專利名稱：大功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種大功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的發(fā)光二極管(LED)的封裝結(jié)構(gòu)，一般是用導(dǎo)電或非導(dǎo)電膠將芯片裝在小尺寸的反射杯中或載片臺上，由金絲完成器件的內(nèi)外連接后用環(huán)氧樹脂封裝而成，其熱阻高達(dá)250～300℃/W，因此其只能在20mA的小電流及＜0.1W的條件下工作。而功率型(＞1W)LED若采用傳統(tǒng)的封裝形式，將會因?yàn)樯岵涣级鴮?dǎo)致芯片結(jié)溫迅速上升和環(huán)氧碳化變黃，造成器件的光衰減加速直至失效，甚至因?yàn)檠杆俚臒崤蛎浰a(chǎn)生的應(yīng)力造成開路而失效。因此傳統(tǒng)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)難以適應(yīng)高功率LED器件的散熱需要，無法獲得穩(wěn)定的光輸出和維持較高的器件壽命。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是，提供一種熱阻低、散熱良好的大功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
本實(shí)用新型的大功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括有一個金屬基板，在金屬基板上表面覆蓋有一層絕緣層，在絕緣層上粘貼有電極片和發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管與絕緣層結(jié)合的底面為光滑平面，發(fā)光二極管的管腳由側(cè)面伸出并與電極片焊接連接，所述金屬基板的底面上開有多條散熱槽。為進(jìn)一步減小熱阻，所述的絕緣層可采用薄膜結(jié)構(gòu)，以區(qū)別于公知技術(shù)中以PCB板作為絕緣層的結(jié)構(gòu)。
本實(shí)用新型由于改善了發(fā)光二極管、絕緣層及金屬基板的結(jié)合結(jié)構(gòu)，同時通過在金屬基板底面設(shè)置散熱槽以增加散熱面積，因此大大降低了整個產(chǎn)品封裝后的熱阻，提高了散熱性能。


圖1是本實(shí)用新型分層結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型的平面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖所示，本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)中包括有一個金屬基板1，金屬基板上表面覆蓋有薄膜狀的絕緣層2，在絕緣層上設(shè)置電極片3和發(fā)光二極管4。發(fā)光二極管的底面為光滑平面，而位于側(cè)面的管腳5與電極片焊接連接。金屬基板的底面上開有多條散熱槽6。
權(quán)利要求1.一種大功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括有一個金屬基板(1)，在金屬基板上表面覆蓋有一層絕緣層(2)，在絕緣層上粘貼有電極片(3)和發(fā)光二極管(4)，其特征是所述發(fā)光二極管與絕緣層結(jié)合的底面為光滑平面，發(fā)光二極管的管腳(5)由側(cè)面伸出并與電極片焊接連接，所述金屬基板的底面上開有多條散熱槽(6)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的大功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征是所述的絕緣層(2)為薄膜結(jié)構(gòu)。
專利摘要本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種大功率發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)包括有一個金屬基板，在金屬基板上表面覆蓋有一層絕緣層，在絕緣層上粘貼有電極片和發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管與絕緣層結(jié)合的底面為光滑平面，發(fā)光二極管的管腳由側(cè)面伸出并與電極片焊接連接，所述金屬基板的底面上開有多條散熱槽。本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)大大降低了整個產(chǎn)品封裝后的熱阻，提高了散熱性能。
文檔編號H01L33/00GK2798315SQ20052007047
公開日2006年7月19日 申請日期2005年4月4日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月4日
發(fā)明者彭國明, 吉愛華, 李明, 黃振春 申請人:江蘇奧雷光電有限公司