專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法，在該半導(dǎo)體器件中，在襯底的一個(gè)主表面上形成有多個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體襯底(晶片)通過(guò)切塊法(dicing)被切割成半導(dǎo)體芯片。
背景技術(shù)：
在電子器件例如傳感器芯片中(其中多個(gè)半導(dǎo)體器件互相鄰接并且被安裝為模塊)，需要盡可能地縮短相鄰半導(dǎo)體器件之間的距離，并且使得傳感器區(qū)域連續(xù)，而不會(huì)中斷。這種電子器件需要的是這樣的技術(shù)即，在保持其外部尺寸的高精度的條件下將半導(dǎo)體晶片切割成半導(dǎo)體芯片。
為了將襯底的一個(gè)主表面上形成有多個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體襯底(晶片)切割成半導(dǎo)體芯片，進(jìn)行被公知為一種切割工藝的切塊工藝。在這種情況下，主表面通常為襯底的前表面和后表面，并且半導(dǎo)體芯片被形成于襯底的前表面或者后表面上。
在切塊工藝中，晶片被切割成芯片，同時(shí)內(nèi)嵌有金剛石顆粒的切割刀片高速旋轉(zhuǎn)。由于晶片被切割刀片機(jī)械地切割，并且對(duì)應(yīng)于刀片寬度的晶片區(qū)域損失掉了，因此需要提供具有在切塊工藝中切割所需的區(qū)域的晶片。
通常，通過(guò)考慮到刀片的寬度、切割精度和對(duì)半導(dǎo)體芯片的損壞，來(lái)確定在半導(dǎo)體晶片中的該區(qū)域的寬度尺寸。
而且，依據(jù)半導(dǎo)體襯底的切割量(深度)，切塊法被分為兩種方法半切割法和全切割法。
半切割法是這樣的方法其中半導(dǎo)體襯底被切割到在半導(dǎo)體襯底厚度的中部的特定深度。通常，在半切割法的情況下，需要在切塊工藝結(jié)束后執(zhí)行一額外切割工藝(斷裂)，將晶片的未切割部分切掉。
另一方面，全切割法是這樣的方法其中在半導(dǎo)體襯底的整個(gè)厚度上，全部切割半導(dǎo)體襯底。因此，半導(dǎo)體襯底被切割到半導(dǎo)體芯片彼此完全分離的深度。
為了避免這樣分離的半導(dǎo)體芯片的分散，在切塊工藝開(kāi)始之前，全切割法需要執(zhí)行粘貼切塊膠帶的工藝，以將固定襯底的另一主表面固定到稱(chēng)為切塊架(dicing frame)的夾具上。
而且，存在兩種通常在切塊工藝中執(zhí)行的方法單切割法和雙切割法。在單切割法的情況下，通過(guò)執(zhí)行一次切割動(dòng)作在半導(dǎo)體襯底中形成一個(gè)切塊凹槽(dicing groove)。在雙切割法的情況下，通過(guò)執(zhí)行一次切割動(dòng)作在半導(dǎo)體襯底中形成兩個(gè)切塊凹槽。
為了減少在執(zhí)行切塊工藝時(shí)切割區(qū)周?chē)乃槠挠绊?、以及減少由于刀片磨損導(dǎo)致的刀片寬度減小所帶來(lái)的影響，采用雙切割法引起關(guān)注。
關(guān)于用于半導(dǎo)體器件制造方法的切塊法，公知有日本特開(kāi)平2003-045826、10-083974、07-183255公開(kāi)的傳統(tǒng)技術(shù)。
在日本特開(kāi)平2003-045826的切塊技術(shù)中，提出了使用單切割法來(lái)沿著切塊線形成一個(gè)切塊凹槽的半導(dǎo)體器件制造方法。
但是，在上述單切割法中，盡管切割工藝比較先進(jìn)，但是切塊刀片的厚度變薄，在切割半導(dǎo)體襯底時(shí)切塊寬度可能產(chǎn)生變化。該方法不適用于需要半導(dǎo)體芯片的外部尺寸具有高精度的情況。例如，所需的外部尺寸精度是離目標(biāo)值約+0/-15微米。
在日本特開(kāi)平10-083974和07-183255的切塊技術(shù)中，提出了在半導(dǎo)體器件的前表面和后表面上都執(zhí)行切割工藝的方法。
但是，在上述方法中，由于在每次執(zhí)行切塊動(dòng)作時(shí)產(chǎn)生的刀片磨損，刀片寬度會(huì)變薄，并且外部尺寸的精度變得不足。也就是說(shuō)，所得到的半導(dǎo)體芯片的外部尺寸可能大于設(shè)計(jì)值。該方法也不適用于需要半導(dǎo)體芯片的外部尺寸具有高精度的情況。
因此，在使用單個(gè)切塊刀片的傳統(tǒng)切塊法中，存在這樣的問(wèn)題即半導(dǎo)體芯片的外部尺寸依據(jù)切塊刀片寬度的變化而變化。為了消除該問(wèn)題，提出雙刀片切塊法。在該方法中，使用兩個(gè)切塊刀片，并且通過(guò)使切塊刀片彼此鄰近地放置在切割區(qū)中，在半導(dǎo)體襯底上執(zhí)行切塊。
圖1表示按照兩個(gè)切塊刀片鄰近放置的雙刀片切塊法，在半導(dǎo)體襯底中形成的切塊凹槽的結(jié)構(gòu)。
在圖1中，附圖標(biāo)記1表示半導(dǎo)體襯底(例如硅)；附圖標(biāo)記2表示電極層，其形成了在半導(dǎo)體襯底1的一個(gè)主表面(前表面)上形成的半導(dǎo)體芯片的一部分；附圖標(biāo)記4A和4B表示切塊凹槽；附圖標(biāo)記6表示每個(gè)切塊凹槽4A和4B的內(nèi)側(cè)表面。切塊凹槽4A和4B位于與鄰接的半導(dǎo)體芯片相鄰地位置，并且形成在鄰接半導(dǎo)體芯片之間的切塊線的兩側(cè)上。通過(guò)將半導(dǎo)體襯底1切割到半導(dǎo)體襯底1的另一主表面(后表面)所達(dá)到的深度，形成切塊凹槽4A和4B。
在上述結(jié)構(gòu)中，在距半導(dǎo)體芯片形成部分的最外圍處的金屬層2的固定距離處，精確地切割切塊凹槽4A和4B的內(nèi)側(cè)表面(半導(dǎo)體芯片側(cè)表面)6。由此，能夠獲得所述半導(dǎo)體芯片的高精度的外圍尺寸。
但是，上述切塊工藝使用全切割法，其中在襯底1的切塊線的兩側(cè)上，半導(dǎo)體襯底1被充分切割到覆蓋襯底1的整個(gè)厚度的深度。
由于這個(gè)原因，在半導(dǎo)體襯底1的后表面上、在切塊凹槽4A和4B的后側(cè)部9可能產(chǎn)生裂縫。而且，在執(zhí)行切塊時(shí)，位于切塊凹槽4A和切塊凹槽4B之間的半導(dǎo)體襯底部分7可能分散。這將成為損害半導(dǎo)體芯片部分的原因。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一目的是提供一種能消除上述問(wèn)題的改進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造方法。
本發(fā)明的另一目的是提供一種半導(dǎo)體器件制造方法，其能夠以高精度的外部尺寸來(lái)執(zhí)行半導(dǎo)體襯底的切塊工藝，從而能夠制造具有所需外部尺寸的半導(dǎo)體芯片，并且能夠提高制造產(chǎn)量。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其中在襯底的一個(gè)主表面上形成有多個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體襯底通過(guò)切塊法被切割成多個(gè)半導(dǎo)體芯片，該制造方法包括如下步驟在襯底的一個(gè)主表面上執(zhí)行第一切割工藝，以在多個(gè)半導(dǎo)體芯片中的兩個(gè)相鄰半導(dǎo)體芯片之間產(chǎn)生兩個(gè)切割凹槽，每個(gè)切割凹槽與多個(gè)半導(dǎo)體芯片的相鄰半導(dǎo)體芯片中的其中之一相鄰；以及在襯底的另一主表面上執(zhí)行第二切割工藝，以產(chǎn)生與由第一切割工藝產(chǎn)生的兩個(gè)切割凹槽交疊的切割凹槽。
按照本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法，能夠容易地生產(chǎn)具有高精度的外部尺寸的半導(dǎo)體芯片。并且能夠防止在執(zhí)行切塊工藝時(shí)半導(dǎo)體襯底材料的分散。而且，能夠防止半導(dǎo)體芯片表面的損壞或裂紋的出現(xiàn)。因此，能夠以高精度的外部尺寸來(lái)生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片，并且能實(shí)現(xiàn)高的制造產(chǎn)量。


從結(jié)合附圖的下述具體描述中，本發(fā)明的其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更為明顯。
圖1是按照雙刀片切塊法在襯底中形成的切塊凹槽的橫截面視圖；圖2A和2B是按照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中的半導(dǎo)體器件制造方法在襯底中形成的切塊凹槽的橫截面和平面視圖；圖3是表示執(zhí)行第二切塊工藝來(lái)將圖2A的襯底切割成半導(dǎo)體芯片的狀態(tài)圖；圖4是表示按照本發(fā)明另一實(shí)施例中的半導(dǎo)體器件制造方法來(lái)執(zhí)行第一切塊工藝的狀態(tài)圖；圖5是表示對(duì)圖4的襯底執(zhí)行第二切塊工藝的狀態(tài)圖；圖6是說(shuō)明執(zhí)行第二切塊工藝時(shí)出現(xiàn)的問(wèn)題的圖；圖7A、圖7B、圖7C和圖7D是說(shuō)明在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中的半導(dǎo)體器件制造方法的處理流程圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參照附圖給出本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的描述。
圖2A和圖2B表示按照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中的半導(dǎo)體器件制造方法，在半導(dǎo)體襯底中形成的切塊凹槽的結(jié)構(gòu)。
在圖2A和圖2B中，附圖標(biāo)記1表示半導(dǎo)體襯底(晶片)；附圖標(biāo)記2表示金屬層，其設(shè)置在多個(gè)半導(dǎo)體芯片的每一個(gè)的最外圍上并且形成抗?jié)癍h(huán)，所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片以矩陣形式排列在所述襯底1的一個(gè)主表面(前表面10)上。
而且，在圖2A和圖2B中，附圖標(biāo)記11表示所述襯底1的另一主表面(后表面)；附圖標(biāo)記14A、14B、15A、15B表示在所述襯底1的長(zhǎng)度方向和橫向方向上沿切塊線DLx和DLy形成的切塊凹槽，其在厚度方向上距襯底1的前表面10具有半切割深度；附圖標(biāo)記16表示每個(gè)切塊凹槽的內(nèi)側(cè)表面。
而且，虛線18表示將通過(guò)后續(xù)的切割工藝在半導(dǎo)體襯底1的后表面11中形成的切塊凹槽的成形區(qū)域。如圖2A所示，隨后形成的切塊凹槽與在襯底1的前表面10中形成的切塊凹槽14A、14B交疊。
當(dāng)形成切塊凹槽14A、14B或如圖2B所示的切塊凹槽15A、15B時(shí)，利用半切割法在襯底1的前表面10上進(jìn)行切塊，從而使襯底1被切割到約為襯底1的厚度T的一半的深度。沿著設(shè)置于所述半導(dǎo)體芯片的最外圍的金屬層2，在切塊線DLx或DLy的兩側(cè)形成切塊凹槽14A、14B或切塊凹槽15A、15B。
此時(shí)，這樣形成每個(gè)切塊凹槽，使得切塊凹槽的外邊緣(在半導(dǎo)體芯片的一側(cè)上)離所述半導(dǎo)體芯片最外圍處的金屬層2具有固定距離。
通過(guò)利用半切割法執(zhí)行切塊工藝，能夠防止在切塊凹槽14A和14B之間、或者在切塊凹槽15A和15B之間的半導(dǎo)體襯底1的中間部分1A出現(xiàn)裂縫或分散。
在約550微米厚的半導(dǎo)體襯底1的情況下，在前表面10上的切塊凹槽14A、14B、15A和15B的切割寬度在20-25微米的范圍內(nèi)，切割深度在100-200微米的范圍內(nèi)，并且在相鄰半導(dǎo)體芯片的最外圍處的金屬層2之間的劃線(scribe)寬度B約為150微米。
這些切塊凹槽14A、14B、15A和15B具有朝著離開(kāi)半導(dǎo)體襯底1的前表面10的深度方向呈正錐形的側(cè)表面。在這種情況下，正錐形是指凹槽寬度隨著凹槽深度增大而逐漸減小，而負(fù)錐形是指凹槽寬度隨著凹槽深度的增大而逐漸增大。
在本實(shí)施例的制造方法中，在執(zhí)行圖2A所示的切塊工藝之后執(zhí)行第二切塊工藝。圖3表示執(zhí)行第二切塊工藝以將圖2A的襯底切割成半導(dǎo)體芯片的狀態(tài)。
在該第二切塊工藝中，在襯底1的后表面11中形成切塊凹槽18，并且該切塊凹槽18與在襯底1的前表面10中形成的兩個(gè)切割凹槽14A和14B(或15A和15B)交疊。
此時(shí)，沿著切塊線DL執(zhí)行第二切塊工藝，從而使該切塊凹槽的最深部分位于兩個(gè)切割凹槽之間的對(duì)應(yīng)位置處。由圖2A中的虛線表示的切割表面表示通過(guò)第二切塊工藝在襯底1的后表面11中形成的切塊凹槽18的輪廓。
在該第二切塊工藝中，使用其寬度大于在第一切塊工藝中使用的劃線寬度B的切塊刀片。
此時(shí)，在襯底1的后表面11中的切塊凹槽18的外邊緣18A和18B的寬度大于劃線寬度B，并且外邊緣18A和18B位于金屬層2(其設(shè)置于半導(dǎo)體芯片的最外圍上并且形成抗?jié)癍h(huán))的外邊緣的外部。
此外，切塊凹槽18的深度大于切塊凹槽14和15的深度。也就是說(shuō)，通過(guò)第二切塊工藝在襯底1的后表面11中形成的切塊凹槽18具有朝著離開(kāi)襯底1的前表面10的深度方向呈負(fù)錐形的側(cè)表面。
如圖3所示，半導(dǎo)體襯底1通過(guò)第二切塊工藝被切割成半導(dǎo)體芯片。
接著，圖7A至圖7D是說(shuō)明在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中的半導(dǎo)體器件制造方法的處理流程圖。
如圖7A所示，第一切塊膠帶22附著于半導(dǎo)體襯底1(晶片)的后表面11(在半導(dǎo)體襯底1的前表面上形成電路元件)上，并且晶片通過(guò)切塊膠帶22固定于切塊架30上(晶片安裝工藝)。
然后，如圖7B所示，在半導(dǎo)體襯底1的前表面10上、在相鄰半導(dǎo)體芯片之間的切塊線的兩側(cè)執(zhí)行切塊工藝，并且切割深度約為襯底1的厚度的1/2(第一切塊工藝)。
結(jié)果，在相鄰半導(dǎo)體芯片之間的X方向上形成兩個(gè)切塊凹槽14A和14B，并且在Y方向上形成兩個(gè)切塊凹槽15A和15B。
為了減小在半導(dǎo)體襯底1的前表面上去除形成層(例如絕緣層和金屬層)時(shí)產(chǎn)生的碎片的影響，以及為了執(zhí)行切塊凹槽14的精確定位，期望使用第一切塊工藝中的已知的階梯式(step)切割法。
按照該階梯式切割法，不同的切割刀片附著于兩個(gè)紡錠軸(spindle shaft)上，并且通過(guò)切割刀片中的第一個(gè)刀片去除晶片表面上的形成層。緊接于此，利用切割刀片中的第二個(gè)刀片對(duì)晶片的剩余部分執(zhí)行半切割。因此，階梯式切割法能實(shí)現(xiàn)高精度的切割。
然后，如圖7C所示，第二切塊膠帶23附著于襯底1的前表面10上，并且從襯底1的后表面11去除第一切塊膠帶22(膠帶附著工藝)。所述半導(dǎo)體襯底1通過(guò)切塊膠帶23固定于切塊架30，并且其后表面11朝上。
然后，如圖7D所示，使用寬度大于劃線寬度B的切割刀片，在襯底1的后表面11上沿著劃線執(zhí)行切塊工藝，從而形成切塊凹槽20(第二切塊工藝)。
作為第二切塊工藝的結(jié)果，在附著切塊膠帶23的同時(shí)，將半導(dǎo)體襯底1切割成半導(dǎo)體芯片。
此外，在第二切塊工藝中，利用固定于切塊架30的紅外激光顯微鏡來(lái)執(zhí)行切塊刀片的定位，如下所述?；趫D7B狀態(tài)中的襯底1的前表面的圖像，通過(guò)觀察用以顯示圖7D狀態(tài)中的襯底1的后表面圖像的監(jiān)視器，將切塊刀片定位在襯底1上。
在執(zhí)行第二切塊工藝之后，將另一切塊膠帶附著于后表面(半導(dǎo)體芯片在該后表面上彼此分離)，并且去除在前表面一側(cè)上的第二切塊膠帶23。
通過(guò)利用吸入夾等來(lái)吸取所得到的半導(dǎo)體芯片。并且將安裝它們?cè)谟糜谌菁{半導(dǎo)體器件的包裝形成組件上，或者電子器件的接線板(主板或插入板)上。
接著，圖4表示按照本發(fā)明另一實(shí)施例中的半導(dǎo)體器件制造方法來(lái)執(zhí)行第一切塊工藝的狀態(tài)。圖5表示對(duì)圖4的襯底執(zhí)行第二切塊工藝的狀態(tài)。
如圖4和圖5所示，本實(shí)施例的半導(dǎo)體襯底1設(shè)置有凸出電極(突起)，作為用于外部連接的電極。
在圖4和圖5中，附圖標(biāo)記1表示半導(dǎo)體襯底(晶片)；附圖標(biāo)記2表示形成半導(dǎo)體芯片的一部分的電極層；附圖標(biāo)記10表示襯底1的前表面；附圖標(biāo)記11表示襯底1的后表面；附圖標(biāo)記14A和14B表示在襯底1的前表面中形成切塊凹槽；附圖標(biāo)記22表示附著于襯底1的后表面11上的切塊膠帶。
而且，在圖4和圖5中，附圖標(biāo)記24表示凸出電極(突起)，它們分別設(shè)置于襯底1的前表面10上的多個(gè)半導(dǎo)體芯片的每一個(gè)上。
在圖4所示的第一切塊工藝中，切塊膠帶22附著到半導(dǎo)體襯底1的后表面11上，并且該半導(dǎo)體襯底1通過(guò)切塊膠帶22固定于切塊架(未示出)(晶片安裝工藝)。
在上述狀態(tài)中，利用半切割法在襯底1的前表面10上進(jìn)行切塊，從而使襯底1被切割到約為襯底1的厚度的一半的深度。沿著設(shè)置于所述半導(dǎo)體芯片最外圍處的金屬層2，在切塊線的兩側(cè)上形成切塊凹槽14A和14B。
此時(shí)，這樣形成每個(gè)切塊凹槽，使得切塊凹槽的外邊緣(在半導(dǎo)體芯片的一側(cè)上)距所述半導(dǎo)體芯片的最外圍的金屬層2具有固定距離。在襯底1的前表面10中形成的切塊凹槽具有朝著離開(kāi)襯底1的前表面10的深度方向呈正錐形的側(cè)表面。
在執(zhí)行圖4的第一切塊工藝之后，在襯底1的后表面11上執(zhí)行第二切塊工藝。在執(zhí)行第二切塊工藝之前，將切塊膠帶23附著于襯底1的前表面10，并且去除附著于襯底1的后表面11上的切塊膠帶22。
在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間之后，在襯底1的后表面11中形成切塊凹槽20，并且該切塊凹槽20與在襯底1的前表面10中、切塊線的兩側(cè)上形成的兩個(gè)切塊凹槽14A和14B交疊。
圖5表示按照本實(shí)施例的半導(dǎo)體器件制造方法在襯底1的后表面11上執(zhí)行的第二切塊工藝的狀態(tài)。
在圖5的第二切塊工藝中，利用單個(gè)切塊刀片，在襯底1的后表面11上沿著切塊線執(zhí)行切塊工藝。該切塊刀片的寬度大于第一切塊工藝中所用的劃線寬度。切塊凹槽20的最深部分位于兩個(gè)切塊凹槽14A和14B之間的對(duì)應(yīng)位置。圖5中的虛線表示的切割表面表示通過(guò)第二切塊工藝在襯底1的后表面中形成的切塊凹槽20的輪廓。
此時(shí)，在襯底1的后表面11中的切塊凹槽20的外邊緣的寬度大于劃線寬度，并且這些外邊緣位于金屬層2(其設(shè)置在半導(dǎo)體芯片的最外圍并且形成抗?jié)癍h(huán))的外邊緣的外部。
此外，切塊凹槽20的深度大于切塊凹槽14A和14B的深度。通過(guò)第二切塊工藝在襯底1的后表面11中形成的切塊凹槽20具有朝著離開(kāi)襯底1的前表面10的深度方向呈負(fù)錐形的側(cè)表面。
在本實(shí)施例中，具有柔性層的粘結(jié)膠帶被用作切塊膠帶23，其在后表面11中形成切塊凹槽20之前，附著于襯底1的前表面10上。
通過(guò)使用具有柔性層的膠帶作為切塊膠帶23，該切塊膠帶23吸收了在襯底1的前表面10上的凸出電極24的高度，并且與襯底1的前表面10及凸出電極24的表面上的絕緣層(未示出)發(fā)生接觸，如圖5所示。
由于這個(gè)原因，獲得較高的粘結(jié)強(qiáng)度，因此，通過(guò)切塊膠帶23，由切塊架牢固地固定住半導(dǎo)體襯底1。
而且，在切塊凹槽14A和14B之間(或切塊凹槽15A和15B之間)的半導(dǎo)體襯底部分1A也與切塊膠帶23發(fā)生接觸。
即使在形成了切塊凹槽20并且半導(dǎo)體芯片與半導(dǎo)體襯底部分1A彼此分離時(shí)，半導(dǎo)體襯底部分1A仍然保持附著于切塊膠帶23并被固定住。因此，能夠防止在執(zhí)行切塊工藝時(shí)半導(dǎo)體襯底的散落。
與此相對(duì)照，在圖6的實(shí)例中，具有剛性(較小柔性)層的粘結(jié)膠帶23A被用作切塊膠帶，其在后表面11中形成切塊凹槽20之前附著于襯底1的前表面10上。
由于凸出電極24的高度不能被如圖6所示的切塊膠帶23A吸收，所以在切塊膠帶23A和半導(dǎo)體襯底1之間的粘結(jié)區(qū)域很小。結(jié)果，難以通過(guò)切塊膠帶23A由切塊架來(lái)牢固地固定半導(dǎo)體襯底1。
由于這個(gè)原因，在第二切塊工藝期間在半導(dǎo)體襯底1中可出現(xiàn)變化，并且存在半導(dǎo)體襯底1與切塊膠帶23A分離的可能性。
而且，由于在切塊凹槽14A和14B之間的半導(dǎo)體襯底部分1A不能由切塊膠帶23A充分固定，因此在形成切塊凹槽20之后形成的半導(dǎo)體襯底部分1A將隨著清洗/冷卻水被分散開(kāi)。所分散的材料將與半導(dǎo)體襯底1的前表面上的半導(dǎo)體芯片部分接觸，并且將給所述半導(dǎo)體芯片造成損壞。否則，它將保留在半導(dǎo)體襯底1的前表面上。在這種情況下，需要再次執(zhí)行清洗工藝。
本發(fā)明不限于上述實(shí)施例，并且在不脫離本發(fā)明的精神的條件下可進(jìn)行變化和改型。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其中通過(guò)切塊法將在襯底的一個(gè)主表面上形成有多個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體襯底切割成所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片，該方法包括如下步驟在該襯底的一個(gè)主表面上執(zhí)行第一切割工藝，以在所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片的兩個(gè)相鄰半導(dǎo)體芯片之間產(chǎn)生兩個(gè)切割凹槽，每個(gè)切割凹槽與所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片中的所述相鄰半導(dǎo)體芯片其中之一相鄰；以及在該襯底的另一主表面上執(zhí)行第二切割工藝，以產(chǎn)生與由該第一切割工藝產(chǎn)生的兩個(gè)切割凹槽交疊的切割凹槽。
2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中在該第一切割工藝中使用階梯式切割法。
3.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中在該第二切割工藝中使用寬度大于劃線寬度的切塊刀片。
4.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中通過(guò)該第一切割工藝在該襯底中形成的切割凹槽的深度小于通過(guò)該第二切割工藝在該襯底中形成的切割凹槽的深度。
5.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中通過(guò)該第一切割工藝在該襯底中形成的切割凹槽具有朝著離開(kāi)該襯底表面的深度方向呈正錐形的側(cè)表面。
6.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中在該襯底表面上的多個(gè)半導(dǎo)體芯片中的每一個(gè)半導(dǎo)體芯片上，形成凸出電極。
7.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中還包括如下步驟在該第一切割工藝之前，將第一切塊膠帶附著于該襯底的所述另一主表面上；以及在該第一切割工藝之后并在該第二切割工藝之前，將第二切塊膠帶附著于該襯底的所述一個(gè)主表面上，并且從該襯底的所述另一主表面上去除該第一切塊膠帶，其中該第二切塊膠帶具有柔性層。
8.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中通過(guò)該第一切割工藝在該襯底中形成的每個(gè)切割凹槽的外邊緣距離在該襯底表面上形成的所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片其中之一的最外圍中的金屬線為預(yù)定距離，并且通過(guò)該第二切割工藝在該襯底中形成的切割凹槽的外邊緣位于該金屬線的位置的內(nèi)側(cè)。
9.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中在該襯底表面上形成的所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片中的每一個(gè)半導(dǎo)體芯片上，形成平面電極層。
10.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中通過(guò)該第二切割工藝產(chǎn)生的所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片中的每一個(gè)半導(dǎo)體芯片在該半導(dǎo)體芯片的厚度中心附近的位置處具有最大寬度。
11.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中還包括如下步驟在該第一切割工藝之后且在該第二切割工藝之前，將切塊膠帶附著于該襯底的所述一個(gè)主表面上；其中該切塊膠帶與通過(guò)該第一切割工藝在該襯底中形成的切割凹槽之間的該襯底的中間部分發(fā)生接觸。
12.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中在該第一切割工藝中，兩個(gè)切塊刀片中的每一個(gè)切塊刀片被以使得該切塊刀片的邊緣沿著切塊線離一金屬線為一預(yù)定距離的方式定位，該金屬線位于在該襯底表面上形成的所述多個(gè)半導(dǎo)體芯片中每一個(gè)半導(dǎo)體芯片的最外圍處。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法，該方法是在襯底的一個(gè)主表面上形成有多個(gè)半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體襯底通過(guò)切塊法被切割成多個(gè)半導(dǎo)體芯片。在襯底的一個(gè)主表面上執(zhí)行第一切割工藝，以在多個(gè)半導(dǎo)體芯片的兩個(gè)相鄰半導(dǎo)體芯片之間產(chǎn)生兩個(gè)切割凹槽，每個(gè)切割凹槽與多個(gè)半導(dǎo)體芯片中的相鄰半導(dǎo)體芯片其中之一相鄰。在襯底的另一主表面上執(zhí)行第二切割工藝，以產(chǎn)生與由第一切割工藝產(chǎn)生的兩個(gè)切割凹槽交疊的切割凹槽。
文檔編號(hào)H01L21/301GK1841668SQ20051008338
公開(kāi)日2006年10月4日 申請(qǐng)日期2005年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月31日
發(fā)明者寺山智, 松木浩久 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社