專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，特別是涉及使用支承體的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，為了提高安裝密度要求半導(dǎo)體芯片的薄型化、小型化，為了滿(mǎn)足該要求也需要將硅等半導(dǎo)體基板變薄。但是，若半導(dǎo)體基板變薄，在制造工序中由于產(chǎn)生強(qiáng)度降低而導(dǎo)致的翹曲或破損而不可能搬送。在此，通常進(jìn)行將玻璃基板或保護(hù)帶等支承體貼在半導(dǎo)體基板的一面上，將未貼合支承體的面用研磨機(jī)等研削來(lái)進(jìn)行薄型化的處理。
圖15、16表示現(xiàn)有半導(dǎo)體裝置制造方法中的支承體剝離除去工序的概略剖面圖。如圖15所示，在硅等構(gòu)成的半導(dǎo)體基板100的表面上，通過(guò)氧化硅膜等第一絕緣膜102形成鋁等構(gòu)成的焊盤(pán)電極101。另外，在焊盤(pán)電極101的一部分上用氮化硅膜等鈍化膜103覆蓋。而且，在半導(dǎo)體基板100的表面上作為支承體的玻璃基板104通過(guò)粘接層105貼合。在此，在玻璃104上形成多個(gè)用于提供粘接層105的溶解劑的貫通孔106。另外，代替玻璃基板104或金屬或樹(shù)脂等構(gòu)成的剛性基板，也可以采用膜狀的保護(hù)帶作為支承體。
另外，貫通半導(dǎo)體基板100，形成從其背面到焊盤(pán)電極101的通路孔107。在該通路孔107的側(cè)壁和半導(dǎo)體基板100的背面上形成氧化硅膜等第二絕緣膜108。
而且，在通路孔107中形成與焊盤(pán)電極101電連接的阻擋層109和貫通電極110，在半導(dǎo)體基板100的背面上延伸與該貫通電極110相接的布線層111。然后，形成覆蓋第二絕緣膜108、布線層111、貫通電極110由阻焊劑等構(gòu)成的保護(hù)層112，保護(hù)層112的規(guī)定區(qū)域開(kāi)口，在該開(kāi)口部上形成球狀的導(dǎo)電端子113。
然后，如圖16所示，在半導(dǎo)體基板100的背面上貼合切割帶115，從貫通孔106提供粘接層105的溶解劑(例如乙醇或丙酮)，剝離除去玻璃基板104。此后，使用切割刀或激光沿著切割線DL通過(guò)切割，分割成各個(gè)半導(dǎo)體芯片。
另外，在代替玻璃基板104使用膜狀保護(hù)帶的情況下，切割后，例如使用粘接帶剝離的方式使保護(hù)帶(支承體)剝離(參考專(zhuān)利文獻(xiàn)2的圖7等)。
上述技術(shù)記載在以下的專(zhuān)利文獻(xiàn)中。
(日本)特開(kāi)2005-191550號(hào)公報(bào)[專(zhuān)利文獻(xiàn)2](日本)特開(kāi)2002-270676號(hào)公報(bào)[專(zhuān)利文獻(xiàn)3](日本)特開(kāi)2001-185519號(hào)公報(bào)但是，在上述現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，由于在作為支承體的玻璃基板104上，形成作為可以供給粘接層105的溶解劑的通路的微細(xì)貫通孔106或槽等，所以產(chǎn)生了制造工序變復(fù)雜、成本變高的問(wèn)題。另外，當(dāng)使用如上述形成有溶解劑供給通路的支承體時(shí)，從形成該通路的位置發(fā)生脫氣(Out-Gas)或浸入腐蝕物質(zhì)等，會(huì)有對(duì)半導(dǎo)體裝置的制造工藝產(chǎn)生惡劣的影響的情況。而且，存在施加溶解劑供給通路的加工導(dǎo)致支承體的強(qiáng)度降低，在支承體上產(chǎn)生機(jī)械損傷的情況。而且，在支承體再循環(huán)利用時(shí)難以檢驗(yàn)貫通孔106或槽等溶解劑供給通路的金屬污染狀況。
另外，代替形成有貫通孔106或槽等溶解劑供給通路的玻璃或石英或陶瓷、金屬、樹(shù)脂等剛性支承體，也可以使用膜狀保護(hù)帶作為支承體，但是在現(xiàn)有的保護(hù)帶剝離方法中，在使保護(hù)帶剝離時(shí)在薄型化的半導(dǎo)體裝置中產(chǎn)生機(jī)械缺陷的問(wèn)題。而且，在使用保護(hù)帶作為支承體的情況下也有必須考慮制造工藝中保護(hù)帶耐熱性這樣的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
在此，本發(fā)明的目的是簡(jiǎn)化使用支承體的半導(dǎo)體裝置的制造工序，降低制造成本、使可靠性和成品率提高。而且，提供適合半導(dǎo)體裝置薄型化、小型化的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
本發(fā)明的主要特征如下。即，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，具有準(zhǔn)備在其表面上形成有焊盤(pán)電極的半導(dǎo)體基板，在上述半導(dǎo)體基板的表面上通過(guò)粘接層貼合支承體的工序；在上述半導(dǎo)體基板上形成通路孔的工序；在上述通路孔中形成與上述焊盤(pán)電連接的貫通電極的工序；形成覆蓋含有上述貫通電極的上述半導(dǎo)體基板的背面上的保護(hù)層的工序；除去部分上述半導(dǎo)體基板，使上述粘接層一部分露出的工序；通過(guò)從上述粘接層露出的位置供給使上述粘接層溶解的溶解劑，從上述半導(dǎo)體基板分離上述支承體的工序。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，在貼合上述支承體的工序前，具有在上述焊盤(pán)電極上形成用于與其它半導(dǎo)體裝置的電極連接的電極連接層的工序。
另外，本發(fā)明的上述支承體的特征在于，不形成可以供給上述溶解劑的通路。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，具有在半導(dǎo)體基板的表面上通過(guò)粘接層貼合支承體的工序；除去一部分上述半導(dǎo)體基板，從上述半導(dǎo)體基板的背面形成使上述粘接層露出的開(kāi)口部的工序；通過(guò)從上述粘接層露出的位置供給使上述粘接層溶解的溶解劑，從上述半導(dǎo)體基板分離上述支承體的工序。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，具有準(zhǔn)備通過(guò)絕緣膜形成有焊盤(pán)電極的半導(dǎo)體基板，在上述半導(dǎo)體基板的表面上通過(guò)粘接層貼合支承體的工序；除去上述半導(dǎo)體基板和上述絕緣膜，使上述焊盤(pán)電極露出的工序；形成與上述露出焊盤(pán)電極電連接的布線層的工序；形成覆蓋含有上述布線層的上述半導(dǎo)體基板背面的保護(hù)膜的工序；除去一部分上述半導(dǎo)體基板，使上述粘接層一部分露出的工序；通過(guò)從上述粘接層露出的位置供給使上述粘接層溶解的溶解劑，從上述半導(dǎo)體基板分離上述支承體的工序。
根據(jù)本發(fā)明，不需要使用形成有貫通孔或槽等溶解劑供給通路的支承體。由此可以簡(jiǎn)略制造工序，削減成本，同時(shí)可以防止由于該溶解劑供給通路的存在導(dǎo)致的脫氣的發(fā)生或浸入腐蝕物質(zhì)等影響。
另外，在貼合支承體的工序前，在具有在焊盤(pán)電極上形成用于與其它半導(dǎo)體裝置的電極連接的電極連接層的工序的情況下，可以制造高性能、可靠性和成品率高的層積用半導(dǎo)體裝置。另外，在分離成各個(gè)半導(dǎo)體芯片后容易使半導(dǎo)體芯片層積，提高了作業(yè)性。


圖1是說(shuō)明本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖2是說(shuō)明本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖3是說(shuō)明本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖4是說(shuō)明本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖5是說(shuō)明本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖。
圖6是說(shuō)明本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖7是說(shuō)明本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖8是說(shuō)明本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖9是說(shuō)明本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖10是說(shuō)明本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖11是說(shuō)明本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖12是說(shuō)明本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖13是說(shuō)明本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖14是說(shuō)明本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖15是說(shuō)明現(xiàn)有半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖16是說(shuō)明現(xiàn)有半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖17是說(shuō)明本發(fā)明第三實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖18A～18C是說(shuō)明本發(fā)明第三實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖19A～19B是說(shuō)明本發(fā)明第三實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖20是說(shuō)明本發(fā)明第三實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖21是說(shuō)明本發(fā)明第三實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖22是說(shuō)明本發(fā)明第三實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖23是說(shuō)明本發(fā)明第三實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖24是說(shuō)明本發(fā)明第三實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖25是說(shuō)明本發(fā)明第三實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖面圖；圖26是說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的變更例的剖面圖。
附圖標(biāo)記說(shuō)明1半導(dǎo)體基板；2第一絕緣膜；3焊盤(pán)電極；4鈍化膜；5粘接層；6支承體；7抗蝕劑層；8通路孔；9第二絕緣膜；10抗蝕劑層；15阻擋層；16貫通電極；17布線層；18抗蝕劑層；20保護(hù)層；21開(kāi)口部；22導(dǎo)電端子；23抗蝕劑層；25溶解劑；30電極連接層；31鎳層；32金層；40、40a、40b槽部；41(半導(dǎo)體基板的)外周部；41開(kāi)口部；50槽部；60絕緣膜；100半導(dǎo)體基板；101焊盤(pán)電極；102第一絕緣膜；103鈍化膜；104玻璃基板；105粘接層；106貫通孔；107通路孔；108第二絕緣膜；109阻擋層；110貫通電極；111布線層；112保護(hù)層；113導(dǎo)電端子；115切割帶；DL切割線。
具體實(shí)施例方式
接著，參考附圖對(duì)本發(fā)明的第一實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。圖1～圖10分別依次表示制造工序的剖面圖。
首先，如圖1所示，準(zhǔn)備在其表面上形成有未圖示電子器件(例如，CCD或紅外線傳感器等受光元件或發(fā)光元件)的半導(dǎo)體基板1。半導(dǎo)體基板1為例如300μm～700μm左右的厚度。然后，在半導(dǎo)體基板1的表面上形成例如2μm的膜厚的第一絕緣膜2(例如通過(guò)熱氧化法或CVD法形成的氧化硅膜或BPSG膜)。
接著，通過(guò)噴鍍法或電鍍法、其它成膜方法形成鋁(Al)或銅(Cu)等金屬層，此后以未圖示的抗蝕劑層作為掩模蝕刻該金屬層，在第一絕緣膜2上形成例如1μm膜厚的焊盤(pán)電極3。焊盤(pán)電極3與半導(dǎo)體基板1上的電子器件或其周邊元件電連接。
接著，在半導(dǎo)體基板1的表面上形成覆蓋在焊盤(pán)電極3的一部分上的鈍化膜4(例如通過(guò)CVD法形成的氮化硅膜)。另外，第一絕緣膜2和鈍化膜4可以不形成在各個(gè)半導(dǎo)體芯片的邊界上，但是從如下所述作為停止層使用的觀點(diǎn)看可以形成在邊界上。
接著，在含有焊盤(pán)電極3的半導(dǎo)體基板1的表面上通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂、抗蝕劑、丙烯等粘接層5貼合支承體6。支承體6可以是例如膜狀的保護(hù)帶，但是若為玻璃或石英、陶瓷、塑料、金屬、樹(shù)脂等有剛性的基板，對(duì)于牢固地支持被薄型化的半導(dǎo)體基板1，實(shí)現(xiàn)不通過(guò)人手而進(jìn)行搬送的自動(dòng)化是優(yōu)選的。另外，不需要在支承體6上加工形成用于供給粘接層5的溶解劑的通路(貫通孔或槽等)。支承體6在支持半導(dǎo)體基板1的同時(shí)，具有保護(hù)其表面的功能。
接著，對(duì)半導(dǎo)體基板1的背面使用背面研削裝置(研磨機(jī))進(jìn)行背研磨，將半導(dǎo)體基板1的厚度研削成規(guī)定的厚度(例如50～20μm左右)。該研削工序也可以利用蝕刻處理，也可以研磨機(jī)和蝕刻處理并用。另外，根據(jù)最終產(chǎn)品的用途或規(guī)格、所準(zhǔn)備的半導(dǎo)體基板1最初的厚度也有不需要進(jìn)行該研削工序的情況。
接著，如圖2所示，在半導(dǎo)體基板1的背面上有選擇地形成抗蝕劑層7?？刮g劑層7在與半導(dǎo)體基板1的背面中的焊盤(pán)電極3相對(duì)應(yīng)的位置上具有開(kāi)口部。接著，以該抗蝕劑層7作為掩模蝕刻半導(dǎo)體基板1。通過(guò)該蝕刻，將與焊盤(pán)電極3相對(duì)應(yīng)的位置的半導(dǎo)體基板1從該背面至表面貫通形成通路孔8。在通路孔8的底部使第一絕緣膜2露出。而且，以抗蝕劑層7作為掩模進(jìn)行蝕刻，除去該露出的第一絕緣膜2。另外，該第一絕緣膜2的蝕刻工序也可以不在該階段中進(jìn)行，而與其它蝕刻工序同時(shí)進(jìn)行。
另外，雖未圖示，但是通路孔8可以不將半導(dǎo)體基板1從背面貫通至表面，其底部可以在半導(dǎo)體基板1的中間。
接著，除去抗蝕劑層7后，如圖3所示在含有通路孔8內(nèi)的半導(dǎo)體基板1的背面的整個(gè)面上形成第二絕緣膜9(例如通過(guò)CVD法形成氧化硅膜或氮化硅膜)。
接著，如圖4所示在第二絕緣膜9上形成抗蝕劑層10。接著，如圖5所示將抗蝕劑層10作為掩模蝕刻并除去通路孔8底部的第二絕緣膜9。另外，利用第二絕緣膜9形成為在半導(dǎo)體基板1的背面最厚，隨著朝向通路孔8內(nèi)的側(cè)壁、底部而變薄的傾向，不使用掩模也可以進(jìn)行該蝕刻。通過(guò)不使用掩模進(jìn)行蝕刻，可以謀求制造工藝的合理化。
接著，如圖6所示，在含有通路孔8的半導(dǎo)體基板1背面的第二絕緣膜9上形成阻擋層15。并且，在阻擋層15上形成未圖示的籽晶層(シ一ド層)。在此，上述阻擋層15例如由鈦(Ti)層、氮化鈦(TiN)層，氮化鉭(TaN)層等構(gòu)成。另外，上述籽晶層是用于電鍍形成后述布線層17的電極，例如由銅(Cu)等金屬構(gòu)成。這些層通過(guò)噴鍍法或電鍍法，或其它成膜方法形成。
接著，在含有通路孔8內(nèi)的阻擋層15和未圖示的籽晶層上形成例如通過(guò)電解電鍍法由銅(Cu)構(gòu)成的貫通電極16和與其連接的連接布線層17。貫通電極16和布線層17通過(guò)阻擋層15和未圖示的籽晶層與在通路孔8底部露出的焊盤(pán)電極3電連接。
另外，貫通孔16也可以不完全填充在通路孔8內(nèi)，如圖14所示可以不完全填充。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，節(jié)約形成貫通電極16和布線層17所需要的導(dǎo)電材料，同時(shí)，與完全填充的情況相比，由于可以在短時(shí)間內(nèi)形成貫通電極16和布線層17，因此有提高產(chǎn)量的優(yōu)點(diǎn)。
接著，如圖7所示，在半導(dǎo)體基板1的背面的布線層17上有選擇地形成用于形成布線圖案的抗蝕劑層18。接著，以抗蝕劑層18作為掩模通過(guò)蝕刻除去布線層17和籽晶層的不需要部分。通過(guò)該蝕刻，布線層17圖案化成規(guī)定的布線圖案。接著，以布線層17作為掩模有選擇地蝕刻并除去半導(dǎo)體基板1的背面上形成的阻擋層15。
另外，形成阻擋層15、貫通電極16、布線層17不限定在上述工序中。例如通過(guò)在半導(dǎo)體基板1背面上的不形成阻擋層15或布線層17的區(qū)域中形成抗蝕劑層等，此后在該抗蝕劑層等未覆蓋的區(qū)域中形成阻擋層15或布線層17等，也可以進(jìn)行該圖案化。在該工序中不需要抗蝕劑層18。
接著，如圖8所示，在半導(dǎo)體基板1的背面上，有選擇地形成在與切割線相對(duì)應(yīng)位置上設(shè)置開(kāi)口部21的、例如由阻焊劑等有機(jī)材料或氮化硅膜等無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的保護(hù)層20。另外，開(kāi)口部21也可以不在此時(shí)形成，而在后述以抗蝕劑層23作為掩模蝕刻時(shí)形成。另外，在保護(hù)層20中，使導(dǎo)電端子形成區(qū)域開(kāi)口，在該開(kāi)口中露出的布線層17上形成鎳和金構(gòu)成的電極連接層(未圖示)后絲網(wǎng)印刷焊錫，通過(guò)利用熱處理使該焊錫回流形成球狀導(dǎo)電端子22。另外，導(dǎo)電端子22的形成方法也可以用分配器涂布焊錫或球狀端子等所謂的分配法(涂布法)或電解電鍍法等形成。
接著，如圖9所示，除去一部分半導(dǎo)體基板1使一部分粘接層5露出。具體地說(shuō)，例如在半導(dǎo)體基板1的背面上形成抗蝕劑層23，以此作為掩模，順序蝕刻并除去第二絕緣膜9、半導(dǎo)體基板1、第一絕緣膜2和鈍化膜4。另外，不使用抗蝕劑層23作為掩模，在保護(hù)層20上設(shè)置開(kāi)口部21，以此作為掩模也可以進(jìn)行該蝕刻。通過(guò)該蝕刻，粘接層5在該開(kāi)口部21內(nèi)部分露出。
另外，雖然此后除去抗蝕劑層23，但是露出粘接層5時(shí)，由于抗蝕劑層23和粘接層5的材料的關(guān)系，在除去抗蝕劑層23時(shí)也會(huì)同時(shí)除去粘接層5。在此，從防止在除去抗蝕劑層23時(shí)同時(shí)除去粘接層5的觀點(diǎn)，可以采用以下的工藝。首先，以抗蝕劑層23作為掩模蝕刻第二絕緣膜9和半導(dǎo)體基板1時(shí)，不蝕刻鈍化膜4或第一絕緣膜2，將其保留。接著，將第一絕緣膜2或鈍化膜4用作保護(hù)粘接層5的停止層，除去抗蝕劑層23。接著，通過(guò)例如用濕蝕刻等方法除去第一絕緣膜2和鈍化膜4，使粘接層5部分露出。
另外，在粘接層5部分露出時(shí)將多個(gè)半導(dǎo)體裝置分割成各個(gè)半導(dǎo)體芯片。因此，不需要進(jìn)行半導(dǎo)體裝置個(gè)片化或分離的切割工序時(shí)所必須的切割帶或切割刀、激光等設(shè)備，使制造工序簡(jiǎn)略化，可以降低成本。
另外，在本實(shí)施例中，與使用切割刀的情況相比，由于開(kāi)口的側(cè)壁(切斷面)不受到機(jī)械的應(yīng)力，具有損害小，可以形成光滑切斷面的優(yōu)點(diǎn)和可以防止裂縫、鑿毛(チツピング)的優(yōu)點(diǎn)。因此，可以防止在切割工序時(shí)產(chǎn)生的機(jī)械缺陷，可以制造可靠性和成品率高的半導(dǎo)體裝置。而且，不需要進(jìn)行切割刀壓力或切割速度等的控制，使制造工序簡(jiǎn)略化。
另外，在通過(guò)切割刀或激光進(jìn)行個(gè)片化的情況下，不需要用于形成抗蝕劑層23的光刻工序。
接著，如圖10所示，通過(guò)開(kāi)口部21對(duì)露出的粘接層5供給溶解劑25(例如酒精或丙酮)，通過(guò)使粘接力逐漸降低，從半導(dǎo)體基板1剝離并除去支承體6。另外，支承體6也可以回收再利用。
通過(guò)如上所述對(duì)粘接層5直接供給溶解劑25使支承體6剝離，能夠減少支承體6剝離時(shí)的負(fù)荷，減少半導(dǎo)體裝置中產(chǎn)生機(jī)械缺陷的問(wèn)題。
通過(guò)以上工序，完成了具有從半導(dǎo)體基板1的表面形成的焊盤(pán)電極3到在其背面設(shè)置的導(dǎo)電端子22的布線的芯片尺寸封裝型半導(dǎo)體裝置。該半導(dǎo)體裝置裝入電子設(shè)備時(shí)，通過(guò)將導(dǎo)電端子22安裝在電路基板上的布線圖案上，而與外部電路電連接。
另外，將通過(guò)以上工序制造的半導(dǎo)體裝置用于與其它半導(dǎo)體裝置層積的的情況下，此后在半導(dǎo)體基板1的背面形成的電子器件等元件用保護(hù)帶保護(hù)，同時(shí)在焊盤(pán)電極3上形成由鎳(Ni)和金(Au)等構(gòu)成的電極連接層30。這樣，如圖11所示，通過(guò)電極連接層30使一個(gè)半導(dǎo)體裝置的焊盤(pán)電極3和其它半導(dǎo)體裝置的導(dǎo)電端子22連接。需要電極連接層30，是出于鋁等構(gòu)成的焊盤(pán)電極3和焊錫等構(gòu)成的導(dǎo)電端子22難以接合的原因，或在層積時(shí)防止導(dǎo)電端子22的材料流入焊盤(pán)電極3側(cè)的原因。另外，在圖11中表示在半導(dǎo)體基板1的背面不延伸布線層17的結(jié)構(gòu)。
接著參考

本發(fā)明的第二實(shí)施例。在第一實(shí)施例中的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，使用完成的半導(dǎo)體裝置用作層積的情況下，如上所述，在完成后通常是形成層積所必須的電極連接層30。但是，由于半導(dǎo)體基板1已經(jīng)薄型化，所以有裝卸等搬送時(shí)產(chǎn)生機(jī)械缺陷的可能性變高的問(wèn)題。另外，電極連接層30的形成由于僅通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體基板1表面的焊盤(pán)電極3上進(jìn)行加工，所以在該加工時(shí)需要保護(hù)其它表面。因此制造工序復(fù)雜化，增大制造成本。
在此，在本發(fā)明的第二實(shí)施例中，在第一實(shí)施例的制造工序中增加適合于層積用的半導(dǎo)體裝置制造的制造工序。以下，詳細(xì)地說(shuō)明。另外，對(duì)于與第一實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)使用同一附圖標(biāo)記，簡(jiǎn)略、省略其說(shuō)明。
首先，如圖12所示，準(zhǔn)備在其表面上形成有未圖示的電子器件的半導(dǎo)體基板1。接著，在半導(dǎo)體基板1的表面形成第一絕緣膜2。接著，通過(guò)噴鍍法或電鍍法、或其它成膜方法形成鋁(Al)或銅(Cu)等金屬層，此后將未圖示的抗蝕劑層作為掩模蝕刻該金屬層，在第一絕緣膜2上形成焊盤(pán)電極3。焊盤(pán)電極3與半導(dǎo)體基板1上的電子器件或該周邊元件電連接。接著，在半導(dǎo)體基板1的表面上形成覆蓋在焊盤(pán)電極3一部分上的鈍化膜4。另外，從防腐蝕的觀點(diǎn)出發(fā)，鈍化膜4上可以進(jìn)一步形成聚酰亞胺等有機(jī)樹(shù)脂構(gòu)成的絕緣膜作為保護(hù)膜。
接著，如圖13所示，在焊盤(pán)電極3上形成電極連接層30。電極連接層30是例如鎳(Ni)層31和金(Au)層32順序?qū)臃e的層，以抗蝕劑層作為掩模依次噴鍍這些金屬，此后可以利用除去抗蝕劑層的剝離(リフトオフ)法或電鍍法而形成。另外，電極連接層30的材料根據(jù)導(dǎo)電端子22的材料可以適當(dāng)變更。即，在鎳層31和金屬32以外，可以由鈦(Ti)層、銅(Cu)層、錫(Sn)層、鎳化釩(NiV)層、鈀(Pd)層、鉭(Ta)層等構(gòu)成，只要是介于焊盤(pán)電極3和導(dǎo)電端子22之間的電連接，具有保護(hù)焊盤(pán)電極3的功能，則其該材質(zhì)不特別限定，可以是這些層的單層、積層、或這些金屬的合金構(gòu)成的層。作為積層結(jié)構(gòu)的例子是鎳層/金層，鈦層/鎳層/銅層，鈦層/鎳層/金層，鈦層/鎳化釩層/銅層等。
接著，在半導(dǎo)體基板1的表面上通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂等粘接層5貼合支承體6。以后的工序由于與上述第一實(shí)施例相同而省略說(shuō)明。
根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例，在第一實(shí)施例中所得到的效果之外，還主要具有以下的效果。即，在貼合支承體6前，在薄型化半導(dǎo)體基板1前形成電極連接層30。因此，在電極連接層30的形成工序中裝卸等搬送變得容易，防止機(jī)械缺陷。
另外，在半導(dǎo)體基板1的背面上形成布線層17或?qū)щ姸俗?2等之前形成電極連接層30。因此，不需要對(duì)半導(dǎo)體基板1背面特別保護(hù)，使制造工序簡(jiǎn)略化。另外，由于與完成的半導(dǎo)體裝置同時(shí)成為可層積的狀態(tài)，所以有好的作業(yè)性和效率。而且，在形成貫通電極16時(shí)，電極連接層30也有將焊盤(pán)電極4從半導(dǎo)體基板1的表面?zhèn)仍鰪?qiáng)的部件的功能。因此，也有可以防止貫通電極16形成時(shí)焊盤(pán)電極4的拔出或破損、翹曲等問(wèn)題的優(yōu)點(diǎn)。
接著，參考

本發(fā)明的第三實(shí)施例。另外，對(duì)于與第一或第二實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)和制造工藝使用同一附圖標(biāo)記，簡(jiǎn)略并省略其說(shuō)明。
首先，如圖17所示，準(zhǔn)備在其表面形成有未圖示的電子器件的半導(dǎo)體基板1。然后，在半導(dǎo)體基板1的表面上依次形成第一絕緣膜2、焊盤(pán)電極3、鈍化膜4。
接著，如圖18(A)所示除去半導(dǎo)體基板1表面的一部分，設(shè)置槽部40。槽部40是成為后述溶解劑供給通路的一部分的部位，其深度優(yōu)選約10μm以上。
該槽部40優(yōu)選沿著于圖示的切割線DL相對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置。通過(guò)如后所述使槽部40與切割線DL相對(duì)應(yīng)，使同時(shí)進(jìn)行溶解劑供給通路的形成工序和半導(dǎo)體芯片的個(gè)片化工序(所謂切割工序)變成可能。圖19(A)、(B)是形成槽部40的半導(dǎo)體基板1的平面圖。
槽部40的形成稱(chēng)為所謂的半蝕刻。具體地說(shuō)，通過(guò)例如以未圖示的抗蝕劑層作為掩模，通過(guò)蝕刻除去一部分半導(dǎo)體基板1，形成如圖18(A)所示的槽部40。
另外，使用切割刀機(jī)械地除去一部分半導(dǎo)體基板1，如圖18(B)所示也可以形成槽部40a。使用切割刀的情況下槽部40a的剖面為如圖18(B)所示的對(duì)應(yīng)于刀刃形狀的形狀(半導(dǎo)體基板1的表面?zhèn)鹊膶挾壬晕⑼貙挼男螤?。這樣，半導(dǎo)體基板1表面?zhèn)鹊牟鄄繉挾韧貙?，?duì)于在剝離支承體時(shí)順暢地供給溶解劑是優(yōu)選的。另外，在形成槽部40時(shí)組合使用等向蝕刻和異向蝕刻的情況下，能夠使槽部的剖面形狀如圖18(C)所示的，為半導(dǎo)體基板1的表面?zhèn)葦U(kuò)大，在背面?zhèn)壬暇哂型共啃螤?槽部40b)。
但是，如圖19(A)所示槽部40從半導(dǎo)體基板1的外周露出時(shí)，貼合支承體后，存在從外部(半導(dǎo)體基板1的周邊部等)腐蝕性物質(zhì)(例如濕法工藝中的藥液)通過(guò)槽部40浸入到半導(dǎo)體基板1的內(nèi)部，產(chǎn)生惡劣影響的危險(xiǎn)。因此，優(yōu)選如圖19(B)所示，在除去半導(dǎo)體基板1的外周部41的規(guī)定間隔(例如約3mm)的區(qū)域中形成槽部40，即，在貼合支承體6時(shí)以使槽部40不向外部露出的方式加工。具體地說(shuō)，例如以不除去外周部41的方式形成抗蝕劑層，以該抗蝕劑層作為掩模，在除外周部41以外的區(qū)域中進(jìn)行用于形成所希望的槽部40的蝕刻。根據(jù)該制造工序，即使貼合支承體6后，由于半導(dǎo)體基板1的外周部41具有防護(hù)壁的作用，所以保護(hù)半導(dǎo)體基板1的表面不浸入腐蝕物質(zhì)。
接著，如圖20所示，在半導(dǎo)體基板1的表面上通過(guò)粘接層5貼合支承體6。接著，對(duì)半導(dǎo)體基板1的背面使用背面研削裝置(研磨機(jī))進(jìn)行背研磨，使半導(dǎo)體基板1的厚度變薄成規(guī)定的厚度。接著，在半導(dǎo)體基板1的背面上有選擇地形成抗蝕劑層7。接著，以抗蝕劑層7為掩模蝕刻半導(dǎo)體基板1，形成通路孔8。
接著，如圖21所示，形成第二絕緣膜9、阻擋層15、籽晶層、貫通電極16、布線層17、保護(hù)層20、導(dǎo)電端子22。這些制造工序與上述第一實(shí)施例相同。
接著，如圖22所示，沿著規(guī)定的切割線DL除去一部分半導(dǎo)體基板1，形成使粘接層5一部分露出的開(kāi)口部41(溶解劑供給通路)。開(kāi)口部41在其底部與槽部40連通。具體地說(shuō)，例如使用切割刀將保護(hù)層20、第二絕緣膜9、半導(dǎo)體基板1按順序除去直到到達(dá)槽部40。在本實(shí)施例中，由于不需要使切割刀半導(dǎo)體基板1的垂直方向深入與槽部40的高度X對(duì)應(yīng)的深度，在形成開(kāi)口部41時(shí)不會(huì)有切割刀接觸到支承體6而使其損傷的危險(xiǎn)。
另外，開(kāi)口部41的形成法不限定于此，例如在半導(dǎo)體基板1的背面上形成抗蝕劑層(未圖示)，以此作為掩模，通過(guò)順序蝕刻除去保護(hù)層20、第二絕緣膜9、半導(dǎo)體基板1形成開(kāi)口部41。另外，在保護(hù)層20中與槽部40相對(duì)應(yīng)的位置上設(shè)置開(kāi)口，以保護(hù)層20作為掩模也可以進(jìn)行該蝕刻。而且，通過(guò)激光也可以形成開(kāi)口部41。
另外，通過(guò)蝕刻形成開(kāi)口部41時(shí)與使用切割刀的情況相比，由于開(kāi)口的側(cè)壁(切斷面)不受到機(jī)械應(yīng)力，所以具有損害小，可以光滑地形成切斷面的優(yōu)點(diǎn)和可以防止裂縫、鑿毛的優(yōu)點(diǎn)。
另外，形成開(kāi)口部41使粘接層5一部分露出后，在其它工序通過(guò)切割也可以進(jìn)行半導(dǎo)體芯片的個(gè)片化，但是優(yōu)選同時(shí)進(jìn)行兩個(gè)工序。即，通過(guò)沿著切割線DL形成槽部40和開(kāi)口部41，可以同時(shí)進(jìn)行兩工序，使制造工序簡(jiǎn)略化，可以降低成本。
接著，如圖23所示，通過(guò)開(kāi)口部41對(duì)該露出的粘接層5供給溶解劑25，通過(guò)使粘接力逐漸降低，從半導(dǎo)體基板1剝離并除去支承體6。另外，如上所述，在本實(shí)施例中，由于在形成開(kāi)口部41時(shí)沒(méi)有損傷支承體6的危險(xiǎn)，所以可以回收并高效率地再利用支承體6。
另外，通過(guò)這樣對(duì)上述粘接層5直接供給溶解劑25使支承體6剝離，減少支承體6剝離時(shí)的負(fù)荷，可以使在半導(dǎo)體裝置中產(chǎn)生機(jī)械缺陷的問(wèn)題減少。
通過(guò)以上工序，完成具有從半導(dǎo)體基板1的表面上形成的焊盤(pán)電極3直到在其背面上設(shè)置的導(dǎo)電端子22布線的芯片尺寸封裝型半導(dǎo)體裝置。
因此，根據(jù)上述第三實(shí)施例，與上述實(shí)施例相同，由于不需要使用形成有貫通孔或槽等溶解劑供給通路的支承體，所以制造工序簡(jiǎn)略化，可以削減成本?？梢苑乐褂捎诖嬖谌芙鈩┕┙o通路而導(dǎo)致的脫氣的發(fā)生或腐蝕物質(zhì)浸入的影響。
而且，即使在使用切割刀分割成各個(gè)半導(dǎo)體芯片的情況下，沒(méi)有使支承體損傷的危險(xiǎn)。因此，容易再循環(huán)利用支承體，可以使制造成本降低。
另外，也可以通過(guò)如下所述剝離除去支承體而制造半導(dǎo)體裝置。如圖24所示，除去半導(dǎo)體基板1表面的一部分，沿著與切割線DL相對(duì)應(yīng)的位置半蝕刻，設(shè)置槽部50。槽部50的深度與半導(dǎo)體基板1所希望的厚度，即背研磨時(shí)的半導(dǎo)體基板1的厚度相對(duì)應(yīng)，例如是50μm左右。
接著，如圖25所示，在半導(dǎo)體基板1的表面上通過(guò)粘接層5貼合支承體6。然后，對(duì)半導(dǎo)體基板1的背面使用背面研削裝置進(jìn)行背研磨，將半導(dǎo)體基板1的厚度研削成規(guī)定的厚度(例如50μm左右)。在此，與背研磨理同時(shí)從槽部50露出粘接層5。以后的工序是與上述說(shuō)明的工序大致相同，在形成通路孔或布線層等后使槽部50的粘接層5露出，從該露出的部位供給溶解劑，通過(guò)剝離除去支承體6完成各個(gè)半導(dǎo)體裝置。
在該工序中特征是，槽部50的厚度與背研磨時(shí)的厚度相對(duì)應(yīng)，與背研磨同時(shí)使粘接層5的一部分露出。根據(jù)這種工序，由于除去用于確保溶解劑供給通路的半導(dǎo)體基板1與背研磨同時(shí)進(jìn)行，所以不需要通過(guò)以后的切割刀或蝕刻等除去半導(dǎo)體基板1的一部分，沒(méi)有損傷支承體6的危險(xiǎn)。另外，也可以同時(shí)進(jìn)行使粘接層5露出的工序和半導(dǎo)體芯片個(gè)片化工序，可以實(shí)現(xiàn)工藝合理化。
另外，在通過(guò)第三實(shí)施例制造的半導(dǎo)體裝置用作與其它半導(dǎo)體裝置層積的情況下，可以追加在第二實(shí)施例中所示的工序(電極連接層30的形成工序)。
另外，在以上的實(shí)施例中，說(shuō)明了具有球狀導(dǎo)電端子22的BGA(Ball GridArray)型半導(dǎo)體裝置，但是本發(fā)明也可以適用于不具有球狀導(dǎo)電端子的LGA(Land Grid Array)型、CSP型、倒裝芯片型的半導(dǎo)體裝置。
另外，在以上的實(shí)施例中說(shuō)明所謂的貫通電極型的半導(dǎo)體裝置，但是本發(fā)明不限定在上述實(shí)施例中，當(dāng)然在不脫離其宗旨的范圍內(nèi)可以變更。
例如在上述實(shí)施例中，在半導(dǎo)體基板1的表面?zhèn)?元件面?zhèn)?貼合支承體6，但是如圖26所示，在另一面?zhèn)?非元件面?zhèn)?上貼合支承體6也可以制造所希望的半導(dǎo)體裝置。在這種情況下，從半導(dǎo)體基板1的表面?zhèn)?，形成使粘接?的一部分露出的溶解劑供給通路(未圖示)。接下來(lái)，向該溶解劑供給通路中供給溶解劑，通過(guò)使粘接力逐漸降低從半導(dǎo)體基板1剝離除去支承體6。該半導(dǎo)體裝置是在半導(dǎo)體基板1的表面?zhèn)?元件面?zhèn)?上形成焊盤(pán)電極3、布線層17、導(dǎo)電端子22等。在該半導(dǎo)體裝置裝入電子設(shè)備時(shí)，通過(guò)將導(dǎo)電端子22安裝在電路基板上的布線圖案上以與外部電路電連接。
另外，在剝離除去圖26所示的半導(dǎo)體裝置的支承體6后，也可以進(jìn)行以下的工序。半導(dǎo)體基板1的背面上有選擇地除去與貫通電極16相對(duì)應(yīng)的位置上的絕緣膜60(例如通過(guò)CVD法形成的氧化硅膜)以開(kāi)口。接著，在該開(kāi)口內(nèi)的阻擋層15上例如利用濺射法形成電極連接層(例如鎳層和金層的層積)。接著，通過(guò)該電極連接層使貫通電極16和其它半導(dǎo)體裝置的電極連接，也可以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的層積。
或者，在有選擇地除去絕緣膜60后，除去該開(kāi)口內(nèi)的阻擋層15以使貫通電極16從半導(dǎo)體基板1的背面?zhèn)嚷冻?。然后，在貫通電極16的露出面上，例如利用電鍍法形成未圖示的電極連接層(例如鎳層和金層的積層)，通過(guò)該電極連接層使貫通電極16和其它半導(dǎo)體裝置的電極連接，也可以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的層積。
另外，在圖26中與上述說(shuō)明的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)使用同一附圖標(biāo)記，省略其說(shuō)明。這樣，支承體6可以貼合在半導(dǎo)體基板的任何一個(gè)面上。本發(fā)明可以廣泛適用于使用支承體的半導(dǎo)體裝置的制造方法中。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有準(zhǔn)備在其表面上形成有焊盤(pán)電極的半導(dǎo)體基板，在上述半導(dǎo)體基板的表面上通過(guò)粘接層貼合支承體的工序；在上述半導(dǎo)體基板上形成通路孔的工序；在上述通路孔中形成與上述焊盤(pán)電極電連接的貫通電極的工序；形成覆蓋含有上述貫通電極的上述半導(dǎo)體基板背面上的保護(hù)層的工序；除去一部分上述半導(dǎo)體基板，使上述粘接層一部分露出的工序；通過(guò)從露出上述粘接層的位置供給使上述粘接層溶解的溶解劑，從上述半導(dǎo)體基板分離上述支承體的工序。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在貼合上述支承體的工序前，具有在上述焊盤(pán)電極上形成用于與其它半導(dǎo)體裝置的電極連接的電極連接層的工序。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，上述電極連接層至少含有鎳、金、銅、錫中任一種。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有在上述半導(dǎo)體基板的背面上形成與上述貫通電極電連接的導(dǎo)電端子的工序。
5.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，上述通路孔貫通上述半導(dǎo)體基板。
6.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，使上述粘接層一部分露出的工序使用上述保護(hù)層作為掩模。
7.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有在半導(dǎo)體基板的表面上通過(guò)粘接層貼合支承體的工序；除去一部分上述半導(dǎo)體基板，形成從上述半導(dǎo)體基板的背面使上述粘接層露出的開(kāi)口部的工序；通過(guò)從露出上述粘接層的位置供給使上述粘接層溶解的溶解劑，從上述半導(dǎo)體基板分離上述支承體的工序。
8.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有準(zhǔn)備通過(guò)絕緣膜形成有焊盤(pán)電極的半導(dǎo)體基板，在上述半導(dǎo)體基板的表面上通過(guò)粘接層貼合支承體的工序；除去上述半導(dǎo)體基板和上述絕緣膜，使上述焊盤(pán)電極露出的工序；形成與上述露出焊盤(pán)電極電連接的布線層的工序；形成覆蓋含有上述布線層的上述半導(dǎo)體基板背面的保護(hù)膜的工序；除去一部分上述半導(dǎo)體基板，使上述粘接層一部分露出的工序；通過(guò)從露出上述粘接層的位置供給使上述粘接層溶解的溶解劑，從上述半導(dǎo)體基板分離上述支承體的工序。
9.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有除去半導(dǎo)體基板表面的一部分以形成槽部的工序；在形成上述槽部的半導(dǎo)體基板的表面上通過(guò)粘接層貼合支承體的工序；從上述半導(dǎo)體基板的背面在表面方向除去一部分上述半導(dǎo)體基板，形成到達(dá)上述槽部的開(kāi)口部，使上述粘接層露出的工序；通過(guò)從露出上述粘接層的位置供給使上述粘接層溶解的溶解劑，從上述半導(dǎo)體基板分離上述支承體的工序。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在使上述粘接層露出的工序中，使用切割刀、激光和蝕刻中任一種。
11.如權(quán)利要求1、2、3、9中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在貼合上述支承體的工序后，具有研削上述半導(dǎo)體基板背面的工序。
12.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有除去半導(dǎo)體基板表面的一部分以形成槽部的工序；在形成上述槽部的半導(dǎo)體基板的表面上通過(guò)粘接層貼合支承體的工序；研削上述半導(dǎo)體基板的背面直到從上述槽部露出上述粘接層，以使上述半導(dǎo)體基板變薄的工序；通過(guò)從露出上述粘接層的位置供給使上述粘接層溶解的溶解劑，從上述半導(dǎo)體基板分離上述支承體的工序。
13.如權(quán)利要求9或12所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，形成上述槽部的工序以沿著上述半導(dǎo)體基板的切割線的位置形成上述槽部的方式進(jìn)行。
14.如權(quán)利要求9或12所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，除上述半導(dǎo)體基板的外周部之外，形成上述槽部。
15.如權(quán)利要求9或12所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有在貼合上述支承體的工序前，具有在上述半導(dǎo)體基板的表面上通過(guò)絕緣膜形成焊盤(pán)電極的工序，在貼合上述支承體的工序后，從上述半導(dǎo)體基板的背面在表面方向上除去一部分上述半導(dǎo)體基板和上述絕緣膜，使上述焊盤(pán)電極露出的工序；形成與上述露出的焊盤(pán)電極電連接的布線層的工序；形成覆蓋含有上述布線層的上述半導(dǎo)體基板的背面上的保護(hù)膜的工序。
16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在形成上述焊盤(pán)電極的工序后，貼合上述支承體的工序前，具有在上述焊盤(pán)電極上形成用于與其它半導(dǎo)體裝置的電極連接的電極連接層的工序。
17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，上述電極連接層至少含有鎳、金、銅、錫中任一種。
18.如權(quán)利要求9或12所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有在貼合上述支承體的工序后，將上述半導(dǎo)體基板從背面在表面方向除去一部分半導(dǎo)體基板以形成通路孔的工序；形成從上述通路孔內(nèi)在上述半導(dǎo)體基板的背面上延伸的布線層的工序；形成覆蓋含有上述布線層的上述半導(dǎo)體基板的背面上的保護(hù)膜的工序。
19.如權(quán)利要求1、2、3、9、12中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在上述支承體上不形成供給上述溶解劑的通路。
20.如權(quán)利要求1、2、3、9、12中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，上述支承體是剛性基板。
全文摘要
一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。在使用支承體的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，不使制造工序復(fù)雜化，而謀求提高可靠性和成品率。以抗蝕劑層或保護(hù)層(20)作為掩模順序蝕刻除去第二絕緣膜(9)、半導(dǎo)體基板(1)、第一絕緣膜(2)和鈍化膜(4)。通過(guò)該蝕刻粘接層(5)在該開(kāi)口部(21)內(nèi)一部分露出。在此時(shí)多個(gè)半導(dǎo)體裝置分割成各個(gè)半導(dǎo)體芯片。接著，如圖10所示，通過(guò)開(kāi)口部(21)對(duì)露出的粘接層(5)供給溶解劑(25)(例如酒精或丙酮)，通過(guò)使粘接力逐漸降低，從半導(dǎo)體基板(1)剝離除去支承體(6)。
文檔編號(hào)H01L21/48GK1992151SQ20061006421
公開(kāi)日2007年7月4日 申請(qǐng)日期2006年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月28日
發(fā)明者龜山工次郎, 鈴木彰, 及川貴弘 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社, 三洋半導(dǎo)體制造株式會(huì)社, 三洋半導(dǎo)體株式會(huì)社