專利名稱：片式電子裝置、其制備方法及包含其的顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及片式電子裝置和包含其的液晶顯示(“LCD”)裝置，更特別地，涉及可防止由于外部電極之間高度差異所引起的焊接缺陷的片式電子裝置和包含其的顯示裝置以及片式電子裝置的制備方法。
背景技術(shù)：
由于對于小且重量輕的電子裝置不斷增長的需求，片式電子裝置被廣泛應(yīng)用于增加電路板的布線密度。片式電子裝置的示例包括多層陶瓷電容器(“MLCC”)、片式電阻器和片式電感器。
MLCC是片式電容器，其中介電層和內(nèi)部電極以小的薄膜多層層疊而成。片式電阻器是用于表面封裝(surface package)的小且薄的電阻器。片式電感器是用于去除電子裝置的噪聲的表面封裝型電感器。
傳統(tǒng)的片式電子裝置通過焊接工藝被安裝于印刷電路板(“PCB”)或柔性印刷電路(“FPC”)板上。然而，由于存在移除PCB或FPC以減少成本以及使得LCD變薄的傾向，所以需要可以被安裝于LCD面板上的片式電子裝置。
參考圖1，安裝于PCB或FPC上的傳統(tǒng)的片式電子裝置2包括包含堆疊的多個介電層的主體4以及多對外部電極6和8。每對外部電極6和8彼此相對，其中主體4位于兩者之間。
外部電極對6和8形成于主體4的相對側(cè)以連接至形成于主體4內(nèi)的內(nèi)部電極，以及形成于主體4的底部以連接至LCD面板的導電襯墊。當通過包括蝕刻工藝的光刻工藝形成外部電極對6和8時，它們先被形成于主體4的側(cè)面，然后被形成于主體4的底部。因此，光刻工藝和蝕刻工藝至少分別需要兩次，從而使得整個過程復雜化。為了解決這個問題，使用浸漬方法在主體4上形成外部電極對6和8。如圖2A所示，浸漬方法包括分別將主體4的側(cè)面4a和主體4的頂面4b和底面4c浸漬至液態(tài)的導電漿料10中。然后，導電漿料被熱處理。這時，形成于主體4的頂面4b和底面4c上的外部電極對6和8的厚度比形成于主體4的側(cè)面4a上的那些薄，如圖2B所示。此外，形成于主體4的底面4c上具有上述高度和表面積的外部電極對6和8被表面安裝于LCD面板上。然而，形成于底面4c上的外部電極對6和8的高度和表面積是不均勻的。難以將具有不均勻高度的外部電極對的片式電子裝置恰當?shù)匕惭b于LCD面板的較低基板上。如果安裝于較低基板上的片式電子裝置使用了具有高的高度的外部電極對，則具有較高高度的外部電極被連接至形成于較低基板上的信號襯墊上，但是較低高度的外部電極沒有被連接至形成于較低基板上的信號襯墊上。此外，具有不均勻表面積的外部電極6和8的片式電子裝置2，而且不均勻表面積與形成于較低基板上的信號襯墊的對應(yīng)的接觸面積不同，這將導致兩者之間的不良接觸。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的示例性實施例提供了可用于防止由于外部電極之間的高度偏差引起結(jié)合缺陷的片式電子裝置以及包括其的顯示裝置。
根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施例，片式電子裝置包括其中堆疊了多個介電層的主體、貫穿了多個介電層中的至少一個的接觸孔、埋入接觸孔內(nèi)的連接電極對、以及連接至連接電極對上且形成于主體的后表面上的外部電極對。
片式電子裝置的一個示例性實施例進一步包括形成于主體的前表面上且被連接至外部電極對上的電阻層。
片式電子裝置的另一個示例性實施例進一步包括交替地形成于多個介電層之間的內(nèi)部電極對，該內(nèi)部電極對在之間設(shè)置有介電層地彼此交疊且被電連接至外部電極對上。
片式電子裝置的另一個示例性實施例進一步包括以螺旋形式形成于多個介電層上的內(nèi)部電極，且具有連接至外部電極對上的一個末端以及另一個末端。
片式電子裝置進一步包括形成于主體后表面的兩個外側(cè)上的定位標識。
片式電子裝置是片式電容器、片式電阻器、片式電感器、片式二極管和片式可變電阻器中的至少一個。
根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施例，片式電子裝置包括一個其中堆疊有多個介電層的主體，貫穿了多個介電層中至少一個的接觸孔，埋入接觸孔內(nèi)的連接電極對，以及連接至連接電極對上、以給定間隔分別形成于主體的后表面上并通過導電膜連接至絕緣基板的信號襯墊上的外部電極對。
片式電子裝置是片式電容器、片式電阻器、片式電感器、片式二極管和片式可變電阻器中的至少一個。
片式電子裝置進一步包括形成于主體的后表面的兩個外側(cè)上的定位標識。
仍然根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施例，顯示裝置包括其中形成有信號襯墊的顯示面板，和安裝于顯示面板上且連接至信號襯墊上的片式電子裝置。片式電子裝置包括其中堆疊有多個介電層的主體，貫穿了多個介電層中至少一個的接觸孔，埋入接觸孔內(nèi)的連接電極對，以及連接至連接電極對并形成于主體的后表面上、電連接至信號襯墊上的外部電極對。
顯示裝置進一步包括形成于信號襯墊和片式電子裝置之間用于連接信號襯墊和片式電子裝置的導電層。
仍然根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施例，公開了一種形成片式電子裝置的方法。該方法包括堆疊多個介電層以形成主體和貫穿多個介電層中的至少一個以形成成對的接觸孔。連接電極對被埋入對應(yīng)的接觸孔中且外部電極對被連接至對應(yīng)的連接電極，該外部電極對形成于主體的后表面上。
本發(fā)明的上述以及其他方面、特征和優(yōu)點通過以下的結(jié)合附圖的詳細描述將更為顯而易見，其中圖1是傳統(tǒng)的用于安裝于PCB上的片式電子裝置的剖面圖；圖2A和2B是形成圖1所示的片式電子裝置的外部電極的剖面圖；圖3是片式電容器的透視圖，其作為片式電子裝置的根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施例；圖4是圖示圖3所示的片式電容器的剖面圖；圖5是圖示圖3所示的根據(jù)本發(fā)明的片式電容器的另一個示例性實施例的剖面圖；圖6是片式電阻器的剖面圖，其作為根據(jù)本發(fā)明的片式電子裝置的另一個示例性實施例；圖7是片式電感器的剖面圖，其作為根據(jù)本發(fā)明的片式電子裝置的另一個示例性實施例；圖8是具有圖4、6和7所示的片式電子裝置的LCD裝置的平面圖；圖9A是片式電容器沿圖8所示的I-I’線的剖面圖；圖9B是片式電阻器沿圖8所示的II-II’線的剖面圖；圖9C是片式電感器沿圖8所示的III-III’線的剖面圖。
具體實施例方式
下面將根據(jù)附圖描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例。然而，本發(fā)明可以以不同的形式實現(xiàn)，從而本發(fā)明不應(yīng)解釋為局限于此處所述的示例性實施例。相反地，這些示例性實施例被提供來使得這種公開變得徹底并完整，并且向本領(lǐng)域的技術(shù)人員充分傳達本發(fā)明的范圍。
在附圖中，層、薄膜和區(qū)域的厚度為了清晰度而被夸大。當例如層、薄膜、區(qū)域或基板這樣的元件涉及在另一個元件“上”的時候，它可以是直接位于其它元件上或者也可以存在插入元件。如這里所用的，術(shù)語“和/或”包括一個或多個相關(guān)的列出的項目的任意以及所有的組合。
可以理解，盡管詞第一、第二、第三等可以被用于此處以描述不同的元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分并不由這些詞限制。這些詞僅僅用于將一個元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一個元件、部件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開。從而，下面將討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分而不背離本發(fā)明的宗旨。
表示空間關(guān)系的術(shù)語，例如“在...之下”，“在...下面”，“較低的”，“在...上方”，“上面的”等，可被用于此處以易于對描述圖中所示的一個元件或特征與其它元件或特征之間的關(guān)系的說明。可以理解，表示空間關(guān)系的術(shù)語試圖包含裝置在使用或操作中除了圖中給出的方向的不同的取向。例如，如果圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則與其它元件或特征之間的關(guān)系由“在...下面”或“在...之下”描述的元件將被定向為與其它元件或特征之間的關(guān)系為“在...上方”。從而，示范性的術(shù)語“在...下面”可包含上方或下方兩個方位。裝置可以以其它方式定位(旋轉(zhuǎn)90度或在其它方向)以及這里使用的表示空間關(guān)系的術(shù)語可進行相應(yīng)解釋。
此處使用的技術(shù)術(shù)語是用于僅僅描述具體的實施例的目的而非試圖限制本發(fā)明。如這里所用的，“一”、“該”等單數(shù)形式試圖同樣包括復數(shù)形式，除非上下文清楚地指示的除外。可以進一步的理解，當術(shù)語“包括”和/或“包含”用于這篇說明書中時，說明特定的特征、整數(shù)、工藝、操作、元件和/或部件的存在，而不是排除其中一個或多個其它特征、整數(shù)、工藝、操作、元件、部件、和/或其組合的存在或增加。
此處根據(jù)示意性圖示理想化實施例(以及中間結(jié)構(gòu))的剖面圖解來描述本發(fā)明的實施例。同樣地，可以預(yù)期與圖示的形狀存在差異的結(jié)果，例如，制造技術(shù)和/或公差。從而，本發(fā)明的實施例不應(yīng)被解釋為限定于此處描述的區(qū)域的特定形狀，而應(yīng)當包括例如由制造引起的形狀的偏差。例如，圖示為長方形的摻雜區(qū)域?qū)⑼ǔＦ溥吘壘哂袌A形的或彎曲的特征和/或梯度摻雜濃度，而不是從摻雜到非摻雜區(qū)域變化的二元變化。同樣地，通過摻雜形成的埋入?yún)^(qū)域可在埋入?yún)^(qū)域和摻雜發(fā)生的表面之間的區(qū)域中導致一些摻雜。從而，圖中所示的區(qū)域?qū)嶋H上是示意圖，同時它們的外形不用于圖示裝置的區(qū)域的實際形狀，并且不用于限定本發(fā)明的范圍。
除非另外定義，此處使用的所有的術(shù)語(包括技術(shù)和科技術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解的一般的意思相同的意思?？梢赃M一步理解，例如那些普遍使用的詞典中定義的術(shù)語可被認為是具有與它們在相關(guān)技術(shù)的上下文中的意思一致的意思，并且不會被認為是理想化的或過度正式的意義，除非在此處進行了清楚的定義。
圖3是片式電容器的透視圖，作為根據(jù)本發(fā)明的片式電子裝置的一個示例性實施例。圖4是圖示了圖3所示的片式電容器的剖面圖。
參考圖3和4，片式電容器102包括多個介電層104(例如，所示的5個)，分別交替地形成在多個介電層104之間的第一內(nèi)部電極110和第二內(nèi)部電極112，連接至第一內(nèi)部電極110的第一外部電極106，連接至第二內(nèi)部電極112的第二外部電極108，以及形成在最外面的介電層104的兩側(cè)或相對的外側(cè)的定位標識162。
多個介電層104由以陶瓷介質(zhì)材料制成的多層結(jié)構(gòu)形成，并且構(gòu)成片式電容器102的主體。電容器102的電容值由介電層104的介電常數(shù)和厚度決定。
第一內(nèi)部電極110和第二內(nèi)部電極112彼此相對，且介電層104被置于兩者之間。第一內(nèi)部電極110和第二內(nèi)部電極112由鈀(Pd)、鎳(Ni)等形成。
第一內(nèi)部電極110通過埋入在貫穿介電層104的第一接觸孔120中的第一連接電極116彼此相連。第一連接電極116由與第一內(nèi)部電極110相同的金屬在形成第一內(nèi)部電極110時的同時形成?；蛘?，第一連接電極116可以由與第一內(nèi)部電極110不同的金屬通過附加工藝形成，或者可以由與第一內(nèi)部電極110相同的金屬通過附加工藝形成。
第二內(nèi)部電極112通過埋入貫穿介電層104的第二接觸孔122中的第二連接電極118彼此相連。第二連接電極118由與第二內(nèi)部電極112相同的金屬在形成第二內(nèi)部電極112時的同時形成?；蛘?，第二連接電極118可以由與第二內(nèi)部電極112不同的金屬通過附加工藝形成，或者可以由與第二內(nèi)部電極112相同的金屬通過附加工藝形成。
第一和第二外部電極106和108由銀(Ag)、銅(Cu)等形成，并且通過包括蝕刻工藝的光刻工藝或通過絲網(wǎng)印刷工藝形成于最外層介電層104的后部。
如圖4所示，第一外部電極106以單層結(jié)構(gòu)形成于最外層介電層104上，以使其可通過埋入第一連接孔120中的第一連接電極116連接至第一內(nèi)部電極110?；蛘撸鐖D5所示，第一外部電極106可以多層結(jié)構(gòu)形成于最外層介電層104上，以使其可通過埋入第一接觸孔120中的第一連接電極116連接至第一內(nèi)部電極110。例如，以多層結(jié)構(gòu)形成的第一外部電極106包括在最外層的介電層104上由與第一連接電極116相同的金屬形成的第一電極層106a，和在形成定位標識162的同時以與第一電極層106a上的定位標識162相同的金屬形成的第二電極層106b。
如圖4所示，第二外部電極108以單層結(jié)構(gòu)形成于最外層介電層104上，因此其可通過埋入第二連接孔122中的第二連接電極118連接至第二內(nèi)部電極112?；蛘?，如圖5所示，第二外部電極108可以多層結(jié)構(gòu)形成于最外層介電層104上，以使其可通過埋入第二接觸孔122中的第二連接電極118連接至第二內(nèi)部電極112。例如，第二外部電極108包括在最外層介電層104上由與第二連接電極118相同的金屬形成的第一電極層108a，和在形成定位標識162的同時以與第一電極層108a上的定位標識162相同的金屬形成的第二電極層108b。
定位標識162由與外部電極106和108相同的金屬在與外部電極106和108相同的平面上形成?；蛘撸ㄎ粯俗R162由與內(nèi)部電極110和112或連接電極116和118相同的金屬在與內(nèi)部電極110和112中至少一個相同的平面上形成。當將片式電容器102安裝于LCD面板上時使用定位標識162。片式電容器102設(shè)置于LCD面板的較低基板上，因此形成于其上的定位標識162可以與那些形成于LCD面板的較低基板上的相對齊。
如上面所述的，片式電容器102的內(nèi)部電極110和112分別通過連接電極116和118與外部電極106和108相連。因此，片式電容器102的外部電極106和108可通過包括單次蝕刻工藝的光刻工藝或通過絲網(wǎng)印刷工藝形成于最外層介電層104的后部。與傳統(tǒng)的通過浸漬方法形成于主體的側(cè)面和底部的外部電極相比，根據(jù)本發(fā)明的片式電容器102的外部電極106和108可增加或提高電極表面的平面度。此外，由于根據(jù)本發(fā)明的片式電容器102包括多層結(jié)構(gòu)的介電層104，所以介電層104的表面變得平坦，從而可以提高形成于介電層104上的電極的平面度。因此，發(fā)明的片式電容器102可防止例如由于外部電極和LCD面板的較低基板之間的高度和接觸面積中至少一個的差異所導致的不良接觸。由于定位標識162形成于最外層介電層104的兩個末端，所以具有定位標識162的片式電容器102被精確設(shè)置于LCD面板上，與通過利用另外的定位標識排列的集成電路一致。
圖6是片式電阻器的剖面圖，作為根據(jù)本發(fā)明的片式電子裝置的另一個示例性實施例。
參考圖6，片式電阻器130包括形成于作為主體的介電層132的前表面上的電阻層134，分別連接至電阻層134上并形成于介電層132的后表面上的第一外部電極136和第二外部電極138，分別形成于第一外部電極136和第二外部電極138以及電阻層134之間的連接電極140，以及形成于介電層132的后表面的兩個外側(cè)上的定位標識162。
電阻層134由例如氧化釕(RuO2)的電阻材料形成，并且確定片式電阻器130的電阻值。
第一外部電極136和第二外部電極138由例如Ag、Cu、Ni等的金屬形成，并通過包括蝕刻工藝的光刻工藝或通過絲網(wǎng)印刷工藝以單層或多層結(jié)構(gòu)的形式形成于介電層132的后表面上。第一外部電極136和第二外部電極138通過埋入對應(yīng)的接觸孔142中的連接電極140連接至電阻層134。
連接電極140由與第一外部電極136和第二外部電極138相同的金屬在形成第一外部電極136和第二外部電極138時的同時形成?；蛘撸B接電極140可由與第一外部電極136和第二外部電極138相同的金屬通過附加工藝形成，或者可由與第一外部電極136和第二外部電極138不同的金屬通過附加工藝形成。
定位標識162由與外部電極136和138或連接電極140相同的金屬制成，并且形成于與外部電極136和138相同的平面上。在片式電阻器130安裝于LCD面板上時使用定位標識162。片式電阻器130設(shè)置于LCD面板的較低基板上，從而形成于片式電阻器130上的定位標識162可與那些形成在LCD面板的較低基板上的對齊。
如上面所述的，片式電阻器130的內(nèi)部電極通過連接電極140連接至外部電極136和138。因此，片式電阻器130的外部電極136和138可通過包括單個的蝕刻工藝的光刻工藝或通過絲網(wǎng)印刷工藝形成于最外層介電層132的后表面上。與傳統(tǒng)的通過浸漬方法形成于主體的側(cè)面和底部上的外部電極相比，根據(jù)本發(fā)明的片式電阻器130的外部電極136和138可增加或提高電極表面的平面度。因此，發(fā)明的片式電阻器130可防止例如在外部電極136和138和LCD面板的較低基板之間的高度和接觸面積中的至少一個的差異所引起的不良接觸。由于定位標識162形成于介電層132的最外層的兩個末端上，所以具有定位標識162的片式電阻器130被精確設(shè)置于LCD面板上，與通過利用附加的定位標識對齊的集成電路一致。
圖7是片式電感器的剖面圖，其為根據(jù)本發(fā)明的片式電子裝置的再一個示例性實施例。
參考圖7，片式電感器150包括以螺旋形狀形成于多個介電層154上的內(nèi)部電極152，和連接至內(nèi)部電極152的外部電極156和158。
多個介電層154由陶瓷材料以多層結(jié)構(gòu)形成，并構(gòu)成片式電感器150的主體。
內(nèi)部電極152通過埋入貫穿介電層154的對應(yīng)的第一接觸孔144中并被置于相鄰的內(nèi)部電極152之間的第一連接電極164彼此相連。第一連接電極164由與內(nèi)部電極152相同的金屬在形成內(nèi)部電極152時的同時形成?；蛘?，第一連接電極164可由與內(nèi)部電極152不同的金屬通過附加工藝形成，或者可以由與內(nèi)部電極152相同的金屬通過附加工藝形成。如圖7所示，第一連接電極164交替形成于內(nèi)部電極152的左側(cè)和右側(cè)，其中內(nèi)部電極152被設(shè)置在其間。因此，內(nèi)部電極152通過第一連接電極以螺旋形狀形成。
第一輸入/輸出部分170，即螺旋形狀的內(nèi)部電極152的起始部分(例如，內(nèi)部電極152的兩個外接端中之一)，通過貫穿介電層154的第二接觸孔146連接至第一外部電極156。更詳細的，第一輸入/輸出部分170通過埋入第二接觸孔146中的第二連接電極166連接至第一外部電極156。
第二輸入/輸出部分172(例如，內(nèi)部電極152的兩個外接端中另一個)，即螺旋形狀的內(nèi)部電極152的末端部分，通過貫穿介電層154的第三接觸孔148被連接至第二外部電極158。更詳細的，第二輸入/輸出部分172通過埋入第三接觸孔148中的第三連接電極168連接至第二外部電極158。
第一和第二外部電極156和158由例如Ag、Cu等的金屬形成，并通過包含蝕刻工藝的光刻工藝或通過絲網(wǎng)印刷工藝以單層或多層的結(jié)構(gòu)形成于介電層154的最外層上。
定位標識162由與外部電極156和158相同的金屬制成，并形成于與外部電極156和158相同的平面上。或者，定位標識162可由與內(nèi)部電極152或連接電極164、166和168相同的金屬制成，并被形成在與內(nèi)部電極152的至少一個相同的平面上。當片式電感器150設(shè)置于LCD面板上時使用定位標識162。片式電感器150設(shè)置于LCD面板的較低基板上，使得形成于片式電感器150上的定位標識162可與那些形成于LCD面板的較低基板上的相對齊。
如上面所述的，片式電感器150的內(nèi)部電極152分別通過連接電極166和168連接至外部電極156和158上。因此，片式電感器150的外部電極156和158可通過包括單次蝕刻工藝的光刻工藝或通過絲網(wǎng)印刷工藝形成于介電層154最外層的后表面上。與傳統(tǒng)的通過浸漬方法形成與主體的側(cè)面和底部的外部電極相比，根據(jù)本發(fā)明的片式電感器150的外部電極156和158可增加或提高電極表面的平面度。此外，由于根據(jù)本發(fā)明的片式電感器150包括多層結(jié)構(gòu)的介電層154，所以介電層154的表面變得平坦，從而可以提高形成于介電層154上的電極156和158的表面的平面度。因此，發(fā)明的片式電感器150可防止例如在外部電極和LCD面板的較低基板之間的高度和接觸面積中的至少一個的差異所引起的不良接觸。由于定位標識162形成于最外層介電層154的兩個末端，所以具有定位標識162的片式電感器150被精確排列于LCD面板上，與通過利用附加的定位標識對齊的集成電路一致。
圖8圖示了其上安裝有本發(fā)明的片式電子裝置的LCD裝置。
參考圖8，其上安裝有本發(fā)明的片式電子裝置的LCD裝置包括薄膜晶體管(“TFT”)126和濾色器基板128，兩者彼此相對并被組合在一起，其中在兩者之間設(shè)置有液晶材料(圖中未示出)。
濾色器基板128包括用于防止光泄漏的黑矩陣、用于獲得色彩的濾色器、用于與像素電極形成垂直電場的公共電極、涂覆來取向液晶的上部取向?qū)?，所有這些都形成上部基板上。
TFT基板126包括彼此相交形成的柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL；形成于柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL的交叉處的TFT；連接至TFT并面對公共電極的像素電極，兩者之間設(shè)置有液晶并形成液晶單元Clc；以及來取向液晶的下部取向?qū)?，所有這些形成下部基板。
圖4和5所示的多層陶瓷電容器102、圖6所示的片式電阻器130和圖7所示的片式電感器150中的至少一個片式電子裝置安裝于TFT基板126的較低基板上。如圖9A至9C所示，這些片式電子裝置的外部電極106、108、136、138、156和158通過具有導電球124的各向異性導電膜(“ACF”)114連接至形成于下部基板176上的信號襯墊174上。
盡管已經(jīng)作為片式電子裝置的示例描述了片式電阻器130、片式電容器102和片式電感器150，但是片式電子裝置也可能被應(yīng)用于片式二極管、片式可變電阻器等。
此外，盡管已經(jīng)描述了將片式電子裝置利用ACF 114安裝于下部基板176上，但是也可以利用ACF 114安裝于PCB和FPC上。片式電子裝置還可通過焊接工藝安裝于下部基板176、PCB和FPC上中的至少一個上。
除了LCD裝置以外，片式電子裝置還可應(yīng)用于等離子顯示面板、場致發(fā)射裝置、電致發(fā)光裝置等。
可以從前面的描述想到，片式電子裝置和包含其的顯示裝置，在介電層的最外層的后表面上形成第一和第二外部電極，并且在介電層的最外層的兩個末端形成定位標識。因此，可以防止由第一和第二外部電極之間的高度差異所引起的不良接觸。此外，通過利用定位標識可將片式電子裝置置于顯示面板上精確的位置上。
雖然已經(jīng)根據(jù)本發(fā)明的某些示例性實施例對本發(fā)明進行了圖示和描述，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，可在形式和細節(jié)上進行不同的改變而不脫離由權(quán)利要求限定的本發(fā)明的實質(zhì)和范圍。
權(quán)利要求
1.一種片式電子裝置，包括其中堆疊有多個介電層的主體；成對的接觸孔，其中每個所述接觸孔都貫穿所述多個介電層中的至少一個；成對的連接電極，其中每個所述連接電極都埋入對應(yīng)的接觸孔中；和成對的外部電極，其中每個所述外部電極都連接至對應(yīng)的連接電極并形成于所述主體的后表面上。
2.如權(quán)利要求1所述的片式電子裝置，還包括形成于所述主體的前表面上并連接至所述成對的外部電極的電阻層。
3.如權(quán)利要求1所述的片式電子裝置，還包括交替形成于所述多個介電層之間的多對內(nèi)部電極，所述多對內(nèi)部電極在其之間設(shè)置有所述介電層地彼此交疊，并電連接至所述成對的外部電極上。
4.如權(quán)利要求1所述的片式電子裝置，還包括內(nèi)部電極，所述內(nèi)部電極以螺旋形狀形成于所述多個介電層上并且具有連接至所述成對的外部電極上的一個末端和另一個末端。
5.如權(quán)利要求1所述的片式電子裝置，還包括形成于所述主體的后表面的兩個外側(cè)上的定位標識。
6.如權(quán)利要求1所述的片式電子裝置，其中所述片式電子裝置為片式電容器、片式電阻器、片式電感器、片式二極管和片式可變電阻器中的至少一個。
7.一種片式電子裝置，包括其中堆疊有多個介電層的主體；成對的接觸孔，其中每個所述接觸孔都貫穿所述多個介電層中的至少一個；成對的連接電極，其中每個所述連接電極都埋入對應(yīng)的接觸孔中；和成對的外部電極，其中每個所述外部電極都連接至對應(yīng)的連接電極，每個所述外部電極都以給定的間隔單獨地形成于所述主體的后表面上，并且通過導電膜連接至絕緣基板上的信號襯墊。
8.如權(quán)利要求7所述的片式電子裝置，其中所述片式電子裝置是片式電容器、片式電阻器、片式電感器、片式二極管和片式可變電阻器中的至少一個。
9.如權(quán)利要求7所述的片式電子裝置，還包括形成于所述主體后表面兩側(cè)的定位標識。
10.一種顯示裝置，包括其中形成有信號襯墊的顯示面板；和安裝于所述顯示面板上并連接至所述信號襯墊上的片式電子裝置；其中所述片式電子裝置包括其中堆疊有多個介電層的主體；成對的接觸孔，其中每個所述接觸孔都貫穿所述多個介電層中的至少一個；成對的連接電極，其中每個所述連接電極都埋入對應(yīng)的接觸孔中；和成對的外部電極，其中每個所述外部電極都連接至對應(yīng)的連接電極，每個所述外部電極都被形成于所述主體的后表面上，并且電連接至所述信號襯墊上。
11.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，還包括形成于所述信號襯墊和所述片式電子裝置之間用于連接所述信號襯墊和所述片式電子裝置的導電膜。
12.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，還包括形成于所述主體的前表面上并連接至所述成對的外部電極上的電阻層。
13.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，還包括交替形成于所述多個介電層之間的多對內(nèi)部電極，所述多對內(nèi)部電極在其之間設(shè)置有所述介電層地彼此交疊，并電連接至所述成對的外部電極上。
14.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，還包括內(nèi)部電極，所述內(nèi)部電極以螺旋形狀形成于所述多個介電層上，并且具有連接至所述成對的外部電極上的一個末端和另一個末端。
15.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，還包括形成于所述主體的后表面的兩個外側(cè)上的定位標識。
16.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其中所述片式電子裝置為片式電容器、片式電阻器、片式電感器、片式二極管和片式可變電阻器中的至少一個。
17.一種形成片式電子裝置的方法，所述方法包括堆疊多個介電層以形成主體；貫穿所述多個介電層中的至少一個以形成成對的接觸孔；將成對的連接電極中的每一個埋入對應(yīng)的接觸孔中；和將成對的外部電極連接至對應(yīng)的連接電極，所述成對的外部電極形成于所述主體的后表面上。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，還包括在所述主體的前表面上形成連接至所述成對的外部電極上的電阻層。
19.如權(quán)利要求17所述的方法，還包括在所述多個介電層之間交替形成多對內(nèi)部電極，所述多對內(nèi)部電極在其之間設(shè)置有所述介電層地彼此交疊，并電連接至所述成對的外部電極上。
20.如權(quán)利要求17所述的方法，還包括在所述多個介電層上形成螺旋形狀的內(nèi)部電極，所述內(nèi)部電極具有連接至所述成對的外部電極上的一個末端和另一個末端。
21.如權(quán)利要求17所述的方法，還包括在主體的后表面的兩個外側(cè)上形成定位標識。
22.如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述片式電子裝置為片式電容器、片式電阻器、片式電感器、片式二極管和片式可變電阻器中的至少一個。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種可用于防止由于外部電極之間的高度的差異引起的結(jié)合缺陷的片式電子裝置和包含其的顯示裝置。所述片式電子裝置包括其中堆疊有多個介電層的主體；成對的接觸孔，其中每個接觸孔都貫穿多個介電層中的至少一個；多對連接電極，其中每個連接電極都埋入對應(yīng)的接觸孔中；多對外部電極，其中每個外部電極都連接至對應(yīng)的連接電極并形成于主體的后表面上。本發(fā)明還公開了形成該片式電子裝置的方法。
文檔編號H01F17/00GK101013630SQ200610064259
公開日2007年8月8日 申請日期2006年11月6日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月4日
發(fā)明者金炯杰, 李建斌, 金東煥, 池安祜, 安亨哲 申請人:三星電子株式會社