專利名稱：Cmos圖像傳感器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種CMOS圖像傳感器件，特別涉及一種CMOS圖像傳感器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
CMOS圖像傳感器已成為主導(dǎo)的固態(tài)成像技術(shù)，這主要是由于相對(duì)于電荷藕合器件(CCD)成像器件，它們的成本較低。此外，對(duì)某些應(yīng)用來(lái)說(shuō)，CMOS器件的性能更加優(yōu)異。CMOS器件中的像素元可以做得比較小，因此可以提供比CCD圖像傳感器高的分辮率。此外，信號(hào)處理邏輯電路可以與成像電路并排集成，這樣就可用單個(gè)的集成芯片形成一個(gè)完整的獨(dú)立成像器件。
CMOS圖像傳感器是指在每個(gè)像素內(nèi)都具有有源器件如晶體管的圖像傳感器。常規(guī)的CMOS圖像傳感器典型地采用光電二極管作為該圖像傳感元件。最常見(jiàn)的有源圖像傳感器結(jié)構(gòu)包括三個(gè)晶體管和一個(gè)N+/P一阱(N+/P一well)光電二極管，其中所述三個(gè)晶體管分別為復(fù)位晶體管、源跟隨器、行選通管。所述復(fù)位晶體管與光電二極管構(gòu)成光電二極管區(qū)，所述源跟隨器與行選通管構(gòu)成邏輯區(qū)。由于其中的光電二極管區(qū)的結(jié)構(gòu)與標(biāo)準(zhǔn)的CMOS制造過(guò)程兼容，因此這種設(shè)計(jì)具有相對(duì)大的暗電流(即在暗環(huán)境中從像素輸出的電流)的缺點(diǎn)。
有源像素具有弱的暗電流是所需要的。由于沒(méi)有足夠的能力辨別亮和暗的條件，因此過(guò)大的暗電流會(huì)降低該CMOS圖像傳感器的動(dòng)態(tài)范圍。此外，暗電流還可造成CMOS圖像傳感器中的“白像素”缺陷，即一個(gè)像素總是輸出一個(gè)大的信號(hào)。通常為了消除暗電流，CMOS圖像傳感器的光電二極管區(qū)的光電二極管被設(shè)計(jì)為針形(pinned)或者掩埋型。
圖1為公知技術(shù)US專利第5,625,210號(hào)的含有針形光電二極管的CMOS圖像傳感器。第5,625,210號(hào)提出的常規(guī)APS的單元像素的電路圖。APS使用MOS電容器結(jié)構(gòu)的光門(mén)(photogate)來(lái)收集光電電荷。為將在光門(mén)下面產(chǎn)生的電荷轉(zhuǎn)移到浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)22，APS包括轉(zhuǎn)移晶體管。同時(shí)，APS還包括復(fù)位晶體管24、漏擴(kuò)散區(qū)、用作源極跟隨器的驅(qū)動(dòng)晶體管2、用以選擇像素陣列排的選擇晶體管和負(fù)載晶體管。其主要特點(diǎn)是光敏區(qū)22沒(méi)有被場(chǎng)氧化區(qū)覆蓋，因此該光電二極管具有極好的靈敏度和光-電量子效率。特別是，短波長(zhǎng)、藍(lán)光的靈敏度明顯提高。然而，場(chǎng)氧化區(qū)底部和邊緣卻存在暗電流。
圖2是美國(guó)專利6,649,950號(hào)揭示的含有掩埋型的光電二極管的CMOS圖像傳感器。該光電二極管設(shè)置在Fox下方，因此可以消除了Fox底部的暗電流。但是，F(xiàn)ox邊緣依然存在暗電流，此外，由于該光電二極管基本上被一個(gè)覆蓋層結(jié)構(gòu)所覆蓋，因此對(duì)光的敏感度較低。
為此，需要提供一種暗電流低且光敏感度高的CMOS圖像傳感器。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種暗電流低且光敏感度高的CMOS圖像傳感器，以解決現(xiàn)有的CMOS圖像傳感器暗電流高或者光敏度低的問(wèn)題。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種CMOS圖像傳感器，包括光電二極管區(qū)和邏輯區(qū)，所述光電二極管區(qū)包括場(chǎng)氧化區(qū)以及有源區(qū)，在所述有源區(qū)上形成有復(fù)位晶體管與光電二極管，所述復(fù)位晶體管具有阱區(qū)、柵極、源漏極，所述光電二極管具有第一極與第二極，其特征在于所述第一極具有環(huán)繞場(chǎng)氧化區(qū)下方及側(cè)壁的掩埋區(qū)，以及至掩埋區(qū)上端向復(fù)位晶體管方向延伸的針形區(qū)。
所述第一極為P極。
所述第二極為N極。
所述場(chǎng)氧化區(qū)為淺溝槽隔離區(qū)。
所述復(fù)位晶體管為NMOS管。
所述邏輯區(qū)包括源跟隨器與行選通管，所述源跟隨器與行選通管為NMOS管。
所述復(fù)位晶體管的柵極兩側(cè)分別形成有源極與漏極。
所述第一極離子濃度為每平方厘米1E12-5E13個(gè)原子。
所述第一極離子深度為200?！?000埃。
所述第二極離子濃度為每平方厘米1E11-5E12個(gè)原子。
所述第二極離子深度為3000埃-8000埃。
另外，本發(fā)明提供了一種CMOS圖像傳感器的制造方法，包括在半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成限定場(chǎng)氧化區(qū)和有源區(qū)的溝槽；
蝕刻鄰近溝槽的有源區(qū)形成摻雜區(qū)；在溝槽及摻雜區(qū)的下方注入第一雜質(zhì)離子形成光電二極管的第一極的掩埋區(qū)及針形區(qū)；在鄰近第一極處形成復(fù)位晶體管的阱區(qū)；在所述溝槽內(nèi)填入硅氧化物質(zhì)形成場(chǎng)氧化區(qū)；在所述第一極的上方注入第二雜質(zhì)離子形成光電二極管的第二極；在所述阱區(qū)上形成復(fù)位晶體管的柵極；在所述柵極兩側(cè)注入第三雜質(zhì)離子形成復(fù)位晶體管的源漏極；以及形成邏輯區(qū)。
所述溝槽隔離的工藝是淺溝槽隔離工藝。
所述第一雜質(zhì)離子為P型雜質(zhì)離子，所述光電二極管的第一極為P極。
所述第二雜質(zhì)離子為N型雜質(zhì)離子，所述光電二極管的第二極為N極。
所述第一雜質(zhì)離子注入濃度為每平方厘米1E12-5E13個(gè)原子。
所述第二雜質(zhì)離子注入濃度為每平方厘米1E11-5E12個(gè)原子。
所述第一雜質(zhì)離子注入深度為200埃-2000埃。
所述第二雜質(zhì)離子注入深度為3000埃-8000埃。
所述阱區(qū)為P阱區(qū)。
所述第三雜質(zhì)離子為N型雜質(zhì)離子。
在本發(fā)明的CMOS圖像傳感器的制造方法中，在溝槽及摻雜區(qū)的下方注入第一雜質(zhì)離子形成光電二極管的第一極的掩埋區(qū)及針形區(qū)的方法，使得掩埋區(qū)環(huán)繞場(chǎng)氧化區(qū)的底壁及側(cè)壁，針形區(qū)從掩埋區(qū)的上端向復(fù)位晶體管的方向水平延伸。
由于本發(fā)明的光電二極管第一極的掩埋區(qū)環(huán)繞場(chǎng)氧化區(qū)的底壁及側(cè)壁，從而使光電二極管的節(jié)與場(chǎng)氧化區(qū)相隔離，有效防止了場(chǎng)氧化區(qū)底壁與側(cè)壁的暗電流。此外，本發(fā)明的光電二極管第一極的針形區(qū)從掩埋區(qū)的上端向復(fù)位晶體管的方向水平延伸，未被場(chǎng)氧化區(qū)覆蓋，因此具有較好的光敏感度，特別是對(duì)短波長(zhǎng)、藍(lán)光的靈敏度較高。因此，本發(fā)明的CMOS圖像傳感器具有暗電流低、光敏感度高的優(yōu)點(diǎn)。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的含有公知的針形光電二極管的CMOS圖像傳感器；圖2是另一現(xiàn)有技術(shù)的含有公知的掩埋型的光電二極管的CMOS圖像傳感器；圖3是本發(fā)明的CMOS圖像傳感器中的單位像素的布置圖；圖4是本發(fā)明的CMOS圖像傳感器中的單位像素的電路圖；圖5是沿圖3的線I-I的截面圖；圖6是沿圖3的線II-II的截面圖；以及圖7A到圖7I是圖5的制造方法的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的CMOS圖像傳感器，包括光電二極管區(qū)和邏輯區(qū)。所述邏輯區(qū)包括源跟隨器與行選通管。所述光電二極管區(qū)，采用非標(biāo)準(zhǔn)的制造方法，包括場(chǎng)氧化區(qū)以及有源區(qū)，在所述有源區(qū)上形成有復(fù)位晶體管與光電二極管。所述光電二極管具有第一極與第二極，其中所述第一極具有環(huán)繞場(chǎng)氧化區(qū)下方及側(cè)壁的掩埋區(qū)，以及至掩埋區(qū)上端向復(fù)位晶體管方向延伸的針形區(qū)。掩埋區(qū)將光電二極管的節(jié)與場(chǎng)氧化區(qū)底部和邊緣隔離，從而消除了場(chǎng)氧化區(qū)底部和邊緣可能存在的暗電流。針形區(qū)由于沒(méi)有被場(chǎng)氧化區(qū)覆蓋，而對(duì)光具有極高的敏感度。
圖3所示為本發(fā)明的CMOS圖像傳感器中的單位像素的布置圖。如圖3所示，本發(fā)明的CMOS圖像傳感器的單元像素包括一個(gè)光電二極管區(qū)與一個(gè)邏輯區(qū)。其中所述光電二極管區(qū)包括復(fù)位晶體管T1與光電二極管PD。所述邏輯區(qū)包括源跟隨器T2與行選通管T3。復(fù)位晶體管T1用于復(fù)位由光電二極管PD收集的光電荷。源跟隨器T2起到源跟隨器緩沖放大器的作用。行選通管T3起到開(kāi)關(guān)的作用，以能夠?qū)ぶ贰?br> 圖4所示為本發(fā)明的CMOS圖像傳感器中的單位像素的電路圖。如圖4所示，本發(fā)明的CMOS圖像傳感器中的單位像素的工作過(guò)程是首先進(jìn)入“復(fù)位狀態(tài)”，T1打開(kāi)，對(duì)光電二極管復(fù)位；然后進(jìn)入“取樣狀態(tài)”，T1關(guān)閉，光照射到光敏二極管上產(chǎn)生光子，并通過(guò)源跟隨器T2放大輸出；最后進(jìn)入“讀出狀態(tài)”，這時(shí)行選通管T3打開(kāi)，信號(hào)輸出。其中光電二極管是基于這樣的原理工作的反向偏置p-n結(jié)二極管來(lái)形成耗盡區(qū)。半導(dǎo)體的特性是，相應(yīng)于可見(jiàn)光光子的入射，耗盡區(qū)的內(nèi)和外都生成電子一空穴對(duì)。隨后，光子所生成的電子一空穴對(duì)通過(guò)擴(kuò)散和漂移機(jī)理被清走，并被收集在耗盡區(qū)內(nèi)，從而感應(yīng)一個(gè)代表所需圖像一部分(一個(gè)“像素”)的光電流。
圖5所示為沿圖3的線I-I的截面圖。如圖5所示，光電二極管區(qū)1具有場(chǎng)氧化區(qū)(STI)16以及有源區(qū)(active area)。光電二極管PD和復(fù)位晶體管T1形成在所述有源區(qū)。所述復(fù)位晶體管T1為NMOS管，其具有阱區(qū)17、柵極19、源極191與漏極192。柵極19兩側(cè)具有隔離物193。所述光電二極管具有第一極(例如P極15)與第二極(例如N極18)。所述P極15繞場(chǎng)氧化區(qū)16下方及側(cè)壁的掩埋區(qū)151，以及至掩埋區(qū)上端向所述復(fù)位晶體管方向延伸的針形區(qū)152。環(huán)繞場(chǎng)氧化區(qū)16底壁及側(cè)壁的掩埋區(qū)151將光電二極管的節(jié)與場(chǎng)氧化區(qū)16底部和邊緣隔離，從而消除了場(chǎng)氧化區(qū)底部和邊緣可能存在的暗電流。至掩埋區(qū)上端向所述復(fù)位晶體管方向延伸的針形區(qū)152，沒(méi)有被場(chǎng)氧化區(qū)16覆蓋，而對(duì)光具有極高的敏感度，特別是對(duì)短波長(zhǎng)、藍(lán)光的靈敏度較高。
圖6是沿圖3的線II-II的截面圖。如圖6所示，邏輯區(qū)2包括源跟隨器T2與行選通管T3。其中源跟隨器T2和行選通管T3為NMOS管，具有公知的NMOS管結(jié)構(gòu)。具體地，在P型襯底上形成有場(chǎng)氧化區(qū)21，限定了有源區(qū)，所述源跟隨器T2和行選通管T3形成于所述有源區(qū)上。其中，本實(shí)施例中源跟隨器T2和行選通管T3具有相同的結(jié)構(gòu)，因此本處僅以源跟隨器T2為例進(jìn)行介紹。源跟隨器包括形成與所述P型襯底上的P阱區(qū)，在所述P區(qū)阱的上方形成有柵氧化膜24，在柵氧化膜24的上方形成有柵極23，在柵極23兩側(cè)形成有隔離物25，在隔離物25下方位于P型襯底內(nèi)形成有柵極23的源漏極。
本發(fā)明的CMOS圖像傳感器的制造方法中，先形成光電二極管區(qū)，然后形成邏輯區(qū)。因?yàn)檫壿媴^(qū)的源跟隨器與行選通管均為公知的NMOS，其制造流程為公知的技術(shù)，為此，在本發(fā)明的實(shí)施例中不再贅述邏輯區(qū)的制造方法。在本實(shí)施例中以下將重點(diǎn)介紹本發(fā)明的光電二極管區(qū)的制造方法。
本發(fā)明的CMOS圖像傳感器的光電二極管區(qū)的制造方法，包括1)在半導(dǎo)體襯底上沉積氮化硅層；2)在半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成限定場(chǎng)氧化區(qū)和有源區(qū)的溝槽；3)蝕刻鄰近溝槽的有源區(qū)形成摻雜區(qū)；4)在溝槽及摻雜區(qū)的下方注入第一雜質(zhì)離子形成光電二極管的第一極的掩埋區(qū)及針形區(qū)；5)在所述溝槽內(nèi)填入硅氧化物質(zhì)形成場(chǎng)氧化區(qū)；6)在鄰近光電二極管區(qū)形成復(fù)位晶體管的P阱；7)在所述第一極的上方注入第二雜質(zhì)離子形成光電二極管的第二極；8)在所述P阱上方形成復(fù)位晶體管的柵極；9)在柵極兩側(cè)注入N型離子形成復(fù)位晶體管的源漏極；10)在柵極兩側(cè)形成隔離物用于再次注入N型離子的掩膜；11)再次注入N型離子。其中，在步驟4中，形成光電二極管的第一極的掩埋區(qū)和針形區(qū)的方法，使得掩埋區(qū)能夠環(huán)繞場(chǎng)氧化區(qū)的底壁以及側(cè)壁，從而將光電二極管的節(jié)與場(chǎng)氧化區(qū)底部和邊緣隔離，從而消除了場(chǎng)氧化區(qū)底部和邊緣可能存在的暗電流，使得針形區(qū)至掩埋區(qū)的上端向復(fù)位晶體管的方向延伸，而未被場(chǎng)氧化區(qū)覆蓋，因此對(duì)光具有極高的敏感度，特別是對(duì)短波長(zhǎng)、藍(lán)光的靈敏度較高。
下面結(jié)合圖7A至圖7I具體說(shuō)明本發(fā)明的CMOS圖像傳感器的光電二極管的制造方法。在步驟1中，如圖7A所示，在半導(dǎo)體襯底(例如P型襯底11)上，沉積一層氮化硅(SixNy)層12，這種沉積是與本發(fā)明主題有關(guān)的領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所公知的。在步驟2中，如圖7B所示，為了器件隔離的目的，利用溝槽隔離工藝形成限定場(chǎng)區(qū)和有源區(qū)的溝槽13(在本實(shí)施例子中使用淺溝槽隔離(STI)的工藝形成溝槽)，這種隔離是與本發(fā)明主題有關(guān)的領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所公知的。在步驟3中，如圖7C所示，蝕刻鄰近溝槽13的有源區(qū)形成摻雜區(qū)14。在步驟4中，如圖7D所示，在溝槽及摻雜區(qū)的下方注入第一雜質(zhì)離子(例如P型雜質(zhì)離子)形成光電二極管的第一極(例如P極15)的掩埋區(qū)151及針形區(qū)152，所述P型雜質(zhì)離子注入深度(例如為200埃-2000埃)由注入離子的速度與能量來(lái)控制，所述P型雜質(zhì)離子注入濃度為每平方厘米1E12-5E13個(gè)原子。在步驟5中，如圖7E所示，在所述溝槽13內(nèi)填入硅氧化物質(zhì)形成場(chǎng)氧化區(qū)16。在步驟6中，如圖7F所示，在鄰近光電二極管區(qū)注入P型雜質(zhì)離子，形成復(fù)位晶體管的P阱區(qū)17，其中所述離子注入深度為3000埃-8000埃，濃度為每平方厘米1E11-5E12個(gè)原子。在步驟7中，如圖7G所示，在所述光電二極管的P極15的上方注入第二雜質(zhì)離子(例如N型雜質(zhì)離子)形成光電二極管的第二極(N極18)。在步驟8、9中，如圖7H所示，在所述P阱上方形成復(fù)位晶體管的柵極19，在所述柵極19兩側(cè)下方的有源區(qū)內(nèi)注入N型離子，形成復(fù)位晶體管的源極191與漏極192。在步驟10、11中，如圖7I所示，在柵極兩側(cè)形成隔離物193用作再次注入N型離子的掩膜；再次在源漏極處注入N型離子。
其中，在步驟4中，形成光電二極管的P極15的掩埋區(qū)151及針形區(qū)152的方法，使得掩埋區(qū)151能夠環(huán)繞場(chǎng)氧化區(qū)13的底壁以及側(cè)壁，從而使光電二極管的節(jié)與場(chǎng)氧化區(qū)隔開(kāi)，有效防止了場(chǎng)氧化區(qū)底壁與側(cè)壁的暗電流，使得針形區(qū)152從掩埋區(qū)151的上端向復(fù)位晶體管的方向水平延伸，未被場(chǎng)氧化區(qū)覆蓋，因此具有較好的光敏感度。
本發(fā)明不限于上述的實(shí)施方式。本領(lǐng)域任何一般技藝人士根據(jù)本發(fā)明所做出的任何非創(chuàng)造性改進(jìn)，均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種CMOS圖像傳感器，包括光電二極管區(qū)和邏輯區(qū)，所述光電二極管區(qū)包括場(chǎng)氧化區(qū)以及有源區(qū)，在所述有源區(qū)上形成有復(fù)位晶體管與光電二極管，所述復(fù)位晶體管具有阱區(qū)、柵極、源漏極，所述光電二極管具有第一極與第二極，其特征在于所述第一極具有環(huán)繞場(chǎng)氧化區(qū)下方及側(cè)壁的掩埋區(qū)，以及至掩埋區(qū)上端向復(fù)位晶體管方向延伸的針形區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于所述第一極為P極。
3.如權(quán)利要求2所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于所述第二極為N極。
4.如權(quán)利要求1或2所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于所述場(chǎng)氧化區(qū)為淺溝槽隔離區(qū)。
5.如權(quán)利要求4所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于所述復(fù)位晶體管為NMOS管。
6.如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于所述邏輯區(qū)包括源跟隨器與行選通管，所述源跟隨器與行選通管為NMOS管。
7.如權(quán)利要求5所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于所述復(fù)位晶體管的柵極兩側(cè)形成有源極與漏極。
8.如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于所述第一極離子濃度為每平方厘米1E12-5E13個(gè)原子。
9.如權(quán)利要求1或8所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于所述第一極離子深度為200?！?000埃。
10.如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于所述第二極離子濃度為每平方厘米1E11-5E12個(gè)原子。
11.如權(quán)利要求1或10所述的CMOS圖像傳感器，其特征在于所述第二極離子深度為3000埃-8000埃。
12.一種如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器的制造方法，包括在半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成限定場(chǎng)氧化區(qū)和有源區(qū)的溝槽；蝕刻鄰近溝槽的有源區(qū)形成摻雜區(qū)；在溝槽及摻雜區(qū)的下方注入第一雜質(zhì)離子形成光電二極管的第一極的掩埋區(qū)及針形區(qū)；在鄰近第一極處形成復(fù)位晶體管的阱區(qū)；在所述溝槽內(nèi)填入硅氧化物質(zhì)形成場(chǎng)氧化區(qū)；在所述第一極的上方注入第二雜質(zhì)離子形成光電二極管的第二極；在所述阱區(qū)上形成復(fù)位晶體管的柵極；在所述柵極兩側(cè)注入第三雜質(zhì)離子形成復(fù)位晶體管的源漏極；以及形成邏輯區(qū)。
13.如權(quán)利要求12所述的制造方法，其特征在于所述溝槽隔離的工藝是淺溝槽隔離工藝。
14.如權(quán)利要求12所述的制造方法，其特征在于所述第一雜質(zhì)離子為P型雜質(zhì)離子，所述光電二極管的第一極為P極。
15.如權(quán)利要求14所述的制造方法，其特征在于所述第二雜質(zhì)離子為N型雜質(zhì)離子，所述光電二極管的第二極為N極。
16.如權(quán)利要求12所述的制造方法，其特征在于所述第一雜質(zhì)離子注入濃度為每平方厘米1E12-5E13個(gè)原子。
17.如權(quán)利要求12所述的制造方法，其特征在于所述第二雜質(zhì)離子注入濃度為每平方厘米1E11-5E12個(gè)原子。
18.如權(quán)利要求12或16所述的制造方法，其特征在于所述第一雜質(zhì)離子注入深度為200埃-2000埃。
19.如權(quán)利要求12或17所述的制造方法，其特征在于所述第二雜質(zhì)離子注入深度為3000埃-8000埃。
20.如權(quán)利要求12所述的制造方法，其特征在于所述阱區(qū)為P阱區(qū)。
21.如權(quán)利要求20所述的制造方法，其特征在于所述第三雜質(zhì)離子為N型雜質(zhì)離子。
全文摘要
一種CMOS圖像傳感器包括光電二極管區(qū)和邏輯區(qū)，光電二極管區(qū)包括復(fù)位晶體管與光電二極管，光電二極管具有第一極與第二極，第一極具有環(huán)繞場(chǎng)氧化區(qū)下方及側(cè)壁的掩埋區(qū)，以及至掩埋區(qū)上端向復(fù)位晶體管方向延伸的針形區(qū)。相應(yīng)，CMOS圖像傳感器的制造方法包括形成限定場(chǎng)區(qū)和有源區(qū)的溝槽；形成摻雜區(qū)；在溝槽及摻雜區(qū)的下方注入第一雜質(zhì)離子形成光電二極管的第一極的掩埋區(qū)及針形區(qū)；在溝槽內(nèi)填入硅氧化物質(zhì)形成場(chǎng)氧化區(qū)；在第一極的上方注入第二雜質(zhì)離子形成光電二極管的第二極。本發(fā)明的掩埋區(qū)將光電二極管的節(jié)與場(chǎng)氧化區(qū)底部和邊緣隔離，從而消除了場(chǎng)氧化區(qū)底部和邊緣可能存在的暗電流，針形區(qū)由于沒(méi)有被場(chǎng)氧化區(qū)覆蓋，而對(duì)光具有極高的敏感度。
文檔編號(hào)H01L21/70GK101043043SQ200610024869
公開(kāi)日2007年9月26日 申請(qǐng)日期2006年3月20日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月20日
發(fā)明者楊建平, 霍介光, 辛春艷, 蔡巧明, 吳永皓 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司