專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在撓性配線(xiàn)基板上搭載、鍵合半導(dǎo)體元件的被稱(chēng)為COF(薄膜覆晶Chip On Film)的半導(dǎo)體裝置。
本發(fā)明能夠適用于被稱(chēng)為COF(Chip On Film)的、連接配線(xiàn)圖案和電極而構(gòu)成的帶載封裝型的半導(dǎo)體裝置及其制造方法，其中，該配線(xiàn)圖案是被形成在撓性膜上的配線(xiàn)圖案，該電極是被形成于半導(dǎo)體元件的用于連接外圍電路的電極，另外，至少安裝了一個(gè)前述半導(dǎo)體元件。作為該COF的用途，有這樣一種液晶驅(qū)動(dòng)器，即，在撓性配線(xiàn)基板上搭載了作為半導(dǎo)體元件的液晶驅(qū)動(dòng)器IC的液晶驅(qū)動(dòng)器。
此外，除有源矩陣型液晶顯示模塊以及諸如上述液晶顯示模塊等的液晶顯示模塊之外，上述半導(dǎo)體裝置還可以用于電泳型顯示器、旋轉(zhuǎn)球(Twist Ball)型顯示器、使用了精細(xì)的棱鏡膜(Prism Film)的反射型顯示器、使用了數(shù)字反射鏡器件等的光調(diào)制元件的顯示器。另外，上述半導(dǎo)體裝置還可以用于作為發(fā)光元件而使用了有機(jī)EL發(fā)光元件、無(wú)機(jī)EL發(fā)光元件、LED(發(fā)光二極管Light Emitting Diode)等發(fā)光亮光為可變的元件的顯示器、場(chǎng)致發(fā)射顯示器(FED)、等離子顯示器。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，隨著液晶驅(qū)動(dòng)器的大輸出化的進(jìn)展，搭載液晶驅(qū)動(dòng)器的撓性配線(xiàn)基板的配線(xiàn)圖案的細(xì)間距(Fine Pitch)化得以較快地發(fā)展。此外，隨著半導(dǎo)體裝置的輕、薄、短、小化，包括半導(dǎo)體元件的保護(hù)樹(shù)脂部分在內(nèi)，撓性配線(xiàn)基板的尺寸在進(jìn)一步縮小。
現(xiàn)在，在液晶驅(qū)動(dòng)器IC的安裝中，與TCP(帶載封裝Tape Carrier Package)相比較而言，COF(Chip On Film)能夠?qū)崿F(xiàn)配線(xiàn)圖案的細(xì)間距化，而且，能耐比較容易地得到撓曲位置，所以，COF方式已經(jīng)成為主流。
以下，介紹上述COF的安裝方法。
首先，如圖8(a)和圖8(b)所示，在由聚酰亞胺構(gòu)成的撓性膜101a上形成由銅構(gòu)成的配線(xiàn)圖案102、103，如圖9所示，鍵合已形成了突起電極105的半導(dǎo)體芯片104。
接著，為了保護(hù)半導(dǎo)體芯片104，在半導(dǎo)體芯片104與撓性配線(xiàn)基板101之間填充底充膠(Underfill)106的密封樹(shù)脂，并通過(guò)加熱處理使該密封樹(shù)脂硬化。
在填充底充膠106的密封樹(shù)脂時(shí)，如圖10(a)和圖10(b)所示，從噴嘴141排出一定量的密封樹(shù)脂，按照由半導(dǎo)體芯片104的形狀所決定的描畫(huà)圖案，將該密封樹(shù)脂從半導(dǎo)體芯片104的側(cè)面注入半導(dǎo)體芯片104與撓性配線(xiàn)基板101之間。密封樹(shù)脂借助于毛細(xì)管現(xiàn)象而流入半導(dǎo)體芯片104與撓性配線(xiàn)基板101之間的所有空間，從而在半導(dǎo)體芯片104的側(cè)面形成均勻的焊角(Fillet)部分106a、106b。然后，如圖8(a)所示，按照用戶(hù)所要求的形狀109對(duì)撓性膜101a進(jìn)行裁斷，從而如圖8(b)所示那樣地完成單個(gè)的COF半導(dǎo)體裝置110。
另外，在排出底充膠106的密封樹(shù)脂時(shí)所用的描畫(huà)圖案取決于所使用的樹(shù)脂的流動(dòng)性。因此，要在半導(dǎo)體芯片104與撓性配線(xiàn)基板101的縫隙間均勻地填充樹(shù)脂并在半導(dǎo)體104的側(cè)面形成均勻的焊角部分106a、106b，只能從半導(dǎo)體芯片104的側(cè)面填充樹(shù)脂。此外，存在這樣的問(wèn)題，即在描畫(huà)涂敷密封樹(shù)脂后留下的描畫(huà)涂敷痕跡106c的樹(shù)脂厚度為大于或等于30～50μm，樹(shù)脂的殘留比較明顯。
為了順應(yīng)半導(dǎo)體裝置的輕、薄、短、小化，不僅半導(dǎo)體芯片的尺寸的縮小化是必不可少的，而且，包括半導(dǎo)體芯片的樹(shù)脂區(qū)域在內(nèi)的部分的尺寸的縮小化也不可或缺。
也就是說(shuō)，COF半導(dǎo)體裝置具有能夠比較容易地得到撓曲位置的優(yōu)勢(shì)。關(guān)于這一點(diǎn)，由于樹(shù)脂區(qū)域?yàn)椴荒軗锨膮^(qū)域，所以，最好盡量使該樹(shù)脂區(qū)域形成得較小。即，如果勉強(qiáng)使樹(shù)脂密封部分撓曲，則密封樹(shù)脂會(huì)產(chǎn)生裂紋，或者，密封樹(shù)脂從撓性基板上脫落。
但是，在上述現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置及其制造方法中存在下述的問(wèn)題，即因底充膠106的形成而產(chǎn)生的焊角部分106a、106b和描畫(huà)涂敷痕跡106c的區(qū)域較大，這些較大的樹(shù)脂區(qū)域的存在是一種與撓曲區(qū)域毫不相干的機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)，所以，成了通過(guò)使制品撓曲來(lái)實(shí)現(xiàn)小型化的制約。如圖10(b)所示，半導(dǎo)體芯片104周?chē)暮附遣糠?06a、106b的自半導(dǎo)體芯片104起的寬度相同。此外，如圖9所示，描畫(huà)涂敷痕跡106c的樹(shù)脂厚度為大于或等于30～50μm，因此，該描畫(huà)涂敷痕跡106c也成為不能撓曲的部分。
另一方面，在配線(xiàn)圖案102、103實(shí)現(xiàn)了細(xì)間距化的撓性配線(xiàn)基板101中，相鄰的配線(xiàn)圖案102與102之間、以及配線(xiàn)圖案103與103之間的電絕緣阻抗成了影響可靠性的最大因素。所以，如圖11所示，在為了保護(hù)半導(dǎo)體芯片104而將底充膠106的密封樹(shù)脂填充至半導(dǎo)體芯片104與撓性配線(xiàn)基板101之間時(shí)會(huì)發(fā)生氣泡151、152，如果在樹(shù)脂流動(dòng)并硬化之前該氣泡151、152還沒(méi)有被排出到密封樹(shù)脂外部而是繼續(xù)殘留在半導(dǎo)體芯片104上、突起電極105、配線(xiàn)圖案102與102之間以及配線(xiàn)圖案103與103之間，則會(huì)在突起電極105、配線(xiàn)圖案102與102之間以及配線(xiàn)圖案103與103之間產(chǎn)生空隙。當(dāng)來(lái)自外部的水分或者樹(shù)脂中的殘留離子進(jìn)入并集聚在該空隙時(shí)，就會(huì)發(fā)生下述的問(wèn)題，即在該部分中容易發(fā)生遷移(Migration)，從而導(dǎo)致端子間的電絕緣阻抗降低。
另外，由于現(xiàn)有的密封樹(shù)脂的黏度較高，所以，其流動(dòng)性較差，如果不對(duì)半導(dǎo)體芯片104的四個(gè)側(cè)面進(jìn)行描畫(huà)涂敷，則會(huì)如圖12所示那樣地導(dǎo)致焊角不均勻，即，僅僅存在焊角部分106a，而不存在上述焊角部分106b。其結(jié)果將會(huì)產(chǎn)生下述問(wèn)題，即配線(xiàn)圖案102、103的露出部分未得到填充，從而導(dǎo)致發(fā)生質(zhì)量缺陷。
此外，在日本國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)特開(kāi)2003-174045號(hào)公報(bào)(
公開(kāi)日2003年6月20日)中，為了防止發(fā)生上述底充膠的空隙，而將黏度約為1000cp(1000mPa·s)、25℃的密封樹(shù)脂加熱至50℃并將其黏度降低至250cp(1000mPa·s)，填充該樹(shù)脂，填充后放置120秒鐘(填序工序)，然后，將已被加溫至140～200℃的工具放置于撓性配線(xiàn)基板1的表面并加熱5秒鐘(脫泡工序)。但是，密封樹(shù)脂的填充本身是沿著半導(dǎo)體芯片的四角或外周來(lái)進(jìn)行的。另外，由于25℃的密封樹(shù)脂的黏度高達(dá)1000mPa·s，所以，其流動(dòng)性較差，雖然采取了將密封樹(shù)脂加熱至50℃并降低其黏度的措施，但是，如果密封樹(shù)脂的加熱時(shí)間變長(zhǎng)，則會(huì)存在下述問(wèn)題，即發(fā)生硬化反應(yīng)，樹(shù)脂黏度上升，流動(dòng)性降低，樹(shù)脂的適用期(Plt Life)變短，可加工性降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種可望減小用于保護(hù)半導(dǎo)體元件的密封樹(shù)脂區(qū)域的寬度，并實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置外形的小型化的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置是一種在形成了配線(xiàn)圖案的膜狀的撓性配線(xiàn)基板上搭載有半導(dǎo)體元件的諸如COF等的半導(dǎo)體裝置，其中，在上述撓性配線(xiàn)基板與半導(dǎo)體元件的縫隙之間填充有用于保護(hù)該半導(dǎo)體元件的密封樹(shù)脂，而且，在用噴嘴描畫(huà)上述半導(dǎo)體元件的至少長(zhǎng)邊側(cè)并填充上述密封樹(shù)脂時(shí)形成的描畫(huà)涂敷痕跡的樹(shù)脂的寬度為0.1～1.0mm，而且，該描畫(huà)涂敷痕跡的樹(shù)脂的厚度小于或等于10μm。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法是一種在形成了配線(xiàn)圖案的膜狀的撓性配線(xiàn)基板上搭載有半導(dǎo)體元件的諸如COF等的半導(dǎo)體裝置的制造方法，該制造方法包括在上述撓性配線(xiàn)基板與半導(dǎo)體元件的縫隙之間填充用于保護(hù)該半導(dǎo)體元件的密封樹(shù)脂的步驟；以及將在用噴嘴描畫(huà)上述半導(dǎo)體元件的至少長(zhǎng)邊側(cè)并填充上述密封樹(shù)脂時(shí)所形成的描畫(huà)涂敷痕跡的樹(shù)脂的寬度設(shè)定為0.1～1.0mm，而且，將該描畫(huà)涂敷痕跡的樹(shù)脂的厚度設(shè)定為小于或等于10μm的步驟。另外，所述描畫(huà)涂敷痕跡是指，被涂敷的密封樹(shù)脂在撓性配線(xiàn)基板與半導(dǎo)體元件的縫隙之間流動(dòng)、硬化后殘留于被涂敷了密封樹(shù)脂的位置的樹(shù)脂。
在現(xiàn)有技術(shù)中，由于密封樹(shù)脂的黏度較高，所以，在填充密封樹(shù)脂時(shí)形成的描畫(huà)涂敷痕跡的樹(shù)脂的厚度為大于或等于30～50μm，該描畫(huà)涂敷痕跡不是撓曲的對(duì)象。
對(duì)此，在本發(fā)明中，將在用噴嘴描畫(huà)半導(dǎo)體元件的長(zhǎng)邊側(cè)并填充上述密封樹(shù)脂時(shí)所形成的描畫(huà)涂敷痕跡的樹(shù)脂的寬度設(shè)定為0.1～10mm，而且，將該描畫(huà)涂敷痕跡的樹(shù)脂的厚度設(shè)定為小于或等于10μm。
如上所述，通過(guò)將樹(shù)脂的描畫(huà)涂敷痕跡的樹(shù)脂厚度控制在小于或等于10μm，能夠防止在該部分中因撓曲應(yīng)力而發(fā)生的樹(shù)脂斷裂或者樹(shù)脂剝離。其結(jié)果，在現(xiàn)有技術(shù)中不能進(jìn)行撓曲的描畫(huà)涂敷痕跡也成為可撓曲區(qū)域，能夠縮小不可撓曲的樹(shù)脂區(qū)域。另外，由此，能夠?qū)雽?dǎo)體裝置的外形尺寸即非撓曲的部分設(shè)定得比現(xiàn)有技術(shù)的尺寸小。
因此，能夠提供一種可望減小用于保護(hù)半導(dǎo)體元件的密封樹(shù)脂區(qū)域的寬度，擴(kuò)大撓曲區(qū)域并實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置外形的小型化的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
此外，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置是一種在形成了配線(xiàn)圖案的膜狀的撓性配線(xiàn)基板上搭載有半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體裝置，其中，在上述撓性配線(xiàn)基板與半導(dǎo)體元件的縫隙之間填充有用于保護(hù)該半導(dǎo)體元件的密封樹(shù)脂，而且，關(guān)于在用噴嘴描畫(huà)上述半導(dǎo)體元件的一個(gè)長(zhǎng)邊側(cè)并填充上述密封樹(shù)脂時(shí)形成的半導(dǎo)體元件周邊填充部分的寬度，在上述半導(dǎo)體元件的一個(gè)長(zhǎng)邊側(cè)的噴嘴涂敷側(cè)，自半導(dǎo)體元件起，為小于或等于1.0mm，而在與上述半導(dǎo)體元件的上述一個(gè)長(zhǎng)邊側(cè)相對(duì)的另一長(zhǎng)邊側(cè)，自半導(dǎo)體元件起，為小于或等于0.8mm。
另外，為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法是一種在形成了配線(xiàn)圖案的膜狀的撓性配線(xiàn)基板上搭載有半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體裝置的制造方法，該制造方法包括在上述撓性配線(xiàn)基板與半導(dǎo)體元件的縫隙之間填充有用于保護(hù)該半導(dǎo)體元件的密封樹(shù)脂的步驟以及對(duì)在用噴嘴描畫(huà)上述半導(dǎo)體元件的一個(gè)長(zhǎng)邊側(cè)并填充上述密封樹(shù)脂時(shí)形成的半導(dǎo)體元件周邊填充部分的寬度進(jìn)行下述設(shè)定的步驟，即，在上述半導(dǎo)體元件的一個(gè)長(zhǎng)邊側(cè)的噴嘴涂敷側(cè)，自半導(dǎo)體元件起，為小于或等于1.0mm，而在與上述半導(dǎo)體元件的上述一個(gè)長(zhǎng)邊側(cè)相對(duì)的另一長(zhǎng)邊側(cè)，自半導(dǎo)體元件起，為小于或等于0.8mm。
在現(xiàn)有技術(shù)中，由于密封樹(shù)脂的密度較高，所以，只能從半導(dǎo)體元件的4個(gè)側(cè)面填充密封樹(shù)脂，其結(jié)果，不能夠?qū)雽?dǎo)體元件周邊填充部分的自半導(dǎo)體元件起的寬度設(shè)定為小于或等于1.0mm。
對(duì)此，在本發(fā)明中，將半導(dǎo)體元件周邊填充部分的寬度設(shè)定為下述，即，在半導(dǎo)體元件的一個(gè)長(zhǎng)邊側(cè)的噴嘴涂敷側(cè)，自半導(dǎo)體元件起，為小于或等于1.0mm，而在與上述半導(dǎo)體元件的上述一個(gè)長(zhǎng)邊側(cè)相對(duì)的另一長(zhǎng)邊側(cè)，自半導(dǎo)體元件起，為小于或等于0.8mm。
之所以能夠?qū)Π雽?dǎo)體元件周邊填充部分的寬度進(jìn)行上述設(shè)定，是因?yàn)榻柚诂F(xiàn)有技術(shù)中未曾有過(guò)的密封樹(shù)脂的低黏度化，來(lái)提高密封樹(shù)脂的流動(dòng)性，其結(jié)果，得以將樹(shù)脂的填充方法從半導(dǎo)體元件的4側(cè)面的描畫(huà)涂敷變更為沿長(zhǎng)邊進(jìn)行的1側(cè)面描畫(huà)涂敷。因此，特別是在與半導(dǎo)體元件的一個(gè)長(zhǎng)邊側(cè)相對(duì)的另一長(zhǎng)邊側(cè)，自半導(dǎo)體元件起，設(shè)定為小于或等于0.8mm，從而，能夠大幅度地減小了半導(dǎo)體元件周邊填充部分的寬度。
由此，可以縮小在現(xiàn)有技術(shù)中不能進(jìn)行撓曲的樹(shù)脂區(qū)域，能夠?qū)雽?dǎo)體裝置的外形尺寸即非撓曲的部分設(shè)定得比現(xiàn)有技術(shù)的尺寸小。
本發(fā)明的其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)在以下的描述中會(huì)變得十分明了。此外，以下參照附圖來(lái)明確本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。


圖1(a)表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)實(shí)施方式，是圖2(b)的X-X線(xiàn)的剖面圖。圖1(b)是上述半導(dǎo)體裝置的密封樹(shù)脂的焊角部分和描畫(huà)涂敷痕跡的樹(shù)脂的平面圖。
圖2(a)是表示在撓性膜上連續(xù)形成了多個(gè)半導(dǎo)體裝置的平面圖，圖2(b)是表示從上述撓性膜切出的單個(gè)的半導(dǎo)體裝置的平面圖。
圖3(a)是表示液晶顯示面板和PW基板被連接至上述半導(dǎo)體裝置的液晶模塊的平面圖，圖3(b)是圖3(a)的Y-Y線(xiàn)的剖面圖。
圖4(a)是表示在上述半導(dǎo)體裝置的制造工序中填充密封樹(shù)脂的方法的平面圖，圖4(b)是表示已被填充的密封樹(shù)脂的焊角部分和描畫(huà)涂敷痕跡的平面圖。
圖5是表示上述密封樹(shù)脂的加熱溫度(預(yù)熱)和流動(dòng)性的關(guān)系的圖表。
圖6是表示上述密封樹(shù)脂的加熱溫度(預(yù)熱)和樹(shù)脂黏度的關(guān)系的圖表。
圖7(a)是表示上述密封樹(shù)脂的樹(shù)脂黏度和描畫(huà)涂敷痕跡的樹(shù)脂厚度的關(guān)系的圖表，圖7(b)是表示描畫(huà)涂敷痕跡的剖面圖。
圖8(a)是表示現(xiàn)有技術(shù)中在撓性膜上連續(xù)形成了多個(gè)半導(dǎo)體裝置的平面圖，圖8(b)是表示從上述撓性膜切出的單個(gè)的半導(dǎo)體裝置的平面圖。
圖9是圖8(b)的X-X線(xiàn)的剖面圖。
圖10(a)是表示在上述半導(dǎo)體裝置的制造工序中填充密封樹(shù)脂的方法的平面圖，圖10(b)是表示已被填充的密封樹(shù)脂的焊角部分和描畫(huà)涂敷痕跡的平面圖。
圖11是表示在已被填充的密封樹(shù)脂中發(fā)生了氣泡的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。
圖12是表示在填充密封樹(shù)脂后，由于缺失一個(gè)焊角部分，導(dǎo)致內(nèi)部配線(xiàn)圖案被露出的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
下面，根據(jù)圖1至圖7來(lái)說(shuō)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式。
如圖2(a)、圖2(b)所示，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置10是COF(Chip On Film)方式的半導(dǎo)體裝置。即，上述COF具有撓性基膜(Flexible-Film-Based)的構(gòu)造，是在上述撓性膜1a上形成配線(xiàn)圖案2、3、從而形成撓性配線(xiàn)基板1后，搭載了作為半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體芯片4的半導(dǎo)體裝置10。在該COF中，半導(dǎo)體芯片4被直接安裝在撓性膜1a上。
上述配線(xiàn)圖案2、3，例如，可以在銅(Cu)上電鍍錫(Sn)來(lái)構(gòu)成。但是，并不限于此，例如，還可以在銅(Cu)上電鍍金(Au)來(lái)構(gòu)成，或者，也可以?xún)H由銅(Cu)構(gòu)成。
如圖1(a)所示，在上述半導(dǎo)體芯片4上設(shè)置有由金(Au)構(gòu)成的凸點(diǎn)電極(Bump Electrode)5。并且，連接該凸點(diǎn)電極5和上述配線(xiàn)圖案2、3，從而使兩者電連接。
另外，在半導(dǎo)體裝置10的、除撓性配線(xiàn)基板1上的配線(xiàn)圖案2、3和半導(dǎo)體芯片4之外的部分上涂敷有由絕緣性材料構(gòu)成的阻焊層7。由此，可以防止因?qū)щ娦噪s質(zhì)直接附著在配線(xiàn)圖案2、3上所導(dǎo)致的短路。
進(jìn)而，在半導(dǎo)體裝置10中，在鍵合了凸點(diǎn)電極5與撓性配線(xiàn)基板1上的配線(xiàn)圖案2、3之后，在半導(dǎo)體芯片4與撓性配線(xiàn)基板1之間形成的縫隙以及半導(dǎo)體芯片4的外周填充由樹(shù)脂構(gòu)成的底充膠6。由此，可望提高半導(dǎo)體裝置10的抗?jié)裥院蜋C(jī)械強(qiáng)度。在填充該底充膠6時(shí)，當(dāng)在半導(dǎo)體芯片4與撓性配線(xiàn)基板1之間形成的縫隙中填充底充膠6時(shí)，該底充膠6借助于毛細(xì)管現(xiàn)象而滲出到半導(dǎo)體芯片4的周邊。滲出到該半導(dǎo)體芯征4的周邊的底充膠6被稱(chēng)為焊角部分6a、6b。此外，也如圖1(b)所示，在該填充該底充膠6時(shí)，在借助于后述的噴嘴41注入樹(shù)脂的區(qū)域中殘留有涂敷痕跡。該涂敷痕跡被稱(chēng)為描畫(huà)涂敷痕跡6c。
如圖2(a)所示，在撓性膜1a中，連續(xù)地設(shè)置有多個(gè)上述半導(dǎo)體裝置10。因此，如圖2(a)所示，按照用戶(hù)所希望的形狀9對(duì)撓性膜1a進(jìn)行裁斷，從而如圖2(b)所示那樣地得到一個(gè)半導(dǎo)體裝置10，在該半導(dǎo)體裝置10中，半導(dǎo)體芯片4被搭載至撓性配線(xiàn)基板1。
另外，如圖2(a)所示，在撓性膜1a的兩側(cè)設(shè)置有作為輸送用輸送孔部分的輸送孔(Sprocket Hole)8。因此，使未圖示的突起物通過(guò)該輸送孔，從而能夠輸送撓性膜1a。借此，可以通過(guò)流水作業(yè)來(lái)制造半導(dǎo)體裝置10。
在本實(shí)施方式中，例如，如圖3(a)、圖3(b)所示，完成后的半導(dǎo)體裝置10被安裝至作為顯示模塊的液晶模塊20，并被用于驅(qū)動(dòng)液晶顯示面板21。
即，液晶顯示模塊20是如圖3(a)、圖3(b)所示那樣地將半導(dǎo)體裝置10安裝至由TFT(Thin Film Transistor薄膜晶體管)基板21a及濾色片基板21b構(gòu)成的液晶顯示面板21而構(gòu)成的。另外，在上述半導(dǎo)體裝置的與液晶顯示面板21相反的一側(cè)，安裝有作為電路基板PW(Printed Wiring印制線(xiàn)路)基板30。在將上述半導(dǎo)體裝置10安裝至上述液晶顯示面板21和PW基板30時(shí)，利用各向異性導(dǎo)電粘結(jié)劑(ACFAnisotropicConductive Film)11將上述半導(dǎo)體裝置10粘結(jié)到液晶顯示面板21和PW基板30，從而使其電連接。該各向異性導(dǎo)電粘結(jié)劑11是厚度為15～45μm的粘性膜，在該粘性膜中分散了直徑為3～15μm的導(dǎo)電粒子。由于導(dǎo)電粒子被分散在膜中，所以，各向異性導(dǎo)電粘結(jié)劑11本身是絕緣物。通過(guò)將該各向異性導(dǎo)電粘結(jié)劑11夾持在電路圖案之間，并進(jìn)行加熱、加壓，能夠使上下的電極之間導(dǎo)通，使相鄰的電極之間絕緣，并同時(shí)進(jìn)行上下的粘結(jié)。
這里，關(guān)于由上述結(jié)構(gòu)的COF構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置10，詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)施方式的特征性的制造方法以及利用該制造方法制造的特征性的結(jié)構(gòu)。
首先，在制造半導(dǎo)體裝置10時(shí)，如圖1(a)、圖2(a)和圖2(b)所示，在由聚酰亞胺構(gòu)成的撓性膜1a上形成墊壘金屬層2a、3a和銅(Cu)膜2b、3b，通過(guò)蝕刻該由銅(Cu)構(gòu)成的膜來(lái)進(jìn)行圖案的形成。進(jìn)而，通過(guò)在其上實(shí)施電鍍錫(Sn)2c、3c來(lái)形成配線(xiàn)圖案2、3。接著，為了保護(hù)配線(xiàn)圖案2、3，而對(duì)除半導(dǎo)體芯片搭載部分以及連接液晶面板21、PW基板30的端子部分之外的部分涂敷阻焊層7，并使其干燥、硬化，從而制作帶載膜。之后，將形成了凸點(diǎn)電極5的半導(dǎo)體芯片4鍵合到該帶載膜上。該鍵合的工序被稱(chēng)為“內(nèi)部引線(xiàn)鍵合(ILB)”。
接著，在內(nèi)部引線(xiàn)鍵合之后，為了保護(hù)半導(dǎo)體芯片4，而在半導(dǎo)體芯片4與撓性配線(xiàn)基板1之間填充底充膠6的密封樹(shù)脂，并通過(guò)加熱處理使得密封樹(shù)脂硬化。在填充底充膠6的密封樹(shù)脂時(shí)，如圖4(a)和圖4(b)所示，按照由半導(dǎo)體芯片4的形狀所決定的描畫(huà)圖案，從噴嘴41排出一定量的密封樹(shù)脂并將該密封樹(shù)脂從半導(dǎo)體芯片4的長(zhǎng)邊一側(cè)注入半導(dǎo)體芯片4與撓性配線(xiàn)基板1之間。密封樹(shù)脂借助于毛細(xì)管現(xiàn)象而流入半導(dǎo)體芯片4與撓性配線(xiàn)基板1之間的所有空間，從而在半導(dǎo)體芯片4的側(cè)面形成均勻的焊角部分6a、6b。然后，進(jìn)行最后的測(cè)試，并完成COF半導(dǎo)體裝置10的安裝。
在排出底充膠106的密封樹(shù)脂時(shí)所用的描畫(huà)圖案取決于所使用的樹(shù)脂的流動(dòng)性。因此，要在半導(dǎo)體芯片4與撓性配線(xiàn)基板1的縫隙間均勻地填充樹(shù)脂并在半導(dǎo)體4的側(cè)面形成均勻的焊角部分6a、6b，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，只能從半導(dǎo)體芯片4的4個(gè)側(cè)面來(lái)填充樹(shù)脂。
此外，存在這樣的問(wèn)題，即在描畫(huà)涂敷樹(shù)脂后留下的描畫(huà)涂敷痕跡6c的樹(shù)脂厚度為大于或等于30～50μm，樹(shù)脂的殘留比較明顯。
因此，在本實(shí)施方式中，首先，通過(guò)將底充膠6所使用的樹(shù)脂的在填充時(shí)的黏度設(shè)定為50～600mPa·s，來(lái)提高其流動(dòng)性。
即，如表1所示，將密封樹(shù)脂的黏度設(shè)定成在25℃時(shí)為50～600mPa·s，使得密封樹(shù)脂具有良好的填充性能。另外，當(dāng)密封樹(shù)脂的黏度大于或等于800mPa·s時(shí)，容易產(chǎn)生氣泡或未得到填充的部分。此外，在上述密封樹(shù)脂黏度50～600mPa·s的范圍內(nèi)，50～200mPa·s的范圍存在噴嘴41發(fā)生滴液的傾向，所以，需要在涂敷裝置側(cè)設(shè)置防止滴液的機(jī)構(gòu)。在這一點(diǎn)上，如果預(yù)先設(shè)定成在25℃時(shí)為300～900mPa·s的范圍，則具有良好的可加工性。另外，通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體芯片4進(jìn)行加熱，則可望進(jìn)一步降低黏度，從而提高其流動(dòng)性?；诖?，在本實(shí)施方案中，作為綜合評(píng)價(jià)，密封樹(shù)脂密度最為優(yōu)選的是，在25℃時(shí)為300～900mPa·s的范圍。
(表1)密封樹(shù)脂黏度與填充性能及樹(shù)脂涂敷的可加工性的關(guān)系(25℃時(shí)的黏度)

另外，在本實(shí)施方式中，在用噴嘴41涂敷樹(shù)脂時(shí)，預(yù)加熱(預(yù)熱)半導(dǎo)體芯片4，在樹(shù)脂被加熱至60～120℃的狀態(tài)下進(jìn)行樹(shù)脂的填充。此處，由于半導(dǎo)體芯片4與撓性配線(xiàn)基板1之間的縫隙較窄，所以底充膠6的量比較少，因此，可考慮在涂敷樹(shù)脂后將底充膠6的樹(shù)脂溫度迅速地升溫至半導(dǎo)體芯片4的溫度。
這里，之所以對(duì)半導(dǎo)體芯片4實(shí)施預(yù)熱，如圖5、圖6所示，是為了通過(guò)對(duì)樹(shù)脂進(jìn)行加熱，使該樹(shù)脂的黏度降低，從而提高樹(shù)脂的流動(dòng)性的緣故。在本實(shí)施方式中，半導(dǎo)體芯片4的預(yù)熱溫度優(yōu)選使用流動(dòng)性效果最好的60～120℃的范圍。另外，如果將樹(shù)脂溫度進(jìn)一步升高至比120℃還要高的高溫，則由于密封樹(shù)脂的劇烈的熱硬化和增粘，將難以提高樹(shù)脂的流動(dòng)性?；诖擞^(guān)點(diǎn)，使之進(jìn)一步升溫到比120℃還要高的高溫并不理想。
這里，在本實(shí)施方式中，還存在另外一個(gè)使樹(shù)脂溫度升高的理由。即，作為密封樹(shù)脂，一般使用環(huán)氧樹(shù)脂類(lèi)樹(shù)脂，在一般情況下，在常溫常壓(25℃、1個(gè)大氣壓)下，該環(huán)氧樹(shù)脂類(lèi)樹(shù)脂的黏度為大于或等于700mPa·s。因此，在常溫常壓(25℃、1個(gè)大氣壓)下難以得到填充性能良好的產(chǎn)品?；诖?，即使在常溫常壓(25℃、1個(gè)大氣壓)下黏度較高，但通過(guò)提高樹(shù)脂的溫度，可以降低其黏度，從而能夠容易地提高其填充性能。
此外，在現(xiàn)有技術(shù)中，如圖10(a)所示，為了保護(hù)半導(dǎo)體芯片104，只能按照半導(dǎo)體芯片104的形狀，從半導(dǎo)體芯片104的4個(gè)側(cè)面，用噴嘴141排出一定量的密封樹(shù)脂并將該密封樹(shù)脂注入半導(dǎo)體芯片104與撓性配線(xiàn)基板101之間。但是，在本實(shí)施方式中，通過(guò)降低所使用的樹(shù)脂的黏度來(lái)提高其流動(dòng)性，從而，如圖4(a)所示，變更為僅從半導(dǎo)體芯片4的1個(gè)長(zhǎng)邊側(cè)進(jìn)行描畫(huà)涂敷。
與現(xiàn)有技術(shù)中在4個(gè)側(cè)面進(jìn)行樹(shù)脂的填充的情況比較而言，根據(jù)上述的從1個(gè)長(zhǎng)邊側(cè)進(jìn)行的描畫(huà)涂敷，在將底充膠6的密封樹(shù)脂填充至半導(dǎo)體芯片4與撓性配線(xiàn)基板1之間時(shí)所發(fā)生的氣泡比較容易在樹(shù)脂硬化之前被排出。即，氣泡從未由噴嘴41進(jìn)行樹(shù)脂涂敷的側(cè)面排出到外部，因此，能夠防止氣泡的殘留。
另外，如圖1(b)所示，通過(guò)變更為僅從半導(dǎo)體芯片4的1個(gè)長(zhǎng)邊側(cè)來(lái)描畫(huà)涂敷密封樹(shù)脂，可以將描畫(huà)涂敷痕跡6c的寬度A設(shè)定為0.1～10mm，例如，為0.43mm?？梢詫⒑附遣糠?a的自半導(dǎo)體芯片4起的寬度B設(shè)定為小于或等于1.0mm，例如為0.92mm。可以將焊角部分6b的自半導(dǎo)體芯片4起的寬度C設(shè)定為小于或等于0.8mm，例如為0.55mm。此外，半導(dǎo)體芯片4的短邊側(cè)的焊角部分的自半導(dǎo)體芯片4的寬度例如為0.59mm。另外，描畫(huà)涂敷痕跡6c的樹(shù)脂厚度為3μm。
其結(jié)果為，圖4(b)所示的(橫向樹(shù)脂區(qū)域(焊角部分6a、6b+描畫(huà)涂敷痕跡6c)+半導(dǎo)體芯片寬度)Wb1變得比現(xiàn)有技術(shù)的圖10(b)所示的(橫向樹(shù)脂區(qū)域+半導(dǎo)體芯片寬度)Wa1小。另外，圖4(b)所示的(縱向樹(shù)脂區(qū)域)Wb2b變得比現(xiàn)有技術(shù)的圖10(b)所示的(縱向樹(shù)脂區(qū)域)Wa2小。
此外，在本實(shí)施方式中，通過(guò)特別地提高密封樹(shù)脂的流動(dòng)性，使描畫(huà)涂敷痕跡6c的樹(shù)脂厚度形成得較薄。即，如圖7(a)、圖7(b)所示，在現(xiàn)有密封樹(shù)脂中，其黏度較高，大于或等于900mPa·s，因此，描畫(huà)涂敷痕跡106c的樹(shù)脂厚度較厚，大于或等于20μm。但是，在本實(shí)施方式中，將樹(shù)脂黏度控制成在25℃時(shí)為50～600mPa·s，而且，在填充樹(shù)脂時(shí)，將半導(dǎo)體芯片4預(yù)熱加熱至60℃～120℃并使其黏度降低到比25℃時(shí)的黏度還要低，從而，可以較容易地使描畫(huà)涂敷痕跡6c的樹(shù)脂厚度形成得較薄，為小于或等于10μm。
如表2所示，在現(xiàn)有技術(shù)的密封樹(shù)脂中，存在這樣的問(wèn)題，即，在使描畫(huà)涂敷痕跡6c撓曲時(shí)，會(huì)產(chǎn)生樹(shù)脂裂縫。但是，在本實(shí)施方式中，樹(shù)脂厚度已經(jīng)變得極薄，為小于或等于10μm，所以，具有即使撓曲描畫(huà)涂敷痕跡也不會(huì)產(chǎn)生樹(shù)脂裂痕的特征。由此，能夠縮小在現(xiàn)有技術(shù)中不能施加撓曲應(yīng)用(Flexing Stress)的區(qū)域。
(表2)描畫(huà)涂敷痕跡的樹(shù)脂厚度與被撓曲時(shí)樹(shù)脂發(fā)生裂縫的情況的關(guān)系

在現(xiàn)有技術(shù)中，由于描畫(huà)涂敷痕跡106c不能被撓曲，所以，需要提高該描畫(huà)涂敷痕跡106c的密封樹(shù)脂區(qū)域的可識(shí)別性。因此，在現(xiàn)有技術(shù)中，作為被添加在密封樹(shù)脂內(nèi)的著色劑(染料)，如表3的現(xiàn)有技術(shù)例所示，需要在0.3～0.5wt％的范圍內(nèi)添加著色劑來(lái)加深色彩，從而清楚地表示描畫(huà)涂敷痕跡106c。即，如表3所示，現(xiàn)有技術(shù)的樹(shù)脂中的著色劑的混合比例如為0.5wt％。
(表3)密封樹(shù)脂的混合物比

對(duì)此，在本實(shí)施方式中，由于描畫(huà)涂敷痕跡6c的厚度較小，所以，即使是描畫(huà)涂敷痕跡6c，也能夠進(jìn)行撓曲。但是，為了明確樹(shù)脂厚度大于或等于30μm的較厚的焊角部分6a、6b與樹(shù)脂厚度小于或等于10μm的較薄的描畫(huà)涂敷痕跡6c，需要提高其可識(shí)別性。
因此，在本實(shí)施方式中，如表3所示，作為樹(shù)脂中的著色劑的混合比，例如將其設(shè)定為0.15wt％，與現(xiàn)有技術(shù)相比而言，其色彩變得較淡。
關(guān)于上述添加量，如表4所示，將被添加在密封樹(shù)脂內(nèi)的著色劑(染料)設(shè)定為0.1～0.3wt％的范圍。通過(guò)實(shí)驗(yàn)已經(jīng)確認(rèn)能夠提高焊角部分6a、6b與描畫(huà)涂敷痕跡6c之間的邊界的可識(shí)別性。另外，如表4所示，著色劑(染料)的添加量?jī)?yōu)選0.15～0.20wt％的范圍。
(表4)著色劑的添加量與可識(shí)別性的關(guān)系如上所述，步進(jìn)向量函數(shù)StepVec[i]提供作為j值之前進(jìn)緩存器步進(jìn)數(shù)目，以使數(shù)據(jù)向量VecH(j)的每一元素都不等于零。藉由使用該步進(jìn)向量StepVec[i]來(lái)使所述指標(biāo)前進(jìn)，而非使所述指標(biāo)一次僅前進(jìn)一緩存器步進(jìn)，可跳過(guò)VecH中等于零的值。藉由跳過(guò)VecH中等于零的值，VecH(數(shù)據(jù)向量)以及VecG(多個(gè)系數(shù)向量)中多數(shù)個(gè)值即無(wú)需被定位與從存儲(chǔ)器讀取，并且亦無(wú)需將其用于卷積計(jì)算中。以此方式，可避免多個(gè)處理步驟。例如，存儲(chǔ)器存取的數(shù)目將從2*K*N下降至2*K*M，其中M＝N-(VecH內(nèi)零值的數(shù)目)。
例如，若VecH為以下向量

StepVec[i]可為

以便在計(jì)算VecH與VecG的卷積時(shí)，可使用VecH[j＝0]＝0001(以乘上VecG[k][j]，而將乘積加到累積的卷積結(jié)果上)。接著，將j遞增StepVec[i＝0]＝1的值，以使j的新值為1。接下來(lái)可使用VecH[j＝1]＝1101。接著，可將j遞增StepVec[i＝1]＝4的值，以使j的新值為5。接下來(lái)可使用VecH[j＝5]＝1101。接著，將j遞增StepVec[i＝2]＝1的值，以使j的新值為6。接下來(lái)可使能進(jìn)行撓曲的描畫(huà)涂敷痕跡6c也成為可撓曲區(qū)域，能夠縮小不可撓曲的樹(shù)脂區(qū)域。由此，能夠?qū)雽?dǎo)體裝置10的外形尺寸設(shè)定得比現(xiàn)有技術(shù)的尺寸小。
另外，通過(guò)在半導(dǎo)體芯片4的密封樹(shù)脂中適當(dāng)而合理地添加著色劑，可提高焊角部分6a、6b與描畫(huà)涂敷痕跡6c之間的可識(shí)別性，從而易于對(duì)樹(shù)脂區(qū)域進(jìn)行管理。
(實(shí)施例)為了制造上述半導(dǎo)體裝置10，如表3所示，使用其中含有0.15wt％著色劑、并且在25℃時(shí)黏度為400Pa·s的密封樹(shù)脂，并如圖4(a)所示，用噴嘴41從半導(dǎo)體芯片4的一邊側(cè)進(jìn)行了一定量的涂敷。另外，在進(jìn)行樹(shù)脂的涂敷時(shí)，為了使底充膠6的樹(shù)脂在半導(dǎo)體芯片4與撓性配線(xiàn)基板1之間具有良好的流動(dòng)性，在用加熱器將半導(dǎo)體芯片預(yù)加熱(預(yù)熱)至90℃后，進(jìn)行了樹(shù)脂的涂敷。
接著，為了使焊角部分6a、6b和描畫(huà)涂敷痕跡6c的形狀穩(wěn)定化，并使樹(shù)脂硬化，而使上述半導(dǎo)體裝置10在硬化爐中停留預(yù)定時(shí)間，從而完成硬化，其中，用熱風(fēng)循環(huán)爐或遠(yuǎn)紅外加熱器使該硬化爐升溫至預(yù)定的溫度，所述預(yù)定時(shí)間是樹(shù)脂硬化的時(shí)間。
通過(guò)上述制造方法制造的半導(dǎo)體裝置10的最終尺寸值為下述，即，如圖1(b)所示，描畫(huà)涂敷痕跡6c的寬度A為0.43mm，焊角部分6a的自半導(dǎo)體芯片4起的寬度B為0.92mm，焊角部分6b的自半導(dǎo)體芯片4起的寬度C為0.55mm，半導(dǎo)體芯片4的短邊側(cè)的焊角部分的自半導(dǎo)體芯片4起的寬度為0.59mm。另外，描畫(huà)涂敷痕跡6c的樹(shù)脂厚度為3μm。
如上所述，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置及其制造方法中，密封樹(shù)脂的黏度優(yōu)選的是，在25℃時(shí)為50～600mPa·s。
通過(guò)上述，借助于現(xiàn)有技術(shù)中從未有過(guò)的低黏度化，能夠提高用于填充撓性配線(xiàn)基板與半導(dǎo)體元件之間的縫隙的密封樹(shù)脂的流動(dòng)性。從而，能夠?qū)?shù)脂的填充方法從半導(dǎo)體元件的4個(gè)側(cè)面的描畫(huà)涂敷變更為1個(gè)長(zhǎng)邊側(cè)的描畫(huà)涂敷。
其結(jié)果，在半導(dǎo)體元件的側(cè)面形成的半導(dǎo)體元件周邊填充部分的寬度得以實(shí)現(xiàn)均勻化，而且，能夠減小另一側(cè)面的半導(dǎo)體元件周邊填充部分的寬度。
因此，能夠提供一種可望減小用于保護(hù)半導(dǎo)體元件的密封樹(shù)脂區(qū)域的寬度，擴(kuò)大撓曲區(qū)域并實(shí)現(xiàn)小型化的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
進(jìn)而，在將密封樹(shù)脂填充到半導(dǎo)體元件與撓性配線(xiàn)基板的縫隙之間時(shí)所產(chǎn)生的氣泡比較容易在樹(shù)脂硬化之前被排出到密封樹(shù)脂外部，所以，能夠防止氣泡的殘留。因此，能夠杜絕在密封樹(shù)脂中產(chǎn)生的氣泡，從而提高半導(dǎo)體裝置的質(zhì)量。
另外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置及其制造方法中，上述密封樹(shù)脂在填充時(shí)的溫度優(yōu)選在60～120℃。此外，在提高密封樹(shù)脂的溫度時(shí)，優(yōu)選的是，對(duì)半導(dǎo)體元件進(jìn)行加熱。其理由為下述，即，在加熱密封樹(shù)脂的方法中，隨著密封樹(shù)脂的硬化，樹(shù)脂黏度增大，由此導(dǎo)致適用期縮短、樹(shù)脂涂敷噴嘴發(fā)生堵塞，這些問(wèn)題將造成可加工性的惡化。
其結(jié)果，能夠盡可能地降低樹(shù)脂的黏度，從而提高密封樹(shù)脂的流動(dòng)性。另外，如果在提高密封樹(shù)脂的溫度時(shí)對(duì)密封樹(shù)脂進(jìn)行加熱，則可能發(fā)生噴嘴滴液，而且，由于在剛填充了密封樹(shù)脂后就將其放置于低溫條件下，可能會(huì)導(dǎo)致該樹(shù)脂的溫度降低，從而使樹(shù)脂的黏度增大。所以，在提高密封樹(shù)脂的溫度時(shí)，優(yōu)選的是，對(duì)半導(dǎo)體元件進(jìn)行加熱。
另外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置及其制造方法中，優(yōu)選的是，在用于保護(hù)上述半導(dǎo)體元件的密封樹(shù)脂中添加0.1～0.30wt％的著色劑。
由此，能夠比較容易通過(guò)肉眼觀(guān)測(cè)來(lái)識(shí)別樹(shù)脂的半導(dǎo)體元件周邊填充部分和描畫(huà)涂敷痕跡，從而易于進(jìn)行樹(shù)脂區(qū)域的管理。
此外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選的是，上述描畫(huà)涂敷痕跡僅存在于上述半導(dǎo)體元件的一個(gè)長(zhǎng)邊側(cè)。
另外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選的是，僅從上述半導(dǎo)體元件的一個(gè)長(zhǎng)邊側(cè)用噴嘴來(lái)描畫(huà)并填充上述密封樹(shù)脂。
通過(guò)上述，可以縮短樹(shù)脂描畫(huà)涂敷所需的單件產(chǎn)品生產(chǎn)時(shí)間，從而，可望提高樹(shù)脂涂敷裝置的處理能力。
另外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置及其制造方法中，優(yōu)選的是，在薄膜載帶(Film CarrierTape)上連續(xù)形成多個(gè)上述撓性配線(xiàn)基板，并且，上述半導(dǎo)體元件被分別搭載于上述撓性配線(xiàn)基板。
由此，能夠提供一種帶載式的半導(dǎo)體裝置。
另外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置及其制造方法中，優(yōu)選的是，搭載了液晶顯示元件及外圍部件的液晶模塊被連接至上述撓性配線(xiàn)基板。
因此，本發(fā)明適用于搭載了液晶顯示元件及外圍部件的液晶模塊的半導(dǎo)體裝置。
以上，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，上述具體實(shí)施方式
或?qū)嵤├齼H僅是揭示本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容的示例，本發(fā)明并不限于上述具體示例，不應(yīng)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行狹義的解釋?zhuān)稍诒景l(fā)明的精神和權(quán)利要求的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變更來(lái)實(shí)施之。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其中，半導(dǎo)體元件被搭載至形成了配線(xiàn)圖案的膜狀的撓性配線(xiàn)基板，其特征在于在上述撓性配線(xiàn)基板與半導(dǎo)體元件的縫隙之間填充有用于保護(hù)該半導(dǎo)體元件的密封樹(shù)脂；在用噴嘴描畫(huà)上述半導(dǎo)體元件的至少長(zhǎng)邊側(cè)并填充上述密封樹(shù)脂時(shí)形成的描畫(huà)涂敷痕跡的樹(shù)脂的寬度為0.1～1.0mm，而且，該描畫(huà)涂敷痕跡的樹(shù)脂的厚度小于或等于10μm。
2.一種半導(dǎo)體裝置，其中，半導(dǎo)體元件被搭載至形成了配線(xiàn)圖案的膜狀的撓性配線(xiàn)基板，其特征在于在上述撓性配線(xiàn)基板與半導(dǎo)體元件的縫隙之間填充有用于保護(hù)該半導(dǎo)體元件的密封樹(shù)脂；關(guān)于在用噴嘴描畫(huà)上述半導(dǎo)體元件的一個(gè)長(zhǎng)邊側(cè)并填充上述密封樹(shù)脂時(shí)形成的半導(dǎo)體元件周邊填充部分的寬度，在上述半導(dǎo)體元件的一個(gè)長(zhǎng)邊側(cè)的噴嘴涂敷側(cè)，自半導(dǎo)體元件起，為小于或等于1.0mm；而在與上述半導(dǎo)體元件的上述一個(gè)長(zhǎng)邊側(cè)相對(duì)的另一長(zhǎng)邊側(cè)，自半導(dǎo)體元件起，為小于或等于0.8mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于上述密封樹(shù)脂的黏度在25℃時(shí)為50～600mPa·s。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于上述密封樹(shù)脂在填充時(shí)的溫度為60～120℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于在用于保護(hù)上述半導(dǎo)體元件的密封樹(shù)脂中添加0.10～0.30wt％的著色劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于上述描畫(huà)涂敷痕跡僅存在于上述半導(dǎo)體元件的一個(gè)長(zhǎng)邊側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于在薄膜載帶上連續(xù)形成有多個(gè)上述撓性配線(xiàn)基板，并且，上述半導(dǎo)體元件被分別搭載于上述撓性配線(xiàn)基板。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于搭載了液晶顯示元件及外圍部件的液晶模塊被連接至上述撓性配線(xiàn)基板。
9.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，在該半導(dǎo)體裝置中，半導(dǎo)體元件被搭載至形成了配線(xiàn)圖案的膜狀的撓性配線(xiàn)基板，該制造方法的特征在于，包括在上述撓性配線(xiàn)基板與半導(dǎo)體元件的縫隙之間填充用于保護(hù)該半導(dǎo)體元件的密封樹(shù)脂的步驟；以及將在用噴嘴描畫(huà)上述半導(dǎo)體元件的至少長(zhǎng)邊側(cè)并填充上述密封樹(shù)脂時(shí)所形成的描畫(huà)涂敷痕跡的樹(shù)脂的寬度設(shè)定為0.1～1.0mm，而且，將該描畫(huà)涂敷痕跡的樹(shù)脂的厚度設(shè)定為小于或等于10μm的步驟。
10.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，在該半導(dǎo)體裝置中，半導(dǎo)體元件被搭載至形成了配線(xiàn)圖案的膜狀的撓性配線(xiàn)基板，該制造方法的特征在于，包括在上述撓性配線(xiàn)基板與半導(dǎo)體元件的縫隙之間填充用于保護(hù)該半導(dǎo)體元件的密封樹(shù)脂的步驟；以及對(duì)在用噴嘴描畫(huà)上述半導(dǎo)體元件的一個(gè)長(zhǎng)邊側(cè)并填充上述密封樹(shù)脂時(shí)形成的半導(dǎo)體元件周邊填充部分的寬度進(jìn)行下述設(shè)定的步驟，即，在上述半導(dǎo)體元件的一個(gè)長(zhǎng)邊側(cè)的噴嘴涂敷側(cè)，自半導(dǎo)體元件起，為小于或等于1.0mm，而在與上述半導(dǎo)體元件的上述一個(gè)長(zhǎng)邊側(cè)相對(duì)的另一長(zhǎng)邊側(cè)，自半導(dǎo)體元件起，為小于或等于0.8mm。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括將上述密封樹(shù)脂的黏度設(shè)定成在25℃時(shí)為50～600mPa·s的步驟。
12.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括將上述密封樹(shù)脂在填充時(shí)的樹(shù)脂溫度設(shè)定為60～120℃的步驟。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括在提高上述密封樹(shù)脂的填充時(shí)的樹(shù)脂溫度時(shí)，對(duì)半導(dǎo)體元件進(jìn)行加熱的步驟。
14.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括在上述密封樹(shù)脂中添加0.10～0.30wt％的著色劑的步驟。
15.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括僅從上述半導(dǎo)體元件的一個(gè)長(zhǎng)邊側(cè)用噴嘴來(lái)描畫(huà)并填充上述密封樹(shù)脂的步驟。
16.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括在薄膜載帶上連續(xù)形成多個(gè)上述撓性配線(xiàn)基板的步驟；以及在上述撓性配線(xiàn)基板上分別搭載上述半導(dǎo)體元件的步驟。
17.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于包括將搭載了液晶顯示元件及外圍部件的液晶模塊連接至上述撓性配線(xiàn)基板的步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。在COF等的半導(dǎo)體裝置中，在形成了配線(xiàn)圖案的膜狀的撓性配線(xiàn)基板上搭載有半導(dǎo)體芯片。在撓性配線(xiàn)基板與半導(dǎo)體元件的縫隙之間填充有用于保護(hù)半導(dǎo)體芯片的密封樹(shù)脂。在用噴嘴描畫(huà)半導(dǎo)體芯片的長(zhǎng)邊側(cè)并填充密封樹(shù)脂時(shí)形成的描畫(huà)涂敷痕跡的樹(shù)脂的寬度為0.1～1.0mm，而且，描畫(huà)涂敷痕跡的樹(shù)脂的厚度小于或等于10μm。
文檔編號(hào)H01L21/56GK1862792SQ20061000683
公開(kāi)日2006年11月15日 申請(qǐng)日期2006年2月5日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月2日
發(fā)明者福田和彥, 豐澤健司 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社