)變換為模擬的數(shù)據(jù)電壓，然后驅動顯示面板的數(shù)據(jù)線。這樣，在圖1(A)中圖像信號流是D2方向。因此，在圖1(A)比較例中，根據(jù)該信號流，存儲塊MB和數(shù)據(jù)驅動塊DB沿D2方向配置。這樣一來，輸入和輸出之間為短路徑，可以優(yōu)化信號的延遲，可以傳輸效率好的信號。
然而，對于圖1(A)的比較例，存在如下技術缺陷。
第一，就驅動器等集成電路裝置而言，為了低成本化，要求縮小芯片的尺寸?？墒牵绻捎梦⒓毤庸?，并通過單純縮小集成電路裝置500以縮小芯片尺寸的話，不僅是短邊方向，而且連長邊方向也被縮小。所以，導致如圖2(A)所示的安裝困難的技術缺陷。也就是說，即使優(yōu)選輸出間距例如大于等于22μm，可是，由于如圖2(A)所示的單純縮小后的間距例如只有17μm，間距太窄，所以安裝變得困難。再者，顯示面板的玻璃框變寬，玻璃的需要數(shù)量減少，造成成本增加。
第二，在顯示驅動器中，根據(jù)顯示面板的種類(非晶形TFT、低溫多晶硅TFT)、像素數(shù)(QCIF、QVGA、VGA)和產(chǎn)品的技術規(guī)格等，存儲器和數(shù)據(jù)驅動器的構成有所變化。所以，就圖1(A)的比較例而言，即使有的產(chǎn)品如圖1(B)所示，其焊盤間距、存儲器的單元間距和數(shù)據(jù)驅動器的單元間距是一致的，只要存儲器和數(shù)據(jù)驅動器的構成發(fā)生變化，如圖1(C)所示，它們的間距也就不一致了。而且，如圖1(C)所示，如果間距不一致，在電路塊之間，為了吸收間距的不一致，不得不形成多余的配線區(qū)域。特別是，對于在D1方向塊是扁平的圖1(A)的比較例，用于吸收間距不一致的多余配線區(qū)域更大。其結果是，集成電路裝置500的D2方向的寬度W增大，芯片面積增加，并導致成本的增加。
另一方面，為了避免這類事態(tài)，為使焊盤間距和單元間距取齊而改變存儲器和數(shù)據(jù)驅動器的布局，這又導致開發(fā)周期延長，結果，導致成本增加。也就是說，對于圖1(A)的比較例，各電路塊的電路構成和布局都進行單獨設計，再進行調整間距的作業(yè)，因而生成不必要的空區(qū)域，并且導致設計低效化等問題。
2.集成電路裝置的構成圖3示出能夠解決上述技術缺陷的本實施例的集成電路裝置10的構成。就本實施例而言，以從集成電路裝置10的短邊即第一邊SD1朝著對面的第三邊SD3的方向為第一方向D1，以D1的反方向為第三方向D3。以從集成電路裝置10的長邊即第二邊SD2朝著對面的第四邊SD4的方向為第二方向D2，以D2的反方向為第四方向D4。此外，在圖3中，雖然集成電路裝置10的左邊為第一邊SD1，右邊為第三邊SD3，但是，也可以是左邊為第三邊SD3、右邊為第一邊SD1。
如圖3所示，本實施例的集成電路裝置10包括沿D1方向配置的第一～第N個電路塊CB1～CBN(N為大于等于2的整數(shù))。亦即，在圖1(A)的比較例中，電路塊沿D2方向排列，而在本實施例中，電路塊CB1～CBN沿D1方向排列。而且，各電路塊不像圖1(A)的比較例那樣呈超扁平的塊，而是比較接近方形的塊。
另外，集成電路裝置10包括在第一～第N的電路塊CB1～CBN的D2方向側沿邊SD4設置的輸出側I/F區(qū)域12(廣義為第一接口區(qū))。而在第一～第N電路塊CB1～CBN的D4方向側包括沿邊SD2設置的輸入側I/F區(qū)域14(廣義為第二接口區(qū))。更具體地說，輸出側I/F區(qū)域12(第一個I/O區(qū)域)配置在電路塊CB1～CBN的D2方向一側，而不通過例如其它電路塊。而輸入側I/F區(qū)域14(第二個I/O區(qū)域)也不通過例如其它電路塊而直接配置在電路塊CB1～CBN的D4方向一側。亦即，至少在數(shù)據(jù)驅動塊存在的部分，在D2方向只存在一個電路塊(數(shù)據(jù)驅動塊)。此外，在把集成電路裝置10作為IP(知識產(chǎn)權)核心來使用，并組裝于其他集成電路裝置時，也可以形成不設有I/F區(qū)域12、14中至少一個的構成。
輸出側(顯示面板側)I/F區(qū)域12是與顯示面板形成接口的區(qū)域，包括焊盤、連接于焊盤的輸出用晶體管和保護元件等各種元件。具體地說，包括向數(shù)據(jù)線輸出數(shù)據(jù)信號、向掃描線輸出掃描信號的輸出用晶體管等。此外，在顯示面板是觸摸面板等時，也可以包括輸入用晶體管。
輸入側(主機側)I/F區(qū)域14是與主機(MPU、圖像處理控制器、基帶引擎)形成接口的區(qū)域，可以包括焊盤、連接于焊盤的輸入(輸入/輸出用)晶體管、輸出用晶體管和保護元件等各種元件。具體地說，包括用于輸入來自主機的信號(數(shù)字信號)的輸入用晶體管、用于向主機輸出信號的輸出用晶體管等。
此外，也可以設置沿短邊即邊SD1、SD3的輸出側或者輸入側I/F區(qū)域。另外，作為外部連接端子的凸起等也可以設置在I/F(接口)區(qū)域12、14，也可以設置在其以外的區(qū)域(第一～第N電路塊CB1～CBN)。當設在I/F區(qū)域12、14以外的區(qū)域時，可以采用金屬凸起以外的小型凸起技術(以樹脂為核心的凸起技術)來實現(xiàn)。
第一～第N電路塊CB1～CBN可以至少包括兩個(或者三個)不同的電路塊(具備不同功能的電路塊)。以集成電路裝置10是顯示驅動器的情況為例，電路塊CB1～CBN可以包括如數(shù)據(jù)驅動器、存儲器、掃描驅動器、邏輯電路、灰階電壓發(fā)生電路和電源電路中的至少兩個電路塊。更具體地講，電路塊CB1～CBN至少可以包括數(shù)據(jù)驅動塊和邏輯電路塊，而且，可以包括灰階電壓發(fā)生電路塊。另外，在內置存儲器的情況下，還可以包括存儲塊。
例如，圖4表示各種類型的顯示驅動器和內置顯示驅動器的電路塊的例子。就內置存儲器(RAM)的非晶形TFT(Thin FilmTransistor，薄膜晶體管)面板用顯示驅動器而言，電路塊CB1～CBN包括存儲器、數(shù)據(jù)驅動器(源極驅動器)、掃描驅動器(柵極驅動器)、邏輯電路(門陣列電路)、灰階電壓發(fā)生電路(γ校正電路)以及電源電路這些電路塊。另一方面，就存儲器內置的低溫多晶硅(LTPS)TFT面板用顯示驅動器而言，因為可以在玻璃基板上形成掃描驅動器，所以可以省略掃描驅動電路塊。而對于存儲器非內置的非晶形TFT面板，可以省略存儲塊，對于存儲器非內置的低溫多晶硅TFT面板，可以省略存儲器和掃描驅動器的電路塊。另外，就CSTN(Color Super Twisted Nematic)面板、TFD(Thin Film Diode，薄膜二極管)面板而言，則可以省略灰階電壓發(fā)生電路塊。
圖5(A)、圖5(B)表示本實施例的顯示驅動器集成電路裝置10的平面布局的例子。圖5(A)、圖5(B)是存儲器內置的非晶形TFT面板用的例子，例如圖5(A)以QCIF、32階用顯示驅動器為目標，而圖5(B)則以QVGA、64階用顯示驅動器為目標。
就圖5(A)、(B)而言，其第一～第N電路塊CB1～CBN包括第一～第四存儲塊MB1～MB4(廣義為第一～第I個存儲塊，I是大于等于2的整數(shù))。與各第一～第四存儲塊MB1～MB4對應，包括沿D1方向其各自鄰接配置的第一～第四數(shù)據(jù)驅動塊DB1～DB4(廣義為第一～第I的數(shù)據(jù)驅動塊)。具體地說，存儲塊MB1和數(shù)據(jù)驅動塊DB1沿D1方向相鄰配置，存儲塊MB2則和數(shù)據(jù)驅動塊DB2沿D1方向相鄰配置。而且，數(shù)據(jù)驅動塊DB1用于驅動數(shù)據(jù)線的圖像數(shù)據(jù)(顯示數(shù)據(jù))由鄰接的存儲塊MB1存儲，數(shù)據(jù)驅動塊DB2用于驅動數(shù)據(jù)線的圖像數(shù)據(jù)則由鄰接的存儲塊MB2存儲。
在圖5(A)中，在存儲塊MB1～MB4中的MB1(廣義為第J存儲塊，1≤J＜I)的D3方向一側鄰接配置數(shù)據(jù)驅動塊DB1～DB4中的DB1(廣義為第J數(shù)據(jù)驅動塊)。另外，在存儲塊MB1的D1方向一側鄰接配置存儲塊MB2(廣義地是第J+1的存儲塊)。然后，在存儲塊MB2的D1方向一側鄰接配置數(shù)據(jù)驅動塊DB2(廣義地是第J+1的數(shù)據(jù)驅動塊)。存儲塊MB3、MB4、數(shù)據(jù)驅動塊DB3、DB4的配置也是一樣。這樣，在圖5(A)中，相對于MB1、MB2的邊界線，MB1、DB1和MB2、DB2對稱地配置，而相對于MB3、MB4的邊界線，MB3、DB3和MB4、DB4對稱地配置。此外，在圖5(A)中，雖然DB2和DB3鄰接配置，但是，不鄰接而在其間配置其它的電路塊也可以。
另一方面，圖5(B)中，對于在存儲塊MB1～MB4之中的MB1(廣義地為第J存儲塊)的D3方向一側鄰接配置數(shù)據(jù)驅動塊DB1～DB4中的DB1(第J數(shù)據(jù)驅動塊)。另外，在存儲塊MB1的D1方向一側鄰接配置DB2(第J+1的數(shù)據(jù)驅動塊)。在DB2的D1方向一側鄰接配置MB2(第J+1的存儲塊)。DB3、MB3、DB4、MB4也同樣配置。此外，雖然在圖5(B)中MB1和DB2、MB2和DB3、MB3和DB4都分別為鄰接配置，但是，不鄰接而在其間配置其它的電路塊也可以。
根據(jù)圖5(A)的配置，具有在存儲塊MB1和MB2以及MB3和MB4之間(在第J、第J+1的存儲塊之間)共用列地址譯碼器的優(yōu)點。另一方面，根據(jù)圖5(B)的配置，能夠使從數(shù)據(jù)驅動塊DB1～DB4到輸出側I/F區(qū)域12的數(shù)據(jù)信號輸出線的配線間距均勻化，具有可以提高配線效率的優(yōu)點。
本實施例的集成電路裝置10的布局并非限定于圖5(A)、(B)。例如，存儲塊和數(shù)據(jù)驅動塊的塊數(shù)量也可以是2、3或大于等于5，也可以對存儲塊和數(shù)據(jù)驅動塊不進行塊的分割而構成。而且，也可以實施存儲塊和數(shù)據(jù)驅動塊不相鄰的實施方式。而且，即使不設存儲塊、掃描驅動器塊、電源電路塊或灰階電壓發(fā)生電路塊等這樣的構成也是可以的。在電路塊CB1～CBN和輸出側I/F區(qū)域12、或者輸入側I/F區(qū)域14之間，也可以設置在D2方向上的寬度極窄的電路塊(小于等于WB的細長電路塊)。另外，電路塊CB1～CBN還可以包括不同的電路塊在D2方向多級排列的電路塊。例如，也可以把掃描驅動器電路和電源電路作為一個電路塊。
圖6(A)表示本實施例的集成電路裝置10沿D2方向的截面圖的例子。圖中W1、WB、W2分別為輸出側I/F區(qū)域12、電路塊CB1～CBN、輸入側I/F區(qū)域14在D2方向的寬度。另外，W是集成電路裝置10在D2方向的寬度。
對于本實施例，如圖6(A)所示，在D2方向上，可以不在電路塊CB1～CBN(數(shù)據(jù)驅動塊DB)和輸出側、輸入側I/F區(qū)域12、14之間夾入其它電路塊來構成。所以，就可以使W1+WB+W2≤W＜W1+2×WB+W2，能夠實現(xiàn)細長的集成電路裝置。具體地說，可以使D2方向的寬度W＜2mm，更具體的，可以使W＜1.5mm。而考慮到芯片的檢查和裝配，優(yōu)選W＞0.9mm。此外，長邊方向的長度LD則可以做到15mm＜LD＜27mm。芯片的形狀比SP＝LD/W可以做到SP＞10，更具體地說，SP＞12。
圖6(A)的寬度W1、WB、W2分別為輸出側I/F區(qū)域12、電路塊CB1～CBN、輸入側I/F區(qū)域14的晶體管形成區(qū)域(主體區(qū)域、激活區(qū)域)的寬度。亦即，在I/F區(qū)域12、14形成輸出用晶體管、輸入用晶體管、輸入/輸出用晶體管和靜電保護元件的晶體管等。另外，在電路塊CB1～CBN區(qū)域形成構成電路的晶體管。而且，以形成這類晶體管的阱和擴散區(qū)作為基準決定W1、WB、W2。例如，為了實現(xiàn)更細長的集成電路裝置，希望是在電路塊CB1～CBN的晶體管上也形成凸起(能動面凸起)。具體的，在晶體管上面(激活區(qū)域)形成以樹脂形成其芯、在樹脂的表面形成金屬層的樹脂芯凸起等。而且，該凸起(外部連接端子)通過金屬配線被連接到配置在I/F區(qū)域12、14的焊盤上。本實施例的W1、WB、W2不是這樣的突起的形成區(qū)域的寬度，而是在凸起下面形成的晶體管形成區(qū)域的寬度。
電路塊CB1～CBN各自在D2方向的寬度例如可以統(tǒng)一為同寬。此時，只要各電路塊的寬度實質上相同就可以，例如有數(shù)μm～20μm(數(shù)十μm)程度的差異是在容許范圍以內的。而且，在電路塊CB1～CBN中存在寬度不同的電路塊時，寬度WB可以是電路塊CB1～CBN的寬度中最大的寬度。此時的最大寬度可以是例如數(shù)據(jù)驅動塊的在D2方向的寬度?；蛘?，在存儲器內置的集成電路裝置的情況下，可以是存儲塊的在D2方向的寬度。此外，在電路塊CB1～CBN和I/F區(qū)域12、14之間可以設置例如寬20～30μm程度的空區(qū)域。
就本實施例而言，在輸出側I/F區(qū)域12上可以配置在D2方向的級數(shù)為一級或多級的焊盤。所以，如果考慮焊盤寬度(例如0.1μm)和焊盤間距，輸出側I/F區(qū)域12的在D2方向的寬度W1可以做到0.13mm≤W1≤0.4mm。另外，因為在輸入側I/F區(qū)域14可以配置在D2方向的級數(shù)為一級或多級的焊盤，所以輸入側I/F區(qū)域14的寬度W2就可以做到0.1mm≤W2≤0.2mm。為了實現(xiàn)細長的集成電路裝置，在電路塊CB1～CBN上需要通過公用配線形成來自邏輯電路塊的邏輯信號、來自灰階電壓發(fā)生電路塊的灰階電壓信號和電源的配線，這類配線的合計寬度例如在0.8～0.9mm的程度。因而，考慮到這些情況，電路塊CB1～CBN的寬度WB可以做到0.65≤WB≤1.2mm。
而且，即使W1＝0.4mm，W2＝0.2mm，可是因為0.65≤WB≤1.2mm，所以WB＞W(wǎng)1+W2成立。另外，在W1、WB、W2都為最小值的情況下，即W1＝0.13mm、WB＝0.65mm、W2＝0.1mm，集成電路裝置的寬度為W＝0.88mm。所以，W＝0.88mm＜2×WB＝1.3mm成立。在W1、WB、W2都為最大值的情況下，W1＝0.4mm、WB＝1.2mm、W2＝0.2mm，則集成電路裝置的寬度為W＝1.8mm的程度。所以，W＝1.8mm＜2×WB＝2.4mm成立。因此，關系式W＜2×WB成立，能夠實現(xiàn)細長的集成電路裝置。
對于圖1(A)的比較例，如圖6(B)所示，沿D2方向配置兩個以上的多個電路塊。另外，在D2方向，在電路塊之間、以及在電路塊和I/F區(qū)域之間形成有配線區(qū)域。所以，集成電路裝置500在D2方向(短邊方向)的寬度W就變寬，不能實現(xiàn)薄而細長芯片。因而，即使利用微細加工使芯片收縮，但是，如圖2(A)所示，由于D1方向(長邊方向)的長度LD縮短，輸出間距變成窄間距，所以，導致安裝困難。
針對這一技術缺陷，如圖3、圖5(A)、圖5(B)所示，在本實施例中，沿D1方向配置多個電路塊CB1～CBN。另外，如圖6(A)所示，可以把晶體管(電路元件)配置在焊盤(凸起)的下面(能動面凸起)。通過在電路塊內部配線的局部配線的上層(焊盤的下層)形成的公用配線，也可以形成電路塊之間或者電路塊和I/F區(qū)域之間等的信號線。所以，如圖2(B)所示，可以在集成電路裝置10在D1方向的長度LD維持不變的情況下使D2方向的寬度W變窄，實現(xiàn)超薄而細長芯片。結果是，能夠使輸出間距維持在例如大于等于22μm，可以容易地進行安裝。
而且，在本實施例中，由于沿D1方向配置多個電路塊CB1～CBN，故可以容易地應對產(chǎn)品規(guī)格的變更。亦即，由于可以用公共的平臺設計各種規(guī)格的產(chǎn)品，所以能夠提高設計效率。例如在圖5(A)、(B)中，在顯示面板的像素數(shù)或灰階數(shù)有增有減的情況下，只需增減存儲塊和數(shù)據(jù)驅動塊的塊數(shù)、在一個水平掃描周期中圖像數(shù)據(jù)的讀取次數(shù)等就可以對應。另外，雖然圖5(A)、(B)是存儲器內置的非晶形TFT面板用例子，但是，在開發(fā)存儲器內置的低溫多晶硅TFT面板用產(chǎn)品的情況下，只要從電路塊CB1～CBN中去掉掃描驅動器塊即可。又如，在開發(fā)存儲器非內置的產(chǎn)品的情況下，只要去掉存儲塊即可。而且，如上所述，即使根據(jù)規(guī)格去掉電路塊，在本實施例中，因為可以將對其它電路塊產(chǎn)生的影響抑制到最小，故而能夠提高設計效率。
在本實施例中，可以把各個電路塊CB1～CBN在D2方向的寬度(高度)統(tǒng)一于例如數(shù)據(jù)驅動塊和存儲塊的寬度(高度)。而且，在各個電路塊的晶體管有增減的情況下，由于可以通過增減各個電路塊在D1方向的長度來進行調整，故能夠使設計進一步高效化。例如，在圖5(A)、(B)中，在灰階電壓發(fā)生電路塊和電源電路塊的構成變更、晶體管數(shù)量增減的情況下，也可以通過增減灰階電壓發(fā)生電路塊和電源電路塊在D1方向的長度來對應。
此外，作為第二比較例，還可以考慮如下配置方法例如，在D1方向上，將數(shù)據(jù)驅動塊細長地配置，在數(shù)據(jù)驅動塊的D4方向一側，沿D1方向配置存儲塊等其他多個電路塊。但是，對于該第二比較例，由于幅度較寬的數(shù)據(jù)驅動塊夾入存儲塊等其它電路塊與輸出側I/F區(qū)域之間，所以，集成電路裝置在D2方向的寬度W變寬，難以實現(xiàn)薄而細長芯片。而且，在數(shù)據(jù)驅動塊和存儲器驅動器塊之間產(chǎn)生了多余的配線區(qū)域，就更加擴大了寬度W。在數(shù)據(jù)驅動塊或存儲塊的構成發(fā)生變化的情況下，出現(xiàn)在圖1(B)、(C)中說明的間距不一致的問題，無法提高設計效率。
作為本實施例的第三比較例，還可以考慮只對同一功能的電路塊(例如數(shù)據(jù)驅動塊)進行塊的分割、并沿D1方向排列配置的方法。但是，對于該第三比較例，由于只能使集成電路裝置具有同一的功能(例如數(shù)據(jù)驅動器功能)，故不可能實現(xiàn)多種產(chǎn)品的擴展。針對該問題，在本實施例中，電路塊CB1～CBN包括至少具有兩個不同功能的電路塊。所以，如圖4、圖5(A)、圖5(B)所示，具有能夠提供對應于各種類型顯示面板的多機種集成電路裝置的優(yōu)點。
3.電路構成圖7表示集成電路裝置10的電路構成。而且，集成電路裝置10的電路構成并不限定于圖7的示例，可以實施各種變形。存儲器20(顯示數(shù)據(jù)RAM)用于存儲圖像數(shù)據(jù)。存儲單元陣列22包括多個存儲單元，至少存儲一幀(一幅畫面)的圖像數(shù)據(jù)。此時，一個像素由例如R、G、B等三個子像素(三點)構成，各子像素例如存儲著六位(k位)的圖像數(shù)據(jù)。行地址譯碼器24(MPU/LCD行地址譯碼器)進行有關行地址的譯碼處理，并進行存儲單元陣列22的字線的選擇處理。列地址譯碼器26(MPU列地址譯碼器)則進行有關列地址的譯碼處理，并進行存儲單元陣列22的位線的選擇處理。寫/讀電路28(MPU寫/讀電路)進行把圖像數(shù)據(jù)寫入存儲單元陣列22的處理和從存儲單元陣列讀出圖像數(shù)據(jù)的處理。用例如以起始地址和結束地址為對頂點的矩形來定義存儲單元陣列22的存取區(qū)域。亦即，用起始地址的列地址及行地址和結束地址的列地址及行地址來定義存取區(qū)域，并進行存儲器的存取。
邏輯電路40(例如自動配置配線電路)生成用于控制顯示時刻的控制信號和用于控制數(shù)據(jù)處理時序的控制信號等。該邏輯電路40可以由例如門陣列(G/A)等自動配置配線形成?？刂齐娐?2生成各種控制信號，進行裝置整體的控制。具體地說，向灰階電壓發(fā)生電路110輸出灰階特性(γ特性)的調整數(shù)據(jù)(γ校正數(shù)據(jù))，并控制電源電路90的電壓生成。另外，對使用了行地址譯碼器24、列地址譯碼器26、寫/讀電路28的存儲器進行寫/讀處理的控制。顯示時刻控制電路44生成用于控制顯示時刻的各種控制信號，控制從存儲器到顯示面板側的圖像數(shù)據(jù)的讀取。主機(MPU)接口電路46對從主機的每次訪問生成內部脈沖，實現(xiàn)對存儲器進行訪問的主接口。RGB接口電路48通過點時鐘實現(xiàn)將動畫的RGB數(shù)據(jù)寫入存儲器的RGB接口。而且，也可以是只設置主接口電路46、RGB接口電路48中的任一者的構成。
在圖7中，從主接口電路46、RGB接口電路48以一個像素單位向存儲器20進行訪問。另一方面，根據(jù)與主接口電路46、RGB接口電路48獨立的內部顯示時刻，每一個行周期以行地址所指定的行單位向數(shù)據(jù)驅動器50輸送圖像數(shù)據(jù)。
數(shù)據(jù)驅動器50是用于驅動顯示面板的數(shù)據(jù)線的電路，其構成示于圖8(A)。數(shù)據(jù)鎖存電路52鎖存來自存儲器20的數(shù)字圖像數(shù)據(jù)。D/A轉換電路54(電壓選擇電路)進行鎖存于數(shù)據(jù)鎖存電路52的數(shù)字圖像數(shù)據(jù)的D/A轉換，并生成模擬的數(shù)據(jù)電壓。具體地說，接受來自灰階發(fā)生電路110的多個(例如64階)灰階電壓(基準電壓)，從這些多個灰階電壓中選擇與數(shù)字圖像數(shù)據(jù)對應的電壓，并作為數(shù)據(jù)電壓輸出。輸出電路56(驅動電路、緩沖電路)緩沖來自D/A轉換電路54的數(shù)據(jù)電壓，而后輸出至顯示面板的數(shù)據(jù)線，并驅動數(shù)據(jù)線。而且，也可以是將輸出電路56的一部分(例如運算放大器的輸出級)不包括在數(shù)據(jù)驅動器50中、而配置在其他區(qū)域的構成。
掃描驅動器70是用于驅動顯示面板的掃描線的電路，其構成例示于圖8(B)。移位寄存器72包括依次連接的多個觸發(fā)器，與移位時鐘信號SCK同步，對許可輸入輸出信號EIO進行依次移位。電平移位器76將來自移位寄存器72的信號的電壓電平轉換成用于掃描線選擇的高電壓電平。輸出電路78緩沖由電平移位器76轉換并輸出的掃描電壓，然后輸出到顯示面板的掃描線，對掃描線進行選擇驅動。掃描驅動器70也可以是如圖8(C)所示的構成。圖8(C)中，掃描地址生成電路73生成掃描地址并輸出，地址譯碼器74進行掃描地址的譯碼處理。而且，對于通過該譯碼處理而特定的掃描線，通過電平移位器器76、輸出電路78輸出掃描電壓。
電源電路90是用于生成各種電源電壓的電路，其構成示于圖9(A)。升壓電路92是使用升壓用電容、升壓用晶體管以電荷泵的方式使輸入電源電壓和內部電源電壓升壓、并生成升壓電壓的電路，可以包括1次～4次升壓電路等。通過該升壓電路92能夠生成掃描驅動器70和灰階電壓發(fā)生電路110使用的高電壓。調整電路94進行由升壓電路92生成的升壓電壓的電平調整。VCOM生成電路96生成供給顯示面板的對向電極的VCOM電壓并輸出。控制電路98用于進行電源電路90的控制，它包括各種控制寄存器等。
灰階電壓發(fā)生電路(γ校正電路)110是用于生成灰階電壓的電路，其構成示于圖9(B)。選擇用電壓生成電路112(分壓電路)根據(jù)由電源電路90生成的高電壓的電源電壓VDDH、VSSH輸出選擇用電壓VS0～VS255(廣義為R個選擇用電壓)。具體地說，選擇用電壓生成電路112包括具有串聯(lián)的多個電阻元件的梯形電阻電路。而且，將通過該梯形電阻電路將VDDH、VSSH分壓后的電壓作為選擇用電壓VS0～VS255輸出?；译A電壓選擇電路114根據(jù)通過邏輯電路40設定于調整寄存器116的灰階特性的調整數(shù)據(jù)，從選擇用電壓VS0～VS255中，例如在64階的情況下，選擇64個(廣義地是S個，R＞S)電壓，作為灰階電壓V0～V63輸出。這樣，可以生成適應于顯示面板的優(yōu)選灰階特性(γ校正特性)的灰階電壓。而且，在極性反轉驅動的情況下，也可以把正極性用的梯形電阻電路和負極性用的梯形電阻電路設置在選擇用電壓生成電路112中。另外，梯形電阻電路的各電阻元件的阻值也可以根據(jù)在調整寄存器116設定的調整數(shù)據(jù)變更。也可以是在選擇用電壓生成電路112或灰階電壓選擇電路114中設置阻抗變換電路(連接電壓輸出器的運算放大器)的構成。
圖10(A)表示包括圖8(A)的D/A轉換電路54的各DAC(Digital Analog Converter，數(shù)模轉換器)的構成例。圖10(A)的各DAC可以按每個子像素(或者每個像素)設置，并由ROM譯碼器等構成。而且，根據(jù)來自存儲器20的六位數(shù)字圖像數(shù)據(jù)D0～D5及其反轉數(shù)據(jù)XD0～XD5，選擇來自灰階電壓發(fā)生電路110的灰階電壓V0～V63中任一個，由此，將圖像數(shù)據(jù)D0～D5轉換成模擬電壓。而且，把所得的模擬電壓信號DAQ(DAQR、DAQG、DAQB)輸出到輸出電路56。
對于低溫多晶硅TFT用的顯示驅動器等，將R用、G用、B用數(shù)據(jù)信號進行多路轉換后輸送至顯示驅動器的情況下(圖10(C)的情況下)，可以用一個公共的DAC對R用、G用、B用的圖象數(shù)據(jù)進行D/A轉換。在這種情況下，圖10(A)的各個DAC按每個像素來設置。
圖10(B)示出圖8(A)的輸出電路56所含的各輸出部分SQ的構成。圖10(B)的各輸出部分SQ可以按每個像素來設置。各輸出部分SQ包括R(紅)用、G(綠)用、B(藍)用阻抗變換電路OPR、OPG、OPB(連接電壓跟隨器的運算放大器)，進行來自DAC的信號DAQR、DAQG、DAQB的阻抗變換，并將數(shù)據(jù)信號DATAR、DATAG、DATAB輸出到R、G、B用數(shù)據(jù)信號輸出線。例如在低溫多晶硅TFT面板的情況下，也可以設置如圖10(C)所示的開關元件(開關用晶體管)SWR、SWG、SWB，復用R用、G用、B用的數(shù)據(jù)信號后的數(shù)據(jù)信號DATA由阻抗變換電路OP輸出。另外，也可以在多個像素中復用數(shù)據(jù)信號。而且，還可以是不在輸出部分SQ設置圖10(B)、(C)所示的阻抗變換電路、而只設開關元件等的構成。
4.焊盤配置區(qū)域的元件配置4.1控制晶體管的配置在本實施例中，為了減小集成電路裝置在D2方向的寬度、并實現(xiàn)細長的芯片，把通常應該配置在電路塊內的元件配置在輸出側I/F區(qū)域、輸入側I/F區(qū)域等的焊盤配置區(qū)域。此時，特別是集成電路裝置的數(shù)據(jù)驅動器的占有面積較大。所以，如果把構成數(shù)據(jù)驅動器的晶體管配置在焊盤配置區(qū)域，就能期望集成電路裝置的小面積化。
但是，一般情況下，數(shù)據(jù)驅動器的輸出線的根數(shù)非常多。因此，如果將構成數(shù)據(jù)驅動器所含的運算放大器的晶體管配置在焊盤配置區(qū)域，則必須在焊盤配置區(qū)域中將多根信號線來回繞行，其配線區(qū)域的面積增加，結果是，不能縮小集成電路裝置在D2方向的寬度。
于是，本實施例采用的方法是，把構成數(shù)據(jù)驅動器的晶體管中、在數(shù)據(jù)驅動器之間以共用的控制信號控制的控制晶體管配置在焊盤配置區(qū)域。
例如，在圖11中，集成電路裝置包括用于驅動數(shù)據(jù)線DL1、DL2、DL3、DL4......的至少一個數(shù)據(jù)驅動塊DB。還包括多個控制晶體管(電位設定用晶體管)TC1、TC2、TC3、TC4......和焊盤配置區(qū)域(輸出側I/F區(qū)域)。
這里，控制晶體管TC1、TC2、TC3、TC4......的各控制晶體管與數(shù)據(jù)驅動塊DB的各輸出線QL1、QL2、QL3、QL4......對應地設置，各控制晶體管由共用的控制信號CTL控制。而且，控制晶體管可以用N型(廣義為第一導電型)晶體管，也可以用P型(廣義為第二導電型)晶體管?；蛘咭部梢允荖型晶體管和P型晶體管組合的電路，例如轉移柵晶體管。
在焊盤配置區(qū)域配置有用于電氣連接顯示面板的數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)驅動塊DB的輸出線QL1、QL2、QL3、QL4......的數(shù)據(jù)驅動器用焊盤(焊盤金屬)。而且，也可以在焊盤配置區(qū)域配置除數(shù)據(jù)驅動器用焊盤以外的焊盤，也可以配置偽焊盤?；蛘?，也可以配置后述的靜電保護元件和電源間保護電路。另外，焊盤配置區(qū)域例如是電路塊的邊(邊界、緣)和集成電路裝置的邊(例如第二、第四邊)之間的區(qū)域，例如是圖3的輸出側I/F區(qū)域12、輸入側I/F區(qū)域14。焊盤只要至少其中心位置(焊盤中心)配置在焊盤配置區(qū)域即可。
而且，本實施例如圖11所示，把控制晶體管TC1、TC2、TC3......配置在焊盤配置區(qū)域。亦即，并不在焊盤配置區(qū)域配置構成數(shù)據(jù)驅動器的運算放大器的差動部分和驅動部分的晶體管，而在焊盤配置區(qū)域配置圖11所示的控制晶體管TC1、TC2、TC3......。
例如構成運算放大器的驅動部分的輸出晶體管通過在其柵極輸入各數(shù)據(jù)驅動器(子像素驅動單元)不同的輸入信號來控制。所以，如果把這樣的輸出晶體管配置在焊盤配置區(qū)域時，存在著這類輸入信號的配線區(qū)域使集成電路裝置在D2方向的寬度增加的可能性。
這一點，控制晶體管TC1、TC2、TC3......不是通過各數(shù)據(jù)驅動器不同的信號、而是通過數(shù)據(jù)驅動器間共用的控制信號CTL來控制。所以，即使將控制晶體管TC1、TC2、TC3......配置在焊盤配置區(qū)域，配線區(qū)域的面積也不會增加多少，故而能夠縮小集成電路裝置在D2方向的寬度。
圖12示出數(shù)據(jù)驅動器(子像素驅動器單元)的輸出部SSQ1、SSQ2的電路構成例。與焊盤P1對應設置的輸出部SSQ1包括運算放大器OP1、開關電路SWA1、SWB1、N型晶體管TDN1和P型晶體管TDP1。而且，因為輸出部SSQ2的構成和輸出部SSQ1大致相同，詳細的說明予以省略。
運算放大器OP1用于對輸出到數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號進行阻抗變換。亦即，對來自前級D/A轉換器DAC1的輸出信號進行阻抗變換，而后把數(shù)據(jù)信號輸出到數(shù)據(jù)線，并驅動數(shù)據(jù)線。
開關電路SWA1串聯(lián)插入于連接輸出部SSQ1的輸出線QL1的焊盤P1和運算放大器OP1之間。開關電路SWB1則串聯(lián)插入于焊盤P1和運算放大器OP1的輸入(DAC1的輸出)之間。這些開關電路SWA1、SWB1可以由N型晶體管、P型晶體管組合的轉移柵構成。而且，這些開關電路SWA1、SWB1根據(jù)來自邏輯電路塊的許可信號實現(xiàn)通斷控制。具體地講，在一水平掃描期間的最初的第一期間，開關電路SWA1變?yōu)镺N(導通)狀態(tài)，開關電路SWB1變?yōu)镺FF(非導通)狀態(tài)。由此，在第一期間數(shù)據(jù)線由運算放大器OP1驅動。另一方面，繼第一期間之后的第二期間，開關電路SWA1變?yōu)镺FF狀態(tài)，開關電路SWB1變?yōu)镺N狀態(tài)，DAC1的輸出直接作為數(shù)據(jù)信號輸出至數(shù)據(jù)線。而且，在第二期間，運算放大器OP1的工作電流被斷開或者受到限制。這樣一來，運算放大器OP1的工作時間縮短，實現(xiàn)低功耗。
晶體管TDN1、TDP1是8色顯示模式用晶體管。對于8色顯示模式，晶體管TDN1、TDP1的柵極通過控制信號BEN1、XBEN1控制。具體地說，是通過根據(jù)圖像數(shù)據(jù)的最上位位的數(shù)據(jù)生成的信號EN1、XBEN1控制。另一方面，對于通常的工作模式，控制信號BEN1、XBEN1分別為L電平和H電平，晶體管TDN1和TDP1的漏極處于高阻抗狀態(tài)。
控制晶體管TC1是放電用晶體管。亦即，在共用控制信號(放電信號)CTL1成為激活的情況下，將輸出部SSQ1(數(shù)據(jù)驅動塊)的輸出線設定為VSS(接地電位)，連接于焊盤P1的數(shù)據(jù)線(顯示面板)的電荷向VSS側放電。在該控制晶體管的柵極輸入共用控制信號(放電信號)CTL1，輸出部SSQ1(數(shù)據(jù)驅動塊)的輸出線QL1連接于控制晶體管TC1的漏極。
放電用的控制信號CTL1可以根據(jù)初始化信號(復位信號)和來自包括在數(shù)據(jù)驅動器內的電壓電平下降檢測電路的檢測信號生成。亦即，在高電位側的電源電壓下降到規(guī)定閾值以下時、或者初始化信號成為激活時，控制信號CTL1變成激活。由此，連接于焊盤P1的數(shù)據(jù)線的電荷放電。其結果是，能夠防止當因為初始化處理時或者取出內置的電池等造成的意外電源電壓下降時，由于數(shù)據(jù)線的殘余電荷而使顯示面板燒毀的情況發(fā)生。
圖12所示，本實施例如把控制晶體管TC1、TC2配置在焊盤配置區(qū)域。具體的，在平面視圖中，控制晶體管TC1、TC2其至少一部分(一部分或全部)，為了與焊盤(焊盤金屬)P1、P2重疊而配置在焊盤P1、P2的下層(下方)。換言之，焊盤P1、P2(數(shù)據(jù)驅動器用焊盤)配置在控制晶體管TC1、TC2的一部分或全部的上層，從平面視圖看相重疊。
如果把晶體管配置在焊盤的下層，連接接合線或者裝配凸起時，由于施加在焊盤上的應力，可能導致晶體管的閾值電壓變動。另外，晶體管的層間膜的電容與設計時的電容相比也有變動的可能。因此，有可能發(fā)生晶片上的晶體管的特性和裝配時的特性不同的問題。所以，就像作為構成運算放大器OP1、OP2的差動部分(差動級)和驅動部分(驅動級)的模擬電路的晶體管那樣，用來輸出模擬電壓的晶體管并不配置在焊盤的下層，而是配置在驅動器塊內部。
另一方面，像控制晶體管TC1、TC2那樣，對于作為數(shù)字開關而發(fā)揮作用并輸出數(shù)字電壓的晶體管，則配置在焊盤的下層。于是，能夠避免上述不適當情況的發(fā)生，同時能夠減少集成電路裝置的布局面積，并且，可以進一步縮小集成電路裝置在D2方向的寬度。例如，由于數(shù)據(jù)驅動器的輸出線根數(shù)非常多，因而面積減少的效果就明顯。
再則，構成運算放大器OP1、OP2的驅動部的晶體管的柵極用SSQ1、SSQ2通過另外的控制信號來控制。所以，如果將這些晶體管配置在焊盤配置區(qū)域，就需要在焊盤配置區(qū)域配置與數(shù)據(jù)線根數(shù)相同的多個柵極控制信號，配線區(qū)域的面積增加。
針對這一點，圖12的控制晶體管TC1、TC2用共用控制信號CTL1來控制。所以，在把控制晶體管TC1、TC2配置在焊盤配置區(qū)域的情況下，只要在焊盤配置區(qū)域配置公用信號線即可。另外，輸出線QL1、QL2通過連接線連接于焊盤P1、P2，因此，只要在連接線的下方配置控制晶體管TC1、TC2，并把TC1、TC2的漏極連接于連接線，配線區(qū)域的面積就幾乎不增加。所以，由配置控制晶體管TC1、TC2而導致的配線區(qū)域的面積增加達到最小限。
在圖13中，對應于焊盤P1，設有構成轉移柵的N型控制晶體管TCN1和P型控制晶體管TCP1。對應于焊盤P2，設有構成轉移柵的N型控制晶體管TCN2和P型控制晶體管TCP2。晶體管TCN1及TCP1的漏極、TCN2及TCP2的漏極分別連接于輸出線QL1、QL2。在TCN1及TCP1的源極、TCN2及TCP2的源極上分別供給給定的公共電位VCM。這里的公共電位VCM例如是提供給顯示面板的對向電極的公用電位。所以，當共用控制信號CTL2、XCTL2處于激活狀態(tài)時，將數(shù)據(jù)驅動塊的輸出線QL1、QL2設定為公共電位VCM。
在本實施例中，這樣的控制晶體管TCN1、TCP1、TCN2、TCP2也配置在焊盤配置區(qū)域。具體地說，控制晶體管TCN1、TCP1、TCN2、TCP2配置在焊盤P1、P2(焊盤金屬)的下層(下方)，使其至少一部分與焊盤P1、P2重疊。另外，控制晶體管TC1、TC2、TCN1、TCP1、TCN2、TCP2的一部分也可以不配置在焊盤的下面?；蛘?，可以實施如下變形，把構成輸出部SSQ1、SSQ2的其他晶體管配置在焊盤配置區(qū)域。
在圖14中，對應于焊盤P1設有第一靜電保護元件ESD1，對應于焊盤P2設有第二靜電保護元件ESD2。這里，第一靜電保護元件ESD1包括設于高電位側電源(VDD2)和數(shù)據(jù)驅動塊的輸出線QL1之間的第一二極管DI1、以及設于低電位側電源(VSS)和輸出線QL1之間的第二二極管DI2。另外，第二靜電保護元件ESD2包括設于高電位側電源和數(shù)據(jù)驅動塊的輸出線QL2之間的第三二極管DI3、以及設于低電位側電源和輸出線QL2之間的第四二極管DI4。這些二極管DI1～DI4既可以是在擴散區(qū)和阱的邊界形成的齊納二極管，也可以是通過將晶體管的源極和柵極連接起來構成的GCD晶體管的二極管。
本實施例中，這樣的靜電保護元件ESD1、ESD2配置在焊盤配置區(qū)域。具體地說，靜電保護元件ESD1、ESD2其至少一部分配置在焊盤P1、P2的下層，使其與焊盤P1、P2重疊。這樣做，就可以使集成電路裝置在D2方向的寬度進一步縮小。
4.2焊盤配置區(qū)域的布局焊盤配置區(qū)域的布局示于圖15。另外，設在電源VDD2(VDDHS)和VSS之間的靜電保護元件等的例子示于圖16(A)。圖16(A)中，在連接于焊盤P1(P2)的輸出線QL1(QL2)和電源VDD2之間設有二極管DI1(DI3)。在輸出線QL1(QL2)和電源VSS之間設有二極管DI2(DI4)。如果設置這些二極管DI1、DI2，即使對焊盤P1施加了靜電電壓的情況下，也能夠使電荷逃逸到VDD2側或者VSS側，從而能夠保護晶體管TRQ1、TRQ2(例如運算放大器驅動部的輸出晶體管)不受靜電的影響。
圖16(A)至，在高電位側電源VDD2和低電位側電源VSS之間設有電源間保護電路210。如果在VDD2、VSS之間施加高于給定電壓的電壓的情況下，該電源間保護電路210作為把電壓箝制在一定電壓值的電壓鉗位電路而發(fā)揮作用。作為該電源間保護電路210，可以使用SCR(可控硅整流器)、雙極晶體管或者反向串聯(lián)的多個二極管等。
圖16(B)中表示圖15的焊盤P1、P2與構成靜電保護元件ESD1、ESD2的二極管DI1～DI4以及控制晶體管TC1、TC2、TCN1、TCP1、TCN2、TCP2的連接關系。如圖16(B)所示，構成靜電保護元件ESD1的二極管DI1、DI2和控制晶體管TC1、TCN1、TCP1連接于焊盤P1。而構成靜電保護元件ESD2的二極管DI3、DI4和控制晶體管TC2、TCN2、TCP2連接于焊盤P2。另外，二極管DI1、DI3形成于第一阱，二極管DI2、DI4則形成于與第一阱分離形成的第二阱。
在圖15中，顯示面板的數(shù)據(jù)線(輸出線)并列的方向作為D1方向，與D1方向垂直的方向為D2方向。而且，如圖15所示，圖14所說明的控制晶體管TC1、TC2、TCN1、TCP1、TCN2、TCP2(以下簡稱TC1～TCP2)沿數(shù)據(jù)驅動塊的D2方向配置。而且，靜電保護元件ESD1(二極管DI1、DI2)、ESD2(二極管DI3、DI4)則配置在控制晶體管TC1～TCP2的D2方向側。亦即，控制晶體管TC1～TCP2配置在數(shù)據(jù)驅動塊和靜電保護元件ESD1、ESD2之間。另外，在圖15中，這些控制晶體管TC1～TCP2、靜電保護元件ESD1、ESD2配置在焊盤P1、P2的下層(下面)，使其一部分從平面視圖看與焊盤P1、P2重疊。
根據(jù)這種配置，因為控制晶體管TC1～TCP2被配置在接近于數(shù)據(jù)驅動塊的地方，故可以使數(shù)據(jù)驅動塊的輸出線以短路徑連接于控制晶體管TC1～TCP2，并能夠提高布局效率和配線效率。另外，根據(jù)這種配置，靜定保護元件ESD1、ESD2配置在比控制晶體管TC1～TCP2更接近焊盤P1、P2的區(qū)域。所以，當在焊盤P1、P2上施加靜電電壓的情況下，靜電通過靜電保護元件ESD1、ESD2放電之后，要延遲一段時間后施加于控制晶體管TC1～TCP2。由此，可以防止控制晶體管TC1～TCP2被靜電擊穿。
這種情況下，也有通過增加控制晶體管TC1～TCP2的漏極的面積來提高靜電耐壓的方法，不過，采用這種方法時，焊盤配置區(qū)域D2方向的寬度增大，集成電裝置D2方向的寬度也將增加。
這一點，根據(jù)圖15的配置，控制晶體管TC1～TCP2的漏極面積即使并不增加太多，也能夠提高靜電耐壓，因而可以進一步減小集成電路裝置D2方向的寬度。
在圖15中，焊盤配置區(qū)域包括沿D1方向排列的多個配置范圍AR1、AR2、AR3...。而且，在配置范圍AR1(各配置范圍)中配置有沿D2方向排列的兩個(廣義為K個，K為大于等于2的整數(shù))數(shù)據(jù)驅動器用焊盤P1、P2(焊盤的中心位置)。另外，還配置分別接于焊盤P1、P2的兩個(K個)靜電保護元件ESD1、ESD2。而且，還配置有控制晶體管TC1～TCP2。
在圖15中，在各配置范圍中，交錯配置兩個焊盤是。例如，沿D2方向排列的焊盤P1、P2沿D1方向其中心位置錯開配置。亦即，以D1方向作為X軸時，焊盤P1和P2的X坐標不同。
如果這樣錯位配置焊盤P1、P2，就能沿D1方向配置多個焊盤，并且，可以把來自數(shù)據(jù)驅動塊的多個數(shù)據(jù)信號經(jīng)過焊盤輸出至數(shù)據(jù)線。
如果通過這樣錯位配置焊盤P1、P2而使焊盤間距減小時，配置范圍AR1在D1方向的寬度變窄。在這一點上，就圖15而言，把多個焊盤P1、P2作為一組，并形成配置范圍AR1。所以，可以確保配置范圍AR1在D1方向寬度為一定程度的大小。由此，就能在該配置范圍AR1中配置靜電保護元件ESD1、ESD2、控制晶體管TC1～TCP2。
而且，圖15中，配置在配置范圍AR1的兩個(K個)靜電保護元件中的第一靜電保護元件ESD1包括第一、第二二極管DI1、DI2，第二靜電保護元件ESD2包括第三、第四二極管DI3、DI4。而且，這些二極管DI1、DI2、DI3、DI4在配置范圍AR1中沿D2方向配置。如果這樣沿D2方向堆積配置把二極管DI1～DI4，就可以縮小配置范圍AR1在D1方向的寬度。
亦即，作為比較例的方法，也可考慮沿D1方向堆積配置二極管DI1、DI2、在其上側沿D1方向堆積配置DI3、DI4的方法。但是，如果使用這種方法，由于沿D1方向配置二極管的同時，沿D1方向排列形成有P型阱區(qū)域和N型阱區(qū)域，所以，將擴大配置范圍AR1在D1方向的寬度。
這一點，在圖15中，沿D2方向堆積配置二極管DI1～DI4的同時，沿D2方向還要形成P型阱區(qū)域和N型阱區(qū)域。即在D2方向分離形成形成二極管DI1、DI3的第一阱區(qū)域(N型)和形成二極管DI2、DI4的第二阱區(qū)域(P型)。所以，可以縮小配置范圍AR1在D1方向的寬度，可以與狹窄的焊盤間距相對應。
圖17(A)為圖15的二極管DI1的沿A-B線的截面的示意圖。如同圖所示，二極管DI1由連接在焊盤P1的P+擴散區(qū)域和連接在電源VDD2(MV電源)的N+擴散區(qū)域、或者N型阱的結合面形成。
圖17(B)為圖15的二極管DI2的沿C-D線的截面的示意圖。如同圖所示，二極管DI2是連接在電源VSS的P+擴散區(qū)域或者P型阱和連接在焊盤P1的N+擴散區(qū)域的結合面形成。此外，如圖17(A)、圖17(B)所示，基板PSUB連接于負極性的高電位電源(VEE)。而且，在基板PSUB上形成低濃度的N型阱(深層阱)，在該低濃度的N型阱上形成高濃度N型阱或者P型阱。
如圖15所示，二極管DI1～DI4具有其長邊沿D1方向、其短邊沿D2方向的擴散區(qū)域(P+、N+)。如果將二極管DI1～DI4的擴散區(qū)域按其長邊沿D1方向形成橫長的形狀，則可以降低配線阻抗。亦即，靜電保護元件ESD1、ESD2和焊盤P1、P2通過用粗鋁線連接可以降低其配線阻抗。而且，為了用粗鋁線連接靜電保護元件ESD1、ESD2和焊盤P1、P2，使二極管DI1～DI4的擴散區(qū)域形成橫長形狀最合適。
圖15中，把設置于高電位電源和低電位電源之間的電源間保護電路210配置在靜電保護元件ESD1、ESD2的D2方向側。亦即，電源間保護電路210因為需要在施加高電壓時即刻箝制電壓、并保護電路內的晶體管，故其電路規(guī)模大的情況為多。另一方面，電源間保護電路210不必像靜電保護元件ESD1、ESD2那樣，與數(shù)據(jù)驅動器的各輸出焊盤一對一地設置。
所以，在圖15中，在靜電保護元件ESD1、ESD2的D2方向一側，沿集成電路裝置的外周形成電源間保護電路210。這樣一來，可以有效地利用焊盤下層的區(qū)域，形成分別按多個焊盤配置的多個電源間保護電路210。所以，可以將集成電路裝置的面積控制在最小限度，同時可以提高靜電耐壓。
4.3驅動器宏單元本實施例的集成電路裝置包括如圖18(A)所示的將多個電路塊進行宏單元化(宏化、宏模塊化)的、至少一個驅動器宏單元(驅動器宏塊)。這種驅動器宏單元成為例如其配線及電路單元配置被固定化的硬宏。具體地說，例如，配線和電路單元配置通過手工操作進行布局。此外，也可以使配線、配置的一部分自動化。
圖18(A)的驅動器宏單元包括用于驅動數(shù)據(jù)線(源線)的數(shù)據(jù)驅動塊DB、以及用于存儲圖像數(shù)據(jù)的存儲塊MB。另外，還包括配置有多個焊盤的焊盤塊PDB，其中，多個焊盤用于電氣連接數(shù)據(jù)驅動塊DB的輸出線和顯示面板的數(shù)據(jù)線。在該焊盤塊PDB上包括沿D2方向錯位配置的兩行(廣義為多行)焊盤列，在各焊盤列中沿D1方向配列著焊盤(焊盤金屬)。另外，前述的控制晶體管、靜電保護元件和電源間保護電路等可以配置在該焊盤塊PDB內。
而且，在圖18(A)中，數(shù)據(jù)驅動塊DB和存儲塊MB沿D1方向配置，焊盤塊PDB配置在數(shù)據(jù)驅動塊DB及存儲塊MB的D2方向側。具體地，數(shù)據(jù)驅動塊DB和存儲塊MB沿D1方向鄰接，數(shù)據(jù)驅動塊DB及存儲塊MB又和焊盤塊PDB沿D2方向鄰接。而且，可以實施數(shù)據(jù)驅動塊DB和存儲塊MB之間設置其它附加電路的變形、不使存儲塊MB包括在驅動器宏單元內的變形。
一般情況下，連接數(shù)據(jù)驅動器輸出線的焊盤的數(shù)目非常多。所以，當用自動配線工具把數(shù)據(jù)驅動器的輸出線連接于數(shù)據(jù)驅動器用焊盤時，輸出線的配線區(qū)域將增大，D2方向的集成電路裝置的寬度變寬，就難以實現(xiàn)薄而細長芯片。
對于這一點，在圖18(A)中，數(shù)據(jù)驅動塊DB和焊盤塊PDB作為宏單元被一體化。因此，例如，將通過手工布局高效地在焊盤上對數(shù)據(jù)驅動器的輸出線進行配線并完成的方法作為驅動器宏單元并可以登錄使用。所以，與利用自動配線工具進行數(shù)據(jù)驅動器輸出線的配線的方法相比，可以減小輸出線的配線區(qū)域。其結果是，可以縮小D2方向的集成電路裝置的寬度，并能夠實現(xiàn)薄而細長芯片。
而且，如果如圖18(A)那樣進行宏單元化，只要沿D1方向排列配置驅動器宏單元，就能實現(xiàn)如圖5(A)、圖5(B)所示布局的集成電路裝置，因而可以使電路設計和布局作業(yè)高效化。例如，即使在顯示面板的像素的規(guī)格變化的情況下，只要變更所配置的驅動器宏單元的個數(shù)就能夠與之對應，而數(shù)據(jù)驅動器的輸出線不必重新配線，故可提高工作效率。
而且，在圖18(A)中，不僅僅是數(shù)據(jù)驅動塊DB的D2方向側的區(qū)域，存儲塊MB的沿D2方向側的區(qū)域也可以作為焊盤配置區(qū)域有效地利用。亦即，也可以把焊盤配置在存儲塊MB的D2方向側的空區(qū)域。因此，對于寬度WPB的焊盤塊PDB，可以無浪費地配置焊盤，提高布局的效率。
而且，例如圖1(A)的比較例，存儲塊MB和數(shù)據(jù)驅動塊DB與信號流一致地沿短邊方向的D2方向配置，故而難以實現(xiàn)薄而細長芯片。另外，通過顯示面板的像素數(shù)、顯示驅動器的規(guī)格、存儲單元的構成等變化或存儲塊MB和數(shù)據(jù)驅動塊DB的D2方向的寬度或者D1方向的長度改變時，其影響也會波及其它電路塊，設計就無效率可言。
針對這一點，在圖18(A)中，數(shù)據(jù)驅動塊DB和存儲塊MB沿D1方向鄰接配置，因此，可以縮小D2方向的集成電路裝置的寬度，同時提高設計效率。
而且，對于圖1(A)的比較例，由于字線WL沿長邊方向即D1方向配置，故而字線WL的信號延遲變大，圖像數(shù)據(jù)的讀取速度變慢。特別是，因為連接于存儲單元的字線WL是由多晶硅形成的，所以這一信號延遲的問題比較嚴重。
針對該問題，圖18(A)中，可以在存儲塊MB內沿短邊方向即D2方向配置字線WL，可以沿長邊方向即D1方向配置位線BL。另外，本實施例D2方向的集成電路裝置的寬度W較短。所以，可以使存儲塊MB內的字線WL的長度較短，縮小WL的信號延遲。另外，在圖1(A)的比較例中，當由主機訪問存儲器的一部分存取區(qū)域時，由于選擇了D1方向長度長、寄生電容大的字線WL，所以電力消費大。針對這一點，在圖18(A)中，當主機存取時，因為可以只選擇對應于存取區(qū)域的存儲塊的字線WL，所以，能夠實現(xiàn)低功耗。
4.4驅動器宏單元的寬度圖18(A)、圖18(B)中，把數(shù)據(jù)驅動塊DB、存儲塊MB、焊盤塊PDB的D1方向的寬度分別表示為WDB、WMB、WPB的情況下，例如也可以使WDB+WMB≤WPB的關系式成立。
亦即，在圖18(A)中，焊盤塊PDB的D1方向的寬度WPB與數(shù)據(jù)驅動塊DB的寬度WDB加存儲塊MB的寬度WMB之和幾乎相等，例如WDB+WMB＝WPB。另一方面，在圖18(B)中，配置作為附加電路的轉發(fā)器塊RP。該轉發(fā)器塊RP是包括緩沖器的電路塊，該緩沖器把送往存儲塊MB的至少寫入數(shù)據(jù)(或者地址信號、存儲器控制信號)暫存起來，再輸出至存儲塊MB。而且，在圖18(B)的情況下，WDB+WMB＜WPB。
如果這樣的關系式WDB+WMB≤WPB成立，當多個驅動器宏單元沿D1方向排列配置后，在相鄰的焊盤之間不產(chǎn)生多余的空區(qū)域、且多個焊盤塊沿D1方向排列。所以，數(shù)據(jù)驅動器用焊盤也在D1方向無浪費地排列，從而可以縮小集成電路裝置的D1方向的寬度。
另外，如果WDB+WMB≤WPB的關系式成立，則可以配置如圖18(B)所示的附加電路即轉發(fā)器塊RP，并能提高布局的效率。亦即，由于焊盤間距的限制，在焊盤塊PDB的寬度WPB變大、存儲塊MB、數(shù)據(jù)驅動塊DB的附近出現(xiàn)空區(qū)域的情況下，可以在該空區(qū)域里配置附加的電路。而且，在該空區(qū)域配置的附加電路并不限于轉發(fā)器塊RP。例如，也可以配置灰階電壓發(fā)生電路的一部分、將數(shù)據(jù)驅動器輸出線設定為規(guī)定電壓的電路、靜電保護電路等附加電路。
圖19(A)表示在焊盤塊PDB中的焊盤(焊盤金屬)的配置示例。在圖19(A)中，沿D1方向排列的第一行的焊盤列和沿D1方向排列的第二行焊盤列沿D2方向堆積且錯位配置。亦即，如果把D1方向作為X軸、D2方向作為Y軸，則交錯配置第一行的焊盤的中心位置的X坐標和第二行的焊盤的中心位置的X坐標。而且，在圖19(A)中，焊盤在D1方向的間距PP是焊盤的中心位置的X坐標的差。例如，焊盤Pn和Pn+1的中心位置的X坐標的差為焊盤間距PP(比如20～22μm)。
在圖19(B)中，附加電路塊即轉發(fā)器塊RP的D1方向的寬度為WAB，焊盤塊PDB中焊盤的個數(shù)為NP。于是，例如(NP-1)×PP＜WDB+WMB+WAB＜(NP+1)的關系式成立。
如果上述關系式成立，則在多個驅動器宏單元沿D1排列配置時，為了不產(chǎn)生多余的空區(qū)域，多個焊盤塊沿D1方向排列，可以沿D1方向以均勻的焊盤間距配置焊盤。而且，如果以均勻的焊盤間距排列焊盤，用凸起等在玻璃基板上安裝集成電路裝置時，對焊盤配置區(qū)域施加均勻的應力，從而可以防止接觸不良。另外，如果焊盤之間產(chǎn)生空區(qū)域，因為該空區(qū)域導致ACF等各向異性導電材料的連接材料的流動發(fā)生變化，就有可能導致連接不良的情況發(fā)生，但是，如果以均勻的焊盤間距排列配置焊盤，則能夠防止這樣的情況發(fā)生。而且，也可以使WDB+WMB+WAB≤NP×PP的關系式成立。這樣一來，可以使D1方向的焊盤間距更加均勻，以實現(xiàn)應力的更加均勻。
而且，在不配置轉發(fā)器塊RP那樣的附加電路的情況下，可以使WAB＝0。另外，也可以在焊盤塊PDB中配置數(shù)據(jù)驅動器用焊盤以外的偽焊盤(凸起、未接連接合線的焊盤等)，這種情況下，可以把數(shù)據(jù)驅動器用焊盤和偽焊盤的數(shù)目合起來作為焊盤的個數(shù)NP。
5.數(shù)據(jù)驅動塊、存儲塊的詳細說明5.1塊分割如圖20(A)所示，顯示面板是垂直掃描方向(數(shù)據(jù)線方向)的像素數(shù)VPN＝320、水平掃描方向(掃描線方向)的像素數(shù)HPN＝240的QVGA面板。另外，一個像素份的圖像(顯示)數(shù)據(jù)的位數(shù)PDB的R、G、B各為6位，且PDB＝18位。在此情況下，顯示面板的一幀顯示所需要的圖像數(shù)據(jù)的位數(shù)VPN×HPN×PDB＝320×240×18位。所以，集成電路裝置的存儲器至少需要存儲320×240×18位的圖像數(shù)據(jù)。而且，數(shù)據(jù)驅動器向顯示面板輸出每一個水平掃描周期(一根掃描線掃描的時間)HPN＝240根數(shù)據(jù)信號(對應于240×18位的圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)信號)。
而且，在圖20(B)中，數(shù)據(jù)驅動器被分割成DBN＝4個數(shù)據(jù)驅動塊DB1～DB4。而存儲器也被分割成MBN＝DBN＝4個存儲塊MB1～MB4。亦即，例如把數(shù)據(jù)驅動塊、存儲塊、焊盤塊進行宏單元化的四個驅動器宏單元DMC1、DMC2、DMC3、DMC4沿D1方向配置。所以，各驅動器塊DB1～DB4在每一個水平掃描周期向顯示面板輸出HPN/DBN＝240/4＝60根數(shù)據(jù)信號。另外，各存儲塊MB1～MB4存儲(VPN×HPN×PDB)/MBN＝(320×240×18)/4位的圖像數(shù)據(jù)。
5.2水平掃描期間的多次讀取在圖20(B)中，各數(shù)據(jù)驅動塊DB1～DB4在一個水平掃描期間輸出60根(如果R、G、B個為3根，則60×3＝180根)的數(shù)據(jù)信號。所以，每一個水平掃描期間，必須從對應于DB1～DB4的存儲塊MB1～MB4讀取240根對應于數(shù)據(jù)信號的圖像數(shù)據(jù)。
然而，如果每一個水平掃描期間讀取的圖像數(shù)據(jù)的位數(shù)增加，就會發(fā)生需要增加D2方向上排列的存儲單元(讀出放大器)個數(shù)。其結果是，集成電路裝置D2方向的寬度W增大，防礙使芯片瘦長。另外，帶來字線WL變長、WL的信號延遲的問題。
于是，在本實施例中，采用如下方法在一個水平掃描期間，從各存儲塊MB1～MB4多次(RN次)將存儲在各存儲塊MB1～MB4中的圖像數(shù)據(jù)讀取到數(shù)據(jù)驅動塊DB1～DB4。
例如，在圖21中，如A1、A2所示，在一個水平掃描期間，只在RN＝2，存儲器存取信號MACS(字選擇信號)為激活(高電平)。由此，在一個水平掃描期間，RN＝2次從各存儲塊向各數(shù)據(jù)驅動塊讀取圖像數(shù)據(jù)。這樣，設置于數(shù)據(jù)驅動塊內的圖22的第一、第二數(shù)據(jù)驅動器DRa、DRb所含的數(shù)據(jù)鎖存電路根據(jù)A3、A4所示的鎖存信號LATa、LATb鎖存讀取的圖像數(shù)據(jù)。而且，第一、第二數(shù)據(jù)驅動器DRa、DRb所含的D/A轉換電路則進行被鎖存的圖像數(shù)據(jù)的D/A轉換，DRa、DRb所含的輸出電路把通過D/A轉換所得的數(shù)據(jù)信號DATAa、DATAb如A5、A6所示輸出至數(shù)據(jù)信號輸出線。之后，如A7所示，輸入到顯示面板的各像素的TFT的柵極的掃描信號SCSEL為激活，數(shù)據(jù)信號被輸入至各像素，并予以保持。
而且，在圖21中，在第一個水平掃描期間，兩次讀取圖像數(shù)據(jù)，在同一個第一水平掃描期間，把數(shù)據(jù)信號DATAa、DATAb輸出至數(shù)據(jù)信號輸出線。但是，也可以是，在第一水平期間兩次讀取數(shù)據(jù)信號DATAa、DATAb并進行鎖存，在接下來的第二水平期間，把對應被鎖存的圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)信號DATAa、DATAb輸出至數(shù)據(jù)信號輸出線。另外，圖21中表示讀取次數(shù)RN＝2的情況，但是，也可以是RN≥3。
根據(jù)圖21的方法，如圖22所示，從各存儲塊讀取對應于30根的數(shù)據(jù)信號的圖像數(shù)據(jù)，各數(shù)據(jù)驅動器DRa、DRb則輸出30根的數(shù)據(jù)信號。由此，從各數(shù)據(jù)驅動塊輸出60根的數(shù)據(jù)信號。如此，在圖21中，如果通過一次讀取而從各存儲器讀取對應于30根的數(shù)據(jù)信號的圖像數(shù)據(jù)即可。所以，相比在一個水平掃描期間只讀取一次的方法，可以減少圖22的D2方向的存儲單元、讀出放大器的個數(shù)。其結果是，可以減小集成電路裝置D2方向的寬度，可以實現(xiàn)超薄而細長芯片。特別是，一個水平掃描期間的長度在QVGA的情況下是52μsec的水平。另一方面，存儲器的讀出時間例如是40nsec的水平，與52μsec相比非常短。所以，即使在一個水平掃描期間的讀取次數(shù)從1次增加到多次，對于顯示特性并無多大的影響。
而且，圖20(A)是QVGA(320×240)的顯示面板，如果使一個水平掃描期間的讀取次數(shù)RN＝4，也可以適應于VGA(640×480)顯示面板，從而可以增加設計的自由度。
而且，也可以用第一方法實現(xiàn)一個水平掃描期間多次讀取，即通過行地址譯碼器(字線選擇電路)在一個水平掃描期間對各存儲塊內的不同的多根字線進行選擇；也可以用第二方法實現(xiàn)一個水平掃描期間多次讀取，即通過行地址譯碼器在一個水平掃描期間對各存儲塊內的相同的字線進行多次選擇；或者，也可以通過第一、第二方法的組合來實現(xiàn)。
5.3數(shù)據(jù)驅動器、驅動單元的配置數(shù)據(jù)驅動器和數(shù)據(jù)驅動器所含驅動單元的配置舉例示于圖22。如圖22所示，數(shù)據(jù)驅動塊包括在D1方向堆積的多個數(shù)據(jù)驅動器DRa、DRb(第一～第m個數(shù)據(jù)驅動器)。另外，各個數(shù)據(jù)驅動器DRa、DRb又包括多個30(廣義地為Q個)個驅動單元DRC1～DRC30。
在存儲塊字線WL1a被選出、且如圖21的A1所示從存儲塊讀取第一次圖像數(shù)據(jù)時，第一數(shù)據(jù)驅動器DRa根據(jù)A3所示的鎖存信號LATa，鎖存讀出的圖像數(shù)據(jù)。而且，進行被鎖存圖像數(shù)據(jù)的D/A轉換，并把對應于第一次讀取的圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)信號DATAa如A5所示的那樣輸出至數(shù)據(jù)信號輸出線。
另一方面，在存儲塊字線WL1b被選出、且如圖21的A2所示從存儲塊讀取第二次的圖像數(shù)據(jù)時，第二數(shù)據(jù)驅動器DRb根據(jù)A4所示的鎖存信號LATa，鎖存讀出的圖像數(shù)據(jù)。而且，進行被鎖存圖像數(shù)據(jù)的D/A轉換，并把對應于第二次讀取的圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)信號DATAb如A6所示的那樣輸出至數(shù)據(jù)信號輸出線。
如上所述，各數(shù)據(jù)驅動器DRa、DRb輸出對應30個像素的30根的數(shù)據(jù)信號，總共輸出對應于60個像素的60根的數(shù)據(jù)信號。
如圖22那樣，如果沿D1方向配置(堆積)多個數(shù)據(jù)驅動器DRa、DRb，則可以防止由于數(shù)據(jù)驅動器規(guī)模的大小而導致使集成電路裝置D2方向的寬度W擴大的情況。另外，數(shù)據(jù)驅動器根據(jù)顯示面板的類型采用各種構成。在這樣的情況下，只要根據(jù)把多個數(shù)據(jù)驅動器沿D1方向配置的方法，就可以高效率地布置各種構成的數(shù)據(jù)驅動器。而且，在圖22中，示出D1方向的數(shù)據(jù)驅動器的配置數(shù)是兩個的情況，但是，配置數(shù)可以大于等于3。
而且，圖22中各個數(shù)據(jù)驅動器DRa、DRb包括沿D2方向排列配置的30個(Q個)驅動單元DRC1～DRC30。這里，驅動單元DRC1～DRC30分別接收一個像素的圖像數(shù)據(jù)。而且，進行一個像素的圖像數(shù)據(jù)的D/A轉換，輸出對應一個像素圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)信號。這種驅動單元DRC1～DRC30的各單元可以包括數(shù)據(jù)的鎖存電路、圖10(A)的DAC(1像素的DAC)、圖10(B)和圖10(C)的輸出部分SQ。
而且，在圖22中，顯示面板水平掃描方向的像素數(shù)(在由多個集成電路裝置分擔并驅動顯示面板的數(shù)據(jù)線的情況下，各集成電路裝置所承擔的水平掃描方向的像素數(shù))為HPN，數(shù)據(jù)驅動塊的塊數(shù)(塊分割數(shù))為DBN，在一個水平掃描期間對驅動單元輸入圖像數(shù)據(jù)的輸入次數(shù)為IN。而且，IN等于圖21所說明的一個水平掃描期間的圖像數(shù)據(jù)讀取次數(shù)RN。在這情況下，沿D2方向排列的驅動單元DRC1～DRC30的個數(shù)可以表示為Q＝HPN/(DBN×IN)。圖22的情況下，因為HPN＝240、DBN＝4、IN＝2，所以Q＝240/(4×2)＝30個。
而且，在驅動單元DRC1～DRC30的D2方向的寬度(間距)為WD、數(shù)據(jù)驅動塊所含外圍電路部分(緩沖電路、配線區(qū)域等)的D2方向的寬度為WPCB的情況下，第一～第N電路塊CB1～CBN的D2方向的寬度WB(最大寬度)可以表示為Q×WD≤WB＜(Q+1)×WD+WPCB。另外，在存儲塊所含外圍電路部分(行地址譯碼器RD、配線區(qū)域)的D2方向的寬度為WPC的情況下，可以表示為Q×WD≤WB＜(Q+1)×WD+WPC。
而且，顯示面板水平掃描方向的像素數(shù)為HPN、1像素的圖像數(shù)據(jù)的位數(shù)為PDB、存儲塊的塊數(shù)為MBN(＝DBN)、在一個水平掃描期間從存儲塊讀取圖像數(shù)據(jù)的讀取次數(shù)為RN。此時，在讀出放大器塊SAB中沿D2方向排列的讀出放大器(輸出一位圖像數(shù)據(jù)的讀出放大器)的個數(shù)P可以表示為P＝(HPN×PDP)/(MBN×RN)。在圖22的情況下，由于HPN＝240、PDP＝18、MBN＝4、RN＝2，所以，P＝(240×18)/(4×2)＝54個。而且，個數(shù)P是與有效存儲單元數(shù)對應的有效讀出放大器數(shù)，不包括偽存儲單元用讀出放大器等非有效讀出放大器的個數(shù)。
而且，讀出放大器塊SAB所含的各讀出放大器的D2方向的寬度(間距)為WS時，讀出放大器塊SAB(存儲塊)的D2方向的寬度WSAB可以表示為WSAB＝P×WS。而且，在存儲塊所含外圍電路部分的D2方向的寬度為WPC時，電路塊CB1～CBN的D2方向的寬度WB(最大寬度)可以表示為P×WS≤WB＜(P+PDB)×WS+WPC。
5.4數(shù)據(jù)驅動塊的布局數(shù)據(jù)驅動塊更為詳細的布局舉例示于圖23。在圖23中，數(shù)據(jù)驅動塊包括其各自輸出對應一個子像素的圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)信號的多個子像素驅動單元SDC1～SDC180。而且，就該數(shù)據(jù)驅動塊而言，沿D1方向(沿子像素驅動單元長邊的方向)配置多個子像素驅動單元的同時，沿垂直于D1的D2方向也配置多個子像素驅動單元。亦即，子像素驅動單元SDC1～SDC180呈矩陣式配置。而且，用來實現(xiàn)數(shù)據(jù)驅動塊輸出線與顯示面板的數(shù)據(jù)線電連接的焊盤則配置在數(shù)據(jù)驅動塊的D2方向側。
例如，圖22的數(shù)據(jù)驅動器DRa的驅動單元DRC1由圖23的子像素驅動單元SDC1、SDC2、SDC3構成。這里，SDC1、SDC2、SDC3分別是R(紅)用、G(綠)用、B(蘭)用的子像素驅動單元，從存儲塊輸入對應第一根數(shù)據(jù)信號的R、G、B圖像數(shù)據(jù)(R1、G1、B1)。而且，子像素驅動單元SDC1、SDC2、SDC3對這些圖像數(shù)據(jù)(R1、G1、B1)進行D/A轉換，把第一根R、G、B數(shù)據(jù)信號(數(shù)據(jù)電壓)輸出至對應第一根數(shù)據(jù)線的R、G、B用焊盤。
同樣，驅動單元DRC2由R用、G用、B用的子像素驅動單元SDC4、SDC5、SDC6構成。從存儲塊輸入對應第二根數(shù)據(jù)信號的R、G、B圖像數(shù)據(jù)(R2、G2、B2)。而且，子像素驅動單元SDC4、SDC5、SDC6對這些圖像數(shù)據(jù)(R2、G2、B2)進行D/A轉換，把第二根R、G、B數(shù)據(jù)信號(數(shù)據(jù)電壓)輸出至對應第二根數(shù)據(jù)線的R、G、B用焊盤。其它子像素驅動單元也是一樣。
而且，子像素的數(shù)目并不限定于三個，也可以大于等于四個。另外，子像素驅動單元的配置也不限于圖23，也可以是例如把R用、G用、B用子像素驅動單元沿D2方向堆積配置。
5.5存儲塊的布局存儲塊的布局舉例示于圖24。圖24詳細表示存儲塊中對應于1個像素(R、G、B各為6位，合計18位)的部分。
對應于讀出放大器塊中1個像素的部分包括R用讀出放大器SAR0～SAR5、G用讀出放大器SAG0～SAG5、B用讀出放大器SAB0～SAB5。另外，在圖24中沿D1方向堆積配置兩個(廣義為多個)讀出放大器(及緩沖器)。而且，在堆積配置的讀出放大器SAR0、SAR1的D1方向側沿D1方向排列的2行存儲單元列中上側行的存儲單元列的位線例如連接于SAR0，下側行的存儲單元列的位線例如連接于SAR1。而且，SAR0、SAR1對從存儲單元讀取的圖像數(shù)據(jù)的信號進行放大，由此，從SAR0、SAR1輸出2位圖像數(shù)據(jù)。其它讀出放大器和存儲單元的關系也是一樣。
在圖24的構成的情況下，如圖21所示的一個水平掃描期間圖像數(shù)據(jù)的多次讀取可以如下述來實現(xiàn)。亦即，在第一水平掃描期間(第一掃描線選擇期間)先選擇字線WL1a，進行圖像數(shù)據(jù)的第一次讀取，如圖21的A5所示，輸出第一次數(shù)據(jù)信號DATAa。在此情況下，來自讀出放大器SAR0～SAR5、SAG0～SAG5、SAB0～SAB5的R、G、B圖像數(shù)據(jù)被分別輸入至子像素驅動單元SDC1、SDC2、SDC3。接著，在同一個第一水平掃描期間選擇字線WL1b，進行圖像數(shù)據(jù)的第二次讀取，如圖21的A6所示，輸出第二次數(shù)據(jù)信號DATAb。在此情況下，來自讀出放大器SAR0～SAR5、SAG0～SAG5、SAB0～SAB5的R、G、B圖像數(shù)據(jù)被分別輸入至圖23的子像素驅動單元SDC91、SDC92、SDC93。另外，在接下來的第二水平掃描期間(第二個掃描線選擇期間)，先選擇字線WL2a，進行圖像數(shù)據(jù)的第一次讀取，并輸出第一次的數(shù)據(jù)信號DATAa。接著，在同一個第二水平掃描期間，選擇字線WL2b，進行圖像數(shù)據(jù)的第二次讀取，并輸出第二次的數(shù)據(jù)信號DATAb。
而且，也可以實施不在D1方向堆積配置讀出放大器的變形。而且，也可以用列選擇信號切換連接于各讀出放大器的存儲單元列。在這情況下，通過在存儲塊內、在一個水平掃描期間多次選擇相同字線，可以實現(xiàn)一個水平掃描期間的多次讀取。
5.6子像素驅動單元的布局子像素驅動單元的詳細布局舉例示于圖25。如圖25所示，各個子像素驅動單元SDC1～SDC180包括鎖存電路LAT、電平移位器L/S、D/A轉換器DAC、以及輸出部SSQ。此外，也可以在鎖存電路LAT和電平移位器L/S之間設置用于灰階控制的FRC(Frame Rate Control，幀速控制)電路等其它邏輯電路。
各個子像素驅動單元所含鎖存電路LAT用于鎖存來自存儲塊MB1的作為一個字像素的6位圖像數(shù)據(jù)。電平移位器L/S對來自鎖存電路LAT的6位圖像數(shù)據(jù)信號進行電壓電平的變換。D/A轉換器DAC用灰階電壓進行6位圖像數(shù)據(jù)的D/A轉換。輸出部SSQ包括用于進行D/A轉換器DAC的輸出信號的阻抗變換的運算放大器OP(連接電壓跟隨器)，驅動對應于1個子像素的1個數(shù)據(jù)線。而且，輸出部SSQ除了運算放大器OP外還可以包括放電用、8色顯示用DAC驅動用的晶體管(開關元件)。
而且，如圖25所示，各個子像素驅動單元包括LV區(qū)域(廣義地，第一電路區(qū)域)，配置有以LV(Low Voltage，低電壓)的電壓電平(廣義為第一電壓電平)的電源進行工作的電路；以及MV區(qū)域(廣義為第二電路區(qū)域)，配置有以高于LV的MV(MiddleVoltage，中等電壓)電壓電平(廣義為第二電壓電平)的電源進行工作的電路。這里，LV是邏輯電路塊LB、存儲塊MB等的工作電壓。MV是D/A轉換器、運算放大器、電源電路等的工作電壓。而且，掃描驅動器的輸出晶體管由HV(High Voltage，高電壓)電壓電平(廣義為第三電壓電平)的電源供電，并驅動掃描線。
例如，在子像素驅動單元的LV區(qū)域(第一電路區(qū)域)中配置鎖存電路LAT(或者其他的邏輯電路)。另外，在MV區(qū)域配置包括D/A轉換器DAC、運算放大器OP的輸出部SSQ。電平移位器L/S將LV電壓電平的信號變換成MV電壓電平的信號。
而且，在圖25中，在子像素驅動單元SDC1～SDC180的D4方向側設有緩沖電路BF1。該緩沖器電路BF1用來暫存來自邏輯電路LB的驅動器控制信號，并輸出至子像素驅動單元SDC1～SDC180。換言之，是作為驅動器控制信號的轉發(fā)器塊而發(fā)揮作用。
具體地說，緩沖器電路BF1包括配置在LV區(qū)域的LV緩沖器和配置在MV區(qū)域的MV緩沖器。而且，LV緩沖器接受來自邏輯電路LB的LV電壓電平的驅動器控制信號(鎖存信號等)并暫存，再輸出至配置在其D2方向側的子像素驅動單元的LV區(qū)域的電路(LAT)。另外，MV緩沖器接受來自邏輯電路LB的LV電壓電平的驅動器控制信號(DAC控制、輸出控制信號等)，并且通過電平移位器變換成MV的電壓電平并暫存，再輸出至配置在其D2方向一側的子像素驅動單元的MV區(qū)域的電路(DAC、SSQ)。
而且，例如圖25所示，在本實施中，以各個子像素驅動單元的MV區(qū)域(或者同為LV區(qū)域的)沿D1方向彼此鄰接的方式，配置子像素驅動單元SDC1～SDC180。亦即，鄰接的子像素驅動單元隔著沿D2方向的鄰接邊界鏡像配置。例如，以MV區(qū)域彼此鄰接的方式，配置子像素驅動單元SDC1和SDC2。而子像素驅動單元SDC3和SDC91也配置成MV區(qū)域彼此鄰接。而且，子像素驅動單元SDC2和SDC3配置成LV區(qū)域彼此鄰接。
如果如圖25所示以MV區(qū)域鄰接的方式配置，則不需在子像素驅動單元之間設置護圈。所以，相比于使MV區(qū)域和LV區(qū)域鄰接的方法，可以縮小數(shù)據(jù)驅動塊的D1方向的寬度，實現(xiàn)集成電裝置的小面積化。
另外，根據(jù)圖25的配置方法，可以將彼此鄰接的子像素驅動單元(驅動單元)的MV區(qū)域作為子像素驅動單元(驅動單元)的輸出信號的引出線的配線區(qū)域而有效利用，從而可以提高布局的效率。
而且，根據(jù)圖25的配置方法，可以將存儲塊相對于子像素驅動單元的LV區(qū)域鄰接而配置。例如在圖25中，將存儲塊MB1鄰接于子像素驅動單元SDC1、SDC88的LV區(qū)域而配置。另外，存儲塊MB2鄰接于子像素驅動單元SDC93、SDC180的LV區(qū)域而配置。而且，存儲塊MB1、MB2通過LV電壓電平的電源進行工作。所以，如上所述，鄰接存儲塊而配置子像素驅動單元的LV區(qū)域，就能有效縮小由數(shù)據(jù)驅動塊及存儲塊構成的驅動器宏單元在D1方向的寬度，實現(xiàn)集成電路裝置的小面積化。
另外，即使在集成電路裝置不包括存儲塊的情況下，也可以根據(jù)圖25的方法把轉發(fā)器塊配置在相鄰的子像素驅動單元的LV區(qū)域之間的區(qū)域內。由此，可以是，來自邏輯電路塊LB的LV電壓電平的信號(圖像數(shù)據(jù)信號)由轉發(fā)器塊暫存，再輸入子像素驅動單元。
6.電子設備包括本實施例的集成電路裝置10的電子設備(電氣光學裝置)的例子示于圖26(A)(B)。而且，電子設備還可以包括圖26(A)(B)所示以外的構成部件(比如照相機、操作部或電源等)。而且，本實施例的電子設備并不限定在便攜式電話機，數(shù)碼相機、PDA、電子備忘錄、電子詞典、投影儀、背投電視機或者便攜式信息終端等等均可。
在圖26(A)、圖26(B)中，主機設備410比如是MPU(MicroProcessor Unit，微處理單元)、基帶引擎(基帶處理器)等。該主機設備410進行顯示驅動器即集成電路裝置10的控制?；蛘撸部梢赃M行作為應用引擎和基帶引擎的處理、以及壓縮、伸長、校準等的作為圖像引擎的處理。另外，圖26(B)的圖像處理控制器420則代替主機設備410，進行壓縮、伸長、校準等作為圖像引擎的處理。
顯示面板400包括多根數(shù)據(jù)線(源極線)、多根掃描線(柵極線)、以及由數(shù)據(jù)線及掃描線確定的多個像素。而且，通過改變各個像素區(qū)域的電氣光學元件(狹義的是液晶元件)的光學特性來實現(xiàn)顯示動作。該顯示面板400可以由采用TFT、TFD等開關元件的有源矩陣方式的面板構成。而且，顯示面板400也可以是有源矩陣方式以外的面板，也可以是液晶面板以外的面板。
在圖26(A)的情況下，作為集成電路裝置10，可以用存儲器內置型的。亦即，在此情況下，集成電路裝置10把來自主機410的圖像數(shù)據(jù)暫時寫入內置存儲器，并且從內置存儲器讀出被寫入的圖像數(shù)據(jù)，用于驅動顯示面板。另一方面，在圖26(B)的情況下，作為集成電路裝置10可以用存儲器非內置的存儲器。亦即，在此情況下，來自主機410的圖像數(shù)據(jù)被寫入圖像處理控制器420的內置存儲器中。而且，集成電路裝置10在圖像處理控制器420的控制下驅動顯示面板400。
如上所述，有關本實施例作了詳細地說明?？梢詫嵤嵸|上不脫離本發(fā)明的新內容及效果的多種變形，對于本領域技術人員來說，想必容易理解這一點。因此，這類變形應全部包括在本發(fā)明的范圍內。例如，在說明書或者附圖中，至少一次與更為廣義或者同義的不同用語(第一接口區(qū)域、第二接口區(qū)域、K個等)一起記載的用語(輸出側I/F區(qū)域、輸入側I/F區(qū)域、兩個等)在說明書和附圖的任何地方都可以置換為不同的用語。另外，在焊盤配置區(qū)域配置控制晶體管的本實施例的方法也可以適用于與圖3不同的配置、構成的集成電路裝置。
符號說明CB1～CBN 第一～第N電路塊TC1、TC2、TCN1、TCP1、TCN2、TCP2 控制晶體管DI1～DI4 二極管 P1、P2 焊盤OP1、OP2 運算放大器 DB 數(shù)據(jù)驅動塊MB 存儲塊PDB 焊盤塊DMC1～DMC4驅動器宏單元DRC1～DRC30 驅動單元SDC1～SDC180 子像素驅動單元10 集成電路裝置 12 輸出側I/F區(qū)域14 輸入側I/F區(qū)域 20 存儲器22 存儲單元陣列 24 行地址譯碼器26 列地址譯碼器 28 寫/讀電路；40 邏輯電路 42 控制電路44 顯示時刻控制電路 46 主接口電路48 RGB接口電路 50 數(shù)據(jù)驅動器52 數(shù)據(jù)鎖存電路 54 D/A轉換電路56 輸出電路 70 掃描驅動器72 移位寄存器73 掃描地址生成電路74 地址譯碼器76 電平移位器78 輸出電路 90 電源電路92 升壓電路 94 調節(jié)器電路96 VCOM生成電路 98 控制電路110 灰階電壓發(fā)生電路112 選擇用電壓生成電路114 灰階電壓選擇電路116 調整寄存器
權利要求
1.一種集成電路裝置，其特征在于，包括至少一個數(shù)據(jù)驅動塊，用于驅動數(shù)據(jù)線；多個控制晶體管，與所述數(shù)據(jù)驅動塊的各數(shù)據(jù)線對應地設置各控制晶體管，由公用控制信號控制各控制晶體管；以及焊盤配置區(qū)域，配置有用于電連接所述數(shù)據(jù)線和所述數(shù)據(jù)驅動塊的輸出線的數(shù)據(jù)驅動器用焊盤，其中，所述控制晶體管配置在所述焊盤配置區(qū)域。
2.根據(jù)權利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于在所述控制晶體管的柵極輸入所述公用控制信號，所述數(shù)據(jù)驅動塊的輸出線連接于所述控制晶體管的漏極。
3.根據(jù)權利要求2所述的集成電路裝置，其特征在于向所述控制晶體管的源極提供公用電位，當所述公用控制信號為激活時，所述數(shù)據(jù)驅動塊的輸出線被設定在所述公用電位。
4.根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的集成電路裝置，其特征在于所述控制晶體管是一種放電晶體管，當作為所述公用控制信號的放電信號為激活時，將所述數(shù)據(jù)驅動塊的輸出線設定在接地電位。
5.根據(jù)權利要求1至4中任一項所述的集成電路裝置，其特征在于所述控制晶體管以其至少一部分與所述數(shù)據(jù)驅動器用焊盤重疊的方式被配置在所述數(shù)據(jù)驅動器用焊盤的下層。
6.根據(jù)權利要求1至5中任一項所述的集成電路裝置，其特征在于包括運算放大器，用于進行輸出到所述數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號的阻抗變換，其中，構成所述運算放大器的差動部分和驅動部分的晶體管被配置在所述數(shù)據(jù)驅動塊中。
7.根據(jù)權利要求1至6中任一項所述的集成電路裝置，其特征在于包括靜電保護元件，其與所述數(shù)據(jù)驅動塊的輸出線連接，被配置在所述焊盤配置區(qū)域，在以所述數(shù)據(jù)線排列方向為第一方向、以與所述第一方向垂直的方向為第二方向時，所述控制晶體管被配置在所述數(shù)據(jù)驅動塊的所述第二方向側，所述靜電保護元件被配置在所述控制晶體管的所述第二方向側。
8.根據(jù)權利要求7所述的集成電路裝置，其特征在于所述焊盤配置區(qū)域包括沿所述第一方向排列的多個配置范圍，在所述多個配置范圍的各配置范圍，配置有沿所述第二方向排列的K個所述數(shù)據(jù)驅動器用焊盤、以及分別與所述K個所述數(shù)據(jù)驅動器用焊盤對應連接的K個所述靜電保護元件，其中，K是大于等于2的整數(shù)。
9.根據(jù)權利要求8所述的集成電路裝置，其特征在于沿所述第二方向排列的K個所述數(shù)據(jù)驅動器用焊盤的中心位置在所述第一方向上被錯開地配置。
10.根據(jù)權利要求8或9所述的集成電路裝置，其特征在于K個所述靜電保護元件中的第一靜電保護元件包括第一二極管，設置于高電位側電源和所述數(shù)據(jù)驅動塊的第一輸出線之間；以及第二二極管，設置于低電位側電源和所述數(shù)據(jù)驅動塊的第一輸出線之間，K個所述靜電保護元件中的第二靜電保護元件包括第三二極管，設置于高電位側電源和所述數(shù)據(jù)驅動塊的第二輸出線之間；以及第四二極管，設置于低電位側電源和所述數(shù)據(jù)驅動塊的第二輸出線之間，其中，所述第一、第二、第三、第四二極管在所述各配置范圍中沿所述第二方向配置。
11.根據(jù)權利要求10所述的集成電路裝置，其特征在于所述第一、第三二極管形成于第一阱，所述第二、第四二極管形成于第二阱，所述第一、第二阱在所述第二方向上分離。
12.根據(jù)權利要求7至11中任一項所述的集成電路裝置，其特征在于所述靜電保護元件包括長邊沿所述第一方向、短邊沿所述第二方向的擴散區(qū)。
13.根據(jù)權利要求7至12中任一項所述的集成電路裝置，其特征在于包括設置于高電位側電源和低電位側電源之間的電源間保護電路，所述電源間保護電路被配置在所述靜電保護元件的所述第二方向側。
14.根據(jù)權利要求1至13中任一項所述的集成電路裝置，其特征在于，包括存儲塊，用于存儲所述數(shù)據(jù)驅動塊使用的圖像數(shù)據(jù)；以及焊盤塊，配置有所述數(shù)據(jù)驅動器用焊盤和所述控制晶體管，其中，所述數(shù)據(jù)驅動塊、所述存儲塊和所述焊盤塊均作為驅動宏單元而被宏單元化，其中，所述數(shù)據(jù)驅動塊和所述存儲塊沿第一方向配置，在將垂直于所述第一方向的方向作為第二方向時，所述焊盤塊被配置在所述數(shù)據(jù)驅動塊和所述存儲塊的所述第二方向側。
15.根據(jù)權利要求1至14中任一項所述的集成電路裝置，其特征在于所述數(shù)據(jù)驅動塊包括用于分別輸出與一個子像素的圖像數(shù)據(jù)對應的數(shù)據(jù)信號的多個子像素驅動器單元，在所述數(shù)據(jù)驅動塊中，沿第一方向配置多個所述子像素驅動器單元的同時，沿垂直于所述第一方向的第二方向配置多個所述子像素驅動器單元。
16.一種集成電路裝置，其特征在于，包括第一～第N電路塊，以從集成電路裝置的短邊即第一邊朝向對面的第三邊的方向為第一方向、以從集成電路裝置的長邊即第二邊朝向對面的第四邊的方向為第二方向時，其沿所述第一方向配置，其中，N是大于等于2的整數(shù)；第一接口區(qū)，在所述第一～第N電路塊的所述第二方向側，沿所述第四邊設置，成為焊盤配置區(qū)域；以及第二接口區(qū)，如果以所述第二方向的反方向為第四方向，則在所述第一～第N電路塊的所述第四方向側，沿所述第二邊設置，成為焊盤配置區(qū)域，其中，所述第一～第N電路塊包括用于驅動數(shù)據(jù)線的至少一個數(shù)據(jù)驅動塊，在所述第一接口區(qū)配置有用于電連接所述數(shù)據(jù)線和所述數(shù)據(jù)驅動塊的輸出線的數(shù)據(jù)驅動器用焊盤、以及與所述數(shù)據(jù)驅動塊的各輸出線對應地設置、并由公用控制信號控制的多個控制晶體管。
17.一種電子設備，其特征在于，包括根據(jù)權利要求1至16中任一項所述的集成電路裝置、以及由所述集成電路裝置驅動的顯示面板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠實現(xiàn)電路面積縮小的集成電路裝置和電子設備。集成電路裝置包括用于驅動數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)驅動塊；多個控制晶體管TC1、TC2，各控制晶體管與數(shù)據(jù)驅動塊的各個輸出線對應地設置，各控制晶體管由公共控制信號控制；以及焊盤配置區(qū)域，配置有用于電氣連接數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)驅動塊的輸出線QL1、QL2的數(shù)據(jù)驅動器用焊盤P1、P2的。而且，控制晶體管TC1、TC2被配置在焊盤配置區(qū)域。
文檔編號H01L27/00GK1892789SQ200610090320
公開日2007年1月10日 申請日期2006年6月29日 優(yōu)先權日2005年6月30日
發(fā)明者齊木隆行, 伊藤悟, 森口昌彥, 熊谷敬, 石山久展, 藤瀨隆史, 唐澤純一, 小平覺, 前川和廣 申請人:精工愛普生株式會社