專利名稱：黃銅礦型薄膜太陽能電池用光吸收層的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光吸收層由黃銅礦類化合物層構(gòu)成的黃銅礦型薄膜太陽能電池用光吸收層的制造方法。
背景技術(shù)：
分成硅太陽能電池、薄膜太陽能電池、化合物太陽能電池等幾大類的各種太陽能電池中，薄膜型太陽能電池作為應(yīng)用了薄膜技術(shù)的光盤從制造工藝的簡便且低能量的優(yōu)點出發(fā)，正在進行商品化的開發(fā)。黃銅礦型薄膜太陽能電池屬于薄膜型，具備由黃銅礦類化合物(Cu(In+Ga)Se2:CIGS)構(gòu)成的CIGS層作為p型光吸收層。通過由這樣的化合物形成的光吸收層，特別是在與堿石灰玻璃等含堿金屬的玻璃基板組合使用時，可知太陽能電池得到高的光電轉(zhuǎn)換效率。另外，除基于雜質(zhì)的混入及缺陷格子造成的光劣化(老化)現(xiàn)象的大幅度降低的高的可靠性、在含有長波長帶域的寬的光吸收波長區(qū)域得到的感光特性、高水準的光吸收系數(shù)等之外，還具有優(yōu)良的耐放射線特性，以量產(chǎn)實用化為目的的研究開發(fā)正在進行。
作為光吸收層，圖1表示具備CIGS層的通常的薄膜太陽能電池的層構(gòu)造。該太陽能電池由在堿石灰玻璃(SLG)基板1上具備由Mo金屬層構(gòu)成的作為正極的背面電極層2、用于防止SLG基板1帶來的Na斑點的Na浸漬層3、上述CIGS光吸收層4、n型緩沖層5、最外層作為負極的透明電極層6的多層層疊構(gòu)造7構(gòu)成。
太陽光等照射光從這種太陽能電池的上部受光部入射時，在多層層疊構(gòu)造7的p-n結(jié)附近，被具有帶隙以上的能量的照射光激勵，生成一對電子及空穴。被激勵的電子和空穴通過擴散而到達p-n結(jié)部，通過結(jié)的內(nèi)部電場，電子在n區(qū)域集合分離，空穴在p區(qū)域集合分離。其結(jié)果是，n區(qū)域帶負電，p區(qū)域帶正電，在各區(qū)域設(shè)置的電極8、9間產(chǎn)生電位差。以該電位差為電動勢，在由導線將各電極間連接時得到光電流，這是太陽能電池的原理。
圖2是表示具有圖1所示的多層層疊構(gòu)造7的黃銅礦型薄膜太陽能電池的制造工序的工序圖。
在制作上述太陽能電池時，首先，利用使用了金屬Mo靶的濺射法對SLG等清潔的玻璃基板進行Mo電極層的成膜(Mo電極層成膜工序圖2(a))。
其次，通過激光切割將每個形成有Mo電極層的基板分割成所希望的尺寸(第一劃片工序圖2(b))。
然后，為除去切屑等而通過用水清洗等清洗基板，之后，將該基板浸漬到氯化鈉等含鈉化合物的稀釋溶液中(Na浸漬層附著工序圖2(c))。然后，通過分別使用了金屬In靶及Cu-Ga合金靶的濺射成膜法進行由In層和Cu-Ga層雙層構(gòu)造構(gòu)成的層疊成膜(光吸收層的前體成膜工序圖2(d))。
例如，用于得到CIGS光吸收層的現(xiàn)有方法如圖2(e)所示，將每一個層疊了下層In層和上層Cu-Ga層的前體的基板收納到退火處理室內(nèi)，以100℃就行10分鐘的預(yù)熱。預(yù)熱之后，從插入到退火處理室內(nèi)的氣體導入管導入硒化氫(H2Se)氣體，使其在處理室內(nèi)流通，同時將室內(nèi)升溫到500～520℃的溫度范圍。通過這樣的退火處理，由In層和Cu-Ga層的層疊構(gòu)造構(gòu)成的前體變換成CIGS單層。此時，Na浸漬層在光吸收層上擴散并消失。熱處理結(jié)束后，將作為反應(yīng)器體的硒化氫氣取代為Ar氣體等清洗氣體并進行冷卻(參照特開2003-282908號公報)。
從退火處理室取出的CIGS層成膜的基板通過圖2(f)所示那樣的化學浴沉積法(chemical bath deposition)或濺射法，使用Cds、ZnO、InS等n型半導體材料進行阻擋層的成膜。
進而，使用激光照射及金屬針對成膜了阻擋層的基板進行切削加工(第二劃片工序圖2(g))。
然后，利用使用了ZnO-Al合金靶的濺射法成膜由ZnOAl層構(gòu)成的透明導電層作為最外層(圖2(h))。
之后，再次使用激光照射及金屬針對成膜了透明導電層的基板進行切削加工(第三劃片工序圖2(i))。
由以上的層疊構(gòu)造構(gòu)成的薄膜太陽能電池通過切削加工而作為其大小一直的單電池得到，最終制品構(gòu)成將這些單電池串聯(lián)連接的平面層疊構(gòu)造。
但是，以CIGS為光吸收層的現(xiàn)有的薄膜太陽能電池存在以下這樣的問題，在將由In層和Cu-Ga層的層疊構(gòu)造構(gòu)成的前體變換為CIGS單層的工序中，形成的CIGS光吸收層的膜構(gòu)造中膜成分的Cu、In、Ga及Se局部普遍存在且不均勻的分布。
特別是在按順序?qū)盈BCu-Ga層和In層時，兩層的邊界容易產(chǎn)生固層擴散引起的合金化反應(yīng)，而用除Se以外的其它三種成分進行合金化，或In層容易凝集在Cu-Ga層上，難以變換成所希望的CIGS單層。另外，在退火處理進行CIGS的結(jié)晶化處理時，再次構(gòu)成膜構(gòu)造使得充填度提高，但此時膜厚增加。在該膜厚增加時，由于各構(gòu)成成分的各向擴散系數(shù)不同，從而在得到的CIGS單層內(nèi)的膜厚方向，在各構(gòu)成成分的分布方面產(chǎn)生偏差。
當然，例如Ga成分在電極層側(cè)相對高密度地分布從能帶的觀點考慮為優(yōu)選，各構(gòu)成成分普遍存在地分布一點也不會產(chǎn)生不良。但是，另一方面，已知Mo電極層和金屬Ga其兩者邊界的密封性不良。如果Ga成分在電極層側(cè)普遍存在地分布，則許多情況Ga成分會在高密度側(cè)的邊界偏析。如果Ga成分的偏析產(chǎn)生，則光吸收層和電極層之間的密封性就會不良，其結(jié)果是，得到的薄膜太陽能電池內(nèi)在有容易產(chǎn)生內(nèi)部剝離這樣的構(gòu)造上的問題。
特許文獻1參照2003-282908號公報上述的特開2003-282908號公報中的退火處理是在In層上層疊Cu-Ga層，使得不會導致Ga成分向光吸收層表面的普遍存在。但是，由于退火處理進行的膜成分的擴散和硒化氫氣體的導入進行的硒化幾乎同時進行，因此，基于各構(gòu)成成分的擴散系數(shù)的不同而不均勻的狀態(tài)對硒化的進行有影響。因此，特別是在Ga及Se兩種成分中一直沒能消除不均勻的狀態(tài)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述課題而構(gòu)成的，提供一種黃銅礦型表面太陽能電池用光吸收層的制造方法，該黃銅礦型薄膜太陽能電池用光吸收層具備黃銅在CIGS層內(nèi)部均勻地分布的膜構(gòu)造。
為解決上述課題，本發(fā)明提供黃銅礦型薄膜太陽能電池用光吸收層的制造方法，其包括在背面電極層上利用濺射法層疊與電極層鄰接的In金屬層和Cu-Ga合金層的前體(precursor)形成工序；在將形成有前體的基板收納于氣密空間的狀態(tài)下，向室溫～250℃的溫度范圍的氣密空間內(nèi)導入硒化氫氣體的第一硒化工序；向升溫到250℃～450℃的溫度范圍的空間內(nèi)追加導入硒化氫氣體的第二硒化工序；在氣密空間內(nèi)殘留到第二硒化工序為止導入的硒化氫氣體的狀態(tài)下，將氣密空間內(nèi)升溫到450℃～650℃的溫度范圍，在該溫度范圍條件下進行上述基板的熱處理的第三硒化工序；將熱處理后的基板冷卻的冷卻工序。
根據(jù)本發(fā)明可知，在將溫度范圍設(shè)為室溫～250℃，兼用作基板預(yù)熱的第一硒化工序之后，在溫度范圍250℃～450℃的第二硒化工序中，Se成分被光吸收層獲取，同時使Ga成分在光吸收層內(nèi)擴散。另外，在第二硒化工序后的溫度范圍450℃～650℃的第三硒化工序中，使CIGS結(jié)晶化，再次構(gòu)成光吸收層的膜構(gòu)造。第三硒化工序后得到的光吸收層的膜構(gòu)造是將由CIGS構(gòu)成的黃銅礦類化合物的構(gòu)成成分，特別是Ga及Se這兩個元素均勻分布的膜構(gòu)造。而且，具備優(yōu)良品質(zhì)的光吸收層的太陽能電池其結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，能夠可靠地實現(xiàn)黃銅礦型薄膜太陽能電池特征的變換效率性能的優(yōu)越化。
本發(fā)明中，在第二硒化工序中，也可以加設(shè)遮斷硒化氫氣體的供給來進行氣密空間內(nèi)的真空排氣的真空工序。
通過該真空工序，氣密空間內(nèi)暫時成為高真空狀態(tài)，再次使活度高的硒化氫氣體與In金屬層和Cu-Ga合金層的前體接觸。由此，作為構(gòu)成光吸收層的CIGS，有效地獲取Se成分。
另外，真空工序進行的硒化氫氣體的置換也可以根據(jù)所需要的Se成分量重復進行多次。
還有，在本發(fā)明中，在第一硒化工序之后到第二硒化工序之前供給硒化氫氣體，也可以在升溫到250℃～450℃的第二硒化工序中連續(xù)供給吸氣氫氣體。由此，將含Se成分的基板周圍的環(huán)境保持穩(wěn)定，有效地進行向光吸收層的Se成分的獲取。
在該情況下，第二硒化工序中連續(xù)供給的硒化氫氣體的每單位時間的供給量優(yōu)選設(shè)定為比從第一硒化工序之后到第二硒化工序之前供給的硒化氫氣體的每單位時間的供給量小的流量。在第二硒化工序中，由于設(shè)定溫度高于第一硒化工序中的溫度，因此，硒化更容易獲取。因此，通過減少硒化氫氣體的供給量進行調(diào)整，使得硒化不會過量獲取。
另外，在上述氣密空間內(nèi)可旋轉(zhuǎn)地設(shè)置的框體內(nèi)以直立或大致直立的縱置狀態(tài)收納基板，通過在上述第一、第二、第三硒化工序及上述冷卻工序中的至少一個工序中使框體旋轉(zhuǎn)，不管框體內(nèi)縱置的基板的收納位置，都能夠可靠地得到黃銅礦類化合物的構(gòu)成成分均勻的分布。還有，通過在上述框體內(nèi)收納多片基板，從而每單位旋轉(zhuǎn)操作的退火處理的基板的處理效率提高。
即，即使多片基板的收納位置不同，暴露于硒化氫氣體內(nèi)的基板的接觸量也是均勻的。因此，在框體內(nèi)收納的全部基板的整個面上，可得到優(yōu)良的膜構(gòu)造品質(zhì)的光吸收層。
本發(fā)明的黃銅礦型薄膜太陽能電池用光吸收層的制造方法中，在較低溫度的第一硒化工序中，將上述氣密空間內(nèi)進行預(yù)熱，通過導入硒化氫氣體使氣密空間內(nèi)的氛圍氣穩(wěn)定化。在較高溫度的第二硒化工序中，Se成分被光吸收層獲取，同時使Ga成分在光吸收層內(nèi)擴散，進而在第三硒化工序中，通過CIGS的結(jié)晶化再次構(gòu)成膜構(gòu)造。因此，得到的光吸收層的膜構(gòu)造是由CIGS構(gòu)成的黃銅礦類化合物的構(gòu)成成分，特別是Ga及Se這兩個元素均勻分布的膜構(gòu)造。
因此，具備通過本發(fā)明制造的光吸收層的太陽能電池能夠可靠地得到黃銅礦型薄膜太陽能電池特征性的光電轉(zhuǎn)換效率性能的優(yōu)越性。


圖1是表示一般的薄膜太陽能電池的層構(gòu)造的概略圖；圖2是圖1所示的薄膜太陽能電池的制造工序圖；
圖3是將由In金屬層和Cu-Ga合金層構(gòu)成的層疊前體成膜的直列式濺射成膜裝置的概略圖；圖4是形成CIGS光吸收層的熱處理室的概略圖；圖5是用于實施例1的溫度曲線圖；圖6是用于實施例2的溫度曲線圖。
具體實施例方式
本發(fā)明的黃銅礦型薄膜太陽能電池與上述的圖1所示的結(jié)構(gòu)相同，由在SLG玻璃等基板1上順序?qū)盈B了Mo電極層2、Na浸漬層3、CIGS光吸收層4、緩沖層5及透明電極層6的多層層疊構(gòu)造7構(gòu)成。其中，Na浸漬層3可以省略。根據(jù)情況，緩沖層5也可以省略。另外，在使用大量含有雜質(zhì)的基板1時，為防止雜質(zhì)從基板1向電極層2的擴散，也可以在基板1和電極層2之間設(shè)置阻擋層。阻擋層由SiO2、TiN、SiN構(gòu)成。上述薄膜太陽能電池對應(yīng)其層構(gòu)造，根據(jù)圖2所示的制造工序制造。例如，在未層疊Na浸漬層3的層構(gòu)造的情況中，將圖2(c)所示的Na浸漬層附著工序省略。
圖3表示用于制造本發(fā)明的光吸收層的前體的成膜裝置。
圖3中，與圖2(d)所示的前體的成膜工序相對應(yīng)，是經(jīng)由閘門閥35、36、37將儲藏室31、第一濺射成膜室32、第二濺射成膜室33、取出室34分別連通的直列式濺射裝置38的概略圖。在濺射裝置38的各室31、32、33、34上分別連接著未圖示的真空排氣機構(gòu)。
在儲藏室31的內(nèi)部搭載可收納以批為單位的多個基板1a的基板支承臺(未圖示)。收納在儲藏室1a內(nèi)的基板1a已進行了Mo電極層的成膜。在以批為單位的基板1a中，成膜的基板1a在保持于基板搬運盤等基板支架(未圖示)上的狀態(tài)下被一個個地經(jīng)由閘門閥35搬運到第一成膜室32。
在第一成膜室32中，將兩側(cè)的閘門閥35、36設(shè)為開閥狀態(tài)，使用Ar氣體等在規(guī)定的壓力條件下，通過采用In靶的濺射成膜法在基板1b上的Mo電極層表面進行金屬In層的成膜。同樣，在下一個第二成膜室33中，通過采用Cu-Ga合金靶的濺射成膜法在基板1b上的In層表面進行Cu-Ga層的成膜，這樣前體的成膜工序結(jié)束。成膜后的基板1c經(jīng)由閘門閥37被搬運到取出室34。在取出室34內(nèi)搭載有與儲藏室31的構(gòu)造相同的基板支承臺，將相當于以批為單位的量的多個基板1c收納在支承臺上。
圖4是用于進行本發(fā)明的前體硒化的熱處理室40的概略圖，與圖2(e)所示的光吸收層用前體的硒化工序?qū)?yīng)。熱處理室40被配置于其兩側(cè)的加熱器41加熱。另一方面，在使用搬運機器人將以批為單位的基板1c收納到石英舟(框體)42內(nèi)后，將多個基板1c以縱置的狀態(tài)從熱處理室30的下方插入到底面上收納的石英舟42，之后將石英舟42設(shè)置到熱處理室40內(nèi)部。另外，設(shè)有用于將舟42上的基板1c保持在直立狀態(tài)的石英制感受器43。在附設(shè)有該感受器43的石英舟42上，經(jīng)由連接部連接與外部驅(qū)動機構(gòu)連接的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動軸44，通過驅(qū)動旋轉(zhuǎn)軸44，可將基板1c在縱置狀態(tài)下保持同時使舟42旋轉(zhuǎn)。
進而，搭載了基板1c的石英舟42被石英制加工用管46包圍。被加工用管46包圍的密閉空間通過未圖示的真空排氣機構(gòu)可以改變壓力條件，且向該密閉空間內(nèi)部貫通有導入硒化氫氣體的氣體導入管47。在氣體導入管47的周壁穿設(shè)多個噴嘴孔48，硒化氫氣體從噴嘴孔48流入加工用管46內(nèi)。另外，噴嘴孔48的直徑為1～2mm的范圍，使得在加工用管46內(nèi)硒化氫氣體能夠均勻地流通。
實施例下面，與圖4一起參照圖5及圖6具體說明本發(fā)明的表面太陽能電池用光吸收層的制造方法。
實施例1在制作光吸收層4(參照圖1)時，使用直列式濺射成膜裝置38(參照圖3)，將層疊了In金屬層及Cu-Ga合金層的規(guī)定片數(shù)的玻璃基板1c收納到圖4所示的熱處理室40內(nèi)。然后，根據(jù)圖5所示的溫度曲線進行硒化處理。
即，通過加熱器41將加工用管46的內(nèi)部溫度升溫到室溫～250℃，更優(yōu)選30～150℃的溫度范圍。在該范圍內(nèi)保持在規(guī)定的溫度的狀態(tài)下，通過真空排氣機構(gòu)的動作將加工用管46內(nèi)保持在50～95kPa的減壓狀態(tài)，同時在整個t1的時間從氣體導入管47的噴嘴孔48導入規(guī)定流量的硒化氫(H2Se)氣體。該第一硒化工序是為了熱處理室40內(nèi)的H2Se氛圍氣的穩(wěn)定化、及升溫到高于室溫的溫度時的熱處理室40的預(yù)熱而設(shè)置。時間t1優(yōu)選例如10分鐘左右。
另外，在第一硒化工序中，由于使旋轉(zhuǎn)驅(qū)動軸44以1～2rpm等速旋轉(zhuǎn)，由此，在同時旋轉(zhuǎn)的基板1c的周圍環(huán)境即預(yù)熱溫度條件下的H2Se氛圍氣更穩(wěn)定?；?c的旋轉(zhuǎn)不限于第一硒化工序，在后述的第二、第三硒化工序及冷卻工序中進行，對基板1c的退火處理更有效。
其次，在第一硒化工序結(jié)束后，通過加熱器41將加工用管46的內(nèi)部溫度A升溫到250～450℃，更優(yōu)選升溫到300～450℃。在將內(nèi)部溫度A在上述范圍內(nèi)保持在規(guī)定溫度的狀態(tài)下，將加工用管46內(nèi)保持在50～95kPa的減壓狀態(tài)，同時從噴嘴孔48導入例如10～120分鐘的H2Se氣體。該第二硒化工序為了在由基板1c上形成的In層和Cu-Ga層的層疊構(gòu)造構(gòu)成的光吸收層用前體內(nèi)使In、Cu及Ga各成分擴散，同時獲取Se成分而設(shè)置。
在第二硒化工序的中途，將H2Se氣體的供給停止，將加工用管46內(nèi)保持高真空狀態(tài)的真空工序持續(xù)時間t2(＝1min)左右，暫時排出H2Se氣體。然后，在整個時間t3再次從噴嘴孔48流入規(guī)定量的新鮮H2Se氣體。在時間t3之前的時間t2的真空工序中，由于將加工用管46內(nèi)形成為高真空狀態(tài)，從而第二硒化工序中獲取的Se成分的H2Se氣體的活性提高。還有，由于也可以不考慮第一硒化工序帶來的殘留氣體的影響，因此，通過導入規(guī)定量的H2Se氣體，從而能夠準確地控制第二硒化工序中的Se成分的獲取。另外，在第二硒化工序中，在導入的H2Se氣體量較大時，為準確地進行其流量控制，也可以采用多次分開導入的方法。在該情況下，每次分開導入時，在其之前需要設(shè)加工用管46內(nèi)為上述的高真空狀態(tài)。其結(jié)果是，能夠更加準確地進行H2Se氣體的流量控制。
在本實施例中，設(shè)真空處理時間t2為1min，由于在高溫下保持真空狀態(tài)，從而In等成分從處理中的前體蒸發(fā)，因此，也可以使用高性能的真空裝置縮短時間t2。
其次，在第二硒化工序結(jié)束后，不將加工用管46內(nèi)殘留的H2Se氣體排出，而將加工用管46內(nèi)保持50～95kPa的減壓狀態(tài)，同時通過加熱器41將加工用管46的內(nèi)部溫度升溫到450～650℃，更優(yōu)選升溫到500～650℃。然后，將內(nèi)部溫度B在上述范圍內(nèi)保持規(guī)定的溫度10～120分鐘時間。該第三硒化工序是為了通過進行至此的In、Cu及Ga各成分的擴散和Se成分的獲取使進行均勻化的光吸收層用前體再結(jié)晶化，從而穩(wěn)定地得到內(nèi)部膜構(gòu)造的再構(gòu)成而設(shè)置的。
然后，逐漸降低加工用管46內(nèi)的溫度，在冷卻到室溫后，將形成了光吸收層的基板1c取出。其間，殘留H2Se氣體作用在冷卻中的基板1c上，在其表面產(chǎn)生不需要的Se析出。為防止該析出，也可以在冷卻工序中的時間t4將加工用管46內(nèi)真空排氣，構(gòu)成高真空狀態(tài)。另外，優(yōu)選由旋轉(zhuǎn)驅(qū)動軸44的勻速旋轉(zhuǎn)得到的石英舟42的旋轉(zhuǎn)在取出基板1c之前進行。
實施例2與實施例1相同，將層疊了In金屬層及Cu-Ga合金層的玻璃基板1c收納到熱處理室40內(nèi)。然后，根據(jù)圖6所示的溫度曲線，進行硒化處理。在本實施例中，與圖5所示的溫度曲線不同之處是，第一硒化工序之后再供給較小流量的H2Se氣體，并在升溫到250℃～450℃后的第二硒化工序中不間斷地連續(xù)進行該小流量的H2Se氣體的供給。這樣，包括第一硒化工序之后的升溫時間的第二硒化工序作為時間t5表示于圖6。
在將Se獲取的時間延長了的第二硒化工序中，連續(xù)供給的H2Se氣體在每單位時間的流量設(shè)為比實施例1的第二硒化工序少的流量。在該第二硒化工序中，通過將含有Se成分的基板1c周圍的環(huán)境保持穩(wěn)定，從而Se成分向光吸收層的獲取較容易，且Se成分的獲取效率提高。在此，CIGS的生成依賴于第二硒化工序中H2Se氣體的總供給量及其分壓。因此，特別需要使H2Se氣體的總供給量與規(guī)定的設(shè)定量相同。
再有，在實施例2中，也與實施例1相同，也可以在冷卻工序中在時間t4加設(shè)真空工序，還最好使由旋轉(zhuǎn)驅(qū)動軸44的勻速旋轉(zhuǎn)得到的石英舟42的旋轉(zhuǎn)在取出基板1c之前進行。
工業(yè)上的可利用性本發(fā)明適用于由黃銅礦類化合物(CIGS)構(gòu)成的薄膜太陽能電池用光吸收層的制造，通過將以CIGS為光吸收層的薄膜太陽能電池的單電池串聯(lián)連接，可作為光電轉(zhuǎn)換效率高的太陽能電池加以利用。
權(quán)利要求
1.一種黃銅礦型薄膜太陽能電池用光吸收層的制造方法，其特征在于，包括在背面電極層上利用濺射法層疊與該電極層鄰接的In金屬層和Cu-Ga合金層的前體形成工序；在將形成有該前體的基板收納于氣密空間的狀態(tài)下，向室溫～250℃的溫度范圍的該空間內(nèi)導入硒化氫氣體的第一硒化工序；向升溫到250℃～450℃的溫度范圍的上述空間內(nèi)追加導入硒化氫氣體的第二硒化工序；在上述空間內(nèi)殘留直至該第二硒化工序的導入硒化氫氣體的狀態(tài)下，將上述空間內(nèi)升溫到450℃～650℃的溫度范圍，在該溫度范圍條件下進行上述基板的熱處理的第三硒化工序；將該熱處理后的基板冷卻的冷卻工序。
2.如權(quán)利要求1所述的黃銅礦型薄膜太陽能電池用光吸收層的制造方法，其特征在于，在上述第二硒化工序中，加設(shè)遮斷硒化氫氣體的供給而進行上述氣密空間內(nèi)的真空排氣的真空工序。
3.如權(quán)利要求1所述的黃銅礦型薄膜太陽能電池用光吸收層的制造方法，其特征在于，從所述第一硒化工序剛完之后到整個第二二硒化工序中，連續(xù)地供給硒化氫氣體。
4.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的黃銅礦型薄膜太陽能電池用光吸收層的制造方法，其特征在于，在可旋轉(zhuǎn)地設(shè)于上述氣密空間內(nèi)的框體內(nèi)以大致直立的縱置狀態(tài)收納上述基板，在上述第一、第二、第三硒化工序及上述冷卻工序中的至少一個工序中使上述框體旋轉(zhuǎn)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種黃銅礦型薄膜太陽能電池用光吸收層的制造方法，具備黃銅礦類化合物(Cu(In＋Ga)Se
文檔編號H01L21/363GK1943043SQ200580011949
公開日2007年4月4日 申請日期2005年4月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月9日
發(fā)明者久米智之, 小丸貴史 申請人:本田技研工業(yè)株式會社