專利名稱：晶圓級(jí)堆疊多芯片的封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種多芯片堆疊的封裝方法，特別是有關(guān)于一種晶圓級(jí)多芯片堆疊的封裝方法。
背景技術(shù)：
晶粒封裝是用來保護(hù)集成電路芯片使其不受到污染和損壞，此外更可提供一耐久的電性引線系統(tǒng)以將集成電路芯片或晶粒連接于一個(gè)外在印刷電路板上或者直接進(jìn)入一個(gè)電子產(chǎn)品，來進(jìn)行各種芯片或晶粒的可靠度以及電性測(cè)試。由于電子元件朝輕薄短小的趨勢(shì)日益發(fā)展，因此保護(hù)以及內(nèi)連接晶體電路芯片的封裝也須因應(yīng)此趨勢(shì)。
利用在單一芯片載體上提供一個(gè)多芯片模組封裝(multichipmodule，MCM)是目前常見的封裝技巧，其中最常見的多芯片模組封裝(multichip module，MCM)是邊對(duì)邊(side-by-side)的多芯片模組封裝(multichip module，MCM)，它是在同一水平面的基板上直接置放多個(gè)相互鄰接的芯片，這樣就可以在芯片及信號(hào)/電力線之間提供較低的電感連接及電容連接，從而形成一個(gè)密集的互連網(wǎng)絡(luò)，以增進(jìn)封裝密度及系統(tǒng)性能。多芯片封裝可將芯片至芯片間隔最小化，并減少在基板上所安裝的芯片之間的電感及電容斷絕。然而，這種邊對(duì)邊(side-by-side)的多芯片模組封裝(multichip module，MCM)，在共享基板面積隨著安裝的電路芯片數(shù)目的增加而增加時(shí)，會(huì)有封裝效率不佳的缺點(diǎn)。
因此提出一種多芯片堆疊的封裝技術(shù)，請(qǐng)參照?qǐng)D1，提供一薄化晶圓21，將一種黏性糊狀物22涂布在晶圓背面。接著請(qǐng)參照?qǐng)D2，其中晶圓座30是用來安置晶圓21，以便將晶圓21切割成若干個(gè)晶粒29。請(qǐng)參照?qǐng)D3，將一晶粒29與涂布在其表面的糊狀物22一起由晶圓座30中夾起，然后放置于圖4中一基板60的指定部位40上，此時(shí)其被稱為母晶粒31。請(qǐng)參照?qǐng)D5，其顯示另一晶粒41(子晶粒)，也是依照?qǐng)D3所示，需要從晶圓座30中夾起，然后放置于圖4所示的母晶粒31上，以利用該黏性糊狀物22將子晶粒黏著固定，再進(jìn)行焊線55接合(wire bond)以完成產(chǎn)品如圖6所示。
然而，隨著芯片越做越薄，若仍以上述先將芯片薄化再各自取出進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)堆疊，則會(huì)因芯片過薄而有破片等損害。此外，將薄化的芯片(尤其在低于50um下)一個(gè)個(gè)取起對(duì)準(zhǔn)堆疊的步驟不但十分繁復(fù)費(fèi)時(shí)，且也增加了制程上的困難度。因此，業(yè)界急需一種可解決上述問題的晶圓薄化易破片以及提升芯片堆疊效率并同時(shí)兼顧增加內(nèi)存電容特性的技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種晶圓級(jí)堆疊多芯片的封裝方法，以減少殘留電鍍線的密度，以提升使用該印刷電路板的電子產(chǎn)品的電性表現(xiàn)，并同時(shí)兼顧增加內(nèi)存電容特性。
為達(dá)成上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種晶圓級(jí)堆疊多芯片的封裝方法包括下列步驟提供一芯片陣列，其包含若干個(gè)獨(dú)立的第一芯片，該第一芯片是由第一晶圓切割而成；提供第二晶圓，其包含若干個(gè)尚未分離的第二芯片，且其芯片主動(dòng)表面上具有一黏著層；從該第二晶圓的芯片主動(dòng)表面將這些第二芯片預(yù)切至一深度；以該第二晶圓的芯片主動(dòng)表面朝這些第一芯片的芯片背面堆疊，使每一第二芯片僅與一個(gè)第一芯片堆疊；以及從該第二晶圓的芯片背面進(jìn)行薄化，以同時(shí)形成若干個(gè)單獨(dú)分離的第二芯片堆疊在單獨(dú)分離的第一芯片上。
相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明所提供的晶圓級(jí)堆疊多芯片的封裝方法具有以下優(yōu)點(diǎn)1.利用晶圓對(duì)晶圓間的一次對(duì)準(zhǔn)堆疊(其堆疊方式需要使得下芯片的芯片主動(dòng)表面至少部分露出)以同時(shí)形成若干個(gè)相互等距排列的芯片堆疊，以改善過去以撿取及放置(pick and place)的機(jī)械手臂裝備，將上、下芯片個(gè)別取起并一個(gè)個(gè)加以對(duì)準(zhǔn)堆疊的步驟十分繁復(fù)費(fèi)時(shí)且增加制程困難度的缺點(diǎn)。
2.利用晶圓級(jí)堆疊多芯片的封裝方法，可改善現(xiàn)有技術(shù)中先將芯片薄化再各自取出進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)堆疊，常因芯片過薄而有破片損害的問題。
3.利用晶圓對(duì)晶圓間的一次對(duì)準(zhǔn)堆疊可在有效改善制程效率以及破片問題下，同時(shí)兼顧增加內(nèi)存電容的特性。

圖1至6是表示出傳統(tǒng)的堆疊多芯片的封裝方法的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
圖7a至7k是表示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的晶圓級(jí)堆疊多芯片的封裝方法的剖面示意圖。
圖8a至8c是表示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的晶圓級(jí)堆疊多芯片的封裝方法的剖面示意圖。
圖9a至9f是表示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的晶圓級(jí)堆疊多芯片的封裝方法的剖面示意圖。
圖10a至10i是表示出根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的晶圓級(jí)堆疊多芯片的封裝方法的剖面示意圖。
圖11a是表示出根據(jù)本發(fā)明的晶圓級(jí)堆疊多芯片的焊線接合剖面圖。
圖11b、11c是表示出根據(jù)本發(fā)明的兩種晶圓堆疊方式的平面示意圖。
圖12a至12d是表示出根據(jù)本發(fā)明的堆疊多芯片的封裝流程剖面圖。
具體實(shí)施方式下述的方法步驟并非完整的芯片堆疊封裝制作流程。本發(fā)明實(shí)施例可與目前的集成電路制作技術(shù)或現(xiàn)有技術(shù)或后續(xù)發(fā)展中的技術(shù)合并進(jìn)行。在此，提出四種本發(fā)明晶圓級(jí)堆疊多芯片的封裝方法的實(shí)施例，以進(jìn)一步詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式。
第一實(shí)施例請(qǐng)參照?qǐng)D7a，提供一具有芯片陣列的第一晶圓700，此芯片陣列是由若干個(gè)尚未分離的第一芯片702組成，將第一晶圓700的芯片背面703黏著固定于具有膠帶704的第一膠框706(film frame)上。從晶圓700的芯片主動(dòng)表面707上預(yù)切這些芯片702至一深度，以定義出相互等距排列的第一芯片702，其中切割的深度小于晶圓700厚度。
請(qǐng)參照?qǐng)D7b，將一第二膠框708黏著于這些預(yù)切的第一芯片702的芯片主動(dòng)表面707上，以利于后續(xù)固定該完整切割的第一芯片702。請(qǐng)參照?qǐng)D7c，利用第二膠框708將第一晶圓翻面使芯片背面703朝上，并移除第一膠框706。請(qǐng)參照?qǐng)D7d，從晶圓700的芯片背面703薄化晶圓700至一厚度，以形成若干個(gè)等距離排列且各自完整切割獨(dú)立的第一芯片702于第二膠框708上。其中該薄化方式不能僅限于化學(xué)機(jī)械研磨或一般機(jī)械研磨。
請(qǐng)參照?qǐng)D7e，提供第二晶圓710，其中具有若干個(gè)等距離排列的芯片(未圖示)，并在第二晶圓710的芯片主動(dòng)表面714上形成一黏著層712。其中黏著層712是全面性地形成于第二晶圓710上或選擇性地形成于與第一芯片702重疊的部份第二晶圓710上，其材料可以是環(huán)氧樹脂、熱塑料或B-stage膠，以糊形成或預(yù)先形成薄膜，其可使用自動(dòng)糊分配裝備沉積一糊材料，或假如黏著層712材料是一預(yù)先形成的材料，則可直接貼附于晶圓的芯片背面上。
請(qǐng)參照?qǐng)D7f，將第二晶圓710的芯片背面716固定于第三膠框718上，預(yù)切黏著層712以及第二晶圓芯片主動(dòng)表面714上的若干個(gè)芯片720至一深度，其中該切割的深度小于該晶圓厚度。
請(qǐng)參照?qǐng)D7g，這是本發(fā)明的重要部份，進(jìn)行一對(duì)準(zhǔn)步驟使這些第二晶圓的芯片720與這些第一芯片702錯(cuò)位排列，以至少露出部分的第二芯片的芯片主動(dòng)表面，接著透過一層壓(laminating)步驟使這些第二晶圓的芯片720經(jīng)由其上的黏著層712堆疊于這些第一芯片702上，通過這一步驟的對(duì)準(zhǔn)可同時(shí)形成若干個(gè)芯片堆疊，再移除第三膠框718，其中每一第二芯片720僅與一個(gè)第一芯片702堆疊，如圖7h所示。
接著，請(qǐng)參照?qǐng)D7i，從第二晶圓芯片背面716進(jìn)行薄化，以形成若干個(gè)等距離排列且各自完整切割獨(dú)立的第二芯片720于第一芯片702上，由于利用每一第二芯片720僅與一個(gè)第一芯片702堆疊的技巧，因此堆疊的芯片在薄化后即同時(shí)完成若干個(gè)各自獨(dú)立的芯片堆疊結(jié)構(gòu)，其中該薄化方式不能僅限于化學(xué)機(jī)械研磨或一般機(jī)械研磨。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D7j，利用將第四膠框722固定在這些第二芯片720的芯片背面，以使第一芯片702的芯片主動(dòng)表面707朝上成為上表面，接著利用撿取及放置的機(jī)械手臂裝配(pick and place)以將獨(dú)立的芯片堆疊結(jié)構(gòu)取出，如圖7k所示。
第二實(shí)施例請(qǐng)參照?qǐng)D8a，提供一具有芯片陣列(未圖示)的第一晶圓800，其中芯片陣列是由若干個(gè)尚未分離的第一芯片組成。
請(qǐng)參照?qǐng)D8b，從晶圓800的芯片背面803薄化晶圓800，并將第一晶圓800的芯片背面803黏著固定于具有膠帶804的第一膠框806(film frame)上，以利于后續(xù)固定單獨(dú)分離的芯片，其中該薄化方式不能僅限于化學(xué)機(jī)械研磨或一般機(jī)械研磨。
請(qǐng)參照?qǐng)D8c，由切割第一芯片802的芯片主動(dòng)表面807上，定義出相互等距排列的第一芯片802，其中該切割的深度小于晶圓800厚度，并利用第二膠框808將第一晶圓翻面使芯片背面803朝上，并移除第一膠框806，以形成若干個(gè)等距離排列且各自完整切割獨(dú)立的第一芯片802于第二膠框808上。而關(guān)于后續(xù)第二晶圓堆疊以同時(shí)完成若干個(gè)各自獨(dú)立的芯片堆疊結(jié)構(gòu)的步驟，則可直接參照上述第一實(shí)施例的相關(guān)步驟。
第三實(shí)施例請(qǐng)參照?qǐng)D9a，提供一芯片陣列，其包含若干個(gè)獨(dú)立的第一芯片902于一膠框906上，第一芯片902是由第一晶圓切割而成，其中該制作步驟可直接參照上述第二實(shí)施例的相關(guān)步驟。
請(qǐng)參照?qǐng)D9b，提供一薄化的第二晶圓910，其中具有若干個(gè)等距離排列的芯片(未圖示)，并在第二晶圓910的芯片主動(dòng)表面914上形成一黏著層912。其中黏著層912是全面性地形成于第二晶圓910上或選擇性地形成于與第一芯片902重疊的部份第二晶圓910上，其材料可以是環(huán)氧樹脂、熱塑料或B-stage膠，以糊形成或預(yù)先形成薄膜，其可使用自動(dòng)糊分配裝備沉積一糊材料，或假如黏著層912材料是一預(yù)先形成的材料，則可直接貼附于晶圓的芯片背面上。
請(qǐng)參照?qǐng)D9c，將薄化的第二晶圓910的芯片背面916固定于第二膠框908上，預(yù)切黏著層912以及第二晶圓芯片主動(dòng)表面914上的若干個(gè)芯片920至一深度，其中該切割的深度小于該晶圓厚度。
請(qǐng)參照?qǐng)D9d，進(jìn)行一對(duì)準(zhǔn)步驟使這些第二晶圓的芯片920與這些第一芯片902錯(cuò)位排列，以至少露出部分的第二芯片的芯片主動(dòng)表面，并透過一層壓(laminating)步驟使這些第二晶圓的芯片920經(jīng)由其上的黏著層912堆疊于這些第一芯片902上，如圖9e所示。
利用第一、第二膠框906、908將堆疊的芯片翻面以使第一、第二芯片902、920的芯片主動(dòng)表面朝上，再接著移除第一膠框906，以形成若干個(gè)等距離排列且各自完整切割獨(dú)立的第二芯片920于第一芯片902上，并同時(shí)完成若干個(gè)各自獨(dú)立的芯片堆疊結(jié)構(gòu)，其中每一第二芯片920僅與一個(gè)第一芯片902堆疊。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D9f，利用撿取及放置的機(jī)械手臂裝配(pick and place)以將獨(dú)立的芯片堆疊結(jié)構(gòu)取出。
第四實(shí)施例請(qǐng)參照?qǐng)D10a，提供一具有芯片陣列(未圖示)的第一晶圓100，其中該芯片陣列是由若干個(gè)尚未分離的第一芯片102組成，將第一晶圓100的芯片背面103黏著固定在具有膠帶104的第一膠框106(film frame)上。從晶圓100的芯片主動(dòng)表面107上將這些芯片102預(yù)切至一深度，以定義出相互等距排列的第一芯片102，其中切割的深度小于該晶圓100厚度。
請(qǐng)參照?qǐng)D10b，提供第二晶圓110，其中具有若干個(gè)尚未分離的等距離排列芯片(未圖示)，并在第二晶圓110的芯片主動(dòng)表面114上形成一黏著層112。其中黏著層112是全面性地形成于第二晶圓110上或選擇性地形成于與第一芯片102重疊的部份第二晶圓110上，其材料可以是環(huán)氧樹脂、熱塑料或B-stage膠，以糊形成或預(yù)先形成薄膜，其可使用自動(dòng)糊分配裝備沉積一糊材料，或假如黏著層112材料是一預(yù)先形成的材料，則可直接貼附于晶圓的芯片背面上。
請(qǐng)參照?qǐng)D10c，將上述具有芯片陣列(未圖示)的第二晶圓110的芯片背面116黏著固定于具有膠帶的第二膠框108(film frame)上。從晶圓的芯片主動(dòng)表面114預(yù)切這些芯片120至一深度，以定義出相互等距排列的第二芯片120，其中切割的深度小于晶圓110厚度。
請(qǐng)參照?qǐng)D10d，進(jìn)行一對(duì)準(zhǔn)步驟使這些預(yù)切的第二晶圓的芯片120與這些預(yù)切的第一芯片102錯(cuò)位排列，以至少露出部分的第二芯片的芯片主動(dòng)表面，并透過一層壓(laminating)步驟使這些第二晶圓的芯片120經(jīng)由其上的黏著層112堆疊于這些第一芯片102上，接著利用第一、第二膠框106、108將堆疊的芯片翻面以使第一、第二芯片102、120的芯片主動(dòng)表面朝上，如圖10e所示。
請(qǐng)參照?qǐng)D10f，移除第一膠框106并從第一晶圓100的芯片背面103薄化晶圓100至一厚度，以形成若干個(gè)等距離排列且各自完整切割獨(dú)立的第一芯片102。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D10g，在第一芯片的芯片背面107上黏著固定一第三膠框118并翻面使第二晶圓的芯片背面116朝上，再從晶圓的芯片背面116進(jìn)行薄化，以形成若干個(gè)等距離排列且各自完整切割獨(dú)立的第二芯片120，其中該薄化方式不可僅限于化學(xué)機(jī)械研磨或一般機(jī)械研磨。
請(qǐng)參照?qǐng)D10h，在第二芯片的芯片背面116上形成一第四膠框122，接著將堆疊的芯片翻面以使第一、第二芯片102、120的芯片主動(dòng)表面朝上，再接著移除第三膠框118，以形成若干個(gè)等距離排列且各自完整切割獨(dú)立的第二芯片120于第一芯片102上，并同時(shí)完成若干個(gè)各自獨(dú)立的芯片堆疊結(jié)構(gòu)，其中每一第二芯片120僅與一個(gè)第一芯片102堆疊。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D10i，利用撿取及放置的機(jī)械手臂裝配(pick and place)以將獨(dú)立的芯片堆疊結(jié)構(gòu)取出。
其中，本發(fā)明可廣泛的用于第二芯片大于、小于或等于第一芯片的各種尺寸，當(dāng)?shù)诙酒笥诘谝恍酒某叽鐣r(shí)，第二芯片可完全覆蓋第一芯片的芯片主動(dòng)表面或錯(cuò)位堆疊以不完全覆蓋第一芯片的芯片主動(dòng)表面，來達(dá)成至少部分的第二芯片主動(dòng)表面露出以進(jìn)行焊線150接合(如圖11a所示)的目的。當(dāng)?shù)诙酒∮诨虻扔诘谝恍酒某叽鐣r(shí)，第二芯片則需錯(cuò)位堆疊以不完全覆蓋第一芯片的芯片主動(dòng)表面，來達(dá)成至少部分的第二芯片的芯片主動(dòng)表面露出的目的。本發(fā)明的獨(dú)立芯片堆疊結(jié)構(gòu)130的芯片堆疊方式，包括單側(cè)錯(cuò)位堆疊(如圖11b所示)或芯片的兩側(cè)錯(cuò)位堆疊(如圖11c所示)。
此外，請(qǐng)參照?qǐng)D12a，本發(fā)明更包括將上述四個(gè)實(shí)施例所形成的獨(dú)立芯片堆疊結(jié)構(gòu)130取出，并黏置于一承載板132上，其中該承載板132可為基板或?qū)Ь€架，而該黏置方式是利用一膠層133，例如環(huán)氧化合物、熱塑性材料、膠帶。此外，第一、第二芯片的主動(dòng)表面上各有一排芯片焊墊134，其中該芯片焊墊134沿著芯片主動(dòng)表面的一側(cè)配置(如圖11b、11c所示)，而該承載板132上也具有若干個(gè)連接焊墊136，該連接焊墊136的位置是對(duì)應(yīng)于第一、第二芯片焊墊134的位置。請(qǐng)參照?qǐng)D12b，進(jìn)行打線程序，形成若干條導(dǎo)線138以連接該獨(dú)立芯片堆疊結(jié)構(gòu)的芯片焊墊134以及該承載板132的連接焊墊136上。請(qǐng)參照?qǐng)D12c，進(jìn)行封膠，以一封膠體140包覆該堆疊的芯片130及這些導(dǎo)線138，其中該封膠體140可為一塑料。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D12d，植入若干個(gè)焊球142至該承載板132的另一表面上，以利于芯片散熱，并完成晶圓級(jí)堆疊多芯片的封裝。在此，若承載板132為導(dǎo)線架，則不需此植入焊球142步驟。
權(quán)利要求
1.一種晶圓級(jí)堆疊多芯片的封裝方法，其特征在于該封裝方法包括下列步驟提供一芯片陣列，其包含若干個(gè)獨(dú)立的第一芯片，該第一芯片是由第一晶圓切割而成；提供第二晶圓，其包含若干個(gè)尚未分離的第二芯片，且其芯片主動(dòng)表面上具有一黏著層；從該第二晶圓的芯片主動(dòng)表面將這些第二芯片預(yù)切至一深度；以該第二晶圓的芯片主動(dòng)表面朝這些第一芯片的芯片背面堆疊，使每一第二芯片僅與一個(gè)第一芯片堆疊；以及從該第二晶圓的芯片背面進(jìn)行薄化，以同時(shí)形成若干個(gè)單獨(dú)分離的第二芯片堆疊在單獨(dú)分離的第一芯片上。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)堆疊多芯片的封裝方法，其特征在于在形成若干個(gè)單獨(dú)分離的第二芯片堆疊于單獨(dú)分離的第一芯片上之后，其還包括有下列步驟取出該堆疊的芯片黏置于一承載板上；在該堆疊的芯片及該承載板之間以若干條導(dǎo)線連接；以一封膠體包覆該堆疊的芯片及這些導(dǎo)線；以及植入若干個(gè)焊球至該承載板另一表面。
3.如權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)堆疊多芯片的封裝方法，其特征在于該第一芯片是設(shè)在一膠框(film frame)上，且芯片主動(dòng)表面朝向該膠框。
4.如權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)堆疊多芯片的封裝方法，其特征在于該堆疊步驟是將預(yù)切的該第二晶圓的芯片背面固定于一膠框，并利用該膠框直接將該預(yù)切的第二芯片與第一芯片堆疊。
5.如權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)堆疊多芯片的封裝方法，其特征在于在堆疊后至少露出部分的該第二芯片的芯片主動(dòng)表面。
6.如權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)堆疊多芯片的封裝方法，其特征在于該堆疊是利用第二芯片上的黏著層與第一芯片的背面進(jìn)行一層壓步驟(laminating)以黏著堆疊。
7.如權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)堆疊多芯片的封裝方法，其特征在于該黏著層是一膠材，該膠材可以采用環(huán)氧樹脂、熱塑料及B-stage膠的其中一種。
8.如權(quán)利要求5所述的晶圓級(jí)堆疊多芯片的封裝方法，其特征在于該堆疊包括芯片的單側(cè)錯(cuò)位堆疊或芯片的兩側(cè)錯(cuò)位堆疊。
9.如權(quán)利要求5所述的晶圓級(jí)堆疊多芯片的封裝方法，其特征在于形成該若干個(gè)獨(dú)立的第一芯片的方法包括有將該第一晶圓的芯片背面設(shè)在第一膠框上；從該第一晶圓的芯片主動(dòng)表面將這些第一芯片預(yù)切至一深度；將該預(yù)切芯片的芯片主動(dòng)表面設(shè)在第二膠框上，以利于后續(xù)固定該單獨(dú)分離的芯片；以及從該晶圓的芯片背面進(jìn)行薄化，以形成若干個(gè)單獨(dú)分離的第一芯片于該第二膠框上。
10.如權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)堆疊多芯片的封裝方法，其特征在于形成該若干個(gè)獨(dú)立的第一芯片的方法包括有從該第一晶圓的芯片背面進(jìn)行薄化；將薄化的該第一晶圓的芯片背面設(shè)在第一膠框上，以利于后續(xù)固定該單獨(dú)分離的芯片；以及從該第一晶圓的芯片主動(dòng)表面切割這些芯片，以在該第一膠框上形成若干個(gè)單獨(dú)分離的第一芯片。
全文摘要
本發(fā)明公開一種晶圓級(jí)堆疊多芯片的封裝方法，包括下列步驟提供一芯片陣列，其包含若干個(gè)獨(dú)立的第一芯片，該第一芯片是由第一晶圓切割而成；提供第二晶圓，其包含若干個(gè)尚未分離的第二芯片，且第二芯片的主動(dòng)表面上具有一黏著層；從該第二晶圓的芯片主動(dòng)表面上將這些第二芯片預(yù)切至一深度；以該第二晶圓的芯片主動(dòng)表面朝第一芯片的芯片背面堆疊，使每一個(gè)第二芯片僅與一個(gè)第一芯片堆疊；以及，從該第二晶圓的芯片背面進(jìn)行薄化，以同時(shí)形成若干個(gè)單獨(dú)分離的第二芯片堆疊在單獨(dú)分離第一芯片上。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1925121SQ20051009880
公開日2007年3月7日 申請(qǐng)日期2005年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月31日
發(fā)明者陶恕 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司