專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制造方法及半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法和根據(jù)該制造方法而得到的半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
在液晶顯示裝置或有機(jī)EL顯示裝置等電光學(xué)裝置中，作為基板，采用了廉價(jià)的玻璃或樹脂等透明基板。由于這些基板的耐熱溫度低，因此關(guān)于集成在基板上的薄膜晶體管(TFT)等半導(dǎo)體元件或各種設(shè)備，一般由低溫工序制造(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。
專利文獻(xiàn)1特許第3528182號(hào)公報(bào)但是，一般在具備了晶體管等的半導(dǎo)體裝置中，例如為了謀求安裝這些的電光學(xué)裝置的高精細(xì)化等，因此強(qiáng)烈希望微細(xì)化或高密度化。
但是，對(duì)于在一般的低溫工序中形成的晶體管，由于源極/漏極通過雜質(zhì)的注入而成為非晶質(zhì)的半導(dǎo)體層，因此在特別微細(xì)化后的情況下，存在該源極/漏極中的寄生電阻變大，很難得到作為晶體管的良好的電特性等問題。
另外，為了謀求基于高密度化的高精細(xì)化，也會(huì)考慮到3維重疊晶體管等半導(dǎo)體元件的情況。但是，多層重疊半導(dǎo)體層并在各層上制作晶體管等的情況下，用于在各層中的雜質(zhì)活性化的高溫?zé)崽幚頃?huì)給其他層的半導(dǎo)體元件帶來通常設(shè)計(jì)以上的熱過程。因此，工序設(shè)計(jì)會(huì)變得非常難或變得非常復(fù)雜。例如具有不能采用耐熱性弱的自對(duì)準(zhǔn)多晶硅化物工序等問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題而做成的，其目的在于提供一種得到良好的電特性的晶體管，由此可實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的微細(xì)化或高密度化，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)3維重疊的半導(dǎo)體裝置的制造方法和根據(jù)該制造方法而得到的半導(dǎo)體裝置。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具備第1工序，對(duì)形成在基板上的結(jié)晶性半導(dǎo)體膜之中除了與所述基板相接的第1部分以外的至少第2部分及第3部分注入雜質(zhì)；第2工序，在所述第2部分及所述第3部分分別形成源極及漏極；所述第1工序還包括將構(gòu)成所述結(jié)晶性半導(dǎo)體膜的材料沉積在所述基板上的第1副工序；所述第2工序還包括至少對(duì)所述第2部分及所述第3部分進(jìn)行加熱的第2副工序。
另外，另一個(gè)半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具備第1工序，對(duì)形成在基體上的結(jié)晶性半導(dǎo)體膜之中除了第1部分以外的至少第2部分及第3部分注入雜質(zhì)；第2工序，在所述第2部分及所述第3部分分別形成源極及漏極；在所述第2工序中，通過至少對(duì)所述第2部分及所述第3部分實(shí)施加熱處理，使所述第2部分及所述第3部分的結(jié)晶性比進(jìn)行所述加熱處理前的所述第2部分及所述第3部分的結(jié)晶性提高。
另外，再一個(gè)半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具備第1工序，對(duì)形成在基體上的結(jié)晶性半導(dǎo)體膜之中除了第1部分以外的至少第2部分及第3部分注入雜質(zhì)；第2工序，在所述第2部分及所述第3部分分別形成源極及漏極；在所述第2工序中，通過至少對(duì)所述第2部分及所述第3部分實(shí)施加熱處理，誘發(fā)以所述第1部分的至少一部分作為籽晶的所述第2部分及所述第3部分的固相外延過程。
根據(jù)所述半導(dǎo)體裝置的制造方法，例如通過以作為結(jié)晶性半導(dǎo)體的一部分的所述第1部分的至少一部分作為籽晶的固相外延法，使雜質(zhì)活性化而形成源極/漏極，因此通過雜質(zhì)在比較低的溫度下擴(kuò)散而進(jìn)入到原來的有效的位置上，使源極/漏極電性良好地活性化，由此使晶體管具有良好的電特性。另外，由于通過固相外延法使構(gòu)成源極/漏極的半導(dǎo)體層結(jié)晶化，因此寄生電阻變小，由此得到晶體管的良好的電特性。
此外，在所述制造方法中的所述第2工序中，優(yōu)選在350℃～550℃的加熱溫度下進(jìn)行對(duì)至少所述第2部分及所述第3部分施加的加熱處理。
通過在這樣的溫度范圍中進(jìn)行固相外延法，可以良好地形成源極/漏極，且也可以避免給其他要素帶來通常設(shè)計(jì)以上的熱過程。
另外，在所述的制造方法中，優(yōu)選具備在所述結(jié)晶性半導(dǎo)體層上經(jīng)由柵絕緣膜形成由金屬構(gòu)成的柵電極的工序。
根據(jù)上述，由于不需要在柵電極或溝道區(qū)域注入雜質(zhì)并活性化的工序，因此通過在用于該活性化的高溫下的熱處理，可靠地避免給其他要素帶來通常設(shè)計(jì)以上的熱過程。
另外，在所述的制造方法中，優(yōu)選具備通過在所述源極/漏極上形成金屬層，接著進(jìn)行加熱處理，使所述源極/漏極的表層部硅化物化的工序。
根據(jù)上述，由于源極/漏極的寄生電阻進(jìn)一步變小，因此使晶體管的電特性變得更良好。
此外，在該制造方法中，優(yōu)選在350℃～550℃的溫度下進(jìn)行硅化物化的工序中的加熱處理，通過在如此的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行，避免給其他要素帶來通常設(shè)計(jì)以上的熱過程。
另外，作為在這樣的溫度范圍內(nèi)形成的硅化物，適合采用一硅化鎳(NiSi)，由于該一硅化鎳的電阻率低于20μΩ/cm，因此源極/漏極的寄生電阻變得更小。
另外，在所述的制造方法中，優(yōu)選作為所述基體，通過使用在基板上形成晶體管的基板，在所述基板上3維層疊晶體管。
特別是通過例如在550℃以下的低溫下進(jìn)行基于固相外延法的源極/漏極的形成，不會(huì)給基體中的晶體管帶來通常設(shè)計(jì)以上的熱過程。從而，可以在基板上無障礙地3維重疊晶體管，由此可以實(shí)現(xiàn)晶體管的高密度化。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，是在基體上形成晶體管而形成的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在基體上設(shè)有由沉積法形成的結(jié)晶性半導(dǎo)體層，在所述結(jié)晶性半導(dǎo)體上設(shè)有源極/漏極，其中所述源極/漏極是通過以所述基體側(cè)的一部分作為籽晶層的固相外延法使雜質(zhì)活性化而形成的。
根據(jù)該半導(dǎo)體裝置，通過以結(jié)晶性半導(dǎo)體的一部分作為籽晶層的固相外延法使雜質(zhì)活性化而設(shè)置源極/漏極，因此如上述那樣使源極/漏極電性良好地活性化，由此使晶體管具有良好的電特性。另外，由于通過固相外延法使構(gòu)成源極/漏極的半導(dǎo)體層結(jié)晶化，因此寄生電阻變小，由此使晶體管的電特性變得良好。


圖1(a)～(d)是本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造工序說明圖。
圖2(a)～(c)是本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造工序說明圖。
圖3(a)、(b)是本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造工序說明圖。
圖4(a)、(b)是本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造工序說明圖。
圖中1-基板(基體)，3-硅層(半導(dǎo)體膜)，4-柵絕緣膜，5-柵電極。7-源極形成區(qū)域，7a-源極，8-漏極形成區(qū)域，8a-漏極，10-溝道區(qū)域，11-硅化物層，14-源電極，15-漏電極，16-晶體管。
具體實(shí)施例方式
以下，基于半導(dǎo)體裝置的制造方法的一實(shí)施方式詳細(xì)地說明本發(fā)明。
本實(shí)施方式是制造在基板上3維重疊晶體管而形成的、3維結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置的方法，特別是將基板采用石英基板，并在該石英基板上由550℃以下的低溫工序形成晶體管的方法。此外，在本實(shí)施方式中，將由石英構(gòu)成的基板作為本發(fā)明中的基體。
首先，如圖1(a)所示，準(zhǔn)備由石英構(gòu)成的基板(基體)1，在該基板1上作為基底絕緣膜2形成氧化硅膜。接著，如圖1(b)所示，在該基底絕緣膜2上利用沉積法將結(jié)晶性的硅層(半導(dǎo)體膜)3形成為厚度為50nm左右的島狀。對(duì)于該硅層3的形成，例如根據(jù)等離子體CVD法形成非晶質(zhì)硅層，其后，照射受激準(zhǔn)分子激光使其多晶化，作成結(jié)晶性的多晶硅。另外，例如，也可以通過由采用了乙硅烷的熱CVD法在425℃左右下沉積非晶質(zhì)硅，照射受激準(zhǔn)分子激光，形成非常大的晶粒的單晶硅并使其作成結(jié)晶性的硅層。此外，作為用于形成結(jié)晶性的硅層3的沉積法，除了CVD法以外，例如也可以采用濺射法或蒸鍍法。
其后，通過由光刻法將硅層圖案形成為島狀，形成島狀的硅層3。
由此而形成島狀的結(jié)晶性的硅層3后，使用氧及氪，將這些氣體比(容量比)為O2∶Kr＝3∶97，將壓力為1托(torr)，將功率為3kW，將基板溫度為400℃而進(jìn)行等離子體氧化，如圖1(c)所示，在硅層3的表層部形成厚度為5nm左右的SiO2，并使其作為柵絕緣膜4。
接著，通過使用了氙氣的濺射法，將氮化鉭、金屬鉭、氮化鉭按該順序成膜層疊，形成由3層構(gòu)成的金屬層。其后，通過由光刻法圖案形成金屬層，從而形成由該金屬層構(gòu)成的柵電極5。
接著，根據(jù)CVD法形成氧化硅層，進(jìn)一步通過各向異性蝕刻，如圖1(d)所示在柵電極5的兩側(cè)形成側(cè)壁6。此外，通過如上述的蝕刻，只有在柵電極5及側(cè)壁6的正下方保留柵絕緣膜4，除去形成在其他部位上的柵絕緣膜4。
接著，將這些柵電極5及側(cè)壁6作為掩膜，分別向上述硅層3中的第2部分(未圖示)和第3部分(未圖示)注入雜質(zhì)，形成源極形成區(qū)域7和漏極形成區(qū)域8(第1工序)。對(duì)于該雜質(zhì)的注入，采用離子摻雜或離子注入等離子注入法。在進(jìn)行上述的雜質(zhì)的注入之時(shí)，在本發(fā)明中，通過將上述硅層3的底部側(cè)、即基板1側(cè)保留一部分并作為籽晶層9，對(duì)于該籽晶層9不注入雜質(zhì)，在該籽晶層9之上選擇性地注入雜質(zhì)，從而形成上述源極形成區(qū)域7及漏極形成區(qū)域8。此外，成為該籽晶層9的部分成為本發(fā)明中的第1部分。
即，通過適當(dāng)?shù)卣{(diào)整將雜質(zhì)離子注入時(shí)的能量，使雜質(zhì)不被注入到硅層3的底部側(cè)的一部分中。通過上述的雜質(zhì)的注入，源極形成區(qū)域7及漏極形成區(qū)域8，從原來的單晶或多晶的結(jié)晶性狀態(tài)變成非晶質(zhì)化的狀態(tài)。并且，將不注入該雜質(zhì)的、一直保持著結(jié)晶性狀態(tài)的硅層3的底部側(cè)作為晶粒層9。
對(duì)于上述籽晶層9，形成為使從基板1側(cè)的底面到接觸在源極形成區(qū)域7或漏極形成區(qū)域8上的上面為止的厚度至少達(dá)到10nm以上。通過將籽晶層9形成為具有上述那樣的厚度，在基于后述的固相外延法的雜質(zhì)的活性化之時(shí)，將該籽晶層9作為晶核使源極形成區(qū)域7及漏極形成區(qū)域8良好地固相外延生長，可以再次結(jié)晶化。
作為用于形成源極形成區(qū)域7及漏極形成區(qū)域8的打入能量，例如B(硼元素)的情況下為2keV左右，P(磷)的情況下為6keV。另外，關(guān)于劑量(Dosage)作為1.5×1015/cm2左右。此外，關(guān)于注入的雜質(zhì)的類型，一般在制作晶體管為N型的情況下為P型雜質(zhì)，P型的情況下為N型雜質(zhì)，但是并不局限于此，可以根據(jù)將晶體管的閾值設(shè)定為哪個(gè)值，適當(dāng)設(shè)定雜質(zhì)的類型。
此外，硅層3的、上述柵電極5及側(cè)壁6的正下方成為無注入雜質(zhì)的本征半導(dǎo)體層區(qū)域、或摻雜了微量雜質(zhì)的微量雜質(zhì)區(qū)域。并且，通過上述的本征半導(dǎo)體區(qū)域或微量雜質(zhì)區(qū)域，形成溝道區(qū)域10。
接著，將上述基板1放進(jìn)燒成爐中，例如在氬氣氣氛中以350℃～550℃加熱1小時(shí)～5小時(shí)(第2工序)，以上述籽晶層9作為晶核(籽晶)向上述形成區(qū)域7及漏極區(qū)域8誘發(fā)固相外延過程，使其固相外延生長。在本實(shí)施方式中，在550℃下進(jìn)行了1個(gè)小時(shí)的加熱。于是，源極形成區(qū)域7及漏極形成區(qū)域8，根據(jù)上述的固相外延生長(固相外延法)，通過注入的雜質(zhì)以比較低的溫度擴(kuò)散，并使其活性化而放入到有效的位置中，從而如圖2(a)所示那樣成為源極7a及漏極8a。
另外，一但非晶質(zhì)化的源極形成區(qū)域7及漏極形成區(qū)域8恢復(fù)結(jié)晶，如上所述將結(jié)晶性的籽晶層9作為晶核而重結(jié)晶，成為源極7a及漏極8a。此時(shí)，由于在550℃(350℃～550℃)下進(jìn)行根據(jù)該固相外延法的雜質(zhì)活性化/重結(jié)晶化，因此即使在基板1上有半導(dǎo)體元件等其他構(gòu)成要素，也不會(huì)給這些帶來通常設(shè)計(jì)以上的熱過程。
接著，根據(jù)濺射法等使鎳成膜，進(jìn)一步在該膜之上層疊氮化鈦。接著，在350℃～550℃之間，本實(shí)施方式中在400℃下加熱并進(jìn)行退火處理，使源極7a及漏極8a的表層部硅化物化。通過在如此的溫度下加熱并使其硅化物化，在源極7a及漏極8a的表層部形成由一硅化鎳(NiSi)構(gòu)成的硅化物層11。由于由該一硅化鎳構(gòu)成的硅化物層11的電阻率低至大約20μΩ/cm，因此源極7a及漏極8a的寄生電阻變得非常小。
然后，如圖2(b)所示，根據(jù)濕式蝕刻選擇性地除去由上述一硅化鎳構(gòu)成的硅化物層11以外的區(qū)域中的未反應(yīng)的鎳膜及氮化鈦膜。
接著，如圖2(c)所示，覆蓋上述硅化物層11及柵電極5而形成氧化硅膜，并形成層間絕緣膜12。
接著，如圖3(a)所示，通過光刻法形成貫通層間絕緣膜12而到達(dá)在上述源極7a側(cè)的硅化物層11、漏極8a側(cè)的硅化物層11的2個(gè)接觸孔13。
其后，通過在層間絕緣膜12上，例如由濺射法等成膜法形成Ti/Al/Ti的層疊膜，接著由光刻法圖案形成上述層疊膜，形成如圖3(b)所示的源電極14及漏電極15，形成晶體管(薄膜晶體管)16。
由此而得到的晶體管16，由于源極7a及漏極8a通過以硅層3的一部分作為籽晶層9的固相外延法使雜質(zhì)活性化，因此使這些源極7a及漏極8a電性良好地活性化，由此成為具有良好的電特性的晶體管。
另外，由于通過固相外延法，將構(gòu)成源極7a及漏極8a的硅層重結(jié)晶，因此寄生電阻變小，由此晶體管的電特性變得更好。進(jìn)一步，通過硅化物化在源極7a及漏極8a上形成有由一硅化鎳構(gòu)成的硅化物層11，因此在源極7a及漏極8a中的寄生電阻變得更小，從而晶體管的電特性變得更好。
另外，在本實(shí)施方式中，關(guān)于由此而形成的晶體管16，通過3維重疊而形成該晶體管，制造3維結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置。即，如圖4(a)所示，在上述晶體管16之上形成由氧化硅等構(gòu)成的層間絕緣膜17。
接著，如圖1(b)所示，在層間絕緣膜16上形成島狀的硅層3。以下，反復(fù)進(jìn)行圖1(c)、圖2(a)～(c)、圖3(a)、(b)中所示的工序，如圖4(b)所示，在上述的晶體管16上重疊由氧化膜等構(gòu)成的晶體管16。
在這樣的上層的晶體管16的形成中，特別是，由于通過基于在350℃～550℃的溫度范圍內(nèi)加熱的固相外延法進(jìn)行源極7a、漏極8a的形成，因此可以良好地形成這些源極7a、漏極8a，同時(shí)也可以避免給其他要素、例如下層的晶體管16中的源極7a或漏極8a等帶來通常設(shè)計(jì)以上的熱過程。
另外，由于對(duì)用于形成硅化物層11的硅化物化工序中的加熱處理溫度，也在350℃～550℃的溫度下進(jìn)行，因此在該工序中也可以避免給其他要素、即下層的晶體管16中的源極7a或漏極8a等帶來通常設(shè)計(jì)以上的熱過程。
此外，由此而形成第2層的晶體管16之后，也可以進(jìn)一步通過使用相同的工序，依次重疊第3層、第4層…等晶體管16，得到高集成化的3維半導(dǎo)體裝置。
由此而得到的3維半導(dǎo)體裝置中，由于通過集成化謀求高密度化，并且可以在上下的半導(dǎo)體層間直接3維地形成接觸孔，直接連接布線，因此與以往相比可以使布線距離變得更短。其結(jié)果，大幅度地縮短布線延遲時(shí)間，因此不依賴于微細(xì)化而可以謀求半導(dǎo)體裝置的高性能化。另外，例如通過將這些應(yīng)用于電光學(xué)裝置等中，也可以實(shí)現(xiàn)顯示的高精細(xì)化等。
此外，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施方式，在不脫離本發(fā)明的要旨的前提下可以進(jìn)行各種變更。例如，在上述實(shí)施方式中，雖然將由石英構(gòu)成的基板作為本發(fā)明中的基體，但是對(duì)于基板，例如也可以使用SOI基板或硅基板。在使用這樣的SOI基板或硅基板的情況下，特別是對(duì)于最下層的半導(dǎo)體元件(晶體管)，由于沒有構(gòu)成其他元件的要素，因此代替由上述那樣的所謂的低溫多晶硅膜制作的方法，可以采用由高溫多晶硅膜制作的方法。并且，在由此而形成的最下層的半導(dǎo)體元件(晶體管)上，由上述的方法形成晶體管16。由此，對(duì)于最下層的半導(dǎo)體元件(晶體管)采用了由高溫多晶硅膜制作的方法的情況下，特別是具備了由上述的SOI基板或硅基板構(gòu)成的基板、和形成在這些基板上的最下層的半導(dǎo)體元件(晶體管)的基板作為本發(fā)明中的基體。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中具備第1工序，對(duì)形成在基體上的結(jié)晶性半導(dǎo)體膜之中除了與所述基體相接的第1部分以外的至少第2部分及第3部分注入雜質(zhì)；和第2工序，在所述第2部分及所述第3部分分別形成源極及漏極；所述第1工序還包括將構(gòu)成所述結(jié)晶性半導(dǎo)體膜的材料沉積在所述基體上的第1副工序；所述第2工序還包括至少對(duì)所述第2部分及所述第3部分進(jìn)行加熱的第2副工序。
2.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中具備第1工序，對(duì)形成在基體上的結(jié)晶性半導(dǎo)體膜之中除了第1部分以外的至少第2部分及第3部分注入雜質(zhì)；和第2工序，在所述第2部分及所述第3部分分別形成源極及漏極；在所述第2工序中，通過至少對(duì)所述第2部分及所述第3部分實(shí)施加熱處理，使所述第2部分及所述第3部分的結(jié)晶性比進(jìn)行所述加熱處理前的所述第2部分及所述第3部分的結(jié)晶性提高。
3.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中具備第1工序，對(duì)形成在基體上的結(jié)晶性半導(dǎo)體膜之中除了第1部分以外的至少第2部分及第3部分注入雜質(zhì)；第2工序，在所述第2部分及所述第3部分分別形成源極及漏極；在所述第2工序中，通過至少對(duì)所述第2部分及所述第3部分實(shí)施加熱處理，誘發(fā)以所述第1部分的至少一部分作為籽晶的所述第2部分及所述第3部分的固相外延過程。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3的任意一項(xiàng)中所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述第2工序中，在350℃～550℃的加熱溫度下進(jìn)行對(duì)至少所述第2部分及所述第3部分施加的加熱處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4的任意一項(xiàng)中所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具備在所述結(jié)晶性半導(dǎo)體層上經(jīng)由柵絕緣膜形成由金屬構(gòu)成的柵電極的工序。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5的任意一項(xiàng)中所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具備在所述源極/漏極上形成金屬層，接著通過進(jìn)行加熱處理，使所述源極/漏極的表層部硅化物化的工序。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在350℃～550℃的溫度下進(jìn)行所述硅化物化工序中的加熱處理。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，對(duì)所述源極/漏極的表層部進(jìn)行一硅化鎳處理。
9.根據(jù)權(quán)利要求1～8的任意一項(xiàng)中所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，作為所述基體，通過使用在基板上形成晶體管的基板，在所述基板上3維層疊晶體管。
10.一種半導(dǎo)體裝置，在基體上形成晶體管而形成，其中，在基體上設(shè)有由沉積法形成的結(jié)晶性半導(dǎo)體層；在所述結(jié)晶性半導(dǎo)體上設(shè)有源極/漏極，該源極/漏極是通過以所述基體側(cè)的一部分作為籽晶層的固相外延法使雜質(zhì)活性化而形成的。
全文摘要
提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法和根據(jù)該制造方法而得到的半導(dǎo)體裝置，其中，半導(dǎo)體裝置的制造方法，具備第1工序，對(duì)形成在基板上的結(jié)晶性半導(dǎo)體膜3之中除了第1部分以外的至少第2部分及第3部分注入雜質(zhì)；第2工序，在第2部分及第3部分分別形成源極及漏極。在第2工序中，通過至少對(duì)第2部分及第3部分實(shí)施加熱處理，引誘以第1部分的至少一部分作為籽晶的第2部分及第3部分的固相外延過程。因此得到良好的電特性的晶體管，可以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的微細(xì)化或高密度化，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)三維重疊。
文檔編號(hào)H01L21/20GK1841685SQ20061007163
公開日2006年10月4日 申請(qǐng)日期2006年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月30日
發(fā)明者島田浩行 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社