專利名稱：一種主被動控制激光相干合成裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種激光相干合成裝置，特別是涉及一種通過主動控制與被動控制相結(jié)合來實現(xiàn)激光相干合成的裝置。
背景技術(shù)：
高功率和超高功率高亮度激光在工業(yè)、科研等應(yīng)用中發(fā)揮著極其重要的作用。然而，對于單個激光器，若要同時獲得輸出超高功率和高亮度是非常困難的，這是因為受到內(nèi)部物理因素以及結(jié)構(gòu)因素的限制(例如熱效應(yīng)、非線性效應(yīng)、損傷閾值、激光介質(zhì)本身特性等)，如塊狀固體激光器可以輸出很高的功率，但通常在大功率輸出時光束質(zhì)量變差；又如光纖激光器可實現(xiàn)高亮度激光輸出，但單模功率也限制在kW量級。
多光束相干合成技術(shù)為解決上述難題提供了一條有效的途徑，它可以同時獲得高的輸出功率和高亮度。因此最近幾年，相干合成技術(shù)引起了國際科學(xué)界廣泛的興趣，是高功率激光技術(shù)研究的一個熱點方向。目前已經(jīng)發(fā)展了多種技術(shù)，主要可以歸納為主動控制技術(shù)和被動控制技術(shù)。主動控制技術(shù)是通過壓電陶瓷或電光晶體等來控制每臺激光器的相位，使其每臺激光器的相位一致，從而實現(xiàn)相位鎖定，最后再合成，如文獻(xiàn)1“Phase locking in a fiber laser array with varying pathlengths”，APPLIED PHYSICS LETTERS，Volume 85，Number 21，22 November 2004公開的方法。但是這種技術(shù)系統(tǒng)非常復(fù)雜，最大弱點是不穩(wěn)定，這是因為熱效應(yīng)、應(yīng)力等諸多因素都將嚴(yán)重影響激光器的相位，例如，溫度每變化1度，對于10m的石英光纖，可能引起100個波長的相位變化，而且，變化速度非?？欤话銐弘娞沾煽刂破骺赡苓€跟不上激光器的相位變化，所以導(dǎo)致了相位控制困難和系統(tǒng)不穩(wěn)定。由于主動控制技術(shù)系統(tǒng)很不穩(wěn)定，因此研究人員又提出了一些被動控制技術(shù)，例如(1)倏逝波耦合技術(shù)，這種技術(shù)要求單個激光器必須足夠小，并且相干后遠(yuǎn)場束中心是暗的；(2)環(huán)形Talbot腔技術(shù)，雖然這種技術(shù)在概念上是簡單的和完美的，但實驗中對位和模式控制相當(dāng)困難；(3)自成像腔技術(shù)，這種技術(shù)輸出多束相位鎖定的激光，但很難合成單一光束輸出，且每個激光器需要對稱排列；然而，實現(xiàn)單一束相干合成輸出是非常重要的，因為它減少了旁瓣的能量損失，增加了結(jié)合效率，同時集中了更大的中心能量。2002年，D.Sabourdy等提出采用Micherson腔技術(shù)進(jìn)行相干合成，如文獻(xiàn)2[Appl.Phys.B，75，503]公開的技術(shù)。這種技術(shù)具有系統(tǒng)簡單的特點，最大的特點是能夠?qū)崿F(xiàn)單一束輸出，不需要額外的合成裝置，而且效率高。然而，這種技術(shù)只能在一定功率下可以實現(xiàn)相干合成，如果升高泵浦功率，相位就不能經(jīng)過自調(diào)節(jié)過程實現(xiàn)相位鎖定。
激光相干合成技術(shù)目前在世界上仍處在探索階段，發(fā)展更有效的相干合成新技術(shù)仍是目前實現(xiàn)高功率光源非常重要的課題，將對高功率光源的實用化及其進(jìn)一步的發(fā)展具有十分重大的意義。因此，人們迫切需要一種高效率、大功率的激光相干合成裝置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的上述不足，提供一種高效率、結(jié)構(gòu)緊湊、能夠?qū)崿F(xiàn)大功率單一束激光輸出和系統(tǒng)性能穩(wěn)定的激光相干合成裝置。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案如下一種主被動控制激光相干合成裝置，如圖1所示，包括至少兩個泵浦源，至少兩個激光諧振腔，至少兩塊激光介質(zhì)，至少一輸出耦合腔鏡5，其中由第一全反腔鏡1、45度全反鏡3、束分離器4和輸出耦合腔鏡5構(gòu)成第一激光諧振腔，由第二全反腔鏡1’、束分離器4和輸出耦合腔鏡5構(gòu)成第二激光諧振腔；第一激光介質(zhì)2放置在第一激光諧振腔的光路中，第二激光介質(zhì)2’放置在第二激光諧振腔的光路中；第一泵浦源13對第一激光諧振腔中的第一激光介質(zhì)2泵浦，第二泵浦源14對第二激光諧振腔中的第二激光介質(zhì)2’泵浦；還包括至少一檢測器10置于束分離器4的一側(cè)，所述檢測器10與反饋控制器11、驅(qū)動器12順序連接。
在上述技術(shù)方案中，所述驅(qū)動器12與第一泵浦源13或第二泵浦源14連接，通過控制第一泵浦源或第二泵浦源的電流來控制激光束的相位。
在上述技術(shù)方案中，所述驅(qū)動器12驅(qū)動壓電陶瓷，通過壓電陶瓷去控制第一全反腔鏡1或第二全反腔鏡1’來控制激光的相位變化。
在上述技術(shù)方案中，所述驅(qū)動器12驅(qū)動壓電陶瓷，通過壓電陶瓷去控制第一激光介質(zhì)2或第二激光介質(zhì)1’來控制激光的相位變化。
在上述技術(shù)方案中，還包括在所述第一激光介質(zhì)2或第二激光介質(zhì)2’上加磁致伸縮材料，或者在第一激光諧振腔或第二激光諧振腔內(nèi)的光路上加聲光相位調(diào)制器或電光相位調(diào)制器，由驅(qū)動器12驅(qū)動磁致伸縮材料，或者聲光相位調(diào)制器或電光相位調(diào)制器去控制激光的相位變化。
在上述技術(shù)方案中，還包括在輸出耦合腔鏡5前加一擴(kuò)束器或者準(zhǔn)直器，用于擴(kuò)大或者準(zhǔn)直光束，以免在大功率下輸出耦合腔鏡5受到損傷。
在上述技術(shù)方案中，所述第一激光介質(zhì)2和第二激光介質(zhì)2’包括單包層光纖、雙包層光纖、單包層和雙包層光子晶體光纖、微結(jié)構(gòu)光纖、多芯光纖、多芯光子晶體光纖、錐形光纖或錐形光子晶體光纖。
在上述技術(shù)方案中，所述第一激光介質(zhì)2和第二激光介質(zhì)2’包括氧碘、HF、DF、HCL、He-Ne、銅蒸氣、金蒸氣、碘原子、氬離子、氪離子、氦-鎘離子、CO2分子、分子、氮分子、準(zhǔn)分子、YAG、YVO、GGG、YLF、YAP、鈦寶石、LiSAF、Er玻璃、紅寶石、GaInAsP/InP、GaInNAs/GaAs、GaInAs/GaAs、GaAlAs/GaAs、GaAlInP/GaAs、ZnSSe/ZnMgSSe、GaInAlN/GaAlN、GaAs/AlGaAs、InGaAs/GaAs半導(dǎo)體激光介質(zhì)。
在上述技術(shù)方案中，所述第一全反腔鏡1和第二全反腔鏡1’包括平面鏡、非平面鏡、光纖光柵、Bragg反射鏡或直接鍍有反射膜的激光介質(zhì)的端面。
在上述技術(shù)方案中，所述束分離器4包括光纖耦合器或介質(zhì)膜鏡片。
在上述技術(shù)方案中，所述輸出耦合腔鏡5包括平面鏡、非平面鏡或Bragg反射鏡。
在上述技術(shù)方案中，所述第一泵浦源13和第二泵浦源14包括閃光燈、電激勵源、半導(dǎo)體激光器、固體激光器；所述第一泵浦源13和第二泵浦源14的泵浦方式為側(cè)泵或端泵。
在上述技術(shù)方案中，所述第一激光諧振腔和第二激光諧振腔構(gòu)成Vernier-Michelson諧振腔、Mach-Zehnder諧振腔或Fox-Smith諧振腔。
與現(xiàn)有技相比，本發(fā)明的有益效果是1)可以直接產(chǎn)生單一束激光相干合成輸出；2)相干結(jié)合效率高，而且在高功率下也同樣能實現(xiàn)相位鎖定，3)穩(wěn)定性高利用激光頻率的自調(diào)節(jié)過程并結(jié)合主動控制技術(shù)去適應(yīng)激光相位的改變來實現(xiàn)激光相干合成，由于相干過程的頻率相位變化是一個自選擇和適應(yīng)過程，從而提高系統(tǒng)穩(wěn)定性；4)可實現(xiàn)更多路激光器相干合成來輸出更大的功率。


圖1是本發(fā)明的主被動控制激光相干合成裝置結(jié)構(gòu)框圖；圖2是本發(fā)明的兩光子晶體光纖主被動控制激光相干合成裝置結(jié)構(gòu)框圖；圖3是本發(fā)明的兩傳統(tǒng)光纖激光主被動控制激光相干合成裝置結(jié)構(gòu)框圖；圖4是本發(fā)明的兩垂直腔面發(fā)射激光器的相干合成裝置結(jié)構(gòu)框圖；圖5是本發(fā)明的四路主被動控制激光相干合成裝置結(jié)構(gòu)框圖；具體實施方式
下面結(jié)合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述本發(fā)明提供的主被動控制激光相干合成裝置，是利用激光腔內(nèi)損耗機(jī)理實現(xiàn)相位的自調(diào)節(jié)和結(jié)合主動控制實現(xiàn)在高功率輸出時仍然獲得相位鎖定的，同時，可直接獲得合成后的單一束激光輸出。其中利用腔內(nèi)損耗機(jī)理實現(xiàn)自調(diào)節(jié)是被動控制相位的技術(shù)，其原理是利用Vernier-Michelson諧振腔或Mach-Zehnder諧振腔或Fox-Smith諧振腔，在諧振腔內(nèi)，只有那些頻率相同、位相差為零，偏振一致的兩束或者多束激光在腔內(nèi)的損耗才是最小的，也就是說具有完全相干條件的激光縱模將在腔內(nèi)優(yōu)先振蕩起來，從而通過輸出耦合器可輸出相干合成的激光。然而，這種情況只能在低的泵浦功率條件下才可能實現(xiàn)完全的相干合成，隨著泵浦功率的升起，那些相位差較小但不為零的激光縱模也將在腔內(nèi)振蕩起來；泵浦功率再繼續(xù)增加，則可能任何相位差的激光縱模都將在腔內(nèi)振蕩起來，因此，僅利用腔內(nèi)被動控制技術(shù)只能在低功率時實現(xiàn)激光的相位鎖定和相干合成，在高功率時就已經(jīng)不能實現(xiàn)相位鎖定；在高功率時采用主動控制相位技術(shù)，就可以實現(xiàn)高功率相干合成輸出，從而克服單純被動控制技術(shù)的不足。當(dāng)然，僅僅主動控制技術(shù)也是不足的，這是因為外界因數(shù)對激光相位的影響太大、太快，主動控制是很難實現(xiàn)所有激光束的相位一致的。當(dāng)主被動控制技術(shù)兩者結(jié)合時，假如初期泵浦光功率為P0，兩束或多束激光完全相干，當(dāng)泵浦光功率增大到為P1時，兩束或者多束激光的相位差略大于零也將在腔內(nèi)振蕩，已經(jīng)不再完全相干，不過這時候更大位相差的激光頻率是不能在腔內(nèi)振蕩，因為它們的損耗相對而言還是太大，不能得到足夠的增益，因此在腔內(nèi)，雖然位相差不為零，但不會相差太大，此時主動控制可以將其相位校正回來；采用主動控制后，兩束或多束激光此時又可以完全相干，當(dāng)功率繼續(xù)增大時，這些已經(jīng)完全相干的縱模將已經(jīng)得到足夠的增益而優(yōu)先振蕩，最后，即使功率再大，也能完全實現(xiàn)相干合成。
實施例1參考圖1，制作一輸出波長為1064nm的主被動控制激光相干合成裝置；圖中，第一全反腔鏡1和第二全反腔鏡1’采用全反射平面鏡；45度全反鏡3為一塊普通石英鏡片；束分離器4為傳統(tǒng)的50/50平面鏡；第一激光介質(zhì)2和第二激光介質(zhì)2’為釓鎵石榴石GGG；輸出耦合腔鏡5為普通石英腔鏡，其透過率為50％；其中，第一全反腔鏡1和第二全反腔鏡1’、45度全反鏡3、束分離器4和輸出耦合腔鏡5構(gòu)成Michelson諧振腔；第一泵浦源13和第二泵浦源14均為波長為808nm的半導(dǎo)體激光器，采用端泵方式。在低功率泵浦時，諧振腔內(nèi)兩束激光在束分離器4的右側(cè)相干合成，根據(jù)腔內(nèi)損耗機(jī)理，在束分離器4的下側(cè)將沒有光泄漏出來，但泵浦功率升起時，這時相位將不能自動鎖定在0相位差，會有激光從束分離器4的下面泄漏出來，在這個位置放置一個檢測器10，該探測器為常規(guī)光電轉(zhuǎn)換器；檢測器10將檢測的信號送到反饋控制器11中，輸出的控制信號經(jīng)驅(qū)動器12轉(zhuǎn)換為驅(qū)動信號來控制第二泵浦源14中泵浦源的電流，通過泵浦源的電流變化去改變腔內(nèi)激光的相位，使兩束激光的相位再次鎖定在0相位差，最后在束分離器4的右側(cè)將相干合成一束激光輸出。其中，反饋控制器11由常規(guī)電路組成。
實施例2參考圖2，制作一輸出波長為1070nm的光子晶體光纖主被動控制激光相干合成裝置。圖2表示的裝置結(jié)構(gòu)基本與圖1相同，所不同的是第一泵浦源13和第二泵浦源14采用975nm半導(dǎo)體激光器；第一全反腔鏡1和第二全反腔鏡1’均采用光纖光柵，該光纖光柵對波長1070nm高反射、兩準(zhǔn)直透鏡6和6’；第一激光介質(zhì)2和第二激光介質(zhì)2’采用摻鐿雙包層光子晶體光纖；在第一激光介質(zhì)2和第二激光介質(zhì)2’的后方光路上分別放置第一準(zhǔn)直透鏡6和第二準(zhǔn)直透鏡6’；在第二激光介質(zhì)2’的光子晶體光纖上固定壓電陶瓷7；光電檢測器10將檢測的信號送到反饋控制器11中，反饋控制器11輸出的控制信號經(jīng)驅(qū)動器12轉(zhuǎn)換為驅(qū)動信號去驅(qū)動壓電陶瓷7，通過壓電陶瓷7來改變該諧振腔內(nèi)激光的相位，使兩束激光的相位穩(wěn)定鎖定在0相位差，最后在束分離器4的右邊將相干合成一束激光輸出，從而實現(xiàn)兩光子晶體光纖激光器相干輸出1070nm波長的激光。
實施例3
參考圖3，制作一光纖激光主被動控制激光相干合成裝置。
采用兩個波長為975nm的半導(dǎo)體激光器作為第一泵浦源13和第二泵浦源14；第一全反腔鏡1和第二全反腔鏡1’均為常規(guī)全反平面鏡；第一激光介質(zhì)2和第二激光介質(zhì)2’均采用摻鐿雙包層傳統(tǒng)光纖；光纖耦合器9充當(dāng)了束分離器，該光纖耦合器9分束比為為50/50，并將其輸出到檢測器10的一端打磨成楔形，以防止和光纖另外一端構(gòu)成諧振腔；磁致伸縮材料8被固定在第二激光介質(zhì)2’的傳統(tǒng)光纖上。在光纖耦合器9的下面通過安裝一個光電轉(zhuǎn)換器作為檢測器10用來探測分束出來的激光，然后將檢測的信號送到反饋控制器11中，反饋控制器11輸出的控制信號經(jīng)磁場驅(qū)動器12轉(zhuǎn)換為驅(qū)動信號去驅(qū)動磁致伸縮材料8，通過磁致伸縮材料8的伸縮去改變該諧振腔內(nèi)激光的相位，使兩束激光的相位穩(wěn)定鎖定在0相位差，最后在光纖耦合器9的右邊將相干合成一束激光輸出，從而實現(xiàn)兩傳統(tǒng)光纖激光器相干合成輸出。
實施例4參照圖4，制作兩垂直腔面發(fā)射激光器的相干合成裝置。
第一泵浦源13和第二泵浦源14均采用電激勵源；第一全反腔鏡1和第二全反腔鏡1’均采用Bragg反射鏡；用兩塊GaAs/AlGaAs垂直腔面發(fā)射的激光介質(zhì)分別作為第一激光介質(zhì)2和第二激光介質(zhì)2’；45度全反鏡3為一塊石英鏡片；束分離器4為傳統(tǒng)的50/50平面鏡；第一全反腔鏡1和第二全反腔鏡1’、45度全反鏡3以及輸出耦合腔鏡5組成Michelson諧振腔；在第二激光介質(zhì)2’與束分離器4之間的光路上安放電光相位調(diào)制器20；在束分離器4的下面通過安裝一個光電轉(zhuǎn)換檢測器10，檢測器10將檢測的信號送到反饋控制器11中，反饋控制器11輸出的控制信號經(jīng)驅(qū)動器12轉(zhuǎn)換為驅(qū)動信號去驅(qū)動電光相位調(diào)制器20，通過電光相位調(diào)制器20去改變該諧振腔內(nèi)激光的相位，使其兩束激光的相位穩(wěn)定鎖定在0相位差，最后在束分離器4的右邊將相干合成一束激光輸出。
本實施例中的電光相位調(diào)制器20還可以替換為聲光相位調(diào)制器。
實施例5參考圖5，制作一四路主被動控制激光相干合成裝置。
圖5中所示的本實施例結(jié)構(gòu)包括兩套光電檢測和控制部分，該光電檢測和控制部分與實施例1相同，其它不同之處如下第一全反腔鏡1、第二全反腔鏡1’、第三全反腔鏡1”和第四全反腔鏡1均采用常規(guī)的平面反射鏡；第一45度全反鏡3、第二45度全反鏡3’和第三45度全反鏡3”均為石英鏡片；第一束分離器4、第二束分離器4’和第三束分離器4”均為50/50平面鏡；第一激光介質(zhì)2和第二激光介質(zhì)2’均采用Nd:YAG；第三激光介質(zhì)2”和第四激光介質(zhì)2均為Nd:YAG；輸出耦合腔鏡5采用石英腔鏡，其透過率為50％；其中第一全反腔鏡1和第二全反腔鏡1’、第一45度全反鏡3、第一束分離器4和輸出耦合腔鏡5構(gòu)成第一Michelson腔；第三全反腔鏡1”和第四全反腔鏡1、第二45度全反鏡3’、第二束分離器4’、第三45度全反鏡3”、第三束分離器4”、輸出耦合腔鏡5構(gòu)成第二Michelson腔；如圖中所示，四路激光的激光泵浦源都為808nm半導(dǎo)體激光器，其中第一Michelson腔采用端泵方式，第二Michelson腔采用側(cè)泵方式；四路激光經(jīng)輸出耦合腔鏡5相干合成一束大功率激光輸出。
本實施例中的第一全反腔鏡1、第二全反腔鏡1’、第三全反腔鏡1”和第四全反腔鏡1還可以采用Bragg反射鏡。
權(quán)利要求
1.一種主被動控制激光相干合成裝置，包括至少兩個泵浦源，至少兩個激光諧振腔，至少兩塊激光介質(zhì)，至少一輸出耦合腔鏡(5)；其特征在于第一全反腔鏡(1)、45度全反鏡(3)、束分離器(4)和所述輸出耦合腔鏡(5)構(gòu)成第一激光諧振腔；第二全反腔鏡(1’)、束分離器(4)和所述輸出耦合腔鏡(5)構(gòu)成第二激光諧振腔；第一激光介質(zhì)(2)放置在第一激光諧振腔的光路中，第二激光介質(zhì)(2’)放置在第二激光諧振腔的光路中；第一泵浦源(13)對第一激光諧振腔中的第一激光介質(zhì)(2)泵浦，第二泵浦源(14)對第二激光諧振腔中的第二激光介質(zhì)(2’)泵浦；至少一檢測器(10)置于束分離器(4)的一側(cè)，所述檢測器(10)與反饋控制器(11)、驅(qū)動器(12)順序連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主被動控制激光相干合成裝置，其特征在于，所述驅(qū)動器(12)與第一泵浦源(13)或第二泵浦源(14)連接，通過控制泵浦源的電流來控制激光束的相位。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主被動控制激光相干合成裝置，其特征在于，所述驅(qū)動器(12)驅(qū)動壓電陶瓷，通過壓電陶瓷控制第一全反腔鏡(1)或第二全反腔鏡(1’)來控制激光的相位變化。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主被動控制激光相干合成裝置，其特征在于，所述驅(qū)動器(12)驅(qū)動壓電陶瓷，通過壓電陶瓷控制第一激光介質(zhì)(2)或第二激光介質(zhì)(1’)來控制激光的相位變化。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主被動控制激光相干合成裝置，其特征在于，還包括在所述第一激光介質(zhì)(2)或第二激光介質(zhì)(2’)上加磁致伸縮材料，或者在所述第一激光諧振腔或第二激光諧振腔內(nèi)的光路上加聲光相位調(diào)制器或電光相位調(diào)制器，由驅(qū)動器(12)驅(qū)動磁致伸縮材料，或者聲光相位調(diào)制器或電光相位調(diào)制器去控制激光的相位變化。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主被動控制激光相干合成裝置，其特征在于，還包括在輸出耦合腔鏡(5)前加一擴(kuò)束器或者準(zhǔn)直器，用于擴(kuò)大或者準(zhǔn)直光束。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主被動控制激光相干合成裝置，其特征在于，所述第一激光介質(zhì)(2)和所述第二激光介質(zhì)(2’)包括單包層光纖、雙包層光纖、單包層和雙包層光子晶體光纖、微結(jié)構(gòu)光纖、多芯光纖、多芯光子晶體光纖、錐形光纖或錐形光子晶體光纖。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主被動控制激光相干合成裝置，其特征在于，所述第一激光介質(zhì)(2)和所述第二激光介質(zhì)(2’)包括氧碘、HF、DF、HCL、He-Ne、銅蒸氣、金蒸氣、碘原子、氬離子、氪離子、氦-鎘離子、CO2分子、CO分子、氮分子、準(zhǔn)分子、YAG、YVO、GGG、YLF、YAP、鈦寶石、LiSAF、Er玻璃、紅寶石、GaInAsP/InP、GaInNAs/GaAs、GaInAs/GaAs、GaAlAs/GaAs、GaAlInP/GaAs、ZnSSe/ZnMgSSe、GaInAlN/GaAlN、GaAs/AlGaAs或InGaAs/GaAs。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主被動控制激光相干合成裝置，其特征在于，所述第一全反腔鏡(1)和第二全反腔鏡(1’)包括平面鏡、非平面鏡、光纖光柵、Bragg反射鏡、直接鍍有反射膜的激光介質(zhì)的端面；所述輸出耦合腔鏡(5)包括平面鏡、非平面鏡、Bragg反射鏡；所述束分離器(4)是包括光纖耦合器或介質(zhì)膜鏡片。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主被動控制激光相干合成裝置，其特征在于，所述第一泵浦源(13)和第二泵浦源(14)包括閃光燈、電激勵源、半導(dǎo)體激光器、固體激光器；所述第一泵浦源(13)和第二泵浦源(14)的泵浦方式為側(cè)泵或端泵。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種主被動控制激光相干合成裝置，利用激光腔內(nèi)損耗機(jī)理實現(xiàn)相位的自調(diào)節(jié)和結(jié)合主動控制實現(xiàn)在高功率輸出時仍然獲得相位鎖定，同時，可直接獲得合成后的單一束激光輸出。該裝置包括至少兩個諧振腔構(gòu)成Vernier－Michelson諧振腔或Mach－Zehnder諧振腔或Fox－Smith諧振腔，檢測器檢測束分離器分出的輸出光強(qiáng)，通過反饋控制相位變化，實現(xiàn)激光相干合成。本發(fā)明具有高效率、結(jié)構(gòu)緊湊、能夠?qū)崿F(xiàn)大功率單一束激光輸出和系統(tǒng)性能穩(wěn)定的優(yōu)點。
文檔編號H01S3/05GK1874082SQ20051007234
公開日2006年12月6日 申請日期2005年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月30日
發(fā)明者彭欽軍, 許祖彥, 薄勇, 郭新軍, 耿愛叢, 楊曉冬 申請人:中國科學(xué)院物理研究所