專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制造方法、半導(dǎo)體裝置、及疊層半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法、半導(dǎo)體裝置、疊層半導(dǎo)體裝置、電路基板及電子機(jī)器。
背景技術(shù)：
近年來，在攜帶電話、筆記本型個(gè)人電腦、PDA(Personal dateassistance)等攜帶型電子機(jī)器中，隨著對小型化、輕量化要求的增加，求得了設(shè)置在內(nèi)部的半導(dǎo)體裝置等的各種電子機(jī)器的小型化。在這樣的背景下，提出了半導(dǎo)體裝置的三維實(shí)裝技術(shù)。該三維實(shí)裝技術(shù)是疊層具有同樣功能的各半導(dǎo)體裝置、和疊層具有不同功能的半導(dǎo)體裝置的技術(shù)。
另外，進(jìn)行了三維實(shí)裝的半導(dǎo)體裝置被期望是更小型且更薄的裝置。因此，特開2001-127206號公報(bào)公開的內(nèi)容是，作為制造薄的半導(dǎo)體裝置的方法，例如在半導(dǎo)體晶片上形成多個(gè)半導(dǎo)體裝置后，通過背磨(backgrind)而使半導(dǎo)體晶片的厚度變薄后，通過切割來切斷半導(dǎo)體晶片而使半導(dǎo)體裝置單片化的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
但是，在對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行背磨的出里面上，形成所謂破碎層的裂縫(crack)。該裂縫容易變成半導(dǎo)體晶片的割裂的起點(diǎn)，從而降低了半導(dǎo)體晶片自身的抗彎強(qiáng)度。另外，在通過切割來切斷半導(dǎo)體晶片而形成的半導(dǎo)體芯片(semiconductor chip)的側(cè)壁部上，產(chǎn)生了缺口或裂縫。因此，容易以上述的缺口或裂縫為起點(diǎn)而割裂半導(dǎo)體芯片，從而降低了具備該半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體裝置自身的強(qiáng)度。而且，通過切割而被切斷的半導(dǎo)體芯片的端緣部被形成為大致直角。這樣，由于在該端緣部上產(chǎn)生應(yīng)力集中，因此有容易在薄的半導(dǎo)體芯片上產(chǎn)生割裂或缺口、從而降低半導(dǎo)體裝置的強(qiáng)度的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述情況，其目的在于提供半導(dǎo)體裝置的制造方法、半導(dǎo)體裝置、疊層半導(dǎo)體裝置、電路基板及電子機(jī)器，其提高了對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行了單片化而得到的半導(dǎo)體芯片的強(qiáng)度。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括準(zhǔn)備包括多個(gè)半導(dǎo)體元件部的半導(dǎo)體晶片，在所述多個(gè)半導(dǎo)體元件部的能動面上形成孔部，在該孔部內(nèi)形成絕緣膜，在所述孔部內(nèi)埋入經(jīng)由該絕緣層從所述能動面突出的導(dǎo)電材料，而形成導(dǎo)電部的工序；在設(shè)置于所述半導(dǎo)體晶片能動面的元件區(qū)域外周的切斷區(qū)域上，形成沒有貫通所述半導(dǎo)體晶片的第一槽部的工序；經(jīng)由粘接層使半導(dǎo)體晶片和支撐體貼在一起，以使所述絕緣膜不漏出的方式，削掉與所述能動面相反側(cè)的背面，使所述半導(dǎo)體晶片的厚度變薄的工序；其后，在所述第一槽部的相反側(cè)的所述背面上，形成沒有貫通至該第一槽部的第二槽部的工序；從所述半導(dǎo)體晶片的背面通過各向同性蝕刻使所述絕緣膜漏出，使所述半導(dǎo)體晶片的厚度變薄，并通過連接所述第一槽部和所述第二槽部，從而分割所述多個(gè)半導(dǎo)體元件部而形成多個(gè)半導(dǎo)體芯片的工序；從所述背面通過蝕刻，使所述導(dǎo)電部從所述絕緣膜漏出，而在所述各半導(dǎo)體元件部上形成貫通電極的工序；通過從所述支撐體剝離所述半導(dǎo)體芯片，從而使所述多個(gè)半導(dǎo)體元件部單片化的工序。
在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，通過形成第一槽部和第二槽部而形成薄厚度部。通過各向同性蝕刻而使半導(dǎo)體晶片的厚度變薄的同時(shí)，溶解薄厚度部而連接所述第二槽部和第一槽部。半導(dǎo)體晶片的多個(gè)半導(dǎo)體元件部被分割成多個(gè)半導(dǎo)體芯片。通過各向同性蝕刻，來除去在例如通過研磨或磨光使半導(dǎo)體晶片的厚度變薄時(shí)而形成的裂縫(破碎層)。
另一方面，例如通過切割來形成第二槽部時(shí)，在第二槽部的內(nèi)壁面上會形成破碎層。因此，通過使用各向同性蝕刻來除去第二槽部的破碎層，除去在所述半導(dǎo)體芯片的背面的端緣部上產(chǎn)生的缺口(tipping)。
此時(shí)，通過各向同性蝕刻，所述半導(dǎo)體芯片的背面的端緣部被形成為彎曲狀。通過將半導(dǎo)體芯片的背面的端緣部形成為彎曲狀，可以緩和應(yīng)力集中，提高半導(dǎo)體芯片的強(qiáng)度。
另外，在所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選所述各向同性蝕刻是一邊使所述半導(dǎo)體晶片旋轉(zhuǎn)，一邊在該半導(dǎo)體晶片的背面上滴下蝕刻液的旋轉(zhuǎn)蝕刻。
這樣，在例如進(jìn)行濕蝕刻時(shí)，可以將蝕刻液均勻地涂抹在半導(dǎo)體晶片上，從而可以使半導(dǎo)體晶片的膜厚均勻地變薄。
另外，在所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選所述第二槽部的寬度比所述第一槽部的寬度窄。
形成在半導(dǎo)體芯片背面上的第二槽部形成在與于半導(dǎo)體芯片的能動面上形成的第一槽部的相反的位置上。因此，從鉛垂方向透視半導(dǎo)體晶片的情況，形成第二槽部的區(qū)域與形成第一槽部的區(qū)域重合，并且在形成第一槽部的區(qū)域內(nèi)側(cè)包括形成第二槽部的區(qū)域。
因此，即使第一槽部的中心位置和第二槽部的中心位置即使有一些誤差，在形成形成第一槽部的區(qū)域內(nèi)側(cè)也包括形成第二槽部的區(qū)域。不需要形成所述第二槽部時(shí)所需的高精度的定位精度，從而可以容易地形成第二槽部。
另外，在所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選包括形成所述第一槽部后，通過在該第一槽部中埋入樹脂而形成樹脂層的工序；通過所述各向同性蝕刻而使所述半導(dǎo)體晶片的厚度變薄的同時(shí)，使所述第二槽部到達(dá)所述樹脂層的工序；其后，切斷所述樹脂層而得到半導(dǎo)體芯片的工序；從所述支撐體剝離所述半導(dǎo)體芯片的工序。
但是，在例如通過切割來形成第一槽部時(shí)，在第一槽部的內(nèi)壁面上會形成裂縫。因此，通過在所述第一槽部內(nèi)埋入樹脂層，所述第一槽部的內(nèi)壁面上形成的裂縫由樹脂層覆蓋。由此，所述樹脂層防止裂縫的進(jìn)展。另外，所述樹脂層防止因裂縫而導(dǎo)致的半導(dǎo)體芯片的抗彎強(qiáng)度的降低。另外，由于所述樹脂層在半導(dǎo)體芯片的側(cè)壁部上，填埋了由第一槽部和第二槽部的寬度差而產(chǎn)生的階梯差，所以可以防止該階梯差帶來的半導(dǎo)體芯片的缺口。
另外，在所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選所述支撐體由具有透光性的材料制成。
由此，通過例如粘接支撐體的粘接層使用具有能通過紫外線照射降低粘著性的性質(zhì)的材料時(shí)，能夠容易地從支撐體剝離半導(dǎo)體晶片，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體裝置的單片化。
另外，在所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選所述粘接層通過被紫外線照射而降低粘著性。
由此，由于作為支撐體使用具有透光性的材料，因此能通過光的照射，從支撐體剝離半導(dǎo)體晶片，容易進(jìn)行半導(dǎo)體裝置的單片化。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，具備具有能動面、和位于與該能動面的相反側(cè)并彎曲了端緣部而形成的背面的半導(dǎo)體芯片；形成在所述半導(dǎo)體芯片的所述能動面上的集成電路；貫通所述半導(dǎo)體芯片，并向所述能動面以及所述背面突出的貫通電極。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，由于將半導(dǎo)體芯片背面的端緣部形成為彎曲狀，所以可以緩和所述端緣部的應(yīng)力集中。另外，即使半導(dǎo)體芯片的厚度變薄，也可以提高該半導(dǎo)體芯片的強(qiáng)度。
另外，在所述半導(dǎo)體裝置中，優(yōu)選所述半導(dǎo)體芯片能動面的端緣部由樹脂層覆蓋。
但是，在例如從半導(dǎo)體芯片的能動面進(jìn)行切割時(shí)，由于該切割而在能動面的端緣部上產(chǎn)生缺口或裂縫。根據(jù)本發(fā)明，由于樹脂層覆蓋產(chǎn)生缺口或裂縫的端緣部，所以可以增強(qiáng)半導(dǎo)體芯片，防止缺口或裂縫向半導(dǎo)體芯片的更深的內(nèi)部進(jìn)入，提高半導(dǎo)體芯片的強(qiáng)度。
本發(fā)明的疊層半導(dǎo)體裝置由疊層了多個(gè)所述的半導(dǎo)體裝置而構(gòu)成。
根據(jù)本發(fā)明的疊層半導(dǎo)體裝置，由于疊層了多個(gè)上述強(qiáng)度高的半導(dǎo)體裝置，所以提高了具備該裝置的疊層半導(dǎo)體裝置的強(qiáng)度，并提高了可靠性。
本發(fā)明的電路基板具備所述的半導(dǎo)體裝置、或所述的疊層半導(dǎo)體裝置。
根據(jù)本發(fā)明的電路基板，由于具備所述強(qiáng)度高的半導(dǎo)體裝置、或可靠性高的疊層半導(dǎo)體裝置，所以提高了具備該裝置的疊層半導(dǎo)體裝置的強(qiáng)度，并提高了可靠性。
本發(fā)明的電子機(jī)器，具備所述的電路基板。
根據(jù)本發(fā)明的電子機(jī)器，由于具備上述高的強(qiáng)度、高的可靠性的電路基板，所以提高了具備該裝置的電子機(jī)器自身的強(qiáng)度，提高了可靠性。


圖1是本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造所使用的半導(dǎo)體晶片的俯視圖。
圖2(a)至圖2(e)是說明在半導(dǎo)體芯片中埋入導(dǎo)電部時(shí)的工序的模式圖。
圖3(a)至圖3(c)是詳細(xì)說明導(dǎo)電部的制造工序的圖。
圖4(a)至圖4(b)是接著圖3的上述導(dǎo)電部的工序說明圖。
圖5(a)至圖5(b)是接著圖4的上述導(dǎo)電部的工序說明圖。
圖6(a)至圖6(b)是接著圖5的上述導(dǎo)電部的工序說明圖。
圖7(a)至圖7(c)是第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的工序說明圖。
圖8(a)至圖8(c)是第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的工序說明圖。
圖9(a)是半導(dǎo)體裝置的側(cè)截面圖，圖9(b)是半導(dǎo)體裝置的變形例。
圖10(a)至圖10(c)是第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的工序說明圖。
圖11(a)至圖11(d)是第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的工序說明圖。
圖12是第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的側(cè)截面圖。
圖13是表示本發(fā)明的疊層體的一個(gè)例子的側(cè)截面圖。
圖14是表示本發(fā)明的電路基板的一個(gè)例子的立體圖。
圖15是表示本發(fā)明的電子機(jī)器的一個(gè)例子的立體圖。
具體實(shí)施例方式
下面，對半導(dǎo)體裝置的制造方法、半導(dǎo)體裝置、疊層半導(dǎo)體裝置、電路基板及電子機(jī)器進(jìn)行說明。
首先，對本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置1的制造方法的一實(shí)施方式進(jìn)行說明。在說明上述半導(dǎo)體裝置1的制造方法時(shí)，對為了制造半導(dǎo)體裝置1而使用的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行說明。
圖1是表示為了制造本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置1而使用的、例如由Si(硅)制成的硅晶片(半導(dǎo)體晶片)100的俯視圖。在由該硅晶片11的能動面10A而成的面上，設(shè)置有多個(gè)半導(dǎo)體元件部80。多個(gè)半導(dǎo)體元件部80經(jīng)過形成貫通電極的工序、切斷硅晶片100的工序，從而各個(gè)半導(dǎo)體元件部80成為半導(dǎo)體芯片10。半導(dǎo)體裝置1包含半導(dǎo)體芯片10。
在各個(gè)半導(dǎo)體元件部80的能動面10A上，形成由晶體管、存儲元件、其他的電子元件和電氣布線以及電極極板等而成的電子電路。另一方面，也可以在作為與上述能動面10A相反側(cè)的背面(參照圖2)上形成這些電子電路。
在本實(shí)施方式中，硅晶片100中的能動面10A與半導(dǎo)體元件部80以及半導(dǎo)體芯片10中的能動面10A相同，能動面10A的相反側(cè)的背面10B與半導(dǎo)體元件部80以及半導(dǎo)體芯片10B相同。另外，所謂上述半導(dǎo)體芯片10是包括構(gòu)成半導(dǎo)體裝置1用的上述驅(qū)動電路等的元件基板。
圖2(a)至圖2(e)是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置1的制造方法中，在上述半導(dǎo)體芯片10上埋入導(dǎo)電部的工序的模式圖。另外，圖3至圖6是詳細(xì)表示本實(shí)施方式的通過半導(dǎo)體裝置1的制造方法進(jìn)行處理的半導(dǎo)體芯片10的表面部分的截面圖。另外，在圖2至圖7所示的形成貫通電極的工序中，對在半導(dǎo)體元件部80上形成貫通電極12的情況進(jìn)行說明。
圖2(a)是圖1所示的上述半導(dǎo)體元件部80的大致截面圖。另外，圖3(a)是圖2(a)的標(biāo)記符號B所示的地方的放大圖。
首先，如圖3(a)所示，按照順序在硅晶片100的上述半導(dǎo)體元件部80上形成由SiO2制成的絕緣膜13以及由硼磷硅酸玻璃(BPSGBorondoped Phospho-Silicate Glass)制成的層間絕緣膜14。
然后，在該層間絕緣膜14上的一部分上形成電極極板16。該電極極板16被構(gòu)成為，按照順序疊層形成由Ti(鈦)制成的第一層16a、由TiN(氮化鈦)制成的第二層16b、由AlCu(鋁/銅)制成的第三層16c、以及由TiN制成的第四層(蓋層)16d。另外，上述電極極板16，與在沒有圖示處形成在半導(dǎo)體元件部80的能動面10A上的電子電路電連接。另外，在電極極板16的下方?jīng)]有形成電子電路。
上述電極極板16通過例如噴鍍，在層間絕緣膜14上的整個(gè)面上形成由第一層16a、第二層16b、第三層16c、以及第四層16d構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)，使用抗蝕劑等通過進(jìn)行圖案形成而被形成為規(guī)定的形狀(例如圓形形狀)。另外，在本實(shí)施方式中，雖然舉出通過上述的疊層結(jié)構(gòu)而形成電極極板16的情況的例子來進(jìn)行說明，但也可以僅以電阻低的銅的單層結(jié)構(gòu)來形成電極極板16。另外，電極極板16并不限定與上述的結(jié)構(gòu)，也可以對應(yīng)所需的電特性、物理特性、以及化學(xué)特性進(jìn)行適當(dāng)?shù)淖兏?br> 另外，在上述層間絕緣膜14上，形成用于覆蓋電極極板16的一部分的鈍化膜19。作為有選方式，該鈍化膜19由SiO2(氧化硅)、SiN(氮化硅)、聚酰亞胺樹脂等形成，或者是在SiN上疊層SiO2的結(jié)構(gòu)，或者在SiO2上疊層SiN的結(jié)構(gòu)。
另外，如圖2(b)所示，在半導(dǎo)體元件部80的能動面10A上形成孔部H3。這里，參照圖3至圖5對形成孔部H3的工序進(jìn)行詳細(xì)說明。
首先，通過旋轉(zhuǎn)涂膠法、傾倒法、噴涂法等的方法，在鈍化膜19的整個(gè)面上涂抹抗蝕劑。其后，在鈍化膜19上涂抹抗蝕劑，進(jìn)行預(yù)焙。其后，使用形成了規(guī)定的圖案的掩膜來進(jìn)行曝光處理以及顯影處理，并對抗蝕劑進(jìn)行圖案處理以形成規(guī)定的形狀。另外，抗蝕劑的形狀被設(shè)定成與電極極板16的開口形狀以及半導(dǎo)體元件部80上所形成的孔的截面形狀。在對抗蝕劑進(jìn)行完圖案形成后進(jìn)行后烘焙。接著，如圖3(b)所示，例如利用干蝕刻，在覆蓋電極極板16的鈍化膜19的一部分上形成開口部H1。形成在該鈍化膜19上的開口部H1的截面形狀被設(shè)定成與電極極板16的開口形狀以及半導(dǎo)體元件部80上所形成的孔的截面形狀向?qū)?yīng)。
接著，將形成開口部H1的鈍化膜19上的抗蝕劑作為掩膜，利用干蝕刻對電極極板16進(jìn)行開口。如圖3(c)是表示使電極極板16開口而形成開口部H2狀態(tài)的截面圖。另外，在圖3(a)至圖3(c)的圖中省略抗蝕劑。如圖3(c)所示，形成在鈍化膜19上的開口部H1的直徑和形成在電極極板16上的開口部H2的直徑大致相同。
而且，將上述的工序中所使用的抗蝕劑作為掩膜，接著對層間絕緣膜14以及絕緣膜13進(jìn)行蝕刻，如圖4(a)所示，使半導(dǎo)體元件部80露出。圖4(a)是表示對層間絕緣膜14以及絕緣膜13進(jìn)行蝕刻而使半導(dǎo)體元件部80的一部分露出狀態(tài)的截面圖。之后，形成在鈍化膜19上的、作為開口掩膜而使用的抗蝕劑利用剝離液或灰化(ashing)等而被剝離。
另外，在上述過程中，使用相同的抗蝕劑掩膜并反復(fù)進(jìn)行蝕刻，但在各蝕刻工序結(jié)束后，自不用說也可以重新對抗蝕劑進(jìn)行圖案形成。
作為接下來的工序，將鈍化膜19作為掩膜，進(jìn)行干蝕刻，如圖4(b)所示，在半導(dǎo)體元件部80上穿孔。作為干蝕刻，可以采用RIE(ReactiveIon Etching)、ICP(Inductively Coupled Plasma)。
如圖4(b)所示，由于將鈍化膜19作為掩膜并在半導(dǎo)體元件部80上穿孔，所以形成半導(dǎo)體元件部80上的孔部H3的直徑和形成在鈍化膜19上的開口部H1的直徑大致相同。其結(jié)果是，形成在鈍化膜19上的開口部H1的直徑、形成在電極極板16上的開口部H2、以及形成在半導(dǎo)體80上的孔部H3的直徑大致相同。另外，孔部H3的深度適當(dāng)?shù)乇辉O(shè)定成與最終形成的半導(dǎo)體芯片的厚度相對應(yīng)。
接著，如圖2(b)所示，在鈍化膜19的上面、和孔部H3的內(nèi)壁以及底面上形成絕緣膜20。圖5(a)是表示在電極極板16的上方、和孔部H3的內(nèi)壁以及底面上形成絕緣膜20狀態(tài)的截面圖。該絕緣膜20是用于防止電流泄漏的發(fā)生、因氧以及水分等而對半導(dǎo)體元件部80的浸蝕等而被設(shè)置的。作為絕緣膜20的材料，采用通過使用PECVD(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition)而形成的正硅酸四乙基(Tetra Ethyl OrthoSilicateSi(OC2H5)4以下，稱作TEOS)即PE-TEOS、以及通過使用臭氧CVD而形成的TEOS即O3-TEOS。另外，也可以采用通過使用CVD而形成的氧化硅。
接著，通過旋轉(zhuǎn)涂膠法、傾倒法、噴涂法等的方法，在鈍化膜19的整個(gè)面上涂抹抗蝕劑(沒有圖示)。
其后，進(jìn)行預(yù)焙，并使用形成規(guī)定的圖案的掩膜并進(jìn)行曝光處理以及顯影處理，并對抗蝕劑進(jìn)行圖案形成而形成抗蝕劑的開口部。該抗蝕劑的開口部形成在形成于孔部H3的周圍的電極極板16的上方?？刮g劑開口部以將孔部H3作為中心的環(huán)狀形成。接著，對進(jìn)行了圖案化的抗蝕劑進(jìn)行后烘焙。其后，通過例如干蝕刻除去覆蓋電極極板16的一部分的絕緣膜20以及鈍化膜19，并對電極極板16的一部分進(jìn)行開口。這樣，也一并除去構(gòu)成電極極板16的第四層16d的一部分。
圖5(b)是表示除去了覆蓋電極極板的絕緣膜20以及鈍化膜19的一部分狀態(tài)的截面圖。如圖5(b)所示，在電極極板16的上面(第三層16c的上面)形成開口部H4。因該開口部H4，電極極板16的第三層16c露出。通過形成該開口部H4，從而可以連接后述的貫通電極(電極部)12和電極極板16。另外，也可以在形成孔部H3部位以外的部位上形成開口部H4。另外，也可以使開口部H4和孔部H3相鄰。
接著，如圖6(a)所示，在半導(dǎo)體元件部80的能動面10A上形成襯底膜26。這里，由于襯底膜26被形成在半導(dǎo)體元件部80的上面的整個(gè)面上，所以在電極極板16的露出部、孔部H3的內(nèi)壁以及底部上也形成襯底膜26。襯底膜26由阻擋層以及種層形成。形成襯底膜26的工序是，首先形成阻擋層，其后，在該阻擋層上形成種層。阻擋層是例如TiW層，種層是Cu。這些是使用例如IMP(Ion Metal Plasma離子金屬等離子區(qū))法、或者真空蒸鍍、噴鍍、離子電鍍等的PVD(Physical Vapor Deposition)法而形成。為了充分蓋住電極極板16和絕緣膜20的階梯差ST，上述襯底膜26被連續(xù)形成在電極極板16上和絕緣膜20上(包括孔部H3的內(nèi)部)。這里，所謂階梯差ST是指因電極極板16的第三層16c的上面高度和絕緣膜20的上面高度之差而產(chǎn)生的階梯差。
當(dāng)形成完襯底膜26后，如圖2(c)所示，在半導(dǎo)體元件部80的能動面10A上涂抹電鍍抗蝕劑。其后，通過對電鍍抗蝕劑進(jìn)行圖案形成，從而形成僅開口了形成導(dǎo)電部24部分的電鍍抗蝕劑圖案56。另外，圖2(c)至圖2(e)中，省略了上述襯底膜26的圖示。其后，進(jìn)行Cu電解電鍍，如圖2(d)所示，在半導(dǎo)體元件部80的孔部H3以及電鍍抗蝕劑圖案56的開口部上埋入作為導(dǎo)電材料的Cu(銅)，形成導(dǎo)電部24。
形成上述導(dǎo)電部24后，如圖2(e)所示，剝離半導(dǎo)體元件部80上所形成的電鍍抗蝕劑圖案56。然后，除去由電鍍抗蝕劑圖案56覆蓋的襯底膜26。這里，由于襯底膜26是具有導(dǎo)電性的膜，所以如圖6(a)所示，若襯底膜26殘留，則因?yàn)樵撘r底膜26，形成在基板10上的全部的導(dǎo)電部24被導(dǎo)通。因此，除去襯底膜26不要的部分而使各自的導(dǎo)電部24間電絕緣。所謂襯底膜26不要的部分是指例如露出在表明的部分。另外，圖6(b)是詳細(xì)表示上述導(dǎo)電部24的機(jī)構(gòu)的截面圖。該導(dǎo)電部24是向半導(dǎo)體元件部80的能動面10A突出的突起，并且其一部分被埋入半導(dǎo)體元件部80內(nèi)。另外，如圖6(b)所示，在標(biāo)記符號C處，導(dǎo)電部24與電極極板16電連接。
(第一槽部的形成工序)接著，如圖7(a)所示，使用切割刀片(沒有圖示)，在硅晶片100的能動面10A的元件區(qū)域外周上所設(shè)置的切斷區(qū)域上，形成不貫通硅晶片的第一槽部22。另外，所謂上述切斷區(qū)域是指上述硅晶片100上所設(shè)置的臨接的半導(dǎo)體元件部80間的間隙S(參照圖1)。
(使半導(dǎo)體芯片的膜厚變薄的工序)接著，如圖7(b)所示，使紫外線(UV光)反應(yīng)型的粘接層17介于其間，并將上述半導(dǎo)體芯片10的能動面10A貼在透光性的玻璃板(支撐體)200上。這里，紫外線反應(yīng)型的上述粘接層17因紫外線的照射而使粘著性降低。因此，使紫外線透過支持硅晶片100的透光性的玻璃板200而進(jìn)行照射后，粘接層17與紫外線反應(yīng)而使粘著性降低，從而可以容易地剝離貼在上述玻璃板200上的硅晶片100。
上述玻璃板200為WSS(Wafer Support System)的一形態(tài)，半導(dǎo)體芯片(硅晶片)10由玻璃板200支持。而且，在將硅晶片100貼在玻璃板200上的狀態(tài)下，對硅晶片100進(jìn)行背磨，而使硅晶片100的膜厚變薄。作為所述背磨，例如使用研磨處理、或磨光處理等的薄型加工等。另外，上述的背磨在不使該導(dǎo)電部24露出的情況下進(jìn)行，以使設(shè)置在半導(dǎo)體芯片10上的導(dǎo)電部24不受到破損。
(第二槽部的形成工序)接著，如圖8(a)所示，在半導(dǎo)體芯片10的背面10B上形成第二槽部23。在此，由于與上述第一槽部22同樣使用切割刀片，從而形成第二槽部23。第二槽部23被形成在半導(dǎo)體芯片的能動面10A上所形成的第一槽部22的相反的位置上。另外，上述的第二槽部23的內(nèi)壁面23a，是由后述的濕式蝕刻而形成的半導(dǎo)體芯片10的側(cè)壁部10C的一部分。
在此，在上述第一槽部22的寬度和第二槽部23的寬度不同的情況，當(dāng)連接上述第一槽部22和上述第二槽部23時(shí)(參照圖8(b))，在半導(dǎo)體芯片10的側(cè)壁部10C上產(chǎn)生階梯差。因此，在該階梯差部分上，上述半導(dǎo)體芯片10產(chǎn)生缺口，所以有可能降低半導(dǎo)體芯片10的強(qiáng)度。因此，在本實(shí)施方式中，上述第一槽部22的寬度和上述第二槽部23的寬度大致相等。另外，上述所謂的大致相等，只要是在上述側(cè)壁部10C上不產(chǎn)生缺口程度的階梯差，也可以使上述第二槽部23的寬度比上述第一槽部22的寬度窄。這樣，在形成上述第二槽部23時(shí)，可容許一些位置的偏差，從而在形成上述第二槽部23時(shí)，可容易地進(jìn)行對位。
此時(shí)，在被進(jìn)行背磨的半導(dǎo)體芯片10的背面10B上形成稱作破碎層的裂縫。該破碎層容易變成割裂的起點(diǎn)而降低半導(dǎo)體芯片10的抗彎強(qiáng)度。另外，在上述第二槽部23的面上也同樣產(chǎn)生裂縫。
另外，由所述第二槽部23，半導(dǎo)體芯片10的與背面10B的端緣部23b產(chǎn)生被稱作碎片(chipping)的缺口。
上述的裂縫以及缺口使得半導(dǎo)體芯片10的強(qiáng)度降低。另外，由于上述的裂縫較深地進(jìn)入刀半導(dǎo)體芯片10的內(nèi)部，從而容易基板的割裂，導(dǎo)致半導(dǎo)體芯片10的抗彎強(qiáng)度降低。
因此，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置1的制造方法，接下來的工序是，從硅晶片100的背面10B實(shí)施各向同性蝕刻，并使硅晶片100的厚度變薄，使覆蓋上述導(dǎo)電部24的絕緣膜20露出(參照圖8(b))。另外，各向同性蝕刻優(yōu)選采用濕蝕刻法。
另外，在本實(shí)施方式中，作為濕蝕刻的具體方法采用旋轉(zhuǎn)蝕刻法，采用該旋轉(zhuǎn)蝕刻法，一邊旋轉(zhuǎn)上述硅晶片100的同時(shí)，在硅晶片100的背面10b上滴下由例如氫氟酸和硝酸的混合液而成的蝕刻液。從而變薄半導(dǎo)體晶片的厚度。
另外，如圖8(a)所示，由于形成了第一槽部22、在與該第一槽部22的相反側(cè)上的第二槽部23，所以在硅晶片100上形成了薄厚度部100A。該薄厚度部100A的厚度被形成為與硅晶片100的厚度相比足夠薄。因此，通過濕蝕刻來融解薄厚度部100A，上述第二槽部23和第一槽部22連接，從而分割成多個(gè)半導(dǎo)體元件部80。
如上述通過實(shí)施濕蝕刻，可以除去形成在硅晶片100的背面10B或第二槽部23的內(nèi)壁面23a上的裂縫或缺口。另外，由于濕蝕刻是各向同性蝕刻，所以上述半導(dǎo)體芯片10的背面10B的端緣部23b被形成為彎曲狀(參照圖8B)。因此，可以防止向半導(dǎo)體芯片10的背面10B的端緣部23b的應(yīng)力集中。
接著，如圖8(c)所示，通過例如干蝕刻上述硅晶片100的背面10B，從而除去絕緣膜20，使導(dǎo)電部24露出而形成貫通電極12。該貫通電極12從半導(dǎo)體芯片10的能動面10A以及背面10B突出。
由于在各半導(dǎo)體芯片10上形成半導(dǎo)體裝置1，從而由1個(gè)硅晶片100形成了多個(gè)半導(dǎo)體裝置1。
下面，對剝離半導(dǎo)體裝置1的工序進(jìn)行說明。
上述硅晶片100由于按上述方式經(jīng)由粘接層17貼在玻璃板200上，所以上述各半導(dǎo)體芯片10被保持在上述玻璃板200上。
首先，透過上述玻璃板200將紫外線照射在粘接層17上。如上所述，粘接層17與紫外線反應(yīng)而使粘著性降低。從而可以容易地剝離貼在上述玻璃板200上的上述半導(dǎo)體芯片10，使半導(dǎo)體芯片10單片化，可以得到多個(gè)半導(dǎo)體裝置1(參照圖9)。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置1的制造方法，通過濕蝕刻可以使薄厚度部100A融解，從而能連接第一槽部22和第二槽部23。另外，可以除去形成在硅晶片100的背面10B、以及第二槽部23的內(nèi)壁面23a上的破碎層。另外，在硅晶片100上，可以逐個(gè)分割形成貫通電極12的多個(gè)半導(dǎo)體元件部80。通過從玻璃板200剝離硅晶片100，可以使多個(gè)半導(dǎo)體芯片10單片化，從而形成被單片化了的半導(dǎo)體裝置1。
下面，對通過本實(shí)施方式制造的本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置1進(jìn)行說明。
圖9(a)以及圖(b)表示了本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置1的側(cè)截面圖。
如圖9(a)所示，上述半導(dǎo)體裝置1具備矩形(參照圖1)的半導(dǎo)體芯片10、設(shè)置在該半導(dǎo)體芯片10上的貫通電極12。通過上述的半導(dǎo)體裝置1的制造方法、通過對硅晶片100進(jìn)行蝕刻而形成上述半導(dǎo)體芯片10。上述貫通電極12貫通了上述半導(dǎo)體芯片10的能動面10A、與該能動面10A的相反側(cè)的背面10B，上述半導(dǎo)體芯片10的能動面10A形成了由晶體管、存儲元件、及其他的電子元件而成的集成電路。
上述貫通電極12，例如在俯視的狀態(tài)下，可以以沿上述半導(dǎo)體芯片10的四邊排列的狀態(tài)而形成，可以沿半導(dǎo)體芯片10上的相對的兩個(gè)邊而形成，或者也可以只在半導(dǎo)體芯片10上形成一個(gè)。
在上述半導(dǎo)體芯片的背面10B的端緣部23b上形成有彎曲部21。上述彎曲部21緩和向半導(dǎo)體芯片10的背面10B的端緣部23b的應(yīng)力集中。另外，如圖9(a)所示，上述半導(dǎo)體芯片10的側(cè)壁部10C的表面被形成為平坦的面。另外，如上所述，在沒有產(chǎn)生缺口的情況下，如圖9(b)所示，在上述的半導(dǎo)體裝置1的制作工序中，可以將上述第一槽部22的寬度形成為比上述第二槽部23的寬度大，并形成階梯狀的階梯差。
此時(shí)，如圖9(b)所示，在階梯狀的半導(dǎo)體芯片10的角部10D上，通過濕蝕刻而形成彎曲部21。因此，由于緩和了半導(dǎo)體芯片10的角部10D的應(yīng)力集中，從而能防止上述半導(dǎo)體芯片10的缺口。
在上述貫通電極12上，形成在能動面10A上的第一電極部12A比形成在背面10B上的第二電極部12B大，在俯視的狀態(tài)下，被形成為圓形或矩形等。另外，在上述半導(dǎo)體芯片10上形成有用于形成上述貫通電極12的孔部H3。
通過在上述孔部H3上設(shè)置了絕緣膜20，從而使上述貫通電極12和上述半導(dǎo)體芯片10的硅部分電絕緣。另外，上述貫通電極12與電極極板16連接著，并與設(shè)置在半導(dǎo)體芯片10上的上述集成電路電連接。另外，上述半導(dǎo)體裝置1經(jīng)由上述貫通電極12，可以導(dǎo)通半導(dǎo)體芯片10的能動面10A上的第一電極部12A和背面10B上的第二電極部12B。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置1，由于半導(dǎo)體芯片10的背面10B的端緣部23b彎曲，所以能緩和上述端緣部23b處的應(yīng)力集中，從而可以提高半導(dǎo)體芯片的強(qiáng)度。另外，由于在上述第二槽部23的半導(dǎo)體芯片10的側(cè)壁部10C的端緣部23b上可除去碎片，并能除去形成在上述側(cè)壁部10C上的破碎層，所以可以提高半導(dǎo)體芯片10的抗彎強(qiáng)度。也可以提高具備該半導(dǎo)體芯片10的半導(dǎo)體裝置1的強(qiáng)度。
(第二實(shí)施方式)下面，對本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置2的制造方法如下的方法，即，當(dāng)通過上述的第一實(shí)施方式的制造工序來形成上述第一槽部22、在該第一槽部22中埋入樹脂層25后，由硅晶片100使半導(dǎo)體裝置1單片化。因此，對形成上述樹脂層25以后的工序進(jìn)行詳細(xì)說明，省略關(guān)于其他工序的說明。另外，在表示制造上述半導(dǎo)體裝置1中間工序的圖10(a)至圖10(c)以及圖11(a)至圖11(d)中，與上述實(shí)施方式同樣，圖示了在硅晶片100上的臨接的半導(dǎo)體元件部80上形成半導(dǎo)體裝置1的工序，以及進(jìn)行單片化的工序。
首先，與上述第一實(shí)施方式同樣，形成貫通電極極板16的孔部H3，該電極極板16被設(shè)置在由硅晶片100而成的半導(dǎo)體芯片10的能動面10A上。
然后，在孔部H3中形成絕緣膜20，并在上述孔部H3的內(nèi)側(cè)埋入由銅(Cu)制成的導(dǎo)電部24。由此，形成在電極極板16上突出的導(dǎo)電部24。
形成了上述導(dǎo)電部24后，使用切割刀片(沒有圖示)從半導(dǎo)體芯片10的能動面10A上形成有開口的第一槽部22。第一槽部22沒有貫通硅晶片100。這里，在上述第一槽部22的內(nèi)壁面22a上產(chǎn)生裂縫(沒有圖示)，在上述第一槽部22和半導(dǎo)體芯片10能動面10A的端緣部22b上產(chǎn)生由切割刀片帶來的缺口(沒有圖示)。
(埋入樹脂層的工序)與上述的第一實(shí)施方式同樣，在形成第一槽部22后，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，如圖10(a)所示，通過在上述第一槽部22中埋入樹脂而形成樹脂層25。作為構(gòu)成上述樹脂層25的樹脂，優(yōu)選針對進(jìn)行后述的旋轉(zhuǎn)蝕刻時(shí)而使用的蝕刻液(氟酸和硝酸的混合液)具有耐性的樹脂，例如使用環(huán)氧樹脂。
通過在上述第一槽部22埋入樹脂層25而形成在上述第一槽部22內(nèi)壁面22a上的裂縫由樹脂層25覆蓋。因此，上述樹脂層25防止裂縫進(jìn)展。
(使半導(dǎo)體芯片的厚度變薄的工序)接著，如圖10(b)所示，使反應(yīng)型的粘接層17介于紫外線(UV光)中，并將上述硅晶片100的能動面10A貼在具有透光性的玻璃板200上。
然后，如圖10(c)所示，以將半導(dǎo)體芯片10貼在玻璃板200上的狀態(tài)，通過對硅晶片100的背面(10B)進(jìn)行背磨，與上述第一實(shí)施方式同樣使硅晶片100變薄。
接著，如圖11(a)所示，在作為上述樹脂層25的正上的上述硅晶片100背面10B上，利用切割刀片形成沒有到達(dá)上述樹脂層25的第二槽部23。
此時(shí)，優(yōu)選上述第二槽部23的寬度比上述第一槽部22的寬度窄。具體而言，在從鉛垂方向透視硅晶片100的情況下，形成第二槽部23的區(qū)域與形成第一槽部22重合，在形成第一槽部22的區(qū)域內(nèi)側(cè)包含形成第二槽部23的區(qū)域。
即，當(dāng)在硅晶片100上形成上述第二槽部23時(shí)，即使第一槽部22的中心位置和第二槽部23的中心位置有一些偏差，在形成第一槽部22的區(qū)域內(nèi)側(cè)也包含形成形成第二槽部23的區(qū)域?？梢圆恍枰纬傻诙鄄?3所需的高精度的定位精度，從而可容易地形成第二槽部23。并且通過濕蝕刻可以可靠地貫通上述第二槽部23和上述第一槽部22。
在此，于經(jīng)過了背磨的硅晶片100的背磨10B上產(chǎn)生了裂縫。另外，在上述第二槽部23的內(nèi)壁面23a(半導(dǎo)體芯片10的側(cè)壁部10C)上也同樣產(chǎn)生了裂縫。在上述第二槽部23和半導(dǎo)體芯片10背面10B的端緣部23B上，由切割刀片產(chǎn)生缺口。
作為接下來的工序與上述實(shí)施方式一樣，如圖11(b)所示，通過濕蝕刻而使覆蓋上述導(dǎo)電部24的絕緣膜20從硅晶片100的背面10B露出，使硅晶片100的厚度變薄。此時(shí)，通過采用旋轉(zhuǎn)蝕刻法，可以使硅晶片100的厚度均勻地變薄。
由于上述樹脂層25具有針對蝕刻液的耐性，濕蝕刻止于上述樹脂層25。這樣，由于上述的濕蝕刻是各向同性的，因此除去了形成在上述第一槽部22的內(nèi)壁面22a上的缺口。
通過上述的濕蝕刻，在半導(dǎo)體芯片10背面10B的端緣部23b上形成半導(dǎo)體芯片10的彎曲部21。因此，方式向端緣部23b的應(yīng)力集中。
接著，如圖11(c)所示，采用切割刀片或激光來切斷上述樹脂層25。在此，通過以與上述第二槽部23的寬度對應(yīng)的寬度來切斷上述樹脂層25而在半導(dǎo)體裝置2的側(cè)壁部10C上形成平坦面。
接著，從上述玻璃板200上剝離半導(dǎo)體芯片10。首先，使紫外線透過上述玻璃板200照射在粘接層17上。粘著上述玻璃板200和上述半導(dǎo)體芯片10的粘接層17與紫外線反應(yīng)而使粘著性降低。從而可以容易地剝離粘著在上述玻璃板200上的上述半導(dǎo)體芯片10。通過從上述玻璃板200上剝離上述半導(dǎo)體芯片10，可以使在半導(dǎo)體芯片10上具備貫通電極12的半導(dǎo)體裝置(參照圖12)單片化。
根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置2的制造方法，除了具有與上述第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置1的制造方法相同的效果外，由于上述第二槽部23的寬度比上述第一槽部22的寬度窄，所以即使形成第二槽部的位置有一些偏差，也可以容易地進(jìn)行向上述第一槽部22的對位。因此，容易進(jìn)行形成上述第二槽部23時(shí)的定位。另外，通過將樹脂層25埋入由切割刀片形成的裂縫中，來覆蓋形成在上述第一槽部22面上的裂縫。因此，上述樹脂層25防止裂縫進(jìn)展。因此，可以防止通過切斷上述樹脂層25而形成的半導(dǎo)體芯片10的、因上述裂縫而導(dǎo)致的抗彎強(qiáng)度的降低。另外，雖然因上述第一槽部22的寬度和第二槽部23的寬度之差而在半導(dǎo)體芯片的側(cè)壁部10C上形成階梯差，但上述樹脂層25可以覆蓋、填埋階梯差。因此，可以防止因上述階梯差而在半導(dǎo)體芯片10上產(chǎn)生缺口。
而且，通過從玻璃板200剝離上述半導(dǎo)體芯片10，可以得到具備提高了強(qiáng)度的半導(dǎo)體芯片10的半導(dǎo)體裝置2。
下面對由第二實(shí)施方式制造的本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行說明。
圖12表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的側(cè)截面圖，圖中符號2是半導(dǎo)體裝置。另外，關(guān)于本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置2與上述實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置1同一結(jié)構(gòu)的部分，使用同一符號進(jìn)行說明。
如圖12所示，上述半導(dǎo)體裝置2具備矩形的半導(dǎo)體芯片10、及設(shè)置在該半導(dǎo)體芯片10上的貫通電極12。
在上述半導(dǎo)體芯片10背面10B的端緣部23b上形成彎曲部21。通過該彎曲部21能緩和端緣部23b的應(yīng)力集中。而且，在半導(dǎo)體裝置2中，由樹脂層25覆蓋上述能動面10A的端緣部23b。
關(guān)于其他的詳細(xì)結(jié)構(gòu)，由于與上述第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置1相同，所以省略說明。
該結(jié)構(gòu)中的上述半導(dǎo)體裝置2經(jīng)由上述貫通電極12可以導(dǎo)通半導(dǎo)體芯片10的能動面10A的第一電極部12A和背面10B的第二電極部12B。
根據(jù)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置2，在上述半導(dǎo)體芯片10的能動面10A的端緣部22B上，樹脂層25覆蓋在切割處理面上產(chǎn)生的缺口、裂縫。
因此，通過樹脂層25可增強(qiáng)半導(dǎo)體芯片10，可以防止因上述缺口、以及另外而導(dǎo)致的半導(dǎo)體芯片10的強(qiáng)度的降低。即，可以提高半導(dǎo)體芯片10的抗彎強(qiáng)度，可以實(shí)現(xiàn)強(qiáng)度高、且有可靠性的半導(dǎo)體裝置2。
另外，本發(fā)明并非限于上述實(shí)施方式，也可進(jìn)行各種變更。例如，在本實(shí)施方式中，關(guān)于貫通電極12的形狀，雖然對向能動面10A突出的第一電極12A的大小和向背面10B突出的第二電極12B的大小不同的情況進(jìn)行了說明，但也可以在能動面10A和背面10B上將貫通電極12形成為同一形狀，或?qū)⒇炌姌O形成為各種形狀。
下面，對疊層多個(gè)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置1的疊層半導(dǎo)體裝置3進(jìn)行說明。
圖13是表示上述疊層半導(dǎo)體裝置3的模式圖。
如圖13所示，在上述疊層半導(dǎo)體裝置3中，使上述半導(dǎo)體裝置1的能動面10A朝向下方(圖13中-Z方向)，使向能動面10A突出的第一電極12A和向背面突出的第二電極12B介于焊錫層40并使它們連接在一起。另外，雖然圖13圖示了疊層多個(gè)上述第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置1的疊層半導(dǎo)體裝置3，但該疊層半導(dǎo)體裝置3也可以是疊層多個(gè)上述第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置2的結(jié)構(gòu)。
這樣，作為疊層半導(dǎo)體裝置1的方法，舉出了作為熱源例如使用焊頭，在溶化上述焊錫層40后，使其固化(硬化)而進(jìn)行實(shí)裝的方法。
另外，也可以通過在被疊層的多個(gè)半導(dǎo)體裝置1之間填充絕緣性的底層填料(underfill沒有圖示)，從而提高疊層半導(dǎo)體裝置3的強(qiáng)度，使貫通電極12間的接合以外的地方電絕緣。
另外，也可以在疊層多個(gè)半導(dǎo)體裝置1時(shí)疊層每一層的半導(dǎo)體裝置1，也可以通過使用回流(reflow)一并疊層半導(dǎo)體裝置1而形成疊層半導(dǎo)體裝置3。
在本發(fā)明的疊層半導(dǎo)體裝置3中，如上所述，由于疊層了多個(gè)強(qiáng)度高的半導(dǎo)體裝置1，因此提高了具備該半導(dǎo)體裝置1的疊層半導(dǎo)體裝置2的強(qiáng)度，提高了可靠性。
另外，在本實(shí)施方式的疊層半導(dǎo)體裝置3中，雖然疊層了多個(gè)上述半導(dǎo)體裝置1，但也可以是例如在上述半導(dǎo)體裝置1上疊層其他的半導(dǎo)體芯片(IC片)等而形成的疊層半導(dǎo)體裝置。
下面，對具備由本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置1、2構(gòu)成的疊層半導(dǎo)體裝置3的電路基板進(jìn)行說明。圖14是表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的電路基板的概略構(gòu)成的立體圖。如圖14所示，在本實(shí)施方式的電路基板150上，放置了在半導(dǎo)體裝置1上疊層了半導(dǎo)體芯片等而形成的疊層半導(dǎo)體裝置3。電路基板150具有例如玻璃環(huán)氧基板等的有機(jī)系基板、形成在該有機(jī)系基板上的布線圖案(沒有圖示)、設(shè)置在該配線圖案上的電極極板(沒有圖示)。這里，配線圖案是由銅等的金屬材料形成的電路。
然后，通過經(jīng)由焊錫層40對該電襯墊和上述疊層半導(dǎo)體裝置3的最下層的半導(dǎo)體裝置1的第一電極部12A進(jìn)行電連接，而將上述疊層半導(dǎo)體裝置3實(shí)裝在電路基板150上。另外，也可以替代上述疊層半導(dǎo)體裝置3，而僅實(shí)裝一個(gè)上述半導(dǎo)體裝置1、2。
根據(jù)本發(fā)明的電路基板150，如上所述，由于具備抗彎強(qiáng)度高的半導(dǎo)體裝置1、可靠性高的疊層半導(dǎo)體裝置3，因此提高了具備該裝置的電路基板150自身的強(qiáng)度，從而提高了可靠性。
下面，對具備上述電路基板150的本發(fā)明的電子機(jī)器進(jìn)行說明。圖15表示了作為表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的電子機(jī)器、即攜帶電話300的圖。上述電路基板150被設(shè)置在上述攜帶電話300的內(nèi)部。
根據(jù)本發(fā)明的攜帶電話300，由于具備上述那樣的有強(qiáng)度、可靠性高的電路基板150，因此提高了具備該電路基板的攜帶電話300自身的可靠性。
另外，電子機(jī)器并非限于上述攜帶電話300，也可以適用于各種電子機(jī)器?？梢赃m用于，例如，液晶放映機(jī)、與多媒體對應(yīng)的個(gè)人電腦(PC)以及管理工作站(Engineering Work Station)、尋呼機(jī)、文字處理器、電視、探測器(view finder)型或監(jiān)視直視型的磁帶錄像機(jī)、電子筆記體、電子臺式計(jì)算機(jī)、汽車駕駛導(dǎo)向裝置、POS終端、具備觸摸面板的裝置等的電子機(jī)器中。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括準(zhǔn)備包含多個(gè)半導(dǎo)體元件部的半導(dǎo)體晶片，在所述多個(gè)半導(dǎo)體元件部的能動面上形成孔部，在該孔部內(nèi)形成絕緣膜，在所述孔部內(nèi)埋入經(jīng)由該絕緣層從所述能動面突出的導(dǎo)電材料，而形成導(dǎo)電部的工序；在設(shè)置于所述半導(dǎo)體晶片能動面的元件區(qū)域外周的切斷區(qū)域上，形成沒有貫通所述半導(dǎo)體晶片的第一槽部的工序；經(jīng)由粘接層使半導(dǎo)體晶片和支撐體貼在一起，以使所述絕緣膜不漏出的方式，削掉與所述能動面相反側(cè)的背面，使所述半導(dǎo)體晶片的厚度變薄的工序；其后，在所述第一槽部的相反側(cè)的所述背面上，形成沒有貫通至該第一槽部的第二槽部的工序；從所述半導(dǎo)體晶片的背面通過各向同性蝕刻使所述絕緣膜漏出，使所述半導(dǎo)體晶片的厚度變薄，并通過連接所述第一槽部和所述第二槽部，從而分割所述多個(gè)半導(dǎo)體元件部而形成多個(gè)半導(dǎo)體芯片的工序；從所述背面通過蝕刻，使所述導(dǎo)電部從所述絕緣膜漏出，從而在所述各半導(dǎo)體元件部形成貫通電極的工序；通過從所述支撐體剝離所述半導(dǎo)體芯片，使所述多個(gè)半導(dǎo)體元件部單片化的工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述各向同性蝕刻是一邊使所述半導(dǎo)體晶片旋轉(zhuǎn)，一邊在該半導(dǎo)體晶片的背面上滴下蝕刻液的旋轉(zhuǎn)蝕刻。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述第二槽部的寬度比所述第一槽部的寬度窄。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括形成所述第一槽部后，通過在該第一槽部中埋入樹脂而形成樹脂層的工序；通過所述各向同性蝕刻而使所述半導(dǎo)體晶片的厚度變薄的同時(shí)，使所述第二槽部到達(dá)所述樹脂層的工序；其后，切斷所述樹脂層而得到半導(dǎo)體芯片的工序；從所述支撐體剝離所述半導(dǎo)體芯片的工序。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述支撐體由具有透光性的材料制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述粘接層通過被紫外線照射而降低粘著性。
7.一種半導(dǎo)體裝置，具備具有能動面、和位于與該能動面的相反側(cè)并通過彎曲端緣部而形成的背面的半導(dǎo)體芯片；形成在所述半導(dǎo)體芯片的所述能動面上的集成電路；貫通所述半導(dǎo)體芯片，并向所述能動面以及所述背面突出的貫通電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體芯片的能動面的端緣部由樹脂層覆蓋。
9.一種疊層半導(dǎo)體裝置，其疊層了多個(gè)權(quán)利要求7或8所述的半導(dǎo)體裝置。
10.一種電路基板，其具備權(quán)利要求7或8所述的半導(dǎo)體裝置、或權(quán)利要求9所述的疊層半導(dǎo)體裝置。
11.一種電子機(jī)器，其具備權(quán)利要求10所述的電路基板。
全文摘要
一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括準(zhǔn)備包括多個(gè)半導(dǎo)體元件部的半導(dǎo)體晶片，形成導(dǎo)電部的工序；在設(shè)置于所述半導(dǎo)體晶片能動面的元件區(qū)域外周的切斷區(qū)域上，形成沒有貫通所述半導(dǎo)體晶片的第一槽部的工序；使所述半導(dǎo)體晶片的厚度變薄的工序；其后，在所述第一槽部的相反側(cè)的所述背面上，形成沒有貫通至該第一槽部的第二槽部的工序；分割所述多個(gè)半導(dǎo)體元件部而形成多個(gè)半導(dǎo)體芯片的工序；在所述各半導(dǎo)體元件部上形成貫通電極的工序；通過從所述支撐體剝離所述半導(dǎo)體芯片，從而使所述多個(gè)半導(dǎo)體元件部單片化的工序。
文檔編號H01L27/02GK1812075SQ20051013381
公開日2006年8月2日 申請日期2005年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月24日
發(fā)明者深澤元彥 申請人:精工愛普生株式會社