專利名稱：隔壁結構體及其形成方法、器件、電光學裝置及電子儀器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及隔壁結構體、隔壁結構體的形成方法、器件、電光學裝置及電子儀器。
背景技術：
作為電子電路或集成電路等使用的由所定圖案構成的配線等的形成方法，例如廣泛采用光刻法。這種光刻法需要真空裝置、曝光裝置等大規(guī)模的設備。而且為了用上述裝置形成由所定圖案構成的配線等，需要復雜的工序，而且在材料的使用效率上也百分之幾左右不得不將材料的幾乎全部廢棄，存在制造成本高的問題。
與此相比，有人提出利用液滴噴頭以液滴狀噴出液體材料的液滴噴出法，采用所謂的噴墨法，在基板上形成由所定圖案構成的配線等的方法(例如參見專利文獻1、專利文獻2)。這種噴墨法在基板上直接按照圖案配置圖案用的液體材料(功能液)，然后經過熱處理或激光照射使其轉變成圖案。因此，采用這種方法由于無需光刻工序，大幅度簡化工藝，同時能夠直接在圖案位置上配置原材料，所以具有能夠削減用量的優(yōu)點。
專利文獻1特開平11-274671號公報專利文獻2特開2000-216330號公報且說近年來，隨著構成器件電路高密度化的推進，例如對于配線也提出了微細化和細線化的要求。在采用上述液滴噴出法的圖案形成方法中，由于噴出的液滴彈落后在基板上擴展，難于穩(wěn)定地形成微細的圖案。特別是將以圖案作導電膜的情況下，由于上述液滴的擴展，會產生液積存處(隆起bulge)，因而有成為斷線和短路等不利情況的發(fā)生原因之虞。
而且有人提出一種通過形成劃分配線形成區(qū)域的貯格圍堰(bank)，在使此貯格圍堰表面疏液化的狀態(tài)下朝著配線的形成區(qū)域噴出功能液，比利用液滴噴出法噴出功能液的飛翔路徑寬度更窄的配線的形成技術。通過這樣形成劃分配線形成區(qū)域的貯格圍堰，即使一部分功能液被噴出在貯格圍堰上面的情況下，由于貯格圍堰被疏液處理而能使功能液全部流入配線形成區(qū)域內。
然而，近年來已確認，一部分功能液一旦與貯格圍堰的上面接觸，就會在貯格圍堰的上面殘留微細的殘渣。例如當功能液具有導電性的情況下，殘渣也會變成具有導電性的，一旦如上述那樣在貯格圍堰的上面殘留，就有使配線圖案本身的電特性以及采用此配線的器件特性發(fā)生變化的擔心。

發(fā)明內容
本發(fā)明正是鑒于上述情況而提出的，其目的在于提供一種能夠以高精度穩(wěn)定形成細線狀微細圖案的貯格圍堰結構體、圖案形成方法及電光學裝置和電子儀器。
本發(fā)明為解決上述課題，涉及一種設置了與用功能液形成的圖案對應凹部的隔壁結構體，其特征在于，其中具備與第一圖案對應設置的第一凹部；與在所述第一凹部的一部分設置的比所述第一凹部寬度更寬，而且至少在外周的一部分上具有圓弧形狀的第二圖案對應的第二凹部。
其中所述第一凹部的寬度，是指從與第一凹部的縱向正交方向上的第一凹部的一端至另一端之間的距離。所述第二凹部的寬度，是指通過第二凹部中心的軸與第二凹部的外周重疊點的一端至另一端之間的距離最小的距離。
一般而言，為防止圖案形成時功能液濕潤擴展而設置的隔壁的凹部，形成為矩形形狀。而且通過液滴噴出法形成圖案的情況下，從液滴噴出裝置噴出的功能液的彈落形狀為圓形。因此，例如當?shù)谝粓D案的寬度比被噴出的功能液的飛翔路徑的寬度更窄的情況下，一部分功能液會殘留在隔壁的上面。與此相比，根據(jù)本發(fā)明，第二凹部具有比第一凹部寬度更寬，而且外周的至少一部分上具有圓弧的形狀。因而第二凹部的寬度，將會與液滴噴出裝置噴出的功能液的飛翔路徑對應地增大。因此，被噴出的功能液不會從第二凹部溢出而被其容納。由此，能夠形成具有所需形狀的圖案，同時還能夠實現(xiàn)具有防止因隔壁上面的殘渣造成短路，具有所需電特性的圖案。
而且本發(fā)明的隔壁結構體，所述第二凹部優(yōu)選俯視為正圓形。
根據(jù)這種構成，配置功能液的區(qū)域的形狀，與被噴出功能液的平面形狀相等。其中例如將第二凹部設定為矩形的情況下，被噴出的功能液難于在第二凹部的角部濕潤擴展，往往不能形成具有所需形狀的圖案。因此，將第二凹部設定為正圓形的情況下，能將功能液的噴出區(qū)域設定在最小面積上，因而能夠減低功能液的成本。此外，也不會使被噴出的功能液在隔壁的上面溢出，能夠將其容納在第二凹部內。
而且本發(fā)明的隔壁結構體，還優(yōu)選具備與所述第一圖案連接，而且比所述第一圖案寬度更寬的第三圖案對應設置的第三凹部。
形成作為微細圖案的第一圖案的情況下，當微細圖案的寬度與功能液的飛翔路徑小時，直接向與第一圖案對應的凹部噴出功能液一般是困難的。與此相比，本發(fā)明中第三圖案形成得比第一圖案更寬。因此，利用毛細管現(xiàn)象能夠向比第三凹部更窄的作為圖案的第一凹部配置向第三凹部噴出的功能液。此外，第一凹部一端連接于第二凹部，另一端連接于第三凹部。因此，功能液從第一凹部的兩端流入，能使功能液在第一凹部的全體上濕潤擴展。所以能夠形成具有所需形狀的圖案，能夠形成電特性優(yōu)良的圖案。
而且本發(fā)明的隔壁結構體，也優(yōu)選具備與所述第二圖案連接設置的第三圖案對應的第三凹部。
根據(jù)這種構成，與第二圖案連接設置著與第三圖案對應的第三凹部。因此即使被噴出的功能液的飛翔路徑比第一凹部的寬度更大的情況下，被噴出的功能液不會從隔壁中溢出，而被第二凹部所容納，能夠使功能液在第三凹部濕潤擴展。因而能夠形成具有所需形狀的圖案，能夠形成電特性優(yōu)良的圖案。
而且本發(fā)明的隔壁結構體的形成方法，是在基板上形成具有與多個圖案對應的凹部的隔壁結構體的方法，其特征在于，其中具有在所述基板上涂布隔壁材料的工序；在所述隔壁材料上形成與第一圖案對應的第一凹部的工序；對所述隔壁材料在所述第一凹部的一部分上設置比所述第一凹部寬度更寬，而且外周的至少一部分具有圓弧形狀的第二圖案對應的第二凹部形成工序。
根據(jù)本發(fā)明的隔壁結構體的形成方法，第二凹部是比第一凹部寬度更寬，而且外周的至少一部分具有圓弧的形狀。因此，第二凹部的寬度變成具有與液滴噴出裝置噴出功能液的飛翔路徑對應的大小。因此，被噴出的功能液，不會從第二凹部溢出而被其容納。由此，能夠形成具有所需形狀的圖案，同時還能實現(xiàn)防止隔壁上面的殘渣引起的短路等，具有所需電特性的圖案。
本發(fā)明的器件，是具備在基板上設置的半導體層、與所述半導體層連接的源電極和漏電極、和通過絕緣層與所述半導體層相對向設置的柵電極的器件，其特征在于，具備上述的隔壁結構體，和在所述隔壁結構體的所述第一和第二凹部的內部分別配置的圖案，其中所述第一圖案是所述漏電極。
通過采用上述的貯格圍堰結構，能使功能液的殘渣不會在貯格圍堰上面殘留，形成具有所需形狀的漏電極。由此能夠提供一種防止在貯格圍堰上面形成的配線等的短路、斷線等，電特性優(yōu)良的器件。
本發(fā)明的器件，是具備在基板上設置的半導體層、與所述半導體層連接的源電極和漏電極、和通過絕緣層與所述半導體層相對向設置的柵電極的器件，其特征在于，具備上述的隔壁結構體，和在所述隔壁結構體的所述第一、第二和第三凹部的內部分別配置的圖案，其中所述第一圖案是所述柵電極，所述第三圖案是所述柵配線。
通過采用上述的貯格圍堰結構，能使功能液的殘渣不會在貯格圍堰上面殘留，形成具有所需形狀的柵配線和柵電極。由此能夠提供一種防止在貯格圍堰上面形成的配線等短路、斷線等，電特性優(yōu)良的器件。
本發(fā)明的器件，是具備在基板上設置的半導體層、與所述半導體層連接的源電極和漏電極、和通過絕緣層與所述半導體層相對設置的柵電極的器件，其特征在于，具備上述的隔壁結構體，和在所述隔壁結構體的所述第一、第二和第三凹部的內部分別配置的圖案，其中所述第一圖案是所述源配線，所述第三圖案是所述源電極。
通過采用上述的貯格圍堰結構，能使功能液的殘渣不會在貯格圍堰上面殘留，形成具有所需形狀的源配線和源電極。由此能夠提供一種防止在貯格圍堰上面形成的配線等短路、斷線等，電特性優(yōu)良的器件。
而且本發(fā)明的器件，其中所述源電極和所述半導體層在平面上重疊的面積，與所述漏電極和所述半導體層在平面上重疊的面積優(yōu)選大體相等。
根據(jù)這種構成，能夠實現(xiàn)沒有信號延遲的電特性優(yōu)良的器件。
而且本發(fā)明的電光學裝置，其特征在于其中具備上述器件。此外本發(fā)明的電子儀器，其特征在于其中具備上述電光學裝置。
根據(jù)本發(fā)明，由于備有電特性優(yōu)良的器件，所以能夠實現(xiàn)品質和性能提高的電光學裝置和電子儀器。
其中在本發(fā)明中，所述電光學裝置是指除了具有利用電場使物質的折射率產生變化，使透過率發(fā)生變化的電光學效果以外，還包括將電能轉換成光能的一切裝置的總稱。具體講有采用液晶作為電光學物質的液晶顯示裝置、利用有機EL(電致發(fā)光)的有機EL裝置、利用無機EL的無機EL裝置、以等離子體用氣體作為電光學物質的等離子體顯示裝置等。此外還有電泳裝置(EPDElectrophoretic Display)、場致發(fā)射顯示裝置(FEDField Emission Display)等。


圖1是表示本發(fā)明的液滴噴出裝置大體構成的立體圖。
圖2是用于說明利用壓電方式的液狀體的噴出原理的圖。
圖3是示意表示貯格圍堰結構的俯視圖。
圖4(a)～(c)是表示分別與柵電極、源電極和漏電極對應的貯格圍堰結構的示意圖。
圖5(a)～(d)是表示配線圖案形成方法的剖面圖。
圖6(a)～(c)是表示配線圖案形成方法的俯視圖。
圖7是示意表示作為顯示區(qū)域的一個像素俯視圖。
圖8(a)～(e)是表示一個像素形成工序的剖面圖。
圖9(a)、(b)是示意表示與其他實施方式的漏電極對應的貯格圍堰結構的俯視圖。
圖10是從對向基板一側看到的液晶顯示裝置的剖面圖。
圖11是液晶顯示裝置沿著圖10的H-H’直線的剖面圖。
圖12是液晶顯示裝置的等效電路圖。
圖13是有機EL裝置的局部放大剖面圖。
圖14是表示本發(fā)明的電子儀器的具體實例的圖。
圖15是非解除型卡式介質的分解立體圖。
圖中L…功能液，34…貯格圍堰(隔壁)，42…源配線(第一圖案)，42a…源配線溝槽部(第一凹部)，43…源電極(第三圖案)，43a…源電極溝槽部(第三圖案)，48…源配線輔助部(第二圖案)，48a…源配線輔助溝槽部(第二凹部)，44…漏電極(第一圖案)，44a…漏電極溝槽部(第一凹部)，46…無定形硅膜(半導體層)，49…漏電極輔助部(第二圖案)，49a…漏電極輔助溝槽部(第二凹部)，55…柵配線(第三圖案)，55a…柵配線溝槽部(第三凹部)，56…柵電極(第一圖案)，56a…柵電極溝槽部(第一凹部)，57…柵電極輔助部(第二凹部)，57a…柵電極輔助部(第二圖案)，62…漏電極輔助部(第二圖案)，62a…漏電極輔助溝槽部(第二凹部)具體實施方式
[第一種實施方式]以下參照

本發(fā)明的一個最佳實施方式。其中在以下說明的實施方式中，僅僅是表示本發(fā)明的一種實施方式，并不限定本發(fā)明。而且在以下說明用的各圖中，為了能夠在圖上識別各層和各部件，適當變更了各層和各部件的比例尺。
(液滴噴出裝置)本實施方式中，首先參照附圖1說明形成薄膜圖案用的液滴噴出裝置。
圖1作為本發(fā)明的圖案形成方法采用的裝置的一例，是表示利用液滴噴出法在基板上配置液體材料的液滴噴出裝置(噴墨裝置)IJ的大體構成的立體圖。
液滴噴出裝置IJ備有液滴噴頭1、X軸方向驅動軸4、Y軸方向導向軸5、控制裝置CONT、臺架7、清洗機構8、基座9和加熱器15。
臺架7是支持由這種液滴噴出裝置IJ設置油墨(液體材料)的基板P用的，備有將基板P固定在基準位置上的未圖示的固定機構。
液滴噴頭1是具備多個噴嘴的多噴嘴型液滴噴頭，使其縱向與Y軸方向一致。多個噴嘴以一定間隔沿著Y軸方向被并列設置在液滴噴頭1的下面?？梢詮囊旱螄婎^1的噴嘴向被臺架7支持的基板P上噴出含有上述導電性微粒的油墨。
X軸方向驅動馬達2連接在X軸方向驅動軸4上。X軸方向驅動馬達2是步進馬達等，一旦由控制裝置CONT供給X軸方向的驅動信號，就能使X軸方向驅動軸4旋轉。X軸方向驅動軸4一旦旋轉，液滴噴頭1就朝著X軸方向移動。
Y軸方向導向軸5被固定得相對于基座9不動。臺架7具備Y軸方向驅動馬達3。Y軸方向驅動馬達3是步進馬達等，一旦由控制裝置CONT供給Y軸方向的驅動信號，就能使臺架7朝著Y軸方向移動。
控制裝置CONT向液滴噴頭1供給液滴的噴出控制用的電壓。而且向X軸方向驅動馬達2供給控制液滴噴頭1沿著X軸方向移動的驅動脈沖信號，向Y軸方向驅動馬達3供給控制臺架107沿著Y軸方向移動的驅動脈沖信號。
清洗機構8是清洗液滴噴頭1的機構。清洗機構8備有未圖示的Y軸方向驅動馬達。通過這種Y軸方向驅動馬達，能使清洗機構8沿著Y軸方向導向軸5移動。清洗機構8的移動也受控制裝置CONT的控制。
加熱器15，在此是一種通過燈退火對基板P進行熱處理的部件，對基板P上涂布的液體材料所含的溶劑進行蒸發(fā)和干燥。這種加熱器15電源的接通和切斷也由控制裝置CONT控制。
液滴噴出裝置IJ，一邊使液滴噴頭101與支持基板P的臺架7作相對掃描，一邊向基板P噴出液滴。其中在以下的說明中，將X軸方向定為掃描方向，與X軸方向正交的Y軸方向定為非掃描方向。因此將液滴噴頭1的噴嘴以一定間隔并列設置在非掃描方向的Y軸方向上。另外，在圖1中，液滴噴頭1雖然相對于基板P的前進方向被配置成直角，但是也可以調整液滴噴頭1的角度，使其與基板P的前進方向交叉。這樣調整液滴噴頭1的角度時，能夠調節(jié)噴嘴間的間距。而且還能夠任意調節(jié)基板P與噴嘴面間的距離。
圖2是用于說明利用壓電方式噴出液體材料的噴出原理的圖。
圖2中，與容納液體材料(配線圖案用油墨、功能液)的液體室21相鄰設置著壓電元件22。借助于包括容納液體材料的材料罐的液體材料供給系統(tǒng)23向液體室21供給液體材料。
將壓電元件22連接于驅動電路24，借助于這種驅動電路24向壓電元件22施加電壓，通過壓電元件22變形使液體室21變形，可以從噴嘴25中噴出液體材料。這種情況下，通過使施加的電壓值變化，可以控制壓電元件22的變形量。而且通過改變施加電壓的頻率，可以控制壓電元件22的變形速度。
另外，液體材料的噴出原理，除了采用上述的壓電元件的壓電元件使油墨噴出的壓電方式以外，還可以采用借助于加熱液體材料產生的氣泡(bubble)使液體材料噴出的氣泡方式等公知技術。其中在上述的壓電方式中，由于無需對液體材料加熱，所以具有對材料的組成不產生影響的優(yōu)點。
其中功能液L，是將導電性微粒在分散介質中分散的分散液和將有機銀化合物和氧化銀納米粒子在溶劑中分散的溶液組成的物質。作為導電性微粒，例如除含有金、銀、銅、鈀和鎳之中的任意金屬的金屬微粒以外，還可以使用其氧化物，以及導電性聚合物和超導體微粒等。這些導電性微粒，為了提高分散性也可以在表面上涂布有機物等后使用。導電性微粒的粒徑優(yōu)選為1納米以上和0.1微米以下。一旦大于0.1微米就有使后述的液體噴頭的噴嘴產生堵塞之虞。而且一旦小于1納米，涂料與導電性微粒間的體積比就會增大，使得到的膜中的有機物比例過多。
作為分散介質只要是能夠分散上述導電性微粒，不會產生凝聚的就沒有特別限制。除水以外，例如還可以舉出甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇類，正庚烷、正辛烷、癸烷、十二碳烷、十四碳烷、甲苯、二甲苯、甲基異丙基苯、杜烯、茚、雙戊烯、四氫萘、十氫萘、環(huán)己基苯等烴類化合物，和乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基乙基醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、二甘醇甲基乙基醚、1，2-二甲氧基乙烷、雙(2-甲氧基乙基)醚、對二噁烷等醚類化合物，以及亞丙基碳酸酯、γ-丁內酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲基亞砜、環(huán)己酮等極性化合物。這些分散介質中，從微粒的分散性和分散液的穩(wěn)定性，以及容易采用液滴噴出法(噴墨法)等觀點來看，優(yōu)選水、醇類、烴類化合物、醚類化合物，作為更優(yōu)選的分散介質可以舉出水、烴類化合物。
上述導電性微粒分散液的表面張力，優(yōu)選為0.02N/m以上、0.07N/m以下的范圍內。用噴墨法噴出液體時，表面張力一旦低于0.02N/m，由于油墨組合物對噴嘴面的濕潤性增大而容易產生飛行彎曲。一旦超過0.07N/m，就會因噴嘴尖端的彎月面形狀不穩(wěn)定而使噴出量和噴出時間的控制變得困難。為了調整表面張力，可以在與基板的接觸角不產生顯著降低的范圍內，向上述分散液中添加微量含氟系、硅酮系、非離子系等表面張力調節(jié)劑。非離子系表面張力調節(jié)劑，具有使液體在基板上的濕潤性提高，改善膜的流平性，防止膜產生微小凹凸等作用。上述表面張力調節(jié)劑，必要時也可以含有醇類、醚類、酯類、酮類等有機化合物。
上述分散液的粘度，優(yōu)選為1Pa·s以上、50mPa·s以下。采用噴墨法以液滴形式噴出液體材料時，粘度小于1mPa·s的情況下，噴嘴周邊部分容易因油墨的流出而被污染，而當粘度大于50mPa·s的情況下，因噴嘴堵塞的頻度增高而很難順利地噴出液滴。
(貯格圍堰結構體)以下參照圖3說明構成一個像素的貯格圍堰結構。圖3是示意表示構成一個像素(包括TFT)的貯格圍堰結構的平面圖。圖3中，為使本實施方式容易理解，實際上僅將構成一個像素時使用的貯格圍堰結構抽出加以說明。而且圖3中，為方便起見將不同層上形成的各貯格圍堰同樣圖示和說明。而且各圖中，為使各層和各部件在圖中達到能夠識別的大小，使各層和各部件的比例持不同。
首先參照圖3和圖4(a)就圖3所示的第一層進行詳細說明。
圖4(a)是將構成圖3所示的一個像素的貯格圍堰結構的第一層抽出后放大后示出的平面圖。如圖3、4(a)所示，在構成一個像素的第一層的貯格圍堰34上，形成與柵配線對應的柵配線溝槽部55a(第三凹部)和與柵電極對應的柵電極溝槽部56a(第一凹部)。
柵配線溝槽部55a在X軸方向延續(xù)形成，具有寬度H1。柵配線溝槽部55a的寬度H1，形成得與上述液滴噴出裝置IJ噴出的功能液L的飛翔路徑相等或者更大。因此，柵配線溝槽部55a成為由被噴出的功能液L不會從貯格圍堰34的上面滲出的結構。
柵電極溝槽部56a在Y軸方向延續(xù)形成，柵電極溝槽部56a的低端部分與柵配線溝槽部55a大體垂直地連接。而且柵電極溝槽部56a具有寬度H2，該柵電極溝槽部56a的寬度H2形成為比上述柵配線溝槽部55a的寬度部分H1更窄。詳細地講，形成為比液滴噴出裝置IJ噴出的功能液L的飛翔路徑更小。因此，很難使功能液L對柵電極溝槽部56a直接噴出功能液L。于是在本實施方式中，能夠制成一種通過毛細管現(xiàn)象，將向柵配線溝槽部55a噴出的功能液L，供給柵電極溝槽部56a的結構。
本實施方式中，在柵電極溝槽部56a的頂端部，使柵電極輔助溝槽部57a(第二凹部)形成俯視呈正圓狀。這種柵電極輔助溝槽部57a構成柵電極溝槽部56a的一部分。而且柵電極輔助溝槽部57a的正圓形狀的寬度，形成得與上述液滴噴出裝置IJ噴出的功能液L的飛翔路徑相等或者更大。也就是說，本實施方式中，事先變成被噴出功能液L的區(qū)域S1，成為了功能液L不會從貯格圍堰34的上面溢出的結構。
通過設置這種柵電極輔助溝槽部57a，柵電極溝槽部56a一端與柵配線溝槽部55a連接，另一端與柵電極輔助溝槽部57a連接。而且柵配線溝槽部55a與柵電極輔助溝槽部57a，如上所述，將變成噴出功能液L的區(qū)域。因此，柵電極溝槽部56a可以從兩端供給功能液L而不會在貯格圍堰34上面溢出。由此，能使功能液L在柵電極溝槽部56a全體上濕潤擴展，能夠形成具有所需形狀的圖案。
接著參照圖3、圖4(b)和圖4(c)詳細說明圖3所示的第二層。
圖4(b)是將圖3所示的構成一個像素的貯格圍堰結構的第二層抽出放大表示的平面圖。如圖3、圖4(b)所示，對于構成一個像素的第二層貯格圍堰34，在柵配線和電極用的貯格圍堰的上層，形成與源配線對應的源配線溝槽部42a(第一凹部)、源電極溝槽部43a(第三凹部)、和與漏電極對應的漏電極溝槽部44a(第一凹部)。而且，源配線及電極、漏電極用貯格圍堰，正如后述那樣，在形成源配線和電極、漏電極之后被除去。
源配線溝槽部42a，在Y方向上延伸的同時，形成得與上述的柵配線溝槽部55a交叉。而且源配線溝槽部42a具有寬度H3，形成為比從液滴噴出裝置IJ噴出的功能液L的飛翔路徑更窄。另外，源配線溝槽部42a的寬度H3，正如上述的柵配線溝槽部55a那樣，優(yōu)選形成為與功能液L的飛翔路徑相等或更大。
而且源電極溝槽部43a，如圖3、圖4(B)所示，在源配線溝槽部42a與上述柵配線溝槽部55a的交叉點附近，形成為從源配線溝槽部42向X軸方向延伸。
另外，在本實施方式中，使源配線溝槽部42a與源電極溝槽部43a合并的區(qū)域，比被噴出的功能液L的飛翔路徑更窄，成為了微細圖案。
在源配線溝槽部42a上，形成源配線輔助溝槽48a(第二凹部)。如圖3、圖4(b)所示，源配線輔助溝槽48a被設置得俯視呈正圓狀，被設計得與一部分柵源配線溝槽部42a和源電極溝槽部43a重疊。而且源配線輔助溝槽48a，被設置得朝向源電極溝槽部43a，從源配線溝槽部42a延伸得俯視呈半球狀。其中，源配線輔助溝槽48a的寬度，形成得與上述的液滴噴出裝置IJ噴出的功能液L的飛翔路徑相等或更大。因此，源配線輔助溝槽48a成為將噴出功能液L的區(qū)域S2，成為了一種功能液L不會從貯格圍堰34上面溢出的結構。
而且如圖3、圖4(b)所示，在源電極43a、43a之間形成有第二源電極輔助溝槽部47a(第二凹部)。第二源電極輔助溝槽部47a，形成得與源配線溝槽部42a大體垂直連接，在X軸方向延伸。這種第二源電極輔助溝槽部47a，形成為俯視呈正圓形狀，形成得與上述的液滴噴出裝置IJ噴出的功能液L的飛翔路徑相等或更大。也就是說，在本實施方式中，第二源電極輔助溝槽部47a成為將噴出功能液L用的區(qū)域S3。因此，通過在第二源電極輔助溝槽部47a上噴出功能液L，能夠在不從溝槽部溢出的情況下配置功能液L，能夠向源配線溝槽部42a供給功能液L。
進而就圖3、圖4(c)所示的在第二層貯格圍堰上形成的漏電極溝槽部44a進行說明。圖4(c)，是將圖3所示的構成一個像素的貯格圍堰結構的第二層抽出來放大表示的俯視圖。在圖3的第二層的貯格圍堰34上，形成有與漏電極對應的漏電極溝槽部44a(第一凹部)。
漏電極溝槽部44a，形成得與源電極溝槽部43a相對向。而且漏電極溝槽部44a，與源電極溝槽部43a同樣形成為矩形形狀，形成得使源電極溝槽部43a與漏電極溝槽部44a的平面面積大體相等。
在漏電極溝槽部44a上形成有漏電極輔助溝槽部62a。這種漏電極輔助溝槽部62a，俯視呈正圓形狀，被設置得其一部分與漏電極溝槽部44a重疊。而且，漏電極輔助溝槽部62a自漏電極溝槽部44a以俯視呈半圓形狀延伸而形成。其中，漏電極輔助溝槽部62a的寬度，形成得與上述的液滴噴出裝置噴出的功能液L的飛翔路徑相等或更大。本實施方式中，漏電極輔助溝槽部62a變成將噴出功能液L的區(qū)域S4，成為了功能液L不會從貯格圍堰34上面溢出的結構。
以下參照圖3詳細說明圖3的第三層。
如圖3所示，在劃分為柵配線溝槽部55a和源配線溝槽部42a的區(qū)域上，形成有與像素電極對應的像素電極溝槽部45a。而且，像素電極溝槽部45a，形成得使漏電極溝槽部44a與漏電極輔助溝槽部62a部分重疊。
根據(jù)本實施方式，配置功能液L區(qū)域(柵電極輔助溝槽部57a)的形狀，與被噴出的功能液L的飛翔路徑相等。因此，被噴出的功能液L不會在貯格圍堰34的上面等溢出，能夠被容納在柵電極輔助溝槽部57a內，供給柵電極溝槽部56a。關于源配線輔助溝槽47a、48a和漏電輔助溝槽62a，也能起到與柵電極輔助溝槽部57a同樣的效果。
(貯格圍堰結構體及圖案的形成方法)圖5(a)～(d)和圖6(a)～(c)，是以工序順序表示貯格圍堰結構體及圖案形成方法的剖面圖。其中圖5(a)～(d)，是表示圖3所示的貯格圍堰結構體沿著A-A’線的剖面部分，即柵電極溝槽部、柵配線溝槽部和圖案形成方法工序的圖。關于圖3所示的構成其他貯格圍堰結構體的源電極溝槽部、源配線溝槽部、漏電極溝槽部等的形成工序，由于與柵電極形成工序是同樣的，所以本實施方式中省略對其的說明。
(貯格圍堰材料涂布工序)首先如圖5所示，利用旋涂法在基板48的全面上涂布貯格圍堰材料。作為基板48，可以使用玻璃、石英玻璃、硅晶片、塑料膜、金屬板等各種材料。而且貯格圍堰材料也可以使用具有感光性的聚硅氮烷、丙烯樹脂和聚酰亞胺等制成的絕緣材料。由此，由于貯格圍堰材料兼有抗蝕劑的功能，所以能夠省略抗蝕劑涂布工序。
其中，優(yōu)選在這種基板48的基板表面上形成半導體膜、金屬膜、電介質膜、有機膜等基底層。而且作為上述貯格圍堰材料的涂布方法，可以采用旋涂法、輥涂法、模涂法、浸涂法等各種方法。
以下如圖5(b)、6(a)所示，通過光刻處理形成柵配線溝槽部55a、柵電極溝槽部56a和柵電極輔助溝槽部57a。而且在以下的光刻處理中，作為顯影處理用的光化學反應，是以正型抗蝕劑為前提的。
具體講，首先借助于曝光裝置，用光掩模將所定的研磨圖案轉印在貯格圍堰34上。其中光掩模采用具有以下圖案開口的掩模。使用在與柵配線溝槽部55a對應的區(qū)域上，柵配線溝槽部55a的寬度H1，被開口得與液滴噴出裝置IJ噴出的功能液L的飛翔路徑大體相等或更大的掩模。而且，使用在與柵電極溝槽部56a對應的區(qū)域上，柵電極溝槽部56a的寬度H2，被開口得比液滴噴出裝置IJ噴出的功能液L的飛翔路徑更窄的掩模。此外，還使用在與柵電極輔助溝槽部57a對應的區(qū)域上，柵電極輔助溝槽部57a的形狀俯視為正圓形，該正圓形的寬度，被開口得與液滴噴出裝置IJ噴出的功能液L的飛翔路徑大體相等或更大的掩模。
進而對轉印(曝光處理)了掩模圖案的貯格圍堰34進行顯影處理。在本實施方式中，由于使用了正型抗蝕劑(貯格圍堰34)，所以將溶解照射了曝光光的區(qū)域的抗蝕劑34。由此，如圖6(a)所示，在貯格圍堰34上可以形成柵配線溝槽部55a、柵電極溝槽部56a和柵電極輔助溝槽部57a。
(疏液化處理)接著以CF4、SF5、CHF3等含氟氣體作為處理氣體，對基板48的全面上涂布了貯格圍堰材料的表面進行等離子體處理。通過這種等離子體處理使貯格圍堰材料的表面變成疏液性。作為疏液化處理方法，例如可以采用在大氣氣氛中以四氟甲烷作為處理氣體的等離子體處理法(CF4等離子體處理法)。CF4等離子體處理條件，例如可以設定為等離子體功率50～1000瓦，四氟甲烷氣體流量50～100毫升/分鐘，基體相對于等離子體放電電極的移動速度為0.5～1020毫米/秒鐘，基板溫度為70～90℃。
另外，作為處理氣體并不限于四氟甲烷(四氟化碳)，也可以使用其他氟碳系氣體。
(殘渣處理工序)然后為了除去形成了柵配線溝槽部55a、柵電極溝槽部56a的貯格圍堰形成時的抗蝕劑殘渣(有機物)，對基板48實施殘渣處理。作為殘渣處理的方法，可以采用顯影液處理法、酸處理法等。
(功能液配置工序)以下如圖5(c)、圖6(b)所示，用液滴噴出裝置IJ，向柵配線溝槽部55a和柵電極溝槽部56a噴出作為配線圖案形成材料的功能液L。而且，在本實施方式中，由于柵電極溝槽部56a是微細配線圖案，所以難于用液滴噴出裝置IJ直接噴出功能液L。因此，對柵電極溝槽部56a的功能液L的噴出，如上所述，利用毛細管現(xiàn)象使配置在柵配線溝槽部55a的功能液L流入柵電極溝槽部56a的方法進行。
具體講，首先如圖(c)、圖6(b)所示，向柵配線溝槽部55a噴出功能液L。其中噴出功能液L的一部分，噴出在柵配線溝槽部55a和柵電極溝槽部56a的連接部分上，詳細講，噴出在使柵電極溝槽部56a的寬度H2的中心通過Y軸方向的軸，與使柵配線溝槽部55a的寬度H1的中點通過X軸方向的軸互相交叉的區(qū)域上。也就是說，被噴出的功能液L，通過毛細管現(xiàn)象在以最短距離流入柵電極溝槽部56a的區(qū)域上噴出功能液L。接著同樣通過液滴噴出裝置IJ，向柵電極輔助溝槽部57a的區(qū)域S1噴出功能液L。
利用液滴噴出裝置IJ在柵配線溝槽部55a上配置的功能液L，如圖5(c)、圖6(b)所示，將會在柵配線溝槽部55a內部濕潤擴展。同樣，在柵電極輔助溝槽部57a配置的功能液L，如圖5(c)、6(b)所示，將會在柵電極輔助溝槽部57a內部濕潤擴展。
而且，在柵配線溝槽部55a和柵電極輔助溝槽部57a上濕潤擴展的同時，功能液L，如圖6(c)所示，將會借助于毛細管現(xiàn)象流入柵電極溝槽部56a中。因此，能夠從柵電極溝槽部56a的兩端供給功能液L。通過這種工序可以形成柵電極56。同樣借助于功能液L在柵配線溝槽部55a上濕潤擴展的功能，可以形成柵配線55。而且，在本實施方式中，通過配置在柵電極輔助溝槽部57a上的功能液L而形成的圖案(以下稱為柵電極輔助部57(第二凹部))，構成柵電極56的一部分。
(中間干燥工序)接著將功能液L配置在柵配線溝槽部55a和柵電極溝槽部56a上，形成柵配線55、柵電極56后，根據(jù)需要進行干燥。中間干燥工序后，為了制成所需的厚度，也可以反復進行功能液配置工序。干燥處理，例如可以采用加熱基板48的通常的電熱板、電爐、燈退火等其他各種方式進行。其中作為燈退火使用的光源并沒有特別限制，可以使用紅外線燈、氙燈、YAG激光器、氬激光器、二氧化碳激光器、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等受激準分子激光器等作為光源。這些光源一般使用輸出功率處于10瓦以上、5000瓦以下范圍內的，但是在本實施方式中，功率處于100瓦以上、1000瓦以下范圍內就足夠。
(燒成工序)功能液L噴出工序后的干燥膜，為了實現(xiàn)微粒間充分電接觸，需要完全除去分散介質。而且為提高分散性在導電性微粒表面上涂布有機物等涂料的情況下，也需要除去這種涂料。因此，對噴出工序后的基板實施熱處理和/或光處理。
熱處理和/或光處理通常在大氣中進行，必要時也可以在氫氣、氮氣、氬氣、氦氣等惰性氣體氣氛下進行。熱處理和/或光處理的處理溫度，可以根據(jù)分散介質的沸點(蒸氣壓)、氣氛氣體的種類或壓力、微粒的分散性和氧化性等熱行為、涂料的有無或數(shù)量、以及原材料的耐熱溫度等適當決定。
例如，為了除去由有機物組成的涂料，需要在大約300℃下燒成。而且在使用塑料等基板的情況下，優(yōu)選在室溫以上、100℃以下進行。
通過以上工序，噴出工序后的干燥膜可以確保微粒間的電接觸，通過將其轉變成所定厚度的導電性膜，如圖5(d)所示，能夠形成連續(xù)膜形式的導電性圖案，即柵電極56、柵配線55。
根據(jù)本實施方式的貯格圍堰結構體的形成方法，配置功能液L的區(qū)域(柵電極輔助溝槽部57a)的形狀，將于被噴出的功能液L的飛翔路徑相等。因此，能使被噴出的功能液L容納在柵電極輔助溝槽57a中，而不會從貯格圍堰34的上面溢出，供給柵電極溝槽部56a。
<像素的結構>
以下參照圖7～圖9就利用上述的本實施方式的貯格圍堰結構形成的像素及像素的形成方法進行說明。
圖7是表示本實施方式的一個像素40之結構的俯視圖。
如圖7所示，像素40備有在基板48上沿著軸延伸的柵配線55(第三圖案)，和從柵配線55向Y軸方向延伸形成的柵電極56(第一圖案)。而且像素40也備有與柵配線55交叉在Y軸方向形成的源配線42(第一圖案)，和自源配線42在X軸方向延伸形成的源電極43(第三圖案)，此外還備有與源電極43相對向形成的漏電極44(第一圖案)，和與漏電極44連接的像素電極45。
柵電極56，如圖7所示，在端部形成俯視正圓形形狀。這種柵電極56的端部，是上述的噴出功能液L用的柵電極輔助部57。如此，在本實施方式中，柵電極輔助部57與柵電極56連接，能起柵電極56的作用，構成柵電極的一部分。
同樣，源配線42如圖7所示，形成一部分是以俯視半圓形形狀延伸的部分，和以俯視以圓形形狀延伸的部分。這些部分，是上述的用于噴出功能液L的在源配線輔助溝槽部47a、48a上形成的圖案47、48(以下稱為源配線輔助部47、48)的(第二圖案)。因此在本實施方式中，源配線輔助部47、48與源配線42連接，起著源配線42的作用，構成源配線42的一部分。
此外，漏電極44，如圖7所示，也同樣形成部分以俯視呈半圓形狀延伸的部分。此部分是上述的用于噴出功能液L的在漏電極輔助溝槽62a上形成的圖案62(以下稱為漏電極輔助部62)(第二圖案)。因此在本實施方式中，漏電輔助部62與漏電極連接，起著漏電極44的作用，構成漏電極44的一部分。
而且像素電極45通過接觸孔49與漏電44電連接。
其中如圖7所示，柵電56的寬度，形成得比柵配線55的寬度更窄。例如，柵電極56的寬度為10微米，而柵配線55的寬度為20微米。而且源電極43形成得比源配線42的寬度更窄。例如，源電極43的寬度為10微米，而源配線42的寬度為20微米。通過這樣形成，即使是不能直接噴出功能液L的微細圖案(柵電極56、源電極43)，也能利用毛細管現(xiàn)象使功能液L流入微細的圖案中。
而且如圖7和后述圖8所示，在柵電極56、源電極43與漏電極44之間形成有無定形硅膜46(半導體層)。本實施方式中，源電極43與無定形硅膜46在平面上重疊的面積，與漏電極44與無定形硅膜46在平面上重疊的面積大體相等。由此，能夠實現(xiàn)電特性優(yōu)良的TFT30。
由此，柵電極輔助部57、源配線輔助部48和漏電極輔助部62，是與功能液L的飛翔路徑相比是具有大體相等寬度的圓形。因此能使噴出功能液L的區(qū)域達到最小，因而能夠降低功能液L的成本。此外，在柵電極輔助部57中，能使相鄰形成的像素電極45的開口率降低至最小。
<像素的形成方法>
圖8(a)～(e)是表示沿著圖7所示的B-B’線的像素形成工序的剖面圖。
本實施方式中，利用上述的貯格圍堰結構體和圖案形成方法，形成具有底柵型TFT30的柵電極、源電極、漏電極的像素。另外，在以下的說明中，由于要經過上述的圖5(a)～(d)和圖6(a)～(c)所示的同樣的工序，所以省略關于這些工序的說明。而且關于與上述實施方式所示的構成要素共同的構成要素，將賦予同一符號。
如圖8(a)所示，在包括用圖5(a)～(d)所示的工序形成的配線圖案的貯格圍堰的平坦面上，通過等離子體CVD法等使柵絕緣膜39成膜。其中柵絕緣膜39由氮化硅組成。然后使無定形硅膜在柵絕緣膜39上成膜。接著通過光刻處理和蝕刻處理，如圖8(a)所示，圖案化成所定形狀，形成無定形硅膜46。
然后在無定形硅膜46上使接觸層47(n+硅膜)成膜。接著利用光刻處理和蝕刻處理，如圖8(a)所示圖案形成為所定形狀。
進而如圖8(b)所示，利用旋涂法等在包括接觸層47上的全面上涂布貯格圍堰材料34b。其中作為構成貯格圍堰34b的材料，形成后需要具備透光性和疏液性，所以可以適當使用丙烯樹脂、聚酰亞胺樹脂、烯烴樹脂、蜜胺樹脂等高分子材料。而且為了對這些貯格圍堰材料賦予疏液性而實施CF4等離子體處理等(采用含氟成分的氣體的等離子體處理)。而且優(yōu)選利用事先在貯格圍堰材料本身中充填疏液成分(含氟基團等)的方式，代替這種處理。這種情況下，能夠省略CF4等離子體處理。通過以上方式被疏液化的貯格圍堰材料34b對于功能液L的接觸角，優(yōu)選確保處于40度以上。
接著形成一個像素間距為1/20～1/10的源·漏電極用貯格圍堰34b。具體講，首先利用光刻處理，在與柵絕緣膜39的上面涂布了貯格圍堰材料34的源電極43對應的位置上形成源電極用溝槽部43a，同樣在與漏電極44對應的位置上形成漏電極用溝槽部44a。
然后在源·漏電極用貯格圍堰34b上形成了源電極用溝槽部43a和漏電極用溝槽部44a上配置功能液L，形成源電極43和漏電極44。具體講，首先利用液滴噴出裝置IJ在源配線用溝槽部配置功能液L(圖示省略)。源電極用溝槽部43a的寬度，形成得比源配線用溝槽部的寬度更窄。因此，在源配線用溝槽部配置的功能液L，借助于毛細管現(xiàn)象流入源電極用溝槽部43a中。這樣如圖8(c)所示，可以形成源電極43。利用同樣的方法可以形成漏電極44。
進而如圖8(c)所示，形成源電極43和漏電極44之后，除去源·漏電極用貯格圍堰34b。而且分別以接觸層47上殘留的源電極43和漏電極44作掩模，蝕刻在源電極43和漏電極44之間形成的接觸層47的N+硅膜。通過這種蝕刻處理，可以除去在源電極43和漏電極44之間形成的接觸層47的N+硅膜，使在N+硅膜的下層形成的無定形硅膜46的一部分露出。由此，在可以在源電極43的下層形成由N+硅組成的源區(qū)域32，在漏電極44的下層形成由N+硅組成的漏區(qū)域33。而且可以在這些源區(qū)域32和漏區(qū)域33的下層形成由無定形硅組成的通道區(qū)域(無定形硅膜46)。
利用以上說明的工序，將形成底柵型TFT30。
接著如圖8(d)所示，通過蒸鍍法、濺射法等使鈍化膜38(保護膜)在源電極43、漏電極44、源區(qū)域32、漏區(qū)域33和露出的硅層上成膜。然后通過光刻處理和蝕刻處理，除去在形成了后述的像素電極45的柵絕緣膜39上的鈍化膜38。同時為將像素電極45與漏電極44電連接，在漏電極44上的鈍化膜38上形成接觸孔49。
進而如圖8(e)所示，在包括形成了像素電極45的柵絕緣膜39的區(qū)域上涂布貯格圍堰材料。其中貯格圍堰材料，如上所述含有丙烯樹脂、聚酰亞胺樹脂等材料。接著通過等離子體處理等對這種貯格圍堰材料(像素電極貯格圍堰用34c)的上面實施疏液處理。然后通過光刻處理，在形成了像素電極45的區(qū)域上形成像素電極用溝槽部，形成像素電極貯格圍堰用34c。
然后，通過噴墨法在上述像素電極貯格圍堰用34c所劃分的區(qū)域上形成由ITO(銦錫氧化物)構成的像素電極45。而且通過將像素電極45充填在上述的接觸孔49中，可以確保像素電極45與漏電極44之間的電連接。另外，在本實施方式中，對像素電極貯格圍堰用34c的上面將實施疏液處理。因此，能夠在不會從像素電極用溝槽部溢出的情況下形成像素電極45。
以下參照

本實施方式。在本實施方式中，將說明與構成TFT30的漏電極對應的漏電極溝槽部44a的結構。
在上述第一種實施方式中，與漏電極對應的漏電極溝槽部44a形成得俯視呈矩形形狀。與此相比，在本實施方式中的不同點卻在于使漏電極溝槽部44a形成得呈L字狀。其他基本構成與第一種實施方式相同，所以對共同的構成要素將賦予同一符號，其詳細說明省略。
圖9(a)、(b)是表示與本實施方式的漏電極對應的漏電極溝槽部44a結構的俯視圖。其中所謂漏電極溝槽部44a的內側，是L字狀漏電極溝槽部44a長邊交叉的銳角側，外側是內側的反側。
如圖9(a)所示，漏電極輔助溝槽部62a，在形成L字狀的漏電極溝槽部44a的彎曲部分的內側形成俯視呈圓形形狀。詳細講，漏電極輔助溝槽部62a，形成得與一部分漏電極溝槽部44a重疊，變成從漏電極溝槽部44a的彎曲部分以俯視呈扇形形狀延伸的狀態(tài)。因此漏電極輔助溝槽部62a，與漏電極溝槽部44a連接，構成漏電極44的一部分。而且漏電極輔助溝槽部62a的寬度，形成得與液滴噴出裝置IJ噴出的功能液L的飛翔路徑相等或更大。也就是說，在本實施方式中，漏電極輔助溝槽部62a變成噴出功能液L用的區(qū)域S4，變成功能液L不會從貯格圍堰34上面溢出的結構。
而且優(yōu)選使在漏電極溝槽部44a形成的漏電極輔助溝槽部62a，在與圖9(a)所示位置不同的位置上形成。具體講，在以L字狀形成的漏電極溝槽部44a的兩端部的內側形成得俯視呈圓形形狀。詳細講，漏電極輔助溝槽部62a，形成得與一部分漏電極溝槽部44a重疊，變成從漏電極溝槽部44a向內側方向以半圓形形狀伸出的狀態(tài)。如此，漏電極輔助溝槽部62a，將與漏電極溝槽部44a連接，構成漏電極44的一部分。而且漏電極輔助溝槽部62a的寬度，形成得與液滴噴出裝置IJ噴出的功能液L的飛翔路徑相等或更大。也就是說，在本實施方式中，漏電極輔助溝槽部62a變成噴出功能液L用的區(qū)域S4，變成功能液L不會從貯格圍堰34上面溢出的結構。
這樣以L字狀形成漏電極44，漏電極44的寬度即使在比噴出的功能液L的飛翔路徑小的情況下，通過設置漏電極輔助溝槽部62a，也能在功能液L的殘渣不會在殘留貯格圍堰34上面的情況下，形成所需形狀的漏電極44。
<電光學裝置>
以下說明采用具有上述貯格圍堰結構的圖案形成方法形成的具備像素的作為本發(fā)明電光學裝置一例的液晶顯示裝置。
圖10是就本發(fā)明涉及的液晶顯示裝置而言，從與各構成要素一起顯示的對向基板側觀察的平面圖。圖11是沿著圖10中H-H’直線的剖面圖。圖12是在液晶顯示裝置的像素顯示區(qū)域中以矩陣狀形成的多個像素中各種元件、配線等的等效電路圖，而且在以下說明的各圖中，為使各層和各部件具有圖中可識別的大小，將各層和各部件的比例尺改變得不同。
圖10及圖11中，本實施方式的液晶顯示裝置(電光學裝置)100，是用作為光固化性密封材料的密封材料52將成對的TFT基板10與對向基板20粘合而成的，在由此密封材料52所圍定的區(qū)域內封入保有液晶50。密封材料52在基板面內的區(qū)域上形成密閉的框狀，形成沒有液晶注入口，也沒有用密封材料密封痕跡的結構。
在密封材料52的形成區(qū)域的內側區(qū)域上，形成由透光性材料組成的邊框53。在密封材料52的外側區(qū)域上，沿著TFT陣列基板10的一邊形成數(shù)據(jù)線驅動電路201和安裝矩形形狀20，沿著與此一邊相鄰兩邊形成掃描線驅動電路204。在TFT陣列基板10的其余一邊上，設置著為在像素顯示區(qū)域的兩側設置的掃描線驅動電路204之間連接用的多個配線205。而且在對向基板20的角落的至少一處配置著將TFT陣列基板10與對向基板20之間電導通用的基板間導通材料206。
另外，也可以借助于各方異性導電膜將例如安裝了驅動用LSI的TAB(Tape Automated Bonding)基板與在TFT陣列基板10周邊部分形成的端子組電連接和機械連接，以此代替在TFT陣列基板10上形成數(shù)據(jù)線驅動電路201和掃描線驅動電路204。而且，在液晶顯示裝置100中，可以根據(jù)使用的液晶50的種類，即按照TN(扭轉向列)模式、C-TN法、VA方式、IPS方式模式等動作模式，以及常白模式/常黑模式的不同，在所定方向配置相位差板、偏光板等，但是這里省略對其的圖示。
而且，當將液晶顯示裝置100以彩色顯示用構成的情況下，對向基板20中，在與TFT陣列基板10的后述的各像素電極相對向的區(qū)域上，與其保護一起形成例如紅(R)、綠(G)、藍(B)色的濾色片。
在具有這種結構的液晶顯示裝置100的像素顯示區(qū)域中，如圖12所示，將多個像素100a構成得呈矩陣狀，同時在這些像素100a的每個上形成著像素開關用的TFT(開關元件)30，將供給像素信號的數(shù)據(jù)線6a與TFT30的源電連接。寫入數(shù)據(jù)線6a的像素信號S1、S2、…、Sn，也可以按照線順序以次順序依次供給，也可以對相鄰的多個數(shù)據(jù)線6a之間逐組供給。而且，構成得掃描線3a電連接在TFT30的柵上，對掃描線3a按照所定時序以線順序施加脈沖掃描信號G1、G2、…、Gn。
像素電極19電連接在TFT30的漏區(qū)上，通過僅在一定期間開啟作為開關元件的TFT30，按照所定時序寫入由數(shù)據(jù)線6a供給的像素信號S1、S2、…、Sn。這樣借助于像素電極19在液晶中寫入的所定水平的像素信號S1、S2、…、Sn，在一定期間內被保持在圖11所示的對向基板20的對向電極之間。另外，為了防止被保持的像素信號S1、S2、…、Sn泄漏，可以與在像素電極19與對向電極121之間形成的液晶電容并列附加著儲蓄電容60。例如在比施加原電壓的時間長三位的時間內由儲蓄電容保持像素電極19的電壓。這樣能夠實現(xiàn)電荷保持特性得到改善，對比度高的液晶顯示裝置100。
以下說明與上述電光學裝置(液晶顯示裝置100)不同的實施方式。
圖13是表示具備上述貯格圍堰結構和通過圖案形成方法形成的像素的有機EL裝置的側剖面圖。以下參照圖13說明有機EL裝置的大體結構。
圖13中，有機EL裝置401是在由基板411、電路元件部421、像素電極431、貯格圍堰部441、發(fā)光元件451、陰極461(對向電極)、及密封基板471構成的有機EL元件402上，連接了柔性基板(圖示略)的配線和驅動IC(圖示略)形成的。電路元件部421是作為有源元件的TFT60在基板411上形成、多個像素電極431在電路元件部421上整列構成的。而且構成TFT60的柵配線61，是用上述的實施方式中配線圖案的形成方法形成的。
在各像素電極431之間以格狀形成貯格圍堰部441，在由貯格圍堰部441形成的凹部開口444上形成有發(fā)光元件451。而且，發(fā)光元件451由紅色發(fā)光的元件、綠色發(fā)光的元件和藍色發(fā)光的元件構成，因此有機EL裝置401形成能夠實現(xiàn)彩色顯示的。陰極461在貯格圍堰部441和發(fā)光元件451的上部全面形成，在陰極461上層疊有密封用基板471。
包含有機EL元件的有機EL裝置401的制造方法，具備形成貯格圍堰441的貯格圍堰部形成工序、適當形成發(fā)光元件451用等離子體處理工序、形成發(fā)光元件451的發(fā)光元件形成工序、形成陰極461的對向電極形成工序、和在陰極461上層疊密封用基板471并密封的密封工序。
發(fā)光元件形成工序，通過在凹部開口444，即像素電極431上形成空穴注入層452和發(fā)光層453而形成發(fā)光元件451，其中具備空穴注入層形成工序和發(fā)光層形成工序。而且空穴注入層形成工序，具有將形成空穴注入層452用液體材料在各像素電極431上噴出的第一工序，和將噴出的液體材料干燥形成空穴注入層452的第一干燥工序。而且發(fā)光層形成工序，具有在空穴注入層452上噴出形成發(fā)光層453用液體材料的第二噴出工序，和將噴出的液體材料干燥形成空穴發(fā)光層453的第二干燥工序。其中發(fā)光層453，如上所述，事先由與紅、綠和藍三色對應的材料形成三種發(fā)光層，所以所述第二噴出工序，由分別噴出三種材料用的工序組成。
這種發(fā)光層形成工序中，在空穴注入層形成工序中的第一噴出工序，和發(fā)光層形成工序中的第二噴出工序中，可以使用上述的液滴噴出裝置IJ。
而且作為本發(fā)明涉及的器件(電光學裝置)，除了上述的以外，還可以用于PDP(等離子體顯示板)，或通過使電流與膜面平行地在基板上形成的小面積薄膜中流過，產生電子釋放現(xiàn)象的表面?zhèn)鲗碗娮俞尫旁戎小?br> <電子儀器>
以下說明本發(fā)明的電子儀器的具體實例。
圖14是表示移動電話機一例的立體圖。圖14中，600表示移動電話機主體，601表示具備上述實施方式的液晶顯示裝置的液晶顯示部。
圖14所示的電子儀器，由于是具備采用具有上述實施方式的貯格圍堰結構的圖案形成方法形成的液晶顯示裝置的，所以可以獲得高的品質和性能。
另外，本實施方式的電子儀器雖然制成具備液晶裝置的，但是也可以制成有機電致發(fā)光顯示裝置、等離子體顯示裝置等具備其他電光學裝置的電子儀器。
以下說明在天線電路中采用具有本發(fā)明貯格圍堰結構的圖案形成方法形成的圖案的實例。
圖15表示本實施方式涉及的非接觸型卡式介質，非接觸型卡式介質400，在由卡式基板402和卡式蓋片418構成的筐體內，內置半導體集成電路芯片408和天線電路412，借助于未圖示的外部信號收發(fā)機與電磁波或靜電電容結合的至少一種方式供給電力，或者進行數(shù)據(jù)的接收或發(fā)送。
本實施方式中，上述天線電路412基于本發(fā)明的圖案形成方法形成。因此，能夠實現(xiàn)上述天線電路412的微細化或細線化，獲得高的品質或性能。
另外，除上述的電子儀器以外，還可以適用于各種電子儀器上。例如可以用于液晶投影儀、與多媒體對應的個人計算機(PC)及工程工作站(EWS)、尋呼機、文字處理機、電視機、取景器型或監(jiān)視直視型磁帶錄像機、電子記事本、臺式計算機、汽車導航裝置、POS終端、具備觸摸屏的裝置等電子儀器上。
以上雖然參照

了本發(fā)明涉及的優(yōu)選實施方式，但是不用說本發(fā)明并不限于這些實例上。上述實例中示出的各種構成部件的各種形狀及其組合等僅是一例，可以在不超出本發(fā)明要點的范圍內根據(jù)設計要求等作各種變更。
例如在上述實施方式中，使噴出功能液的噴出區(qū)域形狀形成俯視圓形。但是優(yōu)選使噴出區(qū)域的形狀形成得至少外周的一部分具有圓弧形狀，來代替這種形狀。具體講，可以采用橢圓形、跑道形(track)等各種形狀。
而且在上述實施方式中，通過光刻處理和蝕刻處理在貯格圍堰上形成所需的溝槽部(例如柵電極溝槽部等)。但是優(yōu)選代之以利用激光，通過將貯格圍堰圖案形成，形成所需的溝槽部。
權利要求
1.一種隔壁結構體，是設置了與用功能液形成的圖案對應的凹部的隔壁結構體，其特征在于，其中具備與第一圖案對應而設置的第一凹部；和與在所述第一凹部的一部分上設置為比所述第一凹部更寬，而且至少在外周的一部分上具有圓弧之形狀的第二圖案對應的第二凹部。
2.根據(jù)權利要求1所述的隔壁結構體，其特征在于，其中所述第二凹部俯視為正圓形。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的隔壁結構體，其特征在于，其中具備與所述第一圖案連接，而且比所述第一圖案更寬的第三圖案對應而設置的第三凹部。
4.根據(jù)權利要求1或2所述隔壁結構體，其特征在于，其中具備與所述第二圖案連接而設置的第三圖案對應的第三凹部。
5.一種隔壁結構體的形成方法，是在基板上形成具有與多個圖案對應的凹部的隔壁結構體的方法，其特征在于，其中具有在所述基板上涂布隔壁材料的工序；在所述隔壁材料上形成與第一圖案對應的第一凹部的工序；在所述隔壁材料上形成第二凹部的工序，該第二凹部與在所述第一凹部的一部分上設置為比所述第一凹部更寬，而且至少外周的一部分具有圓弧之形狀的第二圖案對應。
6.一種器件，是具備在基板上設置的半導體層、與所述半導體層連接的源電極和漏電極、和通過絕緣層與所述半導體層相對向設置的柵電極的器件，其特征在于，其中具備權利要求1或2所述隔壁結構體、和在所述隔壁結構體的所述第一和第二凹部的內部分別配置的圖案；所述第一圖案是所述漏電極。
7.一種器件，是具備在基板上設置的半導體層、與所述半導體層連接的源電極和漏電極、和通過絕緣層與所述半導體層相對向設置的柵電極的器件，其特征在于，其中具備權利要求3所述的隔壁結構體，和在所述隔壁結構體的所述第一、第二和第三凹部的內部分別配置的圖案；所述第一圖案是所述柵電極，所述第三圖案是所述柵配線。
8.一種器件，是具備在基板上設置的半導體層、與所述半導體層連接的源電極和漏電極、和通過絕緣層與所述半導體層相對向設置的柵電極的器件，其特征在于，其中具備權利要求4所述的隔壁結構體，和在所述隔壁結構體的所述第一、第二和第三凹部的內部分別配置的圖案；所述第一圖案是所述源配線，所述第三圖案是所述源電極。
9.根據(jù)權利要求7或8所述的器件，其特征在于，其中所述源電極和所述半導體層在平面上重疊的面積，與所述漏電極和所述半導體層在平面上重疊的面積大體相等。
10.一種電光學裝置，其特征在于，其中具備權利要求6～9中任何一項所述的器件。
11.一種電子儀器，其特征在于，其中具備權利要求10所述的電光學裝置。
全文摘要
提供一種能以高精度穩(wěn)定形成細線狀微細圖案的貯格圍堰結構體、圖案形成方法、電光學裝置及電子儀器。一種隔壁結構體，是設置了與用功能液形成的圖案對應的凹部的隔壁結構體，其特征在于其中具備與第一圖案(40)對應設置的第一凹部(56)；與在第一凹部(56)的一部分上設置的比第一凹部(56)寬，而且至少外周的一部分上具有圓弧形狀的第二圖案對應的第二凹部(57)。
文檔編號H01L25/18GK1764351SQ20051010859
公開日2006年4月26日 申請日期2005年10月10日 優(yōu)先權日2004年10月13日
發(fā)明者平井利充, 酒井真理 申請人:精工愛普生株式會社