專利名稱:利用光電轉(zhuǎn)換電極的染料敏化太陽電池及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及太陽電池,更具體地涉及包括過渡金屬氧化物納米顆粒半導(dǎo)體電極的染料敏化太陽電池。具體地,本發(fā)明涉及包括過渡金屬氧化物納米顆粒半導(dǎo)體電極的染料敏化太陽電池,其中金屬線設(shè)置在構(gòu)成模塊的單元電池之間的空間中,其增加了受激發(fā)電子轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體電極中的轉(zhuǎn)移率,并顯著減小了在大規(guī)模模塊的制造過程中可能引起的光電轉(zhuǎn)換效率的降低,由此增加了光電流。
背景技術(shù):
當(dāng)前可獲得的染料敏化太陽電池,通常稱為“Graetzel電池”,是采用光敏染料分子和由氧化鈦納米顆粒制造的氧化物半導(dǎo)體的光電化學(xué)太陽電池。染料敏化太陽電池相對于傳統(tǒng)硅基太陽電池具有較低的制造成本,并且包括能夠使其在建筑物外墻、玻璃房屋中等等安裝的窗戶中使用的透明電極。因此,關(guān)于染料敏化太陽電池已經(jīng)進行了大量的研究。
圖1是描述傳統(tǒng)的染料敏化太陽電池的視圖。參考圖1,傳統(tǒng)的染料敏化太陽電池包括第一電極1和第二電極2。其中吸附了染料5的多孔膜3和電解質(zhì)4設(shè)置在第一電極1和第二電極2之間。當(dāng)日光入射到染料敏化太陽電池中時,光子在染料5中被吸收。電子在染料5中被激發(fā),并被注入到構(gòu)成多孔膜3的過渡金屬氧化物的導(dǎo)帶中。在注入后,電子被輸運或吸引到第一電極1,然后電子將電能轉(zhuǎn)移到外部電路。已經(jīng)通過能量轉(zhuǎn)移而下落到較低能級的電子隨后被送至第二電極。在由電解質(zhì)4提供了與注入到多孔膜3的過渡金屬氧化物的導(dǎo)帶中的電子數(shù)目相對應(yīng)的電子數(shù)目之后,染料5返回到原始狀態(tài)。電解質(zhì)4采用氧化和還原,即氧化還原反應(yīng),從第二電極中接收電子,然后將電子提供給染料5。
如上所述的傳統(tǒng)太陽電池具有低制造成本并且很環(huán)保。然而,能量轉(zhuǎn)換效率可能通過在涂覆有多孔膜的第一電極和電解質(zhì)之間的界面處電子和空穴的復(fù)合而降低,這限制了實際的應(yīng)用??紤]到這一問題,提出了具有如圖2所示結(jié)構(gòu)的染料敏化太陽電池。
參考圖2,太陽電池具有三明治結(jié)構(gòu),其中兩個電機板,即第一電極10和第二電極20彼此面對。由納米顆粒制造的多孔膜30涂覆在第一電極10的表面上或直接位于其上。將其中電子通過吸收可見光而激發(fā)的光敏染料,貼附到多孔膜30的納米顆粒的表面。第一電極10和第二電極20被接合并通過支承60固定,在第一電極10和第二電極20之間限定的空間被填充以氧化還原電解質(zhì)40。
作為第一電極10,使用涂覆有由氧化銦錫制成的導(dǎo)電膜12的透明塑料基板或玻璃基板11等等。由至少兩層制成的緩沖層50形成在第一電極10的導(dǎo)電膜12的表面上。緩沖層50包括由其導(dǎo)帶能級低于多孔膜30的導(dǎo)帶能級的材料制作的第一層51,和由其導(dǎo)帶能級高于第一層51的導(dǎo)帶能級的材料制作的第二層52。第一層51和第二層52由其顆粒尺寸小于構(gòu)成多孔膜30的納米顆粒的材料制成,并因此具有致密的結(jié)構(gòu)。第一層51用作提高第一電極10和電解質(zhì)40之間的界面特性,并因此減小在第一電極10和電解質(zhì)40之間的界面處的空穴-電子復(fù)合,由此提高了電子俘獲或收集特性。
在上述染料敏化太陽電池中,太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率與通過日光吸收產(chǎn)生的電子數(shù)量成比例。在此方面,為了增加光電轉(zhuǎn)換效率,提出了下列方法增加鉑電極的反射率、采用多個微米尺寸的半導(dǎo)體氧化物光散射顆粒來增加日光吸收、或者增加光子吸收到染料中以增加電子數(shù)量的方法;防止受激發(fā)電子被電子-空穴復(fù)合消滅的方法;提高界面和電極的薄層電阻以增加受激發(fā)電子的轉(zhuǎn)移率的方法,等等。然而,在大規(guī)模太陽電池或模塊的制造期間可能降低光電轉(zhuǎn)換效率,其限制了實際應(yīng)用并導(dǎo)致大規(guī)模太陽電池的制造相當(dāng)困難。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種染料敏化太陽電池,其中金屬線設(shè)置在用作氧化物半導(dǎo)體電極的透明電極上,以增加電子的轉(zhuǎn)移率并因此改善光電轉(zhuǎn)換效率的減小。
特別地,本發(fā)明公開了一種染料敏化太陽電池,其中金屬線設(shè)置在間隔物中,以防止金屬線與構(gòu)成模塊的單元電池的直接接觸。因此,防止了由金屬線與電解質(zhì)溶液或氧化物半導(dǎo)體層的直接接觸造成的短路,以及電解質(zhì)溶液對金屬線的腐蝕。此外,無需增加阻擋層,而這是常用的金屬線層所需要的。本發(fā)明公開了使用光電轉(zhuǎn)換電極的染料敏化太陽電池,該太陽電池包括半導(dǎo)體電極、設(shè)置為與半導(dǎo)體電極相對的反電極、設(shè)置在半導(dǎo)體電極和反電極之間并在其上吸附有染料的氧化物半導(dǎo)體層、設(shè)置在半導(dǎo)體電極和反電極之間的電解質(zhì)溶液、對半導(dǎo)體電極和反電極之間限定的空間進行劃分以形成至少一個單元電池的間隔物、以及至少部分地在該至少一個單元電池之間限定的空間中進行構(gòu)圖的金屬線。
本發(fā)明公開了使用光電轉(zhuǎn)換電極的染料敏化太陽電池的制造方法,該方法包括制備具有導(dǎo)電層的半導(dǎo)體襯底、確定導(dǎo)電層上設(shè)置用于限定單元電池的間隔物的位置、在半導(dǎo)體襯底的導(dǎo)電層上確定的位置中形成金屬線、在金屬線上方形成間隔物、以及用電解質(zhì)溶液填充單元電池,其中間隔物使金屬線與電解質(zhì)溶液絕緣。
應(yīng)當(dāng)理解,前面的大致描述和后面的詳細描述都是示例性的和解釋行的,并且旨在提供對于如權(quán)利要求所要求的本發(fā)明的進一步解釋。
附圖包含在此用于提供對本發(fā)明進一步的理解,并且構(gòu)成說明書的一部分,其描述了本發(fā)明的實施例并且和說明書結(jié)合用于解釋本發(fā)明的原理。
圖1是描述常規(guī)染料敏化太陽電池的示意圖。
圖2是描述染料敏化太陽電池的示意截面圖。
圖3是描述根據(jù)本發(fā)明的染料敏化太陽電池的示意截面圖。
圖4是圖3的太陽電池的透視圖。
具體實施例方式
下面參考附圖來描述根據(jù)本發(fā)明的染料敏化太陽電池。
圖3是描述根據(jù)本發(fā)明的染料敏化太陽電池的示意截面圖,圖4是圖3的太陽電池的透視圖。
參考圖3和圖4,使用光電轉(zhuǎn)換電極的染料敏化太陽電池具有類似三明治的結(jié)構(gòu),其中兩個電極板,即半導(dǎo)體電極110和反電極120彼此面對。例如,兩個電極可以基本上彼此平行。其中吸附有染料的氧化物半導(dǎo)體層130設(shè)置在半導(dǎo)體電極110和反電極120之間。具體地,氧化物半導(dǎo)體層130在半導(dǎo)體電極110的表面上形成。
氧化還原電解質(zhì)溶液140設(shè)置在或填充在半導(dǎo)體電極110和反電極120之間的空間中。間隔物160,例如用作分隔壁的支承,設(shè)置在半導(dǎo)體電極110和反電極120之間的空間中,以便將半導(dǎo)體電極110和反電極120之間限定的空間進行劃分以形成彼此分開預(yù)定距離的單元電池142。金屬線150在單元電池142之間、即在單元電池142之間限定的空間中進行構(gòu)圖。這樣,單元電池142的數(shù)目由設(shè)置在半導(dǎo)體電極110和反電極120之間的所劃分空間的數(shù)目來確定。
半導(dǎo)體電極110包括半導(dǎo)體電極襯底111和用于在半導(dǎo)體電極襯底111的表面上形成的半導(dǎo)體電極的透明導(dǎo)電膜112。半導(dǎo)體電極襯底111可以由透明材料制成,例如玻璃、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、或者聚碳酸酯(PC),并且可以用作太陽電池的陰極。涂敷在半導(dǎo)體電極襯底111的表面上的透明導(dǎo)電膜112可以由透明導(dǎo)電材料制成,例如氧化銦錫(ITO)或氧化氟錫(FTO)。因此,日光可以入射到并透射穿過具有上述結(jié)構(gòu)的透明半導(dǎo)體電極110。
同時,設(shè)置為與半導(dǎo)體電極110相對的反電極120包括反電極襯底121、用于在半導(dǎo)體電極襯底121的表面上形成的反電極的透明導(dǎo)電膜122、以及形成在透明導(dǎo)電膜122的表面上的導(dǎo)電膜123,其中導(dǎo)電填料包括鉑或貴金屬。
反電極襯底121可以是透明塑料襯底,包括玻璃襯底或PET、PEN、PC、聚丙烯(PP)、聚酰亞胺(PI)和三乙酰纖維素(TAC)。用于反電極的透明導(dǎo)電膜122可以是由ITO或FTO制成的透明且導(dǎo)電的膜。
形成在透明導(dǎo)電膜122的表面上的導(dǎo)電膜123可以是由鉑制成的導(dǎo)電膜,其是通過在透明導(dǎo)電膜122上濕涂敷有機溶劑(甲醛、乙醇、異丙醇等等)中的H2PtCl6溶液而獲得的。濕涂敷之后是400℃下的高溫處理,例如熱處理,或者進一步在空氣或氧氣氣氛中,或者通過電鍍或物理汽相沉積(PVD)(諸如濺射、e束蒸發(fā)等等的技術(shù))。這里,濕涂敷可以通過旋轉(zhuǎn)涂敷、浸漬涂敷或流式涂敷來實現(xiàn)。
這樣,在本發(fā)明的非限定實施例中,太陽電池包括其上吸附有光敏染料分子的半導(dǎo)體電極110、其中涂敷了包含鉑的導(dǎo)電膜123的反電極120、以及填充在半導(dǎo)體電極110和反電極120之間的氧化還原電解質(zhì)溶液140。半導(dǎo)體電極110包括半導(dǎo)體電極襯底111,其可以是涂敷有ITO或FTO的透明導(dǎo)電玻璃襯底。金屬布線150設(shè)置在間隔物160中。間隔物160為在涂敷有透明導(dǎo)電膜112的半導(dǎo)體電極襯底111上形成的氧化物半導(dǎo)體層130提供了支承結(jié)構(gòu),例如側(cè)面支承。根據(jù)干法或者濕法,間隔物160設(shè)置或安裝為以便劃分半導(dǎo)體電極110和反電極120之間的空間,并形成將要填充電解質(zhì)溶液140的單元電池142。
通過將至少包括鉑的導(dǎo)電膜123和氧化物半導(dǎo)體層130設(shè)置為彼此面對、并提供由SURLYN(DupontTM的商標(biāo))制成的聚合物層用作金屬線150上的間隔物160、然后當(dāng)其處于大約100℃的溫度下時按壓聚合物層用作金屬線150上的間隔物160,從而附著半導(dǎo)體電極110和反電極120。間隔物160可以通過各種其他技術(shù)形成,諸如通過使用SURLYN以外的各種聚合物粘接劑其中之一的滴涂器(dispenser)方法。
例如,氧化還原電解質(zhì)溶液140可以通過在乙腈中溶解碘(I)源,即0.5M的四丙基銨碘化物或0.8M的碘化鋰(LiI)和0.05M的碘(I2)來制備。
金屬線150與填充在單元電池142中的電解質(zhì)溶液140通過間隔物160而隔離或者分開。金屬線150可以由Au、Ag、Al、Pt、Cu、Fe、Ni、Ti、Zr或上述金屬中的兩種或多種的合金制成。
根據(jù)本發(fā)明的實施例,金屬線150可以通過已知構(gòu)圖方法,諸如絲網(wǎng)印刷法、印制法或滴涂器法,對選自Au、Ag、Al、Pt、Cu、Fe、Ni、Ti和Zr中的一種或多種元素的金屬膠進行構(gòu)圖而形成。或者,金屬線150可以通過絲網(wǎng)印刷法、印制法或滴涂器法,對選自Au、Ag、Al、Pt、Cu、Fe、Ni、Ti和Zr中的一種或多種的膠狀溶液進行構(gòu)圖而形成。
此外,金屬線150可以使用光刻工藝與化學(xué)沉積、濺射和電沉積其中一種的組合,對選自Au、Ag、Al、Pt、Cu、Fe、Ni、Ti和Zr中的一種或多種元素的制成的金屬膜進行蝕刻而形成。
這樣,在非限定實例中,為了將金屬線150與電解質(zhì)溶液140隔離,金屬線150形成得比間隔物160更窄,例如,金屬線完全包含在間隔物160中。換言之,金屬線150形成為使得其掩埋在間隔物160中。
如圖4所示,金屬線150環(huán)繞單元電池142,這是由于其位于形成用作劃分單元電池的邊界的空間中。由于金屬線150形成為掩埋在間隔物160中,在金屬線150形成之后或形成期間,即使單元電池142的數(shù)目由于大規(guī)模太陽電池或模塊的制造而增加,金屬線150也可以適當(dāng)?shù)剡M行安裝。采用這種設(shè)置,受激發(fā)的電子到半導(dǎo)體電極110中的轉(zhuǎn)移率增加,由此防止了光電轉(zhuǎn)換效率的下降。
金屬線150具有大約0.1到30μm的厚度或直徑。單元電池142通常形成為方形或矩形形狀,然而本發(fā)明并不限于此。單元電池142可以形成為具有預(yù)定的形狀。然而,金屬線150應(yīng)當(dāng)根據(jù)由間隔物160劃分的單元電池142的形狀而掩埋在間隔物160中,以便金屬線150不暴露于反電極120或電解質(zhì)溶液140。
例如,當(dāng)單元電池142形成為方形形狀時,則每個單元電池的側(cè)邊長度在大約0.1到30mm的范圍內(nèi)??梢岳斫?,可以存在多于一個單元電池142。如圖3和圖4所示,金屬線150沿著劃分單元電池142的間隔物160、以掩埋在間隔物160中的方式形成在半導(dǎo)體電極110上。
描述了染料敏化太陽電池的制造方法,該太陽電池包括在其上根據(jù)本發(fā)明實施例形成金屬線的半導(dǎo)體電極。
制備半導(dǎo)體電極襯底111。例如,半導(dǎo)體電極襯底111可以是具有良好透明性的襯底,其是并且能夠用作太陽電池的陰極,例如玻璃襯底、PET襯底、PEN襯底或PC襯底、或涂敷有諸如ITO或FTO的透明導(dǎo)電材料的襯底。
在限定了用于氧化物半導(dǎo)體層130的位置的半導(dǎo)體電極襯底的導(dǎo)電層上確定用于間隔物160的位置,例如預(yù)定位置。間隔物160還防止了在制造模塊期間單元電池142之間的電極短路。間隔物160還限定了半導(dǎo)體電極110和反電極120之間的將要填充電解質(zhì)溶液的空間。當(dāng)確定了用于間隔物的位置時,金屬線形成為具有與將要形成的間隔物相同的圖案或空間。金屬線應(yīng)當(dāng)比間隔物更窄,以便防止由于暴露金屬線導(dǎo)致的金屬線和電解質(zhì)溶液的直接接觸。
金屬線可以根據(jù)各種方法和構(gòu)圖技術(shù)進行構(gòu)圖。根據(jù)本發(fā)明的實施例,構(gòu)圖是在半導(dǎo)體電極襯底的表面上直接進行的。例如,構(gòu)圖可以采用選自金、銀、鉑及其合金中的高導(dǎo)電性金屬顆粒的膠或膠狀溶液,并采用下列技術(shù)中的一種,即絲網(wǎng)印刷技術(shù)、印制技術(shù)和滴涂器技術(shù)施加到表面來進行。此外,構(gòu)圖也可以通過將光刻工藝與諸如化學(xué)汽相沉積(CVD)或濺射的沉積工藝結(jié)合來進行。此外構(gòu)圖可以通過蝕刻利用電沉積或電鍍形成的金屬膜來進行。
當(dāng)金屬線150通過上述任一一種方法進行構(gòu)圖時,氧化物半導(dǎo)體膠涂敷并施加到金屬線之間的半導(dǎo)體電極110的表面,并被加熱以形成氧化物顆粒之間的頸縮(necking)。光敏染料于是被吸收到所產(chǎn)生的半導(dǎo)體電極襯底結(jié)構(gòu)中,其完成了氧化物半導(dǎo)體電極110的形成。例如,光敏染料可以選擇下列金屬絡(luò)合物中的一種,諸如Al、Pt、Pd、Eu、Pb或者Ir,其中光敏染料優(yōu)選由釕染料(Ru染料)分子形成。
此外,制備反電極120。反電極120通過濕法涂敷工藝,例如旋轉(zhuǎn)涂敷、浸漬涂敷或流式涂敷以ITO或FTO涂敷的透明或玻璃襯底、或者具有諸如甲醛、乙醇、異丙醇等等的有機溶劑中的H2PtCl6溶液的透明導(dǎo)電聚合物膜而形成的,之后是400℃下的高溫處理,或者進一步在空氣或氧氣氣氛中,或者采用電鍍或PVD,諸如濺射或e束蒸發(fā),在玻璃襯底上涂敷由鉑制成的導(dǎo)電膜。
通過將導(dǎo)電膜和氧化物半導(dǎo)體層設(shè)置或定位為彼此面對,例如彼此平行,以及將例如SURLYN的聚合物層形成為金屬線150上的間隔物、然后當(dāng)其處于大約100℃的溫度下時將聚合物層按壓到金屬線150上,從而附著或耦合半導(dǎo)體電極和反電極?;蛘?,除了使用SURLYN以外,間隔物160還可以通過各種聚合物粘接劑其中之一的滴涂器方法來形成。
接著,將氧化還原電解質(zhì)溶液140施加或填充在單元電池142中。氧化還原電解質(zhì)溶液140可以通過在乙腈中溶解碘源,如0.5M的四丙基銨碘化物或0.8M的LiI、和0.05M的I2來制備。將如此制備的電解質(zhì)溶液通過穿過反電極形成的入口136注入或施加到單元電池142。在施加了電解質(zhì)溶液140之后,入口被密封或由密封部分134覆蓋。密封部分134可以由環(huán)氧樹脂或SURLYN制成。用于密封入口的玻璃(參見圖3的132)設(shè)置在密封部分上,由此完成了一個太陽電池。可以理解,多個這種入口136可以形成在反電極120中,以提供給電解質(zhì)溶液140。
根據(jù)至少在上述本發(fā)明的實施例中描述的染料敏化太陽電池,金屬線設(shè)置在用作氧化物半導(dǎo)體電極的透明電極上。因此,可以提高染料中受激發(fā)的電子到氧化物半導(dǎo)體電極中的轉(zhuǎn)移率,這樣,可以改善在大規(guī)模染料敏化太陽電池或模塊的制造中可能發(fā)生的光電轉(zhuǎn)換效率下降。
和沒有金屬線的常規(guī)太陽電池相比,本發(fā)明的染料敏化太陽電池呈現(xiàn)出大約35%的光電轉(zhuǎn)換效率增加。此外,金屬線提供在間隔物中,其防止了在氧化物半導(dǎo)體電極和反電極之間發(fā)生的短路,并限定了將要填充電解質(zhì)的空間。因此,無需形成單獨的涂敷層,通常稱為保護層或阻擋層,以防止在金屬線和電解質(zhì)溶液或氧化物層之間發(fā)生的短路,以及金屬線被電解質(zhì)溶液腐蝕。
對于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是,可以在本發(fā)明中進行各種修改和變型而不背離本發(fā)明的主旨和范圍。因此,本發(fā)明意圖覆蓋落在附屬權(quán)利要求及其等價物范圍內(nèi)的本發(fā)明的各種修改和變型。
權(quán)利要求
1.具有光電轉(zhuǎn)換電極的染料敏化太陽電池,該太陽電池包括半導(dǎo)體電極;設(shè)置為與半導(dǎo)體電極相對的反電極;設(shè)置在半導(dǎo)體電極和反電極之間并在其上吸附有染料的氧化物半導(dǎo)體層;設(shè)置在半導(dǎo)體電極和反電極之間的電解質(zhì)溶液;對半導(dǎo)體電極和反電極之間限定的空間進行劃分以形成至少一個單元電池的間隔物;以及至少部分地在該至少一個單元電池之間進行構(gòu)圖的金屬線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的染料敏化太陽電池,其中金屬線完全地在至少一個單元電池之間限定的空間中進行構(gòu)圖。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的染料敏化太陽電池,其中半導(dǎo)體電極包括半導(dǎo)體電極襯底;和形成在半導(dǎo)體電極襯底上的透明導(dǎo)電膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的染料敏化太陽電池,其中反電極包括反電極襯底;形成在反電極襯底上的透明導(dǎo)電膜;和形成在透明導(dǎo)電膜上的導(dǎo)電膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的染料敏化太陽電池,其中導(dǎo)電膜包括鉑。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的染料敏化太陽電池,其中金屬線包括選自Au、Ag、Al、Pt、Cu、Fe、Ni、Ti和Zr中的金屬,或上述金屬中的兩種或多種的合金。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的染料敏化太陽電池,其中使用包括金屬或金屬合金的金屬膠,通過絲網(wǎng)印刷法、印制法或滴涂器法對金屬線進行構(gòu)圖。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的染料敏化太陽電池,其中使用包括金屬或金屬合金的膠狀溶液,通過絲網(wǎng)印刷法、印制法或滴涂器法對金屬線進行構(gòu)圖。
9.根據(jù)權(quán)利要求6的染料敏化太陽電池,其中通過將光刻工藝與化學(xué)沉積、濺射或電沉積其中的一種結(jié)合來蝕刻包括金屬或金屬合金的膜,從而對金屬線進行構(gòu)圖。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的染料敏化太陽電池,其中間隔物將金屬線與電解質(zhì)溶液隔離開來。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的染料敏化太陽電池,其中金屬線比間隔物更窄。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的染料敏化太陽電池,其中金屬線約為0.1到30μm厚。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的染料敏化太陽電池,其中至少一個單元電池是矩形形狀的。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的染料敏化太陽電池,其中每個單元電池的每個側(cè)邊的長度約為0.1到30mm。
15.根據(jù)權(quán)利要求1的染料敏化太陽電池,其中間隔物圍繞金屬線形成以將金屬線與電解質(zhì)溶液隔離開來。
16.一種制造使用光電轉(zhuǎn)換電極的染料敏化太陽電池的方法,該方法包括制備具有在半導(dǎo)體電極襯底上形成的導(dǎo)電層的半導(dǎo)體電極;確定導(dǎo)電層上用于將設(shè)置用于形成單元電池的間隔物的位置;在導(dǎo)電層上所確定的位置處形成金屬線;在金屬線上方形成間隔物;以及將電解質(zhì)溶液添加到單元電池,其中間隔物將金屬線與電解質(zhì)溶液隔離開來。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的方法,其中金屬線包括選自Au、Ag、Al、Pt、Cu、Fe、Ni、Ti和Zr中的金屬,或上述金屬中的兩種或多種的合金。
18.根據(jù)權(quán)利要求16的方法,還包括使用包括金屬或金屬合金的金屬膠,通過絲網(wǎng)印刷法、印制法或滴涂器法對金屬線進行構(gòu)圖。
19.根據(jù)權(quán)利要求16的方法,還包括使用包括金屬或金屬合金的膠狀溶液,通過絲網(wǎng)印刷法、印制法或滴涂器法對金屬線進行構(gòu)圖。
20.根據(jù)權(quán)利要求16的方法,還包括通過將光刻工藝與化學(xué)沉積、濺射或電沉積其中的一種結(jié)合來蝕刻包括金屬或金屬合金的膜,從而對金屬線進行構(gòu)圖。
全文摘要
一種具有光電轉(zhuǎn)換電極的染料敏化太陽電池。該太陽電池包括半導(dǎo)體電極,設(shè)置為與半導(dǎo)體電極相對的反電極,設(shè)置在半導(dǎo)體電極和反電極之間并在其上吸附有染料的氧化物半導(dǎo)體層,設(shè)置在半導(dǎo)體電極和反電極之間的電解質(zhì)溶液,對半導(dǎo)體電極和反電極之間限定的空間進行劃分以形成至少一個單元電池的間隔物,以及至少部分地在該至少一個單元電池之間進行構(gòu)圖的金屬線。
文檔編號H01M14/00GK1716641SQ20051008106
公開日2006年1月4日 申請日期2005年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月29日
發(fā)明者崔在萬, 李知爰, 李禾燮, 安光淳, 樸晶遠, 申炳哲 申請人:三星Sdi株式會社