專利名稱：顯示面板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種使用了光發(fā)射元件的顯示面板。
背景技術：
有機電致發(fā)光顯示面板可以粗略地分為被動驅動類型和有源矩陣驅動類型。有源矩陣驅動類型的有機電致發(fā)光顯示面板相對于那些被動驅動的類型來說更加優(yōu)越，是因為其高對比度和高分辨率。在傳統(tǒng)的對有源矩陣顯示類型的有機電致發(fā)光顯示面板的描述中，比如日本專利申請公開號8-330600所述那樣，在每個像素中設置了有機電致發(fā)光單元(下面稱作有機EL單元)；在把與圖像數(shù)據(jù)對應的電壓信號提供至其柵極時，向有機EL單元提供電流的驅動晶體管；實施開關切換的開關晶體管，其將與圖像數(shù)據(jù)對應的電壓信號提供至驅動晶體管的柵極。在該有機電致發(fā)光顯示面板中，當選擇掃描線時，則該開關晶體管導通。此時，代表亮度級別的電壓通過信號線施加至驅動晶體管的柵極。驅動晶體管導通。具有與上述柵極電壓電平相對應量級的驅動電流從電源通過驅動晶體管的從漏極至源極的通路施加至有機EL單元。該有機EL單元以與電流大小對應的亮度發(fā)出光亮。在從掃描線選擇結束到下次掃描線選擇的期間，始終保持驅動晶體管的柵極電壓電平，即使開關晶體管截止之后也是如此。因此，有機EL單元以對應于該驅動電流大小的亮度發(fā)光，而驅動電流大小則對應于該電壓。
為了驅動有機電致發(fā)光顯示面板，在其外圍設置了驅動電路用來向設于有機電致發(fā)光顯示面板上的掃描線、信號線以及電源線施加電壓。
在傳統(tǒng)的有源矩陣驅動類型的有機電致發(fā)光顯示面板中，像電源線這樣用來向有機EL單元提供電流的互連線路是用諸如開關晶體管或者驅動晶體管那樣的薄膜晶體管材料，以薄膜晶體管成型步驟同時進行成型的。更具體地說，在有機電致發(fā)光顯示面板的制造中，經受光刻而得到作為薄膜晶體管預期電極的導電薄膜，對其進行蝕刻來從該導電薄膜形成薄膜晶體管的電極。同時，也形成了與電極相連的互連線路。據(jù)此，在互連線路是從導電薄膜形成而來的時候，該互連線路的厚度也與薄膜晶體管相同。
然而，薄膜晶體管的電極是假定其功能為晶體管而設計的。換句話說，該電極并不是作為假定其將用于向光發(fā)射元件提供電流而設計的。因此，該薄膜晶體管確實(literally)是很薄的。如果從該互連線路向多個光發(fā)射元件提供電流，則會產生電壓降，或者由于互連線路的電阻情況來使得該電流流過該互連線路被延遲。為了抑制電壓降或者互連線路延遲，優(yōu)選使互連線路的電阻較低。如果通過制作一個較厚的金屬層來當作晶體管的源極和漏極電極，或者制作一個較厚的當作柵極電極厚的部分的金屬層，或者成型出相當寬的金屬層使得其足以讓電流流過該金屬層的方式，來降低互連線路的阻抗，那么從正上方觀察，該互連線路與其它互連線路或者導體的交疊區(qū)域就增加了，其間就產生了寄生電容。這種情況阻礙了電流流動。換句話說，在從晶體管陣列襯底一側發(fā)射EL光的所謂底部發(fā)光結構中，從EL單元發(fā)射的光被互連線路所遮蔽，結果是降低了開口率，也即光發(fā)射區(qū)域的比率。如果增厚薄膜晶體管柵極電極的厚度來降低阻抗，那么用來消除柵極電極級差(step)的平坦化膜(當薄膜晶體管具有比如交錯倒轉結構的時候，其與柵極絕緣膜相對應)也必須形成得較厚。這種情況可能導致晶體管特性發(fā)生較大改變。當將源極和漏極電極形成得較厚的時候，會降低源極和漏極電極的蝕刻精度。這種情況也可能對晶體管特性產生不利影響。

發(fā)明內容
本發(fā)明的一個目的是在令人滿意地驅動光發(fā)射元件的同時抑制任何電壓降和信號延遲。
對應于本發(fā)明第一個方面的顯示面板包括具有多個像素的晶體管陣列襯底，該晶體管陣列襯底按照對每個像素提供多個晶體管的方式形成，每個晶體管具有柵極、柵極絕緣膜，源極以及漏極；多個按照彼此平行的方式排列的互連線路，其按照向晶體管陣列襯底的表面突出的方式形成；對每個像素設置的多個像素電極，其沿著互連線路，陣列分布于晶體管陣列襯底表面上的互連線路之間；每一個都形成在每一個像素電極之上的多個光發(fā)射層；以及堆疊在光發(fā)射層之上的相對電極。
對應于本發(fā)明第二個發(fā)面的顯示面板包括多個像素電極；分別提供給所述多個像素電極的多個光發(fā)射層；分別提供給所述多個光發(fā)射層的相對電極；與所述多個像素電極分別相連的多個驅動晶體管；多個開關晶體管，其每一個都在其與所述多個驅動晶體管之中所對應的一個驅動晶體管的漏極和源極之間提供寫入電流；多個保持晶體管，其每一個都保持其與所述多個驅動晶體管之中所對應的一個驅動晶體管的柵極和源極之間的電壓；多個由導電層制成的饋送互連線路，該導電層不同于用于所述多個驅動晶體管、所述多個開關晶體管以及所述多個保持晶體管源極、漏極和柵極的層，而且該饋送互連線路與所述多個驅動晶體管的漏極相連；多個選擇互連線路，其每一個用于選擇開關晶體管；以及多個公共互連線路，其每一個都與相對電極連接。
對應于本發(fā)明第三個方面的顯示面板包括多個像素電極；提供給每個所述多個像素電極的光發(fā)射層；提供給光發(fā)射層的相對電極；與所述多個像素電極的每一個相連的驅動晶體管；開關晶體管，其在驅動晶體管的源極和漏極之間提供寫入電流；保持晶體管，其保持驅動晶體管的源極和柵極之間的電壓；選擇開關晶體管的選擇互連線路；由導電層制成的公共互連線路，該導電層不同于用作源極和漏極的層，也不同于用作驅動晶體管、選擇晶體管和保持晶體管的柵極的層，而且該公共互連線路與相對電極相連；以及由導電層制成的饋送互連線路，該導電層不同于用作所述多個驅動晶體管、開關晶體管和保持晶體管的源極、漏極和柵極的層，而且該饋送互連線路與驅動晶體管的漏極相連，并且其厚度厚于公共互連線路。
對應于本發(fā)明第四個方面的顯示面板包括晶體管陣列襯底，其按照對每一個像素提供多個晶體管的方式形成，每個晶體管具有柵極、柵極絕緣膜以及源極/漏極；在晶體管陣列襯底上按照多個行方式提供的多個像素電極；在第一行上每個所述多個像素電極上提供的用于發(fā)射作為第一種顏色的光的第一光發(fā)射層；在第二行上每個所述多個像素電極上提供的用于發(fā)射作為第二種顏色的光的第二光發(fā)射層；在第三行上每個所述多個像素電極上提供的用于發(fā)射作為第三種顏色的光的第三光發(fā)射層；設置在第一光發(fā)射層、第二光發(fā)射層和第三光發(fā)射層上的相對電極；選擇所述多個晶體管中的至少一個的選擇互連線路，其相對于第一光發(fā)射層、第二光發(fā)射層和第三光發(fā)射層具有更高的頂部；與相對電極連接的公共互連線路，其相對于第一光發(fā)射層、第二光發(fā)射層和第三光發(fā)射層具有更高的頂部；以及與所述多個晶體管的所述多個像素電極相連的饋送互連線路，其相對于第一光發(fā)射層、第二光發(fā)射層和第三光發(fā)射層具有更高的頂部。
根據(jù)本發(fā)明，由于能夠將互連線路制作的較厚，所以能夠降低互連線路的阻抗。當降低了互連線路阻抗的時候，就能抑制信號延遲和電壓降。
附圖簡述

圖1是表示顯示面板1的四個像素的平面圖；圖2是顯示面板1的子像素P的等效電路圖；圖3是紅色子像素Pr的電極的平面視圖；圖4是綠色子象素Pg的電極的平面視圖；圖5是藍色子象素Pb的電極的平面視圖；圖6是在圖3～5中從VI-VI線剖開的剖面圖；圖7是用于解釋顯示面板1的驅動方法的時序圖；圖8是用于解釋顯示面板1的另一個驅動方法的時序圖；圖9是展示每個子像素的驅動晶體管23和有機EL單元20的電流相對于電壓的特性的圖；圖10是展示一個32英寸顯示面板1的饋送互連線路90以及公共互連線路91的最大電壓降和互連線路電阻率ρ/截面積S兩者之間相互關系的圖；圖11是展示一個32英寸顯示面板1的饋送互連線路90和公共互連線路91的截面積和電流密度的相互關系的圖；圖12是展示一個40英寸顯示面板1的饋送互連線路90以及公共互連線路91的最大電壓降和互連線路電阻率ρ/截面積S兩者之間相互關系的圖；以及圖13是展示一個40英寸顯示面板1的饋送互連線路90以及公共互連線路91的截面積和電流密度的相互關系的圖。
發(fā)明詳述本發(fā)明的最佳實施例將參考附圖進行如下說明。關于本發(fā)明實施中的各種技術上優(yōu)選的限制也被加入各個實施例中在下面進行說明。但是，本發(fā)明的宗旨和范圍并不限于如下的實施例和說明實例。在如下描述中，術語“電致發(fā)光”簡寫為EL。
圖1是展示了在以有源矩陣驅動方法操作的顯示面板1中，設置于絕緣襯底2上的多個像素3中相鄰四個的示意性平面視圖。在顯示面板1中，對于在列方向上的像素，多個紅色子像素Pr是陣列分布在水平方向上的(行方向)。多個綠色子像素Pg陣列分布在水平方向上。多個藍色子像素Pb陣列分布在水平方向上。至于在垂直方向(列方向)上的排列順序，是按照紅色子像素Pr，綠色子像素Pg，以及藍色子像素Pb的順序反復排列的。一個紅色子像素Pr像點、一個綠色子像素Pg像點以及一個藍色子像素Pb像點合起來形成一個像素3。這樣的像素3陣列分布成矩陣形式。在如下說明中，用子像素P代表紅色子像素Pr，綠色子像素Pg和藍色子像素Pb中的任意一個。子像素P的說法適用于所有的紅色子像素Pr，綠色子像素Pg和藍色子像素Pb。
垂直方向上所連接的三個信號線Yr，Yg和Yb形成一組。這三個信號線Yr，Yg和Yb的組合稱為信號線組4。在每個信號線組4中，三個信號線Yr，Yg和Yb設置為彼此接近。相鄰的信號線組4之間的間距要比每個信號線組4中相鄰的信號線Yr，Yg和Yb之間的間距寬。在垂直方向上對應于一列像素3提供一個信號線組4。也就是說，在垂直方向上成一列分布的子像素Pr，Pg和Pb分別與一個信號線組4中的信號線Yr，Yg和Yb相連。
第一信號線Yr向垂直方向上像素3列的所有紅色子像素Pr提供信號。第二信號線Yg向垂直方向上像素3列的所有綠色子像素Pg提供信號。第三信號線Yb向垂直方向上像素3列的所有藍色子像素Pb提供信號。
在水平方向上設置有多個掃描線X。多個供給線Z，多個選擇互連線路89，多個饋送互連線路90以及多個公共互連線路91設置成與掃描線X平行。在水平方向上與一行像素3對應地設置了一個掃描線X，一個供給線Z，一個饋送互連線路90，一個選擇互連線路89以及一個公共互連線路91。更具體地說，公共互連線路91設置在垂直方向上相鄰的紅色子像素Pr和綠色子像素Pg之間。掃描線X和選擇互連線路89設置在垂直方向上相鄰的綠色子像素Pg和藍色子像素Pb之間。供給線Z和饋送互連線路90設置在藍色子像素Pb和相鄰像素3的紅色子像素Pr之間。選擇互連線路89和饋送互連線路90厚度相同。
掃描線X向水平方向上配置成一行的像素3的所有子像素Pr，Pg和Pb提供信號。供給線Z同樣向水平方向上配置成一行的像素3的所有子像素Pr，Pg和Pb提供信號。
當從上方觀察時，選擇互連線路89與掃描線X在設置方向上重疊并且就這樣與掃描線X電連接。饋送互連線路90與供給線Z在設置方向上重疊并且就這樣與供給線Z電連接。
子像素Pr，Pg和Pb中每個的顏色取決于從有機EL單元20(圖2)所發(fā)出的光線的顏色(后面一會兒說明)。由圖1中水平方向上的矩形長度所代表的每個子像素Pr，Pg和Pb的位置，表明了被當作有機EL單元20正極的子像素電極20a的位置(圖2)。更具體地說，當從上方觀察整個顯示面板1時，多個子像素電極20a陣列分布成矩陣。一個子像素P像點由一個子像素電極20a決定。因此，多個子像素電極20a在水平方向上排列于饋送互連線路90和相鄰的公共互連線路91之間。所述多個子像素電極20a在水平方向上陣列排列于公共互連線路91和相鄰的選擇互連線路89之間。所述多個子像素電極20a在水平方向上陣列排列于選擇互連線路89和相鄰的饋送互連線路90之間。當具有足夠厚度而不會導致產生寄生電容的絕緣膜插入至信號線組4和電極或者位于信號線組4之上的互連線路之間時，從上方觀察的話，信號線組4可以和與其連接的子像素電極20a重疊。另外，從上方觀察的話，信號線組4還可以和相鄰于連接至該信號線組4的子像素的一個子像素的子像素電極20a重疊。當該顯示面板1具有底部發(fā)光結構時，信號線組4優(yōu)選為從上方觀察時不與子像素電極20a重疊。
當m和n是整數(shù)(m≥2，n≥2)，m個像素3陣列分布于垂直方向上，而n個像素3陣列分布于水平方向上。子像素電極20a在數(shù)量上相當于一列的子像素，也就是說，在垂直方向上陣列分布了(3×m)個子像素電極20a。子像素電極20a在數(shù)量上相當于一行的子像素，也就是說，在水平方向上陣列分布了n個子像素電極20a。此時，設置了n個信號線組4，m個掃描線X，m個供給線Z，m個選擇互連線路89，m個饋送互連線路以及m個公共互連線路91。選擇互連線路89，饋送互連線路90和公共互連線路91的總數(shù)是(3×m)，而且它們還被當作分隔壁以用來避免含有機化合物的溶液的泄漏，作為預期的由一行子像素形成的有機EL單元20(在后面將進行描述)的有機EL層20b。為了對于每一行子像素將所有的行中含有機化合物的溶液分隔開，選擇互連線路89，饋送互連線路90和公共互連線路91的總數(shù)必須是(3×m+1)。為了實現(xiàn)上述方案，必須設置一個在行方向上與選擇互連線路89，饋送互連線路90和公共互連線路91平行的、而且與公共互連線路91具有同樣的高度和長度的第(3×m+1)個分隔偽(dummy)互連線路。選擇互連線路89，饋送互連線路90和公共互連線路91被用作分隔壁，它們的頂部要高于有機EL層20b和含有機化合物的溶液的液面。
下面參考圖2中的等效電路圖對第一至第三子像素Pr，Pg和Pb的電路配置進行說明。所有的子像素Pr，Pg和Pb具有相同的配置。有機EL單元20中，為一個子像素Pi，j提供了第一至第三N一溝道無定形硅薄膜晶體管(下文中簡稱為晶體管)21，22和23以及電容24。下文中，第一晶體管21將被稱作開關晶體管21，第二晶體管22將被稱作保持晶體管22，第三晶體管23將被稱作驅動晶體管23。在圖2以及如下描述中，紅色子像素Pr的信號線Y代表圖1中的信號線Yr，綠色子像素Pg的信號線Y代表圖1中的信號線Yg，藍色子像素Pb的信號線Y代表圖1中的信號線Yb。
在開關晶體管21中，源極21s電連接至信號線Yj。漏極21d電連接至有機EL單元20的子像素電極20a，驅動晶體管23的源極23s和電容24的上部電極24B。柵極21g電連接至保持晶體管22的柵極22g，掃描線Xi以及選擇互連線路89。
在保持晶體管22中，源極22s電連接至驅動晶體管23的柵極23g和電容24的下部電極24A。漏極22d電連接至驅動晶體管23的漏極23d和供給線Zi。柵極22g電連接至開關晶體管21的柵極21g和掃描線Xi。
在驅動晶體管23中，源極23s電連接至有機EL單元20的子像素電極20a，開關晶體管21的漏極21d和電容24的電極24B。漏極23d電連接至保持晶體管22的漏極22d和供給線Zi。柵極23g電連接至保持晶體管22的源極22s和電容24的下部電極24A。
被當作有機EL單元20陰極的相對電極20c電連接至公共互連線路91。
所有紅色子像素Pr的開關晶體管21的源極21s在垂直方向上排列成一行，并電連接至公共信號線Yr。所有綠色子像素Pg的開關晶體管21的源極21s在垂直方向上排列成一行，并電連接至公共信號線Yg。所有藍色子像素Pb的開關晶體管21的源極21s在垂直方向上排列成一行，并電連接至公共信號線Yb。
排列在水平方向上的一行像素3的所有子像素Pr，Pg和Pb的開關晶體管21的柵極21g，電連接至公共掃描線X。排列在水平方向上的一行像素3的所有子像素Pr，Pg和Pb的保持晶體管22的柵極22g，電連接至公共掃描線X。排列在水平方向上的一行像素3的所有子像素Pr，Pg和Pb的保持晶體管22的漏極22d，電連接至公共供給線Z。排列在水平方向上的一行像素3的所有子像素Pr，Pg和Pb的驅動晶體管23的漏極23d，電連接至公共供給線Z。
參考如圖3～5對像素3的平面布局進行說明。圖3是主要表示紅色子像素Pr的電極的平面視圖。圖4是主要表示綠色子像素Pg的電極的平面視圖。圖5是主要表示藍色子像素Pb的電極的平面視圖。為了圖示方便，在圖3～5中并沒有圖示出有機EL單元20的子像素電極20a和相對電極20c。
如圖3所示，從上方觀察紅色子像素Pr，驅動晶體管23沿著供給線Z和饋送互連線路90設置。開關晶體管21沿著公共互連線路91設置。保持晶體管22設置在靠近供給線Z的紅色子像素Pr的一個角上。
如圖4所示，從上方觀察綠色子像素Pg，驅動晶體管23沿著公共互連線路91設置。開關晶體管21沿著掃描線X和選擇互連線路89設置。保持晶體管22設置在靠近公共互連線路91的綠色子像素Pg的一個角上。
如圖5所示，從上方觀察藍色子像素Pb，驅動晶體管23沿著掃描線X設置。開關晶體管21沿著供給線Z和下一行的饋送互連線路90設置。保持晶體管22設置在靠近掃描線X的藍色子像素Pb的一個角上。
如圖3～5所示，在所有的子像素Pr，Pg和Pb中，電容24都沿著下一列的信號線組4設置。
當從上方觀察，且僅關注整個顯示面板1中所有子像素Pr，Pg和Pb的開關晶體管21時，多個開關晶體管21排列成矩陣。當僅關注所有子像素Pr，Pg和Pb的保持晶體管22時，多個保持晶體管22排列成矩陣。當僅關注所有子像素Pr，Pg和Pb的驅動晶體管23時，多個驅動晶體管23排列成矩陣。
參考附圖6對顯示面板1的層結構進行說明。附圖6是沿著圖3～5中VI-VI線的剖面圖。
顯示面板1是通過將各種層堆疊在光學透明的絕緣襯底2上形成的。該絕緣襯底2具有柔性片狀或者硬板狀。
首先對第一至第三晶體管21～23的層結構進行說明。如圖6所示，開關晶體管21包括柵極21g，柵極絕緣膜31的一部分，半導體膜21c，溝道保護膜21p，摻雜半導體膜21a和21b，漏極21d以及源極21s。柵極21g形成在絕緣襯底2上。柵極絕緣膜31的一部分形成在柵極21g上。半導體膜21c通過柵極絕緣膜31的一部分與柵極21g相對。溝道保護膜21p形成在半導體膜21c的中央部分上。摻雜半導體膜21a和21b形成在半導體膜21c的兩個端部上，相互分離隔開并且與溝道保護膜21p部分重疊。漏極21d形成在摻雜半導體膜21a上。源極21s形成在摻雜半導體膜21b上。漏極21d和源極21s既可以是單層結構也可以是包括2層或者更多層的層結構。
驅動晶體管23包括柵極23g，柵極絕緣膜31的一部分，半導體膜23c，溝道保護膜23p，摻雜半導體膜23a和23b，漏極23d和源極23s。柵極23g形成在絕緣襯底2上。柵極絕緣膜31的一部分形成在柵極23g上。半導體膜23c通過柵極絕緣膜31的一部分與柵極23g相對。溝道保護膜23p形成在半導體膜23c的中央部分上。摻雜半導體膜23a和23b形成在半導體膜23c的兩個端部上，相互分離隔開并且與溝道保護膜23p部分重疊。漏極23d形成在摻雜半導體膜23a上。源極23s形成在摻雜半導體膜23b上。當像圖3～5所示那樣從上方觀察時，驅動晶體管23形成交叉指形以使得溝道寬度更大。漏極23d和源極23s既可以是單層結構也可以是包括2層或者更多層的層結構。
保持晶體管22具有與驅動晶體管23相同的層結構，其剖面視圖并沒有示出。對于所有的子像素Pr，Pg和Pb，開關晶體管21，保持晶體管22和驅動晶體管23具有如上所述相同的層結構。
下面對電容24的層結構進行說明(圖3～5)。電容24包括下部電極24A，柵極絕緣膜31的一部分以及上部電極24B。下部電極24A直接形成在絕緣襯底2上。柵極絕緣膜31形成在下部電極24A上。上部電極24B通過柵極絕緣膜31的一部分與下部電極24A相對。對于所有的子像素Pr，Pg和Pb，電容24具有如上所述相同的層結構。
下面參考附圖3～6對晶體管21～23的層以及電容24，信號線Y，掃描線X，和供給線Z之間的關系進行說明。
所有子像素Pr，Pg和Pb的連接線96，開關晶體管21的柵極21g，保持晶體管22的柵極22g，驅動晶體管23的柵極23g，電容24的下部電極24A以及所有的信號線Yr，Yg和Yb都是利用光刻方法和蝕刻方法，通過在絕緣襯底2的整個表面上成型形成導電膜的方式形成的。下文中，作為連接線96，開關晶體管21的柵極21g，保持晶體管22的柵極22g，驅動晶體管23的柵極23g，電容24的下部電極24A以及信號線Yr，Yg和Yb的基礎的導電膜將被認為是柵極層。
柵極絕緣膜31是對于所有子像素Pr，Pg和Pb的第一至第三晶體管21，22，23和電容24共同的絕緣膜，其形成在整個表面上。因此，柵極絕緣膜31覆蓋了晶體管21，22，23的柵極21g，22g，23g，電容24的下部電極24A和信號線Yr，Yg和Yb。
所有子像素Pr，Pg和Pb的晶體管21，22，23的漏極21d，22d，23d和源極21s，22s，23s，電容24的上部電極24B以及所有的掃描線X和供給線Z都是利用光刻方法和蝕刻方法，通過在柵極絕緣膜31的整個表面上成型形成導電膜的方式形成的。下文中，作為開關晶體管21的漏極21d和源極21s，保持晶體管22的漏極22d和源極22s，驅動晶體管23的漏極23d和源極23s，電容24的上部電極24B，掃描線X和供給線Z的基礎的導電膜將被認為是漏極層。
對于每一個像素3，在柵極絕緣膜31的與掃描線X重疊的部分上形成一個接觸孔92。每個子像素Pr，Pg和Pb的開關晶體管21的柵極21g和保持晶體管22的柵極22g都通過該接觸孔92電連接至掃描線X。對于每一個子像素P，在柵極絕緣膜31與信號線Y重疊的部分上形成另一個接觸孔94。在所有子像素Pr，Pg和Pb中，開關晶體管21的源極21s通過該接觸孔94電連接至信號線Y(即，導線埋設于該孔中)。對于每個子像素P，在柵極絕緣膜31的與下部電極24A重疊的部分處形成一個接觸孔93。在所有的子像素Pr，Pg和Pb中，保持晶體管22的源極22s電連接至驅動晶體管23的柵極23g和電容24的下部電極24A。
在紅色子像素Pr中，第二和第三晶體管22，23的漏極22d，23d與供給線Z集成在一起。在綠色子像素Pg和藍色子像素Pb中，晶體管22，23的漏極22d，23d則是相對于供給線Z分開設置。晶體管22，23的漏極22d，23d以如下方式電連接至供給線Z。
對一個像素3設置了一個連接線96用來在垂直方向上穿過像素3。該連接線96是通過在柵極層上成型的方式形成，其由柵極絕緣膜31所覆蓋。在柵極絕緣膜31的供給線Z與連接線96重疊的位置處形成接觸孔97。該連接線96通過接觸孔97電連接至供給線Z。在綠色子像素Pg中，在柵極絕緣膜31的連接線96與驅動晶體管23漏極23d重疊的位置處形成接觸孔98。連接線96通過接觸孔98電連接至驅動晶體管23的漏極23d。在藍色子像素Pb中，在柵極絕緣膜31的連接線96與驅動晶體管23漏極23d重疊的位置處形成接觸孔99。連接線96通過接觸孔99電連接至驅動晶體管23的漏極23d。在綠色子像素Pg和藍色子像素Pb這兩者中，晶體管22，23的漏極22d，23d都通過連接線96電連接至供給線Z和饋送互連線路90。
所有子像素Pr，Pg和Pb的開關晶體管21，保持晶體管22，驅動晶體管23和所有的掃描線X、供給線Z都被由氮化硅或者氧化硅所制成的，在整個表面上形成的保護絕緣膜32所覆蓋。該保護絕緣膜32在與掃描線X和供給線Z重疊處分割成矩形。關于這一點將在后面詳細敘述。
在保護絕緣膜32上還形成平坦化膜33，使得通過該平坦化膜33消除第一至第三晶體管21，22，23，掃描線X和供給線Z的三維圖形。也就是說，平坦化膜33的表面是平坦的。該平坦化膜33是通過固化像聚酰亞胺那樣的感光樹脂形成的。該平坦化膜33在與掃描線X和供給線Z重疊處分割成矩形。關于這一點將在后面詳細敘述。
為了將顯示面板1用作底部發(fā)光類型，即，將絕緣襯底2當作顯示屏，需要用透明材料來制作柵極絕緣膜31，保護絕緣膜32和平坦化膜33。從絕緣襯底2到平坦化膜33的層狀結構稱為晶體管陣列襯底50。
在平坦化膜33的表面上形成與掃描線X平行的絕緣線61，即，在晶體管陣列襯底50之上，紅色子像素Pr和綠色子像素Pg之間。該絕緣線61是通過固化像聚酰亞胺那樣的感光樹脂而形成的。在絕緣線61上形成比該絕緣線61更窄的公共互連線路91。由于該公共互連線路91是通過電鍍法形成的，所以其遠厚于信號線Y，掃描線X和供給線Z，并且其還從平坦化膜33的表面向上突出。該公共互連線路91優(yōu)選包括至少銅、鋁、金和鎳之一。
在每個公共互連線路91的表面上都形成具有排水性/排油性的液體排斥導電層55。該液體排斥導電層55是在公共互連線路91的表面上，通過從用化學式(1)表示的三氨基-三硫醇(triazyl-trithiol)的硫醇基(-SH)中減少和消除氫原子(H)，并氧化和吸附硫原子(S)的方法來形成的。
該液體排斥導電層55是一個規(guī)則配置于公共互連線路91表面上的三氨基-三硫醇分子層構成的膜。因此，該液體排斥導電層55具有非常低的阻抗和電導率。為了讓排水性/排油性更高，還可以用烷基氟基替代了一個或者兩個硫醇基的三氨基-三硫醇來替代三氨基-三硫醇。
形成在保護絕緣膜32和平坦化膜33上的，展開并沿著水平方向延伸的槽34在與供給線Z重疊的區(qū)域，穿透了這兩個膜。形成在保護絕緣膜32和平坦化膜33上的，展開并沿著水平方向延伸的槽35在與掃描線X重疊的區(qū)域，穿透了這兩個膜。保護絕緣膜32和平坦化膜33被槽34和35分成了多個矩形。由于饋送互連線路90埋設在槽34中，所以饋送互連線路90在槽34中形成在供給線Z之上，而且電連接至供給線Z。由于選擇互連線路89埋設在槽35中，所以選擇互連線路89在槽35中形成在掃描線X之上，而且電連接至掃描線X。
由于選擇互連線路89和饋送互連線路90是通過電鍍法形成的，所以要比信號線Y，掃描線X和供給線Z厚的多。選擇互連線路89和饋送互連線路90的厚度要大于保護絕緣膜32和平坦化膜33的總厚度，所以選擇互連線路89和饋送互連線路90從平坦化膜33的上表面向上突出。選擇互連線路89和饋送互連線路90都優(yōu)選包括銅、鋁、金和鎳中的至少一個。在選擇互連線路89的一部分的外表面上，還形成具有排水性和/或排油性的疏水絕緣膜53，其從膜33延伸而來。在饋送互連線路90的一部分的外表面上，還形成具有排水性和/或排油性的疏水絕緣膜54，其從膜33延伸而來。
多個子像素電極20a以排列成矩陣的方式配置于平坦化膜33的上表面上，即，晶體管陣列襯底50的上表面上。子像素電極20a是利用光刻法和蝕刻，通過在平坦化膜33的整個表面上成型形成的透明導電膜的方式來形成的。
子像素電極20a是當作有機EL單元20的陽極使用的電極。更具體地說，子像素電極20a優(yōu)選具有相對高的功函數(shù)，以便空穴能夠有效地注入有機EL層20b(將在后面說明)。在底部發(fā)光結構中，子像素電極20a相對于可見光是透明的。子像素電極20a是通過使用比如氧化銦錫(ITO)，氧化銦鋅，氧化銦(In2O3)，氧化錫(SnO3)，氧化鋅(ZnO)或者氧化鎘錫(CTO)作為主要成分來形成的。
要將顯示面板1當作頂部發(fā)光類型來使用的話，也就是說要將絕緣襯底2的對置面當作顯示屏的時候，優(yōu)選在子像素電極20a和平坦化膜33之間形成具有高電導率和高可見光反射系數(shù)的反射膜?？蛇x擇的是，優(yōu)選將子像素20a本身制成反射電極。
對于每一個子像素P像點，在平坦化膜33和保護絕緣膜32中的與子像素電極20a重疊的部分處，形成一個接觸孔88。將導電墊埋設在該接觸孔88中。在所有子像素Pr，Pg和Pb的每一個中，子像素20a都電連接至電容24的上部電極24B，開關晶體管21的漏極21d和驅動晶體管23的源極23s。
在子像素電極20a之上形成有機EL單元20的有機EL層20b。該有機EL層20b是一個具有很寬感應度(sense)的光發(fā)射層。該有機EL層20b含有被當作有機化合物的光發(fā)射材料(熒光體)。該有機EL層20b具有雙層的結構，其中從子像素電極20a開始，依序形成有一個空穴傳輸層和一個具有狹窄感應度的光發(fā)射層。該空穴傳輸層是通過以PEDOT(聚噻吩)當作導電聚合物以及PSS(聚磺苯乙烯)當作摻雜物來制成的。該具有狹窄感應度的光發(fā)射層是由多芴基(polyfluorene-based)光發(fā)射材料制成的。
在紅色子像素Pr中，有機EL層20b發(fā)出紅光。在綠色子像素Pg中，有機EL層20b發(fā)出綠光。在藍色子像素Pb中，有機EL層20b發(fā)出藍光。
有機EL層20b是獨立提供給每個子像素電極20a的。當從上方觀察的時候，所述多個有機EL層20b排列成矩陣狀。在饋送互連線路90和公共互連線路91之間排列在水平方向上的一行的所有子像素是紅色子像素Pr。因此，在饋送互連線路90和公共互連線路91之間的排列在水平方向上的所述多個子像素電極20a可由用于紅色光發(fā)射的公共有機EL層20b所覆蓋，該層在水平方向上呈長帶狀。此時，該有機EL層20b具有這樣一種電阻，其使得沒有電流流至與在水平方向上相鄰的有機EL層20b中。同樣的，在公共互連線路91和選擇互連線路89之間排列在水平方向上的多個子像素電極20a由用于綠色光發(fā)射的公共有機EL層20b所覆蓋，其在水平方向上呈長帶狀。在選擇互連線路89和下一行(一行之后的)饋送互連線路90之間的，排列成水平方向上的一條直線的預定行的多個子像素電極20a由用于藍色光發(fā)射的公共有機EL層20b所覆蓋，其在水平方向上呈長帶狀。
該有機EL層20b是在覆上一個疏水絕緣膜54和液體排斥導電層55之后通過濕敷法(比如墨水噴射法)形成的。此時，將含有有機化合物的含有機化合物溶液當作一個預期的有機EL層20b，并施加至子像素電極20a。該含有機化合物溶液的液面水平高于絕緣線61的頂部。在垂直方向上相鄰的子像素電極20a之間形成其高度遠高于絕緣線61高度的厚選擇互連線路89，饋送互連線路90和公共互連線路91，向晶體管陣列襯底50的表面突出。因此，避免了將施加至子像素電極20a的含有機化合物溶液泄漏至垂直方向上相鄰的子像素電極20a。另外，分別用疏水絕緣膜53，疏水絕緣膜54和具有排水性和/或排油性的液體排斥導電層55覆蓋選擇互連線路89，饋送互連線90和公共互連線路91，上述疏水膜和液體排斥層抑制了含有機化合物溶液被施加到子像素電極20a上。與子像素電極20a中央處相比，施加至子像素電極20a的含有機化合物溶液在液體排斥導電層55端部附近，疏水絕緣膜53端部附近和疏水絕緣膜54端部附近不會沉積得過厚。因此，通過烘干含有機化合物溶液得方式形成的有機EL層20b在平面上可具有均勻的厚度。
有機EL層20b不必一定是如上所述那樣的雙層結構。也可以應用從子像素電極20a開始依序形成空穴傳輸層，具有狹窄感應度的光發(fā)射層和電子傳輸層的三層結構?？蛇x擇的是，還可以應用具有狹窄感應度的光發(fā)射層的單層結構。也可以應用在上述層結構中之一的適當層之間插入一個電子或者空穴注入層的層結構。同樣還可以應用其它的任何層結構。
用作有機EL單元20陰極的相對電極20c形成在有機EL層20b之上。該相對電極20c是共同形成在所有子像素Pr，Pg和Pb整個表面之上的公共電極。該相對電極20c形成在整個表面上并通過液體排斥導電層55覆蓋公共互連線路91。因此，如圖2中的電路圖所示，相對電極20c電連接至公共互連線路91。每個選擇互連線路89由疏水絕緣膜53所覆蓋。每個饋送互連線路90由疏水絕緣膜54所覆蓋。所以，相對電極20c與選擇互連線路89和饋送互連線路90都絕緣。
該相對電極20c優(yōu)選由具有低于子像素電極20a的功函數(shù)的材料制成，比如可以是單一物質或者是至少含有鎂、鈣、鋰、鋇、銦和稀土金屬之一的合金。該相對電極20c可由如上所述那樣的各種材料的層堆疊而成，或者也可以是如下的層結構，即在如上所述那樣的各種材料的層之外再沉積一個不易氧化的金屬層以降低薄膜電阻(sheetresistance)。更具體地說，可以使用如下的層結構在接觸有機EL層20b的界面?zhèn)仍O置一個具有低功函數(shù)的高純度鋇層，并且設置一個鋁層覆蓋該鋇層；或者是如下的層結構在下部一側設置一個鋰層，在上部一側設置一個鋁層。在頂部發(fā)光結構中，該相對電極20c可以是一個透明電極，其具有上述的低功函數(shù)薄膜以及比如由薄膜上ITO制成的透明導電薄膜。
在相對電極20c上形成密封絕緣膜56。該密封絕緣膜56是設置用來覆蓋整個相對電極20c并避免相對電極20c老化的無機或者有機膜。
一般來說，在具有頂部發(fā)光結構的EL顯示面板中，至少相對電極20c的一部分形成為透明電極，該透明電極比如是具有高阻抗值的金屬氧化物。這樣的材料僅通過增加厚度就能夠充分降低薄膜電阻。當材料較厚，該有機EL單元的透明度不可避免地降低。當屏幕尺寸變大，在平面上幾乎無法得到統(tǒng)一的電勢，而且顯示特性也變差。
然而本實施例中，在水平方向上設置了具有低阻抗的多個公共互連線路91以得到足夠厚度。因此，有機EL單元20整個陰極電極的薄膜阻抗值都可以隨相對電極20c一起降低，所以在平面上可統(tǒng)一提供一個足夠大的電流。在這樣的結構中，公共互連線路91減少了陰極電極的薄膜阻抗。據(jù)此，通過將相對電極20c形成為較薄，就可以增加透射率。在頂部發(fā)光結構中，可以用反射材料制作像素電極20a。
不使用形成薄膜晶體管的導電層，而是使用厚導電層所形成的饋送互連線路90電連接至供給線Z1至Zm。據(jù)此，可防止由于僅用薄膜晶體管導電層所形成的供給線Z1至Zm中的電壓降所引起的，在多個有機EL單元20中的寫入電流或者驅動電流(將在后面說明)達到預定的電流值的延遲，而且可以令人滿意地驅動該單元。
另外，不使用形成薄膜晶體管的導電層，而是使用厚導電層所形成的選擇互連線路89電連接至掃描線X1至Xm。為此，可防止由于僅使用薄膜晶體管導電層所形成的掃描線X1至Xm中的電壓降所引起的信號延遲，而且能夠快速切換并且令人滿意地驅動開關晶體管21和保持晶體管22。
該顯示面板1可以通過有源矩陣方式按照如下方法進行驅動。如圖7所示，連接至掃描線X1至Xm的選擇驅動器向掃描線X1至Xm按照這個順序(掃描線X1鄰接于掃描線Xm)依次輸出高電平轉換脈沖，從而順序地選擇掃描線X1至Xm。饋送驅動器連接至饋送互連線路90。該饋送驅動器在選擇期間通過饋送互連線路90施加寫入饋送電壓VL以向連接至供給線Z1至Zm的驅動晶體管23提供寫入電流。該饋送驅動器在光發(fā)射期間施加驅動饋送電壓VH，由此經由驅動晶體管23向有機EL單元20提供驅動電流。該饋送驅動器與選擇驅動器同步地向供給線Z1至Zm按照這個順序(供給線Z1鄰接于供給線Zm)順序地輸出低電平寫入饋送電壓VL(低于有機EL單元20的相對電極電壓)，從而順序地選擇供給線Z1至Zm。當選擇驅動器正在選擇掃描線X1至Xm的時候，數(shù)據(jù)驅動器通過預定行驅動晶體管23的漏極至源極的路徑向所有的信號線Y1至Yn提供寫入電流(電流信號)。此時，該饋送驅動器，從位于絕緣襯底2左端和右端的每個饋送互連線路90的兩個端部處的互連線路終端，向連接至供給線Z1至Zm的饋送互連線路90輸出低電平寫入饋送電壓VL。相對電極20c和公共互連線路91經由互連線路終端部分連接至外部設備并且保持為預定公共電壓Vcom(比如接地＝0V)。
信號線Y1至Yn設置的方向稱為垂直方向(列方向)。掃描線X1至Xm設置的方向稱為水平方向(行方向)。此時，m和n是自然數(shù)(m≥2，n≥2)。加在掃描線X上的腳注表示從圖1中頂部開始計數(shù)的順序。加在供給線Z上的腳注表示從圖1中頂部開始計數(shù)的順序。加在信號線Y上的腳注表示從圖1中左邊開始計數(shù)的順序。加在像素電路P上的第一個腳注表示從頂部開始計數(shù)的順序，而第二個腳注表示從左邊開始計數(shù)的順序。更具體地說，i是一個1到m之間的任意自然數(shù)，而j是一個1到n之間的任意自然數(shù)。掃描線Xi是從頂部開始數(shù)的第i行，供給線Zi是從頂部開始數(shù)的第i行，信號線Yj是從左邊數(shù)的第j列，而像素電路Pi，j是位于從頂部數(shù)的第i行，從左邊數(shù)的第j列。像素電路Pi，j與掃描線Xi，供給線Zi和信號線Yj連接。
像素電路Pi，j包括作為像素的有機EL單元20，設置在該有機EL單元20周圍的第一至第三N-溝道無定形硅薄膜晶體管(下面簡稱為晶體管)21，22和23以及電容24。
在每個選擇期間，數(shù)據(jù)驅動器側的電勢相同或者低于輸出至饋送互連線路90和供給線Z1至Zm的寫入饋送電壓VL。該寫入饋送電壓VL設置成相同或者低于公共電勢Vcom。此時，并沒有從有機EL單元20流至信號線Y1至Yn的電流。如圖2所示，正如箭頭A所指示的，具有與灰度級對應的電流值的寫入電流(拉出電流)從數(shù)據(jù)驅動器提供至信號線Y1至Yn。在像素電路Pi，j中，送至信號線Yj的寫入電流(拉出電流)從饋送互連線路90和供給線Zi流出并經過驅動晶體管23的漏極至源極路徑和開關晶體管21的漏極至源極路徑。經過驅動晶體管23漏極至源極路徑的電流的電流值唯一地由數(shù)據(jù)驅動器所控制。該數(shù)據(jù)驅動器根據(jù)外部輸入灰度級來設置該寫入電流(拉出電流)的電流值。當該寫入電流(拉出電流)流動時，第i行的每個像素電路Pi，1至Pi，n的驅動晶體管23的柵極23g和源極23s之間的電壓被強制設置成對應于流向信號線Y1至Yn的寫入電流(拉出電流)電流值，即，與驅動晶體管23的Vg-Ids特性中的改變時間無關的，在驅動晶體管23的漏極23d和源極23s之間流動的寫入電流(拉出電流)的電流值。在電容24中存儲了與該電壓電平具有相對應數(shù)量的電荷，以便將寫入電流(拉出電流)的電流值轉換成驅動晶體管23的柵極23g和源極23s之間的電壓電平。在隨后的光發(fā)射期間中，掃描線Xi轉換至低電平以使得開關晶體管21和保持晶體管22關閉。電容24電極24A側的電荷由OFF狀態(tài)的保持晶體管22所限定，由此設置成浮動狀態(tài)。因此，即使在從選擇期間至光發(fā)射期間的過渡時間內當驅動晶體管23的源極23s的電壓被調制時，仍然保持了驅動晶體管23的柵極23g和源極23s之間的電勢差。在光發(fā)射期間中，供給線Zi和與其連接的饋送互連線路90的電勢與驅動饋送電壓VH相同，所述VH高于有機EL單元20的相對電極20c的電勢Vcom。因此，驅動電流沿箭頭B方向，從供給線Zi和與其相連的饋送互連線路90經過驅動晶體管23流向有機EL單元20。從而，該有機EL單元20發(fā)光。該驅動電流的電流值取決于驅動晶體管23的柵極23g和源極23s之間的電壓。據(jù)此，在光發(fā)射期間的驅動電流的電流值與選擇期間的寫入電流(拉出電流)的電流值相當。
下面對顯示面板1的另一種有源矩陣驅動方法進行說明。如圖8所示，振蕩電路向饋送互連線路90以及供給線Z1至Zm輸出時鐘信號。選擇驅動器向掃描線X1至Xm按照這個順序(掃描線X1鄰接于掃描線Xm)順序輸出高電平轉換脈沖，從而順序地選擇掃描線X1至Xm。當選擇驅動器正在向掃描線X1至Xm之一輸出該轉換脈沖之際，來自振蕩電路的時鐘信號轉變成低電平。當選擇驅動器選擇了掃描線X1至Xm之時，數(shù)據(jù)驅動器將拉出電流(電流信號)作為寫入電流經由驅動晶體管23的漏極至源極路徑提供給所有的信號線Y1至Yn。相對電極20c和饋送互連線路90則保持在預定公共電勢Vcom(比如，接也＝0V)。
在掃描線Xi的選擇期間，將轉換脈沖輸出至該第i行的掃描線Xi以便使開關晶體管21和保持晶體管22導通。在每個選擇期間，數(shù)據(jù)一側驅動器的電勢都相當于或者低于輸出至饋送互連線路90和供給線Z1至Zm的的時鐘信號。時鐘信號的低電平設置成相當于或者低于公共電勢Vcom。此時，沒有電流從有機EL單元20流向信號線Y1至Yn。如圖2所示，正如箭頭A所指示的，具有與灰度級相對應的電流值的寫入電流(拉出電流)從數(shù)據(jù)驅動器提供至信號線Y1至Yn。在像素電路Pi，j中，寫入電流(拉出電流)從饋送互連線路90和供給線Zi經由驅動晶體管的漏極至源極路徑和開關晶體管21的漏極至源極路徑流向信號線Yj。經由驅動晶體管23的漏極至源極路徑流動的電流的電流值唯一地受數(shù)據(jù)驅動器的控制。該數(shù)據(jù)驅動器將該寫入電流(拉出電流)的電流值設置為與外部輸入灰度級相對應。當寫入電流(拉出電流)流動時，將第i行的每個像素電路Pi，1至Pi，n的驅動晶體管23的柵極23g和源極23s之間的電壓強制設置成對應于流向信號線Y1至Yn的寫入電流(拉出電流)的電流值，即，與晶體管23的Vg-Ids特性中的改變時間無關的，在驅動晶體管23的漏極23d和源極23s之間流動的寫入電流(拉出電流)的電流值。在電容24中存儲了具有與該電壓電平對應數(shù)量的電荷以便將寫入電流(拉出電流)電流值轉換成驅動晶體管23的柵極23g和源極23s之間的電壓電平。在隨后的光發(fā)射期間，掃描線Xi轉變成低電平以便使開關晶體管21和保持晶體管22截止。電容24的電極24A側的電荷由在OFF狀態(tài)的保持晶體管22所限制，并且設置了浮動狀態(tài)。因此，即使在從選擇期間至光發(fā)射期間的過渡時間內驅動晶體管23的源極23s的電壓被調制時，仍然保持了驅動晶體管23的柵極23g和源極23s之間的電勢差。在選擇期間，在沒有選擇任何行的時候，即，時鐘信號為高電平，而且饋送互連線路90和供給線Zi的電勢高于有機EL單元20的相對電極20c和饋送互連線路90的電勢Vcom的時候，驅動電流沿著箭頭B的方向，從饋送互連線路90和具有高電勢的供給線Zi經由驅動晶體管23的漏極至源極的路徑流向有機EL單元20。從而，該有機EL單元發(fā)光。該驅動電流的電流值取決于驅動晶體管23的柵極23g和源極23s之間的電壓。據(jù)此，在光發(fā)射期間的驅動電流電流值與選擇期間的寫入電流(拉出電流)的電流值相當。在選擇期間中，在選擇了任何一行的時候，即，時鐘信號為低電平，饋送互連線路90和供給線Zi的電勢相當于或者低于相對電極20c和饋送互連線路90的電勢Vcom。從而，沒有流向有機EL單元20的驅動電流，也不會產生光發(fā)射。
在上述任何一種驅動方法中，開關晶體管21用作使信號線Yj和驅動晶體管23的源極23s之間的電流導通(選擇期間)或者截止(光發(fā)射期間)。保持晶體管22的用作實現(xiàn)在選擇期間內在驅動晶體管23的源極23s和漏極23d之間提供電流，在光發(fā)射期間內在晶體管23的柵極23g和源極23s之間保持電壓。驅動晶體管23用作通過向有機EL單元20提供一個具有與灰度級相對應量級的電流來驅動該有機EL單元20。
如上所述，流向饋送互連線路90的電流大小相當于流向與一列供給線Zi連接的n個有機EL單元20的驅動電流的大小的和。當設置了用以進行移動圖像驅動的，并且使用了可對應于VGA或者更多的像素的選擇期間的時候，增加了每個饋送互連線路90的寄生電容。由形成薄膜晶體管的柵極電極或者源極/漏極電極的薄膜所形成的互連線路的阻抗非常高以，至于無法將寫入電流(驅動電流)提供至n個有機EL單元20。在本實施例中，饋送互連線路90是由不同于像素電路Pi，1至Pm，n的薄膜晶體管柵極電極或者源極/漏極電極的導電層所形成的。因此，由饋送互連線路90所引起的電壓降很小。即使在一個較短選擇期間內，也可以充分提供寫入電流(拉出電流)而不至于產生任何延遲。由于通過增厚饋送互連線路90而降低了其阻抗，所以該饋送互連線路90可以制作的較窄。在底部發(fā)光結構中，能使像素開口率降低的情況最小化。
同樣的，在光發(fā)射期間流向公共互連線路91的驅動電流大小相當于在選擇期間流向饋送互連線路90的寫入電流(拉出電流)。由于公共互連線路91使用了不同于像素電路P1，1至Pm，n的第一至第三薄膜晶體管的柵極電極或者源極/漏極電極的導電層，所以該公共互連線路91可以制作的足夠厚，而且可以降低其阻抗。另外，即使相對電極20c本身變薄并且增加了其阻抗的時候，在平面內該相對電極20c的電壓也可以是統(tǒng)一的。因此，只要將相同的電勢施加至所有的像素電極20a，該有機EL層20b的光發(fā)射強度也是基本相同的，而且在平面內的光發(fā)射強度可以是統(tǒng)一的。
當將該EL顯示面板1用作頂部發(fā)光類型的時候，相對電極20c可以制作的更薄些。從而，從有機EL層20b發(fā)出的光在通過該相對電極20c的時候基本不消弱。另外，由于從上方觀察的時候，公共互連線路91是分別提供在水平方向上相鄰的像素電極20a之間的，所以可使像素開口率的降低情況最小化。
當顯示面板由上述兩種驅動方法中的后者所驅動的時候，該饋送互連線路90通過設置在絕緣襯底2的一個邊緣的第一引導互連線路而相互電連接，并且由此通過外部時鐘信號設置成等電勢(equipotential)。該第一引導互連線路在絕緣襯底2的兩個端部處連接至互連線路終端。由于從外部驅動電路施加至該互連線路終端的電壓是等電勢的，所以電流能夠迅速的提供至所有的饋送互連線路90。
在不同于絕緣襯底2的設置有上述第一引導互連線路的邊緣的另一個邊緣處設置有第二引導互連線路，公共互連線路91通過該第二引導互連線路而相互連接。公共電壓Vss施加至該公共互連線路91。該第二引導互連線路與第一引導互連線路絕緣。
當顯示面板1具有對應于WXGA(768×1366)的像素的時候，則饋送互連線路90和公共互連線路91的所需寬度和截面積就已經得到定義。圖9是展示每個子像素的驅動晶體管23和有機EL單元20的電流相對于電壓特性的圖。
根據(jù)圖9，縱坐標表示在一個驅動晶體管23的源極23s和漏極23d之間流動的寫入電流電流值，或者表示在一個有機EL單元20的陽極和陰極之間流動的驅動電流電流值。而橫坐標表示在一個驅動晶體管23的漏極23d和源極23s之間的電壓(也可以表示在一個驅動晶體管23的柵極23g和漏極23d之間的電壓)。根據(jù)圖9，實線Idsmax表示最高亮度灰度級的寫入電流和驅動電流(最亮顯示)。單點劃線Idsmid表示在最高亮度灰度級和最低亮度灰度級之間的中間最高亮度灰度級的寫入電流和驅動電流。雙點劃線Vpo表示在驅動晶體管23的非飽和區(qū)域(線性區(qū)域)和飽和區(qū)域之間的閾值，即夾斷電壓。三點劃線Vds表示在驅動晶體管23的源極23s和漏極23d之間流動的寫入電流。虛線Iel表示在有機EL單元20的陽極和陰極之間流動的驅動電流。
電壓VP1是驅動晶體管23對于最高亮度灰度級的夾斷電壓。電壓VP2是在對應最高亮度灰度級的寫入電流流過時驅動晶體管23的漏極至源極的電壓。最高亮度灰度級驅動電流的電流值具有相當于最高亮度灰度級的寫入電流的電流值，電壓VELmax(電壓VP4-電壓VP3)是通過該最高亮度灰度級驅動電流使得有機EL單元20發(fā)光的時候的陽極至陰極的電壓。電壓VP2’是當對應于中間亮度灰度級的寫入電流流過時的驅動晶體管23的漏極至源極的電壓。中間亮度灰度級驅動電流具有的電流值相當于中間亮度灰度級寫入電流的電流值，電壓(電壓VP4’-電壓VP3’)是通過該中間亮度灰度級驅動電流使得有機EL單元20發(fā)光的時候的陽極至陰極的電壓。
為了在飽和區(qū)域中驅動該驅動晶體管23和有機EL單元20，需通過從(在光發(fā)射期間中的饋送互連線路90的驅動饋送電壓VH)減去(在光發(fā)射期間中的公共互連線路91的電壓Vcom)中得到一個值VX，其滿足下面的因式VX＝Vpo+Vth+Vm+VEL(2)其中Vth(＝VP2-VP1對應于最高亮度)是驅動晶體管23的閾值電壓，VEL(＝VEmax對應于最高亮度)是有機EL單元20的陽極至陰極電壓，而Vm是根據(jù)灰度級而置換的一個允許電壓。
正如圖9所明示的，對于電壓VX，亮度灰度級越高，則晶體管23的源極和漏極之間所必需的電壓(Vpo+Vth)就越高，而且有機EL單元20的陽極和陰極之間所必需的電壓VEL就越高。從而，隨著亮度灰度級變高可允許電壓Vm變低。最低可允許電壓Vmmin是VP3-VP2。
無論是低分子量還是高分子量EL材料，有機EL單元20都要隨著時間而老化并且增加其阻抗?，F(xiàn)在已經得到證實，在經過10000小時之后陽極至陰極電壓是初始狀態(tài)的1.4倍到若干倍。也就是說，即使亮度灰度級并未改變，電壓VEL也要隨著時間流逝而增加。當初始驅動狀態(tài)下的可允許電壓Vm盡可能高的時候，可使其長時間穩(wěn)定運轉。因此，將電壓VX這樣設置，即，使得VEL為8V或者更多，更優(yōu)選的是13V或者更多。
可允許電壓Vm不止包括有機EL單元20阻抗的增加量還包括饋送互連線路90所導致的電壓降。
如果由于饋送互連線路90的互連線路阻抗而導致電壓降較大，則EL顯示面板1的能量消耗顯著增加。因此，特別優(yōu)選的是將饋送互連線路90的電壓降控制到1V或者更低。
需要將作為一個像素行方向長度的像素寬度Wp，行方向上的像素數(shù)量(1366)，從第一引導互連線路到像素區(qū)域外的互連線路終端的延展區(qū)域，以及從第一引導互連線路到像素區(qū)域外的另一個互連線路終端的延展區(qū)域都作為考慮。在此情況下，對于面板尺寸是32英寸的顯示面板1，其第一引導互連線路的總長度是706.7mm，而對于40英寸的情況來說則是895.2mm。如果饋送互連線路90和公共互連線路91的線寬度WL較大，則在構造上減少了有機EL層20b的區(qū)域。另外，還產生了對于其它互連線路的重疊寄生電容，而且電壓降變的更大。為了避免這種情況，優(yōu)選將饋送以及公共互連線路90，91的線寬度WL抑制至像素寬度Wp的1/5或者更少?？紤]到這種情況之后，對于面板尺寸32英寸的顯示面板1來說其線寬度WL是34μm或者更少，而對于40英寸的來說則是44μm或者更少。當考慮到畫面長寬比的時候，饋送互連線路90和公共互連線路91的最大厚度Hmax是第一至第三晶體管21至23的最小處理尺寸(4μm)的1.5倍，即6μm。饋送互連線路90和公共互連線路91的最大截面積Smax對于32英寸面板來說是204μm2對于40英寸面板來說是264μm2。
如圖10所示，為了在32英寸顯示面板1完全發(fā)光而使得最大電流流過時，讓饋送互連線路90和公共互連線路91的最大電壓降為1V或者更少，饋送互連線路90和公共互連線路91的互連線路電阻率ρ/截面積S應該設置到4.7Ω/cm或者更少。圖11展示了32英寸顯示面板1的饋送互連線路和公共互連線路的截面積和電流密度之間的相互關系。對于32英寸的情況來說上述饋送互連線路90和公共互連線路91具有最大截面積Smax的時候可允許的電阻率是9.6μΩcm，對于40英寸的情況來說則是6.4μΩcm。
如圖12所示，為了在40英寸顯示面板1完全發(fā)光而使得最大電流流過時，讓饋送互連線路90和公共互連線路91的最大電壓降為1V或者更少，饋送互連線路90和公共互連線路91的互連線路電阻率ρ/截面積S應該設置到2.4Ω/cm或者更少。圖13展示了40英寸顯示面板1的饋送互連線路和公共互連線路的截面積和電流密度之間的相互關系。
EL顯示面板根據(jù)饋送互連線路90和公共互連線路91中的故障而在其中停止運行的故障中值時間MTF，其滿足下面的因式MTF＝Aexp(EA/KbT)/ρJ2(3)其中Ea是激活能，KbT＝8.617×10-5eV，ρ是饋送互連線路90和公共互連線路91的電阻率，而J是電流密度。
饋送互連線路90和公共互連線路91的故障中值時間MTF取決于電阻率或者電子遷移的增加。在用鋁為基礎的材料(Al的單一物質或者類似鋁鈦或者鋁釹這樣的合金)制作饋送和公共互連線路90，91的時候，在運行溫度為85攝氏度對10000小時的MTF進行了試用計算，其電流密度J應該是2.1×104A/cm2或者更少。當饋送互連線路90和公共互連線路91是銅的時候，該電流密度J應該是2.8×106A/cm2或者更少。假定在鋁合金中除了鋁之外的材料，其電阻率都低于鋁。
考慮到這些情況，如圖11所示，在32英寸顯示面板1中，以鋁為基礎的饋送互連線路90和公共互連線路91的截面積S應該是57μm2或者更多，以避免在10000小時的完全發(fā)光狀態(tài)下在其中發(fā)生任何故障。如圖11所示，用銅制成的饋送和公共互連線路90，91的截面積S應該是0.43μm2或者更多。
如圖13所示，在40英寸顯示面板1中，以鋁為基礎的饋送互連線路90和公共互連線路91的截面積S應該是92μm2或者更多，以避免在10000小時的完全發(fā)光狀態(tài)下在其中發(fā)生任何故障。如圖13所示，用銅制成的饋送和公共互連線路90，91的截面積S應該是0.69μm2或者更多。
如上所述，在32英寸的顯示面板1中，假定以鋁為基礎的材料其電阻率是4.00μΩcm，則以鋁為基礎的饋送互連線路90和公共互連線路91的互連線路電阻率ρ/截面積S為4.7Ω/cm或者更少。因此，最小截面積Smin是85.1μm2。如上所述，由于饋送和公共互連線路90，91的線寬度WL是34μm或者更少，互連線路90，91兩者的最小厚度Hmin是2.50μm。
如上所述，在40英寸顯示面板1中，以鋁為基礎的饋送互連線路90和公共互連線路91的互連線路電阻率ρ/截面積S為2.4Ω/cm或者更少。因此，最小截面積Smin是167μm2。如上所述，由于互連線路90，91的線寬度WL是44μm或者更少，則互連線路90，91的最小厚度Hmin是3.80μm。
如上所述，在32英寸顯示面板1中，假定銅的電阻率是2.10μΩcm，則銅制的饋送互連線路90和公共互連線路91的互連線路電阻率ρ/截面積S為4.7Ω/cm或者更少。因此，最小截面積Smin是44.7μm2。如上所述，由于互連線路90，91兩者的線寬度WL都是34μm或者更少，互連線路90，91的最小厚度Hmin是1.31μm。
如上所述，在40英寸顯示面板1中，銅制的饋送互連線路90和公共互連線路91的互連線路電阻率ρ/截面積S為2.4Ω/cm或者更少。因此，最小截面積Smin是87.5μm2。如上所述，由于互連線路90，91兩者的線寬度WL都是44μm或者更少，互連線路90，91的最小厚度Hmin是1.99μm。
因此，為了以低消耗方式使顯示面板1正常運作，優(yōu)選將饋送互連線路90和公共互連線路91中的電壓降設置到1V或者更少。為了實現(xiàn)這樣的情況，對于32英寸的面板而且其饋送互連線路90和公共互連線路91是用以鋁為基礎的材料所制成的情況，其厚度H是2.5至6.0μm，寬度WL是14.1至34.0μm，而且電阻率是4.0至9.6μΩcm。對于40英寸面板其互連線路90，91兩者都是用以鋁為基礎的材料制成的情況，其厚度H是3.8至6.0μm，寬度WL是27.8至44.0μm，而且電阻率是4.0至9.6μΩcm。
通常，對于以鋁為基礎材料的饋送互連線路90和公共互連線路91，其厚度H是2.5至6.0μm，寬度WL是14.1至44.0μm，而且電阻率是4.0至9.6μΩcm。
對于32英寸的面板而且其饋送互連線路90和公共互連線路91是用銅所制成的情況，其厚度H是1.31至6.00μm，寬度WL是7.45至34.00μm，而且電阻率是2.1至9.6μΩcm。對于40英寸的面板而且其互連線路90，91兩者都是用銅所制成的情況，其厚度H是1.99至6.00μm，寬度WL是14.6至44.0μm，而且電阻率是2.1至9.6μΩcm。
通常，對于銅制的饋送互連線路90和公共互連線路91，其厚度H是1.31至6.00μm，寬度WL是7.45至44.0μm，而且電阻率是2.1至9.6μΩcm。
因此，當饋送互連線路90和公共互連線路91使用以鋁為基礎的材料或者銅的時候，該EL顯示面板1的互連線路90，91的厚度H是1.31至6.00μm，寬度WL是7.45至44.0μm，而且電阻率是2.1至9.6μΩcm。
如上所述，該公共互連線路91設置成在水平方向上的紅色子像素Pr的行和綠色子像素Pg的行之間突出，而且該互聯(lián)線路是由不同于第一至第三晶體管21至23的電極的層所形成的。因此，公共互連線路91可以做的較厚而且具備低阻抗。該具備低阻抗的公共互連線路91電連接至相對電極20c。據(jù)此，即使相對電極20c本身變薄并且增加了其阻抗，平面內的相對電極20c的電壓也可以一致。從而，即使將同樣的電勢施加至所有的子像素電極20a，有機EL層20b的光發(fā)射強度也基本相同，而且平面內的光發(fā)射強度可以一致。
當顯示面板1用作頂部發(fā)光類型的時候，相對電極20c可以制作的更薄些。從而，從有機EL層20b發(fā)出的光在通過該相對電極20c的時候幾乎不消弱。另外，由于從上方觀察(圖1)時，公共互連線路91設置在垂直方向上相鄰的子像素電極20a之間，故能使像素開口率降低的情況最小化。
另外，選擇互連線路89設置成在水平方向上的綠色子像素Pg的行和藍色子像素Pb的行之間突出，而且其是由不同于第一至第三晶體管21至23的電極的層所形成的。因此，該選擇互連線路89可以做的較厚而且具備低阻抗。該公共互連線路91具備低阻抗并且形成在薄掃描線X上。據(jù)此，能夠抑制該掃描線X上的電壓降，而且還能夠抑制在掃描線X和選擇互連線路89中的信號延遲。也就是說，當關注水平方向上的子像素P的列的時候，在所有子像素P中的轉變至高電平的轉換脈沖沒有任何延遲。
由于該選擇互連線路89制作為較厚來減少阻抗，所以該選擇互連線路89可以制作的很窄。據(jù)此，能使像素開口率降低的情況最小化。
另外，饋送互連線路90設置成在水平方向上的藍色子像素Pb的行和紅色子像素Pr的行之間突出，而且其是由不同于第一至第三晶體管21至23的電極的層所形成的。因此，該饋送互連線路90可以做的較厚而且具備低阻抗。該饋送互連線路90具備低阻抗并且形成在薄供給線Z上。據(jù)此，能夠抑制該供給線Z上的電壓降，而且還能夠抑制在供給線Z和饋送互連線路90中的信號延遲。比如，當顯示面板1的尺寸增加而饋送互連線路90不變的時候，則平面內的光發(fā)射強度會根據(jù)供給線Z中的電壓降而變動，或者某些有機EL單元20無法發(fā)光。然而，在本實施例中，由于具備低阻抗的饋送互連線路90電連接至供給線Z，能夠避免平面內光發(fā)射強度的變化，而且消除了有機EL單元20不能發(fā)光的情況。
由于該饋送互連線路90制作的較厚來減少阻抗，所以該饋送互連線路90可以制作的較窄。據(jù)此，能使像素開口率降低的情況最小化。
由于突出形成的選擇互連線路89，饋送互連線路90和公共互連線路91設置為較厚，所以該有機EL層20b能夠通過濕敷方法具備不同的顏色。從而，也不必設置特別的壁來分隔這些子像素P，而且該顯示面板1也很容易制造。
本發(fā)明并不限于上述實施例，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的前提下還可以對其進行各種變形和修改。
在上述實施例中，第一至第三晶體管21至23被描述為N溝道場效應晶體管。該晶體管21至23可以是P溝道場效應晶體管。此時，晶體管21至23的源極21s，22s和23s以及晶體管21至23的漏極21d，22d和23d之間的關系與圖2所示電路圖中的情況相反。比如，當驅動晶體管23是P溝道場效應晶體管的時候，驅動晶體管23的漏極23d電連接至有機EL單元20的子像素電極20a。源極23s電連接至供給線Z。
在上述實施例中，對每個像素像點設置了三個晶體管21至23。本發(fā)明可以應用于每個子像素P像點具備一個或者更多驅動晶體管的任何顯示面板，而且無論面板是電流驅動或者電壓驅動的，本發(fā)明的技術方案都可以通過不受晶體管數(shù)量限制的有源驅動方法使用這些晶體管來驅動。
在上述實施例中，選擇互連線路89突出形成在綠色子像素Pg的行和藍色子像素Pb的行之間。然而，比如公共互連線路91這樣的公共互連線路可以形成在綠色子像素Pg的行和藍色子像素Pb的行之間，以替代該選擇互連線路89。因此，在此種情況下每3個像素形成兩個公共互連線路，在公共互連線路之下不形成任何槽35。該公共互連線路與掃描線X絕緣。該公共互連線路的表面由像液體排斥導電層55那樣的液體排斥導電層所覆蓋。該公共互連線路電連接至相對電極20c。
在上述實施例中，信號線Y是從柵極層成型的?？商娲兀撔盘柧€Y也可以從漏極層成型而成。在此情況下，掃描線X和供給線Z從柵極層成型而成，而信號線Y設置在掃描線X和供給線Z之上。
在上述實施例中，公共互連線路91設置在垂直方向上相鄰的紅色子像素Pr和綠色子像素Pg之間。掃描線X和選擇互連線路89設置在垂直方向上相鄰的綠色子像素Pg和藍色子像素Pb之間。供給線Z和饋送互連線路90設置在一個像素3的藍色子像素Pb和一個相鄰的像素3的紅色子像素Pr之間。從而，該紅色子像素Pr的有機EL層20b，綠色子像素Pg的有機EL層20b和藍色子像素Pb的有機EL層20b按照這個順序反復設置。也就是說，在上述實施例中，供給線Z和饋送互連線路90，公共互連線路91以及掃描線X和選擇互連線路89按照這個順序反復設置。換句話說，紅色子像素Pr的有機EL層20b，綠色子像素Pg的有機EL層20b和藍色子像素Pb的有機EL層20b按照這個順序反復設置。然而，它們并不總是按照這個順序設置的?？商娲?，掃描線X和選擇互連線路89，或者供給線Z和饋送互連線路90可以設置在紅色子像素Pr和綠色子像素Pg之間。公共互連線路91或者供給線Z和饋送互連線路90可以設置在綠色子像素Pg和藍色子像素Pb之間。公共互連線路91或者掃描線X和選擇互連線路89可以設置在一個像素3的藍色子像素Pb和另一個相鄰的像素3的紅色子像素Pr之間。
上述多個修改例還可以進行組合。
權利要求
1.一種顯示面板，包括具有多個像素的晶體管陣列襯底，該晶體管陣列襯底按照對每個像素提供多個晶體管的方式形成，每個所述晶體管具有柵極、柵極絕緣膜，源極以及漏極；多個互連線路，其按照向所述晶體管陣列襯底的表面突出的方式而形成，并按照彼此平行的方式排列；對每個像素設置的多個像素電極，沿著所述互連線路設置于所述晶體管陣列襯底表面上的互連線路之間；多個光發(fā)射層，每個發(fā)光層都形成在每個像素電極之上；以及堆疊在所述光發(fā)射層之上的相對電極。
2.如權利要求1所述的面板，其中所述多個晶體管包括其源極和漏極之一與所述像素電極相連的驅動晶體管，在所述驅動晶體管的漏極和源極之間提供寫入電流的開關晶體管，在光發(fā)射期間保持所述驅動晶體管柵極和源極之間電壓的保持晶體管。
3.如權利要求2所述的面板，其中所述多個互連線路包括至少一個與所述驅動晶體管源極和漏極中的另一個相連的饋送互連線路，選擇開關晶體管的選擇互連線路，以及與所述相對電極連接的公共互連線路。
4.如權利要求3所述的面板，其中所述光發(fā)射層形成在所述饋送互連線路、所述選擇互連線路和所述公共互連線路中的兩個互連線路之間。
5.如權利要求3或者4所述的面板，其中所述多個互連線路是通過設置多個組而形成的，其中每組都包括按照任意順序設置的所述饋送互連線路、所述選擇互連線路以及所述公共互連線路的互連線路。
6.如權利要求1到5之中任意一個所述的面板，其中所述多個像素包括紅色像素、綠色像素以及藍色像素。
7.如權利要求6所述的面板，其中所述多個像素是通過設置多個組而形成的，其中每組都包括按照任意順序設置的所述紅色像素、所述綠色像素以及所述藍色像素。
8.如權利要求1到7之中任意一個所述的面板，其中所述互連線路的厚度為1.31～6.00μm。
9.如權利要求1到8之中任意一個所述的面板，其中所述互連線路的寬度為7.45～44.00μm。
10.如權利要求1到9之中任意一個所述的面板，其中所述互連線路的電阻系數(shù)為2.1～9.6μΩcm。
11.如權利要求1到10之中任意一個所述的面板，其中所述多個互連線路是由導電層制成，該導電層既不同于用作所述源極和漏極的層，也不同于用作所述晶體管柵極的層。
12.如權利要求1到11之中任意一個所述的面板，其中所述多個互連線路是由導電層制成，該導電層不同于用作所述像素電極的層。
13.如權利要求1到12之中任意一個所述的面板，其中所述多個互連線路的厚度厚于用作所述源極和漏極的層，也厚于用作所述晶體管柵極的層。
14.如權利要求1到13之中任意一個所述的面板，其中所述多個互連線路的厚度厚于用作所述像素電極的層。
15.一種顯示面板，包括多個像素電極；分別提供給所述多個像素電極的多個光發(fā)射層；提供給所述多個光發(fā)射層的相對電極；與所述多個像素電極分別相連的多個驅動晶體管；多個開關晶體管，其中每個所述開關晶體管都在與所述多個驅動晶體管之中所對應的一個驅動晶體管的漏極和源極之間提供寫入電流；多個保持晶體管，其中每個所述保持晶體管都保持與所述多個驅動晶體管之中所對應的一個驅動晶體管的柵極和源極之間的電壓；由導電層制成的多個饋送互連線路，該導電層不同于用于所述多個驅動晶體管、所述多個保持晶體管以及所述多個開關晶體管的源極、漏極和柵極的層，而且所述多個饋送互連線路與所述多個驅動晶體管的漏極相連；多個選擇互連線路，其中的每個用于選擇所述開關晶體管；以及多個公共互連線路，其中的每個都與所述相對電極連接。
16.如權利要求15所述的面板，其中所述多個選擇互連線路是由導電層制成，該導電層既不同于用作所述源極和漏極的層，也不同于用作所述多個驅動晶體管、所述多個開關晶體管和所述多個保持晶體管的柵極的層。
17.如權利要求15或者16所述的面板，其中所述多個公共互連線路是由導電層制成，該導電層既不同于用作所述源極和漏極的層，也不同于用作所述多個驅動晶體管、所述多個開關晶體管和所述多個保持晶體管的柵極的層。
18.如權利要求15到17之中任意一個所述的面板，其中所述饋送互連線路、所述選擇互連線路和所述公共互連線路中至少一個的厚度，厚于用作所述源極和漏極的層，也厚于用作所述多個驅動晶體管、所述多個開關晶體管和所述多個保持晶體管的柵極的層。
19.如權利要求15到18之中任意一個所述的面板，其中所述饋送互連線路、所述選擇互連線路和所述公共互連線路中的至少一個是由導電層制成，該導電層不同于用作所述像素電極的層。
20.如權利要求15到19之中任意一個所述的面板，其中所述饋送互連線路、所述選擇互連線路和所述公共互連線路中至少一個的厚度厚于用作所述像素電極的層。
21.一種顯示面板，包括多個像素電極；提供給所述多個像素電極的每個的多個光發(fā)射層；提供給所述光發(fā)射層的相對電極；與所述多個像素電極的每個相連的多個驅動晶體管；多個開關晶體管，其中的每個都在所述驅動晶體管的源極和漏極之間提供寫入電流；多個保持晶體管，其中的每個都保持所述驅動晶體管的源極和柵極之間的電壓；選擇所述開關晶體管的選擇互連線路；由導電層制成的公共互連線路，該導電層既不同于用作源極和漏極的層，也不同于用作所述驅動晶體管、所述開關晶體管和所述保持晶體管的柵極的層，而且該公共互連線路與所述相對電極相連；以及由導電層制成的饋送互連線路，該導電層不同于用作所述驅動晶體管、所述開關晶體管和所述保持晶體管的源極、漏極和柵極的層，而且該饋送互連線路與所述驅動晶體管的漏極相連，并且其厚度厚于所述公共互連線路。
22.一種顯示面板，包括晶體管陣列襯底，其通過給每個像素提供多個晶體管的方式而形成，其中每個晶體管具有柵極、柵極絕緣膜以及源極/漏極；在所述晶體管陣列襯底上按照多行的方式提供的多個像素電極；在第一行上所述多個像素電極的每個上提供的第一光發(fā)射層，用于發(fā)射第一種顏色的光；在第二行上所述多個像素電極的每個上提供的第二光發(fā)射層，用于發(fā)射第二種顏色的光；在第三行上所述多個像素電極的每個上提供的第三光發(fā)射層，用于發(fā)射第三種顏色的光；設置在所述第一光發(fā)射層、所述第二光發(fā)射層和所述第三光發(fā)射層之上的相對電極；選擇所述多個晶體管中的至少一個的選擇互連線路，其具有相對于所述第一光發(fā)射層、所述第二光發(fā)射層和所述第三光發(fā)射層更高的頂部；與所述相對電極連接的公共互連線路，其具有相對于所述第一光發(fā)射層、所述第二光發(fā)射層和所述第三光發(fā)射層更高的頂部；以及與所述多個晶體管的所述多個像素電極相連的饋送互連線路，其具有相對于所述第一光發(fā)射層、所述第二光發(fā)射層和所述第三光發(fā)射層更高的頂部。
23.如權利要求22所述的面板，其中所述第一光發(fā)射層被夾在所述選擇互連線路，所述公共互連線路和所述饋送互連線路中的兩個互連線路之間；所述第二光發(fā)射層被夾在所述選擇互連線路，所述公共互連線路和所述饋送互連線路中的兩個互連線路之間，其結合方式不同于夾住所述第一光發(fā)射層的方式；以及所述第三光發(fā)射層被夾在所述選擇互連線路，所述公共互連線路和所述饋送互連線路中的兩個互連線路之間，其結合方式既不同于夾住所述第一光發(fā)射層的方式，也不同于夾住所述第二光發(fā)射層的方式。
全文摘要
一種顯示面板，其包括具有多個像素的晶體管陣列襯底(50)，該晶體管陣列襯底按照對每個像素提供多個晶體管的方式形成，每個晶體管具有柵極(21g，23g)、柵極(21，23)絕緣膜(31)，源極(21c，23c)以及漏極(21d，23d)。多個按照彼此平行的方式排列的互連線路(89，90，91)按照向晶體管陣列襯底的表面突出的方式形成。為每個像素設置了多個像素電極(20a)，其沿著互連線路設置于晶體管陣列襯底表面上的互連線路之間。多個光發(fā)射層(20b)中的每一個都形成在每一個像素電極之上。相對電極(20c)堆疊在光發(fā)射層之上。
文檔編號H01L51/56GK1954438SQ20058001579
公開日2007年4月25日 申請日期2005年9月27日 優(yōu)先權日2004年9月29日
發(fā)明者白崎友之, 尾崎剛, 小倉潤 申請人:卡西歐計算機株式會社