專利名稱：插入式混合集成電路老化試驗插座的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種微電子元器件老化測試裝置，尤其是能對雙列直插電子元器件進(jìn)行高溫老化試驗和測試的插入式混合集成電路老化試驗插座。
背景技術(shù)：
目前，公知的老化試驗插座本體材料采用的是非耐高溫普通工程塑料，在對被測器件進(jìn)行測試時，老化工作溫度僅為-25℃～85℃，且老化工作時間短暫，插座接觸件表面鍍銀，存在著與被測器件之間形成較大接觸電阻、一致性不高和使用壽命不長的重大缺陷。在我國微電子元器件可靠性領(lǐng)域新型高端雙列直插電子元器件因無高溫老化可靠性測試的專門裝置，不能滿足對器件性能指標(biāo)的測試要求，容易引發(fā)工程質(zhì)量事故。

發(fā)明內(nèi)容
為克服現(xiàn)有老化試驗插座在耐溫、接觸電阻和一致性以及使用壽命方面的不足，本實用新型提供一種高溫老化試驗插座。該插座不僅能將老化工作溫度范圍擴(kuò)大到-65℃～150℃，一次老化連續(xù)工作時間長達(dá)250小時，而且在被測試器件與插座匹配使用時，具有接觸電阻小、一致性高、方便使用、表面耐磨、零插撥力的優(yōu)點，大大延長了插座的使用壽命。
本實用新型解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是按照結(jié)構(gòu)設(shè)計的外型和尺寸要求，將插座設(shè)計成三大組成部分，即插座體、接觸件和鎖緊裝置。插座體本體材料選用進(jìn)口的PPS耐高溫型特種高溫工程材料，采用高溫注塑成型工藝技術(shù)制成插座本體；以鈹青銅(Qbe2)做接觸件和鎖緊裝置材料經(jīng)沖壓成形，在300℃高溫下沾火后，采用電鍍硬金層技術(shù)表面鍍金，達(dá)到降低接觸電阻、一致性高、表面耐磨和延長使用壽命的效果。
本實用新型的有益效果是可以滿足同類雙列直插電子元器件高溫老化試驗和性能測試，降低被測試元器件與插座匹配使用的接觸電阻，提高其一致性，且方便使用，壽命延長，可以獲得較大的經(jīng)濟(jì)效益和社會效益。
以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型作進(jìn)一步說明。


圖1是本實用新型的外型結(jié)構(gòu)縱剖面構(gòu)造圖圖2是本實用新型的俯視圖圖1中1 接觸件 2 接觸件 3 座 4 蓋 5 滑塊 6 手柄 7 檔塊 8 手柄球圖2中8 手柄球 9 螺絲 10 蓋具體實施方案在圖1中，先將滑塊(5)放入座(3)，接觸件(1)和接觸件(2)分別插入座(3)左右兩邊的凹槽內(nèi)，使接觸件(1)、(2)引出座(3)，將檔塊(7)鑲嵌于滑塊(5)的右側(cè)，手柄球(8)套裝于手柄(6)的平直端，手柄(6)嵌于座(3)和檔塊(7)之間，將蓋(4)按孔擺在座上。
用圖2中螺絲(9)將蓋(10)和圖1中的座(3)固定。該方案中，插座體用于被試器件的定位安裝，接觸件由中心對稱和細(xì)節(jié)距多引線的兩排鍍金弧形接觸件排列組成，與被試器件引出線相對應(yīng)，并嵌于插座體上，鎖緊裝置由滑塊、手柄組成。當(dāng)手柄受力向下翻轉(zhuǎn)90°時，即使滑塊產(chǎn)生移位，從而使接觸件鎖緊被試器件。這種推拉式結(jié)構(gòu)把接觸件設(shè)計成自鎖式，零插撥力結(jié)構(gòu)，以避免接觸件插撥磨損電鍍金層，影響接觸性能。
權(quán)利要求1.一種適用于插入式混合集成電路老化試驗插座，其特征是它由插座體、接觸件和鎖緊裝置三個部分裝配組成。
2.根據(jù)權(quán)利1所述的插入式混合集成電路老化試驗插座，其特征是插座體、接觸件和鎖緊裝置是一個統(tǒng)一整體，接觸件由中心對稱和細(xì)節(jié)距多引線的兩排鍍金弧形接觸件排列組成，分別插入座的左右兩邊凹槽內(nèi)，并引出底座。
3.根據(jù)權(quán)利1所述的插入式混合集成電路老化試驗插座，其特征是插座的鎖緊裝置由滑塊、手柄組成，以推拉式結(jié)構(gòu)把接觸件設(shè)計成自鎖式、零插撥力結(jié)構(gòu)。
專利摘要本實用新型涉及一種微電子元器件老化測試裝置，尤其能對雙列直插電子元器件進(jìn)行高溫老化試驗和測試的插入式混合集成電路老化試驗插座。它是由插座體、接觸件和緊鎖裝置三大部分部成。插座體用于被試器件的定位安裝，接觸件由中心對稱和細(xì)節(jié)距多引線的兩排鍍金弧形接觸件排列組成，與被試器件引出線相對應(yīng)，并鑲嵌于插座體內(nèi)，鎖緊裝置由滑、手柄組成，當(dāng)手柄受力向下翻轉(zhuǎn)90°時，即使滑塊產(chǎn)生移位，從而使接觸件鎖緊被試器件引出線，在高溫條件下完成老化試驗和測試。
文檔編號H01R13/42GK2786818SQ200520013610
公開日2006年6月7日 申請日期2005年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月28日
發(fā)明者曹宏國 申請人:曹宏國