專利名稱：粘著片、半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及粘著片、半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，隨著半導(dǎo)體封裝件的小型化，與半導(dǎo)體芯片同等尺寸的CSP(Chip Size Package，芯片寸尺封裝件)、及疊層有多層半導(dǎo)體芯片的疊層CSP，正在普及(參照例如，日本專利特開2001-279197號公報(bào)、特開2002-222913號公報(bào)、特開2002-359346號公報(bào)、特開2001-308262號公報(bào)、特開2004-72009號公報(bào))。作為這些公報(bào)中的例，有如圖1所示的，在具有由配線4引起的凹凸的襯底3上疊層有半導(dǎo)體芯片A1的封裝件、或如圖2所示的，使用相同尺寸的半導(dǎo)體芯片A1兩片以上的封裝件，在具有由金屬絲2等引起的凹凸的半導(dǎo)體芯片上，再疊層其他的半導(dǎo)體芯片的封裝件等。如上述的封裝件，需要使用能夠填平這些凹凸，且能夠確保與上部的半導(dǎo)體芯片的絕緣性的粘著片。圖1及圖2中，b1為粘接劑。
要填充配線、金屬絲等的凹凸，通常采用增加粘著片厚度使其大于凹凸的高度的方式，需要降低粘著片的熔融粘度，以改善其填充性。但，另一方面，厚度且熔融粘度低的粘著片，由于晶片及粘著片的切割，會有半導(dǎo)體芯片端部的破損變大、及絲狀屑(樹脂飛邊)變大的問題。
即，通常的切割工序，采用將晶片、粘著片及切割帶在0℃～80℃溫度下貼合后，使用旋轉(zhuǎn)刀具同時(shí)切斷，經(jīng)清洗后得到附有粘接劑的半導(dǎo)體芯片的工序。有粘著片或晶片的切斷碎屑附著在該切斷后形成的切割帶的槽，該些碎屑在切斷后的清洗工序或半導(dǎo)體芯片拾取時(shí)，從切割帶剝離，變成絲狀的碎屑(樹脂飛邊)，附著在半導(dǎo)體芯片，有時(shí)污染電極等。
由以上各方面可知，現(xiàn)正期望有一種粘著片，不僅切割性優(yōu)越，且針對由配線或金屬絲等引起的凹凸的填充性優(yōu)越，更能夠滿足耐熱性或耐濕性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種粘著片，可填充襯底的配線、或在半導(dǎo)體芯片附設(shè)的金屬絲等形成的凹凸，在切割時(shí)不發(fā)生樹脂飛邊，且能滿足耐熱性或耐濕性。
本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)使用特定的樹脂組成的粘著片，能夠防止在切割時(shí)發(fā)生樹脂飛邊，而且能用以填充襯底的配線、或半導(dǎo)體芯片的金屬絲等形成的凹凸(可在粘著片中埋入凸部，或用粘著片填充凹部)，從而完成了本發(fā)明。
即，本發(fā)明涉及一種粘著片，其特征在于，其包含樹脂100重量份，其包含含有交聯(lián)性官能團(tuán)的重均分子量為10萬以上，且Tg為-50～50℃的高分子量成分15～40重量％、及以環(huán)氧樹脂為主成分的熱固化性成分60～85重量％；及填料40～180重量份，該粘著片的厚度為10～250μm。
另外，本發(fā)明涉及上述粘著片，固化前在25℃時(shí)，由動態(tài)粘彈性測定所得的儲存彈性率為200～3000MPa，80℃時(shí)由動態(tài)粘彈性測定所得的儲存彈性率為0.1～10MPa。
另外，本發(fā)明涉及上述粘著片，固化后在170℃時(shí)，由動態(tài)粘彈性測定所得的儲存彈性率為20～600MPa。
另外，本發(fā)明涉及上述粘著片，在固化前的100℃時(shí)的熔融粘度為1000～7500Pa·s。
另外，本發(fā)明涉及上述粘著片，含有樹脂100重量份及填料60～120重量份。
另外，本發(fā)明涉及上述粘著片，填料的莫氏硬度為3～8。
另外，本發(fā)明涉及上述粘著片，填料的平均粒徑為0.05～5μm，表面系數(shù)為2～200m2/g。
另外，本發(fā)明涉及上述粘著片，其在以下所述的工序中使用在將晶片、粘著片及切割帶在0℃～80℃貼合，再用旋轉(zhuǎn)刀具同時(shí)切斷晶片、粘著片及切割帶，得到附有粘接劑的半導(dǎo)體芯片后，將該附有粘接劑的半導(dǎo)體芯片以0.001～1MPa的載荷粘接在有凹凸的襯底或半導(dǎo)體芯片，用粘接劑填充凹凸的工序。
另外，本發(fā)明涉及多層粘著片，其具有第一粘接劑層及第二粘接劑層直接或間接地疊層的構(gòu)造而成，其中，至少第二粘接劑層由上述粘著片構(gòu)成，且該第一粘接劑層的流動量Aμm、厚度aμm、和第二粘接劑層的流動量Bμm、厚度bμm，具有A×3＜B且a×2＜b的關(guān)系。
另外，本發(fā)明涉及多層粘著片，其具有第一粘接劑層及第二粘接劑層直接或間接地疊層的構(gòu)造而成，其中，至少第二粘接劑層由上述粘著片構(gòu)成，且第一粘接劑層的熔融粘度αPa·s、厚度aμm、和第二粘接劑層的熔融粘度βPa·s、厚度bμm，具有α＞β×3且a×2＜b的關(guān)系。
另外，本發(fā)明涉及上述的多層粘著片，在貼合晶片、粘著片及切割帶時(shí)，與晶片相接的一側(cè)為第一粘接劑層，與切割帶相接的一側(cè)為第二粘接劑層。
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括以下所述的工序?qū)⒕?、上述粘著片、及切割帶?℃～80℃貼合，用旋轉(zhuǎn)刀具同時(shí)切斷晶片、粘著片及切割帶，得到附有粘接劑的半導(dǎo)體芯片后，將該附有粘接劑的半導(dǎo)體芯片，用0.001～1MPa的載荷，粘接在有凹凸的襯底或半導(dǎo)體芯片，用粘接劑填充凹凸的工序。
另外，本發(fā)明涉及該半導(dǎo)體裝置的制造方法，在將附有粘接劑的半導(dǎo)體芯片粘接在有凹凸的襯底或半導(dǎo)體芯片上之際，加熱凹凸。
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置，使用上述粘著片，粘接半導(dǎo)體芯片與襯底，或粘接半導(dǎo)體芯片與半導(dǎo)體芯片而成。
本專利申請所公開的內(nèi)容，與2004年4月20日提出申請的日本專利特愿2004-124118號，及2004年12月3日提出申請的日本專利特愿2004-351605號所記載的主題有關(guān)聯(lián)，其公開的內(nèi)容，引用于此。


圖1是表示CSP的一個(gè)實(shí)施方式的剖面圖。
圖2是表示疊層CSP的一個(gè)實(shí)施方式的剖面圖。
圖3是表示本發(fā)明的粘著片、半導(dǎo)體晶片、及切割帶的一個(gè)實(shí)施方式的剖面圖。
圖4是表示本發(fā)明的多層粘著片、半導(dǎo)體晶片、及切割帶的一個(gè)實(shí)施方式的剖面圖。
圖5是表示使用了本發(fā)明的粘著片的附有粘接劑的半導(dǎo)體芯片，與金屬絲接合的芯片粘接時(shí)的工序的一個(gè)實(shí)施方式的示意圖。
圖6是表示本發(fā)明的附有基材膜的粘著片的一個(gè)實(shí)施方式的剖面圖。
圖7是表示本發(fā)明的附有基材膜的多層粘著片的一個(gè)實(shí)施方式的剖面圖。
圖8是表示本發(fā)明的附有粘接劑的半導(dǎo)體芯片的一個(gè)實(shí)施方式的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明粘著片的特征為，其包含含有交聯(lián)性官能團(tuán)的重均分子量為10萬以上，且Tg在-50℃～50℃的高分子量成分15～40重量％、及以環(huán)氧樹脂為主成分的熱固化性成分60～85重量％的樹脂100重量份；填料40～180重量份，其厚度為10～250μm。
本發(fā)明的粘著片，只要是包含含有交聯(lián)性官能團(tuán)的重均分子量為10萬以上，且Tg在-50℃～50℃的高分子量成分15～40重量％、及以環(huán)氧樹脂為主成分的熱固化性成分60～85重量％的樹脂100重量份、和填料40～180重量份的粘著片，其構(gòu)成成分無特別限制，但出于需有適當(dāng)?shù)恼吵韽?qiáng)度、片狀且處理性良好的方面，除有高分子量成分、熱固化性成分、及填料之外，還含有固化促進(jìn)劑、催化劑、添加劑、偶聯(lián)劑等也可。
作為高分子量成分，可枚舉具有環(huán)氧基、醇性或酚性羥基、羧基等的交聯(lián)性官能團(tuán)的聚酰亞氨樹脂、(甲基)丙烯酸樹脂、聚氨酯樹脂、聚苯醚樹脂、聚醚酰亞胺樹脂、苯氧基樹脂、改性聚苯醚樹脂等，但不限定于這些物質(zhì)。
上述的粘著片，高分子量成分的含量有樹脂的15～40重量％時(shí)有良好的填充性，高分子量成分的含量進(jìn)而優(yōu)選20～37重量％，更優(yōu)選25～35重量％。
本發(fā)明的高分子量成分，是指Tg(玻璃化溫度)-50℃～50℃的具有交聯(lián)性官能團(tuán)、重均分子量為10萬以上的高分子量成分。
高分子量成分優(yōu)選例如含有縮水甘油基丙烯酸酯、或縮水甘油基甲基丙烯酸酯等的官能度單體聚合所得的重均分子量10萬以上的環(huán)氧基含有(甲基)丙烯酸共聚物等。作為環(huán)氧基含有(甲基)丙烯酸共聚物，可使用例如(甲基)丙烯酸酯共聚物、丙烯酸橡膠等，優(yōu)選丙烯酸橡膠。
丙烯酸橡膠是以丙烯酸酯為主成分，主要為以丁基丙烯酸酯與丙烯腈等的共聚物、或乙基甲基丙烯酸酯與丙烯腈等的共聚物等構(gòu)成的橡膠。
在高分子量成分的Tg超過50℃時(shí)，有時(shí)片材的柔軟性減低，Tg未達(dá)-50℃則片材的柔軟性太高，在晶片切割時(shí)片材不易被切斷，容易產(chǎn)生碎片。
另外，高分子量成分的重均分子量，優(yōu)選在10萬以上、100萬以下，分子量小于10萬時(shí)片材的耐熱性可能會降低。分子量超過100萬時(shí)片材的流動性有降低的場合。另外，重均分子量是用凝膠滲透色譜法(GPC)使用標(biāo)準(zhǔn)聚苯乙烯的校正曲線的聚苯乙烯換算值。
由于晶片切割時(shí)粘著片容易被切斷、不易產(chǎn)生樹脂碎屑、以及耐熱性高的方面，優(yōu)選Tg在-20℃～40℃且重均分子量為10萬～90萬的高分子量成分，優(yōu)選Tg在-10℃～40℃且分子量為20萬～85萬的高分子量成分。
本發(fā)明使用的熱固化成分，優(yōu)選具有在半導(dǎo)體芯片實(shí)際安裝時(shí)要求的耐熱性及耐濕性的環(huán)氧樹脂。另外，本發(fā)明中所稱的“以環(huán)氧樹脂為主成分的熱固化性成分”中也含有環(huán)氧樹脂固化劑。該環(huán)氧樹脂只要是固化后發(fā)揮粘接作用者即可，不特別限定。例如，可以使用雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂、雙酚S型環(huán)氧樹脂等雙官能環(huán)氧樹脂、及酚醛型環(huán)氧樹脂、或甲酚酚醛型環(huán)氧樹脂等酚醛型環(huán)氧樹脂等。另外，可以適用通常所知的樹脂如多官能環(huán)氧樹脂、縮水甘油基胺型環(huán)氧樹脂、含雜環(huán)環(huán)氧樹脂、或脂環(huán)族環(huán)氧樹脂等。
特別是由于在B階段狀態(tài)的薄膜的撓曲性高的方面，環(huán)氧樹脂的分子量優(yōu)選在1000以下，更優(yōu)選在500以下。另外，優(yōu)選同時(shí)使用撓曲性優(yōu)越的分子量500以下的雙酚A型或雙酚F型環(huán)氧樹脂50～90重量份、及固化物的耐熱性優(yōu)越的分子量800～3000的多官能環(huán)氧樹脂10～50重量％。
作為環(huán)氧樹脂固化劑，可使用通常所用的公知固化劑，例如在一個(gè)分子中含有兩個(gè)以上的像胺類、聚酰胺、酸酐、多硫化物、三氟化硼、雙酚A、雙酚F、雙酚S等的雙酚類、苯酚酚醛清漆樹脂(phenol novolac resin)、雙酚A型酚醛清漆樹脂、或甲酚酚醛清漆樹脂(cresol novolac resin)等酚醛樹脂等。
本發(fā)明的粘著片，為了在B階段狀態(tài)的粘著片的切割性、粘著片的處理性、熱傳導(dǎo)性的提高、調(diào)整熔融粘度、賦與觸變性(thixotropic)等目的，優(yōu)選配合無機(jī)填料。
作為無機(jī)填料，可以枚舉例如，氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、硅酸鈣、硅酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁須晶、氮化硼、結(jié)晶二氧化硅、非晶二氧化硅、銻氧化物等。為提高其熱傳導(dǎo)性，優(yōu)選氧化鋁、氮化鋁、氮化硼、結(jié)晶二氧化硅、非晶二氧化硅等。出于調(diào)整熔融粘度或賦與觸變性為目的，優(yōu)選氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、硅酸鈣、硅酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、結(jié)晶二氧化硅、非晶二氧化硅等。另外，為提高切割性，優(yōu)選氧化鋁、二氧化硅。
出于提高切割性，粘著片的固化后儲存彈性率在170℃下為50～600MPa，金屬絲接合性良好的方面，優(yōu)選相對于樹脂100重量份，含有40～180重量份的本發(fā)明的上述填料的用量。填料量相對于樹脂100重量份，更優(yōu)選60～160重量份，進(jìn)而優(yōu)選60～120重量份。
若填料的用量變多，則粘著片的儲存彈性率過渡升高，使粘著性降低，殘留空隙，容易引起電特性降低的問題，故優(yōu)選填料用量在180重量份以下。填料的配合量少時(shí)，則有在切割時(shí)容易產(chǎn)生樹脂飛邊的傾向。
本發(fā)明的發(fā)明人，發(fā)現(xiàn)通過填料的添加可大幅減少在下述的切割工序中產(chǎn)生的樹脂飛邊。即切割工序，通常用旋轉(zhuǎn)刀具同時(shí)切斷晶片、粘著片、切割帶，清洗后制得附有粘著片的半導(dǎo)體芯片。在該切斷后形成的切割帶的槽中，附著粘著片或晶片切斷的碎屑，這些碎屑在切斷時(shí)或切斷后等的清洗或芯片拾取時(shí)，由切割帶剝離成絲狀，從而，存在產(chǎn)生樹脂飛邊的情況。
使用本發(fā)明的粘著片的場合，特別是使用硅、氧化鋁填料，相對于樹脂100重量份，含有40～180重量份，切割時(shí)產(chǎn)生的樹脂或硅的切斷屑，形成以填料為中心的細(xì)粉體狀，容易與清洗水一起除去。因此，使用本發(fā)明的粘著片時(shí)，在切割帶上滯留的切斷屑的量很少。又因該少量的切斷屑密著在切割帶上，很難從切割帶剝離成絲狀。
對此，在不含有填料的場合，切屑為粘土狀，因不能與清洗水一起除去，故在切割帶上附著大量的切斷屑。該些切斷屑，在清洗時(shí)或半導(dǎo)體芯片拾取時(shí)很容易從切割帶剝離，故產(chǎn)生大量的樹脂飛邊。
再者，因本發(fā)明的粘著片含有填料，在切斷粘著片時(shí)旋轉(zhuǎn)刀具上不殘留樹脂，研磨旋轉(zhuǎn)刀具的同時(shí)，在短時(shí)間內(nèi)良好地切削粘著片。因此，從旋轉(zhuǎn)刀具的研磨效果及粘著片的切斷性兩方面，優(yōu)選粘著片含有硬填料，更優(yōu)選含有硬度在莫氏硬度(10級別)3～8的范圍的填料，進(jìn)而優(yōu)選含有莫氏硬度6～7的填料。若填料的莫氏硬度(10級別)小于3，則旋轉(zhuǎn)刀具的研磨效果小，若莫氏硬度超過8，則有旋轉(zhuǎn)刀具壽命減短的傾向。莫氏硬度3～8的填料，有方解石、大理石、金(18K)、鐵等(莫氏硬度3)及氟石、珍珠(莫氏硬度4)、磷灰石、玻璃等(莫氏硬度5)、正長石、蛋白石等(莫氏硬度6)、硅石、水晶、電石等(莫氏硬度7)。其中優(yōu)選價(jià)格低廉且容易入手的硅石。
若填料的平均粒徑小于0.05μm，則使填料保持旋轉(zhuǎn)刀具的研磨效果，使粘著片具有流動性，有困難的傾向。另外，若平均粒徑大于5μm，則有粘著片的薄膜化困難，保持粘著片表面的平滑性困難的傾向。因此，為保持粘著片的流動性及表面的平滑性，填料的平均粒徑優(yōu)選0.05～5μm，從流動性優(yōu)越的方面，更優(yōu)選平均粒徑的下限為0.1μm，特別優(yōu)選是0.3μm。另外，由平滑性的方面，更優(yōu)選平均粒徑的上限為3μm，特別優(yōu)選1μm。
本發(fā)明使用雷射繞射式粒度分布測定裝置(日機(jī)裝制マイクロトラツク)測定填料的平均粒徑。具體來說，量取填料0.1～1.0克，用超聲波分散后，測定其粒度分布，以該分布的累積重量為50％的粒徑為平均粒徑。
填料的表面系數(shù)也與填料的平均粒徑相同，由流動性及表面平滑的方面，優(yōu)選表面系數(shù)2～200m2/g。再由流動性的方面，更優(yōu)選表面系數(shù)的上限為50m2/g，特別優(yōu)選10m2/g。
另外，本發(fā)明的表面系數(shù)(BET表面系數(shù))是通過布龍瑙爾-埃梅特-特勒(Brunauer-Emmett-Teller)式，在無機(jī)填料中吸附氮?dú)舛鴾y定其表面積的值，可使用市售的BET裝置測定。
本發(fā)明的粘著片是通過將上述高分子量成分、環(huán)氧樹脂為主成分的熱固化成分、填料、及其他成分在有機(jī)溶劑中混合、攪拌調(diào)制成清漆后，在基材膜上形成上述清漆的層，再加熱干燥后除去基材，制成粘著片。上述的混合、攪拌操作，可利用通常的攪拌機(jī)、搗碎機(jī)、三輥機(jī)、球研磨機(jī)等分散機(jī)等適宜組合進(jìn)行。上述的加熱干燥的條件，無特別限定，只要能夠讓使用的溶劑充分揮發(fā)即可，但通常在60℃～200℃進(jìn)行加熱0.1～90分鐘。
上述粘著片制造的清漆的調(diào)制所用的有機(jī)溶劑、及粘著片調(diào)制后的殘存揮發(fā)部分，只要能將材料均勻溶解，可攪拌或分散即可，無特別限定，可使用先前公知的溶劑。如此的溶劑有例如二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酮、丁酮、環(huán)己酮等酮系溶劑、及甲苯、二甲苯等。從干燥速度快、價(jià)格低廉的方面，優(yōu)選丁酮、環(huán)己酮等。
有機(jī)溶劑的使用量，只要粘著片調(diào)制后的殘存揮發(fā)部分在總重量基準(zhǔn)的0.01～3重量％即可，無特別限定，但從耐熱可靠性的觀點(diǎn)，優(yōu)選在總重量基準(zhǔn)的0.01～2重量％，進(jìn)而優(yōu)選在總重量基準(zhǔn)的0.01～1.5重量％。
粘著片的膜厚，為了要填充襯底的配線電路、或設(shè)在下層的半導(dǎo)體芯片的金屬絲等的凹凸，設(shè)定在10～250μm。若比10μm更薄，則有應(yīng)力緩和效果或粘著性變差的傾向，若膜厚度大于250μm則不僅不經(jīng)濟(jì)，而且不能適應(yīng)半導(dǎo)體裝置的小型化要求。又從粘著性高且能使半導(dǎo)體裝置小型化的方面，優(yōu)選20～100μm，更優(yōu)選40～80μm。
本發(fā)明的粘著片，在固化前(B階段狀態(tài))25℃的動態(tài)粘彈性測定所得的儲存彈性率為200～3000MPa的場合，因切割性優(yōu)越的方面，因此，優(yōu)選。從切割性優(yōu)越且與晶片的密接性優(yōu)越的方面，優(yōu)選儲存彈性率為500～2000MPa。另外，若粘著片固化前(B階段狀態(tài))80℃的動態(tài)粘彈性測定所得的儲存彈性率為0.1～10MPa，在80℃時(shí)可能在晶片上形成疊層。在對晶片的密接性高的方面，特別優(yōu)選儲存彈性率為0.5～5MPa。
本發(fā)明粘著片，固化后(C階段狀態(tài))在170℃的動態(tài)粘彈性測定所得的儲存彈性率，為得到良好的金屬絲接合性，優(yōu)選20～600MPa。該儲存彈性率更優(yōu)選40～600MPa，進(jìn)而優(yōu)選40～400MPa。
彈性率，可使用動態(tài)粘彈性測定裝置(レオロジ一社制，DVE-V4)測定(樣品尺寸長度20mm、寬度4mm，溫度范圍-30～200℃、升溫速度5℃/min、牽引模式、10Hz、自動靜載荷)。
本發(fā)明的粘著片，使用具有多層構(gòu)造的多層粘著片也可。例如，使用將上述的粘著片二片以上疊層而成的、或?qū)⒈景l(fā)明的粘著片與其他粘著片多個(gè)疊層的皆可。
例如可用含有第一粘接劑層與第二粘接劑層直接或間接疊層的構(gòu)造而成的多層粘著片，至少該第二粘接劑層是由本發(fā)明的粘著片形成，且可以作為該第一粘接劑層的流動量A、厚度aμm、和第二粘接劑層的流動量B、厚度bμm具有A×3＜B且a×2＜b的關(guān)系的多層粘著片使用。多層粘著片在晶片、粘著片、及切割帶貼合之際，優(yōu)選與晶片相接的一側(cè)為第一粘接劑層，與切割帶相接的一側(cè)為第二粘接劑層。
通過做成上述的兩層片材，根據(jù)A或B的絕對值，在粘接時(shí)選擇適當(dāng)?shù)膲毫?、溫度、時(shí)間(其中特別是壓力)，由此可使第二層填埋凹凸，第一層不被凹凸撕破地粘接?？傊?，能確保配線或金屬絲的填充性、及配線或金屬絲與上部半導(dǎo)體芯片的絕緣性。A×3≥B的場合，第一粘接劑層阻礙配線或金屬絲竄入的效果低，存在與形成凹凸的襯底上的電路或位于金屬絲的上部的半導(dǎo)體芯片接觸，不能確保絕緣的傾向。另外，a×2≥b的場合，對凹凸或金屬絲的填充性降低，有易發(fā)生空隙的傾向。
本發(fā)明中的流動量，可以通過將固化前的粘著片與PET薄膜沖裁成1×2cm的條狀的樣品，再用熱壓接試驗(yàn)裝置(日本テスタ一產(chǎn)業(yè)株式會社制)，以熱板溫度100℃、壓力1MPa，施壓18秒鐘后，用光學(xué)顯微鏡測定由樣品的端部突出的樹脂的長度而得到。
另外，例如可用由第一粘接劑層與第二粘接劑層形成直接或間接地疊層構(gòu)造的多層粘著片，至少第二粘接劑層由本發(fā)明粘著片形成，且可以作為第一粘接劑層的熔融粘度αPa·s、厚度aμm、及第二粘接劑層的熔融粘度βPa·s，厚度bμm具有α＞β×3且a×2＜b的關(guān)系的多層粘著片使用。多層粘著片在晶片、粘著片、及切割帶貼合之際，優(yōu)選與晶片粘接相接的一側(cè)為第一粘接劑層，與切割帶相接的一側(cè)為第二粘接劑層。
通過做成上述的兩層片材，根據(jù)α或β的絕對值，在粘接時(shí)選擇適當(dāng)?shù)膲毫?、溫度、時(shí)間(其中特別是壓力)，由此可使第二層填埋凹凸，第一層不被凹凸撕破地粘接?？傊?，能確保配線或金屬絲的填充性、及配線或金屬絲與上部半導(dǎo)體芯片的絕緣性。α≤β×3的場合，第一粘接劑層阻礙配線或金屬絲竄入的效果降低，存在與形成凹凸的襯底上的電路或位于金屬絲的上部的半導(dǎo)體芯片接觸，不能確保絕緣的傾向。另外，a×2≥b的場合，凹凸或金屬絲的填充性降低，有容易發(fā)生空隙的傾向。
本發(fā)明的熔融粘度，可通過用后述的平行平板塑性測定法，測定固化前的粘著片而算出。
另外，優(yōu)選上述的A、B、α、β、a、b分別在適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)。優(yōu)選A在100～400μm，優(yōu)選B在300～2000μm，過低時(shí)，填充性惡化，過大時(shí)則有樹脂自半導(dǎo)體芯片端部滲出變多的傾向。優(yōu)選α在3000～150萬Pa·s，優(yōu)選β在1000～7500Pa·s，特別優(yōu)選在1000～5000Pa·s，進(jìn)而優(yōu)選在1500～3000Pa·s。過高則填充性惡化，過低則有樹脂自半導(dǎo)體芯片端部滲出太多的傾向。另外，優(yōu)選a在5～30μm，優(yōu)選b為10～250μm。另外，優(yōu)選粘著片以單層使用的場合，粘著片單體的流動、熔融粘度及厚度分別在上述中規(guī)定的B、β及b的范圍內(nèi)。
第一粘接劑層只要能在80℃以下與晶片貼附，無特別限制，可以使用日立化成工業(yè)(株式會社)制的High Touch HS-210、HS-230等。第二粘接劑層，可使用本發(fā)明的粘著片。
優(yōu)選的組合的一例，有如用High Touch HS-230(流動量250μm、厚度10μm、熔融粘度32萬Pa·s)及本發(fā)明的粘著片(流動量1000μm、厚度70μm、熔融粘度2200Pa·s)。此場合，滿足A×3＜B、α＞β×3、a×2＜b的關(guān)系式。
本發(fā)明的粘著片，可以單獨(dú)使用，也可以作為一實(shí)施方式，將本發(fā)明的粘著片疊層在以往公知的切割帶上，形成切割帶一體型粘著片使用。此場合，晶片上的疊層工序可一次完成，從這一點(diǎn)來說，作業(yè)實(shí)現(xiàn)效率化。
本發(fā)明使用的切割帶，可以枚舉例如聚四氟乙烯薄膜、聚對苯二酸乙二醇酯薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚酰亞胺薄膜等的塑料薄膜等。另外，也可以根據(jù)需要進(jìn)行涂底料涂布、UV處理、電暈放電處理、研磨處理、蝕刻處理等表面處理。優(yōu)選切割帶有粘著性，可以對上述的塑料薄膜賦予粘著性，或在上述塑料薄膜的表面設(shè)置粘接劑層也可。這可以通過涂布以下所述的樹脂組成物來形成通過調(diào)節(jié)樹脂組成物的液態(tài)成分的比率、高分子量成分的Tg而得到的具有適度的粘稠強(qiáng)度的樹脂組成物。
另外，在將粘著片使用于半導(dǎo)體裝置制造之際的場合，希望在切割時(shí)有不使半導(dǎo)體芯片飛散的粘著力，在其后的拾取時(shí)又可以從切割帶剝離。例如，粘著片的粘著性過高，則拾取有困難。因此優(yōu)選適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)粘著片的粘稠強(qiáng)度，作為該方法，利用粘著片的室溫下的流動性提高，粘著強(qiáng)度及粘稠強(qiáng)度就有上升的傾向、及流動性降低，粘著強(qiáng)度及粘稠強(qiáng)度就有下降的傾向即可。例如，要提高流動性的場合，有增加可塑劑的含量、增加粘著賦予材料的含量等方法。相反地，要降低流動性的場合，減少上述化合物含量即可。上述的可塑劑有例如單官能的丙烯酸單體、單官能的環(huán)氧樹脂、液態(tài)環(huán)氧樹脂、丙烯酸系樹脂、環(huán)氧系的所有稀釋劑等。
在切割帶上疊層粘著片的方法，除印刷法之外，可枚舉將預(yù)先制成的粘著片在切割帶上加壓、加熱壓光輥疊層的方法等，加熱壓光輥疊層法可連續(xù)地制造，效果好，由于這一點(diǎn)優(yōu)選。
另外，切割帶的膜厚，無特別的限制，根據(jù)粘著片的膜厚或切割帶一體型粘著片的用途，及本領(lǐng)域普通技術(shù)人員的知識而確定，但在經(jīng)濟(jì)性好，膠帶的處理性好的方面，采用60～150μm，優(yōu)選70～130μm。
本發(fā)明的粘著片，優(yōu)選使用于半導(dǎo)體裝置的制造，更優(yōu)選使用于包含如下所述的工序的半導(dǎo)體裝置的制造將晶片、粘著片、及切割帶在0℃～80℃下貼合后，用旋轉(zhuǎn)刀具同時(shí)切斷晶片、粘著片及切割帶，制得附有粘接劑的半導(dǎo)體芯片，將該附有粘接劑的半導(dǎo)體芯片在有凹凸的襯底或半導(dǎo)體芯片上，用0.001～1MPa的載荷粘接，用粘接劑填充凹凸的工序。
本發(fā)明的晶片，除可以使用單晶硅之外，還可以使用多晶硅，各種陶瓷，砷化鎵等化合物的半導(dǎo)體等。
在將粘著片以單層使用的場合，在晶片貼合粘著片后，在粘著片面貼合切割帶即可。另外，在使用多層粘著片的場合，可以依次在晶片上貼合第一粘接劑層及第二粘接劑層，也可以預(yù)先制成包含第一粘接劑層及第二粘接劑層的多層粘著片，再將該多層粘著片貼合到晶片。另外，通過使用本發(fā)明的粘著片或多層粘著片、及具備切割帶的切割帶一體型粘著片，還可以制造半導(dǎo)體裝置。
將粘著片貼附在晶片的溫度，即疊層溫度為0℃～80℃，優(yōu)選15℃～80℃，更優(yōu)選20℃～70℃。若超過80℃，則貼附粘著片后，晶片的彎曲有加大的傾向。
在貼附切割帶或切割帶一體型粘著片之際，也優(yōu)選在上述的溫度下進(jìn)行。
圖3表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的粘著片b、半導(dǎo)體晶片A、及切割帶1的剖面圖。另外，圖4表示本發(fā)明的另一實(shí)施方式的多層粘著片c、半導(dǎo)體晶片A、及切割帶1的剖面圖。圖4中，a表示第一粘接劑層，b’表示第二粘接劑層。
其次，使用切割刀具切割已貼附有粘著片與切割帶的半導(dǎo)體晶片，再經(jīng)清洗、干燥程序，可制得附著有粘接劑的半導(dǎo)體芯片。
另外，其他的實(shí)施方式為如圖6所示，本發(fā)明的粘著片，制成在基材薄膜5的上面設(shè)置有粘著片b的附有基材薄膜的粘著片使用也可。如此則在用粘著片單體處理困難的場合也較方便，例如，將圖6所示的結(jié)構(gòu)的附有粘著片與上述的切割帶貼合后，剝離該基材薄膜5，其后再貼合半導(dǎo)體晶片A，就容易形成如圖3所示的構(gòu)造，另外，可以不剝離該基材膜5的狀態(tài)下作為覆膜使用。
作為上述基材薄膜5，無特別限定，例如聚酯薄膜、聚丙烯薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚酰亞胺薄膜、聚醚酰亞胺薄膜、聚醚萘酯薄膜、甲基戊烯薄膜等。
本發(fā)明的粘著片，作為如圖7所示的該多層粘著片，也可以使用在基材薄膜上依次設(shè)置有第二粘接劑層b’、第一粘接劑層a的附有基材薄膜的粘著片。另外，按第一粘接劑層a、第二粘接劑層b’的順序在基材薄膜上疊層也可。
本發(fā)明的粘著片的另外的實(shí)施方式為如圖6及圖7所示的構(gòu)造，且其粘著片自身也可以發(fā)揮作為切割帶的功能。此種粘著片稱作切割小片接合一體型粘著片等，用一個(gè)膜片發(fā)揮作為切割帶與作為粘著片的功能，因此，如圖8所示，只在切割后拾取就可得到附有粘接劑的半導(dǎo)體芯片。
要使粘著片具有上述的功能，例如使粘著片含有光固化性高分子量成分、光固化性單體、光引發(fā)劑等光固化性成分即可。如上述的一體型片材，在將半導(dǎo)體芯片與襯底或半導(dǎo)體芯片粘接的階段，進(jìn)行光照射，其固化前的25℃的動態(tài)粘彈性測定的儲存彈性率、固化前的80℃的動態(tài)粘彈性測定的儲存彈性率各值，是指在光照射進(jìn)行后，熱固化進(jìn)行前的階段測定的值。
切割小片接合一體型的粘著片，優(yōu)選使用于含有如下所述的工序的半導(dǎo)體裝置的制造晶片、粘著片及基材薄膜在0℃～80℃貼合后，用旋轉(zhuǎn)刀具同時(shí)切斷晶片、粘著片、基材薄膜，分成附有粘接劑的半導(dǎo)體芯片后，用該附有粘接劑的半導(dǎo)體芯片在有凹凸的襯底或半導(dǎo)體芯片，以載荷0.001～1MPa粘接，并用粘接劑填充凹凸的工序。
如圖5所示，上述所得的附有粘接劑的半導(dǎo)體芯片A1，在具有由配線4引起的凹凸的襯底3或具有由金屬絲2引起的凹凸的半導(dǎo)體芯片上，借助粘接劑b1以載荷0.001～1MPa粘接，由粘接劑填充凹凸。優(yōu)選載荷0.01～0.5MPa，更優(yōu)選0.01～0.3MPa。若載荷小于0.001Mpa，則有產(chǎn)生空隙、降低耐熱性的傾向，若超過1Mpa，則可能使半導(dǎo)體芯片破損。
圖5是表示將附有粘接劑的半導(dǎo)體芯片在引線接合的半導(dǎo)體芯片上粘接時(shí)的工序的一例的示意圖。
本發(fā)明，在將附有粘接劑的半導(dǎo)體芯片向襯底或半導(dǎo)體芯片粘接時(shí)，優(yōu)選對襯底的配線、半導(dǎo)體芯片的金屬絲等的凹凸加熱。加熱溫度優(yōu)選60℃～240℃，更優(yōu)選100℃～180℃。若溫度低于60℃，則有粘接性降低的傾向，若超過240℃，則有襯底變形，彎曲變大的傾向。加熱的方法，有使襯底或半導(dǎo)體芯片接觸預(yù)先加熱過的加熱板的方法、向襯底或半導(dǎo)體芯片照射紅外線或微波的方法、吹送熱風(fēng)等方法。
本發(fā)明因使用含有特定的樹脂組成的粘著片，在切割時(shí)，旋轉(zhuǎn)刀具切割晶片或粘著片產(chǎn)生的切割碎屑，在切斷后的清洗時(shí)，或芯片拾取時(shí)，可以不從切割帶剝離成絲狀。另外，使層構(gòu)造多層化，特別是流動性低的層與高的層疊層的粘著片、或熔融粘度高的層與低的層疊層的粘著片，其配線電路及金屬絲的填充性、及上下的半導(dǎo)體芯片間的絕緣性優(yōu)越。
另外，本發(fā)明的粘著片，對配線電路及金屬絲的填充性良好，且在半導(dǎo)體裝置的制造時(shí)，在同時(shí)切斷晶片與粘著片的切割工序的切斷性優(yōu)越，能夠提高切割的速度。因此，根據(jù)本發(fā)明的粘著片可知，可提高半導(dǎo)體裝置的成品率及制造速度。
再者，本發(fā)明的粘著片，在半導(dǎo)體裝置的制造中的半導(dǎo)體芯片與襯底或下層芯片等的支持部件的粘接工序中，可作為粘接可靠性優(yōu)越的粘著片使用。即，本發(fā)明的粘著片，在半導(dǎo)體搭載用支持部件上安裝半導(dǎo)體芯片時(shí)，具有所需的耐熱性、耐濕性、絕緣性，而且作業(yè)性優(yōu)越。
(實(shí)施例)[粘著片的組成與制造方法](實(shí)施例1)環(huán)氧樹脂使用雙酚F型環(huán)氧樹脂(使用環(huán)氧當(dāng)量160、東都化成株式會社制商品名YD-8170C)30重量份、及甲酚酚醛型環(huán)氧樹脂(使用環(huán)氧當(dāng)量210、東都化成株式會社制商品名YDCN-703)10重量份。環(huán)氧樹脂的固化劑使用苯酚酚醛清漆樹脂(使用大日本インキ化學(xué)工業(yè)株式會社制商品名プライオ一フエンLF2882)27重量份。含有環(huán)氧基的丙烯酸系共聚物，使用含有環(huán)氧基的丙烯酸橡膠(使用凝膠滲透色譜法所得重均分子量為80萬、縮水甘油基甲基丙烯酸脂為3重量％、Tg為-7℃、ナガセケムテツクス株式會社制商品名HTR-860P-3DR)28重量份。固化促進(jìn)劑使用咪唑系固化促進(jìn)劑(使用四國化成工業(yè)株式會社制、キユアゾ一ル2PZ-CN)0.1重量份。硅石填料使用(使用アドマフアイン株式會社制、SO-C2、(比重2.2g/cm3、莫氏硬度7、平均粒徑0.5μm、表面系數(shù)6.0m2/g))95重量份。硅烷偶聯(lián)劑使用(日本ユニカ一株式會社制商品名A-189)0.25重量份及(日本ユニカ一株式會社制商品名A-1160)0.5重量份。在上述物質(zhì)構(gòu)成的組成物中再加入環(huán)乙酮混合攪拌，再真空脫氣制成粘接劑清漆。
再將該粘接劑清漆在厚度50μm的經(jīng)過脫模處理的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜上涂布，經(jīng)90℃、10分鐘及120℃、5分鐘的干燥，形成膜厚75μm的涂膜，制作成B階段狀態(tài)的粘著片。此薄膜的流動量為757μm。
將粘著片b在60℃下疊層在需要加工的半導(dǎo)體晶片A(厚度80μm)上，并切斷端部。再用加熱壓光輥層合機(jī)(Hot Roll Laminator，Du Pont制Riston)在25℃疊層切割帶1(圖3)。此時(shí)的切割帶使用古河電工(株式會社)制的(UC 3004M-80)。切割帶厚度為100μm。
(實(shí)施例2)第一粘接劑層使用HS-230(厚度10μm)，第二粘接劑層使用與第一實(shí)施例相同的粘著片在60℃疊層，制作成有第一及第二粘接劑層的多層粘著片。在第一粘接劑層與第二粘接劑層貼合的狀態(tài)下測定流動量的結(jié)果，第一粘接劑層為200μm，第二粘接劑層為758μm。
將該多層粘著片，以使其第一粘接劑層與需要加工的半導(dǎo)體晶片A(厚度80μm)相接的方式在60℃粘接在需要加工的半導(dǎo)體晶片A(厚度80μm)，再切斷端部。其次配制切割帶1，使得在切割帶1上疊層第二粘接劑層b，再用加熱壓光輥層合機(jī)(Du Pont制Riston)在25℃形成疊層(圖4)。此時(shí)切割帶使用古河電工(株式會社)制的(UC 3004M-80)。切割帶的膜厚為100μm。
(實(shí)施例3)本實(shí)施方式制造與實(shí)施例1相同的粘著片，只有膜厚50μm這一點(diǎn)不同。
(比較例1)除不用填料之外，其他用與實(shí)施例相同地制造試料，粘著片的流動量為2000μm。
(實(shí)施例4～8及比較例2、3)制造與第一實(shí)施方式同樣的粘著片，惟其填料、及環(huán)氧基含有丙烯酸橡膠的含量，變更為如表一所示的量。
(1)固化后的彈性率在C階段狀態(tài)，粘著片的170℃的彈性率，使用動態(tài)粘彈性測定裝置(レオロジ一社制、DVE-V4)測定(樣品尺寸長20mm、寬4mm，溫度范圍-30℃～200℃，升溫速度5℃/min、牽引模式、10Hz、自動靜載荷)。
(2)粘著力在120℃的熱板上，將半導(dǎo)體芯片(5mm見方)在鍍金襯底(在附有銅箔的撓性襯底電解鍍金(Ni5μm，Au0.3μm))上用粘著片粘接，進(jìn)行130℃、30分鐘+170℃、1小時(shí)的固化。再測定該試料的85℃/85％RH、及經(jīng)48小時(shí)吸濕后在260℃的剪斷強(qiáng)度。
(3)疊層性用加熱壓光輥層合機(jī)(60℃、0.3m/分鐘、0.3MPa)，將寬度10mm的粘著片與晶片貼合，其后，再用TOYOBALWIN制UTM-4-100型萬能拉力機(jī)在25℃的氣氛中，將粘著片以90°的角度及50mm/分鐘的牽引速度剝離，求出此時(shí)的90°角度的剝離強(qiáng)度。90°角的剝離強(qiáng)度為30N/m以上的場合表示疊層性良好(○)，90°角的剝離強(qiáng)度小于30N/m時(shí)表示層壓性不合格(×)。
(4)流動量對粘著片與PET膠帶沖裁成1×2cm的條狀樣品，用熱壓接試驗(yàn)裝置(日本テスタ一產(chǎn)業(yè)株式會社制)，在熱板溫度100℃，壓力1MPa施壓18秒鐘后，再用光學(xué)顯微鏡測定由樣品的端部突出的樹脂的長度，并將其作為流動量。
(5)切割性使用切割刀切割附有粘著片、切割帶的半導(dǎo)體晶片，再經(jīng)清洗、干燥后獲得附有粘著片的半導(dǎo)體芯片。此時(shí)測定半導(dǎo)體芯片側(cè)面的裂紋的最大高度及樹脂毛刺的長度，這些在30μm以下的場合作為○，大于30μm時(shí)作為×。
(6)填充性、耐逆流破裂性、耐溫度循環(huán)性用附有粘接劑的半導(dǎo)體芯片，與厚度25μm的聚酰亞胺為基材制成的有高度10μm的凹凸的配線襯底，在0.1MPa、1秒、160℃的條件下貼合制造半導(dǎo)體裝置的樣品(在單面形成焊球)，調(diào)查其填充性、耐熱性。填充性的評估是通過研磨半導(dǎo)體芯片的剖面，用光學(xué)顯微鏡觀察配線襯底的凹凸附近等，調(diào)查直徑5μm以上的空隙的有無而進(jìn)行。直徑5μm以上的空隙不存在的為○，存在直徑5μm以上的空隙的以×表示。耐熱性的評價(jià)方法適用耐逆流破裂性與耐溫度循環(huán)試驗(yàn)。
耐逆流破裂性的評價(jià)方法為，因樣品表面的最高溫度為260℃，使樣品保持該溫度20秒鐘地設(shè)定溫度的IR反射爐中通過樣品，然后在室溫下放置，冷卻處理，如此反覆處理兩次，用目視與超聲波顯微鏡，觀察樣品中的裂紋。如10個(gè)試料全部未發(fā)生裂紋則為○，有一個(gè)以上發(fā)生裂紋則為×。
耐溫度循環(huán)性，將樣品在-55℃的氣氛中放置30分鐘，其后在125℃的氣氛中放置30分鐘的工序作為一循環(huán)，在經(jīng)1000循環(huán)后，用超聲波顯微鏡觀察剝離或裂紋，如10個(gè)試料全部未發(fā)生則以○表示，有一個(gè)以上發(fā)生則為×。
(7)金屬絲填充性將半導(dǎo)體芯片及粘著片、和在半導(dǎo)體芯片上形成有高度60μm的金屬絲(直徑25μm)的配線的半導(dǎo)體芯片，用0.1MPa，1秒鐘.，160℃的條件下貼合制成樣品，并對此樣品進(jìn)行填充性評價(jià)。研磨該半導(dǎo)體芯片的剖面，再用光學(xué)顯微鏡調(diào)查金屬絲附近有無直徑5μm以上的空隙。沒有直徑5μm以上的空隙的為○，有直徑5μm以上空隙的為×。
(8)固化前的彈性率在B階段狀態(tài)，粘著片的25℃及80℃的彈性率，使用動態(tài)粘彈性測定裝置(レオロジ一社制，DVE-V4)測定(樣品尺寸長20mm、寬4mm，溫度范圍-30～200℃、升溫速度5℃/min、牽引模式、10Hz、自動靜載荷)。
(9)熔融粘度粘著片的熔融粘度，使用下述的平行平板塑性測定法、計(jì)算的值。即，將粘著片疊層制作成厚度100～300μm的薄膜，再將該薄膜沖裁成直徑11.3mm的圓形試樣，在100℃以載荷3.0kgf加壓5秒鐘，由加壓前后的試樣的厚度，利用公式1計(jì)算熔融粘度。對實(shí)施例2的薄膜，測定各層的熔融粘度的結(jié)果，第一層的粘接劑層為32萬Pa·s，第二粘接劑層為2640Pa·s。

t=η3V28πF(1Z4-1Z04)]]>式1式中，Z0為施加載荷前的粘著片的厚度，Z為施加載荷后的粘著片的厚度，V為粘著片的體積，F(xiàn)為施加的載荷，t表示施加載荷的時(shí)間。
以下詳細(xì)說明該樣品的制作方法，在粘著片單體的厚度小于100μm的場合，可使用多個(gè)粘著片貼合形成100～300μm的厚度。這是因?yàn)楹穸仍?00～300μm時(shí)，測定值有較佳的再現(xiàn)性。例如粘著片單體的厚度40μm的場合，可用粘著片3～7片貼合即可。貼合的條件雖因樣品而異，但只要在測定中在貼合面不發(fā)生剝離即可，通常在該粘著片未進(jìn)展固化的條件下貼合。
表一中表示評價(jià)結(jié)果。



實(shí)施例1～8的粘著片，切割性良好，襯底或金屬絲的凹凸的填充性也良好。比較例1～3的粘著片，任一個(gè)的切割性皆不合格。
以上用實(shí)施例說明了本發(fā)明，可知本發(fā)明的粘著片有以下的作用效果。使用本發(fā)明的粘著片的場合，在制造半導(dǎo)體裝置的切割工序中，能夠良好切斷晶片與粘著片。另外，在切割時(shí)無半導(dǎo)體芯片飛出，拾取性也良好。又，在半導(dǎo)體芯片與有凹凸的襯底、附有金屬絲的半導(dǎo)體芯片的粘接工序中，填充性優(yōu)越。又，具有在搭載半導(dǎo)體用支撐部件安裝半導(dǎo)體芯片時(shí)所需的耐熱性與耐濕性，且作業(yè)性優(yōu)越。因此，使用本發(fā)明的粘著片，可提高半導(dǎo)體裝置的可靠性，同時(shí)也提高半導(dǎo)體裝置的加工速度及成品率。
權(quán)利要求
1.一種粘著片，其特征在于，包含樹脂100重量份，其包含含有交聯(lián)性官能團(tuán)的重均分子量為10萬以上，且Tg為-50～50℃的高分子量成分15～40重量％、及以環(huán)氧樹脂為主成分的熱固化性成分60～85重量％；及填料40～180重量份，該粘著片的厚度為10～250μm。
2.如權(quán)利要求1所述的粘著片，其中，固化前在25℃時(shí)，由動態(tài)粘彈性測定所得的儲存彈性率為200～3000MPa，80℃時(shí)由動態(tài)粘彈性測定所得的儲存彈性率為0.1～10MPa。
3.如權(quán)利要求1或2所述的粘著片，其中，固化后在170℃時(shí)，由動態(tài)粘彈性測定所得的儲存彈性率為20～600MPa。
4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的粘著片，其中，在固化前的100℃時(shí)的熔融粘度為1000～7500Pa·s。
5.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的粘著片，其中，含有樹脂100重量份及填料60～120重量份。
6.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的粘著片，其中，填料的莫氏硬度為3～8。
7.如權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的粘著片，其特征于，填料的平均粒徑為0.05～5μm，表面系數(shù)為2～200m2/g。
8.如權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的粘著片，其中，其在以下所述的工序中使用在將晶片、粘著片及切割帶在0℃～80℃貼合，再用旋轉(zhuǎn)刀具同時(shí)切斷晶片、粘著片及切割帶，得到附有粘接劑的半導(dǎo)體芯片后，將該附有粘接劑的半導(dǎo)體芯片以0.001～1MPa的載荷粘貼在有凹凸的襯底或半導(dǎo)體芯片上，用粘接劑填充凹凸的工序。
9.一種多層粘著片，其具有第一粘接劑層及第二粘接劑層直接或間接地疊層的構(gòu)造而成，其中，至少第二粘接劑層由權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的粘著片構(gòu)成，且該第一粘接劑層的流動量Aμm、厚度aμm、和第二粘接劑層的流動量Bμm、厚度bμm，具有A×3＜B且a×2＜b的關(guān)系。
10.一種多層粘著片，其具有第一粘接劑層及第二粘接劑層直接或間接地疊層的構(gòu)造而成，其中，至少第二粘接劑層由權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的粘著片構(gòu)成，且第一粘接劑層的熔融粘度αPa·s、厚度aμm、和第二粘接劑層的熔融粘度βPa·s、厚度bμm，具有α＞β×3且a×2＜b的關(guān)系。
11.如權(quán)利要求9或10所述的多層粘著片，其中，在貼合晶片、粘著片及切割帶時(shí)，與晶片相接的一側(cè)為第一粘接劑層，與切割帶相接的一側(cè)為第二粘接劑層。
12.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，包括以下所述的工序?qū)⒕?、?quán)利要求1～11中任一項(xiàng)所述的粘著片、及切割帶在0℃～80℃貼合，用旋轉(zhuǎn)刀具同時(shí)切斷晶片、粘著片及切割帶，得到附有粘接劑的半導(dǎo)體芯片后，將該附有粘接劑的半導(dǎo)體芯片，用0.001～1MPa的載荷，粘接在有凹凸的襯底或半導(dǎo)體芯片，用粘接劑填充凹凸的工序。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，在將附有粘接劑的半導(dǎo)體芯片粘接在有凹凸的襯底或半導(dǎo)體芯片上之際，加熱凹凸。
14.一種半導(dǎo)體裝置，其中，使用權(quán)利要求1～11中任一項(xiàng)所述的粘著片，粘接半導(dǎo)體芯片與襯底，或粘接半導(dǎo)體芯片與半導(dǎo)體芯片而成。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種粘著片，能夠填充襯底的配線、或在半導(dǎo)體芯片附設(shè)的金屬絲形成的凹凸，又在切割時(shí)不發(fā)生樹脂飛邊，而且能滿足耐熱性或耐濕性。本發(fā)明的粘著片的特征在于，含有樹脂100重量份，其包含含有交聯(lián)性官能團(tuán)的重均分子量為10萬以上，且Tg為－50～50℃的高分子量成分15～40重量％、及以環(huán)氧樹脂為主成分的熱固化性成分60～85重量％；及填料40～180重量份，該粘著片的厚度為10～250μm。
文檔編號H01L21/301GK1942546SQ20058001177
公開日2007年4月4日 申請日期2005年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月20日
發(fā)明者稻田禎一, 增野道夫, 宇留野道生, 巖倉哲郎 申請人:日立化成工業(yè)株式會社