專利名稱：光感測(cè)集成電路元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一微電子元件和其制造方法，且特別是有關(guān)于影像感測(cè)元件及其制造方法。
背景技術(shù)：
例如影像感測(cè)器和彩色濾光層的光感測(cè)集成電路在抓取影像的光感測(cè)元件中是扮演重要的角色，這些集成電路元件已應(yīng)用于例如數(shù)字相機(jī)、數(shù)字?jǐn)z錄像機(jī)和手機(jī)等的消費(fèi)電子元件和攜帶型元件，一般來(lái)說(shuō)，金屬氧化物半導(dǎo)體影像感測(cè)器包括過(guò)濾光的彩色濾光層、保護(hù)堆疊層、金屬層、金屬接觸孔、介電層和接收光的光電二極管，而光電二極管是之后將光轉(zhuǎn)換成電子信號(hào)。
量子效率(quantum efficiency)是為決定光感測(cè)集成電路光效能的要素之一，光電二極管所接收的光越多，其量子效率則越高。
圖1是揭示現(xiàn)有技術(shù)不包括微透鏡的光感測(cè)集成電路元件的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1，多個(gè)N型或是P型的光電二極管102形成在單晶硅半導(dǎo)體基底100上，光電二極管102所使用的N型或是P型的摻雜物可包括磷、硼或是其它已知的摻雜物。
之后，一第一介電材料層104可以例如化學(xué)氣相沉積法沉積(CVD)、等離子化學(xué)氣相沉積法(PECVD)、原子層沉積法(APCVD)、物理氣相沉積法(PVD)、離子化物理氣相沉積法(I-PVD)、原子層沉積法(ALD)、電鍍、旋轉(zhuǎn)涂布或是其它制程形成于光電二極管102和半導(dǎo)體基底100上，第一介電材料層104可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、摻雜或未摻雜的硅化玻璃，此第一介電材料層104是用以將位于其下的光電二極管102及半導(dǎo)體基底100，和后續(xù)形成的導(dǎo)電層隔絕。多個(gè)開(kāi)口或接觸孔可形成于第一介電材料層104中，接著，將這些開(kāi)口填入是例如鋁、金、銅或鎢等金屬材料，而因此形成一第一金屬接觸孔106。
第一金屬接觸孔106使電信號(hào)可在光感測(cè)集成電路中傳遞，在更進(jìn)一步的半導(dǎo)體制程中，第一介電材料層104和第一金屬接觸孔106可以化學(xué)機(jī)械研磨法平坦化，且后續(xù)形成一第一金屬層108，類似于第一金屬接觸孔106的第一金屬層108亦可由例如鋁、金、銅或鎢等金屬材料所形成，且第一金屬層108亦可用以傳遞電信號(hào)。
如圖1所示，后續(xù)的介電材料層、金屬接觸孔和金屬層可依據(jù)光感測(cè)元件設(shè)計(jì)和效能的需要添加，第二和第三介電材料層110、116可使用和第一介電材料層104相同或相似的制程步驟形成，同樣的，第二和第三金屬接觸孔112、118孔可使用和第一金屬接觸孔106相同或相似的制程步驟形成，第二和第三金屬層114、120可使用和第一金屬層108相同或相似的金屬制程步驟形成。
一般來(lái)說(shuō)，光感測(cè)元件可感測(cè)廣范圍波長(zhǎng)的光，例如包括全部可視范圍的光譜，然而，在一些情況下，為特殊的應(yīng)用，需要區(qū)域性選擇色彩或頻率，縮小光波長(zhǎng)的范圍。為了使光電二極管102反應(yīng)特殊波長(zhǎng)的光，第三金屬層120可以化學(xué)機(jī)械研磨法平坦化，以于其上形成彩色濾光層126，平坦化意味著其具有較平坦的地形，而一保護(hù)堆疊層122可以熟知的沉積技術(shù)形成于第三金屬層120上，而保護(hù)堆疊層122可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、摻雜或未摻雜的硅化玻璃，保護(hù)堆疊層122是用以絕緣和保護(hù)所有位于其下的層，防止環(huán)境或是物理的損傷。接著，一間隙壁層134可以相似的制程步驟和使用相似的材料形成于保護(hù)堆疊層122上，后續(xù)，可形成多個(gè)彩色濾光層126于間隙壁層134上方，且多個(gè)彩色濾光層126大體上位于光電二極管102上方，彩色濾光層126亦可依照特殊的圖案排列，以依序形成彩色濾光陣列，達(dá)成所需的感測(cè)度和特性。每一彩色濾光層126可搭配于光感測(cè)元件，以使每一光電二極管102僅接收單一顏色，而反應(yīng)出單一波長(zhǎng)或單一顏色的光。

發(fā)明內(nèi)容
因此，根據(jù)上述問(wèn)題，本發(fā)明的一目的是為增加光感測(cè)集成電路的量子效率，及改進(jìn)光感測(cè)集成電路的光特性。
本發(fā)明提供一種光感測(cè)集成電路元件。多個(gè)光電二極管形成于一基底上。多個(gè)微透鏡形成于光電二極管上方，其中微透鏡包括至少兩個(gè)非平面且具有不同曲率的表面的上非平面表面部分和下非平面表面部分。多個(gè)彩色濾光層大體上形成于對(duì)應(yīng)的微透鏡上方。
本發(fā)明所述的光感測(cè)集成電路元件，該上非平面表面部分是為一上凸面。
本發(fā)明所述的光感測(cè)集成電路元件，該下非平面表面部分是為一下凸面。
本發(fā)明所述的光感測(cè)集成電路元件，該上非平面表面部分和下非平面表面部分是為可用以導(dǎo)引光線至光電二極管的折射層，其中該入射光以傾斜的角度和垂直的角度進(jìn)入該微透鏡。
本發(fā)明所述的光感測(cè)集成電路元件，該上非平面表面部分和下非平面表面部分大體上由光致抗蝕劑材料所組成，其中該光致抗蝕劑材料是擇自下列族群正光致抗蝕劑、負(fù)光致抗蝕劑和苯環(huán)丁烯。
本發(fā)明所述的光感測(cè)集成電路元件，該上非平面表面部分和下非平面表面部分大體上由介電材料所組成，其中該介電材料是擇自下列族群氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、旋轉(zhuǎn)玻璃、摻雜硅玻璃和未摻雜硅玻璃。
本發(fā)明提供一種光感測(cè)集成電路元件。多個(gè)光電二極管形成于一基底上。多個(gè)微透鏡形成于光電二極管上方，其中微透鏡至少包括上部上凸表面部分和下部下凸表面部分，上部上凸表面部分和下部下凸表面部分具有不同曲率，上部上凸表面部分和下部下凸表面部分皆具有凸的表面。多個(gè)彩色濾光層大體上形成于對(duì)應(yīng)的微透鏡上方。
本發(fā)明還提供一種光感測(cè)集成電路元件，所述光感測(cè)集成電路元件包括一基底；多個(gè)光電二極管，形成于該基底上；多個(gè)微透鏡，形成于該光電二極管上方，其中該微透鏡至少包括兩不同凸向且不同曲率的表面；及多個(gè)彩色濾光層，形成于對(duì)應(yīng)的微透鏡上方。
本發(fā)明所述的光感測(cè)集成電路元件，兩不同凸向且不同曲率的表面具有相似或是不同的組成。
本發(fā)明所述的光感測(cè)集成電路元件，兩不同凸向且不同曲率的表面之一是由光致抗蝕劑材料所組成，另一則由介電材料所組成。
本發(fā)明提供一種光感測(cè)集成電路元件。多個(gè)光電二極管形成于一基底上。多個(gè)微透鏡形成于光電二極管上方，其中微透鏡的下部包括一下凸表面部分，微透鏡的上部包括一上凸表面部分，下凸表面部分和上凸表面部分是大體上位于光電二極管上方。多個(gè)彩色濾光層大體上形成于對(duì)應(yīng)的微透鏡上方。
本發(fā)明提供一種光感測(cè)集成電路元件，包括一感測(cè)組件(sensing element)，及一微透鏡，使一入射光聚焦至感測(cè)組件，其中微透鏡在入射光的方向上具有兩相對(duì)非平面，且不相等的一第一曲率表面和一第二曲率表面，其中第一曲率表面和第二曲率表面可具有相反的曲率。
本發(fā)明提供一種光感測(cè)集成電路元件。多個(gè)光電二極管位于一基底中。多個(gè)第一微透鏡位于光電二極管上方，其中每一微透鏡至少包括兩個(gè)非平面且具有不同曲率的表面之上非平面表面部分和下非平面表面部分。多個(gè)彩色濾光層大體上位于對(duì)應(yīng)的微透鏡上方。多個(gè)第二微透鏡位于彩色濾光層上方，其中第二微透具有至少一平面。
本發(fā)明提供一種光感測(cè)集成電路元件的制造方法。首先，提供一基底，形成一光電二極管于基底中。其后，形成一保護(hù)堆疊層于基底上方，圖形化保護(hù)堆疊層以形成一下凸輪廓。接著，形成一介電材料層于保護(hù)堆疊層上，并填滿下凸輪廓，形成一旋轉(zhuǎn)涂布層于介電材料層上。后續(xù)，形成一具有圓形化輪廓的光致抗蝕劑于介電材料層上，且相對(duì)于下凸輪廓，以光致抗蝕劑為掩膜，蝕刻旋轉(zhuǎn)涂布層及部分介電材料層。其后，重復(fù)進(jìn)行多個(gè)等向性蝕刻光致抗蝕劑、以蝕刻后的光致抗蝕劑為掩膜及蝕刻旋轉(zhuǎn)涂布層及部分介電材料層的步驟，以使介電材料層形成一上凸輪廓。
本發(fā)明所述光感測(cè)集成電路元件，可增加光效率及改進(jìn)光表現(xiàn)。


圖1是揭示現(xiàn)有技術(shù)不包括微透鏡的光感測(cè)集成電路元件的剖面示意圖；圖2A至2G揭示本發(fā)明一實(shí)施例兩凸面微透鏡制造方法中間步驟剖面圖；圖3揭示使用本發(fā)明一實(shí)施例兩凸面微透鏡的光感測(cè)元件；圖4揭示本發(fā)明較佳實(shí)施例兩面凸微透鏡導(dǎo)引和聚焦光線的實(shí)例。
具體實(shí)施例方式
如本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的，本發(fā)明可應(yīng)用于各種用途，如在本說(shuō)明書(shū)所揭示中，“半導(dǎo)體基板”可定義為任何包括半導(dǎo)體材料的構(gòu)成，其包括但不限于主體半導(dǎo)體材料(例如，不限于半導(dǎo)體晶圓或是半導(dǎo)體材料層)?！盎濉笨蔀槿魏沃谓Y(jié)構(gòu)，其包括但不限于上述的半導(dǎo)體基板。
以下將以實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明作為本發(fā)明的參考，且范例是伴隨著圖式說(shuō)明之。在圖式或描述中，相似或相同的部分是使用相同的圖號(hào)。在圖式中，實(shí)施例的形狀或是厚度可擴(kuò)大，以簡(jiǎn)化或是方便標(biāo)示。圖式中各元件的部分將以分別描述說(shuō)明之，值得注意的是，圖中未繪示或描述的元件，可以具有各種本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的形式。此外，當(dāng)敘述一層是位于一基板或是另一層上時(shí)，此層可直接位于基板或是另一層上，或是其間亦可以有中介層。
請(qǐng)參照?qǐng)D2A至2G，在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，可增加量子效率和光效能的微透鏡可形成于保護(hù)堆疊層和間隙壁層間，如圖2A所示，一光致抗蝕劑圖案130可使用熟知的材料和技術(shù)形成于保護(hù)堆疊層122上方。接著，保護(hù)堆疊層122可以干蝕刻或濕蝕刻制程進(jìn)行蝕刻，此蝕刻可選擇性的移除材料，而保留所需的輪廓。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的蝕刻制程是使用化學(xué)濕蝕刻，以形成一下凸的輪廓132，下凸的輪廓132可稱為U型輪廓，之后，可以熟知的方法移除光致抗蝕劑圖案130。
后續(xù)，如圖2B所示，一間隙壁層134形成于下凸輪廓132上，此間隙壁層134可包括一介電材料層，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、摻雜或未摻雜的硅化玻璃，且可以前所述的技術(shù)形成，另外，再一實(shí)施例中，間隙壁層134亦可以光致抗蝕劑或苯環(huán)丁烯(Benzocyclobutene，以下可簡(jiǎn)稱B CB)取代。后續(xù)，可形成一旋轉(zhuǎn)玻璃層136(spin on glass，以下可簡(jiǎn)稱SOG)于間隙壁層134上方，水平化或是平坦化晶圓，以進(jìn)行后續(xù)的制程，水平化或是平坦化晶圓除了使用旋轉(zhuǎn)玻璃136方法之外，亦可使用其它平坦化或介電材料。
之后，晶圓是進(jìn)行前述類似的微影制程，且可形成額外的光致抗蝕劑圖案138，如圖2C所示，而此光致抗蝕劑圖案138可在高溫下進(jìn)行熱回流(reflow)，形成圓形化邊角，因?yàn)榇思訜岵襟E的效應(yīng)，可弱化光致抗蝕劑中的化學(xué)鍵，且光致抗蝕劑圖案138尖銳的方形邊角可變的較為緩和，而形成如圖2D所示的圓形化邊角。
接著，使用圓形化的光致抗蝕劑輪廓138作為蝕刻掩膜，對(duì)旋轉(zhuǎn)玻璃層136進(jìn)行蝕刻，依據(jù)所使用的材料的構(gòu)成，蝕刻制程可采用干式或濕式蝕刻制程，此化學(xué)蝕刻可移除旋轉(zhuǎn)玻璃層136中的部分材料，而形成輕微蝕刻的輪廓140，如圖2D所示。形成輕微蝕刻輪廓140的旋轉(zhuǎn)玻璃層136，另外，可通過(guò)控制干式或濕式蝕刻制程的時(shí)間，進(jìn)行蝕刻間隙壁層134。
根據(jù)圖2D所揭示的元件，可進(jìn)一步削減圓形化的光致抗蝕劑輪廓138，且可繼續(xù)進(jìn)行蝕刻制程，如圖2E所示，圓形化的光致抗蝕劑輪廓138可以化學(xué)蝕刻或是光致抗蝕劑移除步驟削減。之后，通過(guò)選擇性的控制蝕刻制程，可使用圓形化的光致抗蝕劑圖案138作為蝕刻掩膜，產(chǎn)生輕微蝕刻輪廓142。接著，再重復(fù)上述蝕刻步驟一次，而在間隙壁層134中產(chǎn)生階梯狀的輪廓140、142、144，如圖2F所示。上述蝕刻步驟可應(yīng)用于任何層，例如可應(yīng)用于旋轉(zhuǎn)玻璃層136或間隙壁層134，換句話說(shuō)，在上述三個(gè)連續(xù)的蝕刻步驟之后，可不保留任何剩余的旋轉(zhuǎn)玻璃層136。此外，雖然本發(fā)明實(shí)施例僅揭示重復(fù)三個(gè)蝕刻制程產(chǎn)生三個(gè)類階梯輪廓140、142、144的步驟，本發(fā)明可根據(jù)所需，應(yīng)用更多或是更少的蝕刻步驟，產(chǎn)生更多或是更少的階梯，換句話說(shuō)，階梯狀的輪廓可包括少至1至2個(gè)階梯，多至4至10個(gè)階梯。
圖2F所產(chǎn)生階梯狀的輪廓140、142、144可進(jìn)行化學(xué)干蝕刻或是濕蝕刻制程，以平順化或是圓形化尖銳的圓形邊角，如圖2G所揭示，上述圓形化步驟可產(chǎn)生一上凸的圓形化輪廓146。上凸的形狀在底部具有較大的面積，而在頂部具有較小的面積，易言之，此形狀可類似于一個(gè)上下顛倒的U型，因此，本發(fā)明一實(shí)施例的微透鏡結(jié)構(gòu)148可包括上凸的輪廓146和下凸的輪廓132。此外，亦可進(jìn)行蝕刻制程，將本發(fā)明實(shí)施例所描述的包括作為底部表面的下凸的輪廓132，及作為頂部表面的上凸輪廓146的兩面凸的微透鏡的形狀傳遞至其下的任何層，換句話說(shuō)，兩面凸的微透鏡148不一定需要形成于保護(hù)堆疊層122上方，其可以形成在前述的任何層中，或是任何兩層中間。另外，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，除了設(shè)置于彩色濾光層126下方的兩面凸的微透鏡結(jié)構(gòu)148之外，亦可包括由光致抗蝕劑組成的具有一平面及一曲面的單面微透鏡(未繪示)設(shè)置于彩色濾光層126上。
更甚者，本發(fā)明一實(shí)施例的兩面凸的微透鏡148的兩凸面可不具有相同或相似的曲率半徑，換句話說(shuō)，上凸的輪廓146的曲率和下凸的輪廓132的曲率不需相同，或是上凸的輪廓146的半徑和下凸的輪廓132的半徑可不相同或類似，上凸輪廓146和下凸輪廓132可分別依照微影和蝕刻制程，具有獨(dú)有的形狀。
圖3揭示使用本發(fā)明一實(shí)施例兩面凸微透鏡148的光感測(cè)元件，如圖3所示，此微透鏡可由形成在保護(hù)堆疊層122和間隙壁層164中的兩面凸透鏡所組成，且可應(yīng)用在不使用微透鏡的光感測(cè)集成電路元件中，較佳的間隙壁層164和透鏡148是由具有不同光折射系數(shù)的材料所組成。
圖4揭示本發(fā)明較佳實(shí)施例兩面凸微透鏡148導(dǎo)引和聚焦光線的實(shí)例，如圖所示，當(dāng)入射光150進(jìn)入光感測(cè)集成電路元件中，其可為兩面凸微透鏡結(jié)構(gòu)148折射，且折射的光子會(huì)導(dǎo)引光線152至光電二極管102。垂直或是位于軸上的入射光150可不受干擾的進(jìn)入兩面凸微透鏡結(jié)構(gòu)148，到達(dá)光電二極管102，位于軸上的入射光150可定義為垂直進(jìn)入光感測(cè)集成電路元件的光子，或是相對(duì)于光電二極管102為90°的光子。如此，光電二極管102較容易的接收光子，且轉(zhuǎn)換光子為電信號(hào)，光電二極管102所接收的光能量越多，量子效率越高，且元件的光效能越高。
當(dāng)非垂直或不位于軸上的入射光150進(jìn)入兩面凸微透鏡結(jié)構(gòu)148，其是經(jīng)由兩面凸微透鏡結(jié)構(gòu)148的上凸輪廓146折射，且再經(jīng)由兩面凸微透鏡結(jié)構(gòu)148的下凸輪廓132折射，而造成兩次折射，因此，改變方向的導(dǎo)引光線152會(huì)聚焦于光電二極管102，且為光電二極管102接收和轉(zhuǎn)換。未位于軸上的入射光150是定義為相對(duì)于多個(gè)光電二極管102，以銳角(小于90°)進(jìn)入光感測(cè)集成電路的光子或信號(hào)。
未位于軸上的入射光150會(huì)通過(guò)兩面凸微透鏡結(jié)構(gòu)148折射的理由是因?yàn)檎凵湎禂?shù)的不同，折射系數(shù)是為折射量，或是當(dāng)光穿過(guò)一特定材料的彎曲量的量測(cè)值，當(dāng)入射光150從一媒介傳遞至另一媒介中時(shí)，例如本實(shí)施例的從空氣中進(jìn)入微透鏡結(jié)構(gòu)148，其傳遞的角度和路徑會(huì)因?yàn)榭諝夂臀⑼哥R結(jié)構(gòu)148的材料折射系數(shù)不同而改變，更甚者，折射的大小可依微透鏡結(jié)構(gòu)148的材料組成改變。
如此，非垂直，未位于軸上的入射光150會(huì)經(jīng)由兩面凸微透鏡結(jié)構(gòu)148的上凸輪廓146和下凸輪廓132折射，例如其會(huì)先由上凸輪廓146折射，之后再經(jīng)由下凸輪廓132折射，而導(dǎo)引光線152會(huì)由光電二極管102接收和轉(zhuǎn)換，以增加光效率。
因此，本發(fā)明一實(shí)施例的兩面凸微透鏡結(jié)構(gòu)148可增加光效率及改進(jìn)光表現(xiàn)。
雖然本發(fā)明已通過(guò)較佳實(shí)施例說(shuō)明如上，但該較佳實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，應(yīng)有能力對(duì)該較佳實(shí)施例做出各種更改和補(bǔ)充，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書(shū)的范圍為準(zhǔn)。
附圖中符號(hào)的簡(jiǎn)單說(shuō)明如下100基底102光電二極管104第一介電材料層106第一金屬接觸孔108第一金屬層110第二介電材料層112第二金屬接觸孔114第二金屬層116第三介電材料層118第三金屬接觸孔120第三金屬層122保護(hù)堆疊層126彩色濾光層130光致抗蝕劑圖案132下凸的輪廓134、164間隙壁層136旋轉(zhuǎn)涂布層138額外光致抗蝕劑圖案140階梯狀的輪廓142階梯狀的輪廓144階梯狀的輪廓146上凸的輪廓148兩面凸微透鏡結(jié)構(gòu)
150入射光152導(dǎo)引光線
權(quán)利要求
1.一種光感測(cè)集成電路元件，其特征在于，所述光感測(cè)集成電路元件包括一基底；多個(gè)光電二極管，形成于該基底上；多個(gè)微透鏡，形成于該光電二極管上方，其中該微透鏡包括至少兩個(gè)非平面且具有不同曲率的表面的上非平面表面部分和下非平面表面部分；及多個(gè)彩色濾光層形成于對(duì)應(yīng)的微透鏡上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光感測(cè)集成電路元件，其特征在于，該上非平面表面部分是為一上凸面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光感測(cè)集成電路元件，其特征在于，該下非平面表面部分是為一下凸面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光感測(cè)集成電路元件，其特征在于，該上非平面表面部分和下非平面表面部分是為可用以導(dǎo)引光線至光電二極管的折射層，其中該入射光以傾斜的角度和垂直的角度進(jìn)入該微透鏡。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光感測(cè)集成電路元件，其特征在于，該上非平面表面部分和下非平面表面部分由光致抗蝕劑材料所組成，其中該光致抗蝕劑材料是擇自下列族群正光致抗蝕劑、負(fù)光致抗蝕劑和苯環(huán)丁烯。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光感測(cè)集成電路元件，其特征在于，該上非平面表面部分和下非平面表面部分由介電材料所組成，其中該介電材料是擇自下列族群氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、旋轉(zhuǎn)玻璃、摻雜硅玻璃和未摻雜硅玻璃。
7.一種光感測(cè)集成電路元件，其特征在于，所述光感測(cè)集成電路元件包括一基底；多個(gè)光電二極管，形成于該基底上；多個(gè)微透鏡，形成于該光電二極管上方，其中該微透鏡至少包括兩不同凸向且不同曲率的表面；及多個(gè)彩色濾光層，形成于對(duì)應(yīng)的微透鏡上方。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光感測(cè)集成電路元件，其特征在于，兩不同凸向且不同曲率的表面具有相似或是不同的組成。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光感測(cè)集成電路元件，其特征在于，兩不同凸向且不同曲率的表面之一是由光致抗蝕劑材料所組成，另一則由介電材料所組成。
10.一種光感測(cè)集成電路元件，其特征在于，所述光感測(cè)集成電路元件包括一基底；多個(gè)光電二極管，形成于該基底上；多個(gè)微透鏡，形成于該光電二極管上方，其中該微透鏡的下部包括一下凸表面部分，該微透鏡的上部包括一上凸表面部分，該下凸表面部分和上凸表面部分是位于該光電二極管上方；及多個(gè)彩色濾光層形成于對(duì)應(yīng)的微透鏡上方。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光感測(cè)集成電路元件，是由形成于半導(dǎo)體基底上的光電二極管、介電層、金屬接觸孔、金屬層和保護(hù)堆疊層所組成。微透鏡是形成于上述層上，其中微透鏡包括非平面的表面，特別是，此微透鏡是為形成于光電二極管上兩面凸的微透鏡，可導(dǎo)引、傳遞和聚焦入射光，以增加量子效率，且改進(jìn)光學(xué)特性。彩色濾光層是形成于微透鏡和光電二極管上方，以過(guò)濾特定波長(zhǎng)的光。
文檔編號(hào)H01L27/146GK1870281SQ200610003189
公開(kāi)日2006年11月29日 申請(qǐng)日期2006年2月22日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月27日
發(fā)明者吳天啟 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司