專利名稱：基板焊罩層制造方法及其結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種基板制造方法及其結(jié)構(gòu)，特別是--種基板焊罩層制造方法 及其結(jié)構(gòu)。
背彔技術(shù)
請(qǐng)參考圖1,其為現(xiàn)有基板焊罩層的封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。結(jié)構(gòu)1包括一基
板10、--焊罩層11、 一晶粒12、復(fù)數(shù)條導(dǎo)線13及封膠14?；?0具有一 上表面101，上表面101具有一晶座102及復(fù)數(shù)個(gè)焊墊103。焊罩層11形成 于上表面101上。焊罩層11具有復(fù)數(shù)個(gè)開孔111，開孔111利用曝光顯影方 式形成。每一開孔111相對(duì)于每一焊墊103上，用以顯露部分焊墊103。
晶粒12以膠合方式黏貼于晶座102上方的焊罩層11上。導(dǎo)線13系用以 電性連接晶粒12與焊墊103。封膠14用以包封導(dǎo)線13、晶粒12以及焊墊103 從而完成封裝結(jié)構(gòu)l。
上述現(xiàn)有基板焊罩層的封裝結(jié)構(gòu)1，因其供放置晶粒12的焊罩層11與顯 露焊墊103的焊罩層11具相同高度，所以必須使用較薄之晶粒12進(jìn)行封裝, 易造成晶粒12破裂。另外，焊罩層11無法抑制封膠14的溢流，因此使得焊 墊103受到污染。
因此，有必要提供一種創(chuàng)新且具有進(jìn)步性的基板結(jié)構(gòu)及其制造方法，以解 決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的要解決的技術(shù)問題在于提供一種基板焊罩層制造方法不但可在 本封裝結(jié)構(gòu)中使用較厚之晶粒邁行封裝而不致造成晶粒破裂更可有效抑制封 膠的溢流，以避免焊墊污染。此外，本發(fā)明另一個(gè)要解決的技術(shù)問題是還要提 供具有單一焊罩層的一種基板焊罩層結(jié)構(gòu)以及具有第一焊罩層及第二焊罩層
之一種基板焊罩層結(jié)構(gòu)。
為解決上述提供一種基板焊罩層制造方法的問題本發(fā)明所提供之制造方
法包括提供一基板，具有一上表面，上表面具有一晶座及復(fù)數(shù)個(gè)焊墊形成 一第一焊罩層于上表面上，第一焊罩層具有復(fù)數(shù)個(gè)開孔，每一開孔相對(duì)于每一 焊墊上，用以顯露至少部分焊墊；及形成一第二焊罩層于第--焊罩層上。
為解決上述本發(fā)明的另一個(gè)要解決的一種基板焊罩層結(jié)構(gòu)技術(shù)問題本發(fā) 明揭示一種基板焊罩層結(jié)構(gòu)，其基板具有一上表面，上表面具有一晶座及復(fù)數(shù) 個(gè)焊墊。焊罩層形成于上表面上，焊罩層具有復(fù)數(shù)個(gè)開孔，每一開孔相對(duì)于每
一焊墊上，用以顯露部分焊墊，其中焊罩層具有一第一部分及一第二部分，第 --部分位于晶座之相對(duì)位置上，第二部分于基板之上表面周圍，第一部分之高 度低于第二部分之高度。 '
上述的本發(fā)明基板焊罩層結(jié)構(gòu)具有一體結(jié)構(gòu)的焊罩層。利用焊罩層較高的 第二部分，以利于使用較厚之晶粒進(jìn)行封裝，從而避免晶粒破裂。另外，第二 部分可形成一階梯狀，且也可在第二部分上設(shè)一環(huán)槽，因此，可以有效抑制封 膠的溢流，以避免焊墊受到污染。
為解決上述本發(fā)明的另一個(gè)要解決的另一種基板焊罩層結(jié)構(gòu)技術(shù)問題本 發(fā)明還提供一種基板焊罩層結(jié)構(gòu)。其基板焊罩層結(jié)構(gòu)包括一基板、 一第一焊罩 層及一第二焊罩層?；寰哂幸簧媳砻?，上表面具有--晶座及復(fù)數(shù)個(gè)焊墊。第 一焊罩層形成于上表面上，第一焊罩層具有復(fù)數(shù)個(gè)開孔，每一開孔相對(duì)設(shè)置于 每一焊墊上，以顯露部分焊墊。第二焊罩層形成于部分第一焊罩層上。
上述的本發(fā)明基板焊罩層結(jié)構(gòu)具有分層結(jié)構(gòu)的焊罩層，第二焊罩層形成于 第一焊罩層上，可形成較高的焊罩層，因此可以使用較厚的晶粒進(jìn)行封裝，以 避免晶粒破裂。另外，第二焊罩層與第一焊罩層可形成一高度差而成一階梯狀， 另外也可在第二焊罩層上設(shè)有一環(huán)槽，因此，也可以有效抑制封膠的溢流，以 避免焊墊受到污染。
利用本發(fā)明基板焊罩層的制造方法，可產(chǎn)生具有一體結(jié)構(gòu)及分層結(jié)構(gòu)的焊 罩層的封裝結(jié)構(gòu)。在具有一體結(jié)構(gòu)的焊罩層的該封裝結(jié)構(gòu)中，焊罩層的第一部 分的高度低于第二部分的高度，利用較高的第二部分，有利于使用較厚的晶粒 進(jìn)行封裝，以避免晶粒破裂。另外，第二部分可形成一階梯狀，且也可在第二 部分上設(shè)一環(huán)槽，因此，可以有效抑制封膠的溢流，以避免焊墊受到污染。
另外，在具有分層結(jié)構(gòu)的焊罩層的封裝結(jié)構(gòu)中，第一焊罩層的第一部分于
晶座的相對(duì)位置上，第二部分于基板的上表面周圍，且第二焊罩層形成于第--焊罩層的第二部分上，也可以形成較高的焊罩層，因此可以使用較厚的晶粒進(jìn) 行封裝，以避免晶粒破裂。另外，第二焊罩層與第--焊罩層的第二部分可形成 --高度差而成一階梯狀，另外也可在第二焊罩層上設(shè)有一環(huán)槽，因此，也可以 有效抑制封膠的溢流，以避免焊墊受到污染。


圖l為現(xiàn)有基板焊罩層的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2A至2H為本發(fā)明基板焊罩層的制造方法示意圖；其中 圖2G為本發(fā)明基板焊罩層的第一實(shí)施狀態(tài)結(jié)構(gòu)的示意圖 圖2F為本發(fā)明基板焊罩層的第二實(shí)施狀態(tài)結(jié)構(gòu)的示意圖； 圖3為本發(fā)明基板焊罩層的封裝結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例示意圖； 圖4為本發(fā)明基板焊罩層的封裝結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例示意圖； 圖5為本發(fā)明基板焊罩層的封裝結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例示意圖及 圖6為本發(fā)明基板焊罩層的封裝結(jié)構(gòu)的第四實(shí)施例示意圖。
其中，附圖標(biāo)記說明如下:
1現(xiàn)有基板焊罩層的封裝結(jié)構(gòu)
2本發(fā)明基板焊罩層的封裝結(jié)構(gòu)
3本發(fā)明第一實(shí)施例基板焊罩層的封裝結(jié)構(gòu)
4本發(fā)明第二實(shí)施例基板焊罩層的封裝結(jié)構(gòu)
5本發(fā)明第三實(shí)施例基板焊罩層的封裝結(jié)構(gòu)
6本發(fā)明第四實(shí)施例基板焊罩層的封裝結(jié)構(gòu)
10基板
11焊罩層
12晶粒
13導(dǎo)線
14封膠
20基板
21第一焊罩層 22 第二焊罩層
23 第三焊罩層
30 基板
31 焊罩層
32 晶粒
33 導(dǎo)線
34 封膠
40 基板
41 焊罩層
42 晶粒
43 導(dǎo)線
44 封膠
50 基板
51 第一焊罩層
52 第二焊罩層
53 晶粒
54 導(dǎo)線
55 封膠
60 基板
61 第一焊罩層
62 第二焊罩層
63 晶粒
64 導(dǎo)線
65 封膠
101 上表面
102 晶座
103 焊墊
111開孔
201 上表面 202晶座
203 焊墊 211開孔
221 槽孔
301 上表面 302晶座
303 焊墊
311 開孔
312 第一部分
313 第二部分
402 晶座
403 焊墊 412 環(huán)槽 502 晶座 511第一部分 512第二部分 602 晶座 611第一部分 612第二部分 613 621 環(huán)槽
具體實(shí)施例方式
參考圖2A至圖2D,為本發(fā)明基板焊罩層的制造方法的示意圖。首先，參 考圖2A，提供一基板20，具有一上表面201 ，上表面201具有一晶座202及 復(fù)數(shù)個(gè)焊墊203。參考圖2B，形成一第一焊罩層21于上表面201上。第一焊 罩層21具有復(fù)數(shù)個(gè)開孔211，每一開孔211相對(duì)設(shè)置于每一焊墊203上，以 顯露部分焊墊203。開孔211利用曝光顯影方式形成。
參考圖2C，形成第二焊罩層22于第一焊罩層21及焊墊203上。參考圖 2D，接著，利用曝光顯影方式移除部分第二焊罩層22,以顯露部分焊墊203 及部分第一焊罩層21,第一焊罩層21被顯露的部分相對(duì)于晶座202的位置， 因此，當(dāng)進(jìn)行封模步驟時(shí)，上模具壓在第二焊罩層22上，可形成較高的芯片
容置空間。在其它應(yīng)用中，部分第二焊罩層22與部分第—焊罩層21形成一階 梯狀，如圖2E所示。另外，在其它應(yīng)用中，也可以利用曝光顯影方式于第二 焊罩層22形成--環(huán)槽221，如圖2F所示，使進(jìn)行封模時(shí)，可提供給封膠一緩 沖流道，而不會(huì)產(chǎn)生溢膠的問題。
參考圖2G及圖2H，加熱第一焊罩層21及第二焊罩層22，使第一焊罩層 21及第二焊罩層22合為一體，以形成一第三焊罩層23。要注意的是，在實(shí)際 情況中，視其烘烤的順序及加熱條件的不同，第一焊罩層21及第二焊罩層22 于加熱后，也可為如上述圖2E及圖2F中所示的分層結(jié)構(gòu)。
參考圖3，本發(fā)明基板焊罩層的封裝結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例示意圖。結(jié)構(gòu)3包 括一基板30、 一焊罩層31、 一晶粒32、復(fù)數(shù)條導(dǎo)線33及封膠34?；?0 具有一上表面301,上表面301具有一晶座302及復(fù)數(shù)個(gè)焊墊303。焊罩層31 形成于上表面301上。焊罩層31具有復(fù)數(shù)個(gè)開孔311，每一開孔311相對(duì)于 每一焊墊303上，以顯露部分焊墊303。開孔311利用曝光顯影方式形成。焊 罩層31具有一第一部分312及一第二部分313，第一部分312于晶座302的 相對(duì)位置上，第二部分313位于基板30的上表面301周圍，第一部分312的 高度低于第二部分313的高度，第二部分313可形成一階梯狀。
晶粒32以膠合方式貼設(shè)于晶座302上的焊罩層31上。導(dǎo)線33用以電性 連接晶粒32與等焊墊303。封膠34用以包封導(dǎo)線33、晶粒32及焊墊303以 完成封裝結(jié)構(gòu)3。
參考圖4，為本發(fā)明基板焊罩層的封裝結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例示意圖。封裝結(jié) 構(gòu)4包括一基板40、--焊罩層41 、 一晶粒42、復(fù)數(shù)條導(dǎo)線43及封膠44。第 二實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)4與圖3的第一實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)3，不同之處在于第二 實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)4中，另于焊罩層41上，利用曝光顯影方式形成一環(huán)槽412。
參考圖5，為本發(fā)明基板焊罩層的封裝結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例示意圖。封裝結(jié) 構(gòu)5包括一基板50、 一第一焊罩層51、 一第二焊罩層52、 一晶粒53、復(fù)數(shù) 條導(dǎo)線54及封膠55。第三實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)5與圖3的第一實(shí)施例的封裝結(jié) 構(gòu)3,不同之處在于第三實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)5中，第一焊罩層51及第二焊罩 層52并不為一體，而是一分層結(jié)構(gòu)。
第一焊罩層51具有一第一部分511及一第二部分512。第一部分511于 晶座502的相對(duì)位置上，第二部分512于基板50的上表面周圍。第二焊罩層
52形成于部分第 一焊罩層51上(例如第二部分512上)，與第一焊罩層51 的第二部分512形成一高度差而成一階梯狀。
參考圖6，為本發(fā)明基板焊罩層的封裝結(jié)構(gòu)的第四實(shí)施例示意圖。封裝結(jié) 構(gòu)6包括一基板60、 一第一焊罩層61、 一第二焊罩層62、--晶粒63、復(fù)數(shù) 條導(dǎo)線64及封膠65。第四實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)6與圖4的第二實(shí)施例的封裝結(jié) 構(gòu)4，不同之處在于第四實(shí)施例的封裝結(jié)構(gòu)6中，第一焊罩層61及第二焊罩 層62并不為一體，而是一分層結(jié)構(gòu)。
第一焊罩層61具有一第一部分611及一第二部分612。第一部分611于 晶座602的相對(duì)位置上，第二部分612于基板60的上表面周圍。第二焊罩層 62形成于部分第--焊罩層61上(例如第二部分612上)，且第二焊罩層62 另具有一環(huán)槽621。
以上所述僅為本發(fā)明其中的較佳實(shí)施例而已，并非用來限定本發(fā)明的實(shí)施 范圍；即凡依本發(fā)明權(quán)利要求所作的均等變化與修飾，皆為本發(fā)明專利范圍所 涵蓋。
權(quán)利要求
1、一種基板焊罩層的制造方法，其特征在于，該制造方法包括提供一基板，其具有一上表面，該上表面具有一晶座及復(fù)數(shù)個(gè)焊墊；形成一第一焊罩層于該上表面上，該第一焊罩層具有復(fù)數(shù)個(gè)開孔，每一開孔相對(duì)于每一焊墊上，以顯露至少部分該焊墊；及形成一第二焊罩層于該第一焊罩層上。
2. 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在該形成一第二焊罩層于 該第一焊罩層上步驟之后還包括以下歩驟去除部分該第二焊罩層；及加熱該第一焊罩層及該第二焊罩層，使該第一焊罩層及該第二焊罩層合為 一體，以形成一第三焊罩層。
3. 如權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，在該去除部分該第二焊罩 層步驟之后曝露出該焊墊及部分該第一焊罩層。
4. 如權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于，該第一焊罩層被曝露的部 分是相對(duì)于該晶座上。
5. 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在該形成一第二焊罩層于 該第一焊罩層上步驟之后還包括以下步驟去除部分該第二焊罩層； 形成至少一環(huán)槽于該第二焊罩層上；及加熱該第一焊罩層及該第二焊罩層，使該第一焊罩層及該第二焊罩層合為 一體，以形成一第三焊罩層。
6. —種基板焊罩層結(jié)構(gòu)，其特征在于包括一基板，具有一上表面，該上表面具有一晶座及復(fù)數(shù)個(gè)焊墊；及 一焊罩層，形成于該上表面上，該焊罩層具有復(fù)數(shù)個(gè)開孔，每一開孔相對(duì) 于每一焊墊上，以顯露部分該焊墊，其中該悍罩層具有一第一部分及一第二部 分，該第一部分位于該晶座的相對(duì)位置上，該第二部分位于該基板的該上表面 周圍，該第一部分的高度低于該第二部分的高度。
7. 如權(quán)利要求6所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該悍罩層的該第二部分呈一階 梯狀。
8.如權(quán)利要求6所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該焊罩層更包括了至少一環(huán)槽。
9.一種基板焊罩層結(jié)構(gòu)，其特征在于包括一基板，具有一上表面，該上表面具有一晶座及復(fù)數(shù)個(gè)焊墊；--第一焊罩層，形成于該上表面上，該第一焊罩層具有復(fù)數(shù)個(gè)開孔，每一開孔相對(duì)設(shè)置于每一焊墊上，以顯露該焊墊；及 一第二焊罩層，形成于部分該第一焊罩層上。
10.如權(quán)利要求9所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第 一焊罩層具有一第一部 分及一第二部分，該第一部分位于該晶座的相對(duì)位置上，該第二部分位于該基 板的該上表面周圍，該第二焊罩層形成于該第二部分上，以顯露所述焊墊及該 第-一焊罩層的該第一部分，且部分該第二焊罩層與部分該第一焊罩層的該第二 部分形成一階梯狀，并且該第二焊罩層更包括至少一環(huán)槽。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種基板焊罩層制造方法及其結(jié)構(gòu)。制造方法包括提供一基板，具有一上表面，上表面具有一晶座及復(fù)數(shù)個(gè)焊墊；形成一第一焊罩層于上表面上，第一焊罩層具有復(fù)數(shù)個(gè)開孔，每一開孔相對(duì)于每一焊墊上，以顯露至少部分焊墊；及形成一第二焊罩層于第一焊罩層上。由此，可以使用較厚的晶粒進(jìn)行封裝，從而避免晶粒破裂，並且可以抑制封膠的溢流。
文檔編號(hào)H01L23/498GK101106093SQ20061009029
公開日2008年1月16日 申請(qǐng)日期2006年7月11日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月11日
發(fā)明者莊孟融, 戴惟璋, 朱吉植, 李政穎, 羅光淋, 黃耀霆 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司