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集成電路抗電蝕結構的制作方法

文檔序號:6857953閱讀:413來源:國知局
專利名稱:集成電路抗電蝕結構的制作方法
技術領域
本實用新型是有關一種抗電蝕結構,特別是有關一種制作簡便且有效增長電子元件使用壽命的集成電路杭電蝕結構。
背景技術
按,傳統(tǒng)在液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)與控制集成電路晶片(controller IC)的接合方式上,以往是以熱壓(heat seal)的結合方式將兩者接合。但隨著現(xiàn)今在線路的間距(pitch)日益縮小的情形下,發(fā)展出卷帶式封裝(Tape Automated Bonding,TAB)及玻璃覆晶(Chip On Glass,COG)的生產(chǎn)制程。
通常卷帶式封裝是IC晶片在晶圓廠完成后,請廠商在IC晶片上長全凸塊(Gold Bump),然后將長好全凸塊的晶片接合在軟板上,再將IC晶片以異方性導電膠膜(Anisotropic Conductive Film,ACF)為中間介面,接合在LCD的氧化銦錫(Indio Tin Oxide,ITO)端形成集成電路連接。然而此部分的連接方式在使用時,因本身電壓差及帶電離子累積的問題,造成此連接部分產(chǎn)生電蝕,使得在長期使用下ITO與ACF連接處容易斷裂,而此問題是目前業(yè)界急于解決的困擾。
有監(jiān)于此,本創(chuàng)人乃積多年從事于該項產(chǎn)品設計制造上的經(jīng)驗,不斷試驗改進,終于設計出一種制程簡便及成本低廉的集成電路抗電蝕結構,以有效解決上述的問題實用新型內容本實用新型的主要目的,是在提供一種集成電路抗電蝕結構,由設置一導線,將囤積的帶電離子導引至另一路徑,使電子元件的使用壽命增加。
根據(jù)本實用新型,一種集成電路抗電蝕結構,其特征在于,包括至少一集成電路,其表面上設有復數(shù)金屬凸塊復數(shù)導電電極,其是利用一導電膠使每一該導電電極一端分別連接至每一該金屬凸塊;以及復數(shù)導線,其二端是分別連接在每一該導電電極上,且該等導線一端是位于該導電膠內。
其中,該導電膠是為異方性導電膠膜。
其中,該金屬凸塊是為錫金屬及鉛金屬其中的一種。
其中,該導電電極是由氧化銦錫所構成。
其中還包括一載體,該等導電電極及該等導線設置在該載體上。
其中,該載體是為透明玻璃。
其中,該導線的材質是為氧化銦錫、金、銀、鋁及錫金屬其中的一種。


底下由具體實施例配合附圖詳加說明,當更容易了解本實用新型的目的、技術內容、特點及其所達成的功效,其中圖1為本實用新型的結構示意圖。
圖2為本實用新型的局部放大結構示意圖。
圖3為本實用新型的剖面示意圖。
圖4為本實用新型導出帶電離子的示意圖。
具體實施方式
本實用新型是一種集成電路抗電蝕結構,此種集成電路抗電蝕結構可應用于液晶顯示器制程中,請參閱圖1至圖3所示,此種集成電路抗電蝕結構包括一集成電路(Integrated Circuit,IC)10,在集成電路10表面上設有復數(shù)金屬凸塊12,此金屬凸塊12是為錫金屬及鉛金屬其中的一種。提供透明玻璃13的載體,在透明玻璃13上設有復數(shù)導電電極14,此導電電極14是由氧化銦錫(Indio Tin Oxide,ITO)所構成,利用一導電膠16將每一導電電極14的一端分別連接至每一金屬凸塊12上形成電性連接,其中導電膠16的材質是為異方性導電膠膜(Anisotropic Conductive Film,ACF),接著在每一導電電極14上分別設置一導線18,此導線18二端分別是連接在每一導電電極14上,且每一導線18一端是位于導電膠16內而另一端則曝露導電膠16外。其中此導線18的材質可選自為氧化銦錫、金、銀、鋁及錫金屬其中的一種。如此即完成集成電路抗電蝕結構。
本實用新型在使用時,請參閱圖4所示,由導電電極14通入電流,由導電膠16將電流輸入集成電路10的中,使集成電路10產(chǎn)生作動,而位于導電膠16與導電電極14的接合部分會因電壓差而產(chǎn)生帶電離子20的囤積,但由結構中的導線18將囤積的帶電離子20導出,而使帶電離子20不會產(chǎn)生囤積情形,進而防止電蝕的情況發(fā)生。
所以本實用新型藉由在導電電極14設置一導線18,使帶電離子20能適時導出而不會產(chǎn)生囤積情形,防止電蝕的情況發(fā)生,進而使電子元件使用壽命及經(jīng)濟效益增加。
惟以上所述的實施例僅為本實用新型的較佳實施例,由實施例說明本實用新型的特點,其目的在使熟習該技術者能了解本實用新型的內容并據(jù)以實施,并非用以局限本實用新型實施的范圍。凡是運用本實用新型申請專利范圍所述的構造、形狀、特征及精神所為的均等變化及修飾,皆應包括于本實用新型申請專利的范圍內。
權利要求1.一種集成電路抗電蝕結構,其特征在于,包括至少一集成電路,其表面上設有復數(shù)金屬凸塊復數(shù)導電電極,其是利用一導電膠使每一該導電電極一端分別連接至每一該金屬凸塊;以及復數(shù)導線,其二端是分別連接在每一該導電電極上,且該等導線一端是位于該導電膠內。
2.如權利要求1所述的集成電路抗電蝕結構,其特征在于,其中,該導電膠是為異方性導電膠膜。
3.如權利要求1所述的集成電路抗電蝕結構,其特征在于,其中,該金屬凸塊是為錫金屬及鉛金屬其中的一種。
4.如權利要求1所述的集成電路杭電蝕結構,其特征在于,其中,該導電電極是由氧化銦錫所構成。
5.如權利要求1所述的集成電路抗電蝕結構,其特征在于,其中還包括一載體,該等導電電極及該等導線設置在該載體上。
6.如權利要求5所述的集成電路抗電蝕結構,其特征在于,其中,該載體是為透明玻璃。
7.如權利要求1所述的集成電路杭電蝕結構,其特征在于,其中,該導線的材質是為氧化銦錫、金、銀、鋁及錫金屬其中的一種。
專利摘要本實用新型提供一種集成電路抗電蝕結構,其是包括至少一集成電路,此集成電路表面上設有復數(shù)金屬凸塊,每一金屬凸塊上分別利用導電膠連接復數(shù)導電電極的一端,且在每一導電電極上分別連接一導線二端,其中導線的一端是位于導電膠內。本實用新型由設置導線,將囤積的帶電離子導引至另一路徑,使液晶顯示器的使用壽命增加。
文檔編號H01L23/48GK2793922SQ20052000246
公開日2006年7月5日 申請日期2005年1月4日 優(yōu)先權日2005年1月4日
發(fā)明者曾榮祥, 楊慶曦, 何佩璋, 王譯賢 申請人:凌巨科技股份有限公司
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