專(zhuān)利名稱(chēng)：可用于高頻電路的晶體管結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是有關(guān)于一種可用于高頻電路的晶體管結(jié)構(gòu)，尤指一種可使該晶體管利用以純金為材料的外覆層，分別或同時(shí)鍍?cè)O(shè)于各導(dǎo)線(xiàn)架及金屬層上，以克服晶體管于高頻訊號(hào)中的肌膚效應(yīng)(Skin Effect)，以使該晶體管可供高頻電路使用。
背景技術(shù)：
按，一般公知的晶體管結(jié)構(gòu)如圖3所示，其于一芯片6上設(shè)置有二側(cè)并排的導(dǎo)線(xiàn)架61，且該芯片6與導(dǎo)線(xiàn)架61之間以黏著層62加以固接，并于該導(dǎo)線(xiàn)架61上以金線(xiàn)63與芯片6電性連接，之后再以一封膠體64封裝于導(dǎo)線(xiàn)架61之間，以保護(hù)芯片6、金線(xiàn)63等內(nèi)部的電子組件，且達(dá)成固定作用，進(jìn)而提供電子產(chǎn)品的運(yùn)用。
而由于目前高頻電子產(chǎn)品于使用時(shí)均會(huì)于高頻訊號(hào)中產(chǎn)生電磁波、肌膚效應(yīng)(Skin Effect)及噪聲(NOISE)的干擾，進(jìn)而影響電子系統(tǒng)的穩(wěn)定性，而常見(jiàn)的高頻電路噪聲包括有散彈噪聲、閃爍噪聲、突波噪聲、熱噪聲、分配噪聲…等，惟電磁干擾并不能完全以所使用的晶體管加以克服，尚必須搭配所使用的電子系統(tǒng)間的相互搭配設(shè)計(jì)，而高頻電路的肌膚效應(yīng)及噪聲部份則可由晶體管端加以克服及降低，因此，肌膚效應(yīng)的克服及噪聲的降低則取決于晶體管的結(jié)構(gòu)，然而以上述公知的晶體管結(jié)構(gòu)而言，并無(wú)任何可克服肌膚效應(yīng)及降低噪聲的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，故一般公知的晶體管結(jié)構(gòu)并無(wú)法符合實(shí)際運(yùn)用的所需。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種可用于高頻電路的晶體管結(jié)構(gòu)。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供的可用于高頻電路的晶體管結(jié)構(gòu)，至少包括有一芯片，該芯片具有多數(shù)的電極接點(diǎn)；多數(shù)導(dǎo)線(xiàn)架，各導(dǎo)線(xiàn)架以純金為材料鍍?cè)O(shè)有一外覆層，且各導(dǎo)線(xiàn)架以黏著層設(shè)置于上述芯片上，并于各導(dǎo)線(xiàn)架與電極接點(diǎn)之間以導(dǎo)線(xiàn)電性連接；以及一封膠體，該封膠體設(shè)置于上述芯片上至少可將導(dǎo)線(xiàn)架與導(dǎo)線(xiàn)之間加以封裝。
依據(jù)本實(shí)用新型提供的可用于高頻電路的晶體管結(jié)構(gòu)，至少包括有一芯片，該芯片具有多數(shù)的電極接點(diǎn)；一以上的金屬層，各金屬層以純金為材料鍍?cè)O(shè)有一外覆層，且各金屬層以黏著層層迭于上述芯片上，并于各金屬層與電極接點(diǎn)之間以導(dǎo)線(xiàn)電性連接；多數(shù)導(dǎo)線(xiàn)架，各導(dǎo)線(xiàn)架以純金為材料鍍?cè)O(shè)有一外覆層，且各導(dǎo)線(xiàn)架以黏著層設(shè)置于上述的各金屬層上，并于各導(dǎo)線(xiàn)架與各電極接點(diǎn)及金屬層之間以導(dǎo)線(xiàn)電性連接；以及一封膠體，該封膠體至少可將各金屬層、導(dǎo)線(xiàn)架與導(dǎo)線(xiàn)之間加以封裝。
所述的可用于高頻電路的晶體管結(jié)構(gòu)，其中各金屬層可依所需定義為接地面。
所述的可用于高頻電路的晶體管結(jié)構(gòu)，其中各金屬層可依所需定義為電源面。
本實(shí)用新型提供的可用于高頻電路的晶體管結(jié)構(gòu)，可由將各導(dǎo)線(xiàn)架以純金為材料鍍?cè)O(shè)有一外覆層，或同時(shí)于各導(dǎo)線(xiàn)架及金屬層以純金為材料鍍?cè)O(shè)有一外覆層，可克服晶體管于高頻訊號(hào)中的肌膚效應(yīng)(Skin Effect)，亦可達(dá)到降低高頻電路中的噪聲(SWITCHING NOISE)，以使該晶體管可供高頻電路使用，進(jìn)而使本實(shí)用新型的產(chǎn)生能更進(jìn)步、更實(shí)用、更符合使用者的所需。


圖1，為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的剖面狀態(tài)示意圖。
圖2，為本實(shí)用新型第二實(shí)施例的剖面狀態(tài)示意圖。
圖3，為公知的剖面狀態(tài)示意圖。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖1所示，為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的剖面狀態(tài)示意圖。如圖所示本實(shí)用新型一種可用于高頻電路的晶體管結(jié)構(gòu)，其至少包含有一芯片1、多數(shù)導(dǎo)線(xiàn)架3及一封膠體5所構(gòu)成。
上述所提的芯片1具有多數(shù)的電極接點(diǎn)11。
各導(dǎo)線(xiàn)架3是以純金為材料鍍?cè)O(shè)有一外覆層31，且各導(dǎo)線(xiàn)架3是以黏著層32設(shè)置于上述的芯片1上，并于各導(dǎo)線(xiàn)架3與電極接點(diǎn)11之間以導(dǎo)線(xiàn)33加以電性連接。
該封膠體5設(shè)置于上述芯片1上至少可將導(dǎo)線(xiàn)架3與導(dǎo)線(xiàn)33之間加以封裝。
如此，可由將各導(dǎo)線(xiàn)架3以純金為材料鍍?cè)O(shè)有一外覆層31，讓該晶體管于運(yùn)用于電子產(chǎn)品上時(shí)，可克服晶體管于高頻訊號(hào)中的肌膚效應(yīng)(SkinEffect)，以使該晶體管可供高頻電路使用。
請(qǐng)參閱圖2所示，為本實(shí)用新型第二實(shí)施例的剖面狀態(tài)示意圖。如圖所示本實(shí)用新型亦可至少包含有一芯片1、一以上的金屬層2、多數(shù)導(dǎo)線(xiàn)架3及一封膠體5所構(gòu)成。
上述所提的芯片1具有多數(shù)的電極接點(diǎn)11。
各金屬層2是以純金為材料鍍?cè)O(shè)有一外覆層21，且各金屬層2是以黏著層22層迭于上述的芯片1上，并于各金屬層2與電極接點(diǎn)11之間以導(dǎo)線(xiàn)23加以電性連接，而各金屬層2可依所需定義為接地面或可依所需定義為電源面。
各導(dǎo)線(xiàn)架3是以純金為材料鍍?cè)O(shè)有一外覆層31，且各導(dǎo)線(xiàn)架3是以黏著層32設(shè)置于上述的芯片1上，并于各導(dǎo)線(xiàn)架3與電極接點(diǎn)11之間以導(dǎo)線(xiàn)33加以電性連接。
該封膠體5至少可將各金屬層2、導(dǎo)線(xiàn)架3與導(dǎo)線(xiàn)23、33之間加以封裝。
如此，可同時(shí)于各金屬層2及導(dǎo)線(xiàn)架3以純金為材料鍍?cè)O(shè)有一外覆層21、31，讓該晶體管于運(yùn)用于電子產(chǎn)品上時(shí)，可克服晶體管于高頻訊號(hào)中的肌膚效應(yīng)(Skin Effect)，以使該晶體管可供高頻電路使用。
以上所述，僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，當(dāng)不能以此限定本實(shí)用新型實(shí)施的范圍；故，凡依本實(shí)用新型申請(qǐng)專(zhuān)利范圍及創(chuàng)作說(shuō)明書(shū)內(nèi)容所作的簡(jiǎn)單的等效變化與修飾，皆應(yīng)仍屬本實(shí)用新型專(zhuān)利涵蓋的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種可用于高頻電路的晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，至少包括有一芯片，該芯片具有多數(shù)的電極接點(diǎn)；多數(shù)導(dǎo)線(xiàn)架，各導(dǎo)線(xiàn)架以純金為材料鍍?cè)O(shè)有一外覆層，且各導(dǎo)線(xiàn)架以黏著層設(shè)置于上述芯片上，并于各導(dǎo)線(xiàn)架與電極接點(diǎn)之間以導(dǎo)線(xiàn)電性連接；以及一封膠體，該封膠體設(shè)置于上述芯片上至少可將導(dǎo)線(xiàn)架與導(dǎo)線(xiàn)之間加以封裝。
2.一種可用于高頻電路的晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，至少包括有一芯片，該芯片具有多數(shù)的電極接點(diǎn)；一以上的金屬層，各金屬層以純金為材料鍍?cè)O(shè)有一外覆層，且各金屬層以黏著層層迭于上述芯片上，并于各金屬層與電極接點(diǎn)之間以導(dǎo)線(xiàn)電性連接；多數(shù)導(dǎo)線(xiàn)架，各導(dǎo)線(xiàn)架以純金為材料鍍?cè)O(shè)有一外覆層，且各導(dǎo)線(xiàn)架以黏著層設(shè)置于上述的各金屬層上，并于各導(dǎo)線(xiàn)架與各電極接點(diǎn)及金屬層之間以導(dǎo)線(xiàn)電性連接；以及一封膠體，該封膠體至少可將各金屬層、導(dǎo)線(xiàn)架與導(dǎo)線(xiàn)之間加以封裝。
3.依據(jù)權(quán)利要求2所述的可用于高頻電路的晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中各金屬層可依所需定義為接地面。
4.依據(jù)權(quán)利要求2所述的可用于高頻電路的晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中各金屬層可依所需定義為電源面。
專(zhuān)利摘要一種可用于高頻電路的晶體管結(jié)構(gòu)，其至少包含有一具有多數(shù)電極接點(diǎn)的芯片；多數(shù)以純金為材料鍍?cè)O(shè)有一外覆層的導(dǎo)線(xiàn)架，并以導(dǎo)線(xiàn)連接各電極接點(diǎn)；以及一至少封裝于導(dǎo)線(xiàn)架與導(dǎo)線(xiàn)間的封膠體；亦可同時(shí)于該導(dǎo)線(xiàn)架與芯片之間設(shè)置一以上的金屬層，該金屬層同樣以純金為材料鍍?cè)O(shè)有一外覆層，且各金屬層以導(dǎo)線(xiàn)連接電極接點(diǎn)與導(dǎo)線(xiàn)架，另可于各導(dǎo)線(xiàn)架之間電性連接噪聲抑制單元。由此，可利用鍍?cè)O(shè)有一外覆層的導(dǎo)線(xiàn)架單獨(dú)存在或配合及金屬層，達(dá)到可克服晶體管于高頻訊號(hào)中的肌膚效應(yīng)(Skin Effect)，以使該晶體管可供高頻電路使用。
文檔編號(hào)H01L23/28GK2857222SQ200520142260
公開(kāi)日2007年1月10日 申請(qǐng)日期2005年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月1日
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