專利名稱：半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種在半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)-且特別是一種增加半導(dǎo)體元件封裝可靠度的半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
封裝集成電路(IC)晶片在制程中對生產(chǎn)成本、效率、及可靠性是非常重要的步驟。封裝集成電路晶片對制造成本負(fù)有相當(dāng)大的責(zé)任。不良的封裝集成電路晶片會導(dǎo)致產(chǎn)能大幅下降。解決此問題的方式之一是發(fā)展“覆晶(flip-chip)”的半導(dǎo)體。
封裝覆晶(flip-chip packaged device)是一電子元件以形成在晶片的接合墊上的錫球陣列封裝(a ball grid array，BGA)的導(dǎo)體焊錫凸塊，以面向下與基材電性連接，基材可以為陶制基材、電路板、或載體。覆晶技術(shù)很快的取代了以往的打線連接技術(shù)，是以晶片面向上，以打線的方式連接至晶片上的每一個(gè)接觸墊。覆晶技術(shù)是形成凸塊(典型的鉛錫焊錫)于晶片上的鋁接觸墊上并將凸塊直接內(nèi)連接至封裝媒介，封裝媒介通常是指陶瓷或塑膠基材。
覆晶的凸塊可組合發(fā)揮數(shù)種功能。覆晶的凸塊提供了從IC晶片到晶片所固著基材的電傳導(dǎo)路徑。凸塊也建立了從晶片到晶片所固著基材的熱傳導(dǎo)路徑。凸塊也提供部分將晶片固著到基材上的機(jī)械底座(Mounting)。凸塊同時(shí)產(chǎn)生避免晶片與基材連接器間電性接觸的間隙壁。此外，凸塊也是一短導(dǎo)線以紓解晶片和基材之間應(yīng)力。
除了凸塊和間隙壁之外，可以利用金屬熱分散器或散熱片來消散因操作覆晶封裝元件所產(chǎn)生的熱。在有熱介材料(Thermal InterfaceMaterial，TIM)的金屬熱分散器上的晶片，可以降低晶片與金屬熱分散器之間的熱阻力。
盡管有上述諸多優(yōu)點(diǎn)，覆晶封裝元件或組件是非常脆弱的結(jié)構(gòu)，在設(shè)計(jì)和制造有其困難和產(chǎn)生特殊的技術(shù)上的問題。例如，覆晶封裝元件上的基材可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以是二層或多層材料的組合。通常這些材料組合和結(jié)構(gòu)是多樣性的。這些不同層的基材材料其熱膨脹系數(shù)(CTE)也會不同，而且會產(chǎn)生難以控制的彎曲或熱導(dǎo)致的扭曲及變形。
此外，在晶片與基材之間會有熱膨脹系數(shù)不協(xié)調(diào)的可能性，會導(dǎo)致額外的扭曲和變形。如此的變形會造成覆晶或其他基材元件的故障。尤其在熱介材料承受垂直壓力時(shí)，且在經(jīng)過一段長時(shí)間的功率循環(huán)后，且從晶片和散熱器間被擠壓出來。尤其當(dāng)熱介材料是非固態(tài)材料時(shí)，例如一硅油基底氮化鋁填充導(dǎo)熱膏，會發(fā)生這種特殊的狀況。這種導(dǎo)熱膏“被擠壓出來”的議題導(dǎo)致可靠性降低和熱效能變差，會造成覆晶封裝提早故障。因此，需要借著最小化“被擠壓出來”的議題以改善覆晶封裝中的熱介材料的可靠性。
由此可見，上述現(xiàn)有的半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)，便成了當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。
有鑒于上述現(xiàn)有的半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)存在的缺陷，而提供一種新型結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù)問題是使其一熱介材料能安定的存在于晶片耦合表面與熱分散器之間以加速熱的消散，不會在經(jīng)過一段長時(shí)間的功率循環(huán)后，因?yàn)榫c基材之間會有熱膨脹系數(shù)不協(xié)調(diào)而從晶片和散熱器間被擠壓出來，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)，其包括一晶片具有一主動表面及一位于相對側(cè)的耦合表面，該晶片具有一或多集成電路和凸塊；一熱分散器熱耦合于該晶片的該耦合表面；一熱介材料介于該晶片的該耦合表面與該熱分散器之間；以及一界限材料位于該晶片的該耦合表面與該熱分散器之間，該界限材料環(huán)繞該熱介材料的周緣以保持該熱介材料位于該晶的該片耦合表面與該熱分散器之間。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)措施來進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)，其更包括一基材，該基材具有一上表面和一相對于該上表面的下表面，其中該晶片的該主動表面使用該基材與該晶片間電性連接延伸以覆晶粘附于該基材的該上表面。
前述的半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)，其中所述的界限材料是為聚合物材料。
前述的半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)，其中所述的聚合物材料是選自于由聚酯為主的材料及聚四氟乙烯所組成的族群。
前述的半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)，其中所述的熱介材料的周緣的形狀是選自于由矩形、方形和圓形所組成的族群。
前述的半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)，其中所述的熱介材料是選自于由導(dǎo)熱膠、空氣所組成的族群，或該熱介材料可由真空取代。
前述的半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)，其中所述的熱分散器包括一凹陷區(qū)域以容置至少部分該界限材料。
前述的半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)，其中所述的熱介材料的厚度小該界限材料的厚度。
前述的半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)，其更包括一粘著材料介于該界限材料和該晶片的該耦合表面之間。
前述的半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)，其中所述的界限材料和該熱分散器是為可移動的接觸。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，本發(fā)明半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)至少具有下列優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)利用界限材料，例如非金屬材料或固態(tài)材料，圍繞熱介材料，可以提供熱介材料能安定的存在于晶片耦合表面與熱分散器之間以加速熱的消散，不會在經(jīng)過一段長時(shí)間的功率循環(huán)后，因晶片與基材之間會有熱膨脹系數(shù)不協(xié)調(diào)，而從晶片和散熱器間被擠壓出來。
綜上所述，本發(fā)明特殊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)，其具有上述諸多的優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，并在同類產(chǎn)品中未見有類似的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)或功能上皆有較大的改進(jìn)，在技術(shù)上有較大的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)具有增進(jìn)的多項(xiàng)功效，從而更加適于實(shí)用，誠為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。


圖1是繪示習(xí)知半導(dǎo)體封裝由近角度視角的剖視圖。
圖2是繪示一實(shí)施例半導(dǎo)體封裝由近角度視角的剖視圖。
圖3是繪示使用實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝由近角度視角的剖視圖。
100半導(dǎo)體封裝102晶片103電連接104基材
106焊錫凸塊107底填充材料108熱介材料110圖形112熱分散器114界限材料116粘著層 118凹陷區(qū)域具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
先請參閱圖1所示，是現(xiàn)有習(xí)知的半導(dǎo)體封裝100近角度視角剖視圖。如圖所繪示的半導(dǎo)體封裝100可為覆晶封裝或是單列直插封裝(Single-Inline package，SIP)。集成電路及其他主動元件(未繪示于圖上)一開始是形成在晶片102之上。接續(xù)以習(xí)知的方法和技術(shù)形成焊錫凸塊106(球狀)在包括集成電路及其他主動元件的表面上。焊錫凸塊106通常以鉛、銀、錫、或一混合物形成球狀。
與焊錫凸塊106一起的半導(dǎo)體晶片102藉由習(xí)知的覆晶封裝技術(shù)覆晶粘附至基材104并藉由半導(dǎo)體晶片102的焊錫凸塊106與基材104做實(shí)體上的接觸。接續(xù)一底填充材料107，例如一環(huán)氧樹酯封材，被注入以增加封裝的安定性和可靠性。基材104可根據(jù)應(yīng)用選用陶瓷、有機(jī)材料或印刷電路板。另外，基材104上更可包括電連接體103可被傳導(dǎo)連接到晶片102的集成電路和其他主動元件。電連接體103可為另外的焊錫凸塊，可用來和其他基材(未繪示于圖上)電性連接，而在一些例子中，電連接體103是一電端點(diǎn)(未繪示于圖上)，可將晶片102的集成電路和其他主動元件的信號導(dǎo)出到外部系統(tǒng)(未繪示于圖上)。
當(dāng)一半導(dǎo)體晶片102經(jīng)覆晶封裝于一基材104之上，晶片102的非主動表面(在主動表面的相反面上)則作為額外熱管理增強(qiáng)之用。熱管理增強(qiáng)之一是伴隨一熱分散器112，有時(shí)是為一散熱片或是熱導(dǎo)管。一般而言熱分散器112是為金屬材料，例如鋁、金、銅、銀、金屬成分的混合物或其他熱傳導(dǎo)材料等可以有效的消散或分散由晶片102所逸散出的熱。藉由將熱散離晶片102，集成電路和其他主動元件才能為持在較低的溫度之下。集成電路和其他主動元件在較低的溫度之下工作代表著高可靠性和高效能，因?yàn)樵诟邷叵虏僮鲿?dǎo)致元件提早或加速失敗是眾所皆知的。
熱分散器112可以為任何形狀和尺寸，視空間和設(shè)計(jì)而定。特別的是，如圖所繪示的熱分散器112的形狀像一頂帽子或是成一“ㄇ”字形覆蓋整個(gè)晶片102且由晶片102非主動區(qū)的頂部延伸至晶片102所黏附的基材104的頂表面。另外一熱分散器112的設(shè)計(jì)稱之為“巨蛋型”覆蓋，由晶片102非主動區(qū)的頂部延伸至晶片102所黏附的基材104的頂表面。而另一種熱分散器112則為簡單的設(shè)計(jì)，包括一金屬材料層實(shí)質(zhì)覆蓋晶片102且不和基材104的任何表面有實(shí)體上的接觸。
為了讓熱分散器112和半導(dǎo)體晶片102問的熱耦合更佳，一熱介材料108可如圖所示形成于熱分散器112和半導(dǎo)體晶片102之間。雖然一般是先形成熱介材料108覆蓋晶片102的非主動表面之后，再加上熱分散器112。有時(shí)候也會先將熱分散器112覆蓋晶片102的非主動表面之后，接著再加入熱介材料108。
熱介材料108可減少發(fā)生在熱分散器112和半導(dǎo)體晶片102間的熱阻抗。更進(jìn)一步而言，如果選擇正確，適當(dāng)?shù)臒峤椴牧?08可以大幅增進(jìn)熱分散速率。換言之，取代熱分散器112藉由熱介材料108粘附于半導(dǎo)體晶片102，一半導(dǎo)體晶片102可以和其他半導(dǎo)體晶片102粘附或復(fù)數(shù)個(gè)半導(dǎo)體晶片102藉由復(fù)數(shù)熱介材料108形成多晶片模組(Multi-chip Module，MCM)平臺。多晶片模組平臺允許多集成電路或主動元件配置于單一封裝100之內(nèi)而能提高功能換效能，但是也增加了制程的困難度和挑戰(zhàn)。
由熱介材料108及半導(dǎo)體晶片102近角度視角所視的圖形110，一傳統(tǒng)的熱介材料108如圖示成一均勻平坦的膜層位于半導(dǎo)體晶片102非主動表面及熱分散器112之間。一種適用的熱介材料108是硅油基底氮化鋁填充導(dǎo)熱膏，其具有良好的導(dǎo)熱特性能輕易的將半導(dǎo)體晶片102及熱分散器112之間的熱導(dǎo)出。除了導(dǎo)熱的優(yōu)點(diǎn)之外，當(dāng)封裝100因?yàn)榘雽?dǎo)體晶片102及熱分散器112之間因熱膨脹系數(shù)不配合而產(chǎn)生扭曲時(shí)，熱介材料108可作為緩沖材料來降低機(jī)械應(yīng)力。
如圖示傳統(tǒng)封裝100中均勻的熱介材料108，在元件重復(fù)操作的的情形下，會持續(xù)存在低元件可靠性的問題。例如，當(dāng)使用比如說導(dǎo)熱膏或?qū)崮z等非固態(tài)的材料作為熱介材料108，會存在“被擠壓出來”的議題。當(dāng)施加功率于晶片102且集成電路和主動元件會受到一熱循環(huán)時(shí)會發(fā)生“被擠壓出來”的議題。當(dāng)集成電路和主動元件在操作中時(shí)，這樣的問題會產(chǎn)生。晶片102的溫度會因元件的操作而上升，不同的材料會因其各自的熱膨脹率而產(chǎn)生不同的膨脹速率。彼此間熱膨脹系數(shù)差異越大，晶片102和基材104的熱致翹曲和扭曲也越大。扭曲的結(jié)果，熱介材料108在功率循環(huán)和元件操作條件下將反復(fù)經(jīng)歷垂直的壓縮。結(jié)果，非固態(tài)熱介材料108，在本例中為導(dǎo)熱膏，是作為晶片102和熱分散器112間的熱傳導(dǎo)，從晶片102和熱分散器112間被推擠和擠壓出來。在這樣的情形下，元件會開始升溫，最終因過熱而導(dǎo)致元件的失效。由于這是晶片102和熱分散器112間熱膨脹系數(shù)不配合而導(dǎo)致熱和機(jī)械的現(xiàn)象，使用其他非固態(tài)或固態(tài)熱介材料108來取代導(dǎo)熱膏并無法緩和“被擠壓出來”的議題。
如圖2所示本發(fā)明的封裝實(shí)施例，除了一環(huán)繞熱介材料108的介面外，和圖1所示非常相似。如圖2所示，除了以一均勻的熱介材料108來熱耦合晶片102與熱分散器104之外，在一實(shí)施例中加入一界限材料114環(huán)繞熱介材料108。界限材料114可在加入熱介材料108之前或之后加在晶片102的非主動表面。界限材料114可以為聚合物或聚酯為主的材料，例如聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene，PTFE)。此外，界限材料114也可以為非金屬材料或固態(tài)材料，可以圍繞熱介材料108并提供安定性。而熱介材料108的厚度較佳是小界限材料114的厚度。
雖然圖2所繪示熱介材料108的周緣是為方形的界限材料114所圍繞，熱介材料108如同界限材料114一樣可以為任何形狀和尺寸，這完全根據(jù)晶片尺寸、應(yīng)用和組合裕度來決定。例如，若熱介材料108是為矩形，界限材料114則會為對應(yīng)矩形的方框而環(huán)繞熱介材料108的周緣。更進(jìn)一步而言，若熱介材料108是為圓形的或成一環(huán)狀，界限材料114的形狀會像是甜甜圈而圍繞在環(huán)狀熱介材料108的周邊。界限材料114實(shí)質(zhì)上是發(fā)揮加強(qiáng)和確保熱介材料108的完整。據(jù)此，界限材料114可避免熱介材料108在相對的操作條件下被擠出來。換言之，界限材料114是作為一屏蔽之用以避免熱介材料108產(chǎn)生“被擠壓出來”的現(xiàn)象。在另一實(shí)施例中，界限材料114即可作為熱介材料108之用以形成在晶片102和熱分散器112之間。
請參閱圖3所示，圖3是繪示另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝由近角度視角的剖視圖。如圖所示，晶片102藉由熱介材料108熱耦合熱分散器112。另外，界限材料114環(huán)繞熱介材料108以提供一額外的保障。在另一實(shí)施例中，一粘著層116可用來改善晶片102和界限材料114間的粘附。粘著層116可在界限材料114加入前或加入后，以及熱介材料108加熱前或加入后，形成在晶片102的非主動表面上。在另一實(shí)施例中，界限材料114已黏附在晶片102之上，但是允許界限材料114松弛地懸垂或突出于晶片102之外已在后續(xù)的制程中能無拘束地與熱分散器112接合來增加設(shè)置的彈性。在另一實(shí)施例中，一碟形或凹陷區(qū)域118可被形成于熱分散器112之上，以能容置界限材料114和熱介材料108，當(dāng)晶片102與熱分散器112熱耦合或推擠在一起時(shí)，具凹陷區(qū)域118的熱分散器112可用來容置熱介材料108和界限材料114。在本發(fā)明中，熱介材料108亦可以真空來取代。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其包括一晶片具有一主動表面及一位于相對側(cè)的耦合表面，該晶片具有一或多集成電路和凸塊；一熱分散器熱耦合于該晶片的該耦合表面；一熱介材料介于該晶片的該耦合表面與該熱分散器之間；以及一界限材料位于該晶片的該耦合表面與該熱分散器之間，該界限材料環(huán)繞該熱介材料的周緣以保持該熱介材料位于該晶的該片耦合表面與該熱分散器之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其更包括一基材，該基材具有一上表面和一相對于該上表面的下表面，其中該晶片的該主動表面使用該基材與該晶片間電性連接延伸以覆晶粘附于該基材的該上表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的界限材料是為聚合物材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的聚合物材料是選自于由聚酯為主的材料及聚四氟乙烯所組成的族群。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的熱介材料的周緣的形狀是選自于由矩形、方形和圓形所組成的族群。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的熱介材料是選自于由導(dǎo)熱膠、空氣所組成的族群，或該熱介材料可由真空取代。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的熱分散器包括一凹陷區(qū)域以容置至少部分該界限材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的熱介材料的厚度小該界限材料的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其更包括一粘著材料介于該界限材料和該晶片的該耦合表面之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的界限材料和該熱分散器是為可移動的接觸。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體元件封裝結(jié)構(gòu)，在一實(shí)施例中，封裝元件包括一晶片，晶片具有主動表面及一位于相對側(cè)的耦合表面，晶片具有一或多集成電路和凸塊。元件包括熱耦合于晶片耦合表面的熱分散器以消散晶片的發(fā)熱。一熱介材料介于晶片耦合表面與熱分散器之間以加速熱的消散。另外，元件更包括一界限材料位于晶片耦合表面與熱分散器之間并環(huán)繞熱介材料以保持熱介材料位于晶片耦合表面與熱分散器之間。
文檔編號H01L23/36GK1841714SQ20051012580
公開日2006年10月4日 申請日期2005年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月29日
發(fā)明者倪慶羽, 袁從棣, 潘信瑜 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司