專利名稱：：光刻裝置和器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及光刻裝置和制造器件的方法。
背景技術(shù)：
：光刻裝置是一種將期望圖案投影到基底上，通常是投影到基底靶部上的裝置。光刻裝置可以用于例如集成電路(IC)的制造。在這種情況下，還可以稱作掩模或中間掩模版的構(gòu)圖部件可以產(chǎn)生形成在IC的一個(gè)單獨(dú)層中的電路圖案。該圖案可以傳送到基底(例如硅晶片)的靶部上(例如包括一個(gè)或者多個(gè)管芯)。典型地圖案的傳送是成像在設(shè)于基底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般地，單一的晶片包含相鄰靶部的網(wǎng)格，該相鄰靶部被逐個(gè)相繼構(gòu)圖。已知的光刻裝置包括所謂的步進(jìn)器，其中通過(guò)將全部圖案一次曝光在靶部上而輻射每一靶部，和所謂的掃描裝置，其中通過(guò)在輻射光束下沿給定的方向(“掃描”方向)掃描圖案、并同時(shí)沿與該方向平行或者反平行的方向同步掃描基底來(lái)輻射每一靶部。還可以通過(guò)把圖案壓印在基底上將圖案從構(gòu)圖部件輸送給基底。已經(jīng)有人建議將光刻投影裝置中的基底浸沒(méi)在具有相對(duì)高的折射率的液體例如水中，從而填充投影系統(tǒng)的最后一個(gè)元件和基底之間的空間。由于曝光輻射在液體中具有更短的波長(zhǎng)，因此能夠?qū)Ω〉奶卣鞒上瘛?液體的作用也可以認(rèn)為是增加了系統(tǒng)的有效NA以及增大了焦深。)還建議使用其它的浸液，包括具有固體微粒(例如石英)懸浮于其中的水。然而，將基底或基底和基底臺(tái)浸沒(méi)在液體池中(參見例如US4,509,852，此處將其全文引入作為參考)意味著在掃描曝光過(guò)程必須加速大量的液體。這就需要附加的或更大功率的電動(dòng)機(jī)，并且在液體中的紊流可能導(dǎo)致不期望的和不可預(yù)見的影響。提出的一種用于液體供給系統(tǒng)的解決方案是僅僅將液體提供到基底的局部區(qū)域上以及投影系統(tǒng)的最后一個(gè)元件和基底(該基底通常具有比投影系統(tǒng)的最后一個(gè)元件更大的表面區(qū)域)之間。在PCT專利申請(qǐng)WO99/49504中公開了一種為此布置而提出的方式，該文件在此以全文引入并作為參考。如圖2和3所示，優(yōu)選地沿基底相對(duì)于最后一個(gè)元件移動(dòng)的方向，通過(guò)至少一個(gè)入口IN將液體提供到基底上，并且在液體已經(jīng)經(jīng)過(guò)投影系統(tǒng)下方之后通過(guò)至少一個(gè)出口OUT除去液體。也就是說(shuō)，當(dāng)沿a-X方向在元件的下面掃描基底時(shí)，液體在元件的+X側(cè)被提供并在-X側(cè)被接收。圖2示出了示意性的布置，其中通過(guò)入口IN提供液體，并通過(guò)一個(gè)與低壓源連接的出口OUT在元件的另一側(cè)被接收。在圖2中沿基底相對(duì)于最后一個(gè)元件移動(dòng)的方向提供液體，盡管可以不必這樣。圍繞最后一個(gè)元件設(shè)置的入口和出口的各種定位和數(shù)量是可能的，圖3示出了一個(gè)實(shí)例，其中在圍繞最后一個(gè)元件的矩形圖案中在任何一側(cè)設(shè)置了四組入口和出口。當(dāng)然濕浸式裝置中的處理液體會(huì)產(chǎn)生具體的困難。特別地，基底臺(tái)的靈敏部件必須是防止浸液侵入的。
發(fā)明內(nèi)容因此，有利的是例如在基底臺(tái)的不同部件之間密封。特別地，期望的是具有不會(huì)在基底臺(tái)的部件之間傳遞作用力的密封，所述密封在基底臺(tái)的部件之間延伸。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種光刻投影裝置，其包括配置成保持基底的基底臺(tái)；附設(shè)有柔性凸出部的第一基底臺(tái)部分；以及具有夾緊裝置的第二基底臺(tái)部分，該夾緊裝置配置成吸引和保持凸出部的自由端以便在第一部分和第二部分之間形成密封。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種光刻投影裝置，其包括配置成保持基底的基底臺(tái)；以及在一端與基底臺(tái)固定并且在另一端由基底臺(tái)上的夾具可拆卸地保持在當(dāng)位置的密封凸出部。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種光刻裝置，其包括配置成保持基底的基底臺(tái)；位于基底臺(tái)上的傳感器；位于傳感器和基底臺(tái)之間的密封結(jié)構(gòu)，該密封結(jié)構(gòu)在一端與傳感器連接，在另一端與基底臺(tái)連接。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種器件制造方法，其包括使用位于基底臺(tái)第一部分上的夾緊裝置夾緊柔性凸出部的一端，以便在基底臺(tái)的第一部分和第二部分之間形成密封；以及將帶圖案的輻射光束投影到保持在基底臺(tái)上的基底。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種器件制造方法，其包括將投影光束投影到傳感器上，其中密封結(jié)構(gòu)位于傳感器和配置成保持基底的基底臺(tái)之間，該密封結(jié)構(gòu)在一端與傳感器連接，在另一端與基底臺(tái)連接?，F(xiàn)在參考隨附的示意性視圖僅僅作為實(shí)例描述本發(fā)明的實(shí)施例，其中對(duì)應(yīng)的參考標(biāo)記表示對(duì)應(yīng)的部件，其中圖1表示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的光刻裝置；圖2和3表示在光刻投影裝置中使用的液體供給系統(tǒng)；圖4表示在光刻投影裝置中使用的另一種液體供給系統(tǒng)；圖5表示在光刻投影裝置中使用的另一種液體供給系統(tǒng)；圖6以截面的形式表示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的基底臺(tái)；圖7以截面的形式表示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例在蓋板和基底臺(tái)的基底支座之間的密封；圖7A以截面的形式表示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例在蓋板和基底臺(tái)的基底支座之間的另一種密封；圖7B以截面的形式表示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例在蓋板和基底臺(tái)的基底支座之間的另一種密封；圖8以平面的形式表示從上面觀看的基底臺(tái)；以及圖9以截面的形式示出了在基底臺(tái)本體和圖8的基底臺(tái)傳感器之間形成的密封。具體實(shí)施例方式圖1示意性地表示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的光刻裝置。該裝置包括照射系統(tǒng)(照射器)IL，配置成調(diào)節(jié)輻射光束B(例如UV輻射或DUV輻射)。支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT，構(gòu)造成保持構(gòu)圖部件(例如掩模)MA，并與配置成根據(jù)某些參數(shù)將構(gòu)圖部件精確定位的第一定位裝置PM連接；基底臺(tái)(晶片臺(tái))WT，構(gòu)造成保持基底W(例如涂敷抗蝕劑的晶片)，并與配置成根據(jù)某些參數(shù)將構(gòu)圖部件精確定位的第二定位裝置PW連接；投影系統(tǒng)(例如折射投影透鏡系統(tǒng))PS，配置成將構(gòu)圖部件MA賦予給輻射光束B的圖案投影到基底W的靶部C(例如包括一個(gè)或多個(gè)管芯)上。照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如包括用于引導(dǎo)、整形或者控制輻射的折射光學(xué)部件、反射光學(xué)部件、磁性光學(xué)部件、電磁光學(xué)部件、靜電光學(xué)部件或其它類型的光學(xué)部件，或者其任意組合。支撐結(jié)構(gòu)以一種方式保持構(gòu)圖部件，該方式取決于構(gòu)圖部件的定向、光刻裝置的設(shè)計(jì)以及其它條件，例如構(gòu)圖部件是否保持在真空環(huán)境中。支撐結(jié)構(gòu)可以使用機(jī)械、真空、靜電或其它夾緊技術(shù)來(lái)保持構(gòu)圖部件。支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或者工作臺(tái)，例如所述結(jié)構(gòu)根據(jù)需要可以是固定的或者是可移動(dòng)的。支撐結(jié)構(gòu)可以確保構(gòu)圖部件例如相對(duì)于投影系統(tǒng)位于所需的位置。這里任何術(shù)語(yǔ)“中間掩模版”或者“掩?！钡氖褂每梢哉J(rèn)為與更普通的術(shù)語(yǔ)“構(gòu)圖部件”同義。這里使用的術(shù)語(yǔ)“構(gòu)圖部件”應(yīng)廣義地解釋為能夠給輻射光束在其截面賦予圖案從而在基底的靶部中形成圖案的任何裝置。應(yīng)該注意，賦予給輻射光束的圖案可以不與基底靶部中的所需圖案精確一致，例如如果該圖案包括相移特征或所謂的輔助特征。一般地，賦予給輻射光束的圖案與在靶部中形成的器件如集成電路的特殊功能層相對(duì)應(yīng)。構(gòu)圖部件可以是透射的或者反射的。構(gòu)圖部件的示例包括掩模，可編程反射鏡陣列，以及可編程LCD板。掩模在光刻中是公知的，它包括如二進(jìn)制型、交替相移型、和衰減相移型的掩模類型，以及各種混合掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的一個(gè)示例采用了微小反射鏡的矩陣排列，每個(gè)反射鏡能夠獨(dú)立地傾斜，從而沿不同的方向反射入射的輻射光束。傾斜的反射鏡可以在由反射鏡矩陣反射的輻射光束中賦予圖案。這里使用的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”應(yīng)廣義地解釋為包含各種類型的投影系統(tǒng)，包括折射光學(xué)系統(tǒng)，反射光學(xué)系統(tǒng)、反折射光學(xué)系統(tǒng)、磁性光學(xué)系統(tǒng)、電磁光學(xué)系統(tǒng)和靜電光學(xué)系統(tǒng)，或其任何組合，只要適合于所用的曝光輻射，或者適合于其他方面，如浸液的使用或真空的使用。這里任何術(shù)語(yǔ)“投影透鏡”的使用可以認(rèn)為與更普通的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”同義。如這里所指出的，該裝置是透射型(例如采用透射掩模)?；蛘?，該裝置可以是反射型(例如采用上面提到的可編程反射鏡陣列，或采用反射掩模)。光刻裝置可以具有兩個(gè)(雙臺(tái))或者多個(gè)基底臺(tái)(和/或兩個(gè)或者多個(gè)支撐結(jié)構(gòu))。在這種“多臺(tái)式”裝置中，可以并行使用這些附加臺(tái)，或者可以在一個(gè)或者多個(gè)臺(tái)上進(jìn)行準(zhǔn)備步驟，而一個(gè)或者多個(gè)其它臺(tái)用于曝光。參考圖1，照射器IL接收來(lái)自輻射源SO的輻射光束。輻射源和光刻裝置可以是獨(dú)立的機(jī)構(gòu)，例如當(dāng)輻射源是受激準(zhǔn)分子激光器時(shí)。在這種情況下，不認(rèn)為輻射源構(gòu)成為光刻裝置的一部分，輻射光束借助于光束輸送系統(tǒng)BD從源SO傳輸?shù)秸丈淦鱅L，所述輸送系統(tǒng)包括例如合適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器。在其它情況下，輻射源可以是光刻裝置的組成部分，例如當(dāng)源是汞燈時(shí)。源SO和照射器IL，如果需要連同光束輸送系統(tǒng)BD一起可以稱作輻射系統(tǒng)。照射器IL可以包括調(diào)節(jié)裝置AD，用于調(diào)節(jié)輻射光束的角強(qiáng)度分布。一般地，至少可以調(diào)節(jié)在照射器光瞳平面上強(qiáng)度分布的外和/或內(nèi)徑向范圍(通常分別稱為σ-外和σ-內(nèi))。此外，照射器IL可以包括各種其它部件，如積分器IN和聚光器CO。照射器可以用于調(diào)節(jié)輻射光束，使其在橫截面上具有所需的均勻度和強(qiáng)度分布。輻射光束B入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(如掩模臺(tái)MT)上的構(gòu)圖部件(如掩模MA)上，并由構(gòu)圖部件進(jìn)行構(gòu)圖。橫向穿過(guò)構(gòu)圖部件MA后，輻射光束B通過(guò)投影系統(tǒng)PS，該投影系統(tǒng)將光束聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如干涉測(cè)量裝置、線性編碼器或電容傳感器)的輔助下，可以精確地移動(dòng)基底臺(tái)WT，從而例如在輻射光束B的光路中定位不同的靶部C。類似地，例如在從掩模庫(kù)中機(jī)械取出掩模MA后或在掃描期間，可以使用第一定位裝置PM和另一個(gè)位置傳感器(圖1中未明確示出)來(lái)使構(gòu)圖部件MA相對(duì)于輻射光束B的光路精確定位。一般地，借助于長(zhǎng)行程模塊(粗略定位)和短行程模塊(精確定位)，可以實(shí)現(xiàn)支撐結(jié)構(gòu)MT的移動(dòng)，其中長(zhǎng)行程模塊和短行程模塊構(gòu)成第一定位裝置PM的一部分。在步進(jìn)器(與掃描裝置相對(duì))的情況下，支撐結(jié)構(gòu)MT可以只與短行程致動(dòng)裝置連接，或者固定?？梢允褂脴?gòu)圖部件對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記M1、M2和基底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記P1、P2對(duì)準(zhǔn)掩模MA與基底W。盡管所示出的基底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了指定的靶部，但是它們可以設(shè)置在各個(gè)靶部(這些標(biāo)記是公知的劃線對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記)之間的空間中。類似地，在構(gòu)圖部件MA上提供了超過(guò)一個(gè)管芯的情況下，可以在各個(gè)管芯之間設(shè)置構(gòu)圖部件對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。所示的裝置可以按照下面模式中的至少一種使用1.在步進(jìn)模式中，支撐結(jié)構(gòu)MT和基底臺(tái)WT基本保持不動(dòng)，而賦予輻射光束的整個(gè)圖案被一次投影到靶部C上(即單次靜態(tài)曝光)。然后沿X和/或Y方向移動(dòng)基底臺(tái)WT，使得可以曝光不同的靶部C。在步進(jìn)模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了在單次靜態(tài)曝光中成像的靶部C的尺寸。2.在掃描模式中，當(dāng)賦予輻射光束的圖案被投影到靶部C時(shí)，同步掃描支撐結(jié)構(gòu)MT和基底臺(tái)WT(即單次動(dòng)態(tài)曝光)。基底臺(tái)WT相對(duì)于支撐結(jié)構(gòu)MT的速度和方向通過(guò)投影系統(tǒng)PS的放大(縮小)和圖像反轉(zhuǎn)特性來(lái)確定。在掃描模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了在單次動(dòng)態(tài)曝光中靶部的寬度(沿非掃描方向)，而掃描動(dòng)作的長(zhǎng)度確定了靶部的高度(沿掃描方向)。3.在其他模式中，當(dāng)賦予輻射光束的圖案被投影到靶部C上時(shí)，支撐結(jié)構(gòu)MT基本保持不動(dòng)地支撐可編程構(gòu)圖部件，同時(shí)移動(dòng)或掃描基底臺(tái)WT。在該模式中，一般采用脈沖輻射源，并且在每次移動(dòng)基底臺(tái)WT之后，或者在掃描期間兩個(gè)相繼的輻射脈沖之間根據(jù)需要更新可編程構(gòu)圖部件。這種操作模式可以容易地應(yīng)用于采用可編程構(gòu)圖部件的無(wú)掩模光刻中，所述可編程構(gòu)圖部件例如是上面提到的可編程反射鏡陣列型。還可以采用上述使用模式的組合和/或變化，或者采用完全不同的使用模式。圖4示出了另一種使用局部液體供給系統(tǒng)的濕浸式光刻技術(shù)方案。通過(guò)位于投影系統(tǒng)PL的任何一側(cè)上的兩個(gè)凹槽入口IN提供液體，然后從入口IN徑向向外布置的多個(gè)分立出口OUT去除液體。入口IN和OUT可以布置在一個(gè)板中，板的中心有一個(gè)孔，通過(guò)該孔可以投射投影光束。也可以通過(guò)位于投影系統(tǒng)PL的一側(cè)上的一個(gè)凹槽入口IN提供液體，然后從位于投影系統(tǒng)PL的另一側(cè)上的多個(gè)分立出口OUT去除液體，從而在投影系統(tǒng)PL和基底W之間形成液體薄膜流。所用入口IN和出OUT的組合的選擇取決于基底W的移動(dòng)方向(其它入口IN和出口OUT的組合是無(wú)效的)。已經(jīng)提出的另一種使用局部液體供給系統(tǒng)的濕浸式光刻技術(shù)方案是提供具有液體限制結(jié)構(gòu)的液體供給系統(tǒng)，該液體限制結(jié)構(gòu)沿投影系統(tǒng)的最后一個(gè)元件和基底臺(tái)之間的空間的至少一部分邊界延伸。圖5示出了這種系統(tǒng)。液體限制結(jié)構(gòu)相對(duì)于投影系統(tǒng)在XY平面基本上是靜止的，但是在Z方向(光軸方向)可以有一些相對(duì)移動(dòng)。從而在該液體限制結(jié)構(gòu)和基底的表面之間形成密封。在一個(gè)實(shí)施例中，該密封是非接觸式密封，例如氣封。在美國(guó)專利申請(qǐng)No.US10/705,783中公開了使用氣封的這種系統(tǒng)，在此將其全文引入作為參考。圖5示出了一種容器10的布置，該容器在投影系統(tǒng)的成像區(qū)域周圍形成對(duì)基底的非接觸式密封，使得液體被限定成填充基底表面和投影系統(tǒng)的最后一個(gè)元件之間的空間。容器由定位在投影系統(tǒng)PL的最后一個(gè)元件的下方并圍繞其的液體限制結(jié)構(gòu)12形成。使液體流入投影系統(tǒng)下面的空間并進(jìn)入到液體限制結(jié)構(gòu)12中。液體限制結(jié)構(gòu)12稍微延伸到投影系統(tǒng)的最后一個(gè)元件上方，液面高度升高超過(guò)該最后一個(gè)元件，從而提供了一個(gè)液體緩沖器。液體限制結(jié)構(gòu)12具有一內(nèi)周邊，該內(nèi)周邊在上端部?jī)?yōu)選非常接近投影系統(tǒng)或其最后一個(gè)元件的形狀，例如可以是圓形。在底部，該內(nèi)周邊非常接近成像區(qū)域的形狀，例如是矩形，當(dāng)然也可以不必是這種形狀。液體由液體限制結(jié)構(gòu)12的底部和基底W的表面之間的氣封16限定在容器中。該氣封可由氣體形成，所述氣體例如是空氣、人造氣體、N2或惰性氣體，其可通過(guò)入口15在壓力下提供到液體限制結(jié)構(gòu)12和基底之間的間隙，然后從一出口14抽出。如此布置作用在氣體入口15上的過(guò)壓力、作用在出口14上的真空水平以及間隙的幾何尺寸，使得存在向內(nèi)限定液體的高速氣流。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，可以使用其它類型的密封來(lái)限制液體到例如僅僅一個(gè)出口，從而去除液體和/或氣體。圖6示出了一基底臺(tái)WT。該基底臺(tái)WT包括基底臺(tái)本體MB，在一個(gè)實(shí)施例中該基底臺(tái)本體是載運(yùn)一個(gè)或多個(gè)用于干涉測(cè)量系統(tǒng)的反射鏡的反射鏡組件，從而能夠計(jì)算基底W的位置。基底臺(tái)本體MB也可以容納一個(gè)或多個(gè)配置成定位基底W的致動(dòng)裝置?；譝由基底支座SS保持，基底支座位于基底臺(tái)本體MB的上表面內(nèi)的凹座80中。通?；字ё鵖S是所謂的突起或凸出臺(tái)，其包括在上表面和下表面的多個(gè)凸出部。將真空或負(fù)壓施加到突起之間的區(qū)域中，以便將基底支座SS保持在基底臺(tái)本體MB上以及將基底W保持在基底支座SS上。在一個(gè)實(shí)施例中，基底支座SS可以和基底臺(tái)本體MB構(gòu)成為一個(gè)整體。由于該基底臺(tái)WT可以用于濕浸式光刻裝置，其中液體被提供到投影系統(tǒng)PS和基底W之間，基底臺(tái)還包括布置在基底臺(tái)本體MB頂面上的蓋板100。該蓋板100可提供平坦的和連續(xù)的上表面，使得能夠使用局部區(qū)域型液體供給系統(tǒng)(即可以一次將液體僅僅提供到基底W的局部區(qū)域的液體供給系統(tǒng))。因此蓋板100的頂面與基底W的頂面(還與任何位于基底臺(tái)本體MB頂面的凹座中的傳感器的頂面，如圖8所示和下面所描述的)基本上共面。在一個(gè)實(shí)施例中，蓋板100可以和基底臺(tái)本體MB構(gòu)成為一個(gè)整體。為了減小或者防止液體進(jìn)入到基底支座SS和基底臺(tái)本體MB之間的凹座80中，可以提供密封凸出部200，以在蓋板100的底部?jī)?nèi)緣和基底支座SS的頂面之間延伸。該布置可以從圖7中詳細(xì)地看出。在一個(gè)實(shí)施例中，有用的是可以從基底臺(tái)本體MB移開基底支座SS，而不用拆除大部分基底臺(tái)WT。為此，例如可以提供在蓋板100和基底支座SS之間的可拆卸和/或不可動(dòng)(deactiveatable)的密封凸出部200。蓋板100還可以可拆卸地安裝到基底臺(tái)本體MB的頂面上，使得可以容易地維護(hù)用蓋板100保護(hù)的基底臺(tái)WT的元件。蓋板100包括蓋板凸出部110，它是所謂的邊緣密封元件，例如在歐洲專利申請(qǐng)No.04253354.7中所描述的。圖7中示出了該邊緣密封元件最基本的形式。也可以使用其它類型的邊緣密封元件和/或不同的結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)或附加的實(shí)施例，該密封凸出部200具有通常為半圓形的末端211。圖7A中更加詳細(xì)地示出了這點(diǎn)。通過(guò)提供具有半圓形截面的末端，可以增大暴露于壓力差的密封凸出部200的頂面，特別是增大其底部暴露在壓力入口85下方的末端211。這將得到更大的力以助于把密封凸出部200夾緊到基底支座SS上。末端211可以由與密封凸出元件200相同的材料制成，但是它也可以由任何其它合適的材料制成。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)或附加的實(shí)施例，可以提供獨(dú)立的力元件212，它能夠?qū)⒘κ┘拥矫芊馔钩鲈?00上。更加詳細(xì)地如圖7B所示。該力元件212與基底支座SS連接，其自由端接觸密封凸出部200。該力元件可以由彈性材料例如與密封凸出部200的材料相似的材料制成，利用與密封凸出部200接觸的力元件212，能夠施加附加的夾緊力，從而有助于將密封凸出部200夾緊到基底支座SS上。密封凸出部200在蓋板100的底面(正如所示出的在一個(gè)實(shí)施例中位于蓋板凸出部110下方)和基底支座SS的頂面之間延伸。在一個(gè)實(shí)施例中，密封凸出部200圍繞整體形式的基底支座SS的整個(gè)周邊延伸。對(duì)于液體密封性來(lái)說(shuō)這可以是最佳的布置。密封凸出部200的材料是柔性的，使得在所有方向的力特別是在Z方向的力不會(huì)在基底臺(tái)SS和蓋板100之間傳遞，也就是說(shuō)密封基本上在光刻裝置的光軸方向與蓋板100和基底支座SS去耦。在一個(gè)實(shí)施例中，柔性密封施加的最大密封力小于大約1N/m。密封凸出部200的一端通過(guò)粘性墊圈220固定在蓋板上。也可以使用以其它不透液的方式固定密封。密封凸出部200的另一端吸附到基底支座SS，并由夾緊裝置可松脫地保持，該夾緊裝置在示出的實(shí)例中為低壓入口85的形式。夾緊裝置可以是任何類型，包括例如電磁夾緊裝置、靜電夾緊裝置和/或可去除的粘合劑。因此，可以去除蓋板，以及可以遙控地啟動(dòng)或停止密封凸出部200。為了獲得柔性密封凸出部200和基底支座SS之間的良好密封，基本上非柔性的部分210(該部分至少比柔性密封凸出部200的柔性小)位于密封凸出部200的自由端，該自由端從蓋板100伸出。該非柔性部分例如可以是金屬部分，其附著在柔性密封凸出部200的柔性材料的頂面上。固此，當(dāng)打開低壓入口85時(shí)，柔性凸出部200將向下彎曲，使得柔性材料在非柔性元件210和低壓入口85之間夾緊，從而形成良好的密封。通過(guò)這種方式，因?yàn)榭梢苑乐挂后w進(jìn)入該入口，夾緊裝置的低壓入口85可以是完全干的低壓入口。與基底支座SS使用的低壓入口相比，這是可能的，該低壓入口是一個(gè)濕的低壓入口(未示出)，因?yàn)樵谏w板100和基底W之間不容易獲得這種良好的密封，因此液體可能進(jìn)入基底W和基底支座SS之間的間隙。非柔性部分210部分地填充了柔性部分、基底支座SS、蓋板100和基底W之間的間隙。在一個(gè)實(shí)施例中，為了液體供給系統(tǒng)的最佳性能，使該間隙減到最小。在一個(gè)實(shí)施例中，密封凸出部200和/或非柔性部分210可以由聚合的柔性或彈性材料制成，該材料可抵抗光刻裝置的輻射。密封凸出部200和/或非柔性部分210也可以由金屬制成。甚至可以使用橡膠，例如如果蓋板凸出部110保護(hù)密封凸出部200和/或非柔性部分210免受投影光束B的輻射。在一個(gè)實(shí)施例中，非柔性部分210、半圓形末端211和力元件212可以保護(hù)密封凸出部200免受投影光束B的輻射，從而密封凸出部200的材料可以選擇成對(duì)投影系統(tǒng)的輻射沒(méi)有抵抗性的材料。在一個(gè)實(shí)施例中，夾緊裝置的強(qiáng)度(實(shí)施例中的低壓夾緊裝置85)是大約25N/m，以便利用橡膠材料的柔性密封凸出部200形成不透液體的密封。參考圖8和9示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的基底臺(tái)WT進(jìn)一步的細(xì)節(jié)。圖8是基底臺(tái)WT的頂面的平面圖。能夠看到的是蓋板100具有各種孔的頂面。中心圓孔是凹座80的孔，其中可以定位基底支座SS?？梢試@中心圓孔定位各種元件，并且這些元件可以由投影系統(tǒng)PS的投影光束B進(jìn)行照射。所述的各種元件可以是一個(gè)或多個(gè)傳感器，例如包括兩個(gè)傳輸圖象傳感器(TIS)310、光點(diǎn)傳感器330和積分透鏡干涉計(jì)(ILIAS)320。在一個(gè)實(shí)施例中，期望的是可以容易地從基底臺(tái)本體MB去除蓋板100，但是在蓋板100、一個(gè)或多個(gè)傳感器310、320、330和基底臺(tái)本體MB之間應(yīng)該有良好的密封。圖9中示出的布置是穿過(guò)鄰近傳感器310、320、330和基底臺(tái)本體MB的蓋板邊緣的截面圖。在一個(gè)實(shí)施例中，盡管在沒(méi)有損害可維護(hù)性(即蓋板的可拆卸性)的情況下，能夠在蓋板100和傳感器310、320、330之間能夠形成良好的密封。此外，在蓋板100、基底臺(tái)本體MB和/或傳感器310、320、330之間傳播的擾動(dòng)應(yīng)該減到最小。為此，示出了一種雙層密封結(jié)構(gòu)，其中底層用作不透液體的密封，頂層形成為阻擋部分(constriction)，其能夠去除任何進(jìn)入阻擋部分的液體。密封的底層具有密封結(jié)構(gòu)400，在這種情況下該密封結(jié)構(gòu)不必是柔性的，而可以是柔性或剛性的，其位于傳感器310、320、330和基底臺(tái)本體MB之間。在基底臺(tái)本體MB和傳感器310、320、330上機(jī)械加工出一個(gè)或多個(gè)臺(tái)階，在基底臺(tái)本體MB和傳感器310、320、330中的一個(gè)上定位密封結(jié)構(gòu)400。利用粘性墊圈410、420，該密封結(jié)構(gòu)400在其各個(gè)端部與基底臺(tái)本體和傳感器310、320、330固定。僅僅在密封結(jié)構(gòu)400的端部施加粘合劑，使得密封結(jié)構(gòu)在其各個(gè)端部能夠承受小的樞轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。因此，密封結(jié)構(gòu)400的尺寸為使得它比基底臺(tái)本體MB的壁和固定于其上的傳感器310、320、330之間的間隙還窄。在一個(gè)實(shí)施例中，密封結(jié)構(gòu)400由一個(gè)單片的材料機(jī)械加工而成，該材料圍繞傳感器310、320、330的整個(gè)周邊延伸。密封的底層是不透液體的。通過(guò)這種方式，密封結(jié)構(gòu)400在Z方向是順從的，并允許傳感器310、320、330在Z方向移動(dòng)而不依賴于基底臺(tái)本體MB或蓋板100。在一個(gè)實(shí)施例中，傳感器310、320、330中的底部臺(tái)階處于一個(gè)位置，使得傳感器310、320、330的中軸350處于密封結(jié)構(gòu)400的平面中。傳感器310、320、330的中軸是施加力的軸線，其不會(huì)導(dǎo)致傳感器310、320、330發(fā)生位移和變形。通過(guò)這種方式，通過(guò)密封結(jié)構(gòu)400施加給傳感器310、320、330的任何力都不會(huì)使傳感器310、320、330傾斜。為了保護(hù)粘性墊圈410、420特別是內(nèi)部墊圈410免受投影光束B的照射，以及因此導(dǎo)致可能的劣化(因?yàn)橥队肮馐鳥可以透過(guò)液體照射一個(gè)或多個(gè)傳感器310、320、330)，在蓋板100的傳感器孔的內(nèi)周邊周圍提供凸出部120。該凸出部以臺(tái)階120的形式與傳感器310、320、330中互補(bǔ)的(complimentary)臺(tái)階340相互作用。在蓋板100的凸出部120和傳感器310、320、330的臺(tái)階340之間提供間隙500，使得擾動(dòng)力不會(huì)在傳感器310、320、330和蓋板100之間傳遞。然而，間隙500的尺寸應(yīng)該很小(在一個(gè)實(shí)施例中小于0.3mm、小于0.1mm或小于0.05mm)，以便提供一個(gè)阻擋部分，液體不能輕易地通過(guò)該阻擋部分。沒(méi)有通過(guò)阻擋部分500的液體可以由位于密封件400上方的低壓入口140抽出。蓋板100和傳感器310、320、330互補(bǔ)的聯(lián)鎖臺(tái)階為使得從基底臺(tái)頂部到密封結(jié)構(gòu)400的通路是曲折的，從而使液體難以通過(guò)。盡管在此就蓋板100和基底支座SS和基底臺(tái)本體MB以及傳感器310、320、330之間的密封論述了兩種類型的密封，但是這些僅僅是實(shí)例，這里所論述的密封的類型可以在基底臺(tái)中或基底臺(tái)上的任何兩個(gè)部件之間和/或在基底臺(tái)和基底W之間用于密封。在歐洲專利申請(qǐng)No.03257072.3中公開了一種雙臺(tái)或二臺(tái)濕浸式光刻裝置。這種裝置具有兩個(gè)支撐基底的臺(tái)。在一個(gè)臺(tái)中沒(méi)有浸液的第一位置進(jìn)行液面測(cè)定，在一個(gè)臺(tái)中存在浸液的第二位置進(jìn)行曝光?；蛘?，該裝置只有一個(gè)臺(tái)。盡管可以在該申請(qǐng)中具體參考光刻裝置的使用來(lái)制造IC，但是應(yīng)該理解這里描述的光刻裝置可能具有其它應(yīng)用。例如，它可用于制造集成光學(xué)系統(tǒng)、用于磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCDs)、薄膜磁頭等等。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，在這種可替換的用途范圍中，這里任何術(shù)語(yǔ)“晶片”或者“管芯”的使用可認(rèn)為分別與更普通的術(shù)語(yǔ)“基底”或者“靶部”同義。這里提到的基底可以在曝光前或后在例如軌跡器(track)(通常將抗蝕劑層作用于基底并將已曝光的抗蝕劑顯影的一種工具)或計(jì)置工具和/或檢驗(yàn)工具中進(jìn)行處理。在可適用的地方，這里的公開可以應(yīng)用于這種或者其他基底處理工具。此外，例如為了形成多層IC，可以對(duì)基底進(jìn)行多次處理，因此這里使用的術(shù)語(yǔ)基底也可以表示已經(jīng)包含多個(gè)處理層的基底。盡管在光學(xué)光刻法的范圍中可以具體參考使用本發(fā)明的實(shí)施例，但是應(yīng)該理解本發(fā)明可以用于其它應(yīng)用，例如壓印光刻法，在本申請(qǐng)?jiān)试S的地方，本發(fā)明不限于光學(xué)光刻法。在壓印光刻法中，構(gòu)圖部件中的外形限定了在基底上形成的圖案。構(gòu)圖部件的外形還可以擠壓到施加于基底上的抗蝕劑層中，在基底上通過(guò)施加電磁輻射、熱、壓力或上述方式的組合可以使抗蝕劑硬化。在抗蝕劑硬化之后，可以將構(gòu)圖部件從抗蝕劑中移出而留下圖案。這里使用的術(shù)語(yǔ)“輻射”和“光束”包含所有類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如具有大約365，248，193，157或者126nm的波長(zhǎng))和遠(yuǎn)紫外(EUV)輻射(例如具有5-20nm范圍內(nèi)的波長(zhǎng))，以及粒子束，例如離子束或電子束。該申請(qǐng)使用的術(shù)語(yǔ)“透鏡”可以表示任何一個(gè)各種類型的光學(xué)部件或其組合，包括折射光學(xué)部件、反射光學(xué)部件、磁性光學(xué)部件、電磁光學(xué)部件和靜電光學(xué)部件。盡管上面已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但是應(yīng)該理解可以不同于所描述的實(shí)施本發(fā)明。例如，本發(fā)明可以采取計(jì)算機(jī)程序的形式，該計(jì)算機(jī)程序包含一個(gè)或多個(gè)序列的描述了上面所公開的方法的機(jī)器可讀指令，或者包含其中存儲(chǔ)有這種計(jì)算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)(例如半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、磁盤或光盤)。本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方案可以應(yīng)用于任何濕浸式光刻裝置，例如可以應(yīng)用于上面提到的那些類型的光刻裝置，浸液以液浴的形式或者僅僅提供到基底局部表面區(qū)域。液體供給系統(tǒng)可以是將液體提供到投影系統(tǒng)和基底和/或基底臺(tái)之間的空間的任何裝置。它可以包括一個(gè)或多個(gè)結(jié)構(gòu)的組合、一個(gè)或多個(gè)液體入口、一個(gè)或多個(gè)氣體入口、一個(gè)或多個(gè)氣體出口和/或一個(gè)或多個(gè)液體出口，所述組合可以提供和限制液體到空間。在一個(gè)實(shí)施方案中，空間的表面可以限制到基底和/或基底臺(tái)的一部分，空間的表面可以完全覆蓋基底和/或基底臺(tái)的表面，或者該空間可以遮住基底和/或基底臺(tái)。上面的描述是為了說(shuō)明，而不是限制。因此，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)顯而易見的是，在不脫離下面描述的權(quán)利要求書的范圍的條件下，可以對(duì)所描述的發(fā)明進(jìn)行各種修改。權(quán)利要求1.一種光刻投影裝置，包括配置成保持基底的基底臺(tái)；附設(shè)有柔性凸出部的第一基底臺(tái)部分；以及具有夾緊裝置的第二基底臺(tái)部分，該夾緊裝置配置成吸引和保持凸出部的自由端，以便在第一部分和第二部分之間形成密封。2.如權(quán)利要求1所述的光刻裝置，其中夾緊裝置包括低壓入口。3.如權(quán)利要求1所述的光刻裝置，其中柔性凸出部包括接近自由端基本上為非柔性的部分。4.如權(quán)利要求3所述的光刻裝置，其中基本上非柔性的部分由基本上抵抗所述裝置的輻射損害的材料制成。5.如權(quán)利要求1所述的光刻裝置，其中柔性凸出部固定在第一部分上。6.如權(quán)利要求1所述的光刻裝置，其中第一部分是配置成覆蓋基底臺(tái)頂面的一部分的蓋板。7.如權(quán)利要求1所述的光刻裝置，其中第二部分是配置成支撐基底臺(tái)上的基底的基底支座。8.如權(quán)利要求1所述的光刻裝置，其中柔性凸出部圍繞第二部分，第一部分包括小孔，通過(guò)該孔可達(dá)到第二部分。9.如權(quán)利要求1所述的光刻裝置，其中柔性凸出部由基本上抵抗所述裝置的輻射損害的材料制成。10.如權(quán)利要求1所述的光刻裝置，其中第一部分包括第一部分凸出部、且柔性凸出部和第一部分凸出部布置成使得在使用中第一部分凸出部基本上保護(hù)柔性凸出部免受裝置輻射。11.如權(quán)利要求1所述的光刻裝置，還包括配置成將帶圖案的輻射光束投影到基底靶部的投影系統(tǒng)；以及配置成使用液體至少部分填充投影系統(tǒng)和基底之間的空間的液體供給系統(tǒng)。12.一種光刻投影裝置，包括配置成保持基底的基底臺(tái)；以及在一端與基底臺(tái)連接并且在另一端由基底臺(tái)上的夾具可拆卸地保持在適當(dāng)位置的密封凸出部。13.如權(quán)利要求12所述的光刻裝置，其中夾具包括低壓入口。14.如權(quán)利要求12所述的光刻裝置，其中密封凸出部是柔性的，該密封凸出部包括接近密封凸出部的另一端的基本上非柔性的部分。15.如權(quán)利要求12所述的光刻裝置，還包括配置成將帶圖案的輻射光束投影到基底靶部的投影系統(tǒng)；以及配置成使用液體至少部分填充投影系統(tǒng)和基底之間的空間的液體供給系統(tǒng)。16.一種光刻裝置，包括配置成保持基底的基底臺(tái)；位于基底臺(tái)上的傳感器；位于傳感器和基底臺(tái)之間的密封結(jié)構(gòu)，該密封結(jié)構(gòu)在一端與傳感器連接，在另一端與基底臺(tái)連接。17.如權(quán)利要求16所述的光刻裝置，包括位于密封結(jié)構(gòu)上方的低壓入口。18.如權(quán)利要求16所述的光刻裝置，其中傳感器的邊緣和基底臺(tái)的邊緣具有布置在密封結(jié)構(gòu)上方的互補(bǔ)聯(lián)鎖臺(tái)階，使得從基底臺(tái)頂部到密封結(jié)構(gòu)的通路是曲折的。19.如權(quán)利要求18所述的光刻裝置，還包括配置成覆蓋部分基底臺(tái)的頂面的蓋板，其中基底臺(tái)的邊緣是蓋板中孔的邊緣。20.如權(quán)利要求19所述的光刻裝置，其中密封結(jié)構(gòu)位于傳感器的臺(tái)階上。21.如權(quán)利要求16所述的光刻裝置，其中密封結(jié)構(gòu)基本上在傳感器的中軸處與傳感器固定。22.如權(quán)利要求16所述的光刻裝置，還包括配置成將帶圖案的輻射光束投影到基底靶部的投影系統(tǒng)；以及配置成使用液體至少部分填充投影系統(tǒng)和基底之間的空間的液體供給系統(tǒng)。23.一種器件制造方法，包括使用位于基底臺(tái)第一部分上的夾緊裝置夾緊柔性凸出部的一端，以便在基底臺(tái)的第一部分和第二部分之間形成密封；以及將帶圖案的輻射光束投影到保持在基底臺(tái)上的基底上。24.如權(quán)利要求23所述的方法，其中利用低壓入口進(jìn)行夾緊。25.如權(quán)利要求23所述的方法，其中柔性凸出部包括接近柔性凸出部的一端基本上非柔性的部分。26.如權(quán)利要求23所述的方法，其中柔性凸出部固定在第一部分上。27.如權(quán)利要求23所述的方法，其中第二部分是配置成支撐基底臺(tái)上的基底的基底支座。28.如權(quán)利要求23所述的方法，還包括使用第一部分凸出部基本上保護(hù)柔性凸出部免受帶圖案的輻射光束的輻射。29.如權(quán)利要求23所述的方法，包括透過(guò)液體將輻射光束投影到基底靶部上。30.一種光刻裝置，其包括將輻射光束投影到傳感器上，其中密封結(jié)構(gòu)位于傳感器和配置成保持基底的基底臺(tái)之間，該密封結(jié)構(gòu)在一端與傳感器連接，在另一端與基底臺(tái)連接。31.如權(quán)利要求30所述的方法，包括使用位于密封結(jié)構(gòu)上方的低壓入口排出液體。32.如權(quán)利要求30所述的方法，其中傳感器的邊緣和基底臺(tái)的邊緣具有布置在密封結(jié)構(gòu)上方的互補(bǔ)聯(lián)鎖臺(tái)階，使得從基底臺(tái)頂部到密封結(jié)構(gòu)的通路是曲折的。33.如權(quán)利要求30所述的方法，其中密封結(jié)構(gòu)基本上在傳感器的中軸處與傳感器固定。34.如權(quán)利要求30所述的方法，包括透過(guò)液體將光束投影到傳感器上。全文摘要一種濕浸式光刻法的光刻裝置，其中在基底臺(tái)的不同部件之間的密封可以布置成減小不同部件之間的力的傳遞。文檔編號(hào)H01L21/027GK1786832SQ20051013105公開日2006年6月14日申請(qǐng)日期2005年12月7日優(yōu)先權(quán)日2004年12月8日發(fā)明者P·R·M·亨努斯,J·J·S·M·梅坦斯,P·J·C·H·斯穆德斯,P·斯米特斯申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司