專利名稱：有機(jī)薄膜晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于有機(jī)晶體管的新型有機(jī)材料。更具體而言，本發(fā)明涉及促進(jìn)半導(dǎo)體層和電極之間歐姆接觸的新型有機(jī)化合物、包括該有機(jī)化合物的有機(jī)薄膜晶體管以及該有機(jī)化合物在有機(jī)薄膜晶體管中的用途。
背景技術(shù)：
薄膜場效應(yīng)晶體管(FET)包括用于微電子學(xué)的基本構(gòu)件。FET具有3個電極(例如，源極、漏極和柵極)、絕緣體層和半導(dǎo)體層。FET起到電容器的作用，其中，半導(dǎo)體層為兩電極即源極和漏極之間的導(dǎo)電溝道。溝道中電荷載流子的密度通過施于柵極的電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)，因此，源極和漏極之間的電荷流動可以通過施于柵極的電壓來控制。
近來，采用有機(jī)半導(dǎo)體材料的FET的開發(fā)引起了人們很大興趣。在FET中使用有機(jī)半導(dǎo)體材料，可通過印刷方法，例如絲網(wǎng)印刷、噴墨印刷和/或微接觸印刷制造電子設(shè)備。另外，與普通的無機(jī)半導(dǎo)體材料相比，這些材料可以在更低的基板溫度下、在少許或無真空情況下加工。因此，與采用無機(jī)半導(dǎo)體材料相比，采用有機(jī)半導(dǎo)體材料的電子設(shè)備(包括FET)靈活且生產(chǎn)成本更低。
自1980年以來，不同類型的有機(jī)材料(如小分子、聚合物和低聚物)已作為FET中的有機(jī)半導(dǎo)體材料進(jìn)行試驗。在該領(lǐng)域的協(xié)同努力下，在FET中的電荷載流子的遷移率方面，有機(jī)FET的性能已從10-5cm2/Vs提高到1cm2/Vs(J.M.Shaw，P.F.Seidler，IBM J.Res.& Dev.，Vol.45，3(2001))?，F(xiàn)在，有機(jī)晶體管的性能可與非晶硅晶體管相當(dāng)，所以，有機(jī)晶體管可應(yīng)用于電子紙、智能卡或者顯示器。
可由半導(dǎo)體有機(jī)材料制備的重要電子設(shè)備，包括有機(jī)發(fā)光二極管、有機(jī)太陽能電池以及有機(jī)晶體管。在這些設(shè)備中，半導(dǎo)體有機(jī)材料和電極之間的電接觸對于提高這些設(shè)備的性能是至關(guān)重要的。例如，電荷載流子注入層(如空穴注入層和電子注入層)插入半導(dǎo)體層和電極之間以提高有機(jī)發(fā)光二極管的性能。盡管有機(jī)晶體管的操作模式不同于有機(jī)發(fā)光二極管，半導(dǎo)體層與源極和漏極之間的電接觸對于有機(jī)晶體管的性能仍具有深遠(yuǎn)的影響。
另外，已報道有機(jī)晶體管的性能取決于源極/漏極的材料(Y.Y.Lin等，Materials Research Society Symposium Proceedings(1996)，413(Electrical，Optical，and Magnetic Properties of Organic Solid StateMaterials III)，413-418.CODENMRSPDH ISSN0272-9172)。在該報道中，高功函金屬(Pd、Pt和Au)表現(xiàn)出最佳性能，而相對低功函金屬(Al)表現(xiàn)出顯著降低的性能。因此，在大多數(shù)有機(jī)晶體管中已采用高功函金屬(如金)作為源極/漏極電極材料。然而，高功函金屬為珍奇金屬，昂貴且難于采用工業(yè)方法加工，因此限制了其在有機(jī)晶體管中的應(yīng)用和結(jié)構(gòu)。


圖1為有機(jī)晶體管的簡化橫截面圖。
圖2-4為根據(jù)本發(fā)明實施例具有有機(jī)層的各有機(jī)晶體管的簡化橫截面圖。
圖5為根據(jù)本發(fā)明實施例如圖2的具有有機(jī)層的有機(jī)晶體管的簡化頂視圖。
圖6為根據(jù)本發(fā)明實施例的有機(jī)晶體管的簡化橫截面圖。
圖7-10為對于實施例1-2和比較實施例1-2中制備的有機(jī)晶體管的幾種柵電壓(VG)，漏-源電流(IDS)對漏-源電壓(VDS)的特性曲線圖。
圖11和12為并五苯晶體管的(IDS)1/2對VG的特性曲線圖。
<附圖標(biāo)記簡述>
附圖標(biāo)記11指漏極，12絕緣體層，13基板，14半導(dǎo)體層，15源極，16柵極，17有機(jī)層。圖5中W和L分別表示有機(jī)晶體管溝道的寬度和長度。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到上述問題，本發(fā)明人已研究找到一種在有機(jī)薄膜晶體管中促進(jìn)半導(dǎo)體層和源/漏極之間歐姆接觸的方法。
另外，本發(fā)明人已研究發(fā)現(xiàn)一種使低成本材料能用于電極的途徑。即，本發(fā)明人努力找到一種采用低功函、低成本的材料作為源/漏極材料的方法。
具體實施例方式
本發(fā)明提供了一種有機(jī)晶體管，該晶體管包括可促進(jìn)半導(dǎo)體層和電極之間歐姆接觸并通過在半導(dǎo)體層與源極和漏極的至少一種之間形成穩(wěn)定的界面而提高有機(jī)晶體管性能的有機(jī)化合物。
本發(fā)明通過在半導(dǎo)體材料和源/漏極之間引入有機(jī)層而進(jìn)一步提供了一種具有多種導(dǎo)電材料作為源/漏極的有機(jī)晶體管。
本發(fā)明進(jìn)一步提供了一種有機(jī)晶體管，該晶體管包括含有至少一種化學(xué)式1表示的化合物的有機(jī)層。
本發(fā)明進(jìn)一步提供了一種有機(jī)晶體管，該晶體管包括插入半導(dǎo)體層與源極和/或漏極之間的有機(jī)層，其中所述有機(jī)層包括至少一種化學(xué)式1表示的化合物。
本發(fā)明進(jìn)一步提供一種制備有機(jī)晶體管的方法，該方法包括在半導(dǎo)體層與源極或漏極之間插入有機(jī)層以促進(jìn)半導(dǎo)體層與源極和漏極的至少一種之間的電接觸，其中，所述有機(jī)層包括至少一種化學(xué)式1表示的化合物。
下文，將詳細(xì)解釋本發(fā)明。
在以下詳述中，僅是通過舉例說明實施本發(fā)明的本發(fā)明人考慮的最佳方式，僅已展示和描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。正如認(rèn)識到的，在不偏離本發(fā)明的情況下，本發(fā)明能夠在多種明顯方面進(jìn)行改變。由此，附圖和說明書本質(zhì)上認(rèn)為是例證性的，而不是限制性的。
本發(fā)明提供了一種有機(jī)晶體管，其中，包含至少一種以下化學(xué)式I表示的化合物的有機(jī)層設(shè)置于半導(dǎo)體層與源/漏極(源極和漏極的至少一種)之間[化學(xué)式1] 在化學(xué)式I中，R1-R6獨立地選自包括氫、鹵、腈(-CN)、硝基(-NO2)、磺?；?-SO2R)、亞砜(-SOR)、磺酰胺(-SO2NR)、磺酸酯(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯(CO-OR)、酰胺(-CO-NHR或-CO-NRR′)、直鏈或支鏈(取代或未取代的)C1-C12烷氧基、直鏈或支鏈(取代或未取代的)C1-C12烷基、芳香或非芳香(取代或未取代的)雜環(huán)、取代或未取代的芳基、單或二(取代或未取代的)芳基胺以及(取代或未取代的)烷基-(取代或未取代的)芳基胺的組。
在上述取代基中，R和R′為，例如，取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的5-7元雜環(huán)。取代的C1-C60烷基、芳基和雜環(huán)任選被一個或多個胺、酰胺、醚和酯基取代。或者，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能很好地理解，R1-R6獨立地選自取代或未取代的吸電子基團(tuán)。
所述芳基包括單或多取代或未取代的苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、苯甲基、萘基、并三苯基、并四苯基(tetracenyl)、并五苯基(pentacenyl)、二萘嵌苯基(perylenyl)以及暈苯基(coronenyl)。
化學(xué)式1化合物的非限制實例示于以下化學(xué)式2a至化學(xué)式2g。
[化學(xué)式2b] [化學(xué)式2d] [化學(xué)式2e] [化學(xué)式2g] 現(xiàn)將參考附圖更加詳細(xì)地解釋本發(fā)明。
現(xiàn)參照圖1，有機(jī)晶體管為一種具有稱為源極15、漏極11和柵極16三個端子的電子設(shè)備。存在多種有機(jī)晶體管結(jié)構(gòu)。采用本發(fā)明的一些實施例示于圖2-4。如圖1所示，絕緣層12形成于柵極16上，柵極16于基板13上被制成圖案。半導(dǎo)體(p或n型)層14形成于絕緣層12之上后，如圖所示源/漏極形成于半導(dǎo)體層14與絕緣層12之上。
根據(jù)示例性實施方式，包括至少一種由化學(xué)式1表示的化合物的有機(jī)層17插入在半導(dǎo)體層14與源/漏極之間(圖2)、或半導(dǎo)體層14僅與源極15之間(圖3)、或半導(dǎo)體層14僅與漏極11之間(圖4)。通過對柵極16施加電壓，電荷載流子可形成于半導(dǎo)體層14中。例如，通過采用負(fù)柵電壓正電荷載流子(空穴)可形成于p型半導(dǎo)體層中，而通過采用正柵電壓負(fù)電荷載流子(電子)可形成于n型半導(dǎo)體層中。半導(dǎo)體層中電荷載流子的密度可通過柵電壓調(diào)節(jié)，所以源極和漏極之間的電流可通過施于柵極的電壓來控制。
另外，盡管未在圖中示出，根據(jù)另一示例性實施方式的一種有機(jī)晶體管，可包括設(shè)置于基板13中的柵極16、設(shè)置于柵極16和基板13之上的絕緣層12、設(shè)置于絕緣層12上的源極15和漏極11、設(shè)置于絕緣層12上的半導(dǎo)體層14、插入在半導(dǎo)體層14與源極15和漏極11之間或半導(dǎo)體層14僅與源極15之間或半導(dǎo)體層14僅與漏極11之間的源極15和漏極11以及有機(jī)層17。
進(jìn)而，根據(jù)另一示例性實施方式的有機(jī)晶體管，包括設(shè)置于基板13中的源極15和漏極11、設(shè)置于基板13以及源極15和漏極11之上的半導(dǎo)體層14、設(shè)置于半導(dǎo)體層14上的絕緣層12、設(shè)置于絕緣層12中的柵極16以及插入在半導(dǎo)體層14與源極15和漏極11之間或半導(dǎo)體層14僅與源極15之間或半導(dǎo)體層14僅與漏極11之間的有機(jī)層17。
再進(jìn)一步，根據(jù)另一示例性實施方式的有機(jī)晶體管，該有機(jī)晶體管包括設(shè)置于基板13中的半導(dǎo)體層14、設(shè)置于半導(dǎo)體層14中的源極15和漏極11、設(shè)置于半導(dǎo)體層14以及源極15和漏極11之上的絕緣層12、設(shè)置于絕緣層12中的柵極16以及插入在半導(dǎo)體層14與源極15和漏極11之間或半導(dǎo)體層14僅與源極15之間或半導(dǎo)體層14僅與漏極11之間的有機(jī)層17。
用于有機(jī)晶體管的各元件以及本發(fā)明的效果現(xiàn)將更加詳細(xì)地說明。
基板作為基板13，可采用滿足有機(jī)晶體管的熱力學(xué)和機(jī)械要求的玻璃、半導(dǎo)體片、金屬氧化物、陶瓷材料以及塑料。例如，玻璃或塑料用于基板13。
柵極導(dǎo)電材料可用于柵極16，其包括但不限于碳、鋁、釩、鉻、銅、鋅、銀、金、鎂、鈣、鈉、鉀、鈦、銦、釔、鋰、釓、錫、鉛、類似金屬以及上述金屬的合金，p-或n-摻雜硅，氧化鋅、氧化銦、銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)、銦鋅氧化物以及類似的氧化錫或氧化錫銦基復(fù)合物化合物，氧化物和金屬的混合物(如ZnO:Al、SnO2:Sb)，以及導(dǎo)電聚合物，如聚(3-甲基噻吩)、聚[3，4-(亞乙基-1，2-二氧)噻吩](poly[3，4-(ethylene-1，2-dioxy)thiophene]、聚吡咯和聚苯胺。
絕緣層絕緣體材料可用于絕緣層12，包括但不限于二氧化硅、氮化硅，以及塑料絕緣體，如聚酰亞胺、聚(2-乙烯基吡啶)、聚(4-乙烯基苯酚)、聚甲基丙烯酸甲酯。
半導(dǎo)體層兩類分子可用于半導(dǎo)體層14，p型和n型有機(jī)半導(dǎo)體材料。空穴為p型半導(dǎo)體材料情況下的電荷載流子，而電子為n型半導(dǎo)體材料情況下的電荷載流子。P型有機(jī)半導(dǎo)體材料包括但不限于并五苯、antradithiophene、苯并二噻吩、噻吩低聚物、聚噻吩、混合亞單元噻吩低聚物(mixed-subunit thiophene oligomers)、氧功能化噻吩低聚物(H.E.Katz等，Acc.Chem.Res.34，359(2001))。N型有機(jī)半導(dǎo)體材料包括，例如，氟化金屬酞青(Z.Bao，J.Am.Chem.Soc.120，207(1998))、全氟芳烴改性的聚噻吩(A.Facchetti，Angew.Chem.Int.Ed.42，3900(2003))。
有機(jī)層有機(jī)層17包括至少一種化學(xué)式I表示的化合物。有機(jī)層17的引入有助于半導(dǎo)體層14與源極15和漏極11或僅與源極15或僅與漏極11之間建立歐姆接觸。因此，通過包括至少一種上述化學(xué)式1的化合物的有機(jī)層17，可提高有機(jī)晶體管中的閾電壓和電荷載流子的遷移率。
源/漏極導(dǎo)電材料可用于源/漏極，其包括但不限于碳、鋁、釩、鉻、銅、鋅、金、鎂、鈣、鈉、鉀、鈦、銦、釔、鋰、釓、銀、錫、鉛、釹、鉑、類似金屬以及上述金屬的合金，p-或n-摻雜硅，氧化鋅、氧化銦、銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物以及類似的氧化錫或氧化錫銦基復(fù)合物化合物，氧化物和金屬的混合物(如ZnO:Al、SnO2:Sb)，以及導(dǎo)電聚合物，如聚(3-甲基噻吩)、聚[3，4-(亞乙基-1，2-二氧)噻吩]、聚吡咯和聚苯胺。
另外，用于源/漏極的材料具有合適的功函以降低電荷載流子注入障礙(injection barrier)，并與有機(jī)層形成歐姆接觸。當(dāng)p型材料用于半導(dǎo)體層14中時，源/漏極材料的功函相當(dāng)于或接近p型有機(jī)材料的最高占有分子軌道(HOMO)能級。因此，對于源/漏極，優(yōu)選具有大功函的金屬，包括鈀、鉑和金。當(dāng)n型材料用于半導(dǎo)體層14中時，源/漏極材料的功函相當(dāng)于或接近n型有機(jī)材料的最低空分子軌道(LUMO)能級。因此，對于源/漏極，優(yōu)選具有低功函的金屬，包括鋁。
然而，根據(jù)本發(fā)明，具有有機(jī)層17的有機(jī)晶體管的性能表現(xiàn)出與源/漏極材料的相關(guān)性低。這允許我們以多種方式制造有機(jī)晶體管，包括絲網(wǎng)印刷、帶盤驅(qū)動工藝(reel-to-reel process)(J.A.Rogers等，Adv.Mater.11，741(1999))、微接觸印刷等。因此，多種電極材料可用于源/漏極而不降低具有有機(jī)層17的有機(jī)晶體管的性能。
例如，采用化學(xué)式1表示的有機(jī)層允許采用鋁作為圖6所示結(jié)構(gòu)中的源/漏極。如圖6所示，可通過采用光刻法和蝕刻法，鋁易于形成圖案以制造源極15和漏極11的陣列。另外，銀膏是一種可絲網(wǎng)印刷的導(dǎo)電油墨，并可采用絲網(wǎng)印刷法形成圖案(C.Gray et al.，Proceedingsof SPIE-The International Soc.Opt.Eng.4466，89(2001))，其可用作源/漏極。
本發(fā)明的有機(jī)晶體管在半導(dǎo)體層和源/漏極之間具有包括至少一種化學(xué)式1表示的化合物的有機(jī)層，促進(jìn)了半導(dǎo)體層和源/漏極之間的歐姆接觸。因此，具有相對低成本、低功函但高實用性的材料可用于有機(jī)晶體管的源/漏極。
實施例1如圖2和圖5所示，場效應(yīng)晶體管以交錯反向(staggered-inverted)結(jié)構(gòu)制造。ITO玻璃用作基板13。ITO電極制成圖案作為柵極16。柵極電介質(zhì)層或絕緣體層12通過以2000rpm旋涂聚4-乙烯基苯酚(PVP)溶液(在丙二醇單甲醚乙酸酯(propylene glycol monomethyl etheracetate(PGMEA)中15wt％)并在200℃下固化2小時而制得。該P(yáng)VP柵極絕緣體的厚度為922nm。半導(dǎo)體層14形成于PVP柵極電介質(zhì)層12之上。并五苯用作p型半導(dǎo)體材料。并五苯半導(dǎo)體層14在1×10-6托底壓下以0.5/s的速度淀積。并五苯層的厚度為100nm。有機(jī)層17和金(Au)源/漏極15和11如圖2所示通過蔭罩(shadow mask)分別淀積于并五苯膜上。如圖2所示，有機(jī)層17在金電極15、11淀積前淀積于并五苯膜上。化學(xué)式1a表示的化合物用于有機(jī)層17。有機(jī)層17在1×10-6托底壓下以0.5/s的速度淀積且有機(jī)層17的厚度為40nm。如圖5所示，有機(jī)FET的溝道長度(L)和寬度(W)對有機(jī)晶體管的性能具有深遠(yuǎn)影響。根據(jù)示例性實施方式，圖5中有機(jī)FET的溝道長度和寬度分別為2mm和50μm。
對于幾種柵電壓(VG)說明漏-源電流(IDS)對漏-源電壓(VDS)特性的曲線圖示于圖7。對于并五苯晶體管(VDS＝-50V)(IDS)1/2對VG特性的曲線圖示于圖11和12。在漏-源電流飽和的狀況下，場效應(yīng)遷移率計算得μFET＝0.16cm2/Vs實施例2除了以鋁代替金作為源/漏極之外，以與實施例1相同的方法制造設(shè)備。
對于幾種柵電壓(VG)說明漏-源電流(IDS)對漏-源電壓(VDS)特性的曲線圖示于圖8。對于并五苯晶體管(VDS＝-50V)說明(IDS)1/2對VG特性的曲線圖示于圖12。在漏-源電流飽和的狀況下，場效應(yīng)遷移率計算得μFET＝0.18cm2/Vs比較實施例1除了如圖1所示缺少有機(jī)層17外，以與實施例1相同的方法制造設(shè)備。
對于幾種柵電壓(VG)說明漏-源電流(IDS)對漏-源電壓(VDS)特性的曲線圖示于圖9。對于并五苯晶體管(VDS＝-50V)說明(IDS)1/2對VG特性的曲線圖示于圖11。在漏-源電流飽和的狀況下，場效應(yīng)遷移率計算得μFET＝0.07cm2/Vs比較實施例2
除了以鋁代替金作為源/漏極之外，以與比較實施例1相同的方法制造設(shè)備。
對于幾種柵電壓(VG)說明漏-源電流(IDS)對漏-源電壓(VDS)特性的曲線圖示于圖10。將認(rèn)識到該設(shè)備表現(xiàn)出很差和不穩(wěn)定的晶體管特性。
在相同的柵偏壓(gate biases)下，與沒有有機(jī)層17的晶體管(圖9)相比，在并五苯和金電極之間具有有機(jī)層17的晶體管(圖7)，具有更高值的源-漏電流。對于具有和沒有有機(jī)層17的并五苯晶體管，說明(IDS)1/2對VG特性的曲線圖示于圖11。圖11清楚地表明，當(dāng)VG在約0V和約-140V之間時，在有機(jī)晶體管中采用有機(jī)層17提高了設(shè)備的性能2倍多。
采用金或鋁作為源/漏極材料，具有有機(jī)層17的有機(jī)晶體管也表現(xiàn)出類似的性能(見圖7、8和12)。圖11和12清楚地表明插入在半導(dǎo)體層與源和/或漏極之間的有機(jī)層對于采用平版印刷技術(shù)制造有機(jī)晶體管陣列的益處。
工業(yè)實用性本發(fā)明的有機(jī)晶體管在半導(dǎo)體層和源/漏極之間具有良好的歐姆接觸，因此可用作電子設(shè)備元件。特別地，本發(fā)明的有機(jī)晶體管可應(yīng)用于電子紙、智能卡或多種顯示器。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)晶體管，包括插入在半導(dǎo)體層與源極和漏極至少一種之間的有機(jī)層，其中有機(jī)層包括至少一種化學(xué)式1表示的化合物[化學(xué)式1]
2.權(quán)利要求1的有機(jī)晶體管，其特征在于，所述有機(jī)層插入在半導(dǎo)體層與源極和漏極兩者之間。
3.權(quán)利要求1的有機(jī)晶體管，進(jìn)一步包括基板；設(shè)置于基板中的柵極；設(shè)置于柵極和基板之上的絕緣層；設(shè)置于絕緣層上的半導(dǎo)體層；以及設(shè)置于半導(dǎo)體層和絕緣層之上的源極和漏極。
4.權(quán)利要求1的有機(jī)晶體管，進(jìn)一步包括基板；設(shè)置于基板中的柵極；設(shè)置于柵極和基板之上的絕緣層；設(shè)置于絕緣層上的源極和漏極；以及設(shè)置于絕緣層與源極和漏極之上的半導(dǎo)體層。
5.權(quán)利要求1的有機(jī)晶體管，進(jìn)一步包括基板；設(shè)置于基板上的源極和漏極；設(shè)置于基板與源極和漏極之上的半導(dǎo)體層；設(shè)置于半導(dǎo)體層上的絕緣層；以及設(shè)置于絕緣層中的柵極。
6.權(quán)利要求1的有機(jī)晶體管，進(jìn)一步包括基板；設(shè)置于基板中的半導(dǎo)體層；設(shè)置于半導(dǎo)體層中的源極和漏極；設(shè)置于半導(dǎo)體層與源極和漏極上的絕緣層；以及設(shè)置于絕緣層中的柵極。
7.權(quán)利要求1的有機(jī)晶體管，其特征在于，所述源極或漏極包括鋁、銀、金、釹、鈀、鉑或上述金屬的合金。
8.權(quán)利要求1的有機(jī)晶體管，其特征在于，所述源極或漏極包括包含鋁或銀的復(fù)合材料。
9.權(quán)利要求1的有機(jī)晶體管，其特征在于，所述化學(xué)式1表示的化合物包括以下化合物2a-2g中的一種[化學(xué)式2a] [化學(xué)式2b] [化學(xué)式2c] [化學(xué)式2d] [化學(xué)式2e] [化學(xué)式2f] [化學(xué)式2g]
10.一種制備有機(jī)晶體管的方法，包括在半導(dǎo)體層與源極和漏極至少一種之間插入有機(jī)層以改進(jìn)半導(dǎo)體層與源極或漏極之間的電接觸，其中，該有機(jī)層包括至少一種化學(xué)式1表示的化合物[化學(xué)式1]
11.權(quán)利要求10的方法，其特征在于，所述有機(jī)層插于半導(dǎo)體層與源極和漏極兩者之間。
12.權(quán)利要求10的方法，該方法進(jìn)一步包括在基板中形成柵極；在柵極和基板之上形成絕緣層；在絕緣層上形成半導(dǎo)體層；以及在半導(dǎo)體層和絕緣層之上形成源極和漏極。
13.權(quán)利要求10的方法，該方法進(jìn)一步包括在基板中形成柵極；在柵極和基板之上形成絕緣層；在絕緣層上形成源極和漏極；以及在絕緣層與源極和漏極之上形成半導(dǎo)體層。
14.權(quán)利要求10的方法，該方法進(jìn)一步包括在基板上形成源極和漏極；在基板與源極和漏極之上形成半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層上形成絕緣層；以及在絕緣層中形成柵極。
15.權(quán)利要求10的方法，該方法進(jìn)一步包括在基板中形成半導(dǎo)體層；在半導(dǎo)體層中形成源極和漏極；在半導(dǎo)體層與源極和漏極上形成絕緣層；以及在絕緣層中形成柵極。
16.權(quán)利要求10的方法，其特征在于，所述化學(xué)式1表示的化合物包括以下化合物2a-2g中的一種[化學(xué)式2a] [化學(xué)式2b] [化學(xué)式2c] [化學(xué)式2d] [化學(xué)式2e] [化學(xué)式2f] [化學(xué)式2g]
17.權(quán)利要求10的方法，該方法進(jìn)一步包括采用鋁、銀、金、釹、鈀、鉑、金以及上述金屬的合金中的至少一種形成源極和漏極。
18.權(quán)利要求10的方法，該方法進(jìn)一步包括用包括鋁或銀的復(fù)合材料形成源極和漏極。
19.一種有機(jī)晶體管，包括包含至少一種化學(xué)式1表示的化合物的有機(jī)層[化學(xué)式1]
全文摘要
本發(fā)明提供了一種包括有機(jī)層的有機(jī)晶體管。上述有機(jī)層包括至少一種化學(xué)式1表示的化合物。
文檔編號H01L51/52GK1914738SQ200580003224
公開日2007年2月14日 申請日期2005年2月17日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月17日
發(fā)明者崔賢, 孫世煥, 李昌熙, 尹錫喜 申請人:Lg化學(xué)株式會社